半导体芯片、晶圆、LED芯片、外延、TFT-LDE制程冷却水(PCW)系统施工规范
半导体芯片、晶圆、LED芯片、外延、TFT-LDE制程冷却水（PCW）
系统施工规范
目录
1.一般说明
2.产品.材料说明
3.施工说明
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1. 一般说明
1.1. 说明
3 台泵浦扬程103 m 75kw 流量5000 LPM , sus 30
4 本体,主管φ225A sus 304 40s 保
温。缓冲水槽sus 304, 衔接RO 或DI 水。过滤器sus304 ,5 μm(标准滤材) , pou 7 kg/c
㎡。
制程冷却水系统,供应机台16℃供应21℃回水稳定冷却水系统, 冷却机台温度。
本规范适用于制程冷却水系统之设计、制造、运输、安装及测试等一般要求。1.2.工程范围
制程冷却水系统:泵浦组,桶槽, 板式热交换器(配合冰水系统),管路,PLC 控制系
统,
1.2.1.本案工程范围包含运送安装、及测试调整以下之制程冷却水系统：
1.2.1.1 制程冷却水泵浦。
1.2.1.2.板式热交换器。
1.2.1.3.制程冷却水泵浦防振基座之安装与调整，防振基座需包含避振弹簧基座及。
1.2.1.4.缓冲水槽及附属管路。
1.2.1.5.制程冷却水过滤器。
1.2.1.6.所有控制组件及控制管线。
1.2.1.7.所有水泵之动力配线。
1.2.1.8. 防止结露之必要保温。
1.3.标准及法规
1.3.1.各设备应符合下列任一项标准：
1.3.1.1.ASTM
1.3.1.
2.lSO
1.3.1.3.ANSL
1.3.1.4.NEMA
1.4.送审资料
1.4.1.送审设备型录、尺寸图、材质和电气规格表。
1.4.
2.送审系统负荷运转分析(SYSTEM PROFILE ANALYSlS)如下：
1.4.
2.1.多台泵浦并联运转性能曲线图(PARALLEL PUMPlNG CURVES)
1.4.
2.2.系统运转特性图(SYSTEM CURVE)
1.4.
2.
3.系统并联衔接点(PUMP STAGlNG POINTS)
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1.4.3.泵浦用于开放系统时，应标示净正吸水头需求(NPSHR)。
1.4.4.P.C.W 系统图及系统设备表，并附上P&ID.系统控制说明。
２. 产品.材料说明
2.1 制程冷却水泵系统
2.1.1.水泵浦型式为单段端吸式。
2.1.2.泵浦外壳为不锈钢制(SS304)，泵浦叶轮为半开放，经水力及机械平衡之不锈钢
(SS304)叶片，确保安静与平滑之操作，泵壳并附有释压平衡孔(PRESSURE RELlEF
BAlANCE HOLES)。
2.1.
3.水泵轴封为机械轴封，材质可为钢材及耐磨合成橡胶或同等功能之产品，轴承框架
的组合须组配与电动马达同一等级，滚珠轴承以薄雾润滑(OILMlST LUBEICATlON)，以
确保运转时的平滑与安静。
2.1.4.联结头须为柔性并能吸收起动时之扭转振动，在马达与泵浦轴连接时需经准确的校
准。联结头需附保护盖。
2.1.5.马达与泵浦共置且由于重结构钢材焊接并置于水平校准之基座上。
2.1.6.泵浦外壳须有交脚直接支撑于褒浦外壳上，以防止泵浦于维修时，因泵浦外壳的悬
空而造成应变(STRAlN)。
2.1.7.每具泵浦由一定速马达驱动。马达须合于NEMA 之规范。设计速度之泵浦马达制动
马力，不得超出马达之马力。马达全密闭风扇冷却(TEFC)F 级绝缘，且至少有15%之安
全系数。
2.1.8.变频系统(VARIABLE SPEED PUMPlNG SYSTEM)
2.1.8.1.变频系统包括控制器(CONTROLLER)，变频器(ADJUSTABLE FREQUENCY DRlVE)，
压差传送器(DIFFERENTlAL PRESSURE SENSOR/TRANSMlTTER)流量传送器(FLow
SENSOR/TRANSMITTER)及其它各厂家可提供之标准配备。该变频系统应于原厂执行
全功能测试合格后并检附相关之证明文件方可出厂。
2.1.8.2.马达在正常运转下以变频器控制，当变频器故障或检修时，需可自动及手动切
换至旁路起动。当马达超过3OHP(含)以上，则旁路启动需以Y-启动。
2.1.8.
