硅材料题库
一、选择题
1.硅片制备主要工艺流程是__A__。
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
2.下列说法错误的是__A__。
A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
3、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（ D ）
A、分凝
B、蒸发
C、坩埚污染
D、损坏
4、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率( C )
A、越高
B、不确定 C 、越低 D、不变
5、在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。
A 90%
B 92%
C 95%
D 97%
6、下列关于硅的说法不正确的是（ D ）
A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体
B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料
C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应
D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应
7、关于光生伏特效应叙述中错误的是（ C ）
A用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；
B p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；
C非平衡载流子不破坏原来的热平衡；
D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；
8、对于临界晶核，即与母相达成平衡，可以稳定存在的晶核来说，下列应该满足的条件是（ B )
（1）、母相压强等于外压强（2）、三个相的化学势相等
（3）、新相压强大于外压强（4）、新相压强必须小于外压强
A、（1）、（2）、（4）
B、（1）、（2）、（3）
C、（4）
D、（1）、（2）、（3）、（4）
9、固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（ D ）摄氏度以上
进行常规热处理。
A.300
B.400
C.500
D.600
10、正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（ B ）
A、能
B、不能
C、不确定
D、有时可以，有时不可以
11、当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率____A_____。
A.上升
B.下降
C.不变
D.不确定
12、下列铸造多晶硅的制备方法中，( C )没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。
A.布里曼法
B.热交换法
C.电磁铸锭法
D.浇铸法
13、在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是___B___。
A.上部和边缘部分
B.中部和边缘部分
C.上部和底部
D.底部和边缘部分
14、化学提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为三个步骤，一下正确的是（ B）。
（1）、中间化合物的合成（2）、中间化合物的分离提纯
（3）、中间化合物被还原或者是分解高纯硅（4）、中间化合物的去除
A、（1）、（2）、（4）
B、（1）、（2）、（3）
C、（4）
D、（1）、（2）、（3）、（4）
15、面心立方晶格中原子密度最大的晶向是( B )
A[100] B[110] C[111] D[121]
16、单晶硅晶胞常数为0.543nm，（111）晶面的面间距和原子密度为（ C ）
A.面间距：0.768nm；面密度：4.748nm-2
B.面间距：0.543nm；面密度：6.783nm-2
C.面间距：0.941nm；面密度：7.801nm-2
D.面间距：0.543nm；面密度：7.801nm-2
17、以下是制备a-SI的方法是（ B ）
A.三氯氢硅还原法
B.辉光放电 C硅烷热分解 D.四氯化硅还原法
18、下列与硼氧复合体缺陷无关的是（ D ）
A.氧
B.硼
C.温度
D.湿度
19、直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？（ B ）
①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶
A．①② B.①②③④ C.②③④ D.③④
20、在本征半导体Si和Ge中掺入少量的五价原子（如P、As）时，就形成n型半导体，这种掺入后多余的电子的能级在禁带中紧靠处。（ A ）
A、空带
B、满带
C、价带
D、导带
21、通常用来提纯工业级Si生产多晶硅。（ C ）
A、Cl2
B、SiHCl3
C、HCl
D、SiCl4
22、下面哪个不是硅片的清洗方法（ D ）
A.化学清洗法
B.超声清洗法
C.真空高温清洗法
D.清水清洗法
23、改良西门子法与原来的方法相比，系列哪一项不是增加的内容？（ A ）
A.三氯氢硅的合成
B.四氯化硅的氢化工艺
C.还原尾气干法回收系统
D.实现闭路循化
24、下列关于铸造多晶硅的方法叙述中，错误的是( B )
A.布里曼法的特点是坩埚和热源在凝固开始时做相对位移
B.用热交换法时一般在坩埚底部置一热开关，熔化时热开关打开，起加热作用
C.电磁铸锭法是利用电磁感应的冷坩埚来加热熔化硅原料，熔化与凝固可在不同部位进行
D.浇铸法的特点是熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行
25、坩埚的污染（引入P型杂质）会使N型单晶尾部的电阻率，使P型单晶尾部电阻率。( A )
A、增高减小
B、减小增高
C、减小减小
D、增高增高
26、提纯三氯氢硅的方法错误的是 ( A )
A、硅烷法
B、络合物法
C、固体吸附法
D、精馏法
27、单晶硅与多晶硅的根本区别是 ( B )
A.纯度
B.原子排列方式
C.导电能力
D.原子结构
28、半导体工业所用的硅单晶（ C ）是用CZ法生长的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
29、对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（ C ）。
A.非平衡载流子浓度成正比；
B.平衡载流子浓度成正比；
C.非平衡载流子浓度成反比；
D.平衡载流子浓度成反比。
30、一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A.1/4 ；
B.1/e ；
C.1/e2；
D.1/2
