《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第5章
图P5.2
图P5.1
第5章
5.1写出图P5.1所示各电路的名称,分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。 解：(a)反相比例运算电路,Ω=-=-
=k R A if uf 1,20120'
(b) 同相比例运算电路, ∞→=+='
,211
201if uf R A
(c)同相比例运算电路, Ω==++
=k R A if uf 21,201
2020)1201('
5.2运算电路如图P5.2所示,试分别求出各电路输出电压的大小。
解: (a) V V U O 2.6)30
5
.1102201(
62=+-?-= (b) V
V U O 8.2)241010
22410242)(10241(=+?-++?+=
(c)
V V V U o 65.110201020601()102201(
60=??++++--=
图P5.4
5.3运放应用电路如图P5.3所示,
试分别求出各电路的输出电压U o 值。
解（a ） V V R R
U A 515-=?-
= V U U U R
R
U A A A O 012=-=--=
（b ） V U A 2-=
V U R R U A O 421
1
=-
= 5.4图P5.4所示的电路中,当u I =1V 时，u o =-10V ,输入电阻为3 k Ω，试求电阻R F 。R 1.R 2的值。
解：R 1=3 k Ω 10110-=-==I O uf u u A
而由图可得Ω
-
=k R A F
uf 3 故Ω=Ω-?-=k k R F 30)3(10
图P5.3
图
P5.6
R 2=R 1∥R F =2.73 k Ω
5.5 图P5.5是利用集成运算放大器构成的电流-电压转换器，试求该电路输出电压u o
与输入电流i s 的关系式。
图P5.5
解：u
o=-i F R F =-i sR F u o 与i s 成正比。
5.6由集成运放组成的三极管电流放大系数β的测试电路如图P5.6所示，设三极管的U BE =0.7V 。求三极管的C 、B 、E 各极的电位值；若电压表读数为200mV ，试求三极管的β值。
解：根据“虚短”，由运放A 1可知U C =5V ；由运放A 2可知U B =0V ，U E =-0.7V 。由运放A 1构成的电路可得
mA k V
I C 15)510(=Ω
-=
由运放A 2构成的电路可得
A k mV
R U U I B O B μ20102002=Ω
=-=
故三极管的β为
50201===
A
mA
I I B C μβ 5.7 在图P5.7所示的积分电路中，若R 1=10k Ω，C F =1μF ，u I =-1V,求u o 从起始值0V 达
图P5.7
图P5.8
到+10V 所需的积分时间。
解：由图可得
)(100)(10
1010)
(1)(6
301V t V t dt u C R t u t
I F
o =??--
=-
=-?
故u o 从0V 达到+10V 所需的积分时间为
s s t 1.0100
10
==
5.8图P5.8(a)所示的积分电路中，已知输入电压波形如图P5.8(b)所示，且t=0时u C =0，集成运放最大输出电压为±15V ，试分别画出电路的输出电压波形。
解：由图（a ）所示的积分电路可得
)(1)(0
o o t
t I o t u dt u RC t u +-=?
由于 ms s RC 3.01001.0103063=???==-τ
u O (0)=u C (0)=0
故在0~1ms 时间段内
)
(10)
0()3(103.01)(40
3
V t u dt t u t o o +=+-?-
=?
-
V V u ms t o 101010341=?=-=
而在1~3ms 时间段内
图解P5.8
图P5.9
V
t V t u dt t u ms
t o t ms
o )1020(]10)101(10[3103.01)(434113
-=+?--=+?-
=-=-?
