半导体分立器件测试仪

SIMI2939半导体分立器件测试仪

一、产品特点：

测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。被测器件可通过图形显示，系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。

二、测试参数

1．二极管

VF、IR、BVR

2．稳压（齐纳）二极管

VF、IR、BV Z

3．晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）

VBE、ICBO、LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON

4．可控硅整流器（晶闸管）

IGT、VGT、IH、IL 、VTM

5．场效应管

IGESF、IGSSF、IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、BVDGO、BVGSS

6．光电耦合器

VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT 7．三端稳压器

VO、SV、ID、IDV

三、测试参数范围

二极管

半导体技术-中国半导体分立器件分会

“半导体技术”2011年第11期摘要” 材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析制造工艺技术 P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究集成电路设计与应用 P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器 P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现 P853- 一种高功率馈线合成器的设计 P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现 P862- 2~18GHz宽带ALC放大器 P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器 P871- 双极型LDO线性稳压器的设计封装、检测与设备 P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究 P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究 P885- 多线切割张力控制系统研究 P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估

材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093; 2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009) 摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇 (厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005) 摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构

半导体分立器件

半导体分立器件半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。 1）国产半导体器件型号命名法国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。表1-13 中国半导体器件型号命名法

示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。 2)半导体二极管二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。（1）常用二极管的类型有： ①整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。 ②检波二极管其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。 ③稳压二极管稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。 ④光电二极管光电管又称光敏管。和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。光电管在无光照射时的反向电流叫做暗电流，有光照射时的电流叫做光电流（或亮电流）。其典型产品有2CU、2DU系列。 ⑤发光二极管发光二极管简写做LED。它通常用砷化镓或磷化镓等材料制成，当有电流通过它时便会发出一定颜色的光。按发光的颜色不同发光二极管可分为红色、黄色、绿色、蓝色、变色和红外发光二极管等。一般情况下，通过LED的电流在10～30mA之间，正向压降约为1.5～3V。LED可用直流、交流、脉冲等电源驱动，但必须串接限流电阻R。LED能把电能转换成光能，广泛应用在音响设备、数控装置、微机系统的显示器上。 ⑥变容二极管变容二极管是利用PN结加反向电压时，PN结此时相当于一个结电容。反偏电压越大，PN结的绝缘层加宽，其结电容越小。如2CB14型变容二极管，当反向电压在3～25V区间变化时，其结电容在20～30pF之间变化。它主要用在高频

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况半导体分立器件行业的下游需求情况随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破，半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来，受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势，从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域，且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点，特别是该等应用领域将给MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。（1）消费电子 MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件，消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高，而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移，直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出，

使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计，2013 年中国消费电子市场整体规模达到16,325 亿元，成为全球最大的消费电子市场，根据2017年3C行业报告，2017年中国消费电子市场将突破2万亿，预计增长7.1%。目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一，同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据IDC 的预测，智能电视是互联网快速发展的产物，2016 年国内智能电视销量达4,098 万台，预计到2018 年智能电视销量将突破5,000 万台。近年来我国无人机市场规模快速增长，根据IDC 的预测，我国航拍无人机的市场规模将由2016 年的39 万台增加到2019年的300 万台，年均复合增长率高达97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长，有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。（2）汽车电子

半导体分立器件测试系统说明书

QTEC-4000 半导体分立器件测试系统

目　录　１　EDITOR使用２　Logger使用说明３　Opener使用

1.EDITOR使用　点击ＰＥｄｉｔｏｒ图标打开Ｅｄｉｔｏｒ主界面　　 1．1菜单说明:

１．１．１文件菜单　菜单项　说明　键盘快捷键　新建　新建测试文件　Ｃｔｒｌ　＋　Ｎ　打开　打开已有的测度文件　Ｃｔｒｌ　＋　Ｏ　保存　保存编辑完成的文件　Ｃｔｒｌ　＋　Ｓ　另保存　将编辑的文件以其他的名称保存打开暂存文件　打开暂时保存的文件保存暂存文件　保存暂时的文件编辑文件头信息　编辑测试文件信息密码　文件保护密码的设定设置双机并行时同一个器件进行分时测试，以提　设置并行测试点　高测试速度　打印　打印测试文件打印预览　预览打印文件打印机设置　打印机的设定退出　退出正在运行的Ｅｄｉｔｏｒ注：保存已下载到测试主机中的文件时，测试主机会自动下载保存后的程序。故在保存此类文件之前需确认测试程序不在使用的状态。

