匠人的百宝箱--网友在各自领域中所用到的芯片总结(转载)

网友在各自领域中所用到的芯片总结(转载)

1.音频pcm编码DA转换芯片cirrus logic的cs4344，cs4334

4334是老封装，据说已经停产，4344封装比较小，非常好用。还有菲利谱的。

8211等。

2.音频放大芯片4558，833，此二芯片都是双运放。为什么不用324等运放

个人觉得应该是对音频的频率响应比较好。

3.244和245，由于244是单向a=b的所以只是单向驱动。而245是用于数据总线等

双向驱动选择。同时245的封装走线非常适合数据总线，它按照顺序d7-d0。

4.373和374，地址锁存器，一个电平触发，一个沿触发。373用在单片机p0地址

锁存，当然是扩展外部ram的时候用到62256。374有时候也用在锁数码管内容显示。

5.max232和max202，有些为了节约成本就用max202，主要是驱动能力的限制。

6.网络接口变压器。需要注意差分信号的等长和尽量短的规则。

7.amd29系列的flash，有bottom型和top型，主要区别是loader区域设置在哪里？bottom型的在开始地址空间，top型号的在末尾地址空间，我感觉有点反，

但实际就是这么命名的。

8.164，它是一个串并转换芯片，可以把串行信号变为并行信号，控制数码管显示可以用到。

9.sdram，ddrram，在设计时候通常会在数据地址总线上加22，33的电阻，据说是为了阻抗匹配，对于这点我理论基础学到过，但实际上没什么深刻理解。

10.网卡控制芯片ax88796，rtl8019as，dm9000ae当然这些都是用在isa总线上的。

24位AD：CS5532，LPC2413效果还可以

仪表运放：ITL114，不过据说功耗有点大

音频功放：一般用LM368

音量控制IC. PT2257/9.

PCM双向解/编码 ADC/DAC CW6691.

2.4G双工通讯 RF IC CC2500

ysh815

24位AD：CS5532，LPC2413效果还可以

仪表运放：ITL114，不过据说功耗有点大

音频功放：一般用LM368

coke

音量控制IC. PT2257/9.

PCM双向解/编码 ADC/DAC CW6691.

2.4G双工通讯 RF IC CC2500

1.cat809，max809，这些是电源监控芯片，当低于某一电压以后比如3.07v等

出现一个100ms的低电平，实现复位功能。当然这个要求是低复位。

max810，cat810等就是出现一个100ms的高电平。还有一些复位芯片，既有高

又有低复位输出，同时还有带手动触发复位功能，型号可以查找一下。

2.pericom的pt7v（pi6cx100-27）压控振荡器，脉冲带宽调制。

系统需要起来

首先是电源，这方面的芯片有很多啊

比如7805，7812，7905，7912，lm317，1117-1.8，2.5，3.3当然

1117有800ma的限制，对功率要求比较低的时候用，lm317功率可以稍微大点。TL431做可调基准电压

其次就是时钟，要求精度高的话，就用压控振荡器，一般无源晶振，加22-33pf等的电容，或者在加2m的电

阻来谐振什么的。

然后是复位，要求高就用专业芯片，一般可以用电容和电阻搭配来实现。

如果系统这时候正常就没话了，如果有问题，就要看中断向量，逻辑电路方面。

这个时候是最痛苦了，当然用示波器检查问题。

一般情况下为保持总线状态稳定都会加上拉，很少用下拉，但有时候会用。

我理解上拉比下拉好，因为上拉是外部电源供电，对芯片来说是灌电流，不消耗

芯片本身功率，而下拉是拉电流，由芯片供电，芯片功率是有限制的，同时拉电流要比灌电流差一个数量级，个人观点可以讨论。

1.24c02等E2PROM芯片有atmel，issi等品牌

2.nand的flash，amd29系列，有winbond，mx，atmel等

3.sdram有hynix，issi，winbond，三星等等

4.音频系列的芯片philips的比较有名主要是因为有些音频标准是它做的，但是

市场上比较少，因为价格比较贵。

5.常见的逻辑器件主要有TI等知名厂家。

得空再整理，先写几个：

1、语音编解码TP3054/3057，串行接口，带通滤波。

2、现在用汉仁的网卡变压器HR61101G接在RTL8019AS上，兼容的有VALOR的FL1012、PTT的PM24-

1006M。

3、驱动LED点阵用串行TPIC6B595，便宜的兼容型号HM6B595

交换矩正： mt 8816 8*16

双音频译码器： 35300

关于网络变压器比如有常用的8515等但是我觉得它们这些独立变压器封装太大。

现在我们使用一款YDS的变压器，把RJ45接口和变压器做在一起，体积比普通

RJ45稍微大一点，市场价格单买就6元，如果量大我觉得在4元-5元肯定可以下来。关键是可以节约空间同时只要注意芯片输出端的差分信号了。但是其抗雷击等具体性能没有测过，我觉得YDS既然能做成产品应该有保证。

我们原来使用单独的网络变压器，如常用的8515等。

现在我们用YDS的一款带网络变压器的RJ45接口。

其优点：1.体积仅比普通的RJ45稍微大一点。

2.价格单买就6元，我觉得量稍微大点应该在4-5左右或者更低。

3.连接比较方便只要把差分信号注意就可以了。

缺点：用的人不多，不知道是因为是新，还是性能不好，我们用了倒没什么问题。不过没有做过抗雷击等测试，我觉得既然YDS做了这样的产品，性能应该问题不大。

我觉得最好再加一点典型电路的原理图等。

比如说网络接口，串口232，485通讯，I2C级连，RAM连接，FLASH连接，电压转换，时钟电路，打印接口电路，以及如何在没有典型电路的时候，把芯片和已有系统有效连接等。