二、填空题
1、高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯生长方法为主。
2、电参数的测量是硅材料电学性能测试的重要内容，它主要包括导电型号，电阻率，少子寿命和迁徙率测量。
3、电阻率的测量接触法四探针法，拓展电阻法。
4、在直拉法中掺入杂质的方法有共熔法和投杂法两种。
5、硅胶化学机械抛光是氧化硅胶或者近胶体状溶液进行抛光
6、n0和p0的乘积称为非简并半导体平衡态判据式。
7、在掺金量相同时N型硅比P型硅寿命下降的（更快些\慢些）
8、单晶硅的原生缺陷是（晶体原生颗粒缺陷）
9、多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的温度梯度。
10、所谓少子寿命是指半导体中非平衡少数载流子平均存在的时间长短
11、影响直拉法单晶电阻率的几个因素有杂质的分凝、蒸发、沾污。
12、控制单晶纵向电阻率均匀性的方法有__变速拉晶法_______和__双坩埚法____。
13、拉掺Sb单晶时，要在氩气氛下控制，原因是_____Sb易挥发_________________。
14、如果硅材料很纯，材料的电阻率错误！未找到引用源。和杂质浓度错误！未找到引用源。的关系是=1/错误！未找到引用源。e错误！未找到引用源。。
15、太阳能电池发电的原理主要是___半导体光电效应__，硅太阳能电池的基本材料为P型单晶硅，上表面为N+型区，构成一个__PN+_____。
16、不论胚芽的形状如何，要想形成临界晶核，体系的吉布斯自由能的增加必须达到该晶核表面能的____1/3__。
17、直拉法生长单晶硅的过程有润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光。其中，缩颈的主要目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除____籽晶__内原有位错的延伸。
18、精馏是利用不同组分有不同的___沸点__，在同一温度下各组分具有不同的_蒸汽压___的特点进行分离的。
19、调平固液界面属于控制直拉法生长单晶硅的横向电阻率均匀性。
20、单晶硅棒或多晶硅锭制成硅片是一个重要的过程，它对太阳能电池性能和效率有重要的影响。
21、写出生成三氯氢硅的化学方程式：Si+3HCl=SiHCl3+H2。
22、铸造多晶硅的方法：布里曼法，热交换法，电磁铸锭法，浇铸法。
23、半导体材料的电阻率一方面与载流子的密度有关，另一方面又于载流子的迁移率有关。
24、在切割、研磨和抛光的过程中，会带来表面损伤层。从而产生无穷多的载流子复合中心，使光生载流子的寿命大大降低，无法被内建电场分离。
25、在直拉法生长单晶硅时横向电阻率均匀性的控制方法是：调平固液界面。
26、使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡，就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。方法：变速拉晶法，双坩埚法。
27、改良西门子法包括五个主要环节S i HCl3的合成；S i HCl3精馏提纯；S i HCl3的氢还原；尾气的回收；S i Cl4的氢化分离
28、总厚度变差TTV是指：____________；翘曲度WARP是指____________。硅片厚度的最大值与最小值之差；硅片的中面与参考面之间的最大距离与最小距离之差
29、非平衡载流子通过复合效应而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关
30、工业中经常在石英坩埚内壁涂覆SiN涂层，这样可以减少硅熔体与石英坩埚的直接作用，从而降低氧浓度。
31、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对
V T的影响为___下降__，对于窄沟道器件对V T的影响为__上升__。
32、原胞的概念：选取最小的重复单元来反映晶格的周期性。
33、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种。
三、简答题
1、简述光生伏特效应。
1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；
2）p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；
3）非平衡载流子破坏原来的热平衡；
4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；
5）若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
2、如何控制直拉法生长单晶硅的电阻率均匀性？
控制直拉法生长的单晶硅的电阻率均匀性分为控制其纵向电阻率的均匀性和径向电阻的均匀性。
纵向电阻率均匀性的控制：变速拉晶（分别从分凝作用和蒸发作用考虑）、稀释溶质（双坩埚及连续送料CZ技术）
横向电阻率均匀性的控制：调平固液界面
3、简述杂质对硅材料的导电类型、电阻率和少子寿命的影响
4、直流光电导衰退法的优点、缺点和原理
5、晶体调平固液界面的目的和方法
6、以P掺入Si为例，说明说明是施主杂质，施主杂质电离，和N型半导体
四、计算题
1、800g高纯多晶硅拉制电阻率为20～50Ω?cm的N型硅单晶，试拉单晶为P型，头部电阻率为250Ω?cm，应掺入多少电阻率为8×10-3Ω?cm的P-Si合金？已知：坩埚直径13cm，
从熔化到放肩约为1小时，由ρ-N 图得到8×10-3Ω?cm 对应浓度为7×1018cm-3，E 磷=10-3cm ，K 磷=0.53，K 硼=0.8，d 硅 = 2.5g ?cm-3。
解：Cl1=Cs1/K 硼=5×1013÷0.8=6.25×1013cm-3
Cl2=Cs2/K 磷=1×1014÷0.35=2.86×1014cm-3
试拉为P 型，而拉制的要求为N 型，所以：
Cl=Cl1+Cl2=3.5×1014cm-3
考虑到蒸发问题：Cl0=Clxexp(-EAt/V)=4.0×1014cm-3
则合金的量为：M 合金=W 硅Cl0/Cm ≈4.6×10-2g
2、直流光电导衰退法相关解答题
0000()(1)n p n q p p V V V b qn n μμμ?+??=-=-+
p n b μμ= ，0p
n ? 为注入比
3、正常凝固、一次区域提纯，推导公式问题
硅的知识点概述
硅的知识点概述 一、硅及其化合物之间的相互转化关系 二、CO2和SiO2 物质二氧化硅二氧化碳 化学式 SiO2 CＯ2 晶体类型原子晶体分子晶体 物理性质硬度大、熔沸点高、常温下为固体、不溶于水熔沸点低，常温下为气体，微溶于水 化 学 性 质①与水反应不反应 CO２＋ H２O H2CO3 ②与酸反应 SｉO２＋ 4HF = SiF４↑+2Ｈ2O 不反应 ③与碱反应盛碱液的试剂瓶用橡皮塞 SiＯ２+ 2NaOH = Nａ2SiＯ３＋Ｈ2O(反应条件:高温) ＣO2（少量)+ 2NａOＨ= Na2ＣＯ3 + Ｈ2Ｏ ＣO２(过量)＋NaOH = ２ＮaHCO3
