管件生产工艺流程
管件生产工艺流程
无缝钢制弯头生产工艺流程（碳钢、合金钢）
无缝热压弯头工艺流程（碳钢、合金钢）
钢制弯管加工工艺流程:
钢制对焊弯头生产工艺流程:
无缝热压三通生产工艺流程:
无缝钢制异径管生产工艺流程（不锈钢）
无缝钢制热压异径管生产工艺流程（碳钢、合金钢）
无缝冷压不锈钢三通生产加工工艺流程:
锻制法兰生产工艺流程:
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晶圆制造工艺流程和处理工序
晶圆制造工艺流程和处理工序 晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposiTIon) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。（1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱 9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
生产工艺流程图及说明
（1）电解 本项目电解铝生产采用熔盐电解法：其主要生产设备为预焙阳极电解槽,项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽。铝电解生产所需的主要原材料为氧化铝、氟化铝和冰晶石，原料按工艺配料比例加入350KA 预焙阳极电解槽中，通入强大的直流电，在945－955℃温度下，将一定量砂状氧化铝及吸附了电解烟气中氟化物的载氟氧化铝原料溶解于电解质中，通过炭素材料电极导入直流电，使熔融状态的电解质中呈离子状态的冰晶石和氧化铝在两极上发生电化学反应，氧化铝不断分解还原出金属铝——在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝。 电解槽中发生的电化学反应式如下： 2323497094032CO Al C O Al +?-+℃ ℃直流电 在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝定期用真空抬包抽出送往铸造车间经混合炉除渣后由铸造机浇铸成铝锭。电解过程中析出的O 2同阳极炭素发生反应生成以CO 2为主的阳极气体，这些阳极气体与氟化盐水解产生的含氟废气、粉尘等含氟烟气经电解槽顶部的密闭集气罩收集后送到以Al 2O 3为吸附剂的干法净化系统处理，净化后烟气排入大气。被消耗的阳极定期进行更换，并将残极运回生产厂家进行回收处置。吸附了含氟气体的截氟氧化铝返回电解槽进行电解。 电解槽是在高温、强磁场条件下连续生产作业，项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽，是目前我国较先进的生产设备。电解槽为6点下料，交叉工作，整个工艺过程均自动控制。电解槽阳极作业均由电解多功能机组完成。多功能机组的主要功能为更换阳极、吊运出铝抬包出铝、定期提升阳极母线、打壳加覆盖料等其它作业。 （2）氧化铝及氟化盐贮运供料系统 氧化铝及氟化盐贮运系统的主要任务是贮存由外购到厂的氧化铝和氟化盐 ，并按需要及时将其送到电解车间的电解槽上料箱内。
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
简析中空玻璃的加工工艺流程
随着国内玻璃加工行业的发展以及人们对中空玻璃的优点性能认识的不断深入，中空玻璃的应用范围在不断扩大，除在玻璃幕墙、汽车、飞机等方面得到广泛应用外，目前已开始进入寻常百姓家。这主要是由于中空玻璃的应用能改善建筑物的隔热和隔音效果的同时，简化了空调等通风保暖设施的结构设计，这不仅降低了建筑装饰费用而且实际增加了建筑物内的有效实用空间。 中空玻璃的应用在不断的扩大，人们对中空玻璃的质量要求也越来越高，如何把握市场的发展机遇，提供优质可可靠的中空玻璃已成为中空玻璃生产厂家研究关心的问题。本文将对中空玻璃基本的加工工艺过程进行简要分析。 首先介绍中空玻璃的种类及中空玻璃国家标准中的五项指标 一、分类： 目前国内市场上有两种中空玻璃 1、槽铝式中空玻璃：此种中空玻璃80年代引入，相对成熟些，但是加工工艺较复杂。 2、胶条式中空玻璃：此种中空玻璃在国内刚刚起步，但是制造工艺简单，因此应用范围广，推广很快。 二、中空玻璃的国家标准中的五项指标： 1、初始露点 2、密封试验 3、紫外线照射 4、高温高湿