首先要有开关电源需求，额定电流，功率，几路输出，主路设计等等

如何测试其性能指标达到要求。

我做的是消费类电子产品，如何过CCC测试，包括EMC，EMI，安全等测试。

以及各类标志

ul标志

https://www.360docs.net/doc/d314470305.html,/RZYD/UL/UL.htm

CCC标志

https://www.360docs.net/doc/d314470305.html,/QYRZ.asp

可能说的比较乱，但是要想成为项目经理必须都懂点，最起码不会被人问的发愣。还有稍微懂点结构设计，这个也是非常重要。

NE555电路

PCF2111CT-T驱动LCD电路

DS1220AD---SRAM

便宜的液晶驱动芯片HT1621

要求一般的485芯片SN3082

CH375A USB主控芯片南京沁恒的

我目前也在做usb方面的东西。

选择了几家芯片。

gl公司，cypress公司等。

usb从设备的，就是优盘。

usb主设备的，就是电脑。

有些芯片现在主从都做了，所以存在如何设置主从的问题。

如果笔记本电脑和普通的电脑主机usb连接后，会出现什么情况，

我理解笔记本上不会出现普通电脑的硬盘，普通电脑也不会出现笔记本的

硬盘信息。这可以试试。

LED数码管显示：

我用MAX7219,虽然贵，但真的很好用，因其有亮度寄存器，系统便于白天亮一点晚上暗一点。我做的系统用了20个，现已运行3年多，完好。

下位机cpu：at89c2051,我的系统用了20个，运行三年多，第二年时，无故坏了3个，感觉一般。

数据采集，我用tlc2543,我的系统用了3个,感觉便宜、好用，但不准，感觉似乎每个通道的基准电压都不一样似的。

运放OP27,很好用，经受住时间考验，连续3年

ＴＩ的充放电管理芯片，ＢＱ２４００Ｘ，也挺好的

我介绍一下我现在用的光耦,就是光电隔离:

TLP521-1 TLP521-2 TLP521-4

其实我只用过TLP521-1,很好用的,TLP521-2 的价格比 TLP521-1要贵两倍多,不只为什么,恩 LED导通电流是小了一点

它们由于速率有点低所以推荐高速光耦

6N136 1M

6N137 10M

单通道HDLC协议控制器：MT8952；

音频放大器LM2904；

512k*8带软件保护可段/整片擦除的flah28SF040；

关于电压转换芯片的一点体会.

1117用的比较多,由于有800ma的电流限制,

如果电流还要大,那就用7805,7809,7812

lm317.其中lm317最大可以达到1.5A(手册上说),但是我没有用过.

78系列达到输出电流1A,但是我用过到300mA左右就很烫了,不知道是散热片问题

还是其他问题,请教有做过1A左右的输出电流的朋友,谈一下情况,谢谢.

这些电源芯片我总结主要指标

如果是固定不可调的,如7805等要求其输入调整率,输出调整率,最大输出电流

自身所能承受最大的功耗.如果是可调整的,那就是调整范围以及精度.如lm317

如果电流超过1.5A以后那该如何处理呢?

当然超过1.5A的电子产品其实是很少的,据说可以通过扩流处理,这个我不太清楚

请那位大哥解释一下.不会是多接几个LM317并联吧那我真的晕到了.呵呵.

电源超过1.5A的可以用LMS1587-1.5,3.5,3A的LDO

还可以用LM2676做开关电源，也是3A的

AD7865做电机控制的使用很不错，四路350K，14位精度，单电压，＋/-10V输入，推荐使用AD7864的升级用。

掉电保存可以选择NVRAM，带电池的，maxim有很多

74ALVC164245，电平转换芯片，3.3V电平和5V电平总线接口用

74HCT14：输入3.3V，输出接5V

ULN2003：达林顿输出的驱动芯片，带继电器灭弧的二极管，驱动继电器不错

MAX708：复位芯片，带高低电平和手动复位功能

CPU：虽然不推荐选用***货，但是多一个选择也不错，SuperH系列的CPU性能不错

1：usb控制器，cypress公司的cy7c63723，cy7c68013，63723是otp的建议初次搞usb接口的不要使用，调试起来很麻烦。

2：cpld，fpga用xilinx的型号很全

3：2.4g rf收发芯片nrf2401a

看门狗 813、705、706等

1、LI358/LM324 小信号放大器，通用型的当然你要求太高就的另选了。

2、24C08/24C16 EEPROM 感觉还可以！！

3、MPS3100 传感器

1，可做充电器的电压升降的IC，SP34063,感觉使用起来还是听方便的

2，RF IC，NRF2401，NREF2402，

还有功能更强的集成增强型8051内核的好象是 NRF24E1，不过我没用过

3，音频功放TPA0211

1. 24LC00，Microchip公司生产，128 bit I2C bus serial EEPROM

2. HT12E, HOLTEK公司（台湾）生产，Encoder, 用于RF发射机，编码共有2的12次方种组合。也有红外的编码芯片。

3. HT12D，是与“HT12E”对应的解码芯片。也有红外的解码芯片。

4. IRF640N，Power MOSFET,电力场效应管

电能（ATT7022A、SA9904B）、压力（PGA309）、温度（DS18B20、K型热电偶MAX6675）、湿度（SHT10）、液位(LM1042)、烟雾（NIS-09C+MC145018）、红外（HS0001）、距离（TDC-GP1）、转速（KM115-1),codec（AMBE-2000）、can（SJA1000）、gps（u-blox)、无线数传(nRF905、nRF9e5)

