模拟电子技术基础课后答案解析谢志远说课材料
第二章
2.1 U U AB 45.0=。
2.2 （a ）2D 导通，1D 截止。（b ）2D 导通，1D 截止。（c ）1D 导通，2D 截止（d ） 2D 导通，1D 截止。
2.4 （a ） 1.3V U =o1。（b ）0V U =o2。（c ） 1.3V U =-o3。（d ）2V U =o4（e ） 1.3V U =o5。（f ）2V U =-o6。
2.5 （1）DB 0I =；DA R 1mA I I ==；9U =o V 。（2）DB 0I =；DA R 0.6mA I I ==； 5.4U o =V 。
（3） 4.74U o =V ；0.53mA I ≈R ；1
0.26mA 2
I I I =≈D A D B R =。
2.6 （a ） D 截止。（b ） D 截止。（c ）D 导通。
2.8 （1）10V U =I 时
3.3V U =O 。15V U =I 时5V U =O 。35V U =I 时6V U =O 。
（2）若U I =35V 时负载开路，稳压管D 可能被击穿。R 35V -6V
29mA >25mA 1k I ==Ω
稳压管
会因所承受的反向电流过大，出现热击穿而被烧毁。
第三章
3.1 （1）（a ）电流方向向外，大小为1.01mA ；(b)电流方向向外，大小为5mA 。
(2) （a ）1mA 10010A β==μ;（b ）5mA
50100A β==μ。
（3）（a ）该管为NPN 型；（b ），该管为PNP 型。
3.2 （a ）为PNP 型；（b ）为NPN 型；（c ）为NPN 型；（d ）为PNP 型；（e ）为PNP 型；（f ）为NPN 型。
3.4 （a ）不能正常放大。（b ）无交流放大作用。（c ）能够实现交流放大。（d ）不能实现交流放大。（e ）不能实现交流放大。（f ）电路能够正常放大。
3.5 （1）BEQ 0.7V U =；BQ 50I =μA ；CQ I =2m A ；CEQ 6V U =。
3.6 （1）当BQ 0.3mA I =时，1Q 的150β=；2Q 点的225β=。（2）
(BR)CEO 40V U =；CM 7.2W P = 3.7 （a ）三极管工作在截止区。（b ）三极管工作在放大区。（c ）三极管工作在饱和区。
3.8 （1）CC B BQ 12V
200k 60V R I ==ΩB μA 。
（2）CC 12V V =，CEQ 4V U =，CQ 2mA I =，C 4k R =Ω，B 300k R =Ω，L 1.33k R =Ω。om 2V u =。 3.9 （1）c 2.5k R =Ω，b 250k R =Ω， L 3.75k R =Ω。
（2）、该电路先出现截止失真。刚出现失真时，输出电压的峰-峰值为6V 。 （3）i 863R =Ω，u 87A ≈-，o 2k R =Ω。
（4）BQ 40A I =μ，CQ =1mA I ，CEQ 7.5V U =，u 42.8A ≈-。
3.10 （1）BQ 20.4I =μA ，EQ 2mA I ≈，CEQ 4V U =-。（2）be 1513r =Ω。 （3）u 99A =-，i 1.5k R =Ω，o 3k R =Ω。
（4）产生了截止失真；若使截止失真消失，应该提高静态工作点，减小偏置电阻b R 。 3.11 （a ）BQ 46.3μA I ≈，20℃时电路的静态工作点：CQ1=2.3mA I ，CEQ1 5.56V U ≈； 55℃时电路的静态工作点：CQ2=3.2mA I ，CEQ23V U ≈。
（b ）BQ =3V U ，CQ 2.4mA I ≈。20℃时电路的静态工作点：BQ148I =μA ，CEQ1 5.28V U =； 55℃时电路的静态工作点：BQ234.3
I =μA ，CEQ2CEQ1 5.28V U U ==。 从以上分析可知，分压式偏置电路能够起到稳定静态工作点的作用。
3.12 （1）BQ 3.3V U =，CQ EQ 2mA I I ≈=，BQ 20I =μA ，CEQ 7.4V U =。 （2）u 7.9A =-，i 3.7k R ≈Ω，oc 5k R =Ω。
（3）BQ =3.3V U ，CQ EQ 2mA I I ≈=，CEQ 7.4V U =不变，BQ 10I =μA 。 （4）若电容e C 开路， c L
u be e e (1)()
R R A r R R ββ-=
'''+++将变小，i b1b2be e e [(1)()]
R R R r R R β'''=+++将变大，输出电阻o R 基本不变。
3.13 （1）CEQ 5.19V U =，CQ 2.27mA I =（2）1C 右为正，2C 左为正。 （3）当环境温度发生改变时：
T ↑→C I ↑→C
R U ↑BE U ( 不变）B
R U →↓→B I ↑→C I ↓
3.14 （1）B 550R =Ωk （2）E R 短路时， BQ
79I =μA ，CQ 3.95m I =A ，CEQ 20V U =-。
3.15 （1）BQ 0.275mA I =，当20β=时，有CQ 5.5mA I =，CEQ 8.5V U =。
(2) u 0.855A =-，i 7.93k R =Ω，o C 1k R R ≈=Ω。
（3）当稳压管反接时， BQ D BEQ 1.4V U U U =+=，BQ 0.717mA I =，CQ 14.34mA I =，CEQ =4.96V U ；u 15.84A =-，i 1.14k R =Ω，o C 1k R R ≈=Ω。
3.16 （1）CC BEQ
BQ c1+c2b1b2(1)()()
V U I R R R R β-=+++；CQ BQ I I β=。
（2）c b1L o
u i be
()R R R u A u r β=
=-；i b2be be R R r r =B ；o c R R =。 3.17 （1）BQ 4.3V U ≈，CQ EQ 1.8mA I I ≈=，BQ 18μA I ≈，CEQ 2.8V U =，be 1.66k r =Ω。 （3）u 1A ≈，i 7.9k R ≈Ω，us 0.8A =，o 32R ≈Ω。
3.18 （1）BQ 2.8V U ≈，CQ EQ 1mA I I ≈=，BQ 5
I =μA ，CEQ 5V U =。 （2）u10.98A '≈-，u20.99A '≈。（3）u10.5A ≈-，u20.97A '≈。
3.19 be
be B2E L B3
i be
B3
[(1)]()1r r R R R R R r R β+++
'=
+P P ，i B1i R R R '=P ；
be B3B1o ()
1r R R R β
+'=
+，o B2E o R R R R '=P 。
3.20 u 77A ≈，us 5.7A ≈，i 12R ≈Ω，o c 2k R R ≈=Ω。 3.21 u 273A ≈，i 27R ≈Ω，o C 7.5k R R ≈=Ω。
3.22 （1）BQ 5V U =，CQ EQ 10mA I I ≈=，BQ 0.2m I =A ，CEQ 10V U =。 （2）最大不失真输出电压的幅值为5V 。 （3）u 75A =， i 6.4R =Ω，o C 500R R ≈=Ω。
3.23 （1）um 100 A =-，L 10Hz f =，5H 10Hz f =。（2）u 510(1)(1)
1010
jf
A f f j j -=++&。
3.24 （1）um 100A =-&，L
10Hz f =，5H 10Hz f =。
第四章
4.1 （a ）P 沟道耗尽型MOS 管；（b ）N 沟道耗尽型MOS 管；（c ）P 沟道结型FET 。 4.2 （a ）N 沟道增强型MOS 管，GS(th)2V U =；（b ）P 沟道增强型MOS 管，GS(th)3V U =-；（c ）N 沟道结型FET ，GS(off)3V U =-。