5、气候循环试验 根据国家检测标准，如何安排我们的生产，才能达到中空玻璃的要求呢由于两种中空玻璃在工艺流程上有很多相似之处，现就他们的共同的工艺流程进行简析。 1、玻璃切割下料： 原片玻璃一般为无色浮法玻璃或其它彩色玻璃，遮阳玻璃、钢化玻璃、夹层玻璃，厚度一般为3-12MM，上述玻璃必须符合GB11614中一级品、优等品的规定，经检验合格后方可使用。玻璃切割可由手工或机器进行，但应保证合乎尺寸要求。此道工序工人在操作过程中，应随时注意玻璃表面不得有划伤，内质均匀，不得有气泡、夹渣等明显缺陷。 2、玻璃清洗干燥： 玻璃清洗一定要采用机器清洗法，因为人工清洗无法保证清洗质量。清洗前须检验玻璃无划伤，为保证密封胶与玻璃的粘结性，较好使用去离子水。另外为保证水循环使用，节约水资源，可对水进行过滤，保证长期使用。清洗后的玻璃要通过光照检验，检验玻璃表面有无水珠、水渍及其它污渍，若有水珠、水渍及其它污渍，则需对机器运行速度、加热温度、风量、毛刷间隙进行调整，直到达到效果完好为止。洗完后的玻璃应地1小时之内组装成中空玻璃，另外要保证玻璃与玻璃之间不要磨擦划伤，较好有半成品玻璃储存小车，把玻璃片与片之间隔开。 3、胶条式中空玻璃及铝条式中空玻璃的组装： 胶条式中空玻璃组装： （1）对环境的要求：胶条式中空玻璃加工温度冬季应在10-20度之间，夏季应在20-30度之间为宜。 （2）相对湿度的要求：因胶条式中空玻璃干燥剂呈粉末状，与胶混合均匀后干燥剂发
生产工艺流程简述
生产工艺流程简述 清棉工序 1．主要任务：（1）将紧压的原纤维松解成较小的纤维块或纤维束，以利混合、除杂作用的顺利进行；（2）清除原纤维中的大部分杂质、疵点及不宜纺纱的短纤维。（3）将不同批次的纤维进行充分而均匀地混和，以利棉纱质量的稳定。（4）成卷：制成一定重量、长度、厚薄均匀、外形良好的棉纤维卷。 梳棉工序 1．主要任务 （1）分梳：将纤维分解成单纤维状态，改善纤维伸直平行状态。（2）混合：使纤维进一步充分均匀混合。（4）成条：制成符合要求的棉条。 精梳工序 主要任务: 1．除杂：清除纤维中细小的纤维疵点。 2．梳理：进一步分离纤维，排除一定长度以下的短纤维，提高纤维的长度整齐度和伸直度。 3．牵伸：将棉条拉细到一定粗细，并提高纤维平行伸直度。 4．成条：制成符合要求的棉条。
并条工序 主要任务 1．并合：一般用6-8根纤维条进行并合，改善棉条长片段不匀。2．牵伸：把纤维条拉长抽细到规定重量，并进一步提高纤维的伸直平行程度。3．混合：利用并合与牵扯伸，使纤维进一步均匀混合，不同唛头、不同工艺处理的纤维条，在并条机上进行混和。4．成条：做成圈条成型良好的熟条，有规则地盘放在棉条桶内，供后工序使用。 粗纱工序 主要任务: 1．牵伸：将熟条均匀地拉长抽细，并使纤维进一步伸直平行。2．加捻：将牵伸后的须条加以适当的捻回，使纱条具有一定的强力，以利粗纱卷绕和细纱机上的退绕。 细纱工序 主要任务: 1．牵伸：将粗纱拉细到所需细度，使纤维伸直平行。 2．加捻：将须条加以捻回，成为具有一定捻度、一定强力的细纱。3．卷绕：将加捻后的细纱卷绕在筒管上。4．成型：制成一定大小和形状的管纱，便于搬运及后工序加工。
晶圆生产工艺与流程介绍
晶圆的生产工艺流程介绍 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长 --> 晶棒裁切与检测 --> 外径研磨 --> 切片 --> 圆边 --> 表层研磨 --> 蚀刻 --> 去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 检验 --> 包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm 左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。 4）.晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度
