面试模拟电路小常识

面试模拟电路小常识
面试模拟电路小常识

随着半导体技术和工艺的飞速发展,电子 设备得到了广泛应用,而 作为一名电力工程师,模拟电路是一门很基础的专业课,对于学生来说, 获得电子线路基本知识、基本理论和基本技能,能为深入学习电子技术 打下基础。

必备的40个实用模拟电路小常识

01

电接口设计中,反射 衰减通常在高频情况下变差,这是因为带损耗的传 输线反射同频率相关,这种情况下,尽量缩短PCB 走线就显得异常重要。 02

稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管,由于特殊的内部结构 特点,适用反向击穿的工作状态,只要 限制电流的大小,这种击穿是非 破坏性的。

03

PN 结具有一种很好的数学模型:开关模型d 二极管诞生了 d 再来一个

PN 结,三极管诞生了。

04

高频电路中,必须考虑PN 结电容的影响(正向偏置为扩散电容,反相 偏置为势垒电容)。

05

在高密度的场合下,由于收发信号挨在一起,很容易发生串扰,这在布 线时要遵守3W 原则,即相邻PCB 走线的中心线间距要大于PCB 线宽的 3倍。在插卡设备,接插件连接的位置,要有许多接地针,提供良好的 射频回路。

06

双极型管是电流控制器件,通过基极较小的电流控制较大的集电极电流; MOS t 是电压控制器 件,通过栅极电压控制源漏间导通电阻。

07

三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn 管射极跟随器为例,当基极 加不加电压时,基区和发射区组成的pn 结为阻止多子(基区为空穴, 发射区为电子)的扩散运动,在此pn 结处会感应出由发射区指向基区 内建电场)。

(Schottky, SBD )适用于高频开关电路,正向压降和反 (0.2V )但是反向击穿电压较低,漏电流也较大。

09

抖动特性绝大部分取决于输出芯片的特性,不过,如果PCB 布线不当, 电源滤波不够充分,时钟 参考源太冲太大也会增加抖动成分。信号 线的 匹配对抖动产生直接的影响。特别是芯片中含有倍频功能,本身相位噪 声较大。

的静电场(即

08 肖特基二极管 相压降都很低

10

极型选择是指BJT是用PNP还是NPN管,这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。

11

场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别:BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”,FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子,“多子”。

12

发射极正偏,集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式:共基极,共发射极(最多,因为电流,电压,功率均可以放大),共集电极。判别三种组态的方法:共发射极,由基极输入,集电极输出;共集电极,由基极输入,发射极输出;共基极,由发射极输入,集电极输出。

13

三极管主要参数:电流放大系数P ,极间反向电流,(集电极最大允许电流,集电

极最大允许耗散功率,反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域)。

14

因J-FET的Rgs很高,在使用时首先应注意无静电操作,否则很容易发生栅极击穿;另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数,不能超出范围。将J-FET当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置,不能使之进入恒流区。

15

射极偏置电路:用于消除温度对静态工作点的影响(双电源更好)。

16

三种BJT放大电路比较:共射级放大电路,电流、电压均可以放大。共集电极放大电路:只放大电流,跟随电压,输入R大,输出R小,用作输入级,输出级。共

基极放大电路:只放大电压,跟随电流,高频特性好。

17

去耦电容:输出信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。旁路电容:输入信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路。

18

MOS-FET在使用中除了正确选择参数以及正确的计算外,最值得强调的仍然是防静电

操作问题,在电路调试、焊接、安装过程中,一定要严格按照防静电程序操作。

19

主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。

20

场效应管三个铝电极:栅极g,源极s,漏极d。分别对应三极管的基极b,发射极e,集电极c o <源极需要发射东西嘛,所以对应发射极e,栅极的英文名称是gate,门一样的存在,和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。

21

增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt),耗尽型FET则不需要栅源电压,在正的Vds作用下,就有较大的漏极电流流向源极(如果加负的

Vgs,那么可能出现夹断,此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性*** :可以在正

负的栅源电压下工作)