V u ms t o 101031020343-=??-=-=
可见，在u I =-3V 时，u o 线性增大，最大值为10V ；在u I =3V 时，u o 线性减小，最小值为-10V 。由于u o 值小于集成运放最大输出电压值（15V ），故输出电压与输入电压间为线性积分关系。由于u I 为对称方波，故可作出u o 波形如图解P5.8所示，为三角波。
5.9 图P5.9所示电路中，当t=0时，u C =0，试写出u O 与u I1、u I2之间的关系式。
解：根据虚地，可得
2
2
11R u R u i I I F +=
故
??+-=-=t I I t F O dt R u R u C dt i C u 02
2
110)(11
5.10 电路如图P5.10所示，试写出输出电压u O 与输入u I 的关系式。
解：3
22)(I I I O u K Ku Ku u ==
图P5.10
5.11 RC 电路如图P5.11所示，试求出各电路的转折频率，并画出电路的波特图。
解：（a ）图P5.11（a ）为低通电路，其转折频率为
KHz Hz .RC f H
13310
1000102121
2112
3=????π=π=
- 该电路的幅频和相频特性波特图如图解P5.11（a ）（b ）所示。
（b ）图P5.11（b ）为高通电路，其转折频率为
Hz Hz RC f L 159101021
216
3=??==
-ππ
该电路的幅频和相频特性波特图如图解P5.11（c ）（d ）所示。
5.12 RC 电路如图P5.12所示，试求出各电路的转折频率，并作出电路的幅频特性波特图。
图P5.11
图解P5.11
解：（a ）用戴维宁定理，将图P5.12（a ）改画成图解P5.12（a ）所示，图中
????
=Ω+ΩΩ
=+=i i i 'i U .U k k .k U R R R U 7701301212
R 1∥R 2=（0.3∥1）k Ω=0.23k Ω
由图解P5.12（a ）可见，该电路为低通电路，其电路转折频率即为上限频率f H
MHz .Hz .C )R //R (f H 46310
2001023021
2112
321=????π=π=
-
该电路的电压传输系数为
H
''177
.0f f
j
U U U U U U A i i i o i o
u +=
?==??
?
???
所以，通带内对数电压传输系数等于
dB ..lg A lg u 327702020-==?
根据f H 及通带对数电压传输系数，可作出电路的幅频特性波特图如图解P5.12（b ）所示。
（b ）图P5.12（b ）为一高通电路，由图可写出电压传输系数为
f f j
R R R C
R R j R R R C
j R R R U U A L
L L L L L L L
i
o u -+=+++=
+
+=
=
?
?
?
1)
/()(11)/(1)(1111ωω
式中
Hz .Hz )(C )R R (f L L 512101091036021
216
1=??+π=+π=
-
即为该高通电路的转折频率，由此可得电路的幅频特性为
图P5.12
图P5.13
2
11)
f /f ()R R /(R A L L L u ++=
?
可见通带内对数电压传输系数等于
dB .lg R R R lg
A lg L L u 92910
360910
2020201-=+=+=?
所以，可作出电路的幅频特性波特图，如图解P5.12（c ）所示。
5.13 有源低通滤波器如图P5.13所示，已知R=1k Ω、C=0.16μF ，试求出电路的截止频率，并画出它的幅频特性波特图。
解：
Hz Hz RC f H 99510
16.01021
216
3=???==
-ππ )
/(1H uf
i
o
u f f j A U U A +=
=
?
?
?
dB A A uf uf 20lg 20,101.110
1=≈+=
f H 其幅频特性波特图如图解P5.13所示。
图解P5.12
(c)
图解P5.13
图P5.14 图解
P5.14
5.14 在图P5.14所示的二阶有源低通滤波器电路中，R 1=10k Ω、R F =5.86k Ω、R=1.85k Ω、C=0.043μF ，试计算截止频率、通带增益及Q 值，并画出其幅频特性。
解：
dB
dB A R R A uf F uf 4586.1lg 20lg 20586.11086
.5111≈==+=+
=
707.0586
.13131=-=-=
uf A Q
因此
kHz Hz RC f f n H 210043.01085.121
216
3≈????==
=-ππ
其幅频特性如图解P5.14所示。
5.15 已知有源高通滤波电路如图P5.15所示，R 1=10k Ω、R F =16 k Ω、R=
6.2 k Ω、C=0.01μF ，试求截止频率并画出其幅频特性波特图。
图P5.15 图解P5.15
解：6.2
10
16
1
1
1
=
+
=
+
=
R
R
A F
uf
kHz
Hz
RC
f
dB
dB
A
L
uf
57
.2
10
10
2.6
2
1
2
1
3.8
6.2
lg
20
lg
20
8
3
≈
?
?
?
