模拟电子技术基础期末试题
填空题
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，
I CQ增大，U CEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为10000。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：
①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC＜0。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。
32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结a，集电结a；工作在放大区时，集电结b，发射结a。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻 大 ，热稳定性 好
36、影响放大电路通频带下限频率f L 的是 隔直 电容和 极间 电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。
40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型，它属于 电压 控制型器件。
41、场效应管属于 电压控制电流 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流
型器件。
42、场效应管是 电压控制电流器件 器件，只依靠 多数载流子 导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个
区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无 导电沟道，结型FET 的沟道电阻 最小 。
45、FET 是 电压控制 器件，BJT 是 电流控制 器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 。
47、一个输出功率为10W 的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为 2W 的功率
管 2 只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 ，为了消除交越失真常采
用 甲乙类 电路。
49、乙类功放的主要优点是 效率高 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙类 。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 交越 失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL ）中V CC =8v ，R L =8Ω，电路的最大输出功率为 4W ，此时应选用
最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe 或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。
53、已知某差动放大电路A d =100、K CMR =60dB ，则其A C = 0.1 。集成电路运算放大器一般由 差分
输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 差模信号 具有放大能力，它对 共模信号
具有抑制能力。
55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。
56、电路如图1所示，T 1、T 2和T 3的特性完全相同，则I 2≈ 0.4 mA ，I 3≈0.2mA ，
则R 3≈ 10 k Ω。
57、集成运放通常由 输入级 、中间级；输出级、 偏置级 四个部分组成。 58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ；负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。
59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ，同时使输入电阻 减小 。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制
反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：
①降低电路对信号源索取的电流： 串联负反馈 。
②当环境温度变化或换用不同β
值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 直流负反
馈 。
③稳定输出电流： 电流负反馈 。
62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ，同时使输入电阻 大 。 63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数
f A ≈ 100 。
64
01=+F 。 65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。
66、为稳定电路的输出信号，电路应采用 负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用
正
图1
反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 0
68、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ，K CMR = 无穷 。
69、电流源电路的特点是，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
70、电流源的特点是输出电流 恒定 ，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。
72、理想运算放大器，A d = 无穷大 、R i = 无穷大 、R o = 0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。
74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；如果希望500 Hz 以下的有用信号，可
选用 低通 滤波器。
75、选取频率高于1000Hz 的信号时, 可选用 高通 滤波器；抑制50 Hz 的交流干扰时，可选用 带阻 滤
波器；如果希望抑制500 Hz 以下的信号，可选用 高通 滤波器。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰，可选用 带阻
滤波器；如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号，可选用 带通 滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。
78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下，得出两个重要结论，它们是： 虚断 和 虚
短 。
79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路， 输出级大多采用 共集 电路。
80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。
81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 1= ，相位平衡条件为
πn F A 2±=Φ+Φ n=0、1、2… 。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时??F A = -1 ，例如 自激 电路。在正反馈时?
?F A = 1 ，
例如 文氏 振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。
841=F A 、其中相位平衡条件是=φ+φf a
πn 2，n 为整数 、为使电路起振，幅值条件是 1> 。
85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：V A = 3 、V F = 31 、
0ωω== RC 1 。 87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是