22

N沟道的MOS管需要正的Vds (相当于三极管加在集电极的Vcc)和正的Vt (相当于三极管基极和发射极的Vbe),而P沟道的MOS管需要负的

Vds和负的Vt 0

23

VMOSFET有高输入阻抗、低驱动电流;开关速度块、高频特性好;负电流温度系数、

无热恶性循环,热稳定型优良的优点。

24

运算放大器应用时,一般应用负反馈电流。

25

差分式放大电路:差模信号:两输入信号之差。共模信号:两输入信号之和除以2o 由此:用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型:任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2 0

26

差分式放大电路只放大差模信号,抑制共模信号。利用这个特性,可以很好的抑

制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标: 共模抑制比Kcmr。

27

二极管在从正偏转换到反偏的时候,会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极,

其反向电流先上升到峰值,然后下降到零。

28

在理想的情况下,若推挽电路的两只晶体管电流、电压波完全对称,则输出电流中

将没有偶次谐波成分,及推挽电路由已知偶次谐波的作用。实际上由于两管特性总

有差异,电路也不可能完全对称,因此输出电流还会有偶次谐波成分,为了减少

非线性失真,因尽量精选配对管子。

29

为了获得大的输出功率,加在功率晶体管上的电压、电流就很大,晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题,一般不以超过管子的极限参数(Icm、BVceo、Pcm)为限度。

30

放大电路的干扰:1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动(采用稳压电源,输入和输出加上滤波电容)。

31

负反馈放大电路的四种组态:电压串联负反馈(稳定输出电压),电压并联负反

馈,电流串联负反馈(稳定输出电流),电流并联负反馈。

32

电压、电流反馈判定方法:输出短路法,设RL=0,如果反馈信号不存在,为电压反馈,反之,则为电流反馈。

33

串联、并联反馈的判定方法:反馈信号与输入信号的求和方式,若为电压形式,则

为串联反馈,若为电流形式,则为并联反馈。

34

对于NPN电路,对于共射组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点,通过

控制VB来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC (从电位更

高的地方流进C极,你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗)。

35

对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常

VcoVdd), VSS是接地点;在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。

36

示波器探头有一条地线和一条信号线,地线就是和示波器输入端子外壳通的那一条,一般是夹子状的,信号线一般带有一个探头钩,连接的话你把示波器地线接到你设备的地,把信号线端子接到你的信号端,注意如果要测量的信号和市电没有隔

离,则不能直接测量。

37

驱动能力不足含有两种情况:一是器件的输入电阻太小,输出波形会变形,如TTL

电平驱动不了继电器;二是器件输入电阻够大,但是达不到器件的功率,如小功

率的功放,驱动大功率的喇叭,喇叭能响,但音量很小,其实是输出的电压不够

大。

38

滤波电路:利用电抗元件的储能作用,可以起到很好的滤波作用。电感

(串联,大功率)和电容(并联,小功率)均可以起到平波的作用。

39

开关稳压电源与线性电源:线性电源,效率低、发热强、但是输出很稳定。开关电

源,效率高、发热一般、但输出纹波大,需要平波。

40

由电子电路内因引发的故障类型有:晶体管、电容、电阻等电子元件性能发生改变引发的故障;电子电路中有关线路接触不良引发的故障等。由外因引起的电子电路故障类型有:技术人员使用电子电路时未按照说明要求进行操作;维修技术人员维修程序不规范不科学等。

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题与答案详解

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题 填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关, 而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时, 结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电 路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出 电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍 数AF=( 1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大 小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大 器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点, 所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息 的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须 (),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断(10分) 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。() 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。() 3、PN结具有单向导电特性。() 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。() 5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。() 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。() 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。() 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。() 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。() 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。() 二、选择(10分) 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下,可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通,反偏截止 B、正偏截止,反偏导通 C、正偏导通,反偏导通 D、正偏截止,反偏截止 4、既能放大电压,也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大,表明电路()。 A、放大倍数越稳定; B、交流放大倍数越大; C、抑制温漂能力越强; D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入()反馈,为减小输出电阻,应引入()反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是()。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中,已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形,设二极管为理想二极管。(每题10分,共20分)

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象,这是属于失真。

电子科技大学模拟电路考试题及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷(120 分钟)考试形式:开卷课程成绩构成:平时10 分,期中30 分,实验0 分,期末60 分 一(20分)、问答题 1.(4分)一般地,基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大?哪个最小? 2.(4分)在集成运算放大器中,为什么输出级常用射极跟随器?为什么常用射极跟随器做缓冲级? 3.(4分)电流源的最重要的两个参数是什么?其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载?在集成电路中采用有源负载有什么好处? 4.(4分)集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级? 5.(4分)在线性运算电路中,集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式?

