《龙腾世纪：起源》拿灰瓮任务中四个试炼中踩方块走法

翻译如下：

1、先让三个人分别站在 C F K

2、然后用主角占到桥上2的位置

3、C位置的人换到I位置，这个步骤使桥1不能使用并让桥3成阴影状态显现。

4、K位置的人去A，这时3成为可用状态，让主角到桥3

5、F位置的去H，这步骤使桥2不能使用并让4成阴影状态显现。

6、I位置的去B，4变成可使用状态，并且可以永久的完全穿过桥

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C语言俄罗斯方块游戏源代码

/*学无止境*/ #include #include #include #define ESC 27 #define UP 328 #define DOWN 336 #define LEFT 331 #define RIGHT 333 #define BLANK 32 #define BOTTOM 2 #define CANNOT 1 #define CAN 0 #define MAX 30 #define F1 315 #define ADD 43 #define EQUAL 61 #define DEC 45 #define SOUNDs 115 #define SOUNDS 83 #define PAUSEP 80 #define PAUSEp 112

void Init(); void Down(); void GoOn(); void ksdown(); void Display(int color); void Give(); int Touch(int x,int y,int dx,int dy); int GeyKey(); void Select(); void DetectFill(); void GetScores(); void Fail(); void Help(); void Quit(); void DrawBox(int x,int y,int Color); void OutTextXY(int x,int y,char *String); void DispScore(int x,int y,char Ch); void DrawNext(int Color); int Heng=12,Shu=20; /*横竖*/ int Position[MAX][MAX]; int middle[MAX][MAX]; int ActH,ActS;

四探针法测电阻率

实验四探针法测电阻率 1．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。 2．实验内容 ① 硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。 ② 薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。 3．实验原理：在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。所谓四探针法，就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a 所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论公式计算出样品的电阻率［１］ I V C 23 =ρ 式中，C 为四探针的修正系数，单位为厘米，C 的大小取决于四探针的排列方法和针距，

探针的位置和间距确定以后，探针系数C 就是一个常数；V 23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特；I 为通过样品的电流，单位为安培。半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。 ⑴ 半无限大样品情形图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置；(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表面的接触均为点接触，所以，对图１（b ）所示的半无穷大样品，电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。于是，样品电阻率为ρ，半径为r ，间距为dr 的两个半球等位面间的电阻为 dr r dR 2 2πρ = ，它们之间的电位差为 dr r I IdR dV 2 2πρ= =。考虑样品为半无限大，在r →∞处的电位为0，所以图１（a ）中流经探针１的电流I 在r 点形成的电位为 ()r I dr r I V r r πρπρ222 1== ? ∞ 。流经探针１的电流在２、３两探针间形成的电位差为 ()??? ? ??-= 1312123112r r I V πρ；流经探针４的电流与流经探针１的电流方向相反，所以流经探针４的电流I 在探针２、３之间引起的电位差为 ()??? ? ??--=4342423112r r I V πρ。于是流经探针１、４之间的电流在探针２、３之间形成的电位差为 ??? ? ??+--= 434213122311112r r r r I V πρ。由此可得样品的电阻率为 ()1111121 434213 1223-???? ??+--=r r r r I V πρ 上式就是四探针法测半无限大样品电阻率的普遍公式。在采用四探针测量电阻率时通常使用图１（c ）的正方形结构（简称方形结构）和图１（d ）的等间距直线形结构，假设方形四探针和直线四探针的探针间距均为S ，则对于直线四探针有 S r r S r r 2, 42134312==== ()2223 I V S ? =∴πρ 对于方形四探针有 S r r S r r 2,42134312==== () 322223 I V S ? -=∴ πρ