达到预定值。 5）.尾部成长（Tail Growth） 当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（Surface Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4.切片（Wire Saw Slicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表
中空玻璃可行性分析报告
中空玻璃可行性分析报告 目录 一、建筑节能与中空玻璃市场情况 二、中空玻璃加工企业的明显特点 三、中空玻璃产品利润分析
一、建筑节能与中空玻璃市场情况 中空玻璃的概念出现在国内市场已经有很长时间了，Low-E玻璃的出现也已经有10年左右的时间。尽管这些产品具有很好的节能、保温和隔音等显著改善居住条件的优良性能，但是这些好产品更多地是使用在公共建筑和高档建筑上，绝大部分民用建筑至今依然较少看到中空玻璃，更谈不上Low-E玻璃，许多消费者至今还以为中空玻璃就是两片玻璃的简单组合。造成中空玻璃和Low-E 玻璃贵族化问题的主要原因有两方面：一是国内房地产市场发展速度过快，许多地产商根本无心关注门窗和玻璃性能等细节；二是门窗企业和加工玻璃企业更多地关注高档楼盘而忽视了民用建筑市场的推广。 可喜的是，从贵族化转向平民化的过程正在开始。伴随着国内房地产业逐步进入常规发展轨道，开发商和购房者开始共同关注楼盘品质和部品细节，加之经过10余年的市场推广，中空玻璃和Low-E玻璃的优良性能已被市场所认识和接受。中空玻璃进入寻常百姓家，不仅是节能的需要，更是提高人们生活品质的需要。 1建筑节能形势与政策 1.1减少门窗能耗，提高建筑节能水平 随着社会经济发达程度的提高，建筑能耗在社会总能耗中的所占比例越来越大，目前西方发达国家为30％～45％，尽管我国经济发展水平和生活水平都还不高，但这一比例已达到20％～25％，正逐步上升到30％。在一些大城市，夏季空调已成为电力高峰负荷的主要组成部分。不论西方发达国家还是我国，建筑能耗状况是牵动社会经济发展全局的大问题。按照1986年制定的我国建筑节能分三步走的计划，当前政府各级节能管理部门为了启动第三步节能65％的目标，正在积极地进行标准编制工作。而在影响建筑能耗的门窗、墙体、屋面、地面四大围护部件中，门窗的绝热性能最差，是影响室内热环境质量和建筑节能的主要因素之一。就我国目前典型的围护部件而言，门窗的能耗占建筑围护部件总能耗的40％～50％，其能耗是墙体的4倍、屋顶的5倍、地面的20多倍。我国既有建筑面积约400亿m2，95％以上是高能耗建筑，而透过门窗的能耗则占到了整个建筑的一半，堪称耗能大户。能耗比同等气候条件下的发达国家高2倍。如果按照我国现有发展的趋势，2020年以后，建筑耗能将超过我国终端能耗的1/3，
生产工艺流程图和工艺描述
生产工艺流程图和工艺描述 香肠工艺流程图 辅料验收原料肉验收 原料暂存肥膘解冻 精肉解冻水切丁辅料暂存分割热水漂洗1 漂洗2 加水绞肉 肠衣验收、暂存（处理）灌装、结扎 （包括猪原肠衣和蛋白肠衣） 咸水草、麻绳验收、暂存浸泡漂洗3 冷却 内包装 装箱、入库 出货