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二(10分)、电路如图1所示。已知电阻R S=0,r be=1kΩ,R1∥R2>>r be。 1.若要使下转折频率为10Hz,求电容C的值。 2.若R S≠0,仍保持下转折频率不变,电容C的值应该增加还是减小? 图1 三(10分)、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V,硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V,R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四(10分)、电路如图3所示。已知三极管的β=50,r be=1.1kΩ,R1=150kΩ,R2=47kΩ,R3=10kΩ,R4=47kΩ,R5=33kΩ,R6=4.7kΩ,R7=4.7kΩ,R8=100Ω。 1.判断反馈类型; 2.画出A电路和B电路; 3.求反馈系数B; 4.若A电路的电压增益A v=835,计算A vf,R of和R if。 图3

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.(24分) 1)射极输出器的特性归纳为:电压增益,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。 2)电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3)在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;大小相等,极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4)在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5)PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。 6)晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏, 结必须反偏。 7)晶体三极管有型和型两种类型。 8)画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短;.

路。 二.(1.9分,2.9分,3.6分,共24分) 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ,R g2=100kΩ,R g3=2MΩ,R d=10kΩ,R2=10kΩ,+V DD=+20V,场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路; (2)求电压增益A v; (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问: a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

深圳大学模拟电路必考期末试题(老师给的习题,但就是考试题)

第八章作业解答 8.3 差动放大电路如下图所示,已知V CC =V EE =12V ,R b =1k Ω,R c =12k Ω,R L =36k Ω,R e =11.3k Ω,R w =200Ω,6021==ββ,Ω='300b b r ,U BE =0.7V 。 (1)估算静态工作点Q (I BQ 、I CQ 、U CEQ ); (2)估算差模电压放大倍数A ud ; (3)估算差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。 解:(1)静态时,U BQ ≈0,U EQ =-U BE =-0.7V , 由方程)(2)5.0(EE EQ e EQ w EQ V U R I R I --=?+?解得: mA I EQ 5.03 .1121.07.012≈?+-= mA I I EQ CQ 5.0≈≈ A I I CQ BQ μβ 3.8== V 7.67.0125.01212=+?-=-?-=EQ C CQ CEQ U R I U (2) k Ω47.35 .0266130026)1(=?+=++='EQ b b be I mV r r β 87.401 .06147.31)18//12(605.0)1()5.0//(-=?++-=?+++-=w be b L R r R R R A ββC ud (3) k Ω14.21)1.06147.31(2]5.0)1([2=?++?=?+++?=W be b id R r R R β k Ω242=?=C o R R 8.4 具有集电极调零电位器R w 的放大电路如下图所示,设电路参数完全对称,50=β,k Ωbe 8.2=r ,当R w 动端置于中点位置时,试计算:

模拟电子技术考试试题大全及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电 压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电 阻为(),等效成断开; 4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用 ()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= ()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大 小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点, 所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息 的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(), 它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

华南理工大学网络教育学院期末考试电路原理模拟试题(和答案)

华南理工大学网络教育学院期末考试 《电路原理》模 拟 试 题 注意事项: 1.本试卷共四大题,满分100分,考试时间120分钟,闭卷; 2.考前请将密封线各项信息填写清楚; 3.所有答案请直接做在试卷上,做在草稿纸上无效; 4.考试结束,试卷、草稿纸一并交回。 一、单项选择题(每小题2分,共70分) 1、电路和及其对应的欧姆定律表达式分别如图1-1、图1- 2、图1-3所示,其中表达式正确的是( b )。 (a )图1-1 (b )图1-2 (c )图1-3 图 1图 2 图 3图1-1 图1-2 图1-3 2、在图1-4所示电路中,已知U =4V ,电流I =-2A ,则电阻值R 为( b )。 (a )-2Ω (b )2Ω (c )-8Ω 3、在图1-5所示电路中, U S ,I S 均为正值,其工作状态是( b )。 (a )电压源发出功率 (b )电流源发出功率 (c )电压源和电流源都不发出功率 4、图1-6所示电路中的等效电阻R AB 为( b )。 (a )4Ω (b )5Ω (c )6Ω R U I S 图1-6 5、在计算非线性电阻电路的电压和电流时,叠加定理( a )。 (a )不可以用 (b )可以用 (c )有条件地使用 6、理想运放工作于线性区时,以下描述正确的是( c )。 (a )只具有虚短路性质 (b )只具有虚断路性质 (c )同时具有虚短路和虚断路性质 7、用△–Y 等效变换法,求图1-7中A 、B 端的等效电阻R AB 为( b )。 (a )6Ω (b )7Ω (c )9Ω 8、图1-8所示电路中,每个电阻R 均为8Ω,则等效电阻R AB 为( a )。 (a )3Ω (b )4Ω (c )6Ω