3.变频器
2.1.8.
3.1.变频器之箱体应符合NEMA1 之有关规定且3～3OHP(含)采墙挂式安装，
3OHP 以上落地式按箱体装需设计并需附排风扇。
2.1.8.
3.2.应为Wl 或PWM 系统用于驱动鼠笼式感应马达，使噪音度需符合IEEE 和FCC
规定。
2.1.8.
3.3.符合NEMA 及IEEE 或其它同等之规定。
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2.1.8.
3.
4.周围环温允许值为，10 至40℃而相对湿度为95%不冷凝的情况。
2.1.8.
3.5.全速时之效率为及其功率因子应在90%以上。
2.1.8.
3.6 .以下功能为设计基准各厂家应提供相对功能：
2.1.8.
3.6.1.Current limit to 110%of drive rating
2.1.8.
3.6.2.Phase to phase short circuit
2.1.8.
3.6.3.Phase to ground short circuit
2.1.8.
3.6.
4.Phase rotation insensitive
2.1.8.
3.6.5.Current limit protection
2.1.8.
3.6.6.Over voltage protection
2.1.8.
3.6.7.Under voltage protection
2.1.8.
3.6.8.Over temperature protection
2.1.8.
3.6.9.Ground fault protection
2.1.8.
3.6.10.input disconnect switch
2.1.8.
3.6.11.Variable overload to protect motor from excess cu『rent at low speed
2.1.8.
3.6.12.lndividual selectable resettable fault control
2.1.8.
3.6.13.High sta『ting torque 125%torque for starting follower selection
2.1.8.
3.6.1
4.Meter to display %speed，%output current
2.1.8.
3.6.15.Status indication ：Overvoltage，Phase Loss，Under-voltage，Over Tempe『ture，Overcurrent，Power On，Overload External Fault，Ground Fauit，At Speed，Run，enab!ed
2.1.8.
3.6.16.Hand/off/Auto Switch
2.1.8.
3.6.17.Manual speed Control
2.1.8.
3.6.18.Local/Remote Switch
2.1.8.
3.6.19.Meter FLIdiot1Selector
2.1.8.4.系统控制器：
2.1.8.4.1.控制器应参考下列之功能，并以各厂家可提供之标准配备供应：
2.1.8.4.1.1.Real Time Clock with Setback
2.1.8.4.1.2.Display Screen And On Scree Help Function
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2.1.8.4.1.
3.Snap Action Pushbuttons
2.1.8.4.1.4.Exclusive Microprocessor with EPROM Design
2.1.8.4.1.5.infinitely Adjustable PlDd Functions
2.1.8.4.1.6.Field modinable Set Points (individually Resetable)
2.1.8.4.1.7.Pump Elapsed Time(lndividual)
2.1.8.4.1.8.Operator lnterface Diagnostics
2.1.8.4.1.9.Multi-Fault Memory And Recall
2.1.8.4.1.10.Manuai And Automatic Alternation
2.1.8.4.1.11.Automatic Start Of Lag Pumps Upon Lead Pumps Failure(ln Variable
Or Constant Speed Mode)
2.1.8.4.1.12.Manual System Control
2.1.8.4.1.1
3.Membrane Switches with Green，Red And Amber Led indications 2.1.8.
