电子技术基础期末复习

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第1章检测题

一、填空题:(每空0.5分,共25分)

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。

3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。

5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。

6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。

二、判断正误:(每小题1分,共10分)

1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)

2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错)

3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错)

4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(错)

5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)

6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)

7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏。(错)

8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时,该管必被击穿。(错)

9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。(错)

10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(错)

三、选择题:(每小题2分,共20分)

1、单极型半导体器件是(C)。

A、二极管;

B、双极型三极管;

C、场效应管;

D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。

A、三价;

B、四价;

C、五价;

D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。

A、导通状态;

B、截止状态;

C、反向击穿状态;

D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。

A、已经击穿;

B、完好状态;

C、内部老化不通;

D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。

A、多子扩散;

B、少子扩散;

C、少子漂移;

D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。

A、放大区;

B、饱和区;

C、截止区;

D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。

A、较大;

B、较小;

C、为零;

D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。

A、矩形方波;

B、等腰三角波;

C、正弦半波;

D、仍为正弦波。

9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM;

B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;

C、集电极最大允许耗散功率P CM;

D、管子的电流放大倍数 。

10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)

A、发射结正偏、集电结正偏;

B、发射结反偏、集电结反偏;

C、发射结正偏、集电结反偏;

D、发射结反偏、集电结正偏。

四、简述题:(每小题4分,共28分)

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电

子,所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答:管脚③和管脚②电压相差0.7V ,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。

3、图6-23所示电路中,已知E =5V ,t u ωsin 10i =V ,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R =0,反向阻断时电阻R =∞),试画出u 0的波形。

答:分析:根据电路可知,当u i >E 时,二极管导通u 0=u i ,

当u i

所示:

4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况

又有何不同?

答:金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电,因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

5、半导体二极管由一个PN 结构成,三极管则由两个PN 结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管?如不能,说说为什么?

答:将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为,两个背靠背的二极管,其基区太厚,不符合构成三极管基区很薄的内部条件,即使是发射区向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续向集电区扩散,所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?

答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大,且结面积也不同。 课后习题1-1,1-7

图6-23 u/V t 0 u i u 0 10 5

第2章检测题

一、填空题:(每空0.5分,共21分)

1、基本放大电路的三种组态分别是:共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。

2、放大电路应遵循的基本原则是:发射结正偏;集电结反偏。

3、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做反馈信号。使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为负反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为正反馈。放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。

4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1,输入信号和输出信号同相,并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。

5、共射放大电路的静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为上削顶。若采用分压式偏置电路,通过反馈环节调节合适的基极电位,可达到改善输出波形的目的。

6、对放大电路来说,人们总是希望电路的输入电阻越大越好,因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻越小越好,因为这可以增强放大电路的整个负载能力。

7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧,它不但能够对直流信号产生负反馈作用,同样可对交流信号产生负反馈作用,从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱,一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E。

8、放大电路有两种工作状态,当u i=0时电路的状态称为静态,有交流信号u i 输入时,放大电路的工作状态称为动态。在动态情况下,晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。放大器的输入电阻越大,就越能从前级信号源获得较大的电信号;输出电阻越小,放大器带负载能力就越强。

9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下,功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的输出电压,而且要求电路中还要有足够大的输出电流,以获取足够大的功率。

10、晶体管由于在长期工作过程中,受外界温度及电网电压不稳定的影响,即使输入信号为零时,放大电路输出端仍有缓慢的信号输出,这种现象叫做零点漂移。克服零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。

二、判断下列说法的正确与错误:(每小题1分,共19分)

1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。(错)

2、放大电路中的所有电容器,起的作用均为通交隔直。(对)

3、射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。(错)

4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。(对)

5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。(对)

6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。(错)

7、微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。(对)

8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。(错)

9、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。(错)

10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。(对)

11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。(错)

12、差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。(对)

13、放大电路通常工作在小信号状态下,功放电路通常工作在极限状态下。(对)

14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。(对)

15、共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。(错)

16、放大电路的集电极电流超过极限值I CM,就会造成管子烧损。(错)

17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。(错)

18、采用适当的静态起始电压,可达到消除功放电路中交越失真的目的。(对)

19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。(对)

三、选择题:(每小题2分,共20分)

1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。

A、直流成分;

B、交流成分;

C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。

A、直流信号;

B、交流信号;

C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。

A、截止失真;

B、饱和失真;

C、晶体管被烧损。

4、共发射极放大电路的反馈元件是(B)。

A、电阻R B;

B、电阻R E;

