核电子学习题解答..
习题解答
第一章绪论
1、核信息的获取与处理主要包括哪些方面的？
①时间测量。核信息出现的时间间隔是测定核粒子的寿命或飞行速度的基本参数，目前直接测量核信息出现的时间间隔已达到皮秒级。
②核辐射强度测量。核辐射强度是指单位时间内核信息出现的概率，对于低辐射强度的测量，要求测量仪器具有低的噪声本底，否则核信息将淹没于噪声之中而无法测量。对于高辐射强度的测量，由于核信息十分密集，如果信号在测量仪器中堆积，有可能使一部分信号丢失而测量不到，因此要求仪器具有良好的抗信号堆积性能。对于待测核信息的辐射强度变化范围很大的情况(如核试验物理诊断中信号强度变化范围可达105倍)，如测量仪器的量程设置太小，高辐射强度的信号可能饱和；反之，如量程设置太大，低辐射强度的信号又测不到，因此对于这种场合的测量则要求测量仪器量程可自动变换。
③能谱测量。辐射能谱上的特征是核能级跃迁及核同位素差异的重要标志，核能谱也是核辐射的基本测量内容。精确的能谱测量要求仪器工作稳定、能量分辨力达到几个电子伏特，并具有抑制计数速率引起的峰位和能量分辨力变化等性能。
④位置测量。基本粒子的径迹及空间位置的精确测定是判别基本粒子的种类及其主要参数的重要手段。目前空间定位的精度可达到微米级。
⑤波形测量。核信息波形的变化往往反映了某些核反应过程的变化，因此核信息波形的测量是研究核爆炸反应过程的重要手段，而该波形的测量往往是单次且快速(纳秒至皮秒级)的。
⑥图像测量。核辐射信息的二维空间图像测量是近年来发展起来的新技术。辐射图像的测量方法可分为两类：第一种是利用辐射源进行透视以摄取被测物体的图像；第二种是利用被测目标体的自身辐射(如裂变反应产生的辐射)以反映目标体本身的图像。图像测量利用计算机对摄取的图像信息进行处理与重建，以便更准确地反映实际和提高清晰度。CT技术就是这种处理方法的代表。
2、抗辐射加固主要涉及哪些方面？
抗辐射加固的研究重点最初是寻找能减弱核辐射效应的屏蔽材料，后来在电路上采取某些抗辐射加固措施，然后逐渐将研究重点转向对器件的抗辐射加固。
3、核电子学的应用领域主要包括哪些方面？
核电子可应用于核与粒子物理基本研究、核辐射探测器电子学、核反应堆电子学、加速器电子学、同位素应用仪表、核医学电子仪器以及剂量测量仪器等。
第二章核辐射探测器及其输出信号
1、简述核电子学的基本测量过程。
最基本的测量过程如下：
2、简述核辐射探测器输出信号特点。
核电子学信号的特点是随机性（时间、幅度）、信号弱，但跨度大（μV~几十伏）、速度快。
3、简述核辐射探测器的主要类型及其工作原理。
一、气体探测器
它根据带电粒子通过气体时，引起气体的电离来探测辐射粒子。早期这种探测器曾得到广泛应用，它的优点是制备简单，性能可靠，成本低廉，使用方便，因而目前仍在应用。随着探测器技术不断发展，在高能物理和重粒子物理实验中这种探测器已获得新的应用。
二、闪烁探测器
它根据射线与物质相互作用产生的荧光现象来探测射线粒子。它比气体探测器探测效率高得多，从而被广泛使用，在不少仪器中闪烁探测器已取代了气体探测器。
三、半导体探测器
这是二十世纪六十年代以来迅速发展起来的一种新型探测器。主要优点是：能量分辨率高。线型范围广，体积小。是近年来发展极为迅速的一种核辐射探测器件。
4、核辐射探测器的基本性能指标包括哪些？
探测效率；灵敏度；灵敏度；输出信号幅度和波形；能量分辨率；线性响应；稳定性
5、画出脉冲电离室、半导体探测器、闪烁探测器的等效电路。
pp14-17
第三章核电子学电路基础
1、画出矩形脉冲电压作用下RC电路的脉冲响应曲线。
2、简述微分电路与耦合电路的区别。
3、画出电流脉冲作用于RC并联电路的输出电压波形。
4、说明电容负载对微分电路输出的影响。
5、说明输入脉冲边沿对微分电路输出的影响。
第四章核电子学中的噪声习题
1、根据核探测器输出信号的特点，说明核电子学与一般电子学的区别。
2、核电子学中遇到的噪声主要有哪几类？产生的原因分别是什么？对于幅度分析和时间
分析，哪些噪声最重要？
3、信噪比的定义。
4、半导体探测器主要存在哪些噪声源？
5、闪烁探测器的噪声主要来源是什么？
6、为什么正比计数器在测量低能射线的能谱方面有独特的优点？
7、结型场效应管噪声来源有哪些？
8、表示系统噪声性能有哪几种方法？各有什么意义？输入端的噪声电压是否就是等效电
压，为什么？
9、设探测器反向电流I D=10-8A,后级电路频宽为1MHz，计算散粒噪声相应的均方值和相对
于I D的比值；
10、计算常温下(T=300K) 5M?电阻上相应的均方根噪声电压（频宽设为1MHz）。
解：
11、求矩形脉冲通过低通滤波器，RC=T,RC=5T,RC=T/5的输出波形及频谱。
12、能谱测量系统的噪声为什么通常折合到前置放大器的输入端去考虑？“噪声线宽”与“等
效噪声能量”的关系如何？
噪声线宽FWHM NE=2.355ENE
13、下图是两个反馈放大器，若运放的开环增益A→∞，则两者的闭环电压放大倍数均为100，现假设A=1000，试计算它们的闭环放大倍数。
(1)
(2)
v d的表达式。（假设电路中电阻、电容14、A为理想运放，A→∞，写出下列电路输出噪声2
o
无噪声）
(1)
(2) 同上
15、A 为理想运放，A→∞，考虑电阻R 1和R 2的热噪声，分别写出2n v d 、2
n i d 以及R 1、R 2
噪声对输出端噪声的贡献；又由于这四个噪声源在统计上是独立无关的，因此总的输出噪声
2o
v d 的均方值为这四个噪声均方值之和，请写出2
o v d 。
分别考虑电流、电压噪声、电阻热噪声的贡献，应用叠加原理；虚断、虚短分析。
16、假设电容C、电阻R1、R2没有噪声，试写出如下电路输出噪声的表达式。
17、画出电阻热噪声的两种表示（电压噪声源和电流噪声源）及其等效电路。）
第五章信号与噪声的分析方法习题
1、给出冲击函数、阶跃函数的定义及相互关系
2、证明如下公式
（1）
（2）
(3)
(4)
(5) 记
[](2) F ()=1
t δ[][](3) F cos = ()() at a a πδωδω++-[][](4) F sin = ()()
at j a a πδωδω+--[]1
(5) F ()= ()
u t j πδωω
+[](6) F 1= 2()
πδω00 (7) F =2()
j t
e ωπδωω??-??1(1) F ()t
e u t j βωβ
-=????+
(6)
(7)
即
3、对于下图RC并联电路，设输入冲击电流i i(t)=δ(t)，分别用时域法和频域法求解系统的
冲击响应和频率响应，证明它们是一对傅立叶变换。
4、根据运用傅里叶变换的性质求电容/电感的阻抗。
5、电路图如下图所示，其中R1=4KΩ，R2=1KΩ, C=1000pF，输入信号v i(t)如下图所示，
求输出信号v o(t)。
记t1=50us，t2=100us，t3=150us
令
则
当时
当时
v i(t)
t(us)
1v
50 100 150
6、分析实际系统的频域特性时常利用哪个函数作为输入？为什么？
解：
δ函数，其频谱为1
7、串联的多级时不变线系统，在交换各级位置时具有什么特性？应注意哪些问题？
8、简述坎贝尔定理
9、叙述拉斯变换的定义
10、在电子学中，傅里叶变换和拉氏变换分别用于系统的何种分析？为什么？