１．１．２测试项目菜单　　　１．１．３分类项菜单　菜单内容　操作指令含义　键盘快捷键　鼠标的快捷操作　新增　增加分类项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｗ修改　修改分类项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｘ　鼠标左键双击修改处　插入　插入分类项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｙ删除　删除分类项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｚ　　菜单内容　操作指令含义　键盘快捷键　鼠标的快捷操作　新增　增加测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｒ修改　修改测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｓ　鼠标左键双击修改处　插入　插入测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｉ删除　删除测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｕ复制块　批量拷贝测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｖ删除块　批量删除测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｗ反转极性　批量测试项目极性反转　Ｃｔｒｌ　＋　Ｘ替换　替换已有的测试项目　Ｃｔｒｌ　＋　Ｙ　　设置跳转　测试项目整体跳转设定功能设置　各功能的整体设定

我国半导体分立器件行业研究

我国半导体分立器件行业研究 1、行业现状及发展前景（1）半导体分立器件简介分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，如二极管、晶体管、电阻、电容、电感等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。根据功能用途，可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器件（Power Semiconductor Device），又称电力电子器件（Power Electronic Device）。典型功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的功率半导体器件包括二极管（普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等）、晶体管（双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等）、晶闸管（普通晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等）。作为分立器件最重要和最广泛的应用领域，功率半导体器件在大功率、大电

流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势，因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业，如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域，应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游，其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体（硅基）产业链中的位置如下图所示（虚线方框部分）：从具体制造流程上来看，可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。芯片设计是指通过系统设计和电路设计，将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后，设计出不同规格和效能的芯片。

半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒

半导体分立器件行业发展研究 -半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒半导体分立器件行业竞争格局经过多年的发展，国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升，但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道，国内销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景，国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚，近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下，行业内部分企业以国外先进技术发展为导向，逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内，新洁能等部分企业掌握了MOSFET、IGBT 等产品的核心技术，通过产品的高性价比不断提高市场占有率，在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。

行业利润水平 1、行业利润水平的变动趋势近年来，我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势，在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言，在传统应用领域，低端产品行业进入门槛较低，市场竞争较为充分，导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场，由于产品技术含量高，产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒，市场竞争程度相对较低，行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势，能够在该领域获得较高的利润率水平。 2、行业利润水平的变动原因半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件，应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况，从而传导至对半导体分立器件的需求的变化，进而影响半导体分立器件行业的利润水平。

半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准

半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准 1.职业概况 1． 1职业名称：半导体分立器件、集成电路装调工。 1． 2 职业定义：使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路的人员。 1． 3职业等级：本职业共设四个等级，分别为：初级（国家职业资格五级）、中级（国家职格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1． 4职业环境：室内、常温（部分高温），净化。 1．5 职业能力特征：有一定的分析、判断和推理能力，手指灵活、手臂灵活、动作协调。知觉好。 1． 6基本文化程度：高中毕业（或同等学历）。 1． 7 培训要求： 1．7．1培训期限：全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级培训：初级不少于 400标准学时；中级不少于 300标准学时；高级不少于 150标准学时；技师于 150标准学时。 1． 7． 2培训教师：培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或 3年相关专业 8级专业技术职务任职资格；培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书以上或专业高级专业技术职务任职资格。 1．7．3培训场地设备：理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室，并配备设备。实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。 1． 8鉴定要求： 1． 8． 1适用对象：从事或准备从事本职业的人员。 1． 8． 2申报条件： ——初级（具备下列条件之一者）（1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。（2）在本职业连续见习工作 2年以上。（3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者）（ 1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作 3年以上，经本职业中级正训达规定标准学时数，并取得结业证书。（ 2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。

