太阳能电池特性分析

太阳能电池特性分析
§2.1 前言
太阳光电能是干净、无污染且到处可得的能源，而且是取之不尽、用之不竭。在化石能源逐 渐短缺的今日， 选择太阳光电能作为替代能源是解决能源危机的途径之一。 然而太阳能电池 （Solar Cell，在物理学上称为 Photovoltaic Cell：简称 PV）的成本高、效率低却成为它发展 的重要瓶颈， 因此如何在单位面积内使太阳能电池发挥最大的发电量， 就成为发展太阳能工 业的一大研究重点。 以下第二节为对太阳能电池原理做一简单的介绍。 第三节为介绍太阳能 电池的种类。 第四节则介绍太阳能电池的电气特性。 第五节介绍太阳能电池组件的建模与分 析。
§2.2 太阳能电池的原理[16～17]
太阳能电池的能量转换是应用 P-N 结的光伏效应（Photovoltaic Effect） 。首先对 P-N 结二极 管做一简单说明。如图 2-1 所示，为一理想的 P-N 结二极管的电流-电压（I-V）特性图，其 对应的方程式如下：
（2.1）
其中 Ipn，Vpn：P-N 结二极管的电流及电压 k：波尔兹曼常数（Boltzmann Constant：1.38×10-23J/K） q：电子电荷量（1.602×10-19 库仑） T：绝对温度（凯氏温度 K＝摄氏温度℃＋273 度） Is：等效二极管的逆向饱和电流 VT ：热电压（Thermal Voltage：25.68mV）
图2-1 P-N结二极管I-V特性图
太阳能电池将太阳光能转换为电能是依赖自然光中的的量子-光子（Photons） ，而每个光子 所携带的能量为 Eph：

（2.2）
其中 -15 h：普郎克常数（Planck Constant：4.14×10 eV·S） c：光速（3×108m/s） λ：光子波长 但并非所有光子都能顺利地通过太阳能电池将光能转换为电能， 因为在不同的光谱中光子所 携带的能量不一样： 1. 当光子所携带的能量大于禁带（Band Gap）能量时，电子由价电带（Valence Band）跃迁 至导电带（Conduction Band）而产生所谓的“电流” ，所以当光子所携带的能量若大于禁带 能量时，便可以通过光电子转换成电能，如图 2-2 所示。 2. 若光子所携带得能量小于禁带能量时，就对太阳能电池而言并没有什么作用，不会产生 任何的电流。 但在太阳光照射到太阳能电池产生电子-空穴对（Electro-Hole Pair）的同时，也会有部份的 能量以热能形式散逸掉而不能被有效的利用。
图2-2 太阳光照射在太阳能电池上的示意图
当入射太阳光的能量大于硅半导体的禁带能量时， 太阳光子照射入半导体内， 把电子从价电 带激发到导电带，从而在半导体内部产生了许多“电子-空穴”对，在内建电场的作用下， 电子向 N 型区移动，空穴向 P 型区移动，这样，N 区有很多电子，P 区有很多空穴，在 P-N 结附近就形成了与内建电场方向相反的光生电场， 它的一部分抵消了内建电场， 其余部分则 使 P 区带正电，N 区带负电，于是在 N 区与 P 区之间产生了光生伏打电动势，这就是所谓 的“光生伏打效应” 。 如果位太阳电池开路，即组成电池回路中，负载电阻为无穷大，则被 P-N 结分开的电子和 空穴，就会全部积累在 P-N 结附近，于是出现了最大光生电动势，它的数值即为开路电压， 记作 Voc。 如果把太阳电池短路，即回路负载电阻为零，则所有 P-N 结附近的电子与空穴，由结的一 边，流经外电路到达结的另一边，产生了最大可能的电流，即短路电流记作 ISC。 太阳能电池相当于具有与受光面平行的极薄 P-N 结的大面积的等效二极管，因此可以假设 太阳能电池为一个二极管与太阳光电流发生源所并联的等效电路，如图 2-3 所示。

图2-3 太阳能电池的理想状态等效电路
§2.3 太阳能电池的种类[14～19]
目前市面上的太阳能电池的分类及其在市场上的占有率如图 2-4 和图 2-5 所示[18]。 大致上可 分为堆积型（Bulk Type）和薄膜型（Thin Film Type）两种，介绍如下：
图2-4 太阳电池种类