④与盐反应 SiO2 + Na2ＣＯ3 =Nａ2SiO３+ CO2↑(反应条件:高温） ＳiO２+ CａCO3 = CaＳiO3 ＋ＣO2↑(反应条件:高温) Ｃa（CｌO)２＋ CＯ２+ H2Ｏ＝ＣaCO3↓ + 2HClO CＯ2 + Na2ＣO3 + Ｈ2O = 2NaＨCO３ ⑤与碱性氧化物反应 SiO2 + CaO = CａSiＯ3 (反应条件:高温) CO2 + Ｎa2O ＝Ｎa2ＣO3 三、硅、硅酸及硅酸盐: 1．硅:单质硅有晶体硅和无定形硅两种。晶体硅为原子晶体,灰黑色、有金属光泽、硬度大而脆、熔沸点高。导电性介于导体和绝缘体之间，是常用的半导体材料。 化学性质： ①常温Sｉ + 2F２= SiＦ4 ； Sｉ + 4HＦ＝ SiF4 ＋2H2 ； Si + 2ＮaOH ＋ H2O = Nａ2SiO3 + ２Ｈ2↑ 的硅,工业上用焦炭在电炉中还原二氧化硅制取粗硅:SｉO ２+ ２C = Ｓi + 2ＣO↑ 2.硅酸(H2SiO3或原硅酸H4SｉO4)：难溶于水的弱酸,酸性比碳酸还弱。 3.硅酸钠：溶于水,其水溶液俗称“水玻璃”，是一种矿物胶。盛水玻璃的试剂瓶要使用橡胶塞。能与酸性较强的酸反应:Na2SｉO3 ＋２HCl = H２SiO3↓(白)+ 2NaＣl;Na2SiO３＋ CO2 + Ｈ2Ｏ =H２SiＯ3↓+ Na2ＣO3
2013微机原理试题答案课案
12/13学年第二学期末考试试题（A卷） 课程名称微机原理与接口技术 有点参考价值哦 一、填空题（每空1分，共20分） 1、系统总线由（数据总线）、（地址总线）、（控制总线）三类传输线组成。 2、8位二进制补码10110110代表的十进制负数是（ -74 ）。 3、8086 无论在最大方式，还是在最小方式下都可寻址( 1M )的存储空间。 4、指令MOV DX,OFFSET BUFFER的源操作数的寻址方式是（立即数）。 5、存储器是计算机系统中的存储装置，用来存放（数据）和（程序）。 6、8253芯片内部共包含（ 3 ）个（ 16 ）位（减法）计数器。 7、掉电后信息丢失的存储器是（RAM ），掉电后信息不丢失的存储器是（ROM ）。 8、I/O接口有（独立编址）和（统一编址）两种编址方式，8088/8086系统采用的是（独立编址）编址方式。 9、某8位D/A转换器，输出电压为0~5V，当输入数字量为40H时，其对应的输出电 压是（1.25 ）V。 10、设被测温度的变化范围为0°C~100°C，若要求测量误差不超过0.1°C，应选择（10 ）位的A/D转换器？ 11、8088CPU的管脚IO/M为低电平时，表示CPU访问（接口），I O/M为高 电平时，表示CPU访问（存储器）。
二、判断题（每题1分，共10分） 1、在8088微处理器引脚中，ALE信号是地址锁存信号。（√） 2、计算机中的运算器、控制器和内存储器合称为中央处理机。（×） 3、CPU访问存储器时，段地址可以由默认的段寄存器提供。（√） 4、数据总线上传送的信息有数据，也可能有指令代码。（√） 5、逻辑地址不是物理地址，但它是唯一的。（×） 6、对部分地址译码的存储器电路，存储器的每一个存储单元都只有一个唯一的物理地址。（×） 7、只读存储器具有掉电后数据不会丢失的特点。（√） 8、IP寄存器是用来存放指令的偏移地址的，用户程序不能直接访问IP寄存器。 （√） 9、串行通信的数据传输速率比并行通信高。（×） 10、逐次逼近型AD转换器和双积分型AD转换器相比具有转换速度快的优点。（√） 三、选择题（每题2分，共20分） 1、数据的输入输出指的是（ A ）进行数据交换。 A． CPU与外设B．内存与外存 C．存储器与外设D． CPU与存储器 2、指令MOV AX,[DI]中，源操作数的寻址方式为( A )。 A．寄存器间接寻址B．寄存器相对寻址 C．直接寻址D．变址寻址 3、与外存相比，内存的特点是（ C ）。 A．容量大、速度快、成本高B．容量小、速度快、成本低 C．容量小、速度快、成本高 D．容量大、速度快、成本低
10年高考化学试题汇编含2020专题16 碳、硅及无机非金属材料(学生版)
1．（2019·全国高考真题）陶瓷是火与土的结晶，是中华文明的象征之一，其形成、性质与化学有着密切的关系。下列说法错误的是 A ．“雨过天晴云破处”所描述的瓷器青色，来自氧化铁 B ．闻名世界的秦兵马俑是陶制品，由黏土经高温烧结而成 C ．陶瓷是应用较早的人造材料，主要化学成分是硅酸盐 D ．陶瓷化学性质稳定，具有耐酸碱侵蚀、抗氧化等优点 2．（2018·江苏高考真题）下列有关物质性质与用途具有对应关系的是 A ．NaHCO 3受热易分解，可用于制胃酸中和剂 B ．SiO 2熔点高硬度大，可用于制光导纤维 C ．Al 2O 3是两性氧化物，可用作耐高温材料 D ．CaO 能与水反应，可用作食品干燥剂 3．（2020·浙江高考真题）35Ca SiO 是硅酸盐水泥的重要成分之一，其相关性质的说法不正确．．．的是( ) A ．可发生反应：Δ3543232Ca SiO 4NH Cl CaSiO 2CaCl 4NH 2H O +++↑+B ．具有吸水性，需要密封保存 C ．能与2SO ，反应生成新盐 D ．与足量盐酸作用，所得固体产物主要为2 SiO 4．（2007·广东高考真题）下列说法正确的是（） A ．硅材料广泛应用于光纤通讯 B ．工艺师利用盐酸刻蚀石英制作艺术品 C ．水晶项链和餐桌上的瓷盘都是硅酸盐制品 D ．粗硅制备单晶硅不涉及氧化还原反应 5．（2013·江苏高考真题）下列有关物质性质的应用正确的是（） A ．液氨汽化时要吸收大量的热，可用作制冷剂 专题16 碳、硅及无机非金属材 料
B．二氧化硅不与强酸反应，可用石英器皿盛放氢氟酸 C．生石灰能与水反应，可用来干燥氯气 D．氯化铝是一种电解质，可用于电解法制铝 6．（2019·浙江高考真题）下列说法不正确 ．．．的是 A．液氯可以储存在钢瓶中 B．天然气的主要成分是甲烷的水合物 C．天然石英和水晶的主要成分都是二氧化硅 D．硫元素在自然界的存在形式有硫单质、硫化物和硫酸盐等7．（2010·江苏高考真题）下列有关物质的性质或应用的说法不正确的是A．二氧化硅是生产光纤制品的基本原料 B．水玻璃可用于生产黏合剂和防火剂 C．盐析可提纯蛋白质并保持其生理活性 D．石油分馏可获得乙烯、丙烯和丁二烯 8．（2009·广东高考真题）下列关于硅单质及其化合物的说法正确的是（） ①硅是构成一些岩石和矿物的基本元素 ②水泥、玻璃、水晶饰物都是硅酸盐制品 ③高纯度的硅单质广泛用于制作光导纤维 ④陶瓷是人类应用很早的硅酸盐材料 A．①②B．②③C．①④D．③④9．（2018·海南高考真题）化学与生产生活密切相关，下列说法错误的是A．Na2O2可与CO2反应放出氧气，可用于制作呼吸面具 B．SiO2具有导电性，可用于制作光导纤维和光电池 C．聚四氟乙烯耐酸碱腐蚀，可用作化工反应器的内壁涂层 D．氯水具有较强的氧化性，可用于漂白纸张．织物等10．（2011·江苏高考真题）下列有关物质的性质和该性质的应用均正确的是A．常温下浓硫酸能使铝发生钝化，可用铝制容器贮运浓硫酸 B．二氧化硅不与任何酸反应，可用石英制造耐酸容器 C．二氧化氯具有还原性，可用于自来水的杀菌消毒 D．铜的金属活泼性比铁的弱，可在海轮外壳上装若干铜块以减缓其腐蚀