我用过的2.4G无线芯片：nRF2401（Nordic）

我用过的一些：

在单片机调试过程中，如果晶振超过22.1184MHz，地址锁存器一定要用HC系列的，否则时序不对。比如74LS373要得换成74HC373

AD转换方面的芯片用过有：8路8bit的AD有AD0809

MAX306

为16选1模拟开关。使用时注意不用引脚一定要处理，一般通过电阻接地

16位ad7705不错，使用简单

数码驱动max7219还可以

线性光耦hcr210不错

语音芯片isd的用着方便

5460单相仪表用精度相当高

ADE7758三相电力计量芯片0.5级

ATT7022三相电能计量芯片0.5级，可作多功能表

24bit的有AD7712AN

温度传感器：AD592CN，环境稳定25度时精度，+/-0.5度

系列芯片功能表汇总

————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： ?

７4系列标准数字电路功能表——中文资料名称类别功能 7４0０ＴTL 2输入端四与非门 7401 TTL 集电极开路２输入端四与非门 7４02 ＴTＬ2输入端四或非门 7４0３TTＬ集电极开路2输入端四与非门 740４TTＬ六反相器７４0５TTL 集电极开路六反相器 7４06 TTL 集电极开路六反相高压驱动器 740７TＴL 集电极开路六正相高压驱动器 7408 TTＬ2输入端四与门 7４0９TTＬ集电极开路２输入端四与门 74１0 TTL ３输入端３与非门７4１07 TＴL 带清除主从双Ｊ-K触发器７４109 ＴＴＬ带预置清除正触发双J-K触发器 74１１TＴL ３输入端3与门７41１2 ＴTL 带预置清除负触发双J－K触发器 7412 TＴL 开路输出３输入端三与非门７4１2１TTL 单稳态多谐振荡器７４122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器７4123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器 7412５TＴＬ三态输出高有效四总线缓冲门 74１26 ＴＴＬ三态输出低有效四总线缓冲门 7413 TTＬ4输入端双与非施密特触发器 741３2 ＴTL 2输入端四与非施密特触发器 74133 TＴL １3输入端与非门７41３6 TTL 四异或门７4138 TTL 3-8线译码器/复工器 7４139 ＴＴL 双２-4线译码器/复工器 7414 TＴL 六反相施密特触发器 741４５TTL BＣD—十进制译码/驱动器 7415 TTL 开路输出3输入端三与门 74１50 ＴTL 16选1数据选择/多路开关 74151 TTL 8选1数据选择器 7415３TTＬ双4选1数据选择器 7４１5４ＴTL 4线—16线译码器 74１５5 ＴTL 图腾柱输出译码器/分配器７４156 ＴＴL 开路输出译码器/分配器 7４１５7 TＴL 同相输出四2选1数据选择器 7415８TTL 反相输出四2选１数据选择器 7416 TTL 开路输出六反相缓冲/驱动器

集成电路版图复习课答案总结

1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12寸(300mm)，正在向18寸(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs?以及InP?等；绝缘体材料，如SiO2、SiON?和Si3N4?等；金属材料，如铝、金、钨以及铜等。

4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。

数字集成电路设计_笔记归纳..

第三章、器件一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应： 1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS 管，PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是 TH G S V V -太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（μξν=），即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和，不再随电场强度的增加而线性增加。此时近似表达式为：μξυ=（c ξξ<），c s a t μξυυ==（c ξξ≥），出现饱和速度时的漏源电压D SAT V 是一个常数。线性区的电流公式不变，但一旦达到DSAT V ，电流即可饱和，此时DS I 与GS V 成线性关系（不再是低压时的平方关系）。 2、Latch-up 效应：由于单阱工艺的NPNP 结构，可能会出现VDD 到VSS 的短路大电流。正反馈机制：PNP 微正向导通，射集电流反馈入NPN 的基极，电流放大后又反馈到PNP 的基极，再次放大加剧导通。克服的方法：1、减少阱/衬底的寄生电阻，从而减少馈入基极的电流，于是削弱了正反馈。 2、保护环。 3、短沟道效应：在沟道较长时，沟道耗尽区主要来自MOS 场效应，而当沟道较短时，漏衬结（反偏）、源衬结的耗尽区将不可忽略，即栅下的一部分区域已被耗尽，只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时VT 随L 的减小而减小。此外，提高漏源电压可以得到类似的效应，短沟时VT 随VDS 增加而减小，因为这增加了反偏漏衬结耗尽区的宽度。这一效应被称为漏端感应源端势垒降低。