图2-5 各种太阳电池的市场占有率
堆积型太阳能电池又可分为： 单晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池 III-V 族化合物半导体太阳能电池 薄膜型太阳能电池又可分为： 非晶硅太阳能电池 II-VI 族化合物半导体太阳能电池
§2.3.1 单晶硅太阳能电池[16
～19]
单晶硅太阳电池其特征如下： (1) 原料硅的藏量丰富。由于太阳光的密度极低，故实用上需要大面积的太阳电池，因此在 原材料的供给上相当重要，再加上 Si 材料本身对环境影响极低。 (2) Si 的密度低，材料轻。 (3) 多晶硅及非晶硅太阳电池比较，其转换效率较高。 (4) 发电特性极稳定，约有 20 年耐久性。 (5) 在太阳光谱的主区域上，光吸收系数只有 103cm-1 程度，相当小。故为吸收太阳光谱， 需要 100μm 厚的硅。 目前单晶硅太阳能电池的开发是朝着降低成本和提升效率的两方面着手， 单晶硅太阳能电池 （Cell）的转换效率约为 15-17％，而组件（Module）化后其转换效率约为 12-15％，一般厂 商对组件化转换效率的定义， 是依照该组件中最低太阳能电池转换效率为基准， 而不是取太 阳能电池的平均转换效率，如图 2-6 所示。现阶段的发展是以铸造硅（Cast Si）为主要材料， 而其每 10cm2 的单位转换效率已高达 17.2％， 且进入大规模生产期。 目前世界上效率最高的 是由澳洲的 Mr. Green 所开发出来，其面积为 4cm2 所得到转换效率可高达 23.4％。
图2-6 串联效率不同的太阳能电池

§2.3.2 多晶硅太阳能电池[16
～19]
单晶硅太阳能电池虽有其优点， 但因价格昂贵， 使得单晶硅太阳能电池在低价市场上的发展 受到阻碍。而多晶硅太阳能电池则首先是以降低成本，其次才是效率。多晶硅太阳能电池降 低成本的方式主要有三个， 一是纯化的过程没有将杂质完全去除， 二是使用较快速的方式让 硅结晶， 三是避免切片造成的浪费。 因为这三个原因使得多结晶硅太阳能电池在制造成本及 时间上都比单晶硅太阳能电池少， 但因为这样使得多晶硅太阳能电池的结晶构造较差。 多晶 硅太阳能电池与单晶硅太阳能电池虽然结晶构造不一样但发电原理一样。 多晶硅太阳能电池结晶构造较差主要的原因有两个， 一是本身含有杂质， 二是硅在结晶的时 候速度较快， 硅原子没有足够的时间成单一晶格而形成许多结晶颗粒。 结晶颗粒愈大则效率 与单晶硅太阳能电池愈接近， 结晶颗粒愈小则效率愈差， 而且结晶边界的硅原子键结情况较 差，容易受紫外线破坏而产生更多的悬浮键，随着使用时间的增加，悬浮键的数目也会随着 增加，光电转换效率因而逐渐衰退，这两个是多晶硅太阳能电池的主要缺点，而成本低为其 主要优点。 多晶硅太阳能电池在工业上的运用，目前可达到每 100cm2 的单位转换效率为 15.8％（Sharp 公司） ，若在实验室中则达到面积每 4cm2 的单位转换效率为 17.8％（UNSW） ，多晶硅太阳 能电池的一般转换效率约为 10-15％，组件化的转换效率约为 9-12％。由上述的效率和组件 化观点，我们不难发现为什么单晶硅较常被采用的原因。
§2.3.3 III-V 族化合物半导体[18,19,21]
III-V 族化合物半导体太阳能电池特征如下： IIIIII高效率：已知太阳能电池的光电转换理论效率，与半导体的禁制带 宽有关。一般认为，有 1.4~1.5eV 左右禁制带宽的半导体，适合高效率太阳电 池材料。 与禁制带宽为 1.1eV 的 Si 比较， 1.41eV 的 GaAs， 1.35eV 的 InP 或 1.44eV 的 CdTe 有较高效率。 (2) 适合薄膜化：因为 Si 的光吸收系数小，为吸收充足的太阳光，如图 2-7 所示，需要 100 μm 以上的厚度，而化合物半导体的光吸收系数大，只要几μm 的厚度，即可有充分的效 率。太阳电池的薄膜化，可节省大量材料。 (3) 可耐放射线损伤：更适合太空用途。 (4) 高集光性：在高温工作时，太阳电池效率的降低较小，如图 2-8 所示。因此，聚光工作 时温度的影响较小，可以比 Si 结晶太阳电池的集光性提高 1000 倍以上。 (5) 各种半导体的组合，可使波长感度的带宽域化，可期待高效率化。 III-V 族化合物半导体，可以达到 30-40％的超高效率，这种太阳能电池的第二代有较小单位 面积，但却拥有超高效率的特性，已在专业实验室中获得证实，例如磷化镓铟（GaInP）／ 砷化镓（GaAs）已可得到将近 30％的效率。而就所知，利用聚光方式可使太阳能电池的转 换效率再向上提升，例如把砷化镓（GaAs）／锡化镓（GaSn）叠层起来，太阳能电池在聚 光下的转换效率也可高达 35.8％，这是目前世界上所得到最高转换效率的太阳能电池[21]。 但是，GaAs 材料非常昂贵，这是 GaAs 电池大面积推广的最大障碍。为了降低成本，可利用 聚光系统。聚光系统不但使用相对便宜的塑料透镜和金属外壳，而且也改善了电池性能。