4.3 （a ）截止区；（b ）饱和区；（c ）可变电阻区；（d ）饱和区。 4.4 D 1mA I ≈。
4.5 （a ）能；（b ）不能，GS 0U =没有形成导电沟道，所以不能正常放大；（c ）不能，因为GS 0U >；（d ）不能，因为缺少漏极电阻D R 。
4.6 GSQ 1.53V U =-，DSQ 7.41V U =，DQ 1.53mA I =。
4.7 GSQ 3V U =，DSQ 1.4V U =，DQ 0.36mA I =，管子工作在可变电阻区。 4.8 GSQ 2.25V U =，DSQ 4.75V U =，DQ 0.25mA I =，D 10K ΩR =。
4.9 （2）最大不失真幅度为4.6V 。
4.10 （1）GSQ 2V U =，DSQ 3V U =，DQ 0.1mA I =。（2）u 2A =-，i 36K ΩR =，o 20K ΩR = （3）us 1.89A =-
4.11 u 1.67A =-，i 1075K ΩR =，o 10K ΩR =。 4.12 u 25A =-，i 2M ΩR =，o 10K ΩR =。
4.13 L R 接入时：u 0.909A =；L R 断开时：u 0.952A =；1018.75K Ωi R =；o 476R ≈Ω。 4.14 （1）GSQ 2V U =-，DSQ 6V U =，DQ 2mA I =。（2）u 5A =，i 333R ≈Ω，o 5K ΩR =。 4.15 u 5A =，i 667R ≈Ω，o 10K ΩR =。
4.16 （1）GSQ 1.24V U =-，DSQ 17.52V U =，DQ 1.24mA I =。（3）中频放大倍数为1.7008，通频带为458.74MHz ，输入电阻为999.997K Ω，输出电阻为1.998K Ω。
第五章
5.1 （1）直接，变压器，光电。（2）负载，信号源内阻，小于AB 。（3）共集电极，共发射极，共发射极，共集电极。（4）偏置电路，有源负载。（5）温度变化，差分式放大。（6）差，算术平均值，5V ，0.5V ，差模，共模。（7）输入，输出。（8）直接，电流源，差分式，共射极，互补输出。
5.2 （1）图（a ）：
{}32be232be1132be221u )1()1(])1([R r R r R R r R A ββββ+++?+++-=∥&，be11i r R R +=，22be23
o 1β++=R r R R ∥； 图（b ）：
)())(1())(1(be242be2321be1be2321u
r R r R R r r R R A βββ-?+++=∥∥∥∥&，)])(1([be2321be11i r R R r R R ∥∥∥β++=， 4o R R =； 图（c ）：
{}])1([])1([d
2be23
2be11d 2be221u
r r R r R r r R A ββββ++-?+++-=∥&，be11i r R R +=，3o R R =； 图（d ）：
)()]([2
be 82be2
764m r R r R R R g A u β-?-=∥∥∥&，213i R R R R ∥+=，8o R R =。 （2）第一级产生的是饱和失真，增大电阻1R （降低静态工作点）；第二级产生的是截止失
真，减小电阻2R 。
5.3 （1）Q 1：BQ1 2.9V U ≈，EQ1 2.2V U =，CQ1EQ1 0.5mA I I ≈≈,BQ1 10μA I =，CEQ17.75V U ≈； Q 2：BQ2b2BQ2BEQ C 2e2C (1)
I R R V U I β?++?=+，BQ239.4μA I =，CQ22mA I ≈，CEQ29V U =。 （2）be1 2.85k r =Ω，be2863r =Ω 。
（3）i 7.2k ΩR ≈，i2 56.5k ΩR =，o 200R ≈=Ω，u132.55A ≈-，u20.99A ≈ ，u 32.2A ≈-。 5.4 L 155HZ f ≈，H 12.86kHZ f ≈。
5.5 （1）u 532
10(1)(1j )
j 10
A f f -=
++ 5.6（1）图（a ）O 1.=43mA I ；图（b ）REF 1.3mA I =，O 650μA I =。 (2) REF 1.43mA I =，e2 5.6k ΩR ≈ 。
5.7 T 3管的接入可以减小基极电流对集电流的影响，减小输出电流与参考电流之间的镜像 误差。
=10β，R O EF 0.982I I =；=100β，R O EF 0.9998I I =。 5.8 REF 100μA I =，C1C2REF 00μA 1I I I ==≈。 5.9 O10.mA 17I =，O20.mA 34I =。 5.10 电流源作有源负载，C20A .5m I ≈。
5.11（1）静态工作点：BQ1BQ218.8μA I I ==，CQ1CQ20.565mA I I ==，CEQ1CEQ212.05V U U ==。 （2） ud 9.2A =-，id 7.86k ΩR =，od c 2 2.4k ΩR R ==。
5.12（1) EQ1EQ2
0.57mA I I ==，CQ1CQ2EQ10.57mA I I I ≈==，CEQ1CEQ2 6.9V U U ==，BQ1BQ27μA I I ==，be 3.9k Ωr =。
(2) ud 23.5A =-，id 34.1k ΩR =，od =20k ΩR 。
5.13 （1）c W b d e u 1()2R A R r β+=-&。（2）c W b d e u 1
()
2R A R r β+=-&。（3）ud A &相同，但是对于（2）时，C1C2U U ?>?。
5.14 （1）CQ1CQ20.565mA I I ≈=，BQ1BQ27μA I I =≈，CEQ1 3.9V U =，CEQ27.05V U =，be 4k Ωr ≈。
（2）ud 22A ≈-&，id 18.2k ΩR =，od 10k R =Ω。（3）uc 0.25A ≈-，CMR 88K ≈。 5.15 （1）CQ1CQ20.38mA I I ≈=，BQ1BQ2 3.8μA I I =≈，CEQ1 5.1V U =，CEQ2 3.34V U =，be 7.2k Ωr =。
（2）ud 45.3A =，id 26.5k ΩR =，od C 20k R R ==Ω。（3） uc 0.4A ≈，CMR 113K ≈。 5.16 IC 15mV u =，Id 10mV u =，ud 66.7A ≈-，o 0.667V u =。
5.17 （1）T 3，R ，e R ，D 构成恒流源电路，为T 1、T 2提供射极电流。 （2）CQ1CQ21mA I I =≈，BQ1BQ220μA I I ==，CEQ1CEQ27.7V U U ==。 （3） ud
24.75A ≈-&，id 10.1k ΩR =，od
1k Ω0 R =。
5.18 m D ud 0=4A g R -=-&，id R =∞，od d
2k 40ΩR R ==。 5.19 (){}(){}
()()22be4445be55656
ud be1be2
be444
be556
//[1//[1]1(11])R r R R r R R A r r r R r R βββββββ+++++++++=-
+g
g ， i be1be2R r r =+，5
o 5be 65
//
1R r R R β+=+。 5.21 （1）I1u 为反相输入端，I2u 为同相输入端。
（2）作为T 1和T 2管的有源负载，将T 1管集电极电流变化量转化为电压输出，使单端输出差分放大电路的差模放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