C、电阻R C。

5、功放首先考虑的问题是(A)。

A、管子的工作效率;

B、不失真问题;

C、管子的极限参数。

6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是(A)。

A、放大电路的电压增益;

B、不失真问题;

C、管子的工作效率。

7、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的(A)

A、带负载能力强;

B、带负载能力差;

C、减轻前级或信号源负荷。

8、功放电路易出现的失真现象是(C)。

A、饱和失真;

B、截止失真;

C、交越失真。

9、基极电流i B的数值较大时,易引起静态工作点Q接近(B)。

A、截止区;

B、饱和区;

C、死区。

10、射极输出器是典型的(C)。

A、电流串联负反馈;

B、电压并联负反馈;

C、电压串联负反馈。

四、简答题:(共23分)

1、共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是什么?(3分)

答:R C起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。

2、放大电路中为何设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响?(4分)

答:设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区;Q点过低易使传输信号部分进入截止区,其结果都是信号发生失真。

3、说一说零点漂移现象是如何形成的?哪一种电路能够有效地抑制零漂?(4分)

答:直接耦合的多级放大电路,当输入信号为零时,输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。

4、为削除交越失真,通常要给功放管加上适当的正向偏置电压,使基极存在的微小的正向偏流,让功放管处于微导通状态,从而消除交越失真。那么,这一正向偏置电压是否越大越好呢?为什么?(4分)

答:这一正向电压较小,仅使两个管子都工作在微导通状态即可。因为,交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的,消除交越失真,实际上就是解决死区电压的问题。如果这一正向偏置电压大于死区电压较多,势必造成两个功放管不能正常工作。

五、计算题:(共17分)

1、如图7-22所示分压式偏置放大电路中,已知R C=3.3KΩ,R B1=40KΩ,R B2=10KΩ,R E=1.5KΩ,β=70。求静态工作点I BQ、I CQ和U CEQ。(8分,图中晶体管为硅管)

图7-22 检测题7-5-1电路图

解:静态工作点为:251050.75V 2.87mA 4010 1.52.8740A 17025 2.87(3.3 1.5)11.2V B

CQ EQ B

CE V I I I U

2、画出图2-22所示电路的微变等效电路,并对电路进行动态分析。要求解出电路的电压放大倍数A u ,电路的输入电阻r i 及输出电阻r 0。(9分)

解:图7-22的微变等效电路如下图所示。

动态分析:26mV 300(170)9432.87mA be r

r i =R B1// R B2// r be =40000//10000//943≈843Ω r 0=R C =3.3K Ω

C u be 330070245943R A r 课后习题2-6,2-7,2-10

第3章 检测题 一、填空题:(每空0.5分,共20分)

1、若要集成运放工作在线性区,则必须在电路中引入 深度负 反馈;若要集成运放工作在非线性区,则必须在电路中引入 正 反馈或者在 开环工作 状态下。集成运放工作在线性区的特点是输入电流 等于零和 输出电阻 等于零;工作在非线性区的特点:一是输出电压只具有 两种 状态和净输入电流等于 零 ;在运算放大器电路中,集成运放工作在 线性 区,电压比较器工作在 非线性 区。

2、集成运算放大器具有 同相 和 反相 两个输入端,相应的输入方式有 同相 输入、 反相 输入和 双端 输入三种。

3、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点:一是差模输入电压 相等 ,称为 虚短 ;二是输入电流 等于零 ,称为 虚断 。

4、理想集成运放的A u0= ∞ ,r i = ∞ ,r o = 0 ,K CMR = ∞ 。

u

u 0

5、反相比例运算电路中反相输入端为虚地,同相比例运算电路中的两个输入端电位等于输入电压。同相比例运算电路的输入电阻大,反相比例运算电路的输入电阻小。

6、同相比例运算电路的输入电流等于零,反相比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。同相比例运算电路的比例系数大于1,而反相比例运算电路的比例系数小于零。

7、同相输入运算电路可实现A u>1的放大器,反相输入运算电路可实现A u<0的放大器,微分运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

8、滞回电压比较器的基准电压U R=0时,输入电压每经过一次零值,输出电压就要产生一次跃变,这时的比较器称为过零比较器。

9、集成运放的非线性应用常见的有单门限比较器、滞回比较器和方波发生器。

10、滞回比较器的电压传输过程中具有回差特性。

二、判断下列说法的正确与错误:(每小题1分,共10分)

1、电压比较器的输出电压只有两种数值。(对)

2、集成运放使用时不接负反馈,电路中的电压增益称为开环电压增益。(错)