4.1.14.Fused 24Volt Power Supply
2.1.8.4.2.软件程序应包括以下之功能，并以各厂家可提供之标准配备供应：2.1.8.4.2.1.性能曲线末端点保护程序〔END OF CURVE PROTECTlON PROGRAM〕
2.1.8.4.2.2.最佳效率程序〔EFFlClENCY OPTlMlEATlON PROGRAM〕
2.1.8.4.2.
3.自动交互切换功能〔AUTOMATIC ALTERNATION FUNCTlON〕2.1.8.
4.2.4.系统效率程序(SYSTEM EFFlClENCY PROGRAM)
2.1.8.4.2.5.可与厂务控制系统联机，由厂务控制系统Remote Control 采用工业PLC
控制器。
2.1.8.4.
3.压差传讯器参考以下之功能，并以各厂家可提供之标准配备供应：
压差传讯器要能精确的量测系统压差(0-70 PSI)，并将量测之压差以模拟讯号(4~20mA)传讯至系统控制器(CONTROLLER)，传讯距离最远为2000 英呎'于额定范
围内精确度为告o±5%以内。
2.2.板式热交换器
2.2.1.每组板式热交换器需能符合附录所列之流量下要求之热交换量，并于最大流量及
压力时不能产生变形或振动。
2.2.2.消耗性需组件需能在不使用特殊工具下轻易替换。
2.2.
3.于热交换器最高点需有一接头可外接释气阀，而于最低点需有一接头能外接排水
阀。
2.2.4.热交换板需能符合于其中一侧无压力时仍可承受最大操作压力。
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2.2.5.所有垫片均需使用无石绵制品。
2.2.6.承商需提供热交换器于操作中不冷凝结露之PE 保温材料建议厚度。
2.2.7.热交换器所有与冰水接触之金属材质均需使用SUS304。
2.2.8.在全流量下其热交效率可达70%以上。
2.3.制程冷却水过滤器：
2.3.1.流体：软水，温度：6℃~25℃，操作压力：8kg/cm2。
2.3.2.过滤器外壳：SUS304，耐压：1Okg/cm2，使用滤心数以能完全过滤为准。
2.3.3.过滤心：材质Polypropylene /Polyethylene 或其它同等品，结构：二层结构，型
式：单闭口，O 型环，长度：BY VENDER，精密度：1μm。
2.3.4.过滤器进出口附差压表。
2.4.缓冲水槽buffer tank：9m3 容量、材质SUS304，并需有一液位传讯器及配合补给水及
氮气之控制、减压等阀组。SUS 配管、SUS 管线，管路高点装设自动排气阀2.5.控制系统：采工业P.L.C.控制器，以工业乙太网TCP/IPLUS，MODBUS 或必要之讯号以供
中央控制系统作为监视用。
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3. 施工说明
3.1 材料
3.1.1.直管及管件
管材应采[SUS 304]焊接用不锈钢，其管壁厚应符合10S 以上之规定。
3.1.2.接头
直管及管件接头为焊接或螺纹接头。若需以突缘连接时，突缘接头应按5kgf/cm2 规格制造。
3.1.3.弯头，Ｔ型，渐缩管及管端接头（Stub End）等管配件为氩焊制成，其管壁厚应符
合10S 以上之规定或同等级成型之产品。又若以螺纹接头连接时，当D＞50mm 时，其连
接另件包括弯头、Ｔ型、渐缩管及管端接头等，采用[铸铁]或[不锈钢]制；又当D ≦50mm
时，采用[青铜]制。
3.1.4 突缘及螺栓均须为不锈钢。
3.2.准备工作
3.2.1.管端须整孔并去除毛头。
3.2.2.组合前先去除管内外之锈皮及杂物。
3.2.3.准备管线与设备连接用之凸缘及管套节。
3.4.施工期间之防护措施
在整个管路施工期间以及每日工作结束时，须对所有管路开口予以覆盖及适当防护，以
预防脏物或其它污物进入管路。
3.5.管线之组合制造
3.5.1 一般要求
3.5.1.1.管线之组合制造，应考虑以尽量减少现场焊接为原则。
3.5.1.2.焊于管上之吊环，应使用与管子相同之材料。
3.5.1.3.管子切割须使用切管机或管子割刀，断口应用锉刀或刮刀锉平，避免损伤管子。
3.5.1.