香肠加工工艺说明 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 原料肉验收、暂存化验室、仓库 按照原料肉验收程序进行，并要求供应商 提供兽药残留达标保证函及兽医检疫检 验证明 辅料验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肥膘验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肠衣验收化验室按验收规程进行验收 肠衣处理腊味加工间天然猪肠衣加工前需用洁净加工用水冲洗，人造肠衣灌装前需用洁净加工用水润湿 咸水草、麻绳 验收 化验室按验收规程进行验收暂存仓库 浸泡腊味加工间咸水草、麻绳加工前需用洁净加工用水浸泡使之变软 解冻解冻间肉类解冻分 割间 ≤18℃、18～20h恒温解冻间空气解冻 分割分割台、刀具肉类解冻分 割间 将原料肉筋键、淋巴、脂肪剔除、并分割 成约3cm小肉块 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 漂洗2 水池肉类解冻分 割间 加工用水漂洗，将肉的污血冲洗干净 绞肉绞肉机肉类解冻分 割间 12℃以下，采用Φ5mm孔板 肥膘切丁切丁机肉类解冻分 割间 切成0.5cm长的立方
漂洗1 水池肉类解冻分 割间 水温45－60℃，洗去表面游离油脂、碎肉 粒 灌装、结扎灌肠机香肠加工间按产品的不同规格调节肠体长度，处理量800~1200kg/h ，温度≦12℃ 漂洗3 水池香肠加工间水温45～60℃，清洗肠体表面油脂、肉碎 冷却挂肠杆预冷车间12℃下冷却0.5～1小时，中心温度≦25℃ 内包装真空机、电子 秤、热封口机 内包装间 将待包装腊肠去绳后按不同规格称重，装 塑料袋、真空包装封口 装箱、入库扣扎机、电子 秤 外包装间、成 品仓库 将真空包装的产品装彩袋封口，按不同规 格装箱、核重、扣扎放入成品库并挂牌标 识。
集成电路制造工艺流程之详细解答
集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
中空玻璃施工工艺
本工艺标准适用于工业与民用建筑平板、压花、磨砂、吸热、热反射、中空、夹层、 夹丝、钢化、彩色玻璃及玻璃砖等玻璃安装工程。 2.1 材料及主要机具：玻璃和玻璃砖的品种、规格和颜色应符合设计要求，其质量应 符合有关产品标准。 2.1.1 玻璃：平板、夹丝、磨砂、彩色、压花、吸热、热反射、中空、夹层、钢化、 玻璃砖等品种、规格按设计要求选用； 采光天棚玻璃，如设计无要求时，宜采用夹层、夹丝、钢化以及由其组成的中空玻 璃。 2.1.2 油灰（腻子）：可直接在市场上买到成品；也可参照下列配合比自行配制： 大白粉（碳酸钙） 100 混合油 13?14 其中混合油配合比： 三线脱蜡油 63 熟桐油 30 硬脂酸 2.10 松 香 4.90 鉴别油灰的技术性能可参照下列指标检查： 2.1.2.1 外观：具有塑性、不泛油、不粘手等特征，且柔软、有拉力、支撑力，为灰白 色的稠塑性固体膏状物。 硬化：油灰涂抹后，常温应在 20 昼夜内硬化； 延展度： 55 ? 66mm ； 耐 热：60 C 每次6小时，反复5次不流、不淌、不起泡； 粘结力：不小于 00.5MPa 。 其他材料：红丹、铅油、玻璃钉、钢丝卡子、油绳、橡皮垫、木压条、煤油 主要机具；工作台、玻璃刀、尺板、钢卷尺 （ 3m ）、木折尺、克丝钳、扁铲、 油灰刀、木柄小锤、方尺、棉丝或抹布、毛笔、工具袋、安全带等设备。 2.2 作业条件： 2.2.1 玻璃应在内外门窗安装后，经检查合格，并在涂刷最后一道油漆前进行安装。 玻璃隔断的玻璃安装，也应参照上述规定进行安装。 2.2.2 钢门窗花正式安装玻璃前，要检查是否有扭曲及变形等情况，应整修和挑选 后，再安装玻璃。 2.2.3 玻璃安装前应按照设计要求的尺寸并参照实测尺寸，预先集中裁制，裁制好的玻 璃，应按不同规格和安装顺序码放在安全地方备用。 对于集中加工后进场的半成品，应有针对性的选择几樘进行试安装，提前核实来料的 尺寸留量，长宽各应缩小 l 个裁口宽的四分之一（一般每块玻璃的上下余量 3mm ，宽窄余 量 4mm ），边缘不得有斜曲或缺角等情况，必要时应做再加工处理或更换。铝合金框、扇 玻璃裁割尺寸应符合国家标准，并满足设计及安装要求（详见铝合金框、扇玻璃安装工 艺）。 2.2.4 由市场买到的成品油灰，或者使用熟桐油等天然干性油自行配制的油灰，可直 接使用；如用其他油料配制的油灰，必须经过试验合格后方可使用，以防造成浪费。 3.1 工艺流程： 玻璃挑选、裁制f 分规格码放f 安装前擦净f 刮底油灰f 镶嵌玻璃f 刮油灰，净边 2.1.2.2 2.1.2.3 2.1.2.5 2.1.2.6 2.1.3 2.1.4