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求) 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。 半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是; 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流,而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器,Av2是( ) 放大器,Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下,得出两个重要结论他们是:( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题: 1、PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

汕头大学模拟电路期末复习试卷知识分享

装 订 线 汕头大学2009-2010年秋季学期《模拟电子技术》考试试卷(A ) 开课单位 任课老师 评 卷 人 学生姓名 学号 所在开课班号 所在学院 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分 得分 一、单项选择题(20%) 1. 二极管电路如图1所示,处于导通工作状态的二极管是( ) (A) Dl 导通 (B) D2导通 (C)D1和D2均导通 (D) Dl 和D2均不导通 图1 2. 在放大电路中测得某三极管的三个电极的电位分别为-6V 、0V 和-0.3V ,则该管为( )。 (A)NPN 型硅管 (B)NPN 型锗管 (C)PNP 型硅管 (D)PNP 型锗管 3. 晶体三极管属于_____控制型器件,而场效应管属于______控制型器件。( ) (A)电流、电压 (B)电压、电流 (C)电压、 电压 (D)电流、电流 4. 同一个晶体三极管(BJT)分别接成单级共基极、共集电极和共发射极电路,请问哪个电路的上截止频率最小。( ) (A)共发射极放大电路 (B)共基极放大电路 (C)共集电极放大电路 5. 在差分放大电路中,两个输入端的信号大小相等、极性或相位相同的称为_____信号,而大小相等、极性相反的称为_____信号。差分放大电路对______信号有放大作用,对_______信号有抑制作用。( ) (A)共模、差模、差模、共模 (B)差模、共模、差模、共模 (C)共模、差模、共模、差模 (D) 差模、共模、共模、差模 6. 双端输出的差分放大电路能抑制零点漂移的主要原因是( )。 (A)电压增益高 (B)电路的结构和参数对称性好 (C)输入电阻大 (D)采用双电源 7. 差动放大电路由双端输入变为单端输入,双端输出改为非电流源负载形式的单端输出,此时空载差模电压放大倍数与双端输入双端输出差动放大电路的差模电压放大倍数相比( ) (A)不变 (B)减小一半 (C)增加一倍 (D)说不定怎么样变化

电子科技大学模拟电路考试题及答案

电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷(120 分钟)考试形式:开卷课程成绩构成:平时10 分,期中30 分,实验0 分,期末60 分 一(20分)、问答题 1.(4分)一般地,基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大?哪个最小? 2.(4分)在集成运算放大器中,为什么输出级常用射极跟随器?为什么常用射极跟随器做缓冲级? 3.(4分)电流源的最重要的两个参数是什么?其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载?在集成电路中采用有源负载有什么好处? 4.(4分)集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级? 5.(4分)在线性运算电路中,集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式? 二(10分)、电路如图1所示。已知电阻R S=0,r be=1kΩ,R1∥R2>>r be。

1.若要使下转折频率为10Hz,求电容C的值。 2.若R S≠0,仍保持下转折频率不变,电容C的值应该增加还是减小? 图1 三(10分)、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V,硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V,R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2 四(10分)、电路如图3所示。已知三极管的β=50,r be=1.1kΩ,R1=150kΩ,R2=47kΩ,R3=10kΩ,R4=47kΩ,R5=33kΩ,R6=4.7kΩ,R7=4.7kΩ,R8=100Ω。 1.判断反馈类型;

2.画出A电路和B电路; 3.求反馈系数B; 4.若A电路的电压增益A v=835,计算A vf,R of和R if。 图3 五(10分)、试导出图4所示电路的输出电压v o与输入电压v i之间的关系。已知R1=1MΩ,R2=4MΩ,R3=1/3MΩ,R4= R5= R6=1MΩ,C1=C2=1μF。