4.在厂组合制造完成之管线，运往工地前，应按规范予以清洗，清洗后管端应用
厚金属板，予以点焊封盖，在未作最后焊接时，不得拆除。
3.5.2 不锈钢管之接合
3.5.2.1.螺纹接合（50mm 及以下）
将管端切割平整，修去毛边，并清除锉屑及灰尘，使用适当之螺纹纹割工具，绞
割成
带斜面之管螺纹，接合时，先将螺纹表面净洁，在公螺纹部份[贴上PTFE 胶带][涂氧
化铅与甘油之混合剂，加绕油麻丝][涂含石墨之润滑油][其它经认可之螺纹接合剂][其它经核可工法]，旋入母螺纹予以绞紧，以防漏水。螺纹之深度，长度应合于
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标准规定，管子接合后露出管外之螺绞数，不得超过三条。
3.5.2.2.对焊接合（65mm 以上）
不锈钢管之焊接应采用氩气（TIG）焊接，并依据焊接规范施工。除应慎选焊工及焊
条外，应注意管材之焊前处理。管壁厚[3mm]及以上者，应开V 型焊口。对接焊深度
约为板厚之1/2。V 型开口焊接深度与板厚同。焊缝应连续，不得中断，首尾衔接应
重迭[10mm]。焊接凸缘时，管插入凸缘其管端应与底部保持与管壁同厚之距离，凸缘
面与管接触部位应作开口，两面焊接，凸缘一面焊于管端，另一面焊于管外壁。
3.5.2.3.突缘接头接合
3.6.管线之安装
3.6.1.一般规定
3.6.1.1.设计图所示之管线配置位置，并非绝对遵循之路线，承包商应在施工前，充分
了解工地情况，以及与其它工程间之关系，对有冲突之处，应与有关人员协调，作
适当之调整[，并依据「工程管理需求」规定提送施工详图，经工程司核准后施工]。
如因疏忽及缺乏协调而蒙受损失，应由承包商自行负责，不得要求追加工程价款或
补偿。
3.6.1.2.管线应尽可能采直线配置，避免不必要之偏位或交错，以及凹陷及造成气囊。
管线排列应与梁柱及地坪面保持平行，以及适当之斜度，倾向泄水或排气位置，预
留空间以便安装保温材料，并考虑阀及管配件之检修通路。如阀及管配件安装于未
露明处所，须预留检修门（孔），其大小应符合规定。
3.6.1.3.安装管线须能允许膨胀或收缩，无应力作用于管子、接头或所连接之设备上。
3.6.1.