11、根据系统的传递函数H(s)可以分析系统的稳定性，请问什么情况下系统是稳定的，什
么情况下系统是不稳定的？
12、分析随机过程常用的统计量包括哪些？
13、描述噪声的重要函数有哪些？分别给出什么信息？
14、什么叫平稳随机过程？
15、什么叫各态历经随机过程？
16、自相关函数及功率谱密度函数的定义
17、写出自相关函数的基本性质
18、写出噪声通过线性系统H(w)后，输出噪声功率谱密度及均方值与输入噪声功率谱之间
的关系。并举例说明。
19、什么叫白噪声？
第六章前置放大器习题
1、在核电子学中为什么通常要把放大器分成前置放大器和主放大器两部分？
2、前置放大器可分为哪几类？分别适用于什么场合？
3、简述前置放大器的作用
4、为什么电压灵敏前置放大器一般只适用于稳定性要求不高的低能量分辨率？
5、为什么电荷灵敏前置放大器常用于高能量分辨率能谱仪系统？为何要附加反馈电阻？
6、为何电流灵敏前置放大器主要用于时间测量系统？
7、电荷灵敏前置放大器噪声包括哪些噪声？写出a,b,c噪声的表达式。
8、电荷灵敏前置放大器的电路有哪三个种类？
9、阻容反馈式电荷灵敏前放电路的特点。（参见教材电路图）
10、低噪声电荷灵敏前置放大器主要元件选择原则
11、脉冲光反馈式电荷灵敏前置放大器工作原理
12、漏反馈电荷灵敏前置放大器工作原理
13、电荷灵敏放大器的主要性能指标包括哪些？
14、什么是零电容噪声和噪声斜率？
15、前放输出信号的上升时间t R0和哪些因素有关？
16、噪声的测量的方法有哪两种？分别写出两种方法的测量步骤。
17、画出电压灵敏前放的等效电路。
18、为什么电压灵敏前放稳定性较差？
19、电流灵敏前放可应用于哪四个方面？为什么？
20、简述电流灵敏前放的基本要求。
21、低噪声电流灵敏前放有哪两种实现方式？
22、画出电荷灵敏+成形网络的电路原理图，分析其电流增益。
23、画出电压电流变换器+成形网络的电路原理图，分析其输入阻抗。
24、证明电荷灵敏前置放大器输出幅度的稳定性满足如下关系
(1)
记
(2)
00
1
1
om
om
om i
om i dV dA
V A F A dV dC V A F C
=
=-
25、假设输入电流为Q )(t ，利用复频域分析法求如下电荷灵敏前置放大器的输出电压。
,
26、下图中(1)、（2）、（3）分别为电压灵敏、电荷灵敏和电流灵敏前置放大器的原理图。假设开始时所有电容器上的电压均为零，输入两种探测器电流、波形如图所示的和。分别画出两种输入情况下电路（1）、（2）的输出电压)(t v o 和（3）的输出电流)(t i o 的波形。
(a)
(1)i(t)=Qδ(t) I(s)=Q A=1
(2)T=20ns i(t)=
(b)
同图(a) (c)
(1) i(t)=Q δ(t)
(2)
27、一个用于辐射测量的放大电路，第一级为电荷灵敏前置放大器，第二、三级是主放大器的前半部分电路。电流源)(t i D 代表锗锂Ge(Li)半导体探测器的输出信号，77K 时半导体锗的平均电离能空穴对电子-/96.2eV w ，被测辐射是1.3MeV 的γ射线。假设信号来到之前C f 两端电压为零。
（1）估计γ射线进入处于77K 半导体探测器产生的电流脉冲)(t i D 的电荷量Q 。 （2）定量画出)()()(21t v t v t v o 和、的波形。
28、如图所示为电荷灵敏放大器的原理图，运放开环电压放大倍数A=5000，且与频率无关。输出脉冲幅度OM V 可表示为：
f
i OM C A C AQ
V )1(++=
。试问：
（1） A 变化1%，V OM 变化多少？
（2） C i 因探测器电容的变化而改变1%，V OM
变化多少？
(1)
(2)
29、设运放开环电压放大倍数A 有限，与频率无关。请精确推导运放输入、输出波形)(t v i 和)(t v o 的表达式，注明其幅度和时间常数。
根据米勒定理，原电路可等效为
30、某电荷灵敏放大器的零电容噪声为0.7KeV，噪声斜率为0.03KeV/pF。现有两种探测器和它连用，两种探测器的电容分别为10pF和150pF，试分别计算系统的总噪声。
C1=10pF
C2=150pF
31、如图所示的放大电路，跨导放大器输入量为电压，输出为电流，跨导G=10mA/V；电路
R 、C 参数如图所示，输入电流冲击)(t Q δ。
（1）推导出波形)(t v o 的表达式，并确定其幅度和时间常数。 （2）带入电路参数，计算输出电压上升时间R t 的数值（f i C C >>）。
（3）探测器电容变化而使C i 变化时，t R 也随之变化，电荷灵敏放大器的上升时间斜率这一技术指标定义为i R C t ??/，单位是ns/pF ，即输入电容每增加1pF ，输出上升时间增加多少ns 。试推导i R C t ??/与电路参数的关系式（设i C ?是C i 的微小变化），并计算出i R C t ??/的数值。
32、阻容（R f ，C f ）反馈电荷灵敏放大器输出电压的变动范围可用坎贝尔（Campbell ）定理计算。假设每一个探测器电流脉冲的电荷量均为Q ，单个脉冲输出幅度f OM C Q V /=，设
f f f C R =τ，则探测器和前放间直接耦合的电荷灵敏放大器，其输出电压的变动范围为
σ6.2±o V ，其中o V 是输出电压的平均值：OM f o V n V τ=；σ是输出电压的均方根偏差（标
准偏差），OM f V n 2
τσ=。输出电压的变动范围随机不确定，99%的概率在σ6.2±o V 范围
内。
对于探测器和前放间交流耦合的电荷灵敏放大器0=o V ，输出电压的变化范围为
σ6.2±；现令Ω=910f R ，pF C f 1=，s n /10*24=，14105-?=Q 库仑，试估算直接
耦合和交流耦合电荷灵敏放大器的输出电压变动范围。
直流
输出电压动态范围
交流
输出电压动态范围
第七章 谱仪放大器习题
1、 简述滤波成形的含义。
2、 给出理论上最佳滤波器的频率响应并加以证明，并说明最佳滤波器输出波形的特点。
3、 证明由白化滤波器和匹配滤波器构成串联滤波系统是最佳滤波系统。
4、 试分析CR-RC 滤波器的最佳信噪比。
5、 用于幅度信息处理系统中的滤波成形电路需要满足哪些方面的要求？
6、 试述极零相消的原理。
7、 说明弹道亏损的原因。
8、 峰堆积和尾堆积对输出信号幅度会带来什么样的影响和谱形畸变? 9、 给定计算率n, 峰持续时间t w ，计算峰堆积的概率，并加以分析。 10、在交流耦合系统中，双极性输入脉冲信号在什么条件下可以避免基线偏移和涨落？为什
么？
11、减少堆积影响的方法有哪些？
12、(CR)-(RC)m 和(CR)2-(RC)m 滤波成形电路输出信号波形的形状和幅度的特点。 13、单极性和双极性成形各适用于什么情况下的测量？ 14、采用具有共扼复数极点的有源滤波器有何意义？
15、有源滤波器和无源滤波器的区别以及有源滤波器的特点。 16、什么叫模拟展宽器？画出模拟展宽器的原理图及输出波形； 17、简述模拟展宽器的技术指标;
电工电子学在线考试答案-B卷