（3）为T 6设置静态电流，并同时作T 6的集电极有源负载，增大共射放大电路的放大能力。
（4）消除交越失真。
5.22 （1）I1u 为反相输入端，I2u 为同相输入端。
（2）输入级采用复合管构成的差分式放大电路，中间级T 7、T 8 、T 9，T 7、T 8为射极输出器，提高输入电阻，T 9为共射电压放大。
（3）T 5、T 6构成电流源作T 2、T 3的有源负载。2I 、3I 、4I 分别为T 7、T 8 、T 9提供集电极电流，2I 、4I 同时作有源负载。
5.23 I 10μV u =时，o 1V u =；I 100μV u =时，o 10V u =；I 1mV u =时，o 14V u =+； I 1V u =时，o 14V u =+；I 10μV u =-时，o 1V u =-；I 100μV u =-时，o 10V u =-； I 1mV u =-时，o 14V u =-；I 1V u =-时，o 14V u =-。
第六章
一、1.B B 2.D 3.C 4.B 5. A B B A B 6.A B C D B A 7.B 8.B 9.A 10.B 11.D 二、1. × 2. √ 3. × 4. √
三、(a) 交直流负反馈，(b)直流负反馈，(c) f1R f2R 直流负反馈，e1R 交直流负反馈，(d)交直流负反馈。
四、(a)电压并联负反馈,输入电阻减小,输出电阻减小。闭环增益4R -，闭环电压增益4
1
R R -
， (b)电压串联负反馈，输入电阻增加，输出电阻减小。闭环增益等于闭环电压增益12
1
R R R +，
(c)电流串联负反馈，输入电阻增加，输出电阻增加。闭环增益
41
R ，闭环电压增益L 4
R R ， (d)电压串联负反馈,输入电阻增加,输出电阻减小。闭环增益等于闭环电压增益36
3
R R R +， (e)电流并联负反馈,输入电阻减小,输出电阻增加。闭环增益1，闭环电压增益
L
1
R R ， (f)电压并联负反馈,输入电阻减小,输出电阻减小。闭环增益f R -，闭环电压源增益f
s
R R -
。 五、1. []c be3e c3
125be1be3e
((1))2(1)o u u u i R r R u R A A A u R r r R ββββ++=
=?+++P ＝－。 2.开关闭合后，引入了电压串联负反馈。o s f uuf i s 312
53
u R R A u R ++====。 六、（2）f 190k R =Ω。
七、uuf uuf
d 0.1%A
A =。
八、=4kHz BW 。
九、2.最大环路增益为：18dB 。
第七章
1. (1)B (2)B (3)B (4)B D E (5)C (6)C (7)C 。
2. (1) om 2.07W P ≈。(2) B 1.57k ΩR ≈。(3) 24%η≈。
3. (1) om 9W P =，P CM ≥0.2 P om =0.2×9=1.8W ，│U (BR)CEO │≥2V CC =24V 。
(2) V 11.46W P =，8.49V i U ≈。
4. (1)输出功率为：o 4W P =，总管耗为：T =2.75W P ，直流电源供给的功率为：
V 6.75W P =，电路的效率：=59.2%η。
(2)输出功率为：W 03.72L 2
om o ==R U P ，总管耗为：W 93.12π2=L 2
om L om CC T =-R U
R U V P ，直流电源供
给的功率为： W 96.8π2L
om CC V ==R U
V P ，电路的效率：78.5%η≈。
(3)当输入信号幅值U im =V CC =20V 时，电路的输出会发生失真。 5. (1)om 24.5W P = ，68.69%η≈。(2) Tmax 4.9W P =。 6. (1) 最大不失真输出电压有效值为：o 8.65V U ≈。 (2)负载电流最大值为：A 53.1L
4CES
CC Lmax ≈+-=
R R U V i 。
(3) om 9.35W P ≈，64%η≈。
7. (1)电路的输出功率为：o 12.5W P =，直流电源供给的功率为：V 22.5W P ≈，总管耗为：T 10W P =，效率为：55.6%η≈。
(2)该电路的最大不失真输出功率为：om 20.25W P =，直流电源供给的功率为：
V 28.66W P =，效率为：70.7%η≈，所需的U o3的有效值为：o312.73V U =。
8. (1)静态时，电容C 两端的电压应是V CC /2。 (2) V CC =24V 。 (3)应调整电阻R 3,使该电阻增大，从而消除交越失真。
9. (1) om 10.6W P ≈。(2)应引入电压串联负反馈。(3)Ω=k 98f R 。
10. (1)R 3、R 4和T 3组成“U BE 扩大电路”，用以消除交越失真。调节R 3/R 4的值，可以改变U CE3的值。若电路出现交越失真，增大R 3/R 4（U CE3）的值，使输出管在静态时处于微导通，便可消除信号在零点附近的交越失真现象。
(2)当电路输出电流过大时，D 1、D 2可起到过载保护作用。
11. (1)O 7.2W P =，%8.62V O ≈=P P
η。 (2) 3AD1的定额未超过，可以使用。
12. (1) 该电路属于OCL 电路。(2)om 14.06W P =。(3) 78.5%η≈。 13. (1)静态时，P N 12V u u ==，O 0V u =。(2)最大输出功率和效率分别为：
om 5.06W P ≈，58.9%η≈。
第八章
1. V 61o =U ，V 62o =U ，V 2o3=U 。
2. （1）V 4o -=U 。（2）o 4V U =-。（3）V 14o -=U 。（4）o 8V U =-。
3. （1）k 1f o 1U R R U ????
?
?+=。（2）o 4.5V U =。 4. （1）当滑动端在最上端时， o 2V U =-。（2）当滑动端在中间位置时， o 4.5V U =-。 （3）当滑动端在最下端时，若输入为正，输出电压为12V ，若输入为负，输出为-12V 。 7. （1）o -0.05mV U =。（2）o 4.675mV U =。（3）共模抑制比为：189.5CMRR = 8. 1i 211
2i 211
o 1U R R R U R R R U +-???
? ?
?++=。
9. （1）这是一个积分运算电路。 10. （1）2o1i 1
R u u R =-
，t u
C R u d d i 12o -=。（2）i 12i 1o d d 2u R R t u C R u +-=。
11. （1）该电路特点为高输入阻抗，高共模抑制比，高增益。 （2）???
?
?
?+==
12
34i o d 21-R R R R U U A u （3）调整3R ~6R 中的一个或多个，使
5
6
34R R R R ≠
，即可改变放大器的共模抑制比。 （4）首先在输入端加入差模信号，测得输出电压，代入公式求得差模放大倍数od A ，再在输入端加入共模信号，测得输出电压，代入公式求得共模放大倍数oc A ，则可得oc
od
CMR A A K =。 12. ① 1A 组成对数电路，2A 组成反相输入比例电路，3A 组成指数电路。 ② 1s 1T 1o ln
R I u u u -=，1o 232o u R R u -=，1s 1T 232ln R I u
u R R u o =，231s 14s o /R R R I u R I u ???
? ??-=。 13. o i d u u t =-?
。 14. （2）()2
i 1
i f o 10Ru u R R u +-
=。
15. ???