4、漏端感应源端势垒降低（DIBL）： VDS增加会使源端势垒下降，沟道长度缩短会使源端势垒下降。VDS很大时反偏漏衬结击穿，漏源穿通，将不受栅压控制。 5、亚阈值效应（弱反型导通）：当电压低于阈值电压时MOS管已部分导通。不存在导电沟道时源（n+）体（p）漏（n+）三端实际上形成了一个寄生的双极性晶体管。一般希望该效应越小越好，尤其在依靠电荷在电容上存储的动态电路，因为其工作会受亚阈值漏电的严重影响。绝缘体上硅（SOI） 6、沟长调制：长沟器件：沟道夹断饱和；短沟器件：载流子速度饱和。 7、热载流子效应：由于器件发展过程中，电压降低的幅度不及器件尺寸，导致电场强度提高，使得电子速度增加。漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对，从而形成衬底电流，另一方面使电子隧穿到栅氧中，形成栅电流并改变阈值电压。影响：1、使器件参数变差，引起长期的可靠性问题，可能导致器件失效。2、衬底电流会引入噪声、Latch-up、和动态节点漏电。解决：LDD（轻掺杂漏）：在漏源区和沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n-区。缺点是使器件跨导和IDS减小。 8、体效应：衬底偏置体效应、衬底电流感应体效应（衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压）。二、MOSFET器件模型 1、目的、意义：减少设计时间和制造成本。 2、要求：精确；有物理基础；可扩展性，能预测不同尺寸器件性能；高效率性，减少迭代次数和模拟时间 3、结构电阻：沟道等效电阻、寄生电阻 4、结构电容：三、特征尺寸缩小目的：1、尺寸更小；2、速度更快；3、功耗更低；4、成本更低、方式： 1、恒场律（全比例缩小），理想模型，尺寸和电压按统一比例缩小。优点：提高了集成密度未改善：功率密度。问题：1、电流密度增加；2、VTH小使得抗干扰能力差；3、电源电压标准改变带来不便；4、漏源耗尽层宽度不按比例缩小。 2、恒压律，目前最普遍，仅尺寸缩小，电压保持不变。优点：1、电源电压不变；2、提高了集成密度问题：1、电流密度、功率密度极大增加；2、功耗增加；3、沟道电场增加，将产生热载流子效应、速度饱和效应等负面效应；4、衬底浓度的增加使PN结寄生电容增加，速度下降。 3、一般化缩小，对今天最实用，尺寸和电压按不同比例缩小。限制因素：长期使用的可靠性、载流子的极限速度、功耗。

集成电路分析期末复习总结要点

集成电路分析集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？参考答案：按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。它的发展遵循摩尔定律解释欧姆型接触和肖特基型接触。参考答案：半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。、集成电路主要有哪些基本制造工艺。参考答案：集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。光刻工艺：光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。参考答案：光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式：接触式和非接触式 25、简述光刻工艺步骤。参考答案：涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。 26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？参考答案：正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液

中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？参考答案：需要六次光刻。第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻掺杂工艺：掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。参考答案：掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。掺杂的方法有：热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。与热扩散法相比，离子注入法掺杂的优点是：可精确控制杂质分布，掺杂纯度高、均匀性好，容易实现化合物半导体的掺杂等；缺点是：杂质离子对半导体晶格有损伤，这些损伤在某些场合完全消除是无法实现的；很浅的和很深的注入分布都难以得到；对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制；一般离子注入的设备相当昂贵，试述PN结的空间电荷区是如何形成的。参考答案：在PN结中，由于N区中有大量的自由电子，由P区扩散到N区的空穴将逐渐与N区的自由电子复合。同样，由N区扩散到P区的自由电子也将逐渐与P区内的空穴复合。于是在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层。简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。参考答案：形成N阱区，确定nMOS和pMOS有源区，场和栅氧化，形成多晶硅并刻蚀成图案，P＋扩散，N＋扩散，刻蚀接触孔，沉淀第一金属层并刻蚀成图案，沉淀第二金属层并刻蚀成图案，形成钝化玻璃并刻蚀焊盘。表面贴装技术：电子电路表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT），称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件（简称SMC/SMD，中文称片状元器件）安装在印制电路板（Printed Circuit Board，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。[1]工艺流程简化为：印刷-------贴片-------焊接-------检修有源区和场区：有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联

在各个领域中常用芯片汇总(2)(精)

在各个领域中常用芯片汇总 1. 音频pcm编码DA转换芯片cirrus logic的cs4344，cs4334，4334是老封装，据说已经停产，4344封装比较小，非常好用。还有菲利谱的8211等。 2. 音频放大芯片4558，833，此二芯片都是双运放。为什么不用324等运放个人觉得应该是对音频的频率响应比较好。 3. 74HC244和245，由于244是单向a=b的所以只是单向驱动。而245是用于数据总线等双向驱动选择。同时245的封装走线非常适合数据总线，它按照顺序d7-d0。 4. 373和374，地址锁存器，一个电平触发，一个沿触发。373用在单片机p0地址锁存，当然是扩展外部ram的时候用到62256。374有时候也用在锁数码管内容显示。 5. max232和max202，有些为了节约成本就用max202，主要是驱动能力的限制。 6. 网络接口变压器。需要注意差分信号的等长和尽量短的规则。 7. amd29系列的flash，有bottom型和top型，主要区别是loader区域设置在哪里？bottom型的在开始地址空间，top型号的在末尾地址空间，我感觉有点反，但实际就是这么命名的。 8. 164，它是一个串并转换芯片，可以把串行信号变为并行信号，控制数码管显示可以用到。 9. sdram，ddrram，在设计时候通常会在数据地址总线上加22，33的电阻，据说是为了阻抗匹配，对于这点我理论基础学到过，但实际上没什么深刻理解。 10. 网卡控制芯片ax88796，rtl8019as，dm9000ae当然这些都是用在isa总线上的。 11. 24位AD：CS5532，LPC2413效果还可以 12. 仪表运放：ITL114，不过据说功耗有点大 13. 音频功放：一般用LM368 14. 音量控制IC. PT2257/9. 15. PCM双向解/编码ADC/DAC CW6691.