3、“虚短”就是两点并不真正短接,但具有相等的电位。(对)

4、“虚地”是指该点与“地”点相接后,具有“地”点的电位。(错)

5、集成运放不但能处理交流信号,也能处理直流信号。(对)

6、集成运放在开环状态下,输入与输出之间存在线性关系。(错)

7、同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。(错)

8、理想运放构成的线性应用电路,电压增益与运放本身的参数无关。(错)

9、各种比较器的输出只有两种状态。(对)

10、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。(对)

三、选择题:(每小题2分,共20分)

1、理想运放的开环放大倍数A u0为(A),输入电阻为(A),输出电阻为(B)。

A、∞;

B、0;

C、不定。

2、国产集成运放有三种封闭形式,目前国内应用最多的是(C)。

A、扁平式;

B、圆壳式;

C、双列直插式。

3、由运放组成的电路中,工作在非线性状态的电路是(C)。

A、反相放大器;

B、差分放大器;

C、电压比较器。

4、理想运放的两个重要结论是(B)。

A、虚短与虚地;

B、虚断与虚短;

C、断路与短路。

5、集成运放一般分为两个工作区,它们分别是(B)。

电子技术基础试题

电子技术基础(三)试题 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题1分,共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.以下关于脉动直流电压的描述中,正确的是() A.电压的大小和方向均不随时间变化 B.电压的大小随时间变化,但方向不随时间变化 C.电压的大小不随时间变化,但方向随时间变化 D.电压的大小和方向均随时间变化 2.以下关于理想电流源特性的描述中,正确的是() A.理想电流源的信号源内阻接近于零 B.理想电流源任何时候都可以串联在一起 C.理想电流源的输出电流与负载无关 D.理想电流源两端的电压与负载无关 3.电路如题3图所示,已知相量电流则向量电流I为() A.10∠90° (A) B.10∠-90° (A) C.2∠45° (A) D.2∠-45° (A) 4.N型半导体中的多数载流子是() A.自由电子B.空穴 C.五价杂质原子D.五价杂质离子 5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示,则a、b、c三个电极分别为() A.发射极、基极、集电极 B.发射极、集电极、基极 C.基极、发射极、集电极 D.基极、集电极、发射极 6.理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为() A.R id=0,R O=0 B.R id=0,R O=∞ C.R id=∞,R O=0 D.R id=∞,R O=∞ 7.为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏,在两输入端间应采取的措施是() A.串联两个同向的二极管B.串联两个反向的二极管 C.并联两个同向的二极管D.并联两个反向的二极管 8.在单相半波整流电路中,如变压器副方电压的有效值为U2,则二极管所承受的最高反向电压为()

电子技术基础-考试大纲

电子技术基础-考试大纲 参考书: 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可);秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》(第三版或第四版);童诗白主编,高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》(第四版);阎石主编,高等教育出版社 考试时间:2小时(满分100分)。 一、本课程的地位、作用和任务 《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。 二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数;尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应 用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现 象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电 路。

(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理,判断电路能否产生正弦波振荡,掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简,分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方 法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方 法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。

南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础

南京理工大学研究生入学考试大纲 科目名:《电子技术基础》 一. 考试内容 模拟电路部分 1半导体器件 (1)半导体的基本概念:本征半导体; PN结 (2)半导体二极管:①半导体二极管的伏安特性;半导体二极管的主要参数;半导体二极管电路的分析。 (3)稳压二极管:稳压二极管的伏安特性;稳压二极管的主要参数;稳压二极管电路的分析。 (4)半导体三极管:三极管的电流放大特性;三极管的特性曲线和主要参数 (5)场效应管: ①结型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线; ②绝缘栅型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线;输出特性曲线的三个区; 2基本放大电路 (1)三极管放大电路:固定偏置放大电路的组成和分析;分压偏置放大电路的组成和分析;有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析;共集放大电路的组成和分析; (2)场效应管放大电路:场效应管放大电路;场效应管的微变等效模型;场效应管的两种静态偏置电路:自给偏压电路与分压式偏置电路;基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法;基本共漏电路及其静态、动态分析。 3 多级放大电路 (1)多级放大电路的三种耦合方式: (2)阻容耦合放大电路及其分析方法; (3)直接耦合放大电路及其分析方法; (4)变压器耦合放大电路; 4差分放大电路 (1)差放电路的工作原理:差放电路的组成;抑制零漂的原理;信号的三种输入方式:差模、共模、任意输入方式;共模电压放大倍数;差模电压放大倍数;共模抑制比; (2)差放电路的四种输入输出方式;双端输入双端输出方式;双端输入单端输出方式;(3)长尾差分放大电路:电阻长尾差分放大电路的静态分析和动态分析;带恒流源长尾差放电路的组成和静态分析、动态分析; 5功率放大电路 (1)功率放大电路的特点; (2)功率放大电路的三种工作状态;甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。 (3)甲类功率放大电路的组成及分析方法( 甲类功率放大电路的工作原理,静态分析,动态分析。) (4)乙类功率放大电路的组成及分析方法(乙类功率放大电路的工作原理,静态分析,动态分析。) (5)甲乙类功率放大电路的组成及分析方法(甲乙类功率放大电路的工作原理,静态分析,