中国石油大学（北京）远程教育学院 期末考试 《电工电子学》B卷 学习中心：_______姓名：________学号：_______ 关于课程考试违规作弊的说明 1、提交文件中涉嫌抄袭内容（包括抄袭网上、书籍、报刊杂志及其他已有论文），带有明显外校标记，不符合学院要求或学生本人情况，或存在查明出处的内容或其他可疑字样者，判为抄袭，成绩为“0”。 2、两人或两人以上答题内容或用语有50%以上相同者判为雷同，成绩为“0”。 3、所提交试卷或材料没有对老师题目进行作答或提交内容与该课程要求完全不相干者，认定为“白卷”或“错卷”，成绩为“0”。 试卷选题说明： 请按照学号尾数选答试卷， 学号尾号为0、1、2、3的同学做A卷 学号尾号为4、5、6的同学做B卷 学号尾号为7、8、9的同学做C卷 一、单项选择题(每小题2分，共40分) 1、理想电压源的外接电阻越大，则流过理想电压源的电流( )。 A.越大 B.越小 C.不能确定 答案：B 2、图示电路中，I S1，I S2和U S均为正值，且I S2>I S1，则供出功率的电源是( )。 U S A.电压源U S B.电流源I S2
C.电流源I S2和电压源U S 答案：B 3、已知白炽灯A和B的额定电压相等，但A的额定功率大于B的额定功率。现将A和B串联后连接在某一电源上，则白炽灯A上的电压降( )。 A.较大 B.较小 C.不确定 答案：B 4、在图示电路中，已知U＝-6V，电流I＝2A，则电阻值R为( )。 R + A.－3Ω B.2Ω C.3Ω 答案：C 5、图示电路中，A、B间等效电阻R AB为( )。 A.40Ω B.16.6Ω C.7.5Ω 答案：A 6、把图1所示的电路用图2所示的等效电压源代替，则等效电压源的参数为( )。
微电子学专业大学生职业生涯规划书
微电子学专业大学生职业生涯规划书 性格：有点内向，乐观，不喜欢和不熟悉的人分享太多兴趣爱好：大篮球，看电影，听音乐，看书情绪情感状况：遇到不开心的事时情绪会低落意志力状况：不够坚强已具备经验：当过七年的寄宿生，当过一个月的超市服务生，大学刚开始时为班上的同学团购收音机，在老家干过农活。 已具备能力：可以照顾好自己，可以好好的关心他人，拥有一定的自学能力，可以独立的完成一件事 现有外语计算机水平：CET--4、计算机二级 2 . 社会中的自我评估他人对你的看法与期望： 父亲：爸爸总认为我是家里最聪明的孩子，他希望我将来能走政治的路子母亲：妈妈是认为我是家中最乖的孩子，她只希望我的将来的生活美好亲戚：都认为我念书好，都认为我将来能成就一翻事业 1. 人际关系分析 1).校园环境对你的成才影响学校：某大学院系：专业：微电子学 2).人才供应状况与就业形势分析 对人才素质要求：具有良好的数学基础知识，微电子学基本理论素质和专业基础知识，掌握微电子学的基本理论方法和实验技能
3.)对知识的要求及学校中的哪些课程对从事该项职业有帮助：通过微电子学的基本理论和基础知识的学习和运用微电子学知识﹑方法进行科学研究和技术开发的基本训练，具有较强科学实验与科学思维能力和具备良好的科学素养，掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计﹑制造及测试所必须的基本理论和方法，具有电路分析﹑工艺分析﹑器件性能分析和版图设计等的能力 1. 初步职业理想：做一名资深集成电路开发工程师 2. 描述：职业类型：技术人员工作性质：为公司开发新产品工作待遇：享受应有的待遇职业地域：集成电路产业发达地区工作环境：外企 S：实现目标的优势：对学习该专业有热情，学习资源多，国内该人才紧缺 W：实现目标的弱点：国内在该学科方面技术比较落后，集成电路产业不发达，要成为该行业中的强者需要付出更大的努力 O：实现目标的机会：通过自己的努力，尽自己的最大努力实现 T：实现目标的障碍：意志不够坚强，家庭经济状况不 既然认清自己的弱点，那么定要实际行动改变一切。计算一下大学剩下的时间：只有两年半多一点。但是自身存在很大的不足，那么必定要通过研究生阶段的学习来进一步提高。
最新电工电子学A考试试题及详细答案
一、选择题（共10题，每题2分） 1. 电路如图所示，电路中产生功率的元件是( )。 A. 仅是电压源 B. 仅是电流源 C. 电压源和电流源都产生功率 D. 确定的条件不足 2. 在RLC 串联电路中，当X L 微电子技术的发展历史与前景展望 姓名：张海洋班级：12电本一学号：1250720044 摘要：微电子是影响一个国家发展的重要因素,在国家的经济发展中占有举 足轻重的地位，本文简要介绍微电子的发展史，并且从光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术等技术对微电子技术做前景展望。 关键词：微电子晶体管集成电路半导体。 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支，它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用性强。微电子产业是基础性产业，是信息产业的核心技术，它之所以发展得如此之快，除了技术本身对国民经济的巨大贡献之外，还与它极强的渗透性有关。 微电子学兴起在现代，在1883年，爱迪生把一根钢丝电极封入灯泡，靠近灯丝，发现碳丝加热后，铜丝上有微弱的电流通过，这就是所谓的“爱迪生效应”。电子的发现，证实“爱迪生效应”是热电子发射效应。 英国另一位科学家弗莱明首先看到了它的实用价值，1904年，他进一步发现，有热电极和冷电极两个电极的真空管，对于从空气中传来的交变无线电波具有“检波器”的作用，他把这种管子称为“热离子管”，并在英国取得了专利。这就是“二极真空电子管”。自此，晶体管就有了一个雏形。 在1947年，临近圣诞节的时候，在贝尔实验室内，一个半导体材料与一个弯支架被堆放在了一起，世界上第一个晶体管就诞生了，由于晶体管有着比电子管更好的性能，所以在此后的10年内，晶体管飞速发展。 1958年，德州仪器的工程师Jack Kilby将三种电子元件结合到一片小小的硅片上，制出了世界上第一个集成电路（IC）。到1959年，就有人尝试着使用硅来制造集成电路，这个时期，实用硅平面IC制造飞速发展.。 第二年，也是在贝尔实验室，D. Kahng和Martin Atalla发明了MOSFET，因为MOSFET制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的特点，集成电路可以变得很小。至此，微电子学已经发展到了一定的高度。 然后就是在1965年，摩尔对集成电路做出了一个大胆的预测：集成电路的芯片集成度将以四年翻两番，而成本却成比例的递减。在当时，这种预测看起来是不可思议，但是现在事实证明，摩尔的预测诗完全正确的。 接下来，就是Intel制造出了一系列的CPU芯片，将我们完全的带入了信息时代。 由上面我们可以看出，微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。时至今日，微电子技术变得更加重要，无论是在航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术或家用电器产业，都离不开微电子技术的发展。甚至是在现代战争中，微电子技术也是随处可见。在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业，微电子信息技术在我国也正受到越来越多的关注，其重要性也不言而喻，如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志，微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。 