电子技术基础与技能考试题
职业中专《电子技术基础》期末考试题
一、填空题（每空1分，共30分）
1、逻辑代数中三种最基本的逻辑运算是、、。
2、晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一特性称为。
3、PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。
4、用万用表“R x 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
5、在检测三极管管脚极性时，万用表黑表笔固定在某一管脚，红表笔分别接另外两管脚，两次阻值均较小，则黑表笔所接管脚为_________，三极管管型为_________。
6、晶体三极管的输出特性曲线，可以分为三个区域，即区、区和 ________区。当三极管工作在区时，关系式I
C
=βI
B 才成立。
7、单相半波整流电路中，二极管承受的最高反向电压为变压器二次电压有效值的_______倍。
8、锗材料二极管导通时，其两端电压
为伏。硅材料二极管导通时，其两端电压为伏。
9、可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极
________、_______、________。
10、当集成运放工作在线性状态时，输出与输入之间应加反馈（正、负），使电路工作稳定。
11、集成稳压电源CW7905的输出电压为
_____伏。
12、在整流滤波电路中，电容器的接法是________，电感器的接法是________ ３．一般来说，有Ｎ个输入变量的逻辑函数就应有个不同的输入组合。
５．与或非门的逻辑符号是。
6异或门的逻辑表达式为。
二、选择题（每小题2分，共40分）
1、以下哪一种耦合方式经常用在集成电路中？
A．阻容耦合 B、直接耦合 C.变压器耦合
3、要得到-24V~-5V和+9V~+24V的可调
电
压
输
出
，
可
选
用
的
三
端
稳
C．CW117、CW137
压
器
分
别
为
（
）
A．CW137、CW237
B
W 21
7
3、对于桥式整流电路，正确的接法是( )
4、用万用表测得某电路中的硅二极管2CP 的正极电压为2V ，负极电压为1.3V ，则此二极管所处的状态是（ ） A ．正偏
B ．反偏
C ．开路
D ．击穿
5、如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很小，则二极管（ ）。
A 、内部开路
B 、内部击穿
C 、特性良好
D 、功能正常 6、整流的目的是（ ）。
A 、将交流变为直流
B 、将高频变为低频
C 、将直流变为交流
D 、将正弦波变为方波
7、若半波整流中，电路负载两端的平均电压为4.5V, 则二极管的最高反向电压应大于：( )
A ． 4.5V
B ． 9V
C ． 14．1V
D ．10．5V
8、如输出电压为5V ，最大输出电流为1.5A ，则可选用的集成稳压器是（ ） A.7805 B.78M05
C.78L05
D.7905 9、三极管工作在放大状态的必要条件是:
( )
A. 发射结正偏，集电结反偏
B. 发射结反偏，集电结正偏
C. 发射结，集电结均正偏
D. 发射结，集电结均反偏
10、测量小功率二极管的好坏时一般把万
用表的欧姆档拨到（ ）。
A R *1
B R *100
C R *10K
11、晶闸管的导通角越大，则控制角
（ ）。
A 越大
B 越小
C 不变
12、 某硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（ ） A 、约等于150伏 B 、可略大于150伏 C 、不得大于40伏 D 、等于75伏
13、晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流I C 将 （ ）。
A ．随I
B 增加而增加
B ．随I B 增加而减少
C ．与I B 无关，只决定于V c 和R C
14、稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区
B ．反向截止区
C ．反向击穿区
15、下列命题，用逻辑分析正确的是（ ）
Ａ。若Ａ＋Ｂ＝Ａ＋Ｃ，则Ｂ＝Ｃ
Ｂ。若ＡＢ＝ＡＣ，则Ｂ＝Ｃ
Ｃ。若Ａ＋Ｂ＝Ａ＋Ｃ，且ＡＢ＝ＡＣ则Ｂ＝Ｃ
Ｄ。全部正确
16、当JK 触发器在时钟CP 作用下，欲使Q n +1 = Q n ，则必须使（ D ）。
A ．J ＝0，K=1
B 、J ＝1，K=0
C ．J ＝K=0
D ．J ＝K=1
17、能实现“有０出１，全１出０”的
逻辑功能是（ ） Ａ。与门 Ｂ。或门 Ｃ。与
非门 Ｄ。或非门
18、１０．图示电路中，设开关闭合用
为（ ） Ａ。Ｙ＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ
Ｂ。Ｙ＝Ａ（Ｂ＋Ｃ） Ｃ。Ｙ＝Ａ＋ＢＣ
Ｄ。Ｙ＝ＡＢＣ
19、在图中，当Ｙ＝１时，则输入Ａ为（ ）
Ａ。１ Ｂ，０ Ｃ，０或１均有可能 Ｄ。０或１均不可能
20、满足图中输入，输出关系的门电路是（ ）
Ａ。与 Ｂ。或 Ｃ。与非 Ｄ。或非 四、计算题（共30分）
5.试判断下图中三极管处于何种工作状态。（3分）
13.如图所示，设二极管导通电压D u ＝0.7V ，则电路的输出电压值o u 为 。（3分）
3. 画出单相半波整流电路图，若输出Ω,试计算变
V 五、根据逻辑符号图，写出输出端F 的表达式及真值表，并由输入AB 波形画输出F 的波形。（共9分）
4、．图4-6电路中，设晶体管是理
想元件，输入信号V i 、触发脉冲V C 如图所示。（6分）
（1）写出晶闸管的导通条件。 （2）画出负载电阻R L 上的波形。
模拟电子技术基础考试试题答案-(1)
第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③
数字电子技术基础期末考试试卷及答案
数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门
3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>Ω） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。
电子技术基础-考试大纲