2020年半导体分立器件制造行业分析报告

2020年半导体分立器件制造行业分析报告 2020年7月

目录一、行业上下游之间的关联性 (3) 1、芯片设计 (3) 2、晶圆制造 (3) 3、封装测试 (4) 二、影响行业发展的因素 (4) 1、有利因素 (5) （1）国家政策的有力支持 (5) （2）半导体产业重心转移带来的国产替代机遇 (5) （3）功率半导体产业技术发展 (6) （4）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 (6) 2、不利因素 (7) （1）半导体产业基础薄弱 (7) （2）国产功率半导体器件产品附加值较低 (7) （3）高端技术人才短缺 (7) 三、进入行业的壁垒 (8) 1、市场壁垒 (8) 2、技术壁垒 (8) 3、专业人才壁垒 (9) 四、行业经营特征 (9) 五、行业竞争情况 (10) 1、扬杰科技 (11) 2、捷捷微电 (11) 3、派瑞股份 (11) 4、中车时代电气 (12)

一、行业上下游之间的关联性半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。作为资金与技术高度密集行业，半导体行业形成了专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。 1、芯片设计芯片设计的本质是将具体的产品功能、性能等产品要求转化为物理层面的电路设计版图，并且通过制造环节最终实现产品化。设计环节包括结构设计、逻辑设计、电路设计以及物理设计，设计过程环环相扣，技术和工艺复杂。芯片设计公司的核心竞争力取决于技术能力、需求响应和定制化能力带来的产品创新能力。 2、晶圆制造晶圆制造是半导体产业链的核心环节之一。晶圆制造是根据设计出的电路版图，通过炉管、湿刻、淀积、光刻、干刻、注入、退火等不同工艺流程在半导体晶圆基板上形成元器件和互联线，最终输出能够完成功能及性能实现的晶圆片。晶圆制造产业属于典型的资本和技

2020年半导体分立器件行业分析

2020年半导体分立器件行业分析一、行业管理 (2) 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2) 1、行业技术水平和技术特点 (2) 2、行业特征 (3) （1）周期性 (3) （2）区域性 (3) （3）季节性 (4) 三、行业上下游的关系 (4) 1、上游行业情况 (4) 2、下游行业情况 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业主要企业情况 (6) （1）安世集团（Nexperia） (7) （2）英飞凌（Infineon） (7) （3）意法半导体（ST Microelectronics） (7) （4）华润微电子有限公司 (8) （5）杭州士兰微电子股份有限公司 (8) （6）苏州固锝电子股份有限公司 (8) （7）江苏捷捷微电子股份有限公司 (9) （8）吉林华微电子股份有限公司 (9) （9）强茂电子（无锡）有限公司 (9) （10）无锡新洁能股份有限公司 (9)

一、行业管理国内半导体行业已实现市场化的发展模式，基本形成了各企业面向市场自主经营，政府职能部门产业宏观调控，行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担，主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等；中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能，负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。二、行业技术水平和技术特点及行业特征 1、行业技术水平和技术特点半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域，不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及

2019年半导体分立器件行业发展研究

2019年半导体分立器件行业发展研究（一）半导体行业基本情况 1、半导体概况（1）半导体的概念半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。（2）半导体行业分类按照制造技术的不同，半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对

信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示：

在分立器件发展过程中，20 世纪50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET 发展起来；20 世纪80 年代后期，沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时