1=F A 、 π??n f a 2=+ n 为整数 。 88、正弦波振荡电路起振的条件是1>F A 和 πn F A 2±=Φ+Φ n 为整数。
89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍
数 A f ≥3 ，才能满足起振条件。
90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用 交流负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反
馈。
91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。 92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V ，7915输出电压 -15 V 。
93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整
流 电路。稳压集成电路W7810输出电压 +10 V 。
94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交
流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.45 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的
交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.9 倍。
95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。
96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 。
97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 。
98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构成。
99、 幅度失真 和 相位失真 总称为频率失真。
100、串联反馈式稳压电路由 调整管 、 比较放大 、 基准电压 、 取样环节 四部分组成。
单项选择题
1、半导体二极管加正向电压时，有（）
A、电流大电阻小
B、电流大电阻大
C、电流小电阻小
D、电流小电阻大
2、PN结正向偏置时，其内电场被（）
A、削弱
B、增强
C、不变
D、不确定
3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）
A、反向偏置击穿状态
B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态
D、正向偏置未导通状态
4、在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。
A、3价元素
B、4价元素
C、5价元素
D、6价元素
5、 PN结V—I特性的表达示为（）
A、
)1
(/-
=T
D
V
v
S
D
e
I
i
B、
D
v
S
D
e
I
i)1
(-
=
C、
1
/-
=T
D
V
v
S
D
e
I
i
D、
T
D
V
v
D
e
i/
=
6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）
A、变宽
B、变窄
C、不变
D、与各单级放大电路无关
7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）
A、 10kΩ
B、2kΩ
C、4kΩ
D、3kΩ
8、三极管工作于放大状态的条件是（）
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
9、三极管电流源电路的特点是（）
A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小
B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大
C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小
D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大
10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（）
A、短路
B、开路
C、保留不变
D、电流源
11、带射极电阻R e的共射放大电路，在并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将（）
A、减小
B、增大
C、不变
D、变为零
12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）
A、输入电阻大
B、输入电阻小
C、输出电阻大
D、输出电阻小
13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）
A、共射电路
B、共基电路
C、共集电路
D、共集-共基串联电路
14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当V CE=6V，其电流放大系数β为（）
A 、β=100
B 、β=50
C 、β=150
D 、β=25
15、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（
）
A 、PNP 型锗三极管
B 、NPN 型锗三极管
C 、PNP 型硅三极管
D 、NPN 型硅三极管
16、多级放大电路的级数越多，则其（ ）
A 、放大倍数越大，而通频带越窄
B 、放大倍数越大，而通频带越宽
C 、放大倍数越小，而通频带越宽
D 、放大倍数越小，而通频带越窄
17、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ）
A 、20倍
B 、-20倍
C 、-10倍
D 、0.1倍
18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（ ）
A 、独立信号源短路，负载开路
B 、独立信号源短路，负载短路
C 、独立信号源开路，负载开路
D 、独立信号源开路，负载短路
19、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（ ）决定
A 、管子类型
B 、g m
C 、偏置电路
D 、V GS
20、场效应管的工作原理是（ ）
A 、输入电流控制输出电流
B 、输入电流控制输出电压
C 、输入电压控制输出电压
D 、输入电压控制输出电流
21、场效应管属于（ ）
A 、单极性电压控制型器件
B 、双极性电压控制型器件
C 、单极性电流控制型器件
D 、双极性电压控制型器件
22、如图3所示电路为（ ）
图 2 图1
A 、甲类OCL 功率放大电路
B 、乙类OCL 功率放大电路
C 、甲乙类OCL 功率放大电路
D 、甲乙类OTL 功率放大电路
23、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ）
A 、不用输出变压器
B 、不用输出端大电容
C 、效率高
D 、无交越失真
24、与乙类功率放大方式比较，甲乙类OCL 互补对称功放的主要优点是（ ）
A 、不用输出变压器
B 、不用输出端大电容
C 、效率高
D 、无交越失真
25、在甲乙类功放中，一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压
CE V 与电路中所加电源CC V 关系表示正确的是（ ）
A 、CC CE V V =
B 、C
C CE V V 2
1= C 、CC CE V V 2= D 、以上都不正确 26、通用型集成运放适用于放大( )
A 、高频信号
B 、低频信号
C 、任何频率信号
D 、中频信号
27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（ ）
A 、反相输入端为虚地
B 、输入电阻大
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（ ）
A 、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路
B 、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路
C 、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路