图2-7 Si及GaAs太阳电池理论转换效率与膜厚，粒径关系
图2-8 化合物半导体的光电池转换效率
§2.3.4 薄膜型太阳能电池[18,19,20,22]
薄膜型太阳能电池由于使用材料较少， 就每一组件的成本而言比起堆积型太阳能电池有着明 显的减少， 制造程序上所需的能量也较堆积型太阳能电池来的小， 它同时也拥有整合型式的 连接组件， 如此一来便可省下了独立组件所需在固定和内部连接的成本。 未来薄膜型太阳能 电池将可能会取代现今一般常用硅太阳能电池，而成为市场主流。 非晶硅太阳能电池与单晶硅太阳能电池或多晶硅太阳能电池的最主要差异是材料的不同， 单 晶硅太阳能电池或多晶硅太阳能电池的材料都是硅，而非晶硅太阳能电池的材料则是 SiH4， 因为材料的不同而使非晶硅太阳能电池的构造与晶硅太阳能电池稍有不同。 SiH4 最大的优点为吸光效果及光导效果都很好，但其电气特性类似绝缘体，与硅的半导体 特性相差甚远， 因此最初认为 SiH4 是不适合的材料。 但在 1970 年代科学家克服了这个问题， 不久后美国的 RCA 制造出第一个非晶硅太阳能电池。 虽然 SiH4 吸光效果及光导效果都很好， 但由于其结晶构造比多晶硅太阳能电池差，所以悬浮键的问题比多晶硅太阳能电池还严重， 自由电子与空穴复合的速率非常快；此外 SiH4 的结晶构造不规则会阻碍电子与空穴的移动 使得扩散范围变短。基于以上两个因素，因此当光照射在 SiH4 上产生电子空穴对后，必须 尽快将电子与空穴分离，才能有效产生光电效应。所以非晶硅太阳能电池大多做得很薄，以 减少自由电子与空穴复合。由于 SiH4 的吸光效果很好，虽然非晶硅太阳能电池做得很薄， 仍然可以吸收大部分的光。 非晶硅薄膜型太阳能电池的结构不同于一般硅太阳能电池，如图 2-9 所示，其主要可分为三