微电子科学与工程专业本科培养计划 Undergraduate Program for Specialty in Microelectronic Science and Engineering 一、培养目标 Ⅰ．Program Objectives 本专业培养掌握微电子科学与工程专业必需的基础知识、基本理论和基本实验技能，能够从事该领域的各种微电子材料、器件、封装、测试、集成电路设计与系统的科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理等工作的高级专门人才。 This program trains advanced talents with basic knowledge, theory and experimental skills necessary for Microelectronic Science and Engineering. These talents can be engaged in various works in microelectronic materials, devices, packaging, testing, integrated circuit design and system as well as the scientific research, education, technique development, engineering technology, production management. 二、基本规格要求 Ⅱ．Learning Outcomes 毕业生应获得以下几个方面的知识和能力： 1、具有扎实的自然科学基础，良好的人文社会科学基础和外语能力； 2、掌握本专业领域较宽的基础理论知识，主要包括固体物理、半导体物理、微电子材料、微电子器件、集成电路设计等方面的基础理论知识；在本专业领域内具备从事科学研究的能力； 3、受到良好的工程实践训练，掌握各种微电子器件与集成电路的分析、设计与制造方法，具有独立进行微电子材料及器件性能分析、集成电路设计、微电子工艺流程的基本能力；具备一定的工程开发和组织管理能力； 4、了解本专业的最新发展动态和发展前景，了解微电子产业的发展状况。 The program requires that the learners have the knowledge and abilities listed as follows: 1. Have solid foundation in natural science, basic fine knowledge in humanities and social sciences 第一章 1.1 核电子学与一般电子学的不同在哪里？以核探测器输出信号的特点来说明。 在核辐射测量中，最基本的特点是它的统计特性、非周期性、非等值性，核电子学分析这种信号，经处理得到有用的信息。 1.4 当探测器输出等效电流源/0()t o i t I e τ -=时，求此电流脉冲在 探测器输出回路上的输出波形并讨论R 0C 0<<τ的情况。 V 0(s) = I 0(s)·[R 0∥(1/sc)] = I 0[1/(s+1/τ)]·[R 0(1/sc 0)/( R 0+(1/sc 0)) =( I 0/ c 0)·{1/[(s+1/τ) (s+1/ R 0 c 0)]} ∴ 0000000()1t t R C I R V t e e R C τ τ --??=- ? ???- 000000t t R C I R e e R C τττ--?? =- ? ?-? ? 当R 0 c 0<<τ时，τ－R 0 c 0≈τ ∴ 00 000 () t t R C V t I R e e τ - - ?? =- ? ? ?? 1.5 如图，设/ () T i t θ? =? ? 0t T t T ≤≤ ≥ ，求输出电压V(t)。 111 () Ts Ts Q Q e I s e T s s T s - - - ?? =-= ? ?? 11 () 1 H s c s τ = + 111 () 11 Ts Ts Q e Q Q V s e cT s cT cT s s τττ ττ - - - =-+ ++ ()()() / () t T t Q Q Q V t s t s t e e s t cT cT cT ττ τττ ττ - - - ∴=---+- ?? ?? 文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持. 温州大学期末考试试卷（仿真卷） 2011~2012 学年第 1 学期 考试科目 电工电子学 试卷类型 A 卷 考试形式 闭卷 考试对象 10级本科生 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 计算题（共100分） 1、放大电路如图所示, 已知U CC =12 V ，R B1=39 KΩ，R B2=11KΩ，R C =3KΩ， R L =3KΩ，R E =1KΩ，晶 体 管β=50，U BE =0.7V ，要求： (1) 计算电路的静态工作点； (2) 画 出 微 变 等 效 电 路；. (3)计算电压放大倍数u A 。 (1) V 64.2V 1211 3911 B =?+≈ U (2分) mA 1.94 1 7 .064.2=E BE B =--≈R U U I C (2分) A I I C B μβ 8.38mA .0388050 94 .1=== = (1分) ()V 24.412E C C CE =+-=R R I U (1分) (2) (2分) 得分 学院-------------------------------------- 班级---------------------------------- 姓名------------------------------------- 学号------------------------------------- 文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持. (3) Ω=++=5.983) (26) (1 300r be mA I mV E ） （β (2分) 22.76984 .03 //350//be L C -=-=-=r R R A u β (2分) 2、将下列逻辑表达式化为最简形式。 （1）C B C A AB Y ++= （2）C B AC B A Y ++= C B A C B C B A C B C B A C B A C B A 2.Y +=+?=++=++=)( 3、判断反馈类型，并确定输出电流i 0与输入电压u i 的关系。（本小 题8分） 这是一个电流并联负反馈。 (2分) 1 1R u i i = ，R 与R F 可视为并联， (1分) 0i R R R i F f +- =， (2分) 又由于f i i =1，即 01i R R R R u F i +-= (2分) 所以i F u R R R R i 10+- = (1分) 4、判断反馈类型并确定u f 与u 0的关系。