=
=
≈
=
-
π
π
其幅频特性如图解P5.15所示。
5.16 由集成运算放大器构成的小信号交流放大电路如图P5.16所示，已知集成运放的BW G=4MHz，试求出A uf，上限截止频率f H和下限截止频率f L。
解：由图可得，放大电路的电压增益，下限频率f L和上限截止频率f H分别为
Hz
A
BW
f
Hz
f
f
Hz
C
R
f
Hz
Hz
C
R
f
k
k
R
R
u
u
A
uf
G
H
L
L
L
L
i
o
uf
3
6
1
6
3
2
2
2
6
1
1
1
1
2
10
240
7.
16
10
4
5.
26
2.3
10
10
10
5
2
1
2
1
5.
26
10
10
600
2
1
2
1
7.
16
6.0
10
?
=
?
=
=
=
=
=
?
?
?
?
=
=
=
?
?
?
=
=
-
=
Ω
Ω
-
=
-
=
=
-
-
π
π
π
π
图P5.16
5.17 三极管的参数βo =79、C b ’c =2.5pF 、r bb ’=30Ω、f T =750MHz ，如工作点电流I EQ =5mA ，试画出该管的混合π型高频等效电路，并求出各参数。
解：三极管混合π型高频等效电路如图解P5.17所示，图中
pF
F F C f g C S S U I g I U r c b T m be T
EQ m EQ T o e b 3.38103.38)105.210
7502192
.0(2192.026
5
4165
26
80()1(12126
''
'=?=?-??=-=
==
=
Ω=Ω?=+=--ππβ
5.18 已知三极管的βo =50，f T =500MHz ，试求该管的f α和f βo 若r e =5Ω，试问C b ’e 等于多少（设C b ’c 可忽略）？
解： MHz f f o
T
1050
500
==
=
ββ MHz
f f o a 5101051)1(=?=+=ββ
pF F r f C e a e b 4.62104.625
1051021
21126
'=?=???=≈
-ππ 5.19试分析图P5-19所示电路中各元件的作用，说明电路构成什么类型的负反馈，求出闭环增益及最大不失真输出功率（令功率管饱和压降为0V ）。
图解P5.17
解：(a)采用双电源供电，输出构成OCL 电路。R3﹑ R2构成电压串联负反馈；
W
P db R R A om uf 324
1621)5.30(4.3368
.02212312
=?==+=+
= (b) 采用单电源供电，构成OTL 电路，C7为输出电容。R5﹑ R4构成电压串联负反馈；
W P db A om uf 84
28
)5.30(4.3368
.022
12
=?=
=+
=
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第2章
第2章 2.1放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,- 3.2V 和3V 、12V 、3.7V ， 试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管？ 解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为0.7V ，对锗管则为0.2V 。 （1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故-3.2V 对应的管脚○ 3为基极，U B =-3.2V ，○2脚电位与○3脚基极电位差为-0.2V ，所以○2脚为发射极，则○ 1脚为集电极，该管为PNP 锗管。 （2）由于○ 3脚电位为3.7V 介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚0.7V ，故○ 1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。 2.2对图P2.2所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。 解：（a ）因为i B
解：（a ）mA k V V I B 1.0517.06≈Ω -= 设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×0.1=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V 由于U CE =6V>U CE =0.3V ，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，I B =0.1mA ，I C =10 mA ，U CE =6V 。 （b ）mA k V I B 077.056)7.05(=Ω -= 设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×0.077=7.7mA 则 U CE =-(5V －7.7mA ×3k Ω)=-(5V －23.1V) ＞0 说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为 mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V 3.0-5=Ω =-== 因此三极管的I B =0.077mA ，I C =1.57mA ，U CE =U CES ≈0.3V （c ）发射结零偏置，故三极管截止，I B =0，I C =0，U CE =5V 。 2.4图P2.4（a ）所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图P2.4（b ）所示，设U BEQ =0，当R B 分别为300k Ω、150k Ω时，试用图解法求I C 、U CE 。
模拟电子技术试卷及答案样本
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。
A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复
高频电子线路课后答案(胡宴如_狄苏燕)
说明 所有习题都是我们上课布置的作业题，所有解答都是本人自己完成，其中难免有错误之处，还望大家海涵。 第2章 小信号选频放大器 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。 [解] 900.035610Hz 35.6MHz f = = =?= 3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p R Q f BW Q ρρ===Ω=?Ω=Ω?===?=