最全的焦化厂生产工艺流程【最新版】
最全的焦化厂生产工艺流程 焦化厂总工艺流程图从5个方面带你进入焦化厂工艺流程现场一原料二备煤工艺三炼焦工艺四化工生产工艺五化工产品一原料--煤煤炭是炼焦的主要原料，根据成煤条件不同，自然界的煤可分为三大类，即腐植煤、残植煤和腐泥煤。腐植煤在自然界中分布最广，储量最大，在煤炭利用和化学加工方面占有主要的位置。煤炭分类及参数示例如下表: 二备煤工艺 1备煤流程--备煤作业区操作完成备煤:对进厂的洗精煤进行处理，以达到炼焦要求，通常把原料煤在炼焦前进行的工艺处理过程称为备煤工艺过程。达到炼焦要求之后，通过皮带被输送到煤塔供炼焦作业区使用。 流程:洗精煤(2设备图解 螺旋卸车机 煤场和堆取料机卸料--汽车来煤自卸车直接入卸煤槽，非自卸车采用桥式螺旋卸车机卸车，卸约800吨/小时精煤堆场--煤场贮煤面积~34000m2，7.4万吨精煤储存量，约为炼焦17天的用煤量;堆场设
两台DQ3025型堆取料机，单台堆料能力为600t/h,取料能力300t/h,煤场设推土机库，辅助堆取料机作业。在精煤煤场设有喷洒水和喷洒覆盖剂装置, 可防止煤尘飞扬造成对周围环境的污染。 配煤仓 煤塔配煤--按比例配合不同煤种, 使配合煤达到符合炼焦用煤的要求, 配煤仓为直径8米的双曲线斗嘴仓7个。每个仓的储量约为500t。煤仓双曲线钢漏斗内衬超高分子塑料板,防止棚料。仓下配煤设备采用配料稳定, 配比准确, 自动化程度高的电子自动配料秤,系统控制为PLC控制。粉碎--选用可逆反击锤式粉碎机PFCK两台, 其单台破粹能力为250t/h,一开一备。该粉碎机是在吸收德、日同类设备先进技术开发而成, 具有破碎比大、能力大、转速低、粉尘少、对煤的水分适应性强等优点;采用液力偶合器,能有效防护过载且能软启动;机体外壳开闭与反击板调节均采用液压装置,检修及更换锤头方便;采用组合式锤头, 使用寿命长,维护、检修费用低, 节约生产成本。3配煤工艺、配合煤指标配煤炼焦--是把几种牌号不同的单种煤按-定的比例配合起来炼焦。为什么要配煤?主要原因如下:a、节约优质炼焦煤，扩大炼焦煤源;b、充分利用各种煤的结焦特性取长补短，改善冶金焦炭质量;c、也能合理利用煤炭资源，在保证焦炭质量的前提下，增加炼焦化学产品的产率和炼焦煤气的发生量;d、充分利用本地资源，因地制宜发展焦化企业。配煤工艺--包括两种:即先粉后配
中空玻璃生产流程及所需要设备
鲁艺技术部介绍中空玻璃生产流程及所需要设备： 中空玻璃的应用逐步广泛，很多人对中空玻璃生产工艺流程不太了解，下面鲁艺技术部人员为我们简单介绍一下工艺流程及各流程需要用到的设备。 一、单片玻璃 1.玻璃切割设备 玻璃的切割设备应将所用玻璃按其尺寸、形状进行切割成形。玻璃的切割精度和边部质量必须达到标准和合同规定的要求，切割设备可以是切割尺、切割样板、切割机。 2.玻璃磨边设备 玻璃磨边设备应能将玻璃切割后产生的锋利边沿和微裂纹磨削，并保证玻璃尺寸和边部质量符合标准。 3.玻璃清洗干燥设备 玻璃的清洗机应能保证玻璃的表面和周边被清洗干净并使玻璃表面被干燥，经洗涤后的玻璃表面不允许产生划伤、破痕、水渍等缺陷。清洗机可以水平放置，也可以是立式清洗机。 二、涂丁基胶 4.丁基胶涂布机 丁基胶涂布机应能保证出胶均匀，不漏胶、不断胶，能使挤出的丁基胶条均匀涂布在间隔条上。 三、上胶条
5.铝条切割设备 铝条切割设备应能保证铝条切割后，切口平滑、无毛刺、不变形。 6.分子筛灌装设备 分子筛在使用时必须相对密封。灌注分子筛的成框必须在45分钟内合片使用。分子筛灌装设备应能顺利将分子筛灌入铝条内部，并能保证分子筛的密封要求； 四、合片阶段 7.合片设备 中空玻璃生产线合片设备应满足以下要求： (1)应能保证丁基胶或其他形式的间隔条与玻璃均匀、紧密粘结； (2)应能将玻璃、间隔框（条）准确定位； (3)合片压力应均匀作用在玻璃板面上； 五、涂密封胶 8.二道密封胶打胶设备 双组份密封胶打胶机应能保证按要求的混合比例稳定可调、充分均匀混合；单组份打胶机出胶应均匀；胶枪易清洗、存放。涂胶后的中空玻璃，应逐片隔开静置固化，固化后才能包装、搬运。 9.复合胶条热压设备 复合胶条热压设备应能按要求进行加热，温度、传输速度、压合厚度可调。复合胶条中空玻璃热压后的封口必须紧密粘接，不得留有气泡和气道。