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1.已知图中 U1=2V, U2=-8V,则U AB=-10。 2.电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3.有三个6Ω的电阻,若把它们串联,等效电阻是 18 Ω;若把它们并联,等效电阻 2Ω;若两个并联后再与第三个串联,等效电阻是 9 Ω。 4.用电流表测量电流时,应把电流表串联在被测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路并联。 5.电路中任意一个闭合路径称为回路;三条或三条以上支路的交点称为节点。 6.电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6Ω,则U AB= -24 V。 7.直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 Ω。 8.电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位均发生变化。 9.在直流电路中,电感可以看作短路,电容可以看作断路。 9.我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10.三相对称负载作三角形联接时,线电流I L与相电流I P间的关系是:I P=3 I L。 11.电阻元件是耗能元件,电容元件是储能元件。

12.已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ,则其最大值为 311 V ,频率为 100 Hz ,初相位为 -60o 。 13.在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ,电阻R=10Ω,则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ,电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14.三角形联结的三相对称负载,若线电压为380 V ,则相电压为 380 V ;若相电流为10 A ,则线电流为 17.32 A 。 15.式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16.正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17.电感元件是一种储能元件,可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18.若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3,则称此种相序为 正序 。 19.在正弦交流电路中,电源的频率越高,电感元件的感抗越 大 。 20.已知正弦交流电压的有效值为200V ,频率为100Hz ,初相角为30o,则其瞬时值表达式u= 282.8sin (628t+30o) 。 21.正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22.对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23.电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U =0时,此种状态称作 短路 ,这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。

电子技术基础考试必备(十套试题,答案)

电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功放, ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。

A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接 入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。

电子技术基础期末考试试题及答案

10.电路如下图所示,若初态都为0,则=1的是()

精品文档 注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0= 。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

精品文档 参考答案及评分标准 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转 22.并行和串行 23.V D -I D 24.电容、电感、复式 25.5.3V 四、应用题(本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V 接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q 2Q 1Q 0=000 (1)第一个CP 作用后,Q 0=0→1,0Q =1→0=CP 1,对F 1触发无效,所以Q 1保持0态不变。而F 2没有接到任何触发信号,所以Q 2亦保持0态不变。第二个CP 作用后,Q 0=1→0,而0Q =0→1=CP 1,对F 1属有效触发,所以Q 1=0→1。而1Q =1→0=CP 2,对F 2无效,所以F 2仍为原态即0态。依次按规律分析,可得如下计数状态表为 (2)从状态表和电路结构可知,该计数电路为三位异步二进制加法计数电路。

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周 授课 教学 执行 授课章节及内容摘要 学时 方式 课外作业及考核 次 情况 思考: 1、冬季穿脱毛衣时,静 1 绪论 安全用电常识 2 讲授 电有上千 v 的电压,为什么没有 出现电死人的情况? 2 15、 16 级德育体验周, 17 级军训 2 3 触电急救 2 电教 练习急救措施 4 第一章 电路的结构和常用基本 2 电教 课后习题一、二 物理量(电压、电流) 5 国庆、中秋放假 2 6 电路的相关物理量(电位、电动 2 讲授 课后习题三 1、 2、 3、 4 势、电能 ) 7 电阻串、并联电路的结构与作用 2 讲授 练习册 1.3、 1.4 8 秋季田径运动会 2 9 电路相关名词及基尔霍夫电压、 2 讲授 练习册 1.5 一、填空题 电流定律 10 第二章 磁场及电磁感应 2 电教 练习册 2.1、 2.2 11 半期复习与测试 2 测试 半期测试题 12 第三章 电容、 电感的概念、 参数 2 电教 课后习题一 、二、 标注及应用 13 第四章单相正弦交流电路的概 2 电教 练习册 4.1 念、相关物理量 14 正弦交流电的表示法 2 讲授 课后习题 一、二、 15 纯电感、纯电容电路的结构及功 2 电教 课后习题 三、四 率 16 纯电阻电路的结构及功率、电路 2 讲授 练习册 4.2 4.5 的功率因数 17 第五章三相交流电源的产生与应 2 讲授 课后题一、二、三 用 18 三相负载的连接 2 电教 练习册 5.1 一、 19 三相电功率 2 讲授 练习册 5.1 二、三 5.2 一、 二、 三