半导体器件封装概述

1 半导体器件封装概述电子产品是由半导体器件(集成电路和分立器件)、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成，其中集成电路是用来处理和控制信号，分立器件通常是信号放大，印刷线路板和导线是用来连接信号，整机框架外壳是起支撑和保护作用，显示部分是作为与人沟通的接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分，在电子工业有“工业之米"的美称。我国在上世纪60年代自行研制和生产了第一台计算机，其占用面积大约为100 m2以上，现在的便携式计算机只有书包大小，而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证，其功劳主要归结于：(1)半导体芯片集成度的大幅度提高和晶圆制造(Wafer fabrication)中光刻精度的提高，使得芯片的功能日益强大而尺寸反而更小；(2)半导体封装技术的提高从而大大地提高了印刷线路板上集成电路的密集度，使得电子产品的体积大幅度地降低。半导体组装技术(Assembly technology)的提高主要体现在它的封装型式(Package)不断发展。通常所指的组装(Assembly)可定义为：利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(Chip)和框架(Leadframe)或基板(Sulbstrate)或塑料薄片(Film)或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。它具有电路连接，物理支撑和保护，外场屏蔽，应力缓冲，散热，尺寸过度和标准化的作用。从三极管时代的插入式封装以及20世纪80年代的表面贴装式封装，发展到现在的模块封装，系统封装等等，前人已经研究出很多封装形式，每一种新封装形式都有可能要用到新材料，新工艺或新设备。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。电子市场的最终客户可分为3类：家庭用户、工业用户和国家用户。家庭用户最大的特点是价格便宜而性能要求不高；国家用户要求高性能而价格通常是普通用户的几十倍甚至几千倍，主要用在军事和航天等方面；工业用户通常是价格和性能都介于以上两者之间。低价格要求在原有的基础上降低成本，这样材料用得越少越好，一次性产出越大越好。高性能要求产品寿命长，能耐高低温及高湿度等恶劣环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本和提高性能，当然也有其它的因素如环保要求和专利问题迫使他们改变封装型式。 2 封装的作用封装(Package)对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁和规格通用功能的作用。封装的主要作用有： (1)物理保护。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，保护芯片表面以及连接引线等，使相当柔嫩的芯片在电气或热物理等方面免受外力损害及外部环境的影响；同时通过封装使芯片的热膨胀系数与框架或基板的热膨胀系数相匹配，这样就能缓解由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力，从而可防止芯片损坏失效。基于散热的要求，封装越薄越好，当芯片功耗大于2W时，在封装上需要增加散热片或热沉片，以增强其散热冷却功能；5～1OW 时必须采取强制冷却手段。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。 (2)电气连接。封装的尺寸调整(间距变换)功能可由芯片的极细引线间距，调整到实装基板的尺寸间距，从而便于实装操作。例如从以亚微米(目前已达到0．1 3μm以下)为特征尺寸的芯片，到以10μm为单位的芯片焊点，再到以100μm为单位的外部引脚，最后剑以毫米为单位的印刷电路板，都是通过封装米实

半导体分立器件的命名方法

半导体分立器件的命名方法（1）我国半导体分立器件的命名法例： 1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管： 3A D50C3D G201 B 规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率 PNP型、锗材料PNP型、锗材料三极管三极管 3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管： 2C W51B T3 3 E 序号规格号稳压管耗散功率 N型、硅材料三个电极二极管特种管半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法

示例（命名）： A F239S AF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点： 1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。 2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。 3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。 4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。 5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。 6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。 (3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法

半导体分立器件行业发展研究-行业的特征及上下游行业

半导体分立器件行业发展研究-行业的特征及上下游行业行业的经营模式及其他特征 1、行业特有的经营模式半导体分立器件行业产业链包括芯片设计、芯片制造、封装测试、对外销售等环节。根据是否拥有产业链各个环节，行业内企业的经营模式可以分为垂直一体化模式和垂直分工模式。（1）垂直一体化模式垂直一体化的模式即IDM 模式，是指半导体企业除进行半导体设计外，业务范围还包括芯片制造、封装和测试等所有环节。因此，采用IDM 模式的半导体企业，不仅自身拥有强大的研发设计团队，还需自建芯片制造、封装和测试生产线，在完成半导体的设计、芯片制造、封装测试等环节后销售给下游客户。因为自建芯片制造和封装测试生产线需要巨额的资金投入，如投资建设一条8 英寸芯片制造产线的资金约30 亿元人民币。因此采用IDM 模式的企业往往除了拥有强大的研发技术实力外，还必须拥有雄厚的资本实力。IDM 模式下企业的经营

业务流程如下所示：采用IDM 模式的企业拥有强大的研发能力，掌握了先进技术，能够充分整合内部资源，获取产业链较高的附加值，但IDM 模式下需要高额资本投入和产业链各环节专业人才。行业内采用IDM 模式的企业包括英飞凌（Infineon）、意法半导体（ST Microelectronics）、安森美（ON Semiconductor）、瑞萨电子（Renesas Electronics）等。（2）垂直分工模式垂直分工模式来源于半导体产业的专业化分工。随着半导体产业的专业化发展和受垂直一体化模式下的高资本投入影响，半导体行业内企业按照产业链环节

