二极管的主要参数

二极管的主要参数
二极管的主要参数

二极管的主要参数

正向电流IF:在额定功率下,允许通过二极管的电流值。

正向电压降VF:二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。

最大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。

反向击穿电压VB:二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

正向反向峰值电压VRM:二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。

结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM:二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

2.常用二极管

(1)整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。

通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图二)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。2.常用二极管

(1)整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。

通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图二)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。

2)检波二极管

检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

(3)开关二极管

在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,如图三所示,引脚较长的一端为正极。

4)稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)其图形符号见图4

稳压管的伏安特性曲线如图5所示,当反向电压达到Vz时,即使电压有一微小的增加,反向电流亦会猛增(反向击穿曲线很徒直)这时,二极管处于击穿状态,如果把击穿电流限制在一定的范围内,管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

5)变容二极管

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中,变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高Q值以适合应用。

变容二极管的结构与普通二极管相似,其符号如图6所示,几种常用变容二极管的型号参数见表一

变容二极管图形符号表一常用变容二极管型号产地反向电压(V)电容量(pF 电容比使用波段最小值最大值最小值最大值 2CB11 中国 3 25 2.5 12 UHF 2CB14 中国 3 30 3 18 6 VHF BB125 欧洲 2 28 2 12 6 UHF BB139 欧洲 1 28 5 45 9 VHF MA325 日本 3 25 2 10.3 5 UHF ISV50 日本 3 25 4.9 28 5.7 VHF ISV97 日本 3 25 2.4 18 7.5 VHF ISV59.OSV70/IS2208 日本 3 25 2 11 5.5 UHF

3.二极管的选用常识

选用三极管要注意的几个方面:

(1)正向特性另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

(2)反向特性

二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。

(3)击穿特性

当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。

(4)频率特性

由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

二、二极管检测方法 1.普通二极管的检测

二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表一。

表一二极管简易测试方法

上为正向电阻

测试情况:

矽管:表针指示位置在中间或中间偏右一点;锗管:表针指示在右端靠近满刻度的地方(如

图所示)表明管子正向特性是好的。

如果表针在左端不动,则管子内部已经断路

下为反向电阻

测试情况:

矽管:表针在左端基本不动,极靠近OO位置,锗管:表针从左端起动一点,但不应超过满刻度的1/4(如上图所示),则表明反向特性是好的,

如果表针指在0位,则管子内部已短路

2.普通发光二极体的检测

(1)用万用表检测。利用具有×10kΩ挡的指标式万用表可以大致判断发光二极体的好坏。正常时,二极体正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞,反向电阻值很小或为0,则易损坏。这种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。

如果有两块指标万用表(最好同型号)可以较好地检查发光二极体的发光情况。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。馀下的“-”笔接被测发光管的正极(P区),馀下的“+”笔接被测发光管的负极(N区)。两块万用表均置×10Ω挡。正常情况下,接通後就能正常发光。若亮度很低,甚至不发光,可将两块万用表均拨至×1Ω若,若仍很暗,甚至不发光,则说明该发光二极体性能不良或损坏。应注意,不能一开始测量就将两块万用表置於×1Ω,以免电流过大,损坏发光二极体。

(2)外接电源测量。用3V稳压源或两节串联的乾电池及万用表(指标式或数位式皆可)可以较准确测量发光二极体的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF 在1.4~3V之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V,且不发光,说明发光管已坏。

3.红外发光二极体的检测

由於红外发光二极体,它发射1~3μm的红外光,人眼看不到。通常单只红外发光二极体发射功率只有数mW,不同型号的红外LED发光强度角分布也不相同。红外LED的正向压降一般为1.3~2.5V。正是由於其发射的红外光人眼看不见,所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常,而无法判定其发光情况正常否。为此,最好准备一只光敏器件(如2CR、2DR型矽光电池)作接收器。用万用表测光电池两端电压