电子技术基础考试必备十套试题,有答案

电子技术基础考试必备十套试题,有答案 TTA standardization office【TTA 5AB- TTAK 08- TTA 2C】

电子技术基础试题(八)一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功 放,______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和 ___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分)

1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 3 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振 荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。

电子技术基础考试大纲

《电子技术基础》考试大纲 (包括模拟电路、数字电路两部分) 一、参考书目 1.康华光,电子技术基础——模拟部分,第五版,高等教育出版社,2008 2.康华光,电子技术基础——数字部分,第五版,高等教育出版社,2008 二、考试内容与基本要求 《模拟电子技术》考试大纲 一、半导体器件 [考试内容] PN结、半导体二极管、稳压二极管的工作原理;晶体三极管与场效应管的放大原理; [考试要求] 1. 熟悉半导体二极管的伏安特性,主要参数及简单应用。 2. 熟悉稳压二极管的伏安特性,稳压原理及主要参数。 3. 理解双极性三极管的电流放大原理,伏安特性,熟悉主要参数。 二、放大器基础 [考试内容] 放大电路的性能指标和电路组成及静态分析;稳定静态工作点的偏置电路;放大电路的 动态分析,三种基本组态放大电路;场效应管放大电路性能指标分析;运算放大器放大 电路性能指标分析。 [考试要求] 1. 理解放大电路的组成原则。 2. 理解静态、动态、直流通路、交流通路的概念及放大电路主要动态指标的含义。 3. 熟悉放大电路的静态和动态分析方法。掌握调整静态工作点的方法。 4. 掌握计算三种组态放大电路的静态工作点和动态指标。 三、放大器的频率参数 [考试内容] 频率特性的基本概念与分析方法;放大器频率分析,三极管的频率参数;共射极接法放 大电路的频率特性;场效应高频等效电路,运算放大器的高频等效电路。 [考试要求] 1. 理解阻容耦合共射放大电路的频率特性。 2. 理解三极管的频率参数。 3. 了解多级放大电路频率特性的概念。 四、放大电路中的负反馈 [考试内容] 负反馈的基本概念;负反馈对放大器性能的影响;深度负反馈的计算;反馈放大电路的 稳定性分析。 [考试要求] 1. 理解反馈,正反馈,负反馈,直流反馈,交流反馈,开环,闭环,反馈系数,反馈 深度,电压反馈,电流反馈,串联反馈,并联反馈等概念。 2. 熟悉负反馈类型的判断。 3. 掌握各种基本组态负反馈对放大电路性能的影响。 4. 掌握深度负反馈放大电路增益的估算方法。

电工电子技术基础考试试卷答案

《电工电子技术基础》 一、填空题:(每题3分,共12题,合计 33 分) 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为,它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况,便于对电路进行和。 2、在实际电路中,负载电阻往往不只一个,而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来,最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中,基尔霍夫电流第一定律又称定律,它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和-6A,则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和; 5、在实际应用中,按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化,然后运用_________求解的电路为_____;否则,就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是:___、_____、_______和_______;它们的代表符号分别是____、_____、______和____; 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比,与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比,即表达式为:________ ,其单位为:______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势,统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量,通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V,该电压最大值为__________ V,角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电(即市电)电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V,工作频率f=____ __Hz,周期为T=_______s,其角速度ω=______rad/s,在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误:正确的打(√),错误的打(×),每小题1分,共 20 分 1、电路处于开路状态时,电路中既没有电流,也没有电压。(_) 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。(_) 3、对于一个电源来说,在外部不接负载时,电源两端的电压大小等于电源电动势的大小,且 方向相同。(_) 4、在复杂电路中,各支路中元器件是串联的,流过它们的电流是相等的。(_) 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。(_) 6、理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。(_) 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关,与磁场媒介质的磁导率无关(_)