4.不论图说有无说明，所有水管，应于必要高点装设排气阀，低点装设泄水阀。
3.6.1.5.所有与机器设备相连接之管子，或管线日后有拆卸保养顾虑处，应采用管套节
或凸缘连接，不同材质之金属管，使用隔电管套节。
3.6.1.6.管线穿越墙面或地板者应按设置套管。
3.6.1.7.主管进入建筑设施内部前，以及各歧管之起点，应设置隔离阀，以利日后维修，
但另有规定者除外。
3.6.1.8.若水管下方有配电盘、变压器、马达起动器或其它电气电子设施，须设置一不
锈钢滴水盘于水管下方，滴水盘须设一排水口及必要之排水管，将水排至指定3.6.1.9.焊接歧管，以及使用焊接管件改变管路方向，必须使用标准管件，不允许
使用管子互相切角插接或交接，去代替肘管及T 型管。
3.6.1.9.地下金属管须防蚀包覆。
3.6.1.10.管线油漆依「油漆」规定办理。
3.6.1.11.所有管线须有良好的支撑，并应考虑设备的振动、流体温度及压力__
LED芯片的制造工艺流程简介
LED芯片的制造工艺流程简介 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFi nal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需
LED芯片工艺流程
LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品 LED芯片的制造工艺流程：
LED芯片制程资料全
LED芯片制程 LED的发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子 （多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
2．芯片： ⑴芯片的结构：芯片的结构为五个部分，分别为正电极、负电极、P 层、N 层和PN 结，如下图： 单電極 P 电极 P 层 P/N 结合层 N 层 N 电极 双电极 ⑵芯片的生产工艺： （１）长晶（CRYSTAL GROWTH ）： 长晶是从硅沙中(二氧化硅)提炼成单晶硅，制造过 程是将硅石(Silica)或硅酸盐 (Silicate) 如同冶金一样，放入炉中熔解提炼，形成冶金级硅。冶金级硅中 尚含有杂质，接下来用分馏及还原的方法将其纯化，形成电子级硅。虽然电子级硅所含的電極 層 接合層 層 電極
LED芯片的制造工艺流程(精)
LED 芯片的制造工艺流程 来源：深圳市鑫荣电子科技有限公司作者：浏览：3305人次发布：2007-11-13 注：其他网站转载须注明出处，转载而不注明出处者，一经查实，将追究其法律责任外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 介绍： 金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD ）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN （氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED 芯片的制造工艺流程： 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N 极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割LED 外延片（以前
详细解读LED芯片的制造工艺流程
详细解读LED芯片的制造工艺流程 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer FabricaTIon）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（IniTIal Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，
半导体芯片、晶圆、LED芯片、外延、TFT-LDE制程冷却水(PCW)系统施工规范
半导体芯片、晶圆、LED芯片、外延、TFT-LDE制程冷却水（PCW） 系统施工规范 目录 1.一般说明 2.产品.材料说明 3.施工说明 笑嘻嘻半导体有限公司（二号厂房） 3 1. 一般说明 1.1. 说明 3 台泵浦扬程103 m 75kw 流量5000 LPM , sus 30 4 本体,主管φ225A sus 304 40s 保 温。缓冲水槽sus 304, 衔接RO 或DI 水。过滤器sus304 ,5 μm(标准滤材) , pou 7 kg/c ㎡。 制程冷却水系统,供应机台16℃供应21℃回水稳定冷却水系统, 冷却机台温度。 本规范适用于制程冷却水系统之设计、制造、运输、安装及测试等一般要求。1.2.工程范围 制程冷却水系统:泵浦组,桶槽, 板式热交换器(配合冰水系统),管路,PLC 控制系
统, 1.2.1.本案工程范围包含运送安装、及测试调整以下之制程冷却水系统： 1.2.1.1 制程冷却水泵浦。 1.2.1.2.板式热交换器。 1.2.1.3.制程冷却水泵浦防振基座之安装与调整，防振基座需包含避振弹簧基座及。 1.2.1.4.缓冲水槽及附属管路。 1.2.1.5.制程冷却水过滤器。 1.2.1.6.所有控制组件及控制管线。 1.2.1.7.所有水泵之动力配线。 1.2.1.8. 防止结露之必要保温。 1.3.标准及法规 1.3.1.各设备应符合下列任一项标准： 1.3.1.1.ASTM 1.3.1. 2.lSO 1.3.1.3.ANSL 1.3.1.4.NEMA 1.4.送审资料 1.4.1.送审设备型录、尺寸图、材质和电气规格表。 1.4. 2.送审系统负荷运转分析(SYSTEM PROFILE ANALYSlS)如下： 1.4. 2.1.多台泵浦并联运转性能曲线图(PARALLEL PUMPlNG CURVES) 1.4. 2.2.系统运转特性图(SYSTEM CURVE)