的变化情况。来判断红外LED加上适当正向电流後是否发射红外光。其测量电路如图11所示。

1.5KE160A,TVS瞬变二极管中文资料

POWER: 1500Wa t VOLTAGE RANGE: 6.8 - 440 V AXIAL LEADED TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESS DIODE 1.5KE6.8A(CA) - 1.5KE440A(CA) 6.8V – 440V Standoff Voltage Case: JEDEC DO-201AD Molded Plastic Features Glass Passivated Die Construction Uni- and Bi-Directional Versions Available Excellent Clamping Capability Fast Response Time Plastic Case Material has UL Flammability Mechanical Data Terminals: Axial Leads, Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Polarity: Cathode Band or Cathode Notch Marking: Unidirectional – Device Code and Cathode Band Bidirectional – Device Code Only Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T A =25°C unless otherwise specified Characteristic Symbol Value Unit Peak Pulse Power Dissipation at T A = 25°C (Note 1, 2, 5) Figure 3P PPM 1500 Minimum W Peak Forward Surge Current (Note 3) I FSM 200A Peak Pulse Current on 10/1000μS Waveform (Note 1) Figure 1I PPM See Table 1 A Steady State Power Dissipation (Note 2, 4)P M(AV) 5.0W Operating and Storage Temperature Range T j , T STG -65 to +175 °C Note: 1. Non-repetitive current pulse, per Figure 1 and derated above T A = 25°C per Figure 4. 2. Mounted on 40mm 2 copper pad. 3. 8.3ms single half sine-wave duty cycle = 4 pulses per minutes maximum. 4. Lead temperature at 75°C = T L . 5. Peak pulse power waveform is 10/1000μS. !!!!!!!Weight: 1.20 grams (approx.)!

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

晶体二极管的主要参数

晶体二极管的主要参数: 1 电阻 ⑴直流电阻 在晶体二极管上加上一定的直流电压V,就有一对那个的直流电流I,直流电压V与直流电流I的比值,就是晶体二极管的等效直流电流。 ⑵动态电流 在晶体二极管上加一定的直流电压V的基础上,再加上一个增量电压,则晶体二极管也有一个增量电流△I。增量电压△V与增量电流△I的比值,就是晶体二极管的动态电阻,即动态电阻为晶体二极管两端电压变化与电流变化的比值。 二极管的正向直流电阻和动态电阻都是随工作点的不同而发生变化的。 普通晶体二极管反响运动时,其直流电阻和动态电阻都很大,通常可以尽是为无穷大。 2 额定电流 晶体二极管的额定电流是指晶体二极管长时间连续工作时,允许通过的最大正向平均电流。在二极管连续工作时,为使PN结的温度不超过某一极限值,整流电流不应超过标准规定的允许值。 例如:2AP1 的额定电流为12mA; 2AP5为16mA;2AP9为5mA。 对于大功率晶体二极管,为了降低它的温度,增大电流,必须加装散热片。 3 反向击穿电压 反向击穿电压是指二极管在工作中能承受的最大反向电压,它也是使二极管不致反响击穿的电压极限值。在一般情况下,最大反向工作电压应小于反向击穿电压。选用晶体二极管时,还要以最大反向工作电压为准,并留有适当余地,以保证二极管不致损坏。 例如:2AP21型二极管的反向击穿电压为15V最大反向工作电压小于10V;2AP26的反向

击穿电压为150V,最大反向工作电流小于100V。 4 最高工作频率 最高工作频率是指晶体二极管能正常工作的最高频率。选用二极管时,必须使它的工作频率低于最高工作频率。 例如:2AP8BD 最高工作频率为150MHz;2CZ12的最高工作频率为3kHz;2AP16的最高工作频率为40MHz。 晶体二极管的分类: 按用途分: 检波二极管

齐纳二极管和肖特基二极管

齐纳二极管和肖特基二极管 肖特基二极管(Schottky)SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD TTL集成电路早已成为TTL 电路的主流,在高速计算机中被广泛采用。 反向恢复时间 现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。 这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。 齐纳二极管 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是:如果反向电压,有时简称为“偏压”增加到某个特殊值,对于一个微小偏压的变化,就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5.8-6.5V之间,极大电流是30mA。

齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数

齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数 齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时,若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏,这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流,此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。 齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作,是一个具有良好的功率散逸装置,可以当做电压参考或定电压组件。若利用齐纳二极管作为电压调节器,将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值,不受附载电流或电源上电压变动影响。一般二极管之崩溃电压,在制作时可以随意加以控制,所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外,均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率,也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数. 齐纳二极管工作原理 齐纳二极管主要工作于逆向偏压区,在二极管工作于逆向偏压区时,当电压未达崩溃电压以前,二极管上并不会有电流产生,但当逆向电压达到崩溃电压时,每一微小电压的增加就会产生相当大的电流,此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压),下图为齐纳二极管之电压电流曲线,可由此应证上述说明。 齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 在通常情况下,反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直

瞬态抑制二极管工作原理及选型应用

瞬态抑制二极管工作原理及选型应用 Socay (Sylvia) 1、产品简述 瞬态电压抑制器(TransientVoltageSuppressor)简称TVS管,TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护,通常用于二级电源和信号电路的保护,以及防静电等。其特点为反应速度快(为ps级),体积小,脉冲功率较大,箝位电压低等。其10/1000μs波脉冲功率从400W~30KW,脉冲峰值电流从0.52A~544A;击穿电压有从6.8V~550V的系列值,便于各种不同电压的电路使用。 2、工作原理 器件并联于电路中,当电路正常工作时,它处于截止状态(高阻态),不影响线路正常工作,当电路出现异常过压并达到其击穿电压时,它迅速由高阻态变为低阻态,给瞬间电流提供低阻抗导通路径,同时把异常高压箝制在一个安全水平之内,从而保护被保护IC或线路;当异常过压消失,其恢复至高阻态,电路正常工作。 3、特性曲线

4、主要特性参数 ①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR:反向断态电压(截止电压)VRWM 表示TVS管不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。 ②击穿电压VBR:TVS管通过规定的测试电流IT时的电压,这是表示TVS管导通的标志电压(P4SMA、P6SMB、1.5SMC、P4KE、P6KE、1.5KE系列型号中的数字就是击穿电压的标称值,其它系列的数字是反向断态电压值)。TVS管的击穿电压有±5%的误差范围(不带“A”的为±10%)。 ③脉冲峰值电流IPP:TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流(8/20μs 波的峰值电流约为其5倍左右),超过这个电流值就可能造成永久性损坏。在同一个系列中,击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。 ④最大箝位电压VC:TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。 ⑤脉冲峰值功率Pm:脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP 与最大箝位电压VC的乘积,即Pm=IPP*VC。 5、命名规则

肖特基二极管

肖特基二极管 二极管分为好多种,它是除了电阻电容外用的比较多的一种器件,它可以分为稳压二极管,发光二极管,整流二极管,检波用二极管,肖特基二极管。其中就有一种低功耗,超高速的二极管就是肖特基二极管。 肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),肖特基二极管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正极,以N型半导体B为负极,然后利用二者接触面之间上形成的势垒一种具有整流特性制成的金属半导体器件。肖特基二极管由于N型半导体中存在大量电子,而贵金属中仅有少量自由电子,肖特基二极管中的电子便从浓度高的B向浓度低A中扩散。肖特基二极管金属A中没有空穴,不存在空穴自A 向B扩散运动。随着肖特基二极管中电子不断从B扩散到A,B的表面电子浓度逐渐降低,表面电中性破坏,于是形成势垒。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,这种器件是由多数载流子导电的,所以其反向饱和电流较少数载流子导电的PN结大得多,由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。 肖特基二极管的特点: 1、正向压降:肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低 很多,所以自身功耗较小,效率高。 2、反向恢复时间短:其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),因 此适宜工作在高频状态下。

3、耐电流大:能耐受高浪涌电流。 4、反向耐压低:一般的肖特基管反向耐压一般在200V以下,普遍在100V左右,这使得使用局限有限 5、抗高温特性:目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效)。 肖特基二极管的功能及其应用:肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,又称为肖特基势垒二极管,属于金属半导体结型二极管。主要特点是正向导通压降小,反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、超高速半导体器件。缺点是耐压比较低、反向漏电流比较大。 肖特基二极管基势垒高度比PN结势垒高度低,正向导通门限电压和正向压降也比PN结二极管低。肖特基二极管是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN 结二极管反向恢复时间。因为反向恢复电荷少,肖特基二极管开关速度极快,开关损耗也极小,特别适合于高频应用。 肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流,在高频率下用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管,在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外,肖特基二极管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗,指的就是其施加额定本振功

