IGBT全桥驱动板
TX-DAH962/959 全桥4单元驱动板
产品特点
?四单元驱动板，可驱动300A/1200V或600A/600V的四只IGBT。
?短路时软关断保护，PWM信号封锁。
?板上留有用户参数设置位置，可根据需要设定IGBT的短路阈值、保护盲区时间、软关断的斜率、故障后再次启动的时间，也可以直接使用缺省参数。
?兼容用户的5V和12/15V主控板系统。
?有正负两个故障信号输出，用户随意选择。
?需要用户提供三组隔离电源。
应用
?逆变器、不间断电源、变频器、电焊机、伺服系统
驱动特性
参 数 符号测 试 条 件 最小值典型值 最大值单位
控制电源电压Vc接到用户的主控板电源 516V
控制电源电流 Ic1 4 mA 输入脉冲电压幅值（1）Vpwm 4.5 5 5.5 V 输入驱动电源 Vp202427V
V oh14.5V 输出脉冲电压
V ol-8.5V 输出最大峰值电流 Iop充电或放电峰值电流，962A/959A6/3A
输出最大电荷Qout每一通道，962/9592/1 2.8/1.4μC 驱动电阻 Rg用户设置，不可过小,(典型值为厂家测试用) 1.533?
工作频率Fop 060KHz
占空比 δ0100％ 最小工作脉宽 Tonmin CL=100/47nF(962/959)0.5μS
0.3μS 上升延迟Trd
Rg=2?
下降延迟Tfd 0.4μS 绝缘电压VISO 50Hz/1 min 3500Vrms 共模瞬态抑制 CMR30KV/μS
注1：驱动板的4个输入信号，当电平为5V时可直接连接，如信号的高电平幅值Vim高于5V，应在信号输
入端、即用户主控板信号输出端串连一个电阻Ri和电容Ci的并联网络，Ri使输入电流为10mA，即Ri=(Vim
－5)/10mA；Ci=470pF。
工作条件
环境温度符号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位
工作温度Top -30 75℃
存储温度Tst -40 90℃
短路保护功能曲线
短路保护特性参数
参 数 符号 测 试 条 件 最小值典型值 最大值 单位 保护动作阈值(1) Vn用户设置，典型值为缺省值 9.5V
保护盲区(2)Tblind Vp=24V时，用户设置，最小值为缺省值 1.2μS
软关断时间(3)Toff Vp=24V时，用户设置，最小值为缺省值4μS
故障后再启动时
Trst Vp=24V时，用户设置，典型值为缺省值 1.110mS
间(4)
故障信号延迟 Talarm0.4μS
故障信号输出电
Ialarm正负2个报警信号输出均 1015mA
流
注：（以下阻容元件的调整方法均详见后面的“参数设置说明”)
1.触发过流保护动作时的集电极对发射极的饱和电压。阈值电压Vn可以由电阻Rn调整。
当IGBT的电流过大，集电极对发射极的电压达到阈值电压时，驱动器启动内部的保护机制。
2. 检测到IGBT集电极的电位高于保护动作阈值后到开始软关断的时间。盲区时间Tblind可由电容Cblind 调整。
因为各种尖峰干扰的存在，为避免频繁的保护影响开关电源的正常工作，设立盲区是很有必要的。表中数据是在7脚输入6V/μS的斜波信号作为模拟的集电极电压时得到的；对于工作中的突然短路故障，实际的死区时间要比表中数据略大1μS左右。
3. 驱动脉冲电压降到0电平的时间。软关断时间Toff可由电容Coff调整。
软关断开始后，驱动器封锁输入PWM信号，即使PWM信号变成低电平，也不会立即将输出拉到正常的负电平，而要将软关断过程进行到底。软关断开始的时刻，驱动板上的插座J12的4、5脚分别输出高电平和低电平报警信号，由用户主控板处理。
4. 短路故障发生后，驱动器软关断IGBT，如果控制电路没有采取动作，则驱动器再次输出驱动脉冲的间隔时间。再启动时间Trst可由电容Creset调整。
元器件位置图：(114x60mm ，安装孔距107.7x53.8mm)
. 1/4放大图
输入输出接口和部分接插件的说明：
1. 红色的元器件是直接与用户应用有关的。
2. J0，与主控制板的连接插座，使用20线压接排线，双线并联连接，使用方便可靠。
1、2、3、4脚分别接A、C、B、D管的控制，其中A、B为一侧管，C、D为另一侧管，A、D是上管，B、C 是下管。
5脚接用户主控制板的地。
6、7脚输出故障报警信号，6脚正常时输出高电平，故障时输出低电平，接近零；7脚正常时输出接近于零的低电平，故障时输出高电平。
8脚接主控板的正电源端，电压在5－15V间。
3. J1，三个驱动电源输入插座，其中A、D是2个上管所用的隔离电源，BC是1个下管共用的隔离电源。
4. J2，四个驱动输出插座。
参数设置说明
1. 死区Tdead由用户主控板负责。
2. 阈值电压Vn可由电阻Rn设定，具体关系大致是Rn/Vn（KΩ/V）＝∞/9.2，220/8.7，100/8.2，68/7.8，47/7.3，33/6.7，27/6.3，22/5.8，18/5.4，15/5.0，12/4.4，10/4.0，8.2/
3.5，6.8/3.1，
4.7/2.3。为安全起见，用户调试时可以先接比预算值稍小的电阻，提高保护灵敏度。
3. 盲区Tblind可由电容Cblind设定，关系大致为Cblind/Tblind(pF/μS)＝0/1.2，22/1.8，47/3.0，68/
4.2，100/6.2，150/9.2。为安全起见，用户调试使用时可以先接比预算值稍小的电容，提高保护灵敏度。
6. 软关断时间Toff可由电容Coff设置，关系大致为Coff/Toff(nF/μS)＝0/4，2.2/5，4.7/6.2，10/8.6，15/10.6。
7. 故障后重新启动时间Trst可由电容Crst设置，但在桥式电路中一般没有必要设置。
8. 四只隔离反馈二极管Dhv应选用高压快恢复管，板上预装的是FR107，用户也可以更换速度更快的，如HER107、MUR1100等。如果用户觉得一只耐压不保险，也可以将一只换成两只串联，板上已预留有相应位置。
9. 栅极驱动电阻Rg在板上有2个并联位置，预焊的33Ω/0.25W是为厂家测试用的，用户应根据自己的情况换接合适的电阻，一般并联总电阻3.3－15R，可用2只1W或2W的金属膜电阻。（并联后的总电阻值不能小于3Ω/959或1.5Ω/962）。
特别提醒：
1. 用户如要测试输出波形，请参阅IGBT驱动器正常输出波形的测试。
2. 输出插座J12和J22到IGBT栅极和发射极的引线要短一些，并使用绞线，以减小寄生电感。
3. 谨防栅极和发射极输出短路，短路时间超过几秒，可能损坏板上器件。
4. 尽量减小杂散电感，并设置良好的IGBT过压吸收回路，避免尖峰电压击穿IGBT。