Layout(集成电路版图)注意事项及技巧总结

Layout主要工作注意事项 ●画之前的准备工作 ●与电路设计者的沟通 ●Layout 的金属线尤其是电源线、地线 ●保护环 ●衬底噪声 ●管子的匹配精度一、l ayout 之前的准备工作 1、先估算芯片面积先分别计算各个电路模块的面积，然后再加上模块之间走线以及端口引出等的面积，即得到芯片总的面积。 2、Top-Down 设计流程先根据电路规模对版图进行整体布局，整体布局包括：主要单元的大小形状以及位置安排；电源和地线的布局；输入输出引脚的放置等；统计整个芯片的引脚个数，包括测试点也要确定好，严格确定每个模块的引脚属性，位置。 3、模块的方向应该与信号的流向一致每个模块一定按照确定好的引脚位置引出之间的连线 4、保证主信号通道简单流畅，连线尽量短，少拐弯等。 5、不同模块的电源，地线分开，以防干扰，电源线的寄生电阻尽可能较小，避免各模块的电源电压不一致。 6、尽可能把电容电阻和大管子放在侧旁，利于提高电路的抗干扰能力。二、与电路设计者的沟通

搞清楚电路的结构和工作原理明确电路设计中对版图有特殊要求的地方包含内容：（1）确保金属线的宽度和引线孔的数目能够满足要求（各通路在典型情况和最坏情况的大小）尤其是电源线盒地线。（2）差分对管，有源负载，电流镜，电容阵列等要求匹配良好的子模块。（3）电路中MOS管，电阻电容对精度的要求。（4）易受干扰的电压传输线，高频信号传输线。三、layout 的金属线尤其是电源线，地线 1、根据电路在最坏情况下的电流值来确定金属线的宽度以及接触孔的排列方式和数目，以避免电迁移。电迁移效应：是指当传输电流过大时，电子碰撞金属原子，导致原子移位而使金属断线。在接触孔周围，电流比较集中，电迁移更容易产生。 2、避免天线效应长金属（面积较大的金属）在刻蚀的时候，会吸引大量的电荷，这时如果该金属与管子栅相连，可能会在栅极形成高压，影响栅养化层质量，降低电路的可靠性和寿命。解决方案：（1）插一个金属跳线来消除（在低层金属上的天线效应可以通过在顶层金属层插入短的跳线来消除）。（2）把低层金属导线连接到扩散区来避免损害。 3、芯片金属线存在寄生电阻和寄生电容效应寄生电阻会使电压产生漂移，导致额外的噪声的产生寄生电容耦合会使信号之间互相干扰关于寄生电阻：（1）镜像电流镜内部的晶体管在版图上放在一起，然后通过连线引到各个需要供电的版图。

Si4463芯片使用小结

Si4463芯片使用小结一、芯片介绍 Silicon Labs 的Si4463芯片是高性能的低电流收发器，其覆盖了119MHz 至1050 MHz 的 Sub-1GHz频段。还是 EZRadioPRO 系列的一部分，该系列包含覆盖各种应用的完整发射器、接收器和收发器产品线。所有器件都具有杰出的灵敏度-126 dBm，同时实现了极低的活动和休眠电流消耗。二、功能实现 1、引脚说明 Si4463有20个引脚，主要引脚功能可以分为两大类：硬件引脚和软件引脚。硬件引脚主要由电源、射频部分组成，软件引脚主要分为SPI、芯片使能以及GPIO。硬件引脚在原理图、PCB设计部分需要注意，此处主要是介绍芯片的程序操作，硬件部分就此带过。下表列举了si4463的21个引脚（包括芯片正下方的Exposed pad引脚）的具体引脚号和功能简述：表1 Si4463引脚简述 Si446x Pin Number Pin Name Pin Function Exposed pad, 18 GND Ground 6, 8 VDD Supply input 2,3 Rxp,Rxn used for Rx 4,7 Tx,TXRamp used for Tx 16,17 Xin,Xout crystal 11 NIRQ Interrupt output, active low 1 SDN Shutdown input, active high 15 NSEL SPI select input 12 SCLK SPI clock input

14 SDI SPI data input 13 SDO SPI data output 9 GPIO0 GPIO 10 GPIO1 GPIO 19 GPIO2 GPIO 20 GPIO3 GPIO 2、功能实现 1）SPI操作芯片的12-15脚为SPI引脚，最大支持速率达到10MHz.芯片支持标准的SPI总线协议，操作方便。整个芯片的所有SPI操作都可以分成两种方式：写命令和读数据。SPI操作最需要注意的一点是芯片状态，因为芯片不可能随时随地处在SPI就绪状态，所以每次操作SPI时必须读取芯片的当前状态（CTS），确保操作成功。图CTS读取流程写命令的流程如下：图写命令 Si4463至少有28条命令ID，每个命令都有不同的含义，有的可以直接操作芯片执行各项功能，有的可以读取芯片各种状态。上述的读取CTS也是其中一种命令。命令内容详情可参阅Siliconlabs官方文档“AN633.pdf” 读数据流程如下：

超大规模集成电路第一次作业2016秋

1.Give a formal or descriptive definition for each of the following terms. （1）、ITRS：International Technology Roadmap for Semiconductor. （2）、Gate-Equivalent：It’s used to measure the basic unit of the complexity of the digital circuit, and based on to complete a circuit function, the number of logic gates are independent of each other.A gate equivalent stands for a unit of measure which allows specifying manufacturing-technology-independent complexity of digital electronic circuit. （3）、Technology Nodes：A Technology Nodes is defined as the ground rules of a process governed by the smallest feature printed in a repetitive array. （4）、Feature size：A single graphic minimal size.The minimum scale in integrated circuit devices.roughly half the length of the smallest transistor. （5）、IC design complexity sources：It contains chip size, power dissipation, heterogeneity, variability and reliability. （6）、Behavioral representation：It represents a design as a black box and describes its outputs in terms of its inputs and times.It indicates no geometrical information or structural information and takes the forms of textual,mathematics,or algorithmic description. （7）、Abstraction hierarchy：Abstraction hierarchies are a human invention designed to assist people in engineering very complex systems by ignoring unnecessary details.A set of interrelated representation levels that allow a system to be represented in varying amounts of detail. （8）、IC design：A design is a set of transformations from one representation of a system to another until a representation that can be fabricated exists.Integrated circuit design involves the creation of electroniccomponents,such as transistors, resistors, capacitors and the metallic interconnect of these components onto a piece of semiconductor, typically silicon. （9）、Synthesis：The process of transforming one representation in the design abstraction hierarchy into another representation. （10）、Refinement：The process of transforming functional representation in the design abstraction hierarchy into geometrical representation.Refinement is a generic