俄罗斯方块C语言代码

【转载】88行代码实现俄罗斯方块游戏（含讲解）来源：https://www.360docs.net/doc/b214731700.html,/p/8 在正式阅读本文之前，请你记得你应该用娱乐的心态来看，本代码所使用到的技巧，在工作了的人眼里会觉得很纠结，很蛋疼，很不可理喻，很丑，注意，是你蛋疼，不关我的事通常，写一个俄罗斯方块，往往动不动就几百行，甚至上千行，而这里只有88行正所谓头脑风暴，打破常规。这里将使用很多不平常的手段来减少代码以下是Win-TC可以成功编译并执行的代码（代码保证单行长度不超过80字符，如果你是Win7系统，那请看后文）：程序代码： #include"graphics.h" #include #include int gcW = 20, gcColor[] = {DARKGRAY, LIGHTBLUE, LIGHTGREEN, LIGHTCYAN, LIGHTRED, LIGHTMAGENTA,MAGENTA, YELLOW}; struct tetris { int _pool[16][32], (*pool)[32], tmap[8][4][16]; int x, y, s, st, t; }gt; void trsInit() { int sp[8][4] = {{15,4369},{23,785,116,547},{71,275,113,802}, {39,305,114,562},{54,561},{99,306},{51,51},{-1}}; int *p, i, j, b; for (p = sp[0]; *p >= 0; ++p) if ( *p == 0 ) *p = p[-2]; gt.pool = >._pool[4]; for (j = 0; j < 7; ++j) for (i = 0; i < 4; ++i) for (b = 0; b < 16; ++b) gt.tmap[j+1][i][b] = (sp[j][i] & 1) * (j + 1), sp[j][i] >>= 1; memset(gt._pool, -1, sizeof(gt._pool));

四探针法测扩散薄层的方块电阻剖析

《半导体物理学》四探针法扩散薄层方块电阻的测量实验报告通信工程学院微电子121班小组成员姓名：学号：付天飞2012102027 刘静帆2012102025 杨壮2012102028 陈治州2012102024 2014年10月22日

四探针法扩散薄层方块电阻的测量一前言在结型半导体器件的生产中，大多使用扩散法来制备p —n 结。扩散层中杂质分布的状况及p —n 结的深度对器件的特性有明显的影响。用四探针法测量扩散层的方块电阻，可以求得扩散层单位面积的杂质总量，如果结合结深的测量，还可以估算出表面杂质浓度，因此，在晶体管及集成电路的生产中，几乎每次扩散以后都要测量方块电阻，以检验该次扩散是否达到预期的要求。二测量原理 1．方块电阻的定义如图4-3所示方形薄片，长、宽、厚分别用L 、W 、d 表示，当电流如图示方向流过时，若L=W ，这个薄层的电阻称为方块电阻，一般用R 表示，单位为Ω/□ 图4.-3 方块电阻的定义（1）杂质均匀分布的样品若该半导体薄层中杂质均匀分布，则薄层电阻Rs 为： w d L A L Rs ??=? =ρρ w L R w L d · =?=ρ 当L=W ，即薄片为正方形时，Rs =R ，R =ρ/d 为方块电阻，L/W 为方块数，简称方数，它与正方形边长大小无关。（2）杂质非均匀分布的样品实际扩散层中杂质分布不均匀，杂质分布与扩散方式有关，主要有以下两种扩散方式： ① 恒定表面源扩散：在整个扩散过程中，与半导体表面接触的杂质浓度不变，对应预淀积情况。杂质服从余误差分布，余误差函数的值可查函数表得到。

C语言课程设计俄罗斯方块源代码

1、新建“.h”头文件，将“头文件” 代码粘贴至其中， 2、新建“.c”源文件，将“源代码” 代码粘贴到其中。 3、新建空白工程，将头文件和源代码添加进去，调试使用。 //头文件 //1.自定义枚举类型，定义7种形态的游戏方块 typedef enum tetris_shape { ZShape=0, SShape, LineShape, TShape, SquareShape, LShape, MirroredLShape }shape; //2.函数声明 //(1)操作方块函数 int maxX();//取得当前方块的最大x坐标 int minX();//取得当前方块的最小x坐标 void turn_left();//当前方块逆时针旋转90度 void turn_right(); int out_of_table(); void transform(); int leftable(); int rightable(); int downable(); void move_left(); void move_right(); //(2)操作游戏桌面的函数 int add_to_table();

void remove_full(); //(3)控制游戏函数 void new_game(); void run_game(); void next_shape(); int random(int seed); //(4)绘图函数 void paint(); void draw_table(); //(5)其他功能函数 void key_down(WPARAM wParam); void resize(); void initialize(); void finalize(); //(6)回调函数，用来处理Windows消息 LRESULT CALLBACK WndProc (HWND,UINT,WPARAM,LPARAM); //源代码 //1.文件包含 #include #include #include #include"tetris.h" //2.常量定义 #define APP_NAME "TETRIS" #define APP_TITLE "Tetris Game" #define GAMEOVER "GAME OVER" #define SHAPE_COUNT 7 #define BLOCK_COUNT 4 #define MAX_SPEED 5 #define COLUMS 10 #define ROWS 20 #define RED RGB(255,0,0)