现代档案管理基础知识
档案知识 一、档案收集 1、档案收集工作的意义：档案收集工作是整个档案工作中极为重要的一个环节，与档案工作中其他各项工作比较起来，它处于一种特殊的地位，作好档案收集工作对整个工作都具有重要意义。 （1）收集工作是档案工作的起点；是档案业务基础工作中的基础；档案的收集，就是整个档案馆（室）取得和积累档案的一种手段； （2）从组织整个国家档案工作来说，档案的收集工作是贯彻集中统一管理原则的一项重要内容和首要的具体措施； （3）从收集工作质量高低的影响来说，它直接关系到档案工作的其他环节。2、档案收集工作的要求： （1）丰富馆藏； （2）加强馆外调查和指导； （3）推行入馆档案的标准化； （4）保持全宗和全宗群的不可分散性。 3、机关内文件的归档 二、档案整理 1、档案整理工作的内容： （1）在正规的工作条件下，档案室所接收的是文书部门和业务部门按照归档要求立好的案卷，档案馆接收的是由机关档案室根据入馆要求整理移交的案卷。（2）对整理不善的档案进行局部调整。 （3）零散文件的整理。 2、档案整理工作的原则： （1）档案的整理必须保持文件之间的历史联系；历史联系主要表现在文件的来源、时间、内容和形式等几个方面。 （2）档案的整理应该充分利用原有基础；原有基础指，第一，充分重视和利用先前整理的基础，以确定档案整理的任务和要求，来要轻易打乱重整；第二，在档案整理过程中，应该充分研究和利用原来整理的成果，不要轻易破坏以往整理和保存的历史状况。 （3）档案的整理必须便于保管和利用。 3、全宗： （1）概念：全宗就是一个独立的机关或著名人物在社会活动中形成的档案的整体。 （2）意义：区分全宗是档案整理工作的首要环节。全宗不仅是个整理方法问题，也是一条原则、一种理论，称为全宗原则和全宗理论。全宗理论是在档案集中管理过程中产生的，是随档案工作的发展而不断完善的。全宗理论的确立，对档案室、档案馆档案的管理，有重要的组织作用。全宗理论发展的历史，是与档案整理的不同原则联系在一起的。 4、全宗构成的条件和立档单位：形成全宗的机关，称为立档单位，又称全宗的构成者。一个机关就是一个立档单位，一个立档单位形成的全部档案就构成一个全宗。 （1）构成条件：第一，可以独立行使职权，并能主要以自己的名义单独对外行文；第二，是一个会计单位或经济核算单位，自己可以编造预算或财务计划；第
硅基础知识填空
第四讲无机非金属材料的主角——硅 ※知识要点 一．硅 硅在地壳中的含量仅次于，为26.3%。硅在自然界中以存在，主要为 和。单质硅有和两种。晶体硅的结构类似金刚石，是带有的色固体。熔点，硬度。在常温下化学性质。晶体硅的导电性介于和之间，是良好的。硅成为的关键材料，硅也是人类将转化为的常用材料。 硅的化学性质： 常温下：单质硅的性质很稳定，只与F2 ,强碱及氢氟酸反应，反应的方程式分别为 加热的条件下：单质硅可以与一些非金属反应，如氧气、氢气、氯气等，反应的方程式分别为 二．二氧化硅 1．二氧化硅（SiO2）：SiO2的熔点，硬度，溶于水。其的存在形态有和两大类，统称为。石英晶体是结晶的二氧化硅，石英中无色透明的晶体是，具有彩色带环状或层状的称为。SiO2的空间构型是。 2．二氧化硅的化学性质很 1）氢氟酸是唯一能与SiO2反应的酸：方程式为 ∴氢氟酸会腐蚀玻璃，可以用来刻蚀玻璃。 思考：能否用玻璃瓶盛装氢氟酸？如不能，应用什么盛装？ 2）SiO2是一种氧化物，但溶于水，也不能与水反应生成H2SiO3 。 SiO2与碱性氧化物反应生成盐：SiO2+ CaO —— SiO2能和强碱反应：。 ∴强碱会腐蚀玻璃，装强碱溶液的试剂瓶应该用塞。
3、工业上利用SiO2可制高纯硅，反应原理用方程式表示是： SiO2 + C —— 3．二氧化硅的用途： 三．硅酸 硅酸是一种溶于水的酸（酸性比碳酸还），不能使指示剂变色。 1、硅酸与碱反应： 2、硅酸制备： 由于SiO2，故不能和水反应制取硅酸。硅酸的制备一般可以通过和某些酸反应，例如 Na2SiO3 + HCl —— Na2SiO3 + CO2+ H2O —— 3、硅酸不稳定： 硅胶多孔，吸附水分能力，常用作 四．硅酸盐（一般溶于水，化学性质） 硅酸钠（Na2SiO3）的水溶液俗称为，可用作、、 及等。 硅酸盐的组成大多比较复杂，表示它们的时候可以将其改写成SiO2和相应金属氧化物的形式。如：Na2SiO3改写成 高岭石Ai2(Si2O5)(OH)4改写成 五．硅酸盐工业 1．玻璃 以、、为原料，在下发生复杂的化学、物理变化。 生产过程中涉及的主要反应有， 。 所得产品的主要成分是、、。 玻璃是（纯净物或混合物），它固定的熔点，只在一定的温度范围内软化。 2．陶瓷：主要原料。 3．水泥
高一化学硅测试题
第四章非金属及其化合物 第一节无机非金属材料的主角——硅 5分钟训练(预习类训练，可用于课前) 1.下列说法中不正确的是（） A.新型无机非金属材料具有光学特性、生物功能、电学特性、耐高温、强度高 B.光导纤维做通讯材料有许多优点，但怕腐蚀，铺设也很不方便 C.高温结构陶瓷比金属材料具有许多优点，如不怕氧化、密度小等优点 D.光导纤维除用于通讯外，还可以用于医疗、信息处理等许多方面 思路解析：光导纤维的主要成分是二氧化硅，其性质稳定，耐腐蚀能力要比金属材料要强得多，所以，认为它怕腐蚀的说法是不正确的。答案：B 2.有关材料分类正确的是（） A.硅酸盐材料属于新型无机非金属材料 B.高温结构陶瓷属于新型的无机非金属材料，金属属于金属材料，但都属于结构材料 C.新型无机非金属材料包括半导体材料、光导纤维、氧化铝陶瓷等 D.氮化硅属于新型无机非金属材料，但不是高温结构材料 思路解析：A项中硅酸盐材料不是新型的材料，而是传统的材料；B 项金属中有些材料不是结构材料；D项中氮化硅也是高温结构材料。答案：C
3.你知道地壳中含量最多的元素是什么吗？空气中含量最多的元素是又是谁？ 思路解析：通过阅读教材或查阅资料都可以知道。 答案：地壳中含量最多的元素是氧，其次是硅；空气中含量最多的元素是氮，其次是氧。 4.观察下列图片，考虑硅在自然界中的主要存在形态如何？请作简单描述。 思路解析：从本题提供的图片及教材的文字介绍、生活经验等多个方面来回答这个问题，都可以得出正确的答案。 答案：硅的氧化物及硅酸盐构成了地壳中大部分的岩石、沙子和土壤，约占地壳质量的90%以上。 5.根据教材上介绍的二氧化硅的正四面体结构图，自己动手制作一个二氧化硅的分子结构模型。 思路解析：二氧化硅的空间结构是正四面体，可以用陶土来制作一个正四面体模型，也可以用小木棍和小球（珠）做成一个类似于教材上的结构。
硅酸钠基本知识