【专业文档】总结芯片功能.doc

总结芯片功能线性稳压块：2951、LP2951、m5236、2950 开机芯片：东芝TM87XX、IBM:TB6805F、TB6806F、TB6808F、TB62501F、TMP48U I/O芯片：PC97338、PC87391、PC87392、pc87393、SMSC系列：FDC7N869、FDC37N958、LPC47N227、LPC47N267 系统供电芯片：MAX1632、MAX1631、MAX1904、MAX1634、MAX785、MAX786、SB3052、SC1402、LTC1628 CPU供电芯片：MAX1711、MAX1714、MAX1717、MAX1718、MAX1897 供电芯片搭配使用：ADP3203/ADP3415、ADP3410/ADP3421、ADP3410/ADP3422 充电芯片：MAX1645、MAX745、MAX1772、MAX1773、ADP3806、TC490/591、MB3887、MB3878、MAX1908 ，LT1505G CPU温度控制芯片：MAX1617、MAX1020A、AD1030A、CM8500 MAX1989 显卡品牌：ATI、NVIDIA、S3、NEOMAGIC、TRIDENT、SMI、INTEL、FW82807和CH7001A 搭配使用网卡芯片：RTL8100、RTL8139、Intel DA82562、RC82540、3COM、BCM440 网卡隔离：LF8423、LF-H80P、H-0023、H0024、H0019、ATPL-119 声卡芯片：ESS1921、ESS1980S、STAC9704、AU8810、4299-JQ、TPA0202、4297-JQ、8552TS、8542TS、CS4239-KQ、BA7786、AD1981B、AN12942 PC卡芯片：R5C551、R5C552、R5C476、R54472 PC卡供电芯片：TPS2205、TPS2206、TPS2216、TPS2211、PU2211、M2562A、M2563A、M2564A COM口芯片：MAX3243、MAX213、ADM213、HIN213、SP3243、MC145583 键盘芯片：H8C/2471、H8/3434、H8/3431、PC87570、PC87591 键盘芯片：具有开机功能：H8/3434、H8/3437、H8/2147、H8/2149、H8/2161、H8/2168、PC87570、PC87591、H8S/XXX M38857、M38867、M38869 笔记本IO芯片大全PC87591S（VPCQ01）/PC 87591L（VPC01）/PC 97317IBW/PC 87393 VGJ

郑州大学半导体集成电路复习总结

1.基本概念：集成电路：是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体有源器件、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的电路。集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目。多项目晶圆技术：多项目晶圆就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型设计阶段的实验、测试已经足够。而该次制造费用就由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，成本仅为单独进行原型制造成本的5%-10%，极大地降低了产品开发风险、培养集成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。无生产线集成电路设计：代工厂：加工厂的铸造车间，无自己产品。优良的加工技术(包括设计和制造)及优质的服务为客户提供加工服务。 2.微电子的战略地位：对人类社会的巨大作用 3.集成电路分类：按器件结构类型分类：①双极集成电路②金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路 ③双极-MOS(BiMOS)集成电路按集成度分类：①小规模集成电路②中规模集成电路③大规模集成电路 ④超大规模集成电路⑤特大规模集成电路⑥巨大规模集成电路按使用的基片材料分类：①单片集成电路②混合集成电路按电路的功能结构分类：①数字集成电路②模拟集成电路③数模混合集成电路按应用领域分类：①标准通用集成电路②专用集成电路 4.集成电路按规模划分经历了哪几代？遵循什么定律？小规模集成（SSI）→中规模集成（MSI）→大规模集成（LSI）→超大规模集成电路(VLSI) →特大规模集成电路(ULSI) → GSI(巨大规模集成) →SoC(系统芯片)。摩尔定律：集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小根号2倍。 5.IC（集成电路）、VLSI(超大规模集成电路）、ULSI(特大规模集成电路） 6.高K介质：问题：90 nm工艺之前，晶体管之间的电流泄露问题并不是很严重，因为晶体管之间有较长的间距。但随着特征尺寸减小，不同晶体管间距变得很短，电流泄露现象变得异常严重，为了抵消泄露电流，芯片不得不要求更大的供电量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。无论英特尔还是AMD（超微半导体），90纳米工艺制造的产品都没有在功耗方面表现出应有的优势，而按照惯例，每次新工艺都会让同型芯片的功耗降低30%左右。解决：采用高K值的氧化物材料来制造晶体管的栅极，英特尔称之为“高K门电介