四探针法测电阻率共14页

实验四探针法测电阻率 1．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。 2．实验内容 ①硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。 ②薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。 3．实验原理：在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。所谓四探针法，就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论公式计算出样品的电阻率［１］式中，C为四探针的修正系数，单位为厘米，C的大小取决于四探针的

排列方法和针距，探针的位置和间距确定以后，探针系数C 就是一个常数；V 23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特；I 为通过样品的电流，单位为安培。半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。 ⑴ 半无限大样品情形图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置；(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表面的接触均为点接触，所以，对图１（b ）所示的半无穷大样品，电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。于是，样品电阻率为ρ，半径为r ，间距为dr 的两个半球等位面间的电阻为它们之间的电位差为 dr r I IdR dV 2 2πρ= =。考虑样品为半无限大，在r →∞处的电位为0，所以图１（a ）中流经探针１的电流I 在r 点形成的电位为 ()r I dr r I V r r πρπρ222 1==? ∞。流经探针１的电流在２、３两探针间形成的电位差为 ()??? ? ??-=1312 12311 2r r I V πρ；流经探针４的电流与流经探针１的电流方向相反，所以流经探针４的电流I 在探针２、３之间引起的电位差为 ()??? ? ??--=43424 23112r r I V πρ。于是流经探针１、４之间的电流在探针２、３之间形成的电位差为

俄罗斯方块源代码

1. using System; using System.Collections.Generic; using System.Text; using System.Drawing;//add namespace俄罗斯方块 { public class Block { private short width; private short height; private short top; private short left; private int ID; //方块部件的ID public int[,] shape;//存储方块部件的形状，０为空白，１为有砖块 public Block()//构造函数 { Random randomGenerator = new Random(); int randomBlock = randomGenerator.Next(1, 6);//产生1—4的数 this.ID = randomBlock; switch (this.ID) { case 1: //横条形 this.Width = 4; this.Height = 1; this.Top = 0; this.Left = 3; shape = new int[this.Width, this.Height]; shape[0, 0] = 1; shape[1, 0] = 1; shape[2, 0] = 1; shape[3, 0] = 1; break; case 2://正方形 this.Width = 2; this.Height = 2; this.Top = 0; this.Left = 4; // Creates the new shape for this block. shape = new int[this.Width, this.Height]; shape[0, 0] = 1; shape[0, 1] = 1; shape[1, 0] = 1;shape[1, 1] = 1; break; case 3://Ｔ形 this.Width = 3; this.Height = 3; this.Top = 0; this.Left = 4; // Creates the new shape for this block. shape = new int[this.Width, this.Height]; shape[0, 0] = 1; shape[1, 0] = 1; shape[2, 0] = 1; shape[1, 1] = 1; shape[1, 2] = 1; break; case 4://L形 this.Width = 2; this.Height = 3; this.Top = 0; this.Left = 4;

俄罗斯方块完整源代码

//不多说，直接可以拷贝下面的东西，就可以运行。 package day04; import java.awt.*; import java.awt.event.*; import javax.swing.*; import java.applet.*; import https://www.360docs.net/doc/b214731700.html,ng.String.*; import https://www.360docs.net/doc/b214731700.html,ng.*; import java.io.*; public class ERSBlock extends JPanel implements ActionListener,KeyListener//应该是继承JPanel { static Button but[] = new Button[6]; static Button noStop = new Button("取消暂停"); static Label scoreLab = new Label("分数:"); static Label infoLab = new Label("提示:"); static Label speedLab = new Label("级数:"); static Label scoreTex = new Label("0"); static Label infoTex = new Label(" "); static Label speedTex = new Label("1");