1N系列常用整流二极管的主要参数

1N 系列常用整流二极管的主要参数
反向工作 峰值电压 URM/V 额定正向 整流电流 整流电流 IF/A 正向不重 复浪涌峰 值电流 IFSM/A 正向 压降 UF/V 反向 电流 IR/uA 工作 频率 f/KHZ 外形 封装
型 号
1N4000 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N5100 1N5101 1N5102 1N5103 1N5104 1N5105 1N5106 1N5107 1N5108 1N5200 1N5201 1N5202 1N5203 1N5204 1N5205 1N5206 1N5207 1N5208 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
25 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000
1
30
≤1
<5
3
DO-41
1.5
75
≤1
<5
3
DO-15
2
100
≤1
<10
3
3
150
≤0.8
<10
3
DO-27
常用二极管参数: 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV,它以氧化锌为基料,加入多种添加剂,经过混料造粒, 压制成坯体,高温烧结,两面印烧银电极,焊接引出端,最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜,通流量大,响应速度快,缺点是寄生电容大,不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中,起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择:交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍,直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷,或者当承受不同电流冲击,造成管芯的压敏电阻体 分布不均,一些部位电阻会降低,导致漏电流增加,最终导致薄弱点微融化,最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器,它将过高的电压钳制至一个安全范围,藉以保护后 面的电路,有着比其它保护元件更快的反应时间,这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点:可分为单双向,响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后,性能不下降,可靠性高,体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小,且功率大的寄生电容也大,低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意,单双向,电压,功率,电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件,一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时,就引起间隙放电,从而限制了极间的电压,使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大(KA级),漏电流小,寄生电容小等优点,缺点是其响应速度慢(μs级),动作电压精度低,有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法:min(UDC)≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量,1.15是电源波动系数。 特性曲线

瞬态抑制二极管的特点和应用

瞬态抑制二极管TVS的特点与应用 一、什么是瞬态抑制二极管 瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。 硅瞬变吸收二极管的工作有点像普通的稳压管,是箝位型的干扰吸收器件;其应用是与被保护设备并联使用。硅瞬变电压吸收二极管具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力,及极多的电压档次。可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压,以及感应雷所产生的过电压。 TVS管有单方向(单个二极管)和双方向(两个背对背连接的二极管)两种,它们的主要参数是击穿电压、漏电流和电容。使用中TVS管的击穿电压要比被保护电路工作电压高10%左右,以防止因线路工作电压接近TVS击穿电压,使TVS漏电流影响电路正常工作;也避免因环境温度变化导致TVS管击穿电压落入线路正常工作电压的范围。 TVS管有多种封装形式,如轴向引线产品可用在电源馈线上;双列直插的和表面贴装的适合于在印刷板上作为逻辑电路、I/O总线及数据总线的保护。 二、TVS的特性 TVS的电路符号和普通的稳压管相同。其正向特性与普通二极管相同,反向特性为典型的PN结雪崩器件。 在浪涌电压的作用下,TVS两极间的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,而被击穿。随着击穿电流的出现,流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP,同时在其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压VC以下。 其后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极间的电压也不断下降,最后恢复到初态,这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的过程。

肖特基二极管电路特性

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我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