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

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---○---○ --- 学院专业班级学号姓名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封中南大学考试试卷时间110分钟题号一二三合计得分评卷人 2013 ~2014 学年一学期大规模集成电路设计课程试题 32 学时，开卷，总分100分，占总评成绩70 % 一、填空题(本题40分，每个空格1分) 1. 所谓集成电路，是指采用，把一个电路中所需的二极管、、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的或介质基片上一同制作出来，形成完整电路，然后在一个管壳内，成为具有特定电路功能的微型结构。 2. 请写出以下与集成电路相关的专业术语缩写的英文全称： ASIC ： ASSP ： LSI ： 3. 同时减小、与，可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积，提高电路集成度。因此，缩短MOSFET 尺寸是VLSI 发展的趋势。 4. 大规模集成电路的设计流程包括：需求分析、设计、体系结构设计、功能设计、设计、可测性设计、设计等。 5. 需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容，包括及必须满足的。系统规格定义系统边界及系统与环境相互作用的信息，在这个规格中，系统以的方式体现出来。 6. 根据硬件化的目的（高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知识产权保护等）、系统规模/性能、、、等确定实现方法。 7. 体系结构设计的三要素为：、、。 8. 高位综合是指从描述自动生成描述的过程。与人工设计相比，高位综合不仅可以尽可能地缩短，而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。 9. 逻辑综合就是将变换为，根据或进行最优化，并进行特定工艺单元库的过程。 10. 逻辑综合在推断RTL 部品时，将值的变化通过时钟触发的信号推断为，得分评卷人

数字集成电路总结

数字集成电路基础学习总结

第一章数字电子技术概念 1.1 数字电子技术和模拟电子技术的区别模拟信号：在时间上和数值上均作连续变化的电路信号。数字信号：表示数字量的信号，一般来说数字信号是在两个稳定状态之间作阶跃式变化的信号，它有电位型和脉冲型两种表达形式：用高低不同的电位信号表示数字“1”和“0”是电位型表示法；拥有无脉冲表示数字“1”和“0”是脉冲型表示法。数字电路包括：脉冲电路、数字逻辑电路。数字电路的特点：1）小、轻、功耗低2）抗干扰力强3）精度高按电路组成的结构可分立元件电路集成电路数数字电路分类小规模按集成度的大小来分中规模大规模超大规模双极型电路按构成电路的半导体器件来分单极型电路组合逻辑电路按电路有记忆功能来分 1.2 1.3 三极管：是一种三极（发射极E、基极B(发射结、集电结)半导体器件，他有NPN和PNP两种，可工作在截止、放大、饱和三种工作状态。电流公式：I(E)=I(B)+I(C) 放大状态：I(C)=βI(B) 饱和状态：I(C)< βI(B) 1.4 数制，两要素基数权二进制，十进制，十六进制之间的转换：二进制转换成十进制：二进制可按权相加法转化成十进制。十进制转换成二进制：任何十进制数正数的整数部分均可用除2取余法转换成二进制数。二进制转化成八进制：三位一组分组转换。二进制转换成十六进制：四位一组分组转换。八进制转换成十六进制：以二进制为桥梁进行转换。 1.5 码制十进制数的代码表示法常用以下几种：8421BCD码、5421BCD码、余3BCD码。 8421BCD码+0011=5421BCD码第二章逻辑代数基础及基本逻辑门电路

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版

1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？集成电路的发展过程: ?小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) ?中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) ?大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) ?超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) ?特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) ?巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI）划分集成电路规模的标准 2．超大规模集成电路有哪些优点？ 1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少. 2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降. 4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化. 5.优越的可靠性采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。 6.体积小重量轻 7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度. 3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。 1、形成N阱 2、形成P阱 3、推阱 4、形成场隔离区 5、形成多晶硅栅 6、形成硅化物 7、形成N管源漏区 8、形成P管源漏区 9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺 4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？互连线的要求低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化）与器件之间的接触电阻低长期可靠工作可能的互连线材料金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）

HUB芯片总结

英文bonding，意译为“芯片打线”邦定是芯片生产工艺中一种打线的方式，一般用于封装前将芯片内部电路用金线与封装管脚连接，一般bonding后（即电路与管脚连接后）用黑色胶体将芯片封装，同时采用先进的外封装技术COB(Chip On Board),这种工艺的流程是将已经测试好的晶圆植入到特制的电路板上，然后用金线将晶圆电路连接到电路板上，再将融化后具有特殊保护功能的有机材料覆盖到晶圆上来完成芯片的后期封装。此种工艺使用在廉价的产品生产中。在后期的诸多外来因素影响下都会导致此产品诸多品质问题。观点一：其实邦定这种工艺抗震动和抗潮湿能力极差,寿命短比较短。究其原因：邦定厂不可能有集成电路封装厂那么好的温湿度、空气净化、防静电条件，邦定的电路板也不可能有集成电路基板的稳定，检测条件也有限。而且芯片一般是来自台湾的一些二流晶圆厂观点二：邦定封装方式的好处是制成品在防腐、抗震及稳定性方面，相对于传统SMT贴片方式要高很多。目前大量应用的 SMT贴片技术是将芯片的管脚焊接在电路板上，这种生产工艺不太适合移动存储类产品的加工，在封装的测试中存在虚焊、假焊、漏焊等问题，在日常使用过程中由于线路板上的焊点长期暴露在空气中受到潮湿、静电、物理磨损、微酸腐蚀等自然和人为因素影响，导致产品容易出现短路、断路、甚至烧毁等情况。而邦定芯片是将芯片内部电路通过金线与电路板封装管脚连接，再用具有特殊保护功能的有机材料精密覆盖，完成后期封装，芯片完全受到有机材料的保护，与外界隔离，不存在潮湿、静电、腐蚀情况的发生；同时，有机材料通过高温融化，覆盖到芯片上之后经过仪器烘干，与芯片之间无缝连接，完全杜绝芯片的物理磨损，稳定性更高。邦定1 板的类型：纤维板——坚实耐用纸板———比较便宜的板子，很脆，易折断 HUB主要芯片方案：主要品牌慧荣、擎泰、联盛安国、创惟创惟GL850G简介：拥有低耗电、温度低及接脚数减少等产品特性。它支援4个下游连接埠，采用48pin LQFP封装，可完全支援USB 2.0／1.1规格，因此无论是与主机端或是与其他USB设备介面的传输连接（高速／全速／低速设备传输）皆能完全相容。GL850G同时拥有过载保护功能，提供良好的EMI／ESD处理，亦提供self-power及bus-power 自动侦测模式，使用者将无需作重新插拔的动作。