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

F1001电子技术基础考试大纲.doc

F1001《电子技术基础》考试大纲 一、复习资料 1.《电子线路(线性部分)》(第5版),冯军、谢嘉奎编,高等教育出版社,2010年8月。 2.《数字电子技术基础》(第6版),阎石、王红编,高等教育出版社,2016年4月。 二、考试内容及要求 (一)模拟电子线路 包括半导体器件及应用,基本组态放大电路,组合放大电路,反馈放大电路,差分放大电路,集成运算放大电路及其应用。 1.半导体器件及应用 考试内容: PN结,晶体二极管,晶体三极管,场效应管(MOSFET)。 考试要求: (1)掌握PN结的基本特性;掌握晶体二极管伏安特性、数学模型、简化电路模型、相关性能参数及基本应用;掌握晶体三极管在放大模式下的电流分配关系、伏安特性、数学模型、直流简化模型、小信号电路模型及基本应用;掌握MOSFET的伏安特性、数学模型、小信号电路模型及基本应用;掌握半导体器件应用电路的图解分析法、简化分析法和小信号等效电路分析法。 (2)理解半导体器件各模型中参数的物理意义;理解晶体二极管构成的整流、稳压、限幅等功能电路的结构、工作原理、技术指标;理解晶体三极管构成的电流源、放大器和跨导线性电路的结构和工作原理。

(3)了解MOSFET构成的有源电阻和模拟开关电路的结构和工作原理。 2.放大器基础 考试内容: 三极管和场效应管三种基本组态放大电路,差分放大电路,多级组合放大电路。 考试要求: (1)掌握三极管和场效应管偏置电路及其直流分析方法;掌握基本组态放大电路的增益、输入、输出电阻的分析方法。 (2)理解差分放大电路的性能特点;掌握差分电路直流偏置、差模增益、共模增益、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的计算方法;理解差分放大器动态范围的概念;掌握差分放大器动态范围扩展的方法。 (3)理解放大电路频率响应的概念;理解传输函数与波特图的对应关系;掌握波特图的绘制方法;掌握器件与基本放大电路频率响应的分析方法。 (4)理解多级放大器的耦合方式;掌握多级放大器性能指标的计算方法。 3.电流源电路 考试内容:镜像电流源、比例电流源、微电流源,恒流源负载。 (1)理解镜像电流源、比例电流源、微电流源及其改进型电路的工作原理;掌握电流源电路的电流与输出电阻的分析方法。 (2)理解恒流源负载放电器的特点,掌握恒流源负载放大器与差分放大器性能的分析计算方法。 4.放大器中的负反馈 考试内容:

《电工电子技术基础》的教案.doc

周 授课章节及内容摘要 授课次学时 1 绪论安全用电常识 2 2 15、16 级德育体验周, 17 级军训 2 3 触电急救 2 4 第一章电路的结构和常用基本 2 物理量(电压、电流) 5 国庆、中秋放假 2 6 电路的相关物理量(电位、电动 2 势、电能) 7 电阻串、并联电路的结构与作用 2 8 秋季田径运动会 2 9 电路相关名词及基尔霍夫电压、 2 电流定律 10 第二章磁场及电磁感应 2 11 半期复习与测试 2 12 第三章电容、电感的概念、参数 2 标注及应用 13 第四章单相正弦交流电路的概 2 念、相关物理量 14 正弦交流电的表示法 2 15 纯电感、纯电容电路的结构及功 2 率 16 纯电阻电路的结构及功率、电路 2 教学执行 课外作业及考核 方式情况 思考: 1、冬季穿脱毛衣时,静 讲授电有上千v 的电压,为什么没有 出现电死人的情况? 电教练习急救措施 电教课后习题一、二 讲授课后习题三1、 2、 3、 4 讲授练习册1.3、 1.4 讲授练习册 1.5 一、填空题 电教练习册 2.1、 2.2 测试半期测试题 电教课后习题一、二、 电教练习册 4.1 讲授课后习题一、二、 电教课后习题三、四 讲授练习册 4.2 4.5

的功率因数 17 第五章三相交流电源的产生与应 2 讲授课后题一、二、三 用 18 三相负载的连接 2 电教练习册 5.1 一、 19 三相电功率 2 讲授练习册 5.1 二、三 5.2 一、二、 三 20 期末复习 2 讲授复习试题 第一章审核签字课题 第一节 授课时数 2 课时授课时间第1 周第 1 ~ 2 课时 知识1、了解电路的组成。 与 2、掌握电路中每部分的作用。 技能 教 学过程 目与讲授法与图示法相结合,便于学生回忆巩固。 标 方法 情感 态度 结合生活中常见的电器设备来进行讲解。 与价 值观 新学期开学,学生身心状态还未收回,切寒假后,此前所学知识部分已经遗忘或模糊,学情分析 需要通过复习收心和巩固知识,为新课内容做准备。 教学重点1、电路结构2、各部分的作用 教学难点1、讲电路图形符号和实物结合,识读简单电路图。