晶圆生产工艺流程介绍
晶圆生产工艺流程介绍 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 （1）常压CVD(Normal Pressure CVD) （2）低压CVD(Low Pressure CVD) （3）热CVD(Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD(Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD(Metal Organic CVD)&分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘(pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱 9、退火处理，然后用HF去除SiO2层 10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。 14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。 16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、?镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。 （2）真空蒸发法（Evaporation Deposition） （3）溅镀（Sputtering Deposition） 19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性
中空玻璃生产工艺流程
中空玻璃生产工艺流程 主要生产设备：1.砂带磨边机2.玻璃运输机3.玻璃清洗烘干机4.玻璃检查运输机5.铝框定位机6.玻璃合片机7.翻转运输机8.旋转涂胶台9.双组份打胶机10.中空玻璃专用充气机11.成品玻璃输送车12.半自动铝条折弯机13.自动分子筛罐装机14.丁基胶涂胶机15.半自动铝框输送机 随着国内玻璃加工行业的发展以及人们对中空玻璃的优点性 能认识的不断深入，中空玻璃的应用范围在不断扩大，除在玻璃幕墙、汽车、飞机等方面得到广泛应用外，目前已开始进入寻常百姓家。这主要是由于中空玻璃的应用能改善建筑物的隔热和隔音效果的同时，简化了空调等通风保暖设施的结构设计，这不仅降低了建筑装饰费用而且实际增加了建筑物内的有效实用空间。 中空玻璃的应用在不断的扩大，人们对中空玻璃的质量要求也越来越高，如何把握市场的发展机遇，提供优质可靠的中空玻璃已成为中空玻璃生产厂家研究关心的问题。本文将对中空玻璃基本的加工工艺过程进行简要分析。 首先介绍中空玻璃的种类及中空玻璃国家标准中的五项指标： 一、分类： 目前国内市场上有两种中空玻璃 1、槽铝式中空玻璃：此种中空玻璃80年代引入，相对成熟些，但是加工工艺较复杂。
2、胶条式中空玻璃：此种中空玻璃在国内刚刚起步，但是制造工艺简单，因此应用范围广，推广很快。 二、中空玻璃的国家标准中的五项指标： 1、初始露点 2、密封试验 3、紫外线照射 4、高温高湿 5、气候循环试验 根据国家检测标准，如何安排我们的生产，才能达到中空玻璃的要求呢？由于两种中空玻璃在工艺流程上有很多相似之处，现就他们的共同的工艺流程进行简析。 1、玻璃切割下料： 原片玻璃一般为无色浮法玻璃或其它彩色玻璃，遮阳玻璃、钢化玻璃、夹层玻璃，厚度一般为3-12MM，上述玻璃必须符合GB11614中一级品、优等品的规定，经检验合格后方可使用。玻璃切割可由手工或机器进行，但应保证合乎尺寸要求。此道工序工人在操作过程中，应随时注意玻璃表面不得有划伤，内质均匀，不得有气泡、夹渣等明显缺陷。 2、玻璃清洗干燥：