全面易懂的芯片制造个人经验总结

第 4 章芯片制造概述本章介绍芯片生产工艺的概况。（1）通过在器件表面生成电路元件的工艺顺序，来阐述4种最基本的平面制造工艺。（2）解释从电路功能设计图到光刻掩膜版生产的电路设计过程。（3）阐述了晶圆和器件的相关特性与术语。 4.1 晶圆生产的目标芯片的制造，分为4个阶段：原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。前两个阶段已经在前面第3章涉及。本章讲述的是第3个阶段，集成电路晶圆生产的基础知识。集成电路晶圆生产(wafer fabrication)是在晶圆表面上和表面制造出半导体器件的一系列生产过程。整个制造过程从硅单晶抛光片开始，到晶圆上包含了数以百计的集成电路芯片。晶圆生产的阶段 4.2 晶圆术语下图列举了一片成品晶圆。

晶圆术语晶圆表面各部分的名称如下：（1）器件或叫芯片（Chip，die，device，circuit，microchip，bar）：这是指在晶圆表面占大部分面积的微芯片掩膜。（2）街区或锯切线（Scribe lines，saw lines，streets，avenues)：在晶圆上用来分隔不同芯片之间的街区。街区通常是空白的，但有些公司在街区放置对准靶，或测试的结构。（3）工程试验芯片（Engineering die，test die）：这些芯片与正式器件（或称电路芯片）不同。它包括特殊的器件和电路模块用于对晶圆生产工艺的电性测试。（4）边缘芯片（Edge die）：在晶圆的边缘上的一些掩膜残缺不全的芯片。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费会由采用更大直径晶圆所弥补。推动半导体工业向更大直径晶圆发展的动力之一就是为了减少边缘芯片所占的面积。（5）晶圆的晶面（Wafer Crystal Plane）：图中的剖面标明了器件下面的晶格构造。此图中显示的器件边缘与晶格构造的方

集成电路版图技巧总结

集成电路版图技巧总结 1、对敏感线的处理对敏感线来说，至少要做到的是在它的走线过程中尽量没有其他走线和它交叉。因为走线上的信号必然会带来噪声，交错纠缠的走线会影响敏感线的信号。对于要求比较高的敏感线，则需要做屏蔽。具体的方法是，在它的上下左右都连金属线，这些线接地。比如我用M3做敏感线，则上下用M2和M4重叠一层，左右用M3走，这些线均接地。等于把它像电缆一样包起来。 2、匹配问题的解决电路中如果需要匹配，则要考虑对称性问题。比如1：8的匹配，则可以做成33的矩阵，“1”的放在正中间，“8”的放在四周。这样就是中心对称。如果是2：5的匹配，则可以安排成AABABAA的矩阵。需要匹配和对称的电路器件，摆放方向必须一致。周围环境尽量一致。 3、噪声问题的处理噪声问题处理的最常用方法是在器件周围加保护环。N mos管子做在衬底上因此周围的guardring是Pdiff，在版图上是一层PPLUS,上面加一层DIFF，用CONTACT连M1。Pdiff接低电位。Pmos管子做在NWELL里面因此周围的GUARDING是Ndiff，在版图上先一层NPLUS，上面加一层DIFF，用CONTACT连M1。Ndiff接高电位。在一个模块周围为了和其他模块隔离加的保护环，用一圈NWELL，里面加NDIFF，接高电位。

电阻看类型而定，做在P衬底上的周围接PDIFF型guarding接地；做在NWELL里面的则周围接NDIFF型guarding接高电位。各种器件，包括管子，电容，电感，电阻都要接体电位。如果不是RF型的MOS管，则一般尽量一排N管一排P管排列，每排或者一堆靠近的同类型管子做一圈GUARDING，在P管和N管之间有走线不方便打孔的可以空出来不打。 4、版图对称性当电路需要对称的时候，需要从走线复杂度，面积等方面综合考虑。常见的对称实现方式：一般的，画好一半，折到另一半去，复制实现两边的对称。如果对称性要求高的，可以用质心对称的方式，把管子拆分成两个，四个甚至更多。如把一个管子拆成两个可以AB BA的方式如果有四个管子，可以各拆成三个，用ABCDABCDABCD的方式五、布局布线布局布线是一个全局问题。在画较大的电路时候是很重要的。首先确定各模块的位置，在确定位置的时候需要考虑的问题主要有：各输入输出之间的连线最短，最方便；各模块接出去连PAD的各端口方便；高频线距离尽量短；输入输出之间相隔比较远等。这些问题需要在着手画各模块之前先有个安排。在画好各模块后摆放时会做调整，但大局不变。连线一般的规则是单数层金属和双数层金属垂直，比如一三五层连水平；二四六层连垂直。但这样的主要目的是各层能方便走线，排得密集。所以也不是死规则，在布线较稀疏的情况下可以做适量变通。在布线时最重要的问题