? ??++-=3i 2342
i 24i 14o u k R R ku R R u R R u 。 16. （1）V U 7A =,B 4U V =，C 1U V =, V U 2D -=，V 4o -=U 。（2）s 0286.0=t 。
17. i o u S S S u 3232221++=，为二阶高通滤波电路；i o u S S S
u 323222++-=，为二阶带通滤波
电路；i o u S S u 3
232
2
3++=
，为二阶低通滤波电路。 18. (2) ()1V A j ω=， )arctan(2RC ωπ?--=，?变化范围为ππ2-→-?。 19. （1）11)
()
()(111111+-
=+
-==
C sR C sR sC
R R s V s V s A i O ，11
)()()(1
+-
==C sR s V s V s A i O 。 （2）1A 为一阶高通滤波电路，)(s A 为一阶低通滤波电路。 20. （1）电路为高通滤波器。 （2）01A =-，C
R R 2101=
ω
，Q =
。
21. （1）取决于时钟周期c T 和电容比值12/C C ，而与电容的绝对值无关。
第九章
9.1 （a ）不能振荡，（b ）不能振荡，（c ）可能振荡。
9.2 （a ）原边线圈上端和副边线圈上端为同名端，（b ）原边线圈下端和副边线圈下端为同名端，（c ）原边线圈上端和副边线圈下端为同名端，（d ）原边线圈左端和副边线圈右端为同名端。
9.3 （a ）可能振荡，（b ）不能振荡，（c ）可能振荡，（d ）不能振荡。 9.4 （1）01kHz f ≈。（2）17.5k R <Ω。 9.5 5.3k ΩR ≈。
9.6 （1）T+4V U =，T-0V U =， T 4V U ?=。 9.7 （1）2
T REF 1
1V R U U R =-
=。 9.8 （a ）T 1V U =-，（b ）T10V U =，T26V U =，（c ）T10V U =，T24V U =（d ）T12V U =，T24V U =。
9.9 （1）得12R R =。（2）T+ 6.5V U =，T- 2.5V U =-。（3）REF 2V U =。 9.11 0.2ms T ≈ 1
5kHz f T
=
≈。 9.12 315k ΩR =，7.5k ΩR =。
9.13 （2）10.096ms T = ，2 1.056ms T =，870Hz f ≈。 9.14 （1）I
612
u q +=
。
9.15 I 0.625f u ≈。 9.16 0 3.1kHz f ≈
9.17 （1）T 导通时：3O1I 10O1010()()45u u t t u t =-+，T 截止时：3
O1I 21O1110()()45u u t t u t =--+。
（3）I 0.926f u ≈。 9.18 1kHz f ≈。 9.20 0 3.1kHz f ≈。
第十章
1. （2）OL 20.9U U ≈，2OL L 0.9U I R ≈
。（3）2
DL L
0.45U I R ≈
，Rmax 2U =。 2. （1）O1L U ≈31.5V，O1L
O1L L1U I R =
，O2L U ≈18V；O2L
O2L
L2U I R =
。
（2）R199V U ≈，D1O1L I I =，R2R357V U U ≈=；O2L
D2D32
I I I == 3. （1）均为上“＋”、下“－”。（2）均为全波整流。（3）U O1L ＝－U O2L ≈18V 。（4）U O1L ＝－U O2L ≈18V。
4. （1）电流很大，因此变压器及整流二极管1D 、2D 将被烧坏。
（2）电流很大，因此变压器及整流二极管1D 将被烧坏。
（3）电路为单相半波整流电路，输出电压脉动增大，平均值减小。
5. （1）14.4V （2）10.8V （3）17V （4）5.4V 。
6. (1) 可以选择F 500mA I =，R 100V U =的2CP1D 型二极管。(2)可以选择容量在600~1000F μ之间，耐压为50V 的滤波电容。若电容C 短路，整流二极管将会由于电流过大
而损坏。（3）220V U =，有电容滤波时()()2O 1.5~2 1.5~2(24720~960mA I I ==?=。 7. 图（a ）、（b ）所示电路可用于滤波，图（c ）所示电路不能用于滤波。 8. 图（a ）中，C 1上电压极性为上“＋”下“－”，数值为一倍压；C 2上电压极性为右“＋”左“－”，数值为二倍压；C 3上电压极性为上“＋”下“－”，数值为三倍压。负载电阻上为三倍压。在图（b ）所示电路中，C 1上电压极性为上“－”下“＋”，数值为一倍压；C 2上电压极性为上“＋”下“－”，数值为一倍压；C 3、C 4上电压极性均为右“＋”左“－”，数值均为二倍压。负载电阻上为四倍压。
9. (1) ZM Z Zmin 6530W P U I =?=?=。(2) 电路不能空载；负载电流的范围为12.5～32.5mA 。(3) min 210R =Ω，max 250R =Ω。 10. （1）Ω=-=
600)
(max max 12Z R Z
I I U R 。（2）Lmin 250R =Ω，Lmax R =∞。
11. （1）调整管为T 1，采样电路由R 1、R 2、R 3组成，基准电压电路由R 、D Z 组成， 比较放大电路由T 2、R c 组成，保护电路由R 0、T 3组成。
（2）基准电压U R ＝U Z ＋U BE ＝5V ，输出电压的可调范围O 7.5~15V U =。 （3）调整管发射极最大电流为：I Emax ≈140mA。
（4）调整管的最大功耗为：P Tmax ≈I Emax U CEmax ≈2.8W。
12. （1）整流电路：D 1～D 4；滤波电路：C 1；调整管：T 1、T 2；基准电压电路：'
Z '
D 、R 、
R 、D Z ；比较放大电路：A ；取样电路：R 1、R 2、R 3。
（2）集成运放的输入端上为“－”下为“＋”。 （3）输出电压的表达式为
Z 3
3
21O Z 32321U R R R R U U R R R R R ?++≤≤?+++。
13. （1）U O ≈24V。（2）U O ≈23.3V。（3）U O ≈12V。（4）U O ≈6V。（5）U O 可调范围为6～12V 。
14. （1）整流电路：D 1～D 4；滤波电路：C ；调整管：图中的三极管；基准电压电路：R 4、D Z ；比较放大电路：A ；取样电路：R 1、R 2、R 3。
（2）d 21.6V U =。（3）Omax 15.45V U =，Omin 7.72V U =。 15. '
2L O 1
(1) 4.5A R I I R ≈+
?=。 16. ⑴ 二极管D 3、D 4方向接反了，电容C 正负极接反了。⑵ 7805的2、3端之间的电压5V 。（3）1
23Omax 15V R R R U R ??++=? ???，123Omin 125V R R R U R R ??
++=? ?+??
。 17. (2) 滤波。（3）-5V 。（4）Omin 6V U =-，Omax =3V U -。
18. （1）U Omin ＝1.25V 。（2）R 2＝4.56kΩ（3）Imin 31.1V U ≈，Imax 37.5V U ≈。
材料科学基础课后作业及答案(分章节)