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称:模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例: 模拟部分: 1、半导体器件(5~10%) (1)理解二极管单向导电特性,掌握二极管伏安特性; (2)理解三极管放大原理,掌握三极管的输入、输出特性曲线; (3)掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理(20~25%) (1)掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算; (2)掌握放大电路微变等效电路分析法,理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应(5~10%) 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器(10~20%) (1)理解零点漂移的概念,理解差动电路克服温漂的原理; (2)掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈(5~10%) (1)理解反馈的概念,掌握反馈类型的判断方法,能根据要求引入负反馈; (2)理解反馈对放大器性能的影响; (3)掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算; (4)理解自激的概念,能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路(20~25%) (1)理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 (2)掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路(10~15%) 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路(10~20%) (1)掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算; (2)能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路(15~20%) OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源(0~10%) (1)整流电路的工作原理及分析计算; (2)电容滤波电路的工作原理及分析计算; (3)稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分: 一、逻辑代数基础(5~10%) (1)逻辑代数基本概念、公式和定理; (2)逻辑函数的化简方法。 二、门电路(15~20%) (1)掌握分立器件门电路的分析方法; (2)理解TTL集成门电路的结构特点,掌握其外特性; (3)理解COMS集成门电路的结构特点,掌握其外特性。 三、组合逻辑电路(30~40%) (1)掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法; (2)熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法; (3)掌握用中规模集成芯片MSI(译码器、数据选择器等)实现组合逻辑函数。 四、触发器(15~20%) (1)熟悉触发器电路的结构特点; (2)掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

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《电工基础》教案

《电工基础》教案 教 学 总 结 本节课内容较浅,再加上勤与学生互动,是可以达到教学目标的。 课堂练习 4个小组各选1名学生上黑板默画几种常用的标准图形符号。 作 业 1.名词解释(1) (P 36) 2.填空题(1) (P 36) 章 节 第1章 直流电路 1.1.2电路的基本物理量——电流 学 时 1学时 授课类型 新授课 教学目标 1、理解电流产生的条件和电流的概念, 2、掌握电流的计算公式。 教学重点、难点 重点:电流的计算公式。 难点:电流产生的原因、条件。 教 法 类比、讲解、练习 教学过程 过程设计 创设情景引入新课 复习提问:初中对电流是如何定义的? 引 入:在初中我们就知道:大量的自由电荷定向移动形成电流。电流就如同水流一般,在大量自由电荷(自由运动的水分子)的两端 加上电压(水压)就发生定向移动而形成电流(水流)。 新课讲解 一、电流的形成 1、电流:大量的电荷的定向移动形成电流。 2、在导体中形成电流的条件: (1) 要有自由电荷。 (2) 必须使导体两端保持一定的电压(电位差)。 二、电流 1、电流的强弱用电流强度表示。电流强度简称为电流。

《电工基础》教案

《电工基础》教案 一、电能 1、设导体两端电压为U,通过导体横截面的电量为q,电场力所做 的功为:W = q U 而q = I t,所以 W = U I t 单位:W-焦耳(J);U-伏特(V);I-安培(A);t-秒(s)。 2、电场力所做的功即电路所消耗的电能W = UIt 3、电流做功的过程实际上是电能转化为其他形式的能的过程。 二、电功率 1、定义:单位时间内,某段电路传送或转换的电能。 W P= t 或P= UI 单位:P-瓦特(W)。 常用单位:千瓦(kw)电能的常用单位(kW ? h) 1度 =h k W 1?= 3.6?106J 2 、电气设备的额定值 1)定义:电气设备在给定的工作条件下,正常运行时所规定的最大允许值。 2)实际工作时,如果超过电气设备的额定值,会是使用寿命缩短获造成损伤;如果小于电气设备的额定值,电气设备的利用率降低,甚至不能正常工作。 3)额定功率—P N 额定电压—U N :。 额定电流—I N 例:有一功率为60 W的电灯,每天使用它照明的时间为4小时,如果平均每月按30天计算,那么每月消耗的电能为多少度?合为多少

电子技术基础考试必备(十套试题-有答案)