static JFrame jf = new JFrame(); static MyTimer timer; static ImageIcon icon=new ImageIcon("resource/Block.jpg"); static JMenuBar mb = new JMenuBar(); static JMenu menu0 = new JMenu("游戏 "); static JMenu menu1 = new JMenu("帮助 "); static JMenuItem mi0 = new JMenuItem("新游戏"); static JMenuItem mi1 = new JMenuItem("退出"); static JMenuItem mi1_0 = new JMenuItem("关于"); static JDialog dlg_1; static JTextArea dlg_1_text = new JTextArea(); static int startSign= 0;//游戏开始标志 0 未开始 1 开始 2 暂停 static String butLab[] = {"开始游戏","重新开始","降低级数","提高级数","游戏暂停","退出游戏"}; static int game_body[][] = new int[19][10]; static int game_sign_x[] = new int[4];//用于记录4个方格的水平位置 static int game_sign_y[] = new int[4];//用于记录4个方格的垂直位置

JAVA俄罗斯方块源代码

不多说，，直接可以拷贝下面的东西，然后记得把那个BLOCK的名字改成你自己的类名，这个很关键哦，不然是错的可别怪我，呵呵~~ import java.awt.*; import java.awt.event.*; import javax.swing.*; import java.applet.*; import https://www.360docs.net/doc/b214731700.html,ng.String.*; import https://www.360docs.net/doc/b214731700.html,ng.*; import java.io.*; public class Block extends JPanel implements ActionListener,KeyListener//应该是继承JPanel { static Button but[] = new Button[6]; static Button noStop = new Button("取消暂停"); static Label scoreLab = new Label("分数:"); static Label infoLab = new Label("提示:"); static Label speedLab = new Label("级数:"); static Label scoreTex = new Label("0"); static Label infoTex = new Label(" "); static Label speedTex = new Label("1"); static JFrame jf = new JFrame(); static MyTimer timer; static ImageIcon icon=new ImageIcon("resource/Block.jpg"); static JMenuBar mb = new JMenuBar(); static JMenu menu0 = new JMenu("游戏 "); static JMenu menu1 = new JMenu("帮助 "); static JMenuItem mi0 = new JMenuItem("新游戏"); static JMenuItem mi1 = new JMenuItem("退出"); static JMenuItem mi1_0 = new JMenuItem("关于"); static JDialog dlg_1; static JTextArea dlg_1_text = new JTextArea(); static int startSign = 0;//游戏开始标志 0 未开始 1 开始 2 暂停 static String butLab[] = {"开始游戏","重新开始","降低级数","提高级数","游戏暂停","退出游戏"}; static int game_body[][] = new int[19][10]; static int game_sign_x[] = new int[4];//用于记录4个方格的水平位置 static int game_sign_y[] = new int[4];//用于记录4个方格的垂直位置 static boolean downSign = false;//是否落下 static int blockNumber = 1;//砖块的编号 static int gameScore = 0;//游戏分数 static int speedMark = 1;

VC++ 6.0 MFC 俄罗斯方块自动求解代码源程序

#include #include #include #include #define tDown 1 //方块下落定时器的标识(编号) #define tPaint 2 //重绘定时器的标识(编号) #define tDownTime 500 //方块下落一行位置的时间间隔 #define tPaintTime 50 //窗口重绘的时间间隔 #define ROW 24 //地图的行数目(第23行不用) #define COL 14 //地图的列数目(第0列和第13列不用) #define MAX_CLASS 7 //方块形状数目 #define LEN 20 //每个方格大小为20×20像素 #define StartY -1 * LEN + 5 //-15,绘制俄罗斯方块地图时的边界起始位置#define StartX -1 * LEN + 5 //-15 int iDeleteRows = 0; //总共清除的行 int iTotalNum = 0; //总得分 char WindowTxt[100] = "俄罗斯方块游戏自动求解已关闭"; //窗口标题 char s1[] = "关闭", s2[] = "启动"; //用于启动/关闭自动求解功能时显示不同的标题

bool bAuto; //是否自动求解的标志 bool Pause; //是否暂停的标志 int Map[ROW][COL]; //俄罗斯方块的地图(被占据的方格为1，否则为0) int CurrentBox[4][4]; //当前落下的方块 int CurrentY, CurrentX; //当前落下方块的当前位置(指左上角位置) int NextBox[4][4]; //下一个将落下的方块 int Box[MAX_CLASS][4][4] = //7种方块形状 { { {0,0,0,0}, {1,1,1,1}, {0,0,0,0}, {0,0,0,0} }, { {0,0,0,0}, {0,1,0,0}, {1,1,1,0}, {0,0,0,0} }, { {0,0,0,0}, {1,1,0,0}, {0,1,1,0}, {0,0,0,0} }, { {0,0,0,0}, {0,1,1,0}, {1,1,0,0}, {0,0,0,0} }, { {0,1,1,0}, {0,0,1,0}, {0,0,1,0}, {0,0,0,0} }, { {0,1,1,0}, {0,1,0,0}, {0,1,0,0}, {0,0,0,0}