第一章 8．计算下列晶体的离于键与共价键的相对比例 (1)NaF (2)CaO (3)ZnS 解：1、查表得：X Na =0.93,X F =3.98 根据鲍林公式可得NaF 中离子键比例为：21 (0.93 3.98)4 [1]100%90.2%e ---?= 共价键比例为：1-90.2%=9.8% 2、同理，CaO 中离子键比例为：21 (1.00 3.44)4 [1]100%77.4%e ---?= 共价键比例为：1-77.4%=22.6% 3、ZnS 中离子键比例为：2 1/4(2.581.65)[1]100%19.44%ZnS e --=-?=中离子键含量 共价键比例为：1-19.44%=80.56% 10说明结构转变的热力学条件与动力学条件的意义．说明稳态结构与亚稳态结构之间的关系。 答：结构转变的热力学条件决定转变是否可行，是结构转变的推动力，是转变的必要条件；动力学条件决定转变速度的大小，反映转变过程中阻力的大小。 稳态结构与亚稳态结构之间的关系：两种状态都是物质存在的状态，材料得到的结构是稳态或亚稳态，取决于转交过程的推动力和阻力(即热力学条件和动力学条件)，阻力小时得到稳态结构，阻力很大时则得到亚稳态结构。稳态结构能量最低，热力学上最稳定，亚稳态结构能量高，热力学上不稳定，但向稳定结构转变速度慢，能保持相对稳定甚至长期存在。但在一定条件下，亚稳态结构向稳态结构转变。 第二章 1．回答下列问题： (1)在立方晶系的晶胞内画出具有下列密勒指数的晶面和晶向： (001）与[210]，(111）与[112]，(110)与 [111],(132)与[123],(322)与[236］ (2)在立方晶系的一个晶胞中画出（111)和 （112)晶面，并写出两晶面交线的晶向指数。 (3)在立方晶系的一个晶胞中画出同时位于（101). (011)和（112)晶面上的[111]晶向。 解：1、 2．有一正交点阵的 a=b, c=a/2。某晶面在三个晶轴上的截距分别为 6个、2个和4个原子间距，求该晶面的密勒指数。 3．立方晶系的 ｛111}, 1110}, {123）晶面族各包括多少晶面？写出它们的密勒指数。 4．写出六方晶系的{1012}晶面族中所有晶面的密勒指数，在六方晶胞中画出[1120]、 [1101]晶向和(1012)晶面，并确定(1012)晶面与六方晶胞交线的晶向指数。 5．根据刚性球模型回答下列问题：
工程材料课后习题答案
土木工程材料课后习题 第一章 2、当某种材料得孔隙率增大时,表17内其她性质如何变化？(用符号表示:↑增大、↓下降、不变、？不定) 材料长期在水得作用下不被破坏,强度也不显著降低得性质称耐水性 用软化系数来表示K R=f b/f g 工程中将K R>0、85得材料瞧做就是耐水材料,可以用在水中或潮湿环境中得重要结构;用于受潮较轻或次要结构时,材料得K R值也不得低于0、75 4、材料发生渗水与冻融破坏得主要原因就是什么？如何提高材料得抗渗性与抗冻性？材料得孔隙率大,孔径大、开口并连通得空隙多、强度低就是发生渗水与冻融破坏得主要原因。 工程上常采用降低孔隙率、提高密实度、提高闭口孔隙比例、减少裂缝或进行憎水处理等方法提高材料得抗渗性。 工程上常采用降低孔隙率、提高密实度、提高闭口孔隙比例、提高材料得强度等方法提高材料得抗冻性。 5、什么就是材料得导热性？用什么表示？一般如何利用孔隙提高材料得保温性能？导热性就是指材料传导热量得能力。用导热系数来表示。 减少开口孔隙率,提高闭口孔隙率比例。 7、什么就是材料得耐久性？通常用哪些性质来反映？ 材料得耐久性就是指其在长期得使用过程中,能抵抗环境得破坏作用,并保持原有性质不变、不破坏得一项综合性质。 通常用抗渗性、抗冻性、抗老化与抗碳化等性质。 8、某工地有砂50t,密度为2、65g/cm3,堆积密度为1450kg/m3;石子100t,密度为2、70g/cm3,堆积密度为1500kg/m3、试计算砂石得空隙率,若堆积高度为1、2m,各需要多大面积存放？ 砂:绝对密实体积V1=50*1000/2650=18、87m3 自然状态下得体积V2=50*1000/1450=34、48m3 砂得空隙率为P1=(34、4818、87)/34、48=45、28% 存放面积为S1=3*34、48/1、2=86、2m2 石:绝对密实体积V3=100*1000/2700=37、04m3 自然状态下得体积V4=100*1000/1500=66、67m3 砂得空隙率为P2=(66、6737、04)/66、67=44、44% 存放面积为S2=3*66、67/1、2=166、675m2 第二章 3、花岗石与大理石各有何特性及用途？ 花岗石特性:(1)、密度大。(2)、结构致密,抗压强度高。(3)、孔隙率小,吸水率低。(4)、材质坚硬。(5)、装饰性好。(6)、耐久性好。 用途:用于高级建筑结构材料与装饰材料
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
工程材料习题册 打印 答案
第一章 金属的性能 一、填空（将正确答案填在横线上。下同） 1、金属材料的性能一般分为两类。一类是使用性能，它包括物理性能、化学性能和力学性能等。另一类是工艺性能，它包括铸造性能、锻造性能、焊接性能和切削加工性能等。 2、大小不变或变化很慢的载荷称为静载荷，在短时间内以较高速度作用于零件上的载荷称为冲击载荷，大小和方向随时间发生周期变化的载荷称为交变载荷。 3、变形一般分为弹性变形和塑性变形两种。不能随载荷的去除而消失的变形称为塑性变形。 4、强度是指金属材料在静载荷作用下，抵抗塑性变形或断裂的能力。 5、强度的常用衡量指标有抗拉强度和屈服强度，分别用符号σb 和σs 表示。 6、如果零件工作时所受的应力低于材料的σb 或σ0.2，则不会产生过量的塑性变形。 7、有一钢试样其截面积为100mm 2，已知钢试样的MPa S 314=σ MPa b 530=σ 。拉伸试验时，当受到拉力为—————— 试样出现屈服现象，当受到拉力为—————— 时，试样出现缩颈。 8、断裂前金属材料产生永久变形的能力称为塑性。金属材料的延伸率和断面收缩率的数值越大，表示材料的塑性越好。 9、一拉伸试样的原标距长度为50mm,直径为10mm 拉断后试样的标距长度为79mm ，缩颈处的最小直径为4.9 mm ，此材料的伸长率为—————，断面收缩率为——————。 10．金属材料抵抗冲击载荷作用而不破坏能力。称为冲击韧性。 11．填出下列力学性能指标的符号：屈服点σs ，抗拉强度σb ，洛氏硬度C 标尺HRC ， 伸长率δ，断面收缩率ψ，冲击韧度αk ，疲劳极限σ-1。 二、判断（正确打√，错误打×。下同） 1、弹性变形能随载荷的去除而消失。（√ ） 2、所有金属材料在拉伸试验时都会出现显着的屈服现象。（× ） 3、材料的屈服点越低，则允许的工作应力越高。（× ） 4、洛氏硬度值无单位。（√ ） 5、做布氏硬度试验时，当试验条件相同时，其压痕直径越小，材料的硬度越低。（× ） 6、材料对小能量多次冲击抗力的大小主要取决于材料的强度和塑性。（ ×） 7、布氏硬度测量法不宜于测量成品及较薄零件。（ √） 8、洛氏硬度值是根据压头压入被测定材料的压痕深度得出的。（√ ） 9、铸铁的铸造性能比钢好，故常用来铸造形状复杂的工件。（√ ） 三．选择（把正确答案填入括号内。下同） 1、拉伸试验时，试样拉断前所能承受的最大应力称为材料的（B ）。 A.屈服点 B.抗拉强度 C.弹性极限 2、做疲劳试验时，试样承受的载荷为（C ） A.静载荷 B.冲击载荷 C 交变载荷 3、洛氏硬度C 标尺所用的压头是（ B ） A.．淬硬钢球 B.金刚石圆锥体 C.硬质合金球 4．金属材料抵抗塑性变形或断裂的能力称为（C ） A.．塑性 B.硬度 C.强度 5．用拉伸试验可测定材料的（A ）性能指标。 A.．强度 B.硬度 C.韧性
模拟电子技术基础考试试题复习资料
第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管
材料科学基础习题与答案