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以
0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold） 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于
LOW-E中空玻璃加工流程
5.方茴说：“那时候我们不说爱，爱是多么遥远、多么沉重的字眼啊。我们只说喜欢，就算喜欢也是偷偷摸摸的。” 6.方茴说：“我觉得之所以说相见不如怀念，是因为相见只能让人在现实面前无奈地哀悼伤痛，而怀念却可以把已经注定的谎言变成童话。” 7.在村头有一截巨大的雷击木，直径十几米，此时主干上唯一的柳条已经在朝霞中掩去了莹光，变得普普通通了。 8.这些孩子都很活泼与好动，即便吃饭时也都不太老实，不少人抱着陶碗从自家出来，凑到了一起。 9.石村周围草木丰茂，猛兽众多，可守着大山，村人的食物相对来说却算不上丰盛，只是一些粗麦饼、野果以及孩子们碗中少量的肉食。 LOW-E中空玻璃的加工流程： 1、高品质浮法玻璃原片的生产------- 2、按工程所需尺寸切磨加工------- 3、强化热浸处理------- 4、镀膜------- 5、中空合片 1、生产高品质的玻璃原片 所有用于深加工的玻璃基片均采用新鲜的、高品质的浮法玻璃。从而为玻璃的镀膜、钢化、中空、夹层、制镜等深加工提供了可靠的质量保证，并对浮法玻璃原料进行严格而有效的控制，防止浮法玻璃含有硫化从而减少钢后自爆的可能性。 2、按工程所需尺寸进行切裁、磨边 严格按照图纸玻璃尺寸选用最新鲜的玻璃原片进行切裁加工，全部采用进口全自动玻璃切割线--保特罗进行高精度切割，尺寸误差可以控制在0.1mm以为。再用进口磨边机来保证玻璃边部的平滑，美观。 3、将切磨后的玻璃进行强化热浸处理 在切磨程序后，将玻璃转到下一制程钢化：引进芬兰TAMGLASS 等世界先进的钢化设备采用水平对流加热方式，最大限度减少钢化玻璃应力，确保了钢化及半钢化玻璃的表面应力均匀，平整度更好。对于光学变形的控制，将以最专业的加工控制流程来保证高品质玻璃的生产。 4、镀膜 1.“噢，居然有土龙肉，给我一块！” 2.老人们都笑了，自巨石上起身。而那些身材健壮如虎的成年人则是一阵笑骂，数落着自己的孩子，拎着骨棒与阔剑也快步向自家中走去。
中空玻璃生产工艺流程
中空玻璃生产工艺流程 要生产设备：1.玻璃切割机2.玻璃磨边机3.玻璃清洗烘干机4.玻璃检查运输机5.铝框定位机6.玻璃合片机7.翻转运输机8.旋转涂胶台9.双组份打胶机10.中空玻璃专用充气机11.成品玻璃输送车12.铝条折弯机13.自动分子筛罐装机14.丁基胶涂胶机15.半自动铝框输送机 着国内玻璃加工行业的发展以及人们对中空玻璃的优点性能认识的不断深入，中空玻璃的应用范围在不断扩大，除在玻璃幕墙、汽车、飞机等方面得到广泛应用外，目前已开始进入寻常百姓家。这主要是由于中空玻璃的应用能改善建筑物的隔热和隔音效果的同时，简化了空调等通风保暖设施的结构设计，这不仅降低了建筑装饰费用而且实际增加了建筑物内的有效实用空间。 空玻璃的应用在不断的扩大，人们对中空玻璃的质量要求也越来越高，如何把握市场的发展机遇，提供优质可靠的中空玻璃已成为中空玻璃生产厂家研究关心的问题。 先介绍中空玻璃的种类及中空玻璃国家标准中的五项指标：
、分类： 前国内市场上有两种中空玻璃 、槽铝式中空玻璃：此种中空玻璃80年代引入，相对成熟些，但是加工工艺较复杂。 、胶条式中空玻璃：此种中空玻璃在国内刚刚起步，但是制造工艺简单，因此应用范围广，推广很快，但中空密封效果不佳。 、中空玻璃的国家标准中的五项指标： 、初始露点 、密封试验 、紫外线照射 、高温高湿