硅酸钠基本知识简介 英文名：Sodium silicate, Water glass. 硅酸钠是无色固体，密度2.4g/cm3，熔点1321K(1088℃)。溶于水成粘稠溶液，俗称水玻璃、泡花碱。是一种无机粘合剂。 固体硅酸钠南方多称水玻璃，北方多称泡花碱，硅酸钠的水溶液通称水玻璃。纯固体硅酸钠为无色透明固体，市售硅酸钠多含有某些杂质，略带浅蓝色。 硅酸钠俗称水玻璃，液体硅酸钠为无色、略带色的透明或半透明粘稠状液体。固体硅酸钠为无色、略带色的透明或半透明玻璃块状体。形态分为液体、固体、水淬三种。理论上称这类物质为“胶体”。普通硅酸钠为略带浅蓝色块状或颗粒状固体，高温高压溶解后是略带色的透明或半透明粘稠液体。 市面上出售的AR分析纯水玻璃为Na2SiO3·9H2O，放置在空气中吸潮、结块。在水中的极易溶解。 泡花碱也就是硅酸钠（Na2SiO3），溶于水后形成的粘稠溶液，通称水玻璃，呈碱性。它的用途非常广泛，往往根据其粘结性强的特点，被用做硅胶，而且耐酸、耐热。有毒，但对一般的接触没有影响，误食则会对人体的肝脏造成危害 分类介绍 1、硅酸钠分两种，一种为偏硅酸钠，化学式Na2SiO3，式量122.00。另一种为正硅酸钠，化学式Na4SiO4，式量184.04。 2、正硅酸钠是无色晶体，熔点1291K(1088℃)，不多见。水玻璃溶液因水解而呈碱性（比纯碱稍强）。因系弱酸盐所以遇盐酸，硫酸、硝酸、二氧化碳都能析出硅酸。保存时应密切防止二氧化碳进入，并应使用橡胶塞以防粘住磨口玻璃塞。工业上常用纯碱与石英共熔制取Na2CO3+SiO2→Na2SiO3+CO2↑，制品常因含亚铁盐而带浅蓝绿色。用为无机粘接制剂（可与滑石粉等混合共用），肥皂填充剂，调制耐酸混凝土，加入颜料后可做外墙的涂料，灌入古建筑基础土壤中使土壤坚固以防倒塌。 3、偏硅酸钠是普通泡化碱与烧碱水热反应而制得的低分子晶体，商品有无水、五水和九水合物，其中九水合物只有我国市场上存在，是在上世纪80年代急需偏硅酸钠而仓促开发的技术含量较低的应急产品，因其熔点只有42℃，贮
微机原理试题集题库(带答案)
微机原理及应用习题集库 (2) 一、填空 (2) 二、单项选择题 (8) 三、程序分析题（每小题6分，共24分） (22) 四、判断题（在对的后面画√，错的后面画×）： (34) 五：分析判断题（判断对错，并指出错误原因） (42) 六、简答题： (45) 七、程序题 (51) 八、接口芯片的综合编程题 (66) （一）8255A (66) （二）8259A (72) （三）. 其它端口编程题 (75)
微机原理及应用习题集库 （请认真复习4、5、7、10、11章后的习题） 一、填空 1.87的原码是 0101 0111B=57H ，补码是 01010111B ，反码 01010111B 。 2.SP总是指向栈顶，若原先SP=2000H，SS=2000H，问CPU执行指令PUSH AX 后，AL内容压入物理地址为 21FFEH 存储单元中，AH内容压入物理地址为 21FFFH 存储单元中。 3.以BX基址寻址，约定的段寄存器是 DS ，以BP基址寻址，约定的段寄存 器是 SS ，变址寻址约定的段寄存器是 DS 。 4.假设某个字的值是1234H，其低位字节地址是20H，高位字节地址是21H，那么 该字地址是 20H 。 5.8086/8088的状态标志有 6（SF、PF、AF、OF、ZF、CF）个。8086/8088系统中，存储器是分段的，每段最大长度是 64K 字节，段内偏移地址从 0000H 到 FFFFH 。 6、CPU访问存储器进行读写操作时，通常在 T3状态去检测READY ，一旦检测
到READY无效，就在其后插入一个 T w周期。 7、汇编语言源程序中的语句有三种类型，它们是指令语句，伪指令 语句，宏指令语句。 8、、8086CPU寻址外设可以有两种方式，一种是直接寻址方式，另一种是间 接寻址方式。 9、CPU与外设之间的连接部件称为 I/O接口，它的基本功能是在 CPU与外设之间起缓冲作用。 10、C PU从主存取出一条指令并执行该指令的时间称（），它通常用若干个（） 来表示，而后者又包括若干个（）。 ①指令周期②机器周期③时钟周期 答：1－2－3 14、数据的输入/输出指的是CPU与 I/O接口进行数据交换。 15．已知X= -120，则X的原码（用八位二进制表示）是____________，补码（用八位二进制表示）是____________。 16、8088中的指令INT n用（N ）指定中断类型。 17、8088的ALE引脚的作用是（地址锁存允许）。 18.一片8255A端口A有（ 3 ）种工作方式，端口B有（ 2 ）种工作方式。 19.当8255A口工作在方式1输出时，A口输入信号联络线的名称是 IBF ，
无机非金属材料的主角——硅重点知识归纳及典型习题
重 点 突 破 锁定高考热点 探究规律方法 熔沸点高，硬度大，其中金刚石为硬度最大的物质。 2．一般情况，非金属元素单质为绝缘体，但硅为半导体，石墨为电的良导体。 3．一般情况，较强氧化剂＋较强还原剂===较弱氧化剂＋较弱 还原剂，而碳却能还原出比它更强的还原剂：SiO 2＋2C===== 高温Si ＋2CO ↑，FeO ＋C===== 高温Fe ＋CO ↑。 4．硅为非金属，却可以和强碱溶液反应，放出氢气： Si ＋2NaOH ＋H 2O===Na 2SiO 3＋2H 2↑。 5．一般情况，较活泼金属＋酸===盐＋氢气，然而Si 是非金属，却能与氢氟酸发生反应：Si ＋4HF===SiF 4↑＋2H 2↑。 6．一般情况，碱性氧化物＋酸===盐＋水，SiO 2是酸性氧化物，却能与氢氟酸发生反应：SiO 2＋4HF===SiF 4↑＋2H 2O 。 7．一般情况，较强酸＋弱酸盐===较弱酸＋较强酸盐。虽然酸 性：H 2CO 3＞H 2SiO 3，却能发生如下反应：Na 2CO 3＋SiO 2===== 高温Na 2SiO 3＋CO 2↑。 8．一般情况，非常活泼金属(Na 、K 等)才能够置换出水中的氢， 但C ＋H 2O(g)=====高温CO ＋H 2 。 9．一般情况，非金属氧化物与水反应生成相应的酸，如SO 3＋H 2O===H 2SO 4，但SiO 2不溶于水，不与水反应。 题组训练
1．某短周期非金属元素的原子核外最外层电子数是次外层电子数的一半，该元素() A．在自然界中只以化合态的形式存在 B．单质常用作半导体材料和光导纤维 C．最高价氧化物不与酸反应 D．气态氢化物比甲烷稳定 解析该短周期非金属元素为Si，硅在自然界中只以化合态形式存在，A项正确；单质硅可用作半导体材料，而光导纤维的主要成分是SiO2，B项错误；Si的最高价氧化物为SiO2，其可以与氢氟酸反应，C项错误；由于非金属性Si 第一章 1.试述档案学的研究对象与范围 答：档案学的研究对象就是档案、档案工作、档案事业和档案学科本身。档案学是研究档案现象、档案工作、档案事业和档案学科产生于发展规律的一门科学。 我国档案学的研究范围主要包括档案学基础理论研究、档案学应用理论研究、档案学应用技术研究以及档案学相关的内容。 2.档案的种类：（1）从档案形成领域的公私属性角度，可分为公务档案、私人档案。（2）从档案形成时间的早晚以及档案作用角度，可分为历史档案、现行档案。（3）从档案内容属性角度，可分为文书档案、科技档案、专门档案。（4）从政权性质划分，可分为旧政权档案、革命历史档案、中华人民共和国成立后的档案。 3公务档案：指人们在公务活动中形成的档案。 私人档案：指人们在私人生活中形成的档案， 历史档案：指形成时间较早，离现在较久远且主要起历史文化作用的档案。 现行档案：指形成时间较晚，离现在的时间距离较近且主要起现时性查考作用的档案。 文书档案：即在社会的行政管理活动中由各种行政性或曰政治性公文转化而成的档案 科技档案：指人们在科技、生产活动中形成的由纯业务性的科技文件材料转化而成的档案。 