四探针测试仪测量薄膜的电阻率题库

四探针测试仪测量薄膜的电阻率一、实验目的 1、掌握四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法； 2、了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施。二、实验仪器采用SDY-5型双电测四探针测试仪（含：直流数字电压表、恒流源、电源、 DC-DC 电源变换器）。三、实验原理电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容---电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用。 1、半导体材料体电阻率测量原理在半无穷大样品上的点电流源，若样品的电阻率ρ均匀，引入点电流源的探针其电流强度为I ，则所产生的电场具有球面的对称性，即等位面为一系列以点电流为中心的半球面，如图1所示。在以ｒ为半径的半球面上，电流密度ｊ的分布是均匀的：若E 为ｒ处的电场强度，则：由电场强度和电位梯度以及球面对称关系，则：取ｒ为无穷远处的电位为零，则：（1） dr d E ψ -=dr r I Edr d 22πρψ-=-=???∞∞I -=-=)(022r r r r dr Edr d ψπρ ψ r l r πρψ2)(=

图3 四探针法测量原理图上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离ｒ处的点的电势的贡献。对图2所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针1流入，从探针4 流出，则可将1和4探针认为是点电流源，由1式可知，2和3探针的电位为： 2、3探针的电位差为：此可得出样品的电阻率为：上式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式。我们只需测出流过1、 4 探针的电流I 以及2、3 探针间的电位差V 23，代入四根探针的间距，就可以求出该样品的电阻率ρ。实际测量中，最常用的是直线型四探针（如图3所示），即四根探针的针尖位于同一直线上，并且间距相等，设r 12=r 23=r 34=S ，则有：S I V πρ223= 需要指出的是：这一公式是在半无限大样品的基础上导出的，实用中必需满足样品厚度及边缘与探针之间的最近距离大于四倍探针间距，这样才能使该式具有足够的精确度。如果被测样品不是半无穷大，而是厚度，横向尺寸一定，进一步的分析表明，在四探针法中只要对公式引入适当的修正系数B O 即可，此时： (223I V πρ=134132412)1111-+--r r r r )11(224122r r I -=πρψ)11(234 133r r I -=πρψ)1111(234 1324123223r r r r I V +--=-=πρψψS IB V πρ20 23=