（本小题4分） u f 5A C 有信0 (1分) (2分) (1分) 对半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的浅略认识 一、半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的联系与区别 我们首先从三者的概念或定义上来分别了解一下这三种技术。 半导体技术就是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术。在电子信息方面，绝大多数的电子组件都是以硅为基材做成的，因此电子产业又称为半导体产业。半导体技术最大的应用便是集成电路，它们被用来发挥各式各样的控制功能，犹如人体中的大脑与神经。 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术，是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，为微电子学中的各项工艺技术的总和。 集成电路技术，在电子学中是一种把电路小型化的技术。采用一定的工艺，把一个电路中所需的各种电子元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。（以上三者概念均来源于网络）这般看来，三者概念上互相交叉，却也略有区别。依我这个初次接触这三个名词、对电子信息几乎一窍不通的大一新生来看，半导体技术是其他二者技术的基础，因为半导体是承载整个电子信息的基石，不管是微电子还是集成电路，便是以半导体为材料才可以建造、发展。而微电子技术，个人感觉比较广泛，甚至集成电路技术可以包含在微电子技术里。除此之外，诸如小型元件，如纳米级电子元件制造技术，都可以归为微电子技术。而集成电路技术概念上比较狭窄，单单只把电路小型化、集成化技术，上面列举的小型元件制造，便不能归为集成电路技术，但可以归为微电子技术。以上便是鄙人对三者概念上、应用上联系与区别的区区之见，如有错误之处还望谅解。 二、对集成电路技术的详细介绍 首先我们了解一下什么是集成电路。 集成电路是一种微型电子器件或部件。人们采用一定的工艺，把一个电路中所需的各种元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。 而简单来说，集成电路技术便是制造集成电路的技术方法。它涉及半导体器件物理、微电子学、电子学、无线电、光学以及信息学等学科领域的知识。 从产业分工角度，集成电路技术可以分为集成电路加工技术、集成电路测试封装技术以及集成电路设计技术等几方面。 1. 集成电路加工技术 集成电路加工技术主要是通过物理或化学手段在硅材料上生成半导体器件（比如场效应管）以及器件之间的物理互连。这些器件以及器件之间的互连构成的电路功能要符合系统设计要求。集成电路加工技术涉及的知识包括半导体器件物理、精密仪器、光学等领域，具体应用在工艺流程中，包括注入、掺杂、器件模型、工艺偏差模型、成品率分析以及工艺过程设计等。在近十几年的时间里，集成电路加工工艺水平一直按照摩尔（Moore）定律在快速发展。 2.集成电路测试、封装技术 集成电路测试包括完成在硅基上产生符合功能要求的电路后对裸片硅的功能和性能的 微电子科学与工程专业培养方案 一、培养目标 培养适应现代化建设和未来社会与科技发展需要，德、智、体、美全面发展与健康个性和谐统一，富有创新精神、实践能力和国际视野，掌握微电子技术基本理论、技能与最新技术发展动向、计算机系统与接口芯片基本理论和基本技能，受到严格的科学实验训练和电子产品开发的基本训练，具有较强实践能力、良好的科学素养、一定的企业管理知识和创新能力，能够在微电子设计和生产领域及各类电子信息技术领域从事科技开发、产品设计、工程技术与生产管理的高级技术应用型人才。 毕业生掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和基本实验技能，能在微电子学及相关领域从事科研、产品开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作。 二、培养要求 本专业学生主要学习微电子学的基本理论和基本知识，受到科学实验与科学思维的 基本训练，具有良好科学素养，掌握大规模集成电路和新型半导体器件的设计、分析及测试所必需的基本理论和方法，具有集成电路分析、设计、器件性能分析和版图设计等基本能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 1. 掌握半导体物理、半导体器件和VLSI设计与制造等方面的基本理论和基本知识, 掌握集成电路和 其它半导体器件的分析与设计方法； 2. 熟悉集成电路设计的CAD系统，掌握硬件描述语言及逻辑模拟、电路模拟、时序分析等技术，具 有应用EDA X具设计与分析集成电路的技能； 3. 具有大规模集成电路（VLSI）版图设计与可靠性分析的基本能力； 4. 掌握集成电路制造工艺理论，具备从事微电子生产线技术管理工作的能力； 5. 掌握电子电路技术、计算机原理与应用、软件设计与制作等基本知识，适应在相应工作领域（如 通信、电子技术、自动控制、计算机应用等）的需要； 6. 掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取信息的基本方法；具有一定的实验设计能力， 能创造实验条件，归纳、整理、分析实验结果，具备撰写论文，参与学术交流的能力； 7. 了解大规模集成电路VLSI和其它新型半导体器件的应用前景、最新发展动态, 以及电子产业发展 状况； 8. 熟悉国家电子产业政策、国内外有关的知识产权及其他法律法规。 三、主干学科 主干学科：微电子学、电子科学与技术。 四、核心课程 核心课程：电路分析理论、模拟电子线路、信号与系统、数字电子线路、半导体物 理学、集成电路原理与设计、半导体器件物理、微电子制造科学原理等方面的课程、 Verilog数字系统设计、集成电路设计EDA工具。 五、主要实践性教学环节 主要实践性教学环节：实验教学（电路实验、模拟电子线路实验、数字电子线路实验、信号与系统实验、C语言实验、单片机系列实验、PCB工艺实验、微电子系列实验、集成电路设计EDA工具实验、Verilog数字系统设计实验）、课程设计（电子工艺课程设计、电子技术课程设计、电路CAD S程设计、单片机课程设计、EAD技术课程设计、集成电路课程设计）、课外科技活动、教学实习、认识实习、生产实习、专业综合设计、毕业设计。 《电工电子学》 练习题 班级 学号 工业大学 二零一四年 第1章 电路的基本概念 1. 1 图中，五个元件代表电源或负载。电压和电流的参考方向如图所示。通过测量得知： A 41-=I ，A 62=I ，A 103=I ，V 1401=U ，V 902-=U ，V 603=U ， V 804-=U ， V 305=U ，试标出各电流的实际方向和各电压的实际极性，并指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 题1.1的电路 1.2 一电器的额定功率W 1N =P ，额定电压V 100N =U 。