D 、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路
29、共模抑制比K CMR 越大，表明电路（ ）
A 、放大倍数越稳定
B 、交流放大倍数越大
C 、抑制温漂能力越强
D 、输入信号中的差模成分越大
30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ ）
A 、增加一倍
B 、为双端输入时的一半
C 、不变
D 、不确定
31、电流源的特点是直流等效电阻( )
A 、大
B 、小
C 、恒定
D 、不定
32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ ）
图3
A 、1＋AF 倍
B 、1/(1＋AF)倍
C 、1/F 倍
D 、1/AF 倍
33、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（ ）
A 、电压串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流串联负反馈
D 、电流并联负反馈
34、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（ ）
A 、电流串联负反馈
B 、电流并联负反馈
C 、电压串联负反馈
D 、电压并联负反馈
35、如图4为两级电路，接入R F 后引入了级间（ ）
A 、电流并联负反馈
B 、电流串联负反馈
C 、电压并联负反馈
D 、电压串联负反馈 36、某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）
A 、电流串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（ ）
A 、电流串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
38、某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（ ）
A 、低通滤波器
B 、高通滤波器
C 、带通滤波器
D 、带阻滤波器
39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（ ）才能满足起振条件
A 、为1/3时
B 、为3时
C 、＞3
D 、＞1/3
40、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为（ ）
A 、LC f 10=
B 、LC
f 10= C 、LC f π21
0= D 、LC f π21
0=
41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（ ）
A 、2n π，n 为整数
B 、(2n+1)π，n 为整数
C 、n π/2，n 为整数
D 、不确定
42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（ ）
图4 图4
A 、RC f 621
π= B 、RC f π21
=
C 、RC f π21
= D 、RC f π41
=
43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102
=V ，则每个整流管所承受的最大反向电压为（ ） A 、210V B 、220V C 、20V D 、2V
44、图5为单相桥式整流滤波电路，u i 为正弦电压，其有效值为U i =20V ，f=50Hz 。若实际测得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果
A 、C 开路
B 、
C 的容量过小
C 、C 的容量过大
D 、R L 开路 45、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ ）
A 、输出电压约为2U D
B 、输出电压约为U D /2
C 、整流管将因电流过大而烧坏
D 、变为半波整流
46、直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）
A 、将交流变为直流
B 、将高频变为低频
C 、将交、直流混合量中的交流成分滤掉
D 、保护电源
47、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U 2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ）
A 、U 0=0.45U 2
B 、U 0=1.2U 2
C 、U 0=0.9U 2
D 、U 0=1.4U 2
单项选择题答案
1、A
2、A
3、A
4、A
5、A
6、B
7、C
8、A
9、B 10、A 11、B 12、
B 13、
C 14、B 15、
D 16、A 17、D 18、A 19、C 20、D 21、A 22、C 23、
C 24、
D 25、B 26、B 27、A 28、D 29、C 30、C 31、B 32、A 33、A 34、
A 35、A 36、D 37、A 38、C 39、C 40、C 41、A 42、
B 43、A 44、D 45、
C 46、C 47、B
图3
C
图5
计算题
1、放大电路如图1所示,若V CC =12V ，R c =5.1k Ω， R b =400 k Ω，R e1 =100 Ω，
R e2=2k Ω，R L =5.1 k Ω，β=50， Ω='300b b r
(1)、求静态工作点；
(2)、画出其h 参数小信号等效电路；
(3)、求A v 、R i 和R o 。
2、放大电路如图2所示，
（1）画出电路的小信号等效电路；
（2）写出计算电压放大倍数
i o V V V A 1
1=和i o V V V A 22=的表达式；
（3）画出当R c =R e 时的两个输出
电压1o V 和2o V 的波形（与正弦波i V 相对应）。
3、如图3所示，设
100=β,V V CC 10=，Ω=k Rb 201,Ω=k Rb 152，。Ω==k RC 2Re 。
试求：
（1）Q 点；
（2）电压增益
i V V V A 011=和i V V V A 022= （3）输入电阻
i R ； （4）输出电阻0201R R 和
4、三极管放大电路如图4所示。
已知：r bb ’=300Ω，β=49，V BEQ =0.7V
R C =6.4K Ω，R L =6.4K Ω，R E =2.3K Ω
（1）画出其微变等效电路
（2）计算电压放大倍数A u
（3）计算输出电阻R o
5、电路如图5所示，已知V T =2V ，I DO =1mA ，g m =30mS 。
电容足够大，其它参数如图所示。
求：（1）电路的静态工作点；
（2）画出低频小信号等效模型；
（3
）中频电压增益、输入电阻、输出电阻。图16 图4
6、电路如图6，已知50=β
，Ω='200b b r ，V BEQ =0.7V ， V CC =12V ， KΩ=570b R ，KΩ=4C R ，KΩ=4L R
（1）、估算电路的静态工作点：I BQ ，I CQ ，V CEQ ；
（2）、计算交流参数A V 、R i 、R o 值；
（3）、如输出电压信号产生顶部失真，是截止失真
还是饱和失真，应调整那个元件值，如何调？
（4）、请简要说明环境温度变化对该电路静态工作点的影响。
7、电路如图7所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降V C E S ＝0.5V 。
（1）、正常情况；
（2）、R b1短路；
（3）、R b1开路；
（4）、R b2开路；
（5）、R C 短路。
v o L
8、电路如图8（a ）所示，其中电容C 1、C 2的容量视为无限大。试回答下列问题：
（1）写出直流负载线表达式，在图8（b ）上画出直流负载线，求出静态工作点（I CQ ，V CEQ ，I BQ ）；（2）画出
放大电路的微变等效电路；（3）求出电压增益V A 、输入电阻R i 及输出电阻R o 。
9、在图9中，已知R b1=300K Ω，R c1=2K Ω,R b2=200K Ω，R e =2K Ω，R L =2K Ω，I E2=2.2mA ， β1=β2=60。求：
（1）第一级的静态工作点；（2）放大器的输入电阻和输出电阻；（3）总的电压放大倍数。
图题8
3K Ω
C 1 C 2 +V CC +6V
i v o v
+ + _ _ 50
=β Rc 3K Ω R L
R b
256K Ω 图（a ） )
(V v CE 0 图(b)
10、功率放大电路如图10所示，设输入v i 为正弦波。
（１）、静态时，输出电容C 2 上的电压应调为多少伏?