层，上层为非常薄（约为 0.008 微米）且具有高掺杂浓度的 P ；中间一层则是较厚（0.5～1 微米）的纯质层（Intrinsic layer） ，但纯质层一般而言通常都不会是完全的纯质（Intrinsic） ， 而是掺杂浓度较低的 n 型材料；最下面一层则是较薄 （0.02 微米）的 n。而这种 p+-i-n 的结构较传统 P-N 结构有较大的电场，使得纯质层中生成 ＋ 电子空穴对后能迅速被电场分离。而在 P 上一层薄的氧化物膜为透明导电膜（Transparent Conducting Oxide :TCO） ，它可防止太阳光反射，以有效吸收太阳光，通常是使用二氧化硅 （SnO2） 。非晶硅太阳能电池最大的优点为成本低，而缺点则是效率低及光电转换效率随使 用时间衰退的问题。 因此非晶硅太阳能电池在小功率市场上被广泛使用， 而在发电市场上则 不具竞争力。
＋
图2-9 非晶硅薄膜型太阳能电池的结构图
近年来，全球太阳电池的开发与应用的发展速度很快，每年递增 30%，主要产品为晶体硅和 非晶硅电池。但是，非晶硅太阳电池一直困扰于性能衰降问题，产量未见增加，晶体硅和非 晶硅太阳电池实际价格很高的状况仍未改变。 从固体物理学上讲， 硅材料并不是最理想的光 伏材料，这主要是因为硅的光吸收系数较低。因此，新型薄膜太阳电池的研究近十年来受到 高度重视。最具有发展前途的是碲化镉(CdTe)和铜铟硒(CuInSe2)薄膜太阳电池，因为它们有 非晶硅薄膜型太阳能电池所不能达到的高效率与可靠度。 就效率而言， 它在很小的单位面积 上已经可达到 16％以上，且没有可靠度方面的问题。在大面积电池的研制，规模化生产的 发展，低的生产成本等方面，鍗化镉(碲化镉)电池显现出其它电池无法比拟的优势，它们的 生产成本约为单晶硅太阳电池 1/3～1/2。虽然它们的研究目前已经取得相当大的进展，并已 进行批量生产，但要与晶体硅太阳电池抗衡还需要做大量的工作。
§2.4 太阳能电池的电气特性
如前面图 2-3 所示，太阳能电池在理想状态时，可用式（2.3）来表示其 I-V 关系式：
（2.3）
其中 Isc：某日照量下太阳能电池的短路电流 Is：等效二极管的逆向饱和电流 n：理想参数值，一般介于 1～2 之间 图 2-10 为太阳能电池实际的等效电路[16,17,23]，可用式（2.4）来表示其 Ipv-Vpv 关系式：

（2.4）
其中 Rs：硅内部电阻与电极电阻等之串联等效电阻 Rsh：各种原因所造成而呈现接面不完全的并联电阻 此外，在式（2.4）中的 Is 表示太阳能电池中的逆向饱和电流，同时也是温度的函数，其数 学关系式可以表示如下[24]：
(2.5)
其中 Tr：太阳能电池的参考温度（K） Isr：太阳能电池在温度 Tr 时的逆向饱和电流 EGap：半导体材料跨越禁带时所需的能量 q：电荷量（1.6×10-19） 由式（2.5）可知，在定电流源 Isc 所产生的电流，有一部份会在太阳能电池中的二极管中消 耗掉。 一般在讨论太阳能电池实际等效电路时，可通过忽略 Rs 或 Rsh 的情况，做以下两种的探讨 [16,17,25] ： 1. 当日照强度很低时，太阳能电池的泄漏电流 Rsh/Vd 与二极体电流 Id 的大小相当，因此太 阳能电池输出电流受 Rsh 的影响较 Rs 的影响大许多，故可将式（2.4）改写为：
（2.6）
2. 若日照强度很高时，二极管电流 Id 远大于泄漏电流 Rsh/Vd，则此时 Rsh 的影响很小，Rs 便 成为影响太阳能电池输出得主要原因，因此式（2.4）可简化为：
（2.7）
太阳能电池的等效电路中的内部串联电组 Rs 与并联电阻 Rsh 为影响太阳能电池输出特性的最 主要因素。Rs 与 Rsh 对输出特性有不同的影响，其中 Rs 越大则短路电流会越小，但几乎不会 对开路电压造成影响；而 Rsh 越大则开路电压会越小，但并不会影响到短路电流。在发电效 率上，由于正常操作条件下，太阳能电池的输出电压与电流变化中，似乎输出电流对输出功 率的影响程度会较大，加上影响开路电压的因素除了 Rsh 外还包括二极管的电流值，因此 Rs 对太阳能电池发电效率影响较为明显， Rsh 的影响则比较不明显。 而 在结晶硅太阳能电池中， Rs 每增加一欧姆约使发电效率降低 1％，而一般结晶硅太阳能电池的 Rs 约在 0.6Ω左右。

图2-10 实际状态时的的等效电路
由式子（2.7）可知 Isc 和 Is 的大小值与太阳能电池的整个结构相当有关，例如：太阳能电池 的几何形状、制造过程都是影响的因素。在 Ipv-Vpv 的特性曲线中，要特别注意下列几点：在