今要接到V 200的直流电源上，问应选下列电阻中的哪一个与之串联，才能使该电器在额定电压下工作。 （1） 电阻值ΩK 5，额定功率2W ； （2） 电阻值ΩK 10，额定功率W 5.0； （3） 电阻值ΩK 20，额定功率W 25.0； （4） 电阻值ΩK 10，额定功率W 2。 1.3 有一直流电源，其额定功率W 200N =P ，额定电压V 50N =U ，阻Ω=5.00R ，负载电阻 R 可以调节，其电路如图所示。试求 （1） 额定工作状态下的电流及负载电阻； （2） 开路状态下的电源端电压； （3） 电源短路状态下的电流。 1.4 在图示电路中，已知V 101=U ，V 41=E ，V 22=E ，Ω=41R ，Ω=22R ， Ω=53R ， 1、2两点间处于开路状态，试计算开路电压2U 。 题1.4的电路 1.5 求图示电路中开关S闭合和断开两种情况下a、b、c三点的电位。 题1.5的电路 1.6 求图示电路中A点的电位。 题1.6的电路 2020微电子科学与工程专业大学排名 微电子科学与工程专业介绍 微电子科学与工程专业培养德、智、体全面发展，具有扎实的数理基础和电子技术基础理论，掌握新型微电子器件和集成电路分析、设计、制造的基本理论和方法；具备本专业良好的实验技能，能在微电子及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高级专门人才。 微电子科学与工程是物理学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造学等多个学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科。微电子学是21世纪电子科学技术与信息科学技术的先导和基础，是发展现代高新技术和国民经济现代化的重要基础。主要研究半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件，超大规模集成电路（ULSI）的设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等。 主干课程： 高等数学、大学物理及实验、电路分析基础及实验、模拟电路及实验、数学物理方法、C++语言、数字电路及实验、信号与系统及实验、半导体物理及实验、固体电子学、微电子器件、微电子集成电路、集成电路设计与制造、电子设计自动化、集成电路CAD、微电子技术专业实验和集成电路工艺实习等。 核心知识领域：电路理论、电子技术基础、信号与系统、电磁场与电磁波、半导体物理、微电子器件原理、集成电路设计原理、微电子工艺原理、集成电路封装与系统测试、嵌入式系统原理与设计、电子设计自动化基础等。 核心课程示例： 示例一：电路分析原理（64学时）、微电子与电路基础（48学时）、信号与系统（48学时）、半导体物理（64学时）、电子线路A（48学时）、数字逻辑电路（48学时）、数字集成电路设计（48学时）、集成电路工艺原理（48学时）、半导体器件物理（48学时）、数字集成电路原理（64学时）、电子系统设计（64学时）、集成电路计算机辅助设计（48学时）。 示例二：电路分析理论（48学时）、电磁场理论（48学时）、模拟电子线路（64学时）、信号与系统（64学时）、数字电子线路（64学时）、固体物理学（64学时）、半导体物理学（64学时）、集成电路原理与设计（64学时）、半导体器件物理（64学时）、微电子制造科学原理（48学时）。 示例三：核心必修课，包括电路分析（54学时）、模拟电子技术（48学时）、数字电子技术(48学时)、固体物理（48学时）、半导体物理（48学时）、半导体器件物理（64学时）、半导体工艺原理（48学时）；专业方向核心限选课，包括半导体集成电路原理与设计（32学时）、集成电路CAD（32学时）、集成 第一章 核电子学与一般电子学的不同在哪里以核探测器输出信号的特点来说明。 在核辐射测量中，最基本的特点是它的统计特性、非周期性、非等值性，核电子学分析这种信号，经处理得到有用的信息。 当探测器输出等效电流源/0()t o i t I e τ -=时，求此电流脉冲在探测 器输出回路上的输出波形并讨论R 0C 0<<τ的情况。 V 0(s) = I 0(s)·[R 0∥(1/sc)] ^ = I 0[1/(s+1/τ)]·[R 0(1/sc 0)/( R 0+(1/sc 0)) =( I 0/ c 0)·{1/[(s+1/τ) (s+1/ R 0 c 0)]} ∴ 当R 0 c 0<<τ时，τ－R 0 c 0≈τ ∴ 如图，设，求输出电压V(t)。 | 表示系统的噪声性能有哪几种方法各有什么意义输入端的噪声电压是否就是等效噪声电压为什么 ENV ENC ENN ENE η (FWHM)NE 不是 ' 设探测器反向漏电流I D =10-8A ，后级电路频宽为1MHz,计算散粒噪声相应的方根值和相对于I D 的比值。 115.6610A -==?= 35.6610D I -=?= 试计算常温下（设T=300K ）5M Ω电阻上相应的均方根噪声电压值（同样设频宽为1MHz ），并与1MHz 能量在20pF 电容上的输出幅值作比较。 52.8810V -===? 。 ∵ 2 12 E CV = ∴0.126V V == 求单个矩形脉冲f （t ）通过低通滤波器，RC=T ，RC=5T ，及RC=T/5，时的波形及频谱。 U 一、填空 第一章 1、根据电路的作用可将电路分为两类：（用于实现电能传输和转换的电路）、（用于进行电信号的传递和处理的电路）。 电力电路主要用来实现（ 电能的 ）的传输与转换，也称为强电电路；扩音机电路主要用来进行（ 信号 ）传递和处理，通常也称为（ 弱电）电路。 2、将电能转换为其他形式能量的元器件或设备统称为（负载），这类电路一般包括（电源）、（负载）和（连接导线）三个基本组成部分．还常接有开关、测量仪表等。 3、（ ）是电流的通路，它是为了某种需要由某些电工、电子器件或设备组合而成的，包括:( )、( )和导线、开关等。 4、电压是指（电路中两点间的电位差），它的方向是从（高电位指向低电位），是电位降低的方向。 5、 最大整流电流指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流，二极管使用时流过的正向平均电流不应超过此值。 6、 在电路中分析计算时，电流、电压的实际方向有时难以确定，为此可预先假定一个电流方向，此方向称为（参考方向）或称为正方向 。 7、 常用电路元件包括（电阻 ）、（电感 ）、（电容 ）和晶体三极管等 8、PN 结具有（单向导电性）的特性，即导通时呈现的电阻很( 低或小 或趋向于零)。 在PN 结上加（ ）电压时，PN 结电阻很低，正向电流较大，PN 结处于（ ）状态；加反向电压时，PN 结电阻很高，反向电流很小，PN 结处于（ ）状态。 9、如图8所示，设二极管为理想元件，二极管处于（ ）状态，管子两端的电压是 （ ）， 中的电流是 （ ）。 10、 方程U/I=R 只适用于R 中U 、I 参考方向一致的情况； 欧姆定律表达式含有正负号，当U 、I 参考方向（ ）时为正，否则为负。 11、 晶体管具有电流放大作用的外部条件：（ ），（ ） 12、如右图12，输出的稳压值为:（ ） （注意电源极性） 13、电路主要有（ ）、 （ ）和中间环节等部分组成。