进行专业化分工，从事具体某一环节的业务。按照从事的产业链环节不同，垂直分工模式可主要分为Fabless 模式和Foundry 模式。 ①Fabless 模式 Fabless 模式属于垂直分工模式的一种，即无芯片制造和封装测试生产线，仅从事半导体的设计和销售，而将芯片制造、封装测试等环节委托给芯片代工企业、封装测试企业代工完成。采用Fabless 模式的企业专注于半导体的设计和销售环节，往往具有较强的设计能力并能快速捕捉市场热点并迅速推出产品，该模式下企业具有“轻资产、专业强”的特点。半导体行业内采用Fabless 模式的企业包括高通（Qualcomm）、苹果公司（Apple）、联发科、华为海思、展讯通信等。采用Fabless 模式的企业在发展到一定规模后，拥有了较为强大的技术研发实力和庞大的市场客户群体。而且，因客户不同的产品设计需求，该模式下的企业对不同产品封装测试特点有所掌握，在运营过程中能够积累封装测试相关技术和工艺，从而往往继续向产业链的上游延伸，以满足研发需求、保障产品质量、

2019年IST8900半导体分立器件全系列全功率全参数测试系统

IST8900 半导体分立器件全系列、全功率、全参数测试系统一，概述：本机在启动测试后会从被测件的功能及极性开始检测，若器件损坏或接脚错误则立即停止测试并显示错误信息，若通过功能检测，器件的种类及极性即可显示，同时微控制器会将使用者输入的各测试条件由D/A送至各相对应的电流源或电压源，同时控制各继电器的连接，使此参数的测试电路自动形成，每一个参数依器件的极性都须要一个不同的电路来测量这极为繁杂的变化完全由微控制器自动完成，所要量测的电流或电压可在极短的时间（80微秒）由A/D 一次或数次测试取得，8900是一个由使用者依其电路要求条件或依器件出厂指标来实际模拟测试并精确的取得其重要的参数来判别其优差并测知能否承担电路上的各种工作条件而不致损坏。此机可由输入的单一工作条件来量侧一个工作点上的参数，亦可由输入的工作范围在3秒内量测256个工作点的数据并将其变化以曲线表示，使用者可大致看出因其工作条件改变所产生的变化。二，导通参数的测量对MOSFET及IGBT在大电流高功率使用时的重要性大功率器件由于其通过的电流很大，在一些导通参数上若有少许的异常，轻者会降低产品的功效及性能，重者器件会发热，缩短寿命而损毁，例如：MOSFET的导通电阻Rd(on)在导通电流Ids为500安培，栅极触发电压Vgs为10V olt的工作条件下，正常良品参数值为42毫欧姆，若有一个不良品量出值为235毫欧姆如将其用在相同功耗的电路上必定会出问题。又如IGBT的C-E极的饱和压降Vce(sat)的电流Ic为1000安培，栅极电压为伏特时，良品的正常值一般在若有一差品量出为时，该器件在低功耗时没问题，但在全功率运作时间一久必遭烧毁，这些极为重要又非常细微的参数必须用高速精密的仪器来扑捉那非常关键的工作点，这并非能以一般的图示仪以工作区

2020年半导体分立器件企业发展战略规划

2020年半导体分立器件企业发展战略规划 2020年9月

目录一、未来发展战略 (3) 1、提升产品规模及市场竞争优势 (3) 2、增加研发投入、储备优秀人才 (3) 3、积极渗透其他领域的市场份额 (4) 4、推广品牌价值、提升产业合作 (4) 二、战略实施措施 (5) 1、研发技术 (5) 2、市场营销 (6) 3、运营管理 (6) 4、组织能力建设 (7) 5、产品质量管控 (8)

一、未来发展战略 1、提升产品规模及市场竞争优势未来三年，公司将稳步提升现有产品生产能力，增强国内外市场开拓能力和市场快速响应能力，进一步提升公司品牌影响力及主营产品的市场占有率。公司将不断加大研发投入、加强技术创新、完善管理制度及运行机制、加强与国内外科研机构合作，坚定不移在功率半导体领域深耕。在现有产品线的基础上，公司未来将进一步拓展智能终端及消费电子领域，顺应5G通信、物联网、云计算的发展趋势，提升公司小微、低功耗半导体分立器件产品封装测试的市场规模，同时沿着建设中高端二极管、MOSFET、IGBT等产品路线，并进行碳化硅基同类晶圆和封装产线建设，步步为营、有序推进。在4寸晶圆产品板块，公司不断强化产品竞争力并与后进者拉开距离，持续保持GPP工艺芯片优势；在6寸晶圆产品板块，公司通过聚集一流人才，持续提升研发设计投入，未来逐步实现Trench工艺芯片、中高压MOSFET芯片、IGBT芯片的量产。 2、增加研发投入、储备优秀人才公司将逐步提升研发项目投入，伴随未来大尺寸晶圆、碳化硅晶圆、高端器件产线的建设，吸引海内外一流半导体技术、研发人才，快速提升研发板块对公司的贡献占比，在稳固和加强公司生产、销售