C语言程序设计-俄罗斯方块源程序

其中的主要逻辑有：（1）由于c的随机性函数不好，所以每次游戏开始根据bios时间设置种子。（2）得分越高，方块下降速度越快（每200分为单位）。（3）每下落一个方块加1分，每消除一行加10分，两行加30分，三行加70分，四行加150分。初试分数为100分。游戏控制： up-旋转；空格-下落到底；左右下方向键-控制方向。P-开始或暂停游戏。ESC-退出。特点：（1）由于tc不支持中文，所以基本都是英文注释。（2）函数命名尽可能规范的表达其内部处理目的和过程。（3）代码加上注释仅有577行。（我下载过的两个俄罗斯方块代码一个在1087行，一个在993行，我的比它们代码少）。（4）除了消除空格时算法比较复杂，其他算法都比较简单易读。（5）绘图效率和局部代码效率扔有待提高。（6）FrameTime参数可能依据不同硬件环境进行具体设置，InitGame需要正确的TC路径。俄罗斯方块源于大约9年前上大一时的一个梦，我们在学习c语言时，我的同寝室友邀请我合作一起完成俄罗斯方块（课外作业性质），但是当时限于我们的水平比较菜和学习状态比较懒散，我们没有完成。大一的时候我在机房里无意发现别人留下的俄罗斯方块程序，运行，老师发现后激动的问我是我写的吗，我惭愧的摇摇头。那时看到别人做c的大程序深感羡慕（自己只是写几十行的程序）。数年后我仍然看到有不同样式的实现，但是我一直没有实现它，知道今天忽然有这个想法去做，算是弥补多年前的遗憾和心愿吧。 --------------------------------------------- Q&A： ---------------------------------------------- Q：我编译时出现错误：fatal error C1083: Cannot open include file: 'bios.h': Nosuch file or directory，该如何解决？ A：正文中的代码，是使用Borland公司的TC2.0编译的，编译结果运行在Windows的16位虚拟机上。bi os.h是属于TC的头文件，在VC或者其他编译器中可能没有这个头文件。因此会产生这个错误。解决办法：（1）可以下载附件中的压缩包，是使用VC6.0进行编译的版本，编译结果是Windows程序，运行在wind ows 32系统上。两者之间的算法完全一致，区别仅仅是绘图时采用的接口不同，TC下采用BGI（进入图形模式），VC下采用的是GDI（使用DC进行绘图）。（2）下载TC2.0进行编译。 Q：使用TC3.0进行编译时，提示未能初始化图形模式，请使用initgraph函数。 A：这是因为TC3.0的BGI文件的路径和TC2.0有所不同。TC2.0的BGI文件位于TC路径下。而TC3.0的BGI文件位于BGI文件夹中。请把initgame函数中的initgraph函数中的第三个参数设置为正确的路径。例如：initgraph(&..,&..,"C:\\TC\\BGI"); Q：编译后运行时，弹出错误对话框报告16位虚拟机遇到不可执行的指令，点击确定后退出。 A：该问题在某些环境中出现，可能是基于软件或者硬件环境造成，具体原因暂时未知。为避免该问题，请加载附件中的压缩包VC6.0版本。

实验一：四探针法测半导体电阻率

实验一：四探针法测量半导体电阻率 1、实验目的（1）熟悉四探针法测量半导体或金属材料电阻率的原理（2）掌握四探针法测量半导体或金属材料电阻率的方法 2、实验仪器 XXXX 型数字式四探针测试仪；XXXX 型便携式四探针测试仪；硅单晶； 3、实验原理半导体材料是现代高新技术中的重要材料之一，已在微电子器件和光电子器件中得到了广泛应用。半导体材料的电阻率是半导体材料的的一个重要特性，是研究开发与实际生产应用中经常需要测量的物理参数之一，对半导体或金属材料电阻率的测量具有重要的实际意义。直流四探针法主要用于半导体材料或金属材料等低电阻率的测量。所用的仪器示意图以及与样品的接线图如图1所示。由图1(a)可见，测试过程中四根金属探针与样品表面接触，外侧1和4两根为通电流探针，内侧 2和3两根是测电压探针。由恒流源经 1和4两根探针输入小电流使样品内部产生压降，同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其它两根探针（探针2和探针3）之间的电压V 23。图1 四探针法电阻率测量原理示意图若一块电阻率为的均匀半导体样品，其几何尺寸相对探针间距来说可以看作半无限大。当探针引入的点电流源的电流为I ，由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面，则在半径为 r 处等位面的面积为2 2r ，电流密度为 2 /2j I r （1）根据电流密度与电导率的关系 j E 可得 2 2 22j I I E r r （2）距离点电荷r 处的电势为 2I V r （3）