并联谐振回路如图所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻 s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 [解] 0465kHz 2π2π390μH 300PF f LC ≈ = =? 0.70390μH 100 114k Ω 300PF ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω 37 1.14k Ω 390μH/300 PF /465kHz/37=12.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ ====== = = === 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻 [解] 626212 011 5105μH (2π)(2π1010)5010 L H f C --= ==?=???? 6 03 0.7101066.715010f Q BW ?===? 22 36 022*********.78.11010p o U f Q f U ? ? ???????=+=+= ? ????? ? 当0.7300kHz BW =时 6 030.74612 0101033.3 3001033.3 1.061010.6k 2π2π10105010 e e e e f Q BW Q R Q f C ρ-?===?== ==?Ω=Ω????g 而 4712 66.7 2.131021.2k 2π105010 p R Q ρ-== =?Ω=Ω???g 由于,p e p RR R R R = +所以可得 10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p e R R R R R Ω?Ω == =Ω-Ω-Ω 并联回路如图所示,已知：360pF,C =1280μH,L ==100,Q 250μH,L = 12=/10,n N N =L 1k R =Ω。试求该并联回路考虑到L R 影响后的通频带及等效谐振电
模拟电子技术试卷(含答案)
一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人
模拟电子技术基础 胡宴如 自测题答案
模拟电子技术 胡宴如（第3版）自测题 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
模拟电子技术期末试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
(完整版)高频电子线路(胡宴如)1-5章部分复习讨论题答案
1.4.1 何谓通信系统？通信系统由哪些部分组成？各组成部分的作用是什么？ 解：用电信号（或光信号）传输信息的系统，称为通信系统。通信系统的基本组成：信源、输入变压器、输出变压器、发送设备、接受设备和信道等组成。 信源就是信息的来源。 输入变压器的作用是将信源输入的信息变换成电信号。 发送设备用来将基带信号进行某种处理并以足够的功率送入信道，以实现信号有效的传输。信道是信号传输的通道，又称传输媒介。 接收设备将由信道传送过来的已调信号取出并进行处理，还原成与发送端相对应的基带信号。 输出变压器将接收设备送来的基带信号复原成原来形式的信息。 1.4.2 通信系统为什么要采用调制技术？ 解：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。采用调制技术可使低频基带信号装载到高平载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次采用调制可以进行频分夺路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.1.1 LC并联谐振回路有何基本特性？说明Q对回路特征的影响。 解：并联谐振回路具有谐振特性。当外加信号频率与回路谐振频率相等，即回路谐振时，回路两端输出电压为最大，且相移为0；当外加信号频率与回路谐振频率不相等，即回路失谐时，回路两端电压迅速下降，相移增大。利用回路的写真特性，通过调谐，可以从各种不同频率信号的总和中选出有用信号、滤除无用信号，这称为谐振回路的选频作用。谐振回路Q 值越大，回路谐振曲线越尖锐，其选频作用越好，但通频带将会变窄。 2.2.1 小信号谐振放大器有何特点？ 解：小信号谐振放大器用来对高频小信号进行选频和放大，所以它有如下主要特点： 1、负载采用LC谐振回路，放大器具有选频作用，为窄带放大器。 2、有较高的增益，适合于窄带信号的放大。 3、放大器工作在甲类线性工作状态，可采用高频小信号等效电路进行分析。 2.2.2 单调谐放大器有哪些主要技术指标？它们主要与哪些因素有关？为什么不能单纯追求最大的放大量？ 解：单调谐放大器的技术指标主要有谐振增益、通频带和选择性，另外，他还有稳定性、噪声系数等指标。要求增益要高，通频带满足要求，选择性要好，即要求矩形系数越接近于1越好；其次要求电路工作稳定可靠，噪声系数要小。 单调谐放大器的技术指标与晶体管的参数和谐振回路的特性（Q）有关，还与负载等有关。单级增益过高，有可能产生自激。 3.1.1 说明谐振功率放大器与小信号谐振放大器有哪些主要区别？ 解：它们之间的主要区别有以下几点： 1、作用与要求不同，小信号谐振放大器主要用于高频小信号的选频放大，要求有较高的选
《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题解答-第3章
第3章 3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =1.2V 。求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。 解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为 dB A d B A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(60 20 102.13 ====?== 电流放大倍数为 dB A d B A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--== 功率放大倍数为 dB A d B A I U I U Pi P A p p i i O O O P 4.364320lg 10lg 10)(4320 7260====?=== （2）求输入和输出电阻 Ω=Ω?-=-=Ω=Ω-== k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12 .18 .1()1( 1200600/)2030(20 3．2在图P3.2所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、 图P3.1