专门档案：是人们通过创造性劳动选择并保存下来以备查考的各种专门文件组成的有机体系的总称。 旧政权档案：指1949年10月1日中华人民共和国成立之前，除了革命历史档案之外的所有归国家所有的档案。 革命历史档案：指1949年10月1日中华人民共和国成立之前，由中国共产党及其所领导的军队、政权、企事业单位、社团等社会组织及个人所形成的归国家所有的档案。 中华人民共和国成立后的档案：指1949年10月1日之后，在中国形成的归国家所有的档案。 4.档案的价值 （1）根据档案价值实现领域和效果的不同，可分为凭证价值和情报价值。档案的凭证价值，是档案不同于和优于其他各种资料的最基本的特点。档案的情报价值。档案是事实、知识和经验的记录，它的这种可靠的广泛的可资参考的特征，构成了其情报价值。（2）根据档案价值实现时间的不同，可分为现实价值和长远价值。档案的现行价值，是指档案对现实的社会实践活动所具有的有用性。档案的长远价值，是指档案价值的时效性可以扩展到遥远的未来，在相当长的时间中能够满足社会各方面利用需要的性质。（3）根据档案价值主体的不同，可以分为第一价值和第二价值。档案的第一价值，是指档案对于其形成者所具有的价值。档案的第二价值是指档案对社会即除档案形成者之外的其他利用者所具有的价值 5.为什么说档案具有凭证价值。 第二部分：【基本理论】替换PDF文件中的第二部分 一、碳、硅及化合物的关系网络 1、相互转化关系 2、硅的性质和制备： 物理性质：①硅在自然界中只有态，没有态。其含量在地壳中居第位，是构成矿 物和岩石的主要成分。②晶体硅为原子晶体。灰黑色，有金属光泽，硬而脆的固体，是半导体，具有较 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 高的硬度和熔点。 ．．．．．．．． 化学性质：硅的化学性质不活泼。 ①常温下，只能与氟气、氢氟酸及强碱溶液反应： Si + 2F2 ＝ SiF4 、Si + 4HF ＝ SiF4 + 2H2↑、Si + 2NaOH + H2O ＝。 ②在加热条件下，能与氧气、氯气等少数非金属单质化合：Si ＋ O2 SiO2 制备：在电炉里用碳还原二氧化硅先制得粗硅：SiO2 ＋ 2C。 将制得的粗硅，再与C12反应后，蒸馏出SiCl4，然后用H2还原SiCl4可得到纯硅。有关的反应为：Si 十2C12 SiCl4、SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl 应用：①高纯硅可作材料；②晶体硅还可做光电转换材料及制作生物工程芯片。 3、二氧化硅的性质和应用： ①SiO2为晶体，是一种坚硬难熔的固体，硬度、熔点都很高。 ②二氧化硅的化学性质很稳定，不能跟酸（氢氟酸除外）发生反应。 ③二氧化硅是一种酸性氧化物，所以能跟碱性氧化物或强碱反应。 SiO2 + CaO CaSiO3 、SiO2 + 2NaOH ＝ Na2SiO3 + H2O（碱溶液不能在使用磨口玻璃塞的试剂瓶中）④二氧化硅是一种特殊的酸性氧化物。 a．酸性氧化物大都能直接跟水化合生成酸，但二氧化硅却不能直接跟水化合，它的对应水化物(硅酸)只能用相应的可溶性硅酸盐跟盐酸作用制得。 首先，让SiO2和NaOH（或Na2CO3）在熔化条件下反应生成相应的硅酸钠：SiO2＋2NaOH；然后，用酸与硅酸钠作用制得硅酸：Na2SiO3+2HCl === 。 微机原理试题 一、单项选择题(每小题1分，共20分) 1.8086CPU由两个独立的工作单元组成,它们是执行单元EU和( ). A）总线控制逻辑器B）内部通信寄存器 C）指令寄存器D）总线接口单元 2.8086系统若用256KB*1动态存储器芯片可望构成有效存储系统的最小容量是( ). A）256KB B）512KB C）640KB D）1MB 3.Intel8255A使用了（）个端口地址。 A）1 B）2 C）3 D）4 4.PC机中为使工作于一般全嵌套方式的8259A中断控制器能接受下一个中断请求，在中断服务程序结束处就( ). A）发送OCW2指令B）发送OCW3指令C）执行IRET指令D）执行POP指令5.RAM是随机存储器,它分为( )两种. A）ROM和SRAM B）DRAM和SRAM C）ROM和DRAM D）ROM和CD-ROM 6．在程序运行过程中，确定下一条指令的物理地址的计算表达式是（） A）CS×16+IP B）DS×16+SI C）SS×16+SP D）ES×16+DI 7.( )是以CPU为核心,加上存储器,I/O接口和系统总线构成的. A）微处理器B）微型计算机C）微型计算机系统D）计算机 8.对于掉电,8086/8088CPU是通过( )来处理的. A）软件中断B）可屏蔽中断C）非屏蔽中断D）DMA 9.计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是（）。 A）便于读写数据B）减小机箱的体积 C）便于系统升级D）解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾 10.8259A的OCW1----中断屏蔽字( )设置. A）在ICW之前B）只允许一次C）可允许多次D）仅屏蔽某中断源时11.将十六进制数163.5B转换成二进制数是）( ) A）1101010101.1111001 B）110101010.11001011 C）1110101011.1101011 D）101100011.01011011 12．Intel 8086/8088微处理器有（）地址线，直接寻址内存空间的范围是（）。A）10条，64KB B）20条，64KB C）16条，1M D）20条，1M 13．Intel 8086/8088微处理器的标志寄存器中，作为记录指令操作结果的标志是（）。 A）CF，OF，PF，AF，SF，ZF B) CF，PF，ZF，SF C) OF，DF，IF，SF，ZF，CF D) IF，DF，OF，CF 14．下述对标志寄存器中标志位不产生影响的指令是（）。 A）JMP NEXT B) TEST AL，80H C) SHL AL，1 D) INC SI 15．简单的汇编语言程序可以通过（）来建立、修改和执行。 A）连接程序B) 调试程序C) 汇编程序D) 编辑程序 16．累加器AL中的内容是74H，执行CMP AL，47H指令后，累加器AL中的内容是（）A）2DH B）0D3H C）00H D）74H 17．LINK程序执行后可以生成一个以（）为扩展名的文件。 A）.COM B）.EXE C）.OBJ D）.LST 18．在8086/8088汇编语言源程序中，两个有符号的整数A和B比较后为了判断A是否大 硅及其化合物测试题 一、选择题（单选题） 1．新型无机材料碳化钛（TiC）、碳化硼(B4C3)、氮化硅（Si3N4）等称为非氧化物陶瓷，合成这些物质需在高温条件下进行，在合成工艺中必须注意（） A．通入足量的氧气B．避免与氧气接触 C．可在氮气气氛中合成D．通入少量氧气 2．高温下的反应SiO2+3C=SiC+2CO↑中，氧化剂和还原剂的质量比为（） A．1：2 B．2：1 C．1：3 D．5：3 3．在300℃时，某无色气体X与红热的碳反应生成无色气体Y，Y能跟灼热的CuO反应又生成气体X，则X、Y分别是（） A．