半导体分立器件企业名单-China

半导体分立器件4：安森美半导体公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 鞍山市华辰电力器件有限公司北京半导体器件五厂北京市半导体器件六厂北京燕东微电子有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 成都亚光电子股份有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 丹东欣港电子有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 佛山市蓝箭电子有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 阜新嘉隆电子有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 桂林斯壮微电子有限责任公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 桂林无线电一厂成都燎原星光电子有限责任公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 合肥合晶电子有限责任公司河南新乡华丹电子有限责任公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 湖南衡阳晶体管有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 吉林华微电子股份有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 济南晶恒有限责任公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html,/ 江苏东光微电子股份有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 锦州七七七微电子有限责任公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 乐山无线电股份有限公司 https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 朝阳无线电元件有限责任公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html,.cm 辽宁大连半导体厂南通皋鑫电子股份有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 南通华达微电子集团有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 宁波东盛集成电路元件有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 宁波明昕微电子股份有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 齐齐哈尔齐力达电子有限公司https://www.360docs.net/doc/d711284512.html,

第1章半导体

第一章半导体概要 1．1 半导体材料的特性迄今为止，固体器件有着巨大的市场，而这些器件可以使用各种材料来制作，半导体就是其中之一。因此，我们首先学习各讨论半导体材料的一些基本性质。 1.1.1 材料的原子构成表1 .1列出了一些文献中所能遇到的常用半导体材料的原子构成。在半导体材料家族中有单原子组成的元素半导体硅（Si ）和锗(Ge)，化合物半导体如砷化镓和硒化镓，以及合金如铝镓砷。由于目前硅有着先进的制作工艺和巨大的商业市场，无疑它是最重要的半导体材料。绝大多数的分立器件和集成电路（IC ），包括微型计算机的中央处理单元（CPU ）和现代汽车中的点火模块，都是利用半导体硅材料做成的。化合物半导体GaAs 具有优越的电子输运性质和特殊的光学性质，被广泛应用于激光二极管和高速集成电路等重要领域。而其余的半导体，人们或是利用它的特殊材料中处于主导地位的硅。另外，对砷化镓和其他的半导体也会进行适当的讨论和定性说明。半导体材料的种类非常之多，在表1.1中尽可能地列出了元素以及由元素所组成的化合物半导体与合金半导体。表1.2是从元素周期表中摘录出的一些元素，之所以摘录这些风容，原因在于这些元素结合后可以构成典型的半导体材料。除了IV-VI 族化合物外，表1.1列出了元素周期表中的IV 族元素和由IV 族元素所组成的化合物半导体。Ⅲ族元素镓（Ga ）与V 族元素砷（As ）结合可得到 Ⅲ-V 族化合物半导体GaAs ；Ⅱ族元素锌（Zn ）与VI 族元素硒(Se)结合可得到Ⅱ-VI 族化合物ZnSe ；Ⅲ族元素铝（Al ）和少量Ga 的组合再与VI 族元素As 可形成As Ga Al x x 1合金半导体。这种一般性质与半导体中所涉及的化学键有关，其中每个原子平均有四个价电子。表1.1 半导体材料 Ge 锗 (2)化合物 (a)IV-IV SiC 碳化铝 (b)Ⅲ-V AlP 磷化铝 AlAs 砷化铝 AlSb 锑化铝 GaN 氮化镓 GaP 磷化镓 GaAs 砷化镓 GaSb 锑化镓 InP 磷化砷 InAs 砷化铟 InSb 锑化铟 (c)Ⅱ-VI ZnO 氧化锌 ZnS 硫化锌 ZnSe 硒化锌 ZnTe 碲化锌 CdS 硫化镉 CdSe 硒化镉 CdTe 碲化镉 HgS 硫化汞