其 中（ ）是供应电能的设备，如 发电厂、电池；负载 是取用电能的设备，如电灯、电机等；中间环节是连接电源和负载的部分，起传输和分配电能的作用，如变压器、输电线等。 第二章 1、在感抗为X L =50欧姆的纯电感电路两端加上正弦交流电电压u=20sin （100πt+600）伏，通过它的瞬时电流值函数式为：（ ） 2、任何电气设备的电压、电流和功率都有一定的限额，即（ ）。 3、当求解对象为某一支路的电压或电流时，可将所求支路以外的电路，用一个 9V 图8 4V Ω 5 图12 － R － 5V V i V o 6V ＋ ＋ 微电子科学与工程专业 一、培养目标 本专业培养德、智、体等方面全面发展，具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力，能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。 二、专业特色 微电子科学与工程是在物理学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造学等多个学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科。微电子技术是近半个世纪以来得到迅猛发展的一门高科技应用性学科，是21世纪电子科学技术与信息科学技术的先导和基础，是发展现代高新技术和国民经济现代化的重要基础，被誉为现代信息产业的心脏和高科技的原动力。本专业主要学习半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件，集成电路设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等方面的基础知识和实践技能，培养出来的学生在微电子技术领域初步具有研究和开发的能力。 三、培养标准 本专业学生要求在物理学、电子技术、计算机技术和微电子学等方面掌握扎实的基础理论，掌握微电子器件及集成电路的原理、设计、制造、封装与应用技术，接受相关实验技术的良好训练，掌握文献资料检索基本方法，具有较强的实验技能与工程实践能力，在微电子科学与工程领域初步具有研究和开发的能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 1. 具有较好的人文科学素养、创新精神和开阔的科学视野； 2. 树立终身学习理念，具有较强的在未来生活和工作中继续学习的能力； 3. 具有较扎实的自然科学基本理论基础； 4. 具备微电子材料、微电子器件、集成电路、集成系统、计算机辅助设计、封装技术和测试技术等方面的理论基础和实验技能； 5. 了解本专业领域的科技发展动态及产业发展状况，熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规； 6.掌握文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法； 7.具有归纳、整理和分析实验结果以及撰写论文、报告和参与学术交流的能力。 77 电工电子学考试题及答 案答案 TPMK standardization office【 TPMK5AB- TPMK08- TPMK2C- TPMK18】 一、填空题 1．任何一个完整的电路都必须由（ 电源 ）、（ 负载 ）、（ 连接部分 ）三个基本部分组成，电路的作用是对电能进行（ 传输 ）和（ 转换 ），对电信号进行（ 传递 ）和（ 处理 ），电源或信号源产生的电压和电流称为（ 激励 ），相应在电路元件上产生的电压和电流称为（ 响应 ）。 2．在电路分析中规定（ 正电荷 ）的运动方向为电流的实际方向。在直流电路中，电源的工作状态有3种，分别为（ 有载 ）、（ 开路 ）和（ 短路 ）。 3．在正弦交流电路中，（ 频率（周期） ）、（ 幅值 ）和（ 初相位 ）称为正弦量的三要素。（ 电感 ）元件和（ 电容 ）元件称为动态元件，感抗与（ 频率 ）成正比，容抗与（ 频率 ）成反比。 4．在RLC 串联电路中，在进行正弦量的相量计算时常用到3个三角形，它们分别是（阻抗 ）三角形、（ 电压 ）三角形和（ 功率 ）三角形。如果已知RLC 串联电路的电流有效值为5A ，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，则电路复阻抗的模为（ 50欧姆 ），电路为（ 容性 ）性电路，电路的有功功率为（ 750W ），无功功率为（ -1000Var ）。 5．在RLC 串联电路中，发生谐振的条件是（ C L X X ），此时电路中的（阻抗 ）达到最小，（ 电流 ）达到最大，如果设 R = 1 Ω，L = 10 –3 H ，C = 10 –5F ，则电路的谐振角频率为（ 104 rad/s ），电路的品质因素 Q 为（ 10 ），如果在电路加上10 V 的电压源，此时电感和电容二端的电压分别为（ j100V ）和（ -j100V ），因此串联谐振又称为（ 电压 ）谐振。 你该知道的微电子技术知识 二大爷公司笨笨收集 微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的以半导体集成电路为核心的高新电子技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。微电子技术作为电子信息产业的基础和心脏,对航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的发展产生直接而深远的影响。尤其是微电子技术是军用高技术的核心和基础。军用高技术的迅猛发展，武器装备的巨大变革，在某种意义来说就是微电子技术迅猛发展和广泛应用的结果。微电子技术的渗透性最强，对国民经济和现代科学技术发展起着巨大的推动作用，其发展水平和发展规模已成为衡量一个国家军事、经济实力和技术进步的重要标志。正因为如此、世界各国都把微电子技术作为最要害的技术列在高技术的首位，使其成为争夺技术优势的最重要的领域。 一、基本概念 简介：微电子技术是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片(如硅和砷化镓)上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。 图1 微电子技术中元器件发展演变 特点：微电子技术当前发展的一个鲜明特点就是：系统级芯片（System On Chip，简称SOC）概念的出现。在集成电路（IC）发展初期，电路都从器件的物理版图设计入手，后来出现了IC单元库，使用IC设计从器件级进入到逻辑级，这样的设计思路使大批电路和逻辑设计师可以直接参与IC设计，极大的推动了IC产业的发展。由于IC设计与工艺技术水平不断提高，集成电路规模越来越大，复杂程度越来越高，已经可以将整个系统集成为一个芯片。正是在需求牵引和技术推动的双重作用下，出现了将整个系统集成在一个IC芯片上的系统级芯片的概念。其进一步发展，可以将各种物理的、化学的和生物的敏感器（执行信息获取功能）和执行器与信息处理系统集成在一起，从而完成从信息获取、处理、存储、传输到执行的系统功能，这是一个更广义上的系统集成芯片。