- 第二章 思考题与例题 1. 离子键、共价键、分子键和金属键的特点，并解释金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体高的原因 2. 从结构、性能等方面描述晶体与非晶体的区别。 3. 何谓理想晶体何谓单晶、多晶、晶粒及亚晶为什么单晶体成各向异性而多晶体一般情况下不显示各向异性何谓空间点阵、晶体结构及晶胞晶胞有哪些重要的特征参数 4. 比较三种典型晶体结构的特征。（Al 、α-Fe 、Mg 三种材料属何种晶体结构描述它们的晶体结构特征并比较它们塑性的好坏并解释。）何谓配位数何谓致密度金属中常见的三种晶体结构从原子排列紧密程度等方面比较有何异同 5. 固溶体和中间相的类型、特点和性能。何谓间隙固溶体它与间隙相、间隙化合物之间有何区别（以金属为基的）固溶体与中间相的主要差异（如结构、键性、性能）是什么 6. 已知Cu 的原子直径为A ，求Cu 的晶格常数，并计算1mm 3Cu 的原子数。 （ 7. 已知Al 相对原子质量Ar （Al ）=，原子半径γ=，求Al 晶体的密度。 8 bcc 铁的单位晶胞体积，在912℃时是；fcc 铁在相同温度时其单位晶胞体积是。当铁由 bcc 转变为fcc 时，其密度改变的百分比为多少 9. 何谓金属化合物常见金属化合物有几类影响它们形成和结构的主要因素是什么其性能如何 10. 在面心立方晶胞中画出[012]和[123]晶向。在面心立方晶胞中画出（012）和（123）晶面。 11. 设晶面（152）和（034）属六方晶系的正交坐标表述，试给出其四轴坐标的表示。反之，求（3121）及（2112）的正交坐标的表示。（练习），上题中均改为相应晶向指数，求相互转换后结果。 12.在一个立方晶胞中确定6个表面面心位置的坐标，6个面心构成一个正八面体，指出这个八面体各个表面的晶面指数，各个棱边和对角线的晶向指数。 13. 写出立方晶系的{110}、{100}、{111}、{112}晶面族包括的等价晶面，请分别画出。
(完整版)工程材料课后习题参考答案
工程材料 第一章金属的晶体结构与结晶 1．解释下列名词 点缺陷：原子排列不规则的区域在空间三个方向尺寸都很小，主要指空位间隙原子、置换原子等。 线缺陷：原子排列的不规则区域在空间一个方向上的尺寸很大，而在其余两个方向上的尺寸很小。 如位错。 面缺陷：原子排列不规则的区域在空间两个方向上的尺寸很大，而另一方向上的尺寸很小。如晶界和亚晶界。 亚晶粒：在多晶体的每一个晶粒内，晶格位向也并非完全一致，而是存在着许多尺寸很小、位向差很小的小晶块，它们相互镶嵌而成晶粒，称亚晶粒。 亚晶界：两相邻亚晶粒间的边界称为亚晶界。 刃型位错：位错可认为是晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体的局部滑移而造成。滑移部分与未滑移部分的交界线即为位错线。如果相对滑移的结果上半部分多出一半原子面，多余半 原子面的边缘好像插入晶体中的一把刀的刃口，故称“刃型位错”。 单晶体：如果一块晶体，其内部的晶格位向完全一致，则称这块晶体为单晶体。 多晶体：由多种晶粒组成的晶体结构称为“多晶体”。 过冷度：实际结晶温度与理论结晶温度之差称为过冷度。 自发形核：在一定条件下，从液态金属中直接产生，原子呈规则排列的结晶核心。 非自发形核：是液态金属依附在一些未溶颗粒表面所形成的晶核。 变质处理：在液态金属结晶前，特意加入某些难熔固态颗粒，造成大量可以成为非自发晶核的固态质点，使结晶时的晶核数目大大增加，从而提高了形核率，细化晶粒，这种处理方法即 为变质处理。 变质剂：在浇注前所加入的难熔杂质称为变质剂。 2.常见的金属晶体结构有哪几种？α-Fe 、γ- Fe 、Al 、Cu 、Ni 、Pb 、Cr 、V 、Mg、Zn 各属何种晶体结构？
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
工程材料课后习题答案附后
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工程材料 思考题参考答案 第一章金属的晶体结构与结晶 1．解释下列名词 点缺陷，线缺陷，面缺陷，亚晶粒，亚晶界，刃型位错，单晶体，多晶体，过冷度，自发形核，非自发形核，变质处理，变质剂。 答：点缺陷：原子排列不规则的区域在空间三个方向尺寸都很小，主要指空位 间隙原子、 置换原子等。 线缺陷：原子排列的不规则区域在空间一个方向上的尺寸很大，而在其余两个 方向 上的尺寸很小。如位错。 面缺陷：原子排列不规则的区域在空间两个方向上的尺寸很大，而另一方向上 的尺 寸很小。如晶界和亚晶界。 亚晶粒：在多晶体的每一个晶粒内，晶格位向也并非完全一致，而是存在着许 多尺寸 很小、位向差很小的小晶块，它们相互镶嵌而成晶粒，称亚晶粒。 亚晶界：两相邻亚晶粒间的边界称为亚晶界。 刃型位错：位错可认为是晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体的局部滑移而 造成。 滑移部分与未滑移部分的交界线即为位错线。如果相对滑移的结果上半部
口，故称“刃型位错”。 单晶体：如果一块晶体，其内部的晶格位向完全一致，则称这块晶体为单晶体。 多晶体：由多种晶粒组成的晶体结构称为“多晶体”。 2 过冷度：实际结晶温度与理论结晶温度之差称为过冷度。 自发形核：在一定条件下，从液态金属中直接产生，原子呈规则排列的结晶核 心。 非自发形核：是液态金属依附在一些未溶颗粒表面所形成的晶核。 变质处理：在液态金属结晶前，特意加入某些难熔固态颗粒，造成大量可以成 为非自 发晶核的固态质点，使结晶时的晶核数目大大增加，从而提高了形核率， 细化晶粒，这种处理方法即为变质处理。 变质剂：在浇注前所加入的难熔杂质称为变质剂。 2. 常见的金属晶体结构有哪几种？α-Fe 、γ- Fe 、Al 、Cu 、Ni 、Pb 、 Cr 、V 、 Mg 、Zn 各属何种晶体结构？ 答：常见金属晶体结构：体心立方晶格、面心立方晶格、密排六方晶格； α－Fe、Cr、V 属于体心立方晶格； γ－Fe 、Al、Cu、Ni、Pb 属于面心立方晶格； Mg、Zn 属于密排六方晶格； 3. 配位数和致密度可以用来说明哪些问题？ 答：用来说明晶体中原子排列的紧密程度。晶体中配位数和致密度越大，则晶
工程材料课后答案
1- 5在下面几种情况下，该用什么方法来测试硬度？写出硬度符号。 （1 ）检查锉刀、钻头成品硬度；（2）检查材料库中钢材硬度；（3）检查薄壁工件的硬度或工件表面很薄的硬化层；（4）黄铜轴套；（5）硬质合金刀片； （1 ）检查锉刀、钻头成品硬度采用洛氏硬度试验来测定，硬度值符号HRC。 （2）检查材料库中钢材硬度采用布氏硬度试验来测定，硬度值符号 HBW。 （3 ）检查薄壁工件的硬度或工件表面很薄的硬化层硬度采用洛氏硬度试验来测定，硬度值符号HRC。 （4）黄铜轴套硬度采用布氏硬度试验来测定，硬度值符号HBW。（5）硬质合金刀片采用洛氏硬度试验来测定，硬度值符号HRC。 2- 4单晶体和多晶体有何差别？为什么单晶体具有各向异性，多晶体具有各项同性？ 单晶体是由原子排列位向或方式完全一致的晶格组成的；多晶体是由很多个小的单晶体所组成的，每个晶粒的原子位向是不同的。因为单晶体内各个方向上原子排列密度不同，造成原子间结合力不同，因而表现出 各向异性；而多晶体是由很多个单晶体所组成，它在各个方向上的力相互抵消平衡，因而表现各向同性。 2-5简述实际金属晶体和理想晶体在结构与性能上的主要差异。理想晶体中原子完全为规则排列，实际金属晶体由于许多因素的影响，使这些原子排列受到干扰和破坏，内部总是存在大量缺陷。如果金属中 无晶体缺陷时，通过理论计算具有极高的强度，随着晶体中缺陷的增加，金属的强度迅速下降，当缺陷增加到一定值后，金属的强度又随晶体缺陷的增加而增加。因此，无论点缺陷，线缺陷和面缺陷都会造成晶格崎变，从而使晶体强度增加。同时晶体缺陷的存在还会增加金属的电阻，