电子技术基础-考试大纲 参考书： 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可)；秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》（第三版或第四版）；童诗白主编，高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》（第四版）；阎石主编，高等教育出版社 考试时间：2小时（满分100分）。 一、本课程的地位、作用和任务 《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。 二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数；尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应 用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现 象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电 路。
(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理，判断电路能否产生正弦波振荡，掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简，分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方 法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方 法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
中等职业学校电子技术基础教学大纲
中等职业学校 《电子技术基础与技能》 教学大纲 适用专业：电子技术应用、电子信息技术、机电技术等相关专业 国家示范性职业学校数字化资源共建共享计划 《电子技术应用》精品课程资源建设项目 组长单位：江苏省如皋中等专业学校 修订日期：2012年4月
一、课程性质与任务 本课程是中等职业学校电类专业的一门基础课程。其任务是：使学生掌握电子信息类、电气电力类等专业必备的电子技术基础知识和基本技能，具有分析和处理生产与生活中一般电子问题的基本能力，具备继续学习后续电类专业技能课程的基本学习能力，为获得相应的职业资格证书打下基础。培养学生的职业道德与职业意识，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础。 二、课程教学目标 1．专业能力目标 （1）初步具有查阅电子元器件手册并合理选用元器件的能力。 （2）会使用常用电子仪器仪表。 （3）了解电子技术基本单元电路的组成、工作原理及典型应用。 （4）初步具有识读电路图、简单电路印制板和分析常见电子电路的能力。 （5）具有制作和调试常用电子电路及排除简单故障的能力。 （6）掌握电子技能实训的安全操作规范，形成安全生产、规范操作的意识。 2．方法能力目标 （1）了解电子技术的认知方法，培养学习兴趣，形成正确的学习方法，有一定的自主学习能力。 （2）具有资料查阅和信息处理能力，具有一定的交流、分析、解决问题的能力。 （3）通过参加电子实践活动，培养运用电子技术知识和工程应用方法解决与生产和生活相关电子问题的能力，形成良好的工作方法与工作作风。 3．社会能力目标 （1）树立辩证唯物主义观点，形成实事求是的科学态度和良好的职业道德，具有创新精神与团队合作精神。 （2）树立节能环保、产品质量等职业意识。 三、教学内容结构 大纲采用模块式结构，教学内容由基础模块与选学模块构成，每个模块下又分为两个部分：模拟电子技术和数字电子技术。 1．基础模块是各专业学生必修的教学内容和应该达到的基本教学要求，建议安排84学时。 2．选学模块是适应不同专业需要，以及不同地域、学校、学制差异，满足学生个性发展的选学内容。选定后也为该专业的必修内容，建议至少选择12学时教学内容。 3．课程总学时数应至少保证96学时。
电工电子技术基础考试试卷答案
《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）
电子技术基础考试必备(十套试题,答案)
电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。
A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
电工电子技术基础试题库
《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min
电子技术基础考试必备十套试题,有答案
电子技术基础考试必备十套试题,有答案 TTA standardization office【TTA 5AB- TTAK 08- TTA 2C】
电子技术基础试题（八）一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功 放，______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和 ___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分）
1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 3 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振 荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。
中职电子技术教案课件教材资料
项目一半导体的基础知识 一、半导体： 1、半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。 2、导体： 3、绝缘体 二、本征半导体 1、本征半导体：纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠的作用而紧密联系在一起。 2、空穴：共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由 电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。 3、空穴电流: 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。 三：杂质半导体 1、杂质半导体:在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 1）.N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2）.P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓
度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。 四、PN结 一、PN结基础知识 1、 PN结：我们通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，于是这两种半导体的交界处就形成了P—N结，它是构成其它半导体的基础，我们要掌握好它的特性！2：异形半导体接触现象 1）扩散运动：在形成的P—N结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动（高浓度向低浓度扩散）：电子从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就是形成了电场(自建场). 它们的形成过程如图（1），（2）所示 2）漂移运动：在电场的作用下，载流子将作漂移运动，它的运动方向与扩散运动的方向相反，阻止扩散运动。电场的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强，同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移运动相等时，通过界面的载流子为0。此时，PN结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又把它称为阻挡层或耗尽层。
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
电子技术基础考试必备(十套试题-有答案)
电子技术基础试题（八） 一.填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有________ 性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 ______ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________ 和 _____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻rs ______ 时，负载获得的功率最 大，这种现象称为_______________ 。 5、运算放大器的输出是一种具有___________________ ■勺多级直流放大 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有： ______ 功放， ______ 类功放和 ______ 功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量___________ 以减少____________ 真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由_______________ 、—和___________ 个部分组成。 9 .逻辑代数的三种基本运算是_____________________ 、 ___________ 和 10.主从触发器是一种能防止___________ 象的实用触发器。 二.选择题（每题3分，共30分） 1. 晶体管二极管的正极的电位是—10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管
处于：（）。
A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A. 集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V C E上升 C.集电极电 流增大 3. 某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数：（）。 A. 3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4. 正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A. 保证电路满足振幅平衡条件 B. 提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C. 使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5. 甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是：（）。 A. 有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6 .有两个2CW15急压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为
中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)
2015 学年第 1 学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR 越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述正确的每小题用√填写在下面表格对应的序号中，叙述错误的每小题用x填写在下面表格对应的序号中。） 1、衡量一个直流放大器零漂的程度只需看输出零漂电压的大小。 2、理想运算放大器两输入端的电位相等并且恒等于0V。 3、差分放大器的放大倍数与组成它的单管放大器的放大倍数相同。 4、反相输入比例运算放大器的反馈类型是电压串联负反馈。 5、两个电压放大倍数不同的直流放大器，若它们输出端的零漂电压相同，则电压放大倍数小的直流放大器，其零漂现象要严重些。 6、共集电极放大器属电压串联负反馈放大器，所以该电路的输入阻抗高，输出阻抗低。 7、负反馈能使放大器的通频带扩展，也能减小放大器的波形失真。 8、在共射极单管放大电路中，若电源电压不变，只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ic值。 9、固定偏置放大电路中，若更换三极管，则基极偏流电阻必须重新调整。 10、全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流相等。 11、二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流迅速增大。 三、选择题（10小题，每小题2分，共20分。将每小题正确的选项答案填写在下面 题号123456789101112 答案 1、同相输入比例运算放大器的反馈类型是_________。 A、电流串联负反馈 B、电流并联负反馈 C、电压串联负反馈 D、电压并联负反馈 2、引起直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是_________。 A、半导体器件参数的变化 B、电路中电容和电阻数值的变化 C、电源电压的变化 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分得分