（２）、R L 得到的最大不失真输出功率大约是多少？
（３）、直流电源供给的功率为多少？
（４）、该电路的效率是多少？
11、功率放大电路如图11示。设三极管的饱和压降V CES 为1V ，
为了使负载电阻获得12W 的功率。请问：
（1）正负电源至少应为多少伏？
（2）三极管的I CM ，V (BR)CEO 至少应为多少？
12、电路如图12所示,JFET 的g m =2mS ，r DS =20K Ω。
(1)求双端输出时的差模电压增益id o o VD v v v A 21-=
的值；
(2)求电路改为单端输出时,A VD1、A VC1和K CMR 的值。
图11
图10 v o
+
-
13、在图13中：KΩ=1R ，C=0.47uF ，KΩ=101R 问：
(1)、由该集成运放组成的电路是什么电路？
(2)、计算R 2的值？
(3)、计算输出电压的频率f 的值？
14、某集成运放的单元电路如图14所示，设T 1、T 2的特性相同，且β足够大，问：
（1）T 1和T 2组成什么电路？在电路中起什么作用？
（2）写出I REF 和I C2的表达式，设V BE =0.7V ，V CC 和R 均为已知。
15、反馈电路如图15所示（a ）、(b)且满足深度负反馈的条件，判断其反馈类型并用近似估算法分别估算
它们的电压放大倍数。
图14
16、电路如图16所示，A 1，A 2，A 3均为理想运放，电源电压为±15V ，问：
（1）、A 1、A 2、A 3分别组成何种基本应用电路。
(2)、A 1、A 2、A 3输入端那些是虚地、虚短、既不虚地也不虚短。
(3)、当V i1=1V ，V i2 =0.5V 时，V O1，V O2各为几伏？计算V O3的函数式？
17、在图17所示电路中，已知R 1＝R ＝R ＝100k Ω，R 2＝R f ＝100k Ω，C ＝1μF 。
(1)、判断图中的反馈类型。
(2）、试求出0v 与i v 的运算关系。
(3）、设t ＝0时
0v ＝0，且i v 由零跃变为-1V ，试求输出电压由零上升到＋6V 所需
要的时间。 18、理想运放构成的电路如图18所示，要求：
（1）写出o v 与1i v 、2i v 之间的表达式； o
v
1o v 图17
i
v
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。 （1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。 （1）画出u2、u D 1和u O的波形； （2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。 1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问： （1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。 专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 （1）分别标出u O1和u O2对地的极性； （2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 （3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。 ，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。 1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降 UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈；【】 A.2V B.3V C.6V U ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW， （2）当 i 则输出电压的幅值将；【】 A.减小 B.不变 C.增大 U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大（3）在 i 输入电压，则输出电压波形将；【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。【】 A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和 输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1 所示，已知u i ＝5sin ωt (V) ，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1 所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1 和u I2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u 的波形，并标出幅值。 O 图P1.2 解：u 的波形如解图P1.2 所示。 O 1 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。试求图P1.3 所示电路中电阻R的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM＝P ZM/ U Z＝25mA 电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为 R U U I ～ Z 0 .36 1.8k I Z 1.4 已知图P1.4 所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大 稳定电流I Zmax＝25mA。 （1）别计算U I 为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O 的值； （2）若U I ＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 U R L O U R R L I 3. 33V 当U I＝15V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 R U U 5V 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 模拟电子技术基础习题 第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器 第六章运放应用电路 第七章功率放大电路 第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源 第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用 第十一章～第二十一章应用篇 第一章半导体二极管及其应用电路一、填空： 1．半导体是导电能力介于_______ 和_______之间的物质。 2．利用半导体的_______ 特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______ 特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______ 特性,制成热敏电阻。3．PN 结加正向电压时_______ ，加反向电压时_______，这种特性称为PN 结的_______ 特性。 4．PN 结正向偏置时P 区的电位_______N 区的电位。 导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通 5．二极管正向导通的最小电压称为______ 电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______ 电压.6．二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。 7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V ， 导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。 死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.7 8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V ，导 通后在较大电流的正向压降约为_______V 。 9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_______性能越好。 10．稳压管工作在伏安特性的________ 区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_ ______。 0.1V 0.3单向导电反向击穿基本不变 电子电工专业试卷 说明：本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，第Ⅰ卷XXX页，第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。 第Ⅰ卷（选择题，共35分） 注意事项： 每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。 一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。） 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（） 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（） A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1模拟电子技术基础习题册.docx
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