H2O（g）、H2B．O2、H2C．CO2、CO D．CO、CO2 4．下列离子方程式正确的是（） A．水玻璃加盐酸：SiO32-+2H+=H2SiO3↓B．小苏打和烧碱溶液：HCO3-+OH-=CO2+H2O C．石灰石溶于盐酸：CO32-+2H+=H2O+CO2↑ D．石英溶于NaOH溶液：Si4++2O2-+2OH-=SiO32-+H2O 5．下列物质固态时，不存在分子的是（） A．二氧化硅B．二氧化硫C．二氧化碳D．三氧化硫 6．除去SiO2固体中混有的CaCO3固体，方法正确的是（） A．加水，过滤B．加热C．加盐酸，过滤D．加NaOH溶液，过滤 7．下列变化中，不可能通过一步反应实现的是（） A．SiO2→Na2SiO3B．SiO2→H2SiO3C．CuSO4→CuCl2D．Cu(OH)2→CuO 8．下列离子在水溶液中能大量共存的是（） A．H+、K+、HCO3-、Ca2+ B．OH-、Na+、Mg2+、HCO3- C．Na+、H+、Cl-、NO3-D．Na+、SiO32-、H+、Cl- 9．10g含有杂质的CaCO3和足量的盐酸反应，产生CO20.1mol，则此样品中可能含有的杂质是（）A．KHCO3和MgCO3B．SiO2和MgCO3C．K2CO3和SiO2D．无法确定 10．把xmol的CO2通入含ymol Ca(OH)2的澄清石灰水中，充分反应，下列叙述不正确的是( ) A．当x≤y时，生成100x g沉淀 B．当y＜x时，生成100y g沉淀 C．当y＜x＜2y时，生成100(2y－x) g沉淀 D．当2y≤x时，生成的沉淀全部溶解 11．将过量的CO2分别通入①CaCl2溶液；②Na2SiO3溶液；③NaAlO2溶液；④饱和Na2CO3溶液；⑤Ca(OH)2溶液。最终溶液中有白色沉淀析出的是() A．①②③④⑤B．②③④ C．②④⑤D．①②④ 12．下列关于硅和硅的化合物的叙述，不正确的是() ①二氧化硅的晶体结构与金刚石相似，都是立体网状结构②硅是地壳中含量最多的非金属元素③晶体硅是良好的半导体材料④二氧化硅是制造光导纤维的重要原料⑤SiO2分子是由两个氧原子和一个硅原子组成的⑥SiO2是酸性氧化物，它可溶于水生成硅酸 A．①②⑥B．①⑤⑥C．③④⑤⑥D．②⑤⑥ 02档案业务基本知识 第二部分档案业务基本知识 一、单项选择题 1.档案管理最基本的要求是（ A ）。 A、维护档案的完整与安全 B、便于社会各方面的利用 C、统一领导 D、分级管理 2.档案工作的根本目的是（ B ）。 A、维护档案的完整与安全 B、便于社会各方面的利用 C、统一领导 D、分级管理 3.我国档案工作的组织原则是（ C ）。 A、维护档案的完整与安全 B、便于社会各方面的利用 C、统一领导、分级管理 D、统一领导、统一管理 4.介于文件形成机构和档案馆之间的中间性或过渡性文件管理机构是（ C ）。 A、档案室 B、办公室 C、文件中心 D、文件寄存中心 5.归档的文件一般（ A ），重要的、利用频繁的和有专门需要的可适当增加份数。 A、一式一份 B、一式两份 C、一式三份 D、一式四份 6.档案整理过程中，可作为档案分类依据的是（ D ）。 A、分类标准 B、保管期限表 C、归档范围 D、分类方案 7.保持文件之间的有机联系，首要的是保持文件在（ A ）的联系。 A、来源上 B、时间上 C、内容上 D、形式上 8.下列不属于档案检索工具的是（ D ）。 A、目录 B、索引 C、指南 D、专题概要 9.（ A ）既能用于组织馆藏和进行档案统计，又可用于检索。 A、案卷目录 B、分类目录 C、主题目录 D、专题目录 10.档案著录标引的结果是形成（ D ）。 A、指南 B、目录 C、索引 D、条目 11.（ B ）应定期对已到保管期限的档案进行鉴定。 A、档案部门 B、档案鉴定委员会 C、保密部门 D、文件形成部门 12.销毁档案时必须指派（ A ）以上监销。 A、两人 B 、三人 C、四人 D、多人 2 北京交通大学考试试题（A卷） 课程名称：微机原理与接口学年学期：2013—2014学年第1学期 课程编号：14L128Q-03 开课学院：电信出题教师：5人 学生姓名：学号：任课教师： 学生学院：班级： 一、填空题（每题2分，共10分） 1．80X86微机系统采用补码存储数据，16位补码表示的数值范围为：____________________。 (-65536~+65535) 2．某RAM芯片，其数据线为D0-D7，地址线为A0-A11，则此芯片的存储容量为：________。 （4KB ） 3．伪指令XBF DW 10 DUP(10，10 DUP(10))，系统为变量XBF 分配的字节数为：________。 (110)/6EH 4．80X86微机系统根据中断向量表，获取中断向量，中断向量表的地址范围为：__________。 （000H~3FFH） 5．DMAC芯片8237A内部有_______个独立的通道，每个通道的选址范围为：_______。 4 64KB 二、选择题（单选，每题2分，共10分） 1．下列哪条指令执行后对状态标志位没有影响。（）A A. MOV AL,33H B. ADD AL,33H C. CMP AL,33H D. TEST AL,33H 2．已知X1是定义的一个变量，下列哪条指令与LEA AX,X1结果相同。（）D A. MOV AX,X1 B.ADD AX,X1 C.MOV AX, SEG X1 D. MOV AX, OFFSET X1 3．中断控制器8259中用于存放CPU当前正在服务的中断标志的寄存器为：（）B A. 中断请求寄存器IRR B. 中断服务寄存器ISR C. 中断屏蔽寄存器IMR D. 中断优先权判别器PR 4．串行接口芯片8250不能处理下列哪种中断。（）C A．接收数据出错 B. 接收缓冲器满 C. 发送数据出错 D. 发送寄存器空 5．某微机系统含有3片8237A，其中一片为主片，两片为从片，试问此系统可以使用多少个DMA通道。（）C A．4 B.8 C.10 D.12 三.指令改错（指出指令错误原因，并改错）（共5小题，每小题2分，共10分） （1）MOV DS,1000H （2）PUSH AH （3）CMP [BX], 2000H[SI] （4）INC BX，1 （5）OUT AL, 1234H 答案： （1）立即数不能直接送到段寄存器。 改为：MOV AX,1000H （MOV DS,AX） （2）不能为字节 1分PUSH AX 1分 （3）操作数不能同时为存储器操作数1分 MOV AX,[BX] CMP AX,1000H[SI] MOV [BX],AX (有多种改法) 1分 （4）格式错误 1分INC BX 1分 （5）端口地址>255要将端口地址先送入DX,且格式错误。1分 山西省忻州市第一中学【精品】高一必修一：4.1.2无机非金属材料的主角-硅同步练习化学试题 学校:___________姓名：___________班级：___________考号：___________ 一、单选题 1．下列不属于传统硅酸盐产品的是（） A．玻璃B．水泥C．光导纤维D．陶瓷 2．下列关于硅酸盐的叙述中，正确的是（） ①硅酸盐大多都难溶于水②硅酸盐是构成地壳岩石的最主要成分 ③硅酸盐中最常见的是Na2SiO3，它的水溶液俗称水玻璃 A．