很多研究表明，与由IC组成的系统相比，由于SOC设计能够综合并全盘考虑整个系统的各种情况，可以在同样的工艺技术条件下实现更高性能的系统指标。微电子技术从IC 向SOC转变不仅是一种概念上的突破，同时也是信息技术发展的必然结果。目前，SOC技术已经崭露头角，21世纪将是SOC技术真正快速发展的时期。 微电子技术的另一个显着特点就是其强大的生命力，它源于可以低成本、大批量地生产出具有高可靠性和高精度的微电子结构模块。这种技术一旦与其他学科相结合，便会诞生出一系列崭新的学科和重大的经济增长点。作为与微电子技术成功结合的典型例子便是MEMS（微电子机械系统或称微机电系统）技术和生物芯片等。前者是微电子技术与机械、光学等领域结合而诞生的，后者则是与生物工程技术结合的产物。 应用领域： 一、填空题（本题共5道小题，每空3分，共18分） 1、在图1所示电路中，当开关S闭合时，A点电位V A＝（）V；当开关断开时A点电位V A＝（）V。 分析查看答案 分析：电路如图1所示，A点的电位和B点电位相同，则当开关闭合时A点的电位为0；当开关断开时，整个电路处于开路状态，两个电阻上没有电流，所示A点的电位为－6V。 答案：0 －6 2、在图2所示电路中，开路电压U ab＝（）V。 分析查看答案 分析：原电路中2A电流源和5V电压源并联，则原电路可等效为如图2所示的电路，而电路处于开路状态，则U ab=5V。 答案：5 3、在图3所示电路中，若电流表A1、A2、A3的读数均为5A，则电流表A0的读数为（）A。 分析查看答案 分析：画出电路中各元件电压电流的相量图如图3所示，并且已知I L=I C，则，所以电流表A0的读数为5A。 答案：5 4、一对称三相电路，Y形连接，若相电压V，线电流A，则三相电路的 =（）。 分析查看答案 分析：对于Y形连接的三相电路，相线电流相等，且相电压与相电流的夹角为，所以＝。 答案： 5、在图4所示电路中，在换路前电路已经处于稳定状态，当t＝0时，开关闭合，则u c的初始值u c(0+)＝（）V。 查看答案 答案：0 二、单项选择（每题2分，共12分） 1、电路如图所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（）。 A. 1与3相接，2与4相接 B. 1与4相接，2与3相接 C. 1与3相接，2与5相接 查看答案 答案：A 2、两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同 ( f 1> f 2) 的两电源下，此时线圈的磁通Φ1和Φ2关系是（）。 A. Φ1> Φ2 B.Φ1<Φ2 C.Φ1= Φ2 分析查看答案 分析：由U=4.44f NΦm得当电源电压不变，频率满足f 1> f 2时，线圈的磁通Φ1＜Φ2。 答案：B 3、某理想变压器的变比K = 10，其副边负载的电阻R L= 8 Ω。若将此负载电阻折算到原边，其阻值 为（）。 A. 80 Ω B. 800 Ω C. 0.8 Ω 分析查看答案 分析：根据＝R L＝800Ω。 答案：B 4、旋转磁场的转速n1与极对数p和电源频率f 的关系是（）。 A. B. C. 查看答案 答案：A 本文由jschen63贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 微电子技术的发展 主要内容 微电子技术概述；微电子发展历史及特点；微电子前沿技术；微电子技术在军事中的应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 2 2010-11-26 北京理工大学微电子所 3 工艺流程图 厚膜、深刻蚀、次数少多次重复 去除 刻刻蚀 牺牲层，释放结构 多 工艺 工工艺 2010-11-26 工 5 微电子技术概述 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和；微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向；衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片中器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度；二是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 6 微电子技术的发展历史 1947年晶体管的发明；到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件； 1962年生产出晶体管——晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路；由于MOS电路在高度集成和功耗方面的优点，70 年代，微电子技术进入了MOS电路时代；随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。 2010-11-26 北京理工大学微电子所 7 微电子技术的发展特点 超高速：从1958年TI研制出第一个集成电路触发器算起，到2003年Intel推出的奔腾4处理器（包含5500 万个晶体管）和512Mb DRAM（包含超过5亿个晶体管），集成电路年平均增长率达到45％；辐射面广：集成电路的快速发展，极大的影响了社会的方方面面，因此微电子产业被列为支柱产业。 、填空题 1 .任何一个完整的电路都必须由（电源）、（负载）、（连接部分）三个基本部分组成，电路的作用是对电能进行（传输）和（转换），对电信号进行（传递）和（处理），电源或信号源产生的电压和电流称为（激励），相应在电路元件上产生的电压和电流称为（响应）。 2. 在电路分析中规定（正电荷，的运动方向为电流的实际方向。在直流电路 中,电源的工作状态有3种，分别为（有载）、（开路）和（短路）。 3. 在正弦交流电路中，（频率（周期））、（幅值）和（初相位）称为正弦量的三要素。（电感，元件和（电容，元件称为动态元件，感抗与（频率）成正比，容抗与（频率，成反比。 4. 在RLC串联电路中，在进行正弦量的相量计算时常用到3个三角形，它们分 别是（阻抗，三角形、（电压，三角形和（功率）三角形。如果已知RLC串联电路的电流有效值为5A，电阻为30Q,感抗为40Q ,容抗为80Q，则电路复阻抗的模为（50欧姆），电路为（容性）性电路，电路的有功功率为（750W ），无功功率为（-1000Var ）。 5?在RLC串联电路中，发生谐振的条件是（X L=X C），此时电路中的（阻抗，达到最小，（电流，达到最大，如果设R = 1 Q，L = 10 -H，C = 10 临F,则电路的谐振角频率为（104 rad/s ），电路的品质因素Q为（10 ），如果在电路加上10 V的电压源，此时电感和电容二端的电压分别为（j100V ）和（-j100V ），因此串联谐振又称为（电压）谐振。 6.在三相交流电路中，负载为星形连接时，线电压与相电压的关系是 （U| =€3U p ），线电流和相电流的关系是（l| = l p），线电压和相电压的相位微电子技术的发展历史与前景展望
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