、气候循环试验 中空玻璃加工工艺 据国家检测标准，如何安排我们的生产，才能达到中空玻璃的要求呢？由于两种中空玻璃在工艺流程上有很多相似之处，现就他们的共同的工艺流程进行简析。 、玻璃设计优化及切割下料： 原片玻璃一般为无色浮法玻璃或其它彩色玻璃，镀膜玻璃，Low-E玻璃、钢化玻璃、夹层玻璃，厚度一般为3-12MM，上述玻璃必须符合GB11614-2002《浮法玻璃》中一级品、优等品的规定，经检验合格后方可使用。首先根据用户订单设计合理的加工程序，对玻璃进行优化，制作下料单，选择尺寸合适的玻璃原片并在下料单注明所选玻璃原片的尺寸，避免浪费。玻璃切割可由手工或机器进行，但应保证合乎尺寸要求。此道工序工人在操作过程中，应随时注意下料尺寸，使用易挥发、易清洗的切割油，注意玻璃表面不得有划伤，内质均匀，不得有气泡、夹渣等明显缺陷，加工精度应满足中空玻璃尺寸精度、对角线精度和边部质量的要求。并对切割好的玻璃按尺寸分拣好，装到运了车上，送到玻璃磨边机旁边。
晶圆生产工艺与流程介绍
晶圆生产工艺与流程介 绍 文件编码（008-TTIG-UTITD-GKBTT-PUUTI-WYTUI-8256）
晶圆的生产工艺流程介绍从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长-->晶棒裁切与检测-->外径研磨-->切片-->圆边-->表层研磨-->蚀刻-->去疵-->抛光-->清洗-->检验-->包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（MeltDown） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（NeckGrowth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（CrownGrowth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12寸等）。 4）.晶体成长（BodyGrowth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）.尾部成长（TailGrowth）
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting&Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（SurfaceGrinding&Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。4.切片（WireSawSlicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（EdgeProfiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7.蚀刻（Etching）
晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。 （1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘(pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱 9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、濺镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um 。 （2）真空蒸发法（Evaporation Deposition ） （3）溅镀（Sputtering Deposition ） 19、光刻技术定出VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD 位置 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip 的完整和连线的连接性