③B．②③C．①②D．①②③ 3．下列说法不正确的是（） A．水玻璃、玻璃、水泥、陶瓷均为混合物 B．CO2、SiO2、CO均为酸性氧化物 C．SiC的俗名叫金刚砂，硬度很大 D．实验室熔融烧碱时，不能使用石英坩埚，可以使用铁坩埚 4．古瓷中所用颜料的成分一直是个谜，近年来科学家才得知大多为硅酸盐，如蓝紫色的硅酸铜钡(BaCuSi2O x，铜为＋2价)，下列关于硅酸铜钡的说法不正确的是( ) A．可用氧化物形式表示为BaO·CuO·2SiO2 B．性质稳定，不易脱色 C．易溶解于强酸和强碱 D．x等于6 5．下面关于硅的叙述中，正确的是（） A．粗硅制备单晶硅不涉及氧化还原反应 B．硅是构成矿物和岩石的主要元素，硅在地壳中的含量在所有的元素中居第一位C．硅的化学性质不活泼，在自然界中可以以游离态存在 D．硅在电子工业中，是重要的半导体材料 6．下列说法正确的是（） A．常温时硅化学性质不活泼，不能与任何物质反应 B．晶体硅具有金属光泽，可以导电，属于金属材料 C．Na2SiO3是制备硅胶和木材防火剂的原料 D．二氧化硅是将太阳能转化为电能的常用材料 档案管理工作在整个秘书资格考试中，可能只占几分，但是这也是其中的一个考点。档案管理工作主要包括档案材料的收集；档案的归档，立卷与管理；档案的保管；档案的鉴定；档案的销毁以及档案借阅，利用工作等六大方面。档案管理工作在整个秘书资格考试中，可能只占几分，但是这也是其中的一个考点，现总结如下，供考生学习。（一）档案材料的收集：1．建立，健全立卷归档制度，确立归档范围，归档时间，保管期限；2．对遗缺不全的档案，采取不同措施，积极收集齐全；3．及时催办理完毕的文件上交回收，在次年检查齐全后整理立卷归档。（二）档案的归档，立卷与管理。1．区分全宗，确定立档单位。2．分类。依据档案来源，时间，题目，内容，字母顺序分成若干层次和类别。3．归档前将资料分类，分组放置在待办卷宗内。PPkao 考试网4．案卷排列。立卷按永久，长期，短期分别组卷，卷内文件把正文，底稿，附件请示和批复放在一起，编制案卷目录和案内目录，并复印出四至五份。5．整理案卷，使之厚度适宜，控制在1cm至2cm之间，材料过窄应加衬边；材料过宽应折叠整齐；字迹难辨认的，应附抄件；以每一案卷端正书写标题。6．对所有公司档案系统排列，确定保管期限，编制档案目录（卡片），按一定次序排列和存放。7．每年对档案进行一次清理：清除不必要保存的材料；对破损和褪色的材料进行修补和复制。（三）档案的保管：1．防止档案的损坏，延长档案的寿命，维护档案的安全；2．公司设立专门地点或专用库房或专用文件库保存档案；3．做好档案室的防盗，防水渍，防潮，防虫蛀，防尘，防鼠害，防高温，防强光等工作，门窗应结实牢固。（四）档案的鉴定：1．从档案的内容，来源，时间，可靠程度，名称等方面鉴别档案的价值。2．确定各类档案的中管期限表．其中财务档案见财务档案保存期限表。公司档案保管期限分永久，长期，短期三种．介于两种保管期限的，保管期限从长。（五）档案的销毁：1．对已失效的档案，认真鉴定，编制销毁清册，该清册永久保存；2．办理销毁手续，经董事会或总经理批准，方能销毁；3．销毁时要有二人以上监销，关在清册上签字。4．公司应采取严密管理措施，防止档案失密和泄密。（六）档案借阅，利用工作1．凡需使用档案者，均须填写文件调阅单，依据调阅权限和档案密级，经各级领导签批后方能调阅2．卷一般仅供在档案室阅看，立卷的文件，资料可外借。外借的须办理登记手续。3．借阅期限不得超过3天。 导体：导体是很容易导电的物质，电阻率约为10-6-10-8Ωcm, 绝缘体：极不容易或根本不导电的一类物质。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，目前已知的半导体材料有几百种，适合工业化的重要半导体材料有：硅、锗、砷化镓、硫化镉，电阻率介于10-5-1010Ω（少量固体物质如砷、锑、铋，不具备半导体基本特性，叫做半金属。 冶金级硅（工业硅）：将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步，冶金级硅分为两类：1、供钢铁工业用的工业硅，硅含量约为75%。2、供制备半导体硅用，硅含量在99.7%-99.9%，它常用作制备半导体级多晶硅的原料。 多晶硅：1、改良西门子法，2、硅烷法，3、粒状硅法。 改良西门子法：多晶硅生产的西门子工艺，在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。过程：1、原料硅破碎；2、筛分（80目）——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。 硅烷法：原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体，纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。 区域熔炼法：制备高纯度、高阻单晶的方法。 切克劳斯基法（直拉法）：制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。硅棒外径滚磨：将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。 硅切片：硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程（内圆切片机刀口厚度在300-350um，片厚300-400um。线切机刀口厚度不大于200u，片最薄可达200-250u.）. 硅磨片：一般是双面磨，用金刚砂作原料，去除厚度在50-100u，用磨片的方法去除硅片表面的划痕，污渍和图形，提高硅片表面平整度。用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。 倒角：将硅切片的边沿毛刺、崩边等倒掉。 抛光片：大规模集成电路使用的硅片。 硅材料电性能的三个显著特点： 1、对温度的变化十分灵敏，当温度提高时，电阻率将大幅度下降。 2、微量杂志的存在对电子的影响十分显著，纯硅中加入百万分之一的硼，电阻率就会 从2.14*103下降至4*10-3Ω。 3、半导体材料的电阻率在受到光照时会改变其数值大小。 本征硅：绝对纯净没有缺陷的硅晶体称作本征硅，本征硅中导电的电子和空穴都会由于其价键破裂而产生。体内电子和空穴浓度相等。 N型硅：在纯硅中掺入V族元素（如、磷、砷等），能够提供自由电子的杂质统称为施主杂质，掺入施主杂质的硅叫N型硅。以电子为多数载流子的半导体。 P型硅：在纯硅中掺入III型元素（如硼）以后，具有接受电子的杂质成为受主杂质，掺入受阻杂质的硅叫做P型硅。以空穴为多数载流子的半导体。 单晶：一块晶体如果从头到尾按照同一种排列重复下去叫做单晶体， 多晶：许多微小单晶颗粒杂乱的排列在一起称为多晶体。 晶体中的缺陷：点缺陷、线缺陷、面缺陷、孪晶、旋涡、杂质条纹、堆垛层错、氧化层错、滑移线等 电阻率： 高能粒子探测器：要求几千乃至上万Ω的FZ单晶。档案基本知识
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