模拟电路考试题及答案

自测题一 一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。( F ) 2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T ) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( D )。 A .外电场 B .内电场 C .掺杂 D .热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A .正、反向电阻相等 B .正向电阻大,反向电阻小 ` C .反向电阻比正向电阻大很多倍 D .正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A .右移 B .左移 C .上移 D .下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A .增大 B .减小 C .不变 D .不确定 5.三极管β值是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A .电压控制电压 B .电流控制电流 C .电压控制电流 D .电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。 A .增大 B .减少 C .不变 D .不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。 > A .电流放大系数 B .最大整流电流 C .集电极最大允许电流 D .集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是( B ) 。 A .e, b, c B .b, e, c C .b, c, e D .c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。 A .多数载流子 B .少数载流子 C .扩散 D .少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和,则此三极管是( D )。(发正偏集反偏) A .PNP 型硅管 B .PNP 型锗管 C .NPN 型锗管 D .NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。 ¥ A .非饱和区 B .饱和区 C .截止区 D .击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。 A .能够形成导电沟道 B .不能形成导电沟道 C .漏极电流不为零 D .漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。 4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。 5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。 】 6.三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将 增大 。

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题 开卷( ) 闭卷(√) 考试时长:100分钟 一、单项选择题(10*2=20分) 每小题备选答案中,只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案,按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时,有( ) A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( ) A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是( ) A 、发射结正偏,集电结反偏 B 、发射结正偏,集电结正偏 C 、发射结反偏,集电结正偏 D 、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是( ) A 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源VCC 应当( ) A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( ) A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ,(见图2所示)则此三极 管为( ) A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时,说明它的电压放大倍数为( ) A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为( ) A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题(25*1=25分) 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 _ _V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。

深圳大学模拟电路最新期末试题(老师给做的习题必考)

第四章小测验及补充作业解答 一.(40分)电路如图示,晶体管的β=100,r bb ′=100Ω,U BEQ =0.7V ,饱和压降U CES =0.3V 。 (1) 求静态工作点Q (I BQ ,I CQ ,U CEQ ); (2) 画出微变等效电路; (3) 求电压放大倍数u A 、输入电阻R i 、输出电阻R o 、源电压放大倍数us A ,若负载电阻R L 开路,u A 的绝对值会变大还是变小? (4) 求最大不失真输出电压幅值U omax ,若将输入信号加大,最先出现的是什么失真(饱 和失真或截止失真)? o u + - V) 10++- s u Ω 003s R 解:(1) mA b BEQ CC BQ 02.0465 7 .010=-= -= R U V I mA BQ CQ 202.0100=?==I I β V C CQ CC CEQ 62210=?-=?-=R I V U (2)微变等效电路为: + - S U R (3) Ω=+=+++=++=''k BQ b b EQ b b be 4.102 .026 100)1(26)1(26) 1(I r I r r βββ 43.714 .11100)//(-=?-=-=be u r R R A L C β Ω≈==k be b i 4.14.1//465//r R R Ω==k C o 2R R

82.58)43.71(3 .04.14.1-=-?+=+=u s i i us A R R R A 若负载电阻R L 开路,u A 的绝对值会变大。 (4){}{}V CQ CES CEQ omax 212,3.06min )//(,min =?-=?-=L C R R I U U U 若将输入信号加大,最先出现的是截止失真。 二.(40分)电路如图示,晶体管的β=100,r bb ′=200Ω,U BEQ =0.7V 。 (1) 求静态工作点Q (I BQ ,I CQ ,U CEQ ); (2) 画出微变等效电路; (3) 求电压放大倍数u A 、输入电阻R i 、输出电阻R o 。 o u + -i u + - V) 12+ 解:(1) V b2b1CC b1BQ 225 512 5=+?=+≈ R R V R U mA e2 e1BEQ BQ EQ CQ 3.19 .01.07 .02=+-= +-= ≈R R U U I I V e2e1EQ C CQ CC CEQ 5.5)9.01.04(3.112)(=++?-≈+?-?-=R R I R I V U mA CQ BQ 013.0100 3 .1== = β I I (2)微变等效电路为:

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