半导体分立器件行业发展研究-半导体行业基本情况

半导体分立器件行业发展研究-半导体行业基本情况（一）半导体行业基本情况 1、半导体概况（1）半导体的概念半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。（2）半导体行业分类按照制造技术的不同，半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实

现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示：

在分立器件发展过程中，20 世纪50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速

功率半导体分立器件产业现状及发展前景研究

功率半导体分立器件产业现状及发展前景研究（一）中商报告网 https://www.360docs.net/doc/d711284512.html, 集成电路的发明，是20世纪人类科技史最伟大的发明之一。以集成电路为代表的半导体产业作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业，在推动经济发展、社会进步，提高人民生活水平以及保障国家安全等方面正发挥着日益重要的作用，已成为当前国际科技和产业竞争的焦点，也是衡量一个国家和地区现代化程度和综合国力的重要标志。由于集成电路及其它半导体器件所具有的特殊战略地位，已被国家国民经济和社会发展“十一五”规划、国家科技中长期发展规划纲要、国家信息产业发展“十一五”规划列为重点支持的科技和产业予以加快发展。特别是党的十七大明确提出工业化、信息化、城镇化、市场化、国际化和加快信息化和工业化的融合战略，更为信息产业特别是半导体器件产业的发展带来了更大的机遇。半导体分立器件作为半导体器件基本产品门类之一，是介于电子整机行业和原材料行业之间的中间产品，是电子信息产业的基础和核心领域之一。近年来，随着全球范围内电子信息产业的快速发展壮大，半导体分立器件特别是功率半导体分立器件市场一直保持较好发展势头。 “十一五”期间，海外电子信息产业的制造环节将继续以较快速度向中国内地转移，我国将逐渐成为全球最重要信息产业制造基地，这为内地电子元器件产业带来良好的发展空间。从发达国家电子元器件产业发展经验看，电子元器件就近就地配套始终是电子产品制造最好的模式，目前长三角地区已成为国际电子信息产品的重要生产基地。杭州也具有发达的信息人才培养教育体系和完善的电子信息产品制造业链，这为杭州加快发展功率半导体分立器件提供了难得的机遇。

分立器件通用技术介绍

分离器件通用技术介绍图解半导体制程概论（3）第四章分立器件二极管的种类及其用法二极管是一种具有1个PN接合的2个端子的器件。具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。二极管的基本特性利用PN接合的少数载子的注入和扩散现象，只能一个方向（正向）上流通电流。如果在PN接合二极管的N型半导体加上负压、在P型半导体加上正电压，就可使电流流通。我们将该电流的流动方向叫做正向。如果外加正、负压与上述反方向的电压，则几乎不会流通电流。我们将该方向叫做反向。如果提高PN接合二极管的反向电压，则电流在某个电压值会急剧增加。我们将该电流叫做击穿电流。此时的电压值对电流而言基本上为定值。二极管的特性曲线和图形记号、结构下图表示二极管的特性曲线和图形记号、结构图。

二极管的特性曲线

二极管的图形记号、结构二极管的种类和应用 1）一般整流二极管二极管在一般的应用上，有利用电流只在一个方向上流通的功能的交流电压主的整流电路。 2)齐纳二极管（Zener Diode）利用PN接合二极管的反向击穿电压的即为齐纳二极管（恒定电压二极管）。由于该电压对于电流来说基本上为定值，因此用于恒定电压调节器的基准电压源或浪涌电压（异常电压）吸收等用途。

3）其它二极管．进一步提高一般二极管的开关特性的高速恢复二极管（FRD）；．接合金属和半导体来替代PN接合的肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode）；．变容二极管、混合二极管、夹在真性半导体的I层中的PIN二极管等高频用二极管。二极管的封装 1）单体在一个封装中装一个器件的类型，使用最多。 2）中心抽头用于一个封装内组装两个器件，且使用带有中心抽头的双绕线变压器的全波整流电路等。 3）串联指两个二极管在内部串联，用于半波倍电压整流电路等。 4）桥式连接如图所示，指装有四个二极管，用于将交流作全波整流时。