电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有________ 性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 ______ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________ 和 _____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻rs ______ 时,负载获得的功率最 大,这种现象称为_______________ 。 5、运算放大器的输出是一种具有___________________ ■勺多级直流放大 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有: ______ 功放, ______ 类功放和 ______ 功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量___________ 以减少____________ 真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由_______________ 、—和___________ 个部分组成。 9 .逻辑代数的三种基本运算是_____________________ 、 ___________ 和 10.主从触发器是一种能防止___________ 象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1. 晶体管二极管的正极的电位是—10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管

处于:()。

A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A. 集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V C E上升 C.集电极电 流增大 3. 某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A. 3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4. 正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A. 保证电路满足振幅平衡条件 B. 提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C. 使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5. 甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A. 有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6 .有两个2CW15急压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

华中科技大学电子技术基础考纲

华中科技大学硕士研究生入学考试《电子技术基础》 考试大纲 一、考试说明 1. 考试性质 该入学考试是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平,以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础。 考试对象为参加2010年全国硕士研究生入学考试的考生。 3. 评价目标 本课程考试的目的是考察学生对电子技术的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力。 4. 考试形式与试卷结构 (1)答卷方式:闭卷,笔试。 (2)答题时间:180分钟。 (3)各部分内容的考查比例:满分150分。 模拟电子技术40% 数字电子技术60% (4)题型:以分析、计算题为主。 5. 参考书目 康华光,陈大钦. 《电子技术基础》,高等教育出版社。 二、考察要点 1.基本半导体器件 PN结的形成,半导体二极管、半导体三极管和半导体场效应管工作原理,晶体管的开关作用,TTL门电路,MOS门电路 2.基本放大电路 微变等效电路,反馈的基本概念及类型判断,负反馈对放大电路性能的影响,频率特性,多级放大电路及其级间耦合,差动放大电路,场效应管及其放大电路3.集成运算放大器

比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算、有源滤波、采样保持、电压比较 4.稳压电源和功率放大电路 整流滤波与反馈式稳压电源,开关稳压电源,乙类互补与甲乙类功率放大电路 5.数字逻辑与组合逻辑电路 逻辑代数及逻辑运算,逻辑函数的简化,组合逻辑电路的分析与设计,编码器,译码器,数据选择器,数值比较器,加法器 6.时序逻辑电路与集成器件 RS触发器,D触发器,JK触发器,T触发器,同步时序逻辑电路的分析及设计,计数器、移位寄存器,随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可编程逻辑器件 7.信号发生与转换 正弦波振荡器,多谐振荡器,单稳态触发器,施密特触发器,555集成定时器,D/A转换器,A/D转换器。

电子技术基础考试试卷

电子技术基础考试试卷 一、填空题(每题2分,共20分) 1.实际使用的电源,按其外特性可以分为()和()。 2.有一种物质,它的导电性介于导体和绝缘体之间,这就是(),如硅、锗。 3.数字工程中,按存取方式分类,常用的存储器有顺序方向存储器,()存储器,()存储器三种。 4.电路的功能大致可以分为两类,一类是作为()的传输和转换,如电力电路;一类是作为实现()的传递和处理,如信号电路。5.如右图所示的电路中,B点的电位为()V。 6.测得工作在放大区的晶体三极管三个电极的电位分别为+2.3V、+2V、+8V,则此管的三个电极先后为基极、()极和()极。7.存储器的()和()是反映系统性能的两个重要指标。_ 8.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V, 接入3KΩ的负载电阻后输出电压为3V,这说明放大电路的输出电阻为()。 9.将十进制数18.625化为二进制数为(),化为十六进制数为()。 10.设输入变量为A、B、C,判别当三个变量中有奇数个1时,函数F=1, 否则F=0, 实现它的异或表达式为F=()。

二、单项选择题(每小题2分,共10分) 1.PN结加上反向电压,自建电场与外加电场方向(),内电场()。 A. 相反加强 B. 一致加强 C. 相反减弱 D. 一致减弱 2.下列电路中,()不是时序电路。 A. 计数器 B. 触发器 C. 寄存器 D. 译码器 3.图示电路中,AB之间电压V对应的方程式为()。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 4.右图是下面哪类场效应管的图符? A. N沟道耗尽型场效应管 B. P沟道耗尽型场效应管 C. N沟道耗尽型MOS管 D. P沟道耗尽型MOS管 5.组合逻辑电路险象的消除方法不包括() A. 多余项插入法 B. 改变电路结构 C. 加接惯性环节 D. 消除选通脉冲 三、分析计算题(共70分) 1.求图中电路中a、b、c各点的电位。(其中E1=5V, E2=10V,

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