电子技术基础试题2
模拟电子技术基础试题2 一、填空题（每空2分，共30分） 1．N 型半导体中，多数载流子是_______。 2．PN 结方程是_______。 3．放大区工作的晶体三极管，实质是一个_______器件。 4．二极管最重要的特性是_______。 5．为使晶体管工作于放大状态，必须保证_______正偏，_______反偏。 6．晶体管三种基本放大电路中，只有较大电压增益的是_______电路。只有较大电流增益的是_______，既有较大电流增益又有较大电压增益的是_______。 7．二极管正向电压随温度升高而_______。 8．桥式全波整流电路中，变压器二次电压为10V ，则负载上的平均电压为_______V 。 9．为了使放大器静态工作点稳定，应引入_______反馈。为了提高输入电阻，减小输出电阻，应引入_______反馈。 10．多级放大器中，总电压放大倍数等于各级电压放大倍数。 11．差分放大器中，对管射极的公共用电阻Re 增大则共模抑制比K CMR _______。 二、简单计算题（共36分） 1．图1所示放大电路中，50=β，V 7.0BE =V ，容抗可略。求：（1）I BQ 、I CQ 、I CEQ ；（2）A V ，R i ，R o 。 2．图2所示电路中，运算放大器是理想的，求： （1）1 011 V V A V =；（2）2 022 V V A V = ；（3）?P =R 3．图3所示放大电路中50 =β ，V BE =0.7V 。求：（1）1 011 V V A V = ；（2）1 022 V V A V = 4．图4所示放大电路中：（1）判断反馈极性和接法；（2）如为负反馈，估算A V f 。 三、放大电路分析题（共50分） 1．判断图示电路中，（a ）（b ）（c ）（d ）有无放大作用，若无放大作用，说明理由。
(完整版)中职电子技术基础教案
中职电子技术基础教案 中职电子技术基础教案随着科学技术的发展，电子技术目前被广泛应用于各个领域，与其他学科相比，电子技术更注重对学生思维和创新意识的提高，注重提升学生的综合能力。电子技术教学课程主要包括“模拟电子技术” 和“数字电子技术” 两部分，这是一门理论与实践并重的技术课程。中职院校要大力改革电子技术传统教学模式，创新教学体制，调整教学，不仅要使学生掌握基础理论知识，掌握专业技能，锻炼学生的逻辑思维和独立分析问题、解决问题的能力，坚持以培养学生创新实践能力为主要目的，激发学生的学习积极性，根据教学实际调整教学内容和考核方式，创新电子技术教学模式。 1. 教师专业素质有待提高，教学方式陈旧目前中职院校教师的专业教学水平还较低，教学呈现滞后状态，教学内容陈旧，教师简单的根据教材死板的开展教学，使学生处于被动的状态，学生的主体性难以发挥。其次，教师不会使用多种形式开展教学，教学方法过于单一，对于多媒体教学设备使用不够充分。 2. 理论教学与实践教学脱节现在中职院校电子技术过于强调理论知识教学，而且理论教学与实践教学分开进行，教师先讲解相关课程理论知识，之后进行相应的实验教学，这种教学设置导致理论教学与实践教学联系不够紧密，二者距离较远，且课堂教学略显枯燥，电子技术教学效果欠佳。 3. 学生文化基础较为薄弱中职院校一般招生大多是针对高中
毕业没有考上本科的学生，学生文化基础较为薄弱，对学习的自主性与兴趣不够，导致高职专业教育和电子技术教学效果不佳。 1. 按照教学大纲开展教学高职院校要根据教学大纲的要求，做好电子技术教学，教学内容既要涵盖重要的基础理论、基础技能，电子技术教师要结合现代科学技术发展情况，在教学中增加介绍现代电子技术的新内容，做好基础理论教学，学生在扎实掌握电子技术知识基础上发挥自己的主观能动性，用正确理论指导实践，教师在调整教学时要做到开拓学生视野。 2. 营造优良的实践教学环境电子技术教学是一门理论知识与实践教学相结合的学科，因此教师要注重培养学生的专业理论知识和电子技能，高职院校要加大投入，建设电子教室和电子技术训练室的建设，为学生提供良好的实践教学环境和实践操作演练的设备设施，教师要增加实践环节的教学力度，提高实践教学在教学课时中的比重。教师要把理论教学与实践有机结合起来，合理安排实践课程的内容，确保实践课的教学质量。 3. 构建能力本位的课程体系 电子技术课程所包含的内容特别多，例如半导体二极管、三极管、集成运算放大器电路、信号产生电路等，教学难度很大，加之高职学生的文化基础较为薄弱，他们学习理论知识的兴趣不高，排斥枯燥的教学内容，但对实验性的知识很感兴趣。教师要根据学生特点，以提高学生能力为核心调整教学，以专业培养目标和就业
电子技术基础考试试卷
电子技术基础考试试卷 一、填空题（每题2分，共20分） 1．实际使用的电源，按其外特性可以分为（）和（）。 2．有一种物质，它的导电性介于导体和绝缘体之间，这就是（），如硅、锗。 3．数字工程中，按存取方式分类，常用的存储器有顺序方向存储器，（）存储器，（）存储器三种。 4．电路的功能大致可以分为两类，一类是作为（）的传输和转换，如电力电路；一类是作为实现（）的传递和处理，如信号电路。5．如右图所示的电路中，B点的电位为（）V。 6．测得工作在放大区的晶体三极管三个电极的电位分别为+2.3V、+2V、+8V，则此管的三个电极先后为基极、（）极和（）极。7．存储器的（）和（）是反映系统性能的两个重要指标。_ 8．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V, 接入3KΩ的负载电阻后输出电压为3V,这说明放大电路的输出电阻为（）。 9．将十进制数18.625化为二进制数为（），化为十六进制数为（）。 10．设输入变量为A、B、C，判别当三个变量中有奇数个1时，函数F=1, 否则F=0, 实现它的异或表达式为F=（）。
二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1．PN结加上反向电压，自建电场与外加电场方向（），内电场（）。 A. 相反加强 B. 一致加强 C. 相反减弱 D. 一致减弱 2．下列电路中，（）不是时序电路。 A. 计数器 B. 触发器 C. 寄存器 D. 译码器 3．图示电路中，AB之间电压V对应的方程式为（）。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 4．右图是下面哪类场效应管的图符？ A. N沟道耗尽型场效应管 B. P沟道耗尽型场效应管 C. N沟道耗尽型MOS管 D. P沟道耗尽型MOS管 5．组合逻辑电路险象的消除方法不包括（） A. 多余项插入法 B. 改变电路结构 C. 加接惯性环节 D. 消除选通脉冲 三、分析计算题（共70分） 1．求图中电路中a、b、c各点的电位。（其中E1=5V, E2=10V,