降低金属的抗腐蚀性能。 2- 6简述间隙固溶体和间隙化合物的异同点。 间隙固溶体和间隙化合物都是溶质原子嵌入晶格间隙形成的。间隙固溶体的晶体结构与溶剂的结构相同，而间隙化合物的晶体结构不同于组成它的任一组元，它是以分子式来表示其组成。 3- 3常用的管路焊锡为成分w(Pb=50%)、w(Sn=50%)的Pb-Sn合金。 若该合金以及慢速度冷却至室温，求合金显微组织中相组成物和组织组成物的相对量。 吨r-i ⑷ I叽 Sn
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
材料科学基础课后习题答案第二章
第2章习题 2-1 a ）试证明均匀形核时，形成临界晶粒的△ G K 与其临界晶核体积 V K 之间的关系式为 2 G V ； b ）当非均匀形核形成球冠形晶核时，其△ 所以 所以 2-2如果临界晶核是边长为 a 的正方体，试求出其厶G K 与a 的关系。为什么形成立方体晶核 的厶G K 比球形晶核要大？ 解：形核时的吉布斯自由能变化为 a ）证明因为临界晶核半径 r K 临界晶核形成功 G K 16 故临界晶核的体积 V K 4 r ； G V )2 2 G K G V b ）当非均匀形核形成球冠形晶核时, 非 r K 2 SL G V 临界晶核形成功 3 3( G ；7(2 3cos 3 cos 故临界晶核的体积 V K 3（r 非）3（2 3 3cos 3 cos V K G V 1 ( 3 卸2 3 3cos cos )G V 3 3(書 (2 3cos cos 3 ) G K % G K 与V K 之间的关系如何? G K
G V G v A a3G v 6a2 3 得临界晶核边长a K G V
临界形核功 将两式相比较 可见形成球形晶核得临界形核功仅为形成立方形晶核的 1/2。 2-3为什么金属结晶时一定要有过冷度？影响过冷度的因素是什么？固态金属熔化时是否 会出现过热？为什么？ 答：金属结晶时要有过冷度是相变热力学条件所需求的， 只有△ T>0时，才能造成固相的自 由能低于液相的自由能的条件，液固相间的自由能差便是结晶的驱动力。 金属结晶需在一定的过冷度下进行，是因为结晶时表面能增加造成阻力。固态金属熔 化时是否会出现过热现象，需要看熔化时表面能的变化。如果熔化前后表面能是降低的， 则 不需要过热；反之，则可能出现过热。 如果熔化时，液相与气相接触，当有少量液体金属在固体表面形成时，就会很快覆盖 在整个固体表面(因为液态金属总是润湿其同种固体金属 )。熔化时表面自由能的变化为： G 表面 G 终态 G 始态 A( GL SL SG ) 式中G 始态表示金属熔化前的表面自由能； G 终态表示当在少量液体金属在固体金属表面形成 时的表面自由能；A 表示液态金属润湿固态金属表面的面积；b GL 、CSL 、CSG 分别表示气液相 比表面能、固液相比表面能、固气相比表面能。因为液态金属总是润湿其同种固体金属，根 据润湿时表面张力之间的关系式可写出：b SG 》6GL + (SL 。这说明在熔化时，表面自由能的变 化厶G 表w o ,即不存在表面能障碍，也就不必过热。实际金属多属于这种情况。如果固体 16 3 3( G v )2 1 32 3 6 2 (G v )2 b K t K 4 G V )3 G V 6( 4 G v )2 64 3 96 3 32 r K 2 ~G ?， 球形核胚的临界形核功 (G v )2 (G v )2 (G v )2 G b K 2 G v )3 16 3( G v )2
材料科学基础课后习题答案
《材料科学基础》课后习题答案 第一章材料结构的基本知识 4. 简述一次键和二次键区别 答：根据结合力的强弱可把结合键分成一次键和二次键两大类。其中一次键的结合力较强，包括离子键、共价键和金属键。一次键的三种结合方式都是依靠外壳层电子转移或共享以形成稳定的电子壳层，从而使原子间相互结合起来。二次键的结合力较弱，包括范德瓦耳斯键和氢键。二次键是一种在原子和分子之间，由诱导或永久电偶相互作用而产生的一种副键。 6. 为什么金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体为高？ 答：材料的密度与结合键类型有关。一般金属键结合的固体材料的高密度有两个原因：（1）金属元素有较高的相对原子质量；（2）金属键的结合方式没有方向性，因此金属原子总是趋于密集排列。相反，对于离子键或共价键结合的材料，原子排列不可能很致密。共价键结合时，相邻原子的个数要受到共价键数目的限制；离子键结合时，则要满足正、负离子间电荷平衡的要求，它们的相邻原子数都不如金属多，因此离子键或共价键结合的材料密度较低。 9. 什么是单相组织？什么是两相组织？以它们为例说明显微组织的含义以及显微组织对性能的影响。 答：单相组织，顾名思义是具有单一相的组织。即所有晶粒的化学组成相同，晶体结构也相同。两相组织是指具有两相的组织。单相组织特征的主要有晶粒尺寸及形状。晶粒尺寸对材料性能有重要的影响，细化晶粒可以明显地提高材料的强度，改善材料的塑性和韧性。单相组织中，根据各方向生长条件的不同，会生成等轴晶和柱状晶。等轴晶的材料各方向上性能接近，而柱状晶则在各个方向上表现出性能的差异。对于两相组织，如果两个相的晶粒尺度相当，两者均匀地交替分布，此时合金的力学性能取决于两个相或者两种相或两种组织组成物的相对量及各自的性能。如果两个相的晶粒尺度相差甚远，其中尺寸较细的相以球状、点状、片状或针状等形态弥散地分布于另一相晶粒的基体内。如果弥散相的硬度明显高于基体相，则将显著提高材料的强度，同时降低材料的塑韧性。 10. 说明结构转变的热力学条件与动力学条件的意义，说明稳态结构和亚稳态结构之间的关系。 答：同一种材料在不同条件下可以得到不同的结构，其中能量最低的结构称为稳态结构或平衡太结构，而能量相对较高的结构则称为亚稳态结构。所谓的热力学条件是指结构形成时必须沿着能量降低的方向进行，或者说结构转变必须存在一个推动力，过程才能自发进行。热力学条件只预言了过程的可能性，至于过程是否真正实现，还需要考虑动力学条件，即反应速度。动力学条件的实质是考虑阻力。材料最终得到什么结构取决于何者起支配作用。如果热力学推动力起支配作用，则阻力并不大，材料最终得到稳态结构。从原则上讲，亚稳态结构有可能向稳态结构转变，以达到能量的最低状态，但这一转变必须在原子有足够活动能力的前提下才能够实现，而常温下的这种转变很难进行，因此亚稳态结构仍可以保持相对稳定。 第二章材料中的晶体结构 1. 回答下列问题： （1）在立方晶系的晶胞内画出具有下列密勒指数的晶面和晶向： 32）与[236] （001）与[210]，（111）与[112]，（110）与[111]，（132）与[123]，（2 （2）在立方晶系的一个晶胞中画出（111）和（112）晶面，并写出两晶面交线的晶向指数。 解：（1）
工程材料课后答案
第一章 2.图1-79为五种材料的应力-应变曲线：①45钢，②铝青铜，③35钢，④硬铝，⑤纯铜。试问： （1）当外加应力为300MPa时，各材料处于什么状态？ （2）有一用35钢制作的杆，使用中发现弹性弯曲较大，如改用45钢制作该杆，能否减少弹性变形？ （3）有一用35钢制作的杆，使用中发现塑性变形较大，如改用45钢制作该杆，能否减少塑性变形？ 答：（1）①45钢：弹性变形②铝青铜：塑性变形③35钢：屈服状态④硬铝：塑性变形⑤纯铜：断裂。 （2）不能，弹性变形与弹性模量E有关，由E=σ/ε可以看出在同样的条件下45钢的弹性模量要大，所以不能减少弹性变形。 （3）能，当35钢处于塑性变形阶段时，45钢可能处在弹性或塑性变形之间，且无论处于何种阶段，45钢变形长度明显低于35钢，所以能减少塑性变形。 4．下列符号表示的力学性能指标的名称和含义是什么？ σb 、σs、σ0.2、σ-1、δ、αk、HRC、HBS、HBW 答：σb抗拉强度，是试样保持最大均匀塑性的极限应力。 σs屈服强度，表示材料在外力作用下开始产生塑性变形时的最低应力。 σ0.2条件屈服强度，作为屈服强度的指标。 σ-1疲劳强度，材料循环次数N次后达到无穷大时仍不发生疲劳断裂的交变应力值。 δ伸长率，材料拉断后增加的变形长度与原长的比率。 HRC洛氏硬度，表示用金刚石圆锥为压头测定的硬度值。 HBS布氏硬度，表示用淬硬钢球为压头测定的硬度值。 HBW布氏硬度，表示用硬质合金为压头测定的硬度值。 7.常见的金属晶体结构有哪几种？α-Fe 、γ- Fe 、Al 、Cu 、Ni 、Pb 、Cr 、V 、Mg、Zn 各属何种晶体结构？ 答：常见金属晶体结构：体心立方晶格、面心立方晶格、密排六方晶格； α－Fe、Cr、V属于体心立方晶格； γ－Fe 、Al、Cu、Ni、Pb属于面心立方晶格； Mg、Zn属于密排六方晶格； 8．什么是固溶强化？造成固溶强化的原因是什么？ 答：形成固溶体使金属强度和硬度提高，塑性和韧性略有下降的现象称为固溶强化。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