瞬变抑制二极管的主要参数

瞬变抑制二极管的主要参数 ?1、击穿电压V(BR) :器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR) 下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。 2、最大反向脉冲峰值电流IPP :在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器 件允许通过的最大脉冲峰值电流。IPP 和最大箝位电压Vc(MAX) 的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。使用时应正确选取瞬变抑制二极管,使额定瞬态脉冲功率PPR 大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。 3、最大反向工作电压VRWM(或变位电压):器件反向工作时,在规定的 IR 下,器件两端的电压值称为最大反向工作电压VRWM。通常VRWM =(0. 8~0. 9)V (BR) 。在这个电压下,器件的功率消耗很小。 4、最大箝位电压Vc(max ) :在脉冲峰值电流Ipp作用下器件两端的最 大电压值称为最大箝位电压。使用时,应使Vc(max ) 不高于被保护器件的最大允许安全电压。最大箝位电压和击穿电压之比称为箝为系数。 5、反向脉冲峰值功率PPR :瞬变抑制二极管的PPR 取决于脉冲峰值电 流IPP 和最大箝位电压Vc(max ) ,除此以外,还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。 6、电容CPP:瞬变抑制二极管的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电 容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响瞬变抑制二极管器件的响应时间。 7、漏电流IR:当最大反向工作电压施加到瞬变抑制二极管上时,瞬变抑制 二极管管有一个漏电流IR,当瞬变抑制二极管用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。 瞬变抑制二极管的使用技巧 ?1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。 2、瞬变抑制二极管额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工 作电压。若选用的VWM 太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。 3、瞬变抑制二极管的最大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。 4、在规定的脉冲持续时间内,瞬变抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM 必 须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

肖特基二极管应用选择

肖特基(SCHOTTKY)系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析,并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后,着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途,1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途,以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分: 一.肖特基二极管简介 二.我所肖特基二极管生产状况 三.我所肖特基二极管种类 四.我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五.介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六.功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一.肖特基二极管简介:

二极管的主要参数

二极管的主要参数 正向电流IF:在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF:二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 最大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB:二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM:二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM:二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 2.常用二极管 (1)整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。 通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图二)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。2.常用二极管 (1)整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。 通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图二)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。 2)检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。 (3)开关二极管 在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。 开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,如图三所示,引脚较长的一端为正极。 4)稳压二极管 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)其图形符号见图4 稳压管的伏安特性曲线如图5所示,当反向电压达到Vz时,即使电压有一微小的增加,反向电流亦会猛增(反向击穿曲线很徒直)这时,二极管处于击穿状态,如果把击穿电流限制在一定的范围内,管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

SOCAY瞬变二极管SMCJ36CA型号

SOCAY瞬变二极管SMCJ36CA型号 硕凯电子(Sylvia) 一、产品图应用 TVS devices are ideal for the protection of I/O interfaces,VCC bus and other vulnerable circuits used in Telecom,Computer,Industrial and Consumer electronic applications. 二、产品系列说明 The SMCJ series is designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transients induced by lightning and other transient voltage events. 三、特性 1、为表面安装应用优化电路板空间 2、低泄漏

4、玻璃钝化结 5、低电感 6、优良的钳位能力 7、1500W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率(占空比):0.01% 8、快速响应时间:从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps 9、典型的,在电压高于12V时,反向漏电流小于5μA 10、高温焊接:终端260°C/40秒 11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T 12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-0 13、无铅镀雾锡 14、无卤化,符合RoHS 15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现 16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的 17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气),8kV(接触) 18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2) 19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4) 四、UL认证编号

肖特基二极管简介

肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度

高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS 体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。其结构示图如图1(a),图形符号和等效电路分别如图1(b)和图1(c)所示。在图1(c)中,CP是管壳

晶闸管二极管主要参数及其含义

晶闸管二极管主要参数及其含义 IEC标准中用来表征晶闸管二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就晶闸管二极管的主要参数做一简单介绍 1、正向平均电流I F(AV) (整流 管) 通态平均电流I T(AV) (晶闸管) 是指在规定的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 时,允许流过器件的最大正弦半 波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度T jm 仪元公司产品手册中均 给出了相应通态电流对应的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 值用户使用中应根据实 际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件 2、正向方均根电流I FRMS (整流管) 通态方均根电流I TRMS (晶闸管) 是指在规定的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 时,允许流过器件的最大有效电 流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值 3、浪涌电流I FSM (整流管)I TSM (晶闸管) 表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示仪元公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许 结温下施加80% V RRM 条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象

4、断态不重复峰值电压V DSM 反向不重复峰值电压V RSM 指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件 5、断态重复峰值电压V DRM 反向重复峰值电压V RRM 是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压 6、断态重复峰值漏电流I DRM 反向重复峰值漏电流I RRM 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压V DRM 和反向重复峰值电压V RRM 时流过 元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出 7、通态峰值电压V TM (晶闸管) 正向峰值电压V FM (整流管)

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