A us ；（3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。 解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ V V V R R I V U mA mA I I mA mA R U U I V V V R R R U E C CQ CC CEQ CQ BQ E BEQ BQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.080 92.192.12 .27 .092.492.416622416212=+?-=+-=== = =-= -==+?=+=β （2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us 图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得 Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U ) (r r EQ T 'bb be 3192 126 812001 故 962 .16.0) 144(2.13.42.1)3.1//16//62(////144 3 .1)1.5//3.4(8021' -=+-?=+== Ω==Ω=Ω==-=?-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β （3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。 图P3.2 图解P3.2
模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
高频电子线路(胡宴如主编)-课后习题答案教学文稿
高频电子线路(胡宴如主编)-课后习题答案
高频电子线路 第2章 小信号选频放大器 2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。。。。 [解] 90-6120.035610Hz 35.6MHz 2π2π102010f LC H F -= = =?=?? 6312 640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p H R Q F f BW Q ρρ--===Ω=?Ω=Ω??===?= 2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。。。。。 [解] 0465kHz 2π2π390μH 300PF f LC ≈= =? 0.70390μH 100 114k Ω 300PF ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω 37 1.14k Ω 390μH/300 PF /465kHz/37=12.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ ====== = = === 2.3 已知并联谐振回路的 00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的
L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻?。。。。 [解] 626212 011 5105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===?=???? 6 03 0.7101066.715010f Q BW ?===? 22 36 022*********.78.11010p o U f Q f U ? ? ???????=+=+= ? ????? ? 当0.7300kHz BW =时 6 03 0.74612 0101033.33001033.3 1.061010.6k 2π2π10105010 e e e e f Q BW Q R Q f C ρ-?===?== ==?Ω=Ω????g 而 47 12 66.7 2.131021.2k 2π105010 p R Q ρ-== =?Ω=Ω???g 由于,p e p RR R R R = +所以可得 10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p e R R R R R Ω?Ω = = =Ω-Ω-Ω 2.4 并联回路如图P2.4所示,已知： 360pF,C =1280μH,L ==100,Q 250μH,L = 12=/10,n N N =L 1k R =Ω。试求该并联回路考虑到L R 影响后的通频带及等效谐振电阻。 [解] 6 312 28010 100 881088k 36010 p R Q ρ--?===?Ω=Ω?g 226 3 3312 00.7612 101k 100k //88k //100k 46.8k 2801046.81046.810/0.881053360109.46kHz 2π532π2801036010L L e p L e e e e R n R R R R R Q f BW Q Q LC ρ----'==?Ω=Ω'==ΩΩ=Ω?==???=?====???? 2.5 并联回路如图P2.5所示，试求并联回路2－3两端的谐振
模拟电子技术胡宴如主编耿苏燕版习题解答第2章
第2章 放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此 管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管 解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。 （1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○ 3为基极，U B =，○ 2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。 （2）由于○ 3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○ 2脚为集电极，该管为NPN 硅管。 对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还 是PNP 管，估算其β值。 解：（a ）因为i B
图 I B 、I C 、U CE 。 解：（a ）mA k V V I B 1.0517.06≈Ω -= 设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V 由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。 （b ）mA k V I B 077.056)7.05(=Ω -= 设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×= 则 U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0 说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为 mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V 3.0-5=Ω =-= =
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）
a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第2章