材料科学基础(武汉理工大学,张联盟版)课后习题及答案 第二章
第二章答案 2-1略。 2-2（1）一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c，求该晶面的晶面指数；（2）一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c，求出该晶面的晶面指数。 答：（1）h:k:l==3:2:1,∴该晶面的晶面指数为（321）； （2）h:k:l=3:2:1，∴该晶面的晶面指数为（321）。 2-3在立方晶系晶胞中画出下列晶面指数和晶向指数：（001）与[]，（111）与[]，（）与[111]，（）与[236]，（257）与[]，（123）与[]，（102），（），（），[110]，[]，[] 答：
2-4定性描述晶体结构的参量有哪些？定量描述晶体结构的参量又有哪些？ 答：定性：对称轴、对称中心、晶系、点阵。定量：晶胞参数。 2-5依据结合力的本质不同，晶体中的键合作用分为哪几类？其特点是什么？ 答：晶体中的键合作用可分为离子键、共价键、金属键、范德华键和氢键。 离子键的特点是没有方向性和饱和性，结合力很大。共价键的特点是具有方向性和饱和性，结合力也很大。金属键是没有方向性和饱和性的的共价键，结合力是离子间的静电库仑力。范德华键是通过分子力而产生的键合，分子力很弱。氢键是两个电负性较大的原子相结合形成的键，具有饱和性。 2-6等径球最紧密堆积的空隙有哪两种？一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？ 答：等径球最紧密堆积有六方和面心立方紧密堆积两种，一个球的周围有8个四面体空隙、6个八面体空隙。 2-7n个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？不等径球是如何进行堆积的？ 答：n个等径球作最紧密堆积时可形成n个八面体空隙、2n个四面体空隙。 不等径球体进行紧密堆积时，可以看成由大球按等径球体紧密堆积后，小球按其大小分别填充到其空隙中，稍大的小球填充八面体空隙，稍小的小球填充四面体空隙，形成不等径球体紧密堆积。 2-8写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。 答：面心立方格子的单位平行六面体上所有结点为：（000）、（001）（100）（101）（110）（010）（011）（111）（0）（0）（0）（1）（1）（1）。
工程材料课后答案
WORD恪式 1-5在下面几种情况下，该用什么方法来测试硬度？写出硬度符号。 （1）检查锂刀、钻头成品硬度；（2）检查材料库中钢材硬度；（3）检查薄壁工件的硬度或工件表面很薄的硬化层；（4）黄铜轴套；（5）硬质合金刀片； （1）检查锂刀、钻头成品硬度采用洛氏硬度试验来测定，硬度值符号HRCo （2）检查材料库中钢材硬度采用布氏硬度试验来测定，硬度值符号 HBWo （3）检查薄壁工件的硬度或工件表面很薄的硬化层硬度采用洛氏硬度试验来测定，硬度值符号HRC。 （4）黄铜轴套硬度采用布氏硬度试验来测定，硬度值符号HBW。 （5）硬质合金刀片采用洛氏硬度试验来测定，硬度值符号HRC。 2-4单晶体和多晶体有何差别？为什么单晶体具有各向异性，多晶体具有各项同性？ 单晶体是由原子排列位向或方式完全一致的晶格组成的；多晶体是由很多个小的单晶体所组成的，每个晶粒的原子位向是不同的。因为单晶体内各个方向上原子排列密度不同，造成原子间结合力不同，因而表现出各向异性；而多晶体是由很多个单晶体所组成，它在各个方向上的力相互抵消平衡，因而表现各向同性。 2-5简述实际金属晶体和理想晶体在结构与性能上的主要差异。理想晶体中原子完全为规则排列，实际金属晶体由于许多因素的影响，使这些原子排列受到干扰和破坏，内部总是存在大量缺陷。如果金属中无晶体缺陷时，通过理论计算具有极高的强度，随着晶体中缺陷的增加，金属的强度迅速下降，当缺陷增加到一定值后，金属的强度又随晶体缺陷的增加而增加。因此，无论点缺陷，线缺陷和面缺陷都会造成晶格崎变，从而使晶体强度增加。同时晶体缺陷的存
在还会增加金属的电阻，降低金属的抗腐蚀性能。 2-6简述间隙固溶体和间隙化合物的异同点。 间隙固溶体和间隙化合物都是溶质原子嵌入晶格间隙形成的。间隙固溶体的晶体结构与溶剂的结构相同，而间隙化合物的晶体结构不同于组成它的任一组元，它是以分子式来表示其组成。 3-3常用的管路焊锡为成分w(Pb二50%)、w(Sn=50%)的Pb-Sn合金。若该合金以及慢速度冷却至室温，求合金显微组织中相组成物和组织组成物的相对量。 0 20 40 80 |ixr? HXTcPb Sn
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1
材料科学基础习题与答案
第二章 思考题与例题 1. 离子键、共价键、分子键和金属键的特点，并解释金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体高的原因？ 2. 从结构、性能等面描述晶体与非晶体的区别。 3. 谓理想晶体？谓单晶、多晶、晶粒及亚晶？为什么单晶体成各向异性而多晶体一般情况下不显示各向异性？谓空间点阵、晶体结构及晶胞？晶胞有哪些重要的特征参数？ 4. 比较三种典型晶体结构的特征。（Al 、α-Fe 、Mg 三种材料属种晶体结构？描述它们的晶体结构特征并比较它们塑性的好坏并解释。）谓配位数？谓致密度？金属中常见的三种晶体结构从原子排列紧密程度等面比较有异同？ 5. 固溶体和中间相的类型、特点和性能。谓间隙固溶体？它与间隙相、间隙化合物之间有区别？（以金属为基的）固溶体与中间相的主要差异（如结构、键性、性能）是什么？ 6. 已知Cu 的原子直径为2.56A ，求Cu 的晶格常数，并计算1mm 3 Cu 的原子数。 7. 已知Al 相对原子质量Ar （Al ）=26.97，原子半径γ=0.143nm ，求Al 晶体的密度。 8 bcc 铁的单位晶胞体积，在912℃时是0.02464nm 3；fcc 铁在相同温度时其单位晶胞体积是0.0486nm 3。当铁由bcc 转变为fcc 时，其密度改变的百分比为多少？ 9. 谓金属化合物？常见金属化合物有几类？影响它们形成和结构的主要因素是什么？其性能如？ 10. 在面心立晶胞中画出[012]和[123]晶向。在面心立晶胞中画出（012）和（123）晶面。 11. 设晶面（）和（034）属六晶系的正交坐标表述，试给出其四轴坐标的表示。反之，求（3121）及（2112）的正交坐标的表示。（练习），上题中均改为相应晶向指数，求相互转换后结果。 12.在一个立晶胞中确定6个表面面心位置的坐标，6个面心构成一个正八面体，指出这个