半导体内各点的电势应为四个探针在该点所形成电势的矢量和。通过数学推导，四探针法测量电阻率的公式可表示为 1 232312 24 13 34 11112( ) V V C r r r r I I （4）式中，1 12 24 13 34 11112( )C r r r r 为探针系数，与探针间距有关，单位为cm 。若四探针在同一直线上，如图1(a)所示，当其探针间距均为S 时，则被测样品的电阻率为 1 232311112( )222V V S S S S S I I （5）此即常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。有时为了缩小测量区域，以观察不同区域电阻率的变化，即电阻率的不均匀性，四根探针不一定都排成一直线，而可排成正方形或矩形，如图1(b)所示，此时只需改变电阻率计算公式中的探针系数 C 即可。四探针法的优点是探针与半导体样品之间不要求制备接触电极，极大地方便了对样品电阻率的测量。四探针法可测量样品沿径向分布的断面电阻率，从而可以观察电阻率的不均匀性。由于这种方法允许快速、方便、无损地测试任意形状样品的电阻率，适合于实际生产中的大批量样品测试。但由于该方法受到探针间距的限制，很难区别间距小于 0.5mm 两点间电阻率的变化。根据样品在不同电流（I ）下的电压值（V 23），还可以计算出所测样品的电阻率。 4、实验内容 1、预热：打开SB118恒流源和PZ158A 电压表的电源开关（或四探针电阻率测试仪的电源开关），使仪器预热 30分钟。 2、放置待测样品：首先拧动四探针支架上的铜螺柱，松开四探针与小平台的接触，将样品置于小平台上，然后再拧动四探针支架上的铜螺柱，使四探针的所有针尖同样品构成良好的接触即可。 3、联机：将四探针的四个接线端子，分别接入相应的正确的位置，即接线板上最外面的端子，对应于四探针的最外面的两根探针，应接入SB118恒流源的电流输出孔上，二接线板上内侧的两个端子，对应于四探针的内侧的两根探针，应接在PZ158A 电压表的输入孔上，如图 1(a)所示。

KDY—1型四探针电阻率方阻测试仪

KDY—1型四探针电阻率/方阻测试仪使用说明书广州市昆德科技有限公司

1、概述 KDY-1型四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电薄膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护箔膜。仪器配置了本公司的专利产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的最大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。 2、测试仪结构及工作原理测试仪主机由主机板、电源板、前面板、后背板、机箱组成。电压表、电流表、电流调节电位器、恒流源开关及各种选择开关均装在前面板上（见图2）。后背板上只装有电源插座、电源开关、四探针头连接插座、数据处理器连接插座及保险管（见图3）。机箱底座上安装了主机板及电源板，相互间均通过接插件联接。仪器的工作原理如图1所示：测试仪的基本原理仍然是恒流源给探针头（1、4探针）提供稳定的测量电流I （由DVM1监测），探针头（2、3）探针测取电位差V（由DVM2测量），由下式即可计算出材料的电阻率：

四探针法测电阻率实验原理

实验四探针法测电阻率 1.实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。 2.实验内容 ①硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。 ②薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单而扩散片和双而扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测疑（与①相同），对结果进行比较。 1 2 3 4 你 E 恒）图1四按针法測电磴車煉建图0｝四慄計測倒F且奉装貫Q）半无筲犬祥品上探针帧的分布炭半球等势面k）正方形排列的四探针爲直线枠列的四探针圏形 3.实验原理：在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法, 四探针法，单探针扩展电阻法，范徳堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。所谓四探针法，就是用针间距约1亳米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图la所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用髙输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论公式计算岀样品的电阻率m 式中，C为四探针的修正系数，单位为厘米，C的大小取决于四探针的排列方法和针距,

探针的位巻和间距确泄以后，探针系数C 就是一个常数：V23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特：I 为通过样品的电流，单位为安培。半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。 (1) 半无限大样品情形图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置：(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势而图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表而的接触均为点接触，所以，对图1 (b)所示的半无穷大样品，电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位而为图中虚线所示的半球面。于是，样品电阻率为P,半径为r,间距为dr 的两个半球等位而间的电阻为 dR = -^dr, 它们之间的电位差为dV = IdR = ^dr° 2加「考虑样品为半无限大，在r-8处的电位为0,所以图1 流经探针4的电流?与流经探针1的电流方向相反，所以流经探针4的电流I 在探针2、于是流经探针1、 4之间的电流在探针2、 3之间形成的电位差为由此可得样品的电阻率为 p=^\- -丄-丄+丄『 (1) / 1人2 斤3 r 42 r 43 ) 上式就是四探针法测半无限大样品电阻率的普遍公式。在采用四探针测量电阻率时通常使用图1(C)的正方形结构(简称方形结构)和图1 (d)的等间距直线形结构，假设方形四探针和直线四探针的探针间距均为S, 则对于直线四探针有金=知=S,斤厂 =r 42=2S ⑵ 对于方形四探针有金=金=S, 6 = 7 42=^5 2於厶 (a)中流经探针1的电流I 在 r 点形成的电位为讣 4歸流经探针1的电流在2、3两探针间形成的电位差为 3之间引起的电位差为