第2章 2.1 放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,- 3.2V 和3V 、12V 、3.7V ， 试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管？ 解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为0.7V ，对锗管则为0.2V 。 （1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故-3.2V 对应的管脚○3为基极，U B =-3.2V ，○2脚电位与○3脚基极电位差为-0.2V ，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管 为PNP 锗管。 （2）由于○3脚电位为3.7V 介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚0.7V ，故○ 1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。 2.2 对图P2.2所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。 解：（a ）因为i B
图 P2.3 2.3 图P2.3所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。 解：（a ）mA k V V I B 1.0517.06≈Ω -= 设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×0.1=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V 由于U CE =6V>U CE =0.3V ，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，I B =0.1mA ，I C =10 mA ，U CE =6V 。 （b ）mA k V I B 077.056)7.05(=Ω -= 设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×0.077=7.7mA 则 U CE =-(5V －7.7mA ×3k Ω)=-(5V －23.1V) ＞0 说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为
本科期末《模拟电子技术》试题与答案
图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。
高频电子线路 杨霓清 答案 第二章-高频小信号放大器
第二章 思考题与习题 2.1 试用矩形系数说明选择性与通频带的关系。 2.2 证明式(2.2.21)。 2.3 在工作点合理的情况下，图(2.2.6)（b ）中的三极管能否用不含结电容的小信号等效电 路等效？为什么？ 2.4 说明图(2.2.6)（b ）中，接入系数1n 、2n 对小信号谐振放大器的性能指标有何影响？ 2.5 如若放大器的选频特性是理想的矩形，能否认为放大器能够滤除全部噪声，为什么？ 2.6 高频谐振放大器中，造成工作不稳定的主要因素是什么？它有哪些不良影响？为使放 大器稳定工作应采取哪些措施？ 2. 7 单级小信号调谐放大器的交流电路如图2. T.1所示。要求谐振频率0f =10.7 MHz ， 0.7BW =500kHz ，0||A υ=100。晶体管参数为 ie y =（2+j0.5）ms ； re y =0； fe y =（20－j5）ms ； oe y =（20+j40）ms 如果回路空载品质因数0Q =100，试计算谐振回路的L 、C 、R 。 图2. T.1 题2.8图 解：根据电路图可画出放大器的高频等效电路如下图所示。 其中20oe g s μ=，6 6 4010 0.59210.710 oe C pF π-?= =??，22 20520.6fe y m s = += 根据题设要求 0100fe y A g υ∑ ==
则 3 20.610 0.206100 fe o y g m s A υ-∑?= = = 因为 00.7e f BW Q = 所以 00.7 10.721.40.5 e f Q BW = == 因为 01 e Q Lg ω∑ = 所以 6 3 01 1 210.7100.20610 21.4 e L g Q ωπ-∑= = ????? =63.3710 3.37s s μ-?= 由等效电路可知 2 6 2 6 011 65.65pF (2)(210.710) 3.3710 C f L ππ∑-= = =???? 6 6 00 11 44.142210.710 3.3710 100 eo g s f LQ μππ-= = =????? 则 65.650.5965.06oe C C C pF ∑=-=-= 6 6 6 11 7.0520610 2010 44.1410 oe eo R k g g g ---∑= = =Ω--?-?-? 2.8 在图2. T.2中，晶体管3DG39的直流工作点是C E Q V ＝＋8V ，E Q I ＝2 mA ；工作频率 0f ＝10.7MHz ；调谐回路采用中频变压器，3~1L ＝4μH ，0Q ＝100，其抽头为=23N 5匝， =13N 20匝， =45N 5匝。试计算放大器的下列各值：电压增益、功率增益、通频带（设放 大器和前级匹配s g ＝ie g ）。晶体管3DG39在C E Q V ＝8V ，E Q I ＝2mA 时参数如下： ie g ＝2860 μS ；ie C ＝18 pF oe g ＝200μS ； oe C ＝7pF
高频电子线路课后答案(胡宴如)
第2章 小信号选频放大器 2.1填空题 (1)LC 并联谐振回路中，Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。 [解] 900.035610Hz 35.6MHz f = = =? = 3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p R Q f BW Q ρρ===Ω=?Ω=Ω?===?= 2.3 并联谐振回路如图P2.3所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 [解] 0465kHz f ≈ = = 0.70114k Ω ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω37 1.14k Ω/465kHz/37=1 2.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ========== 2.4 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6 26212 0115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C -- = ==?=????
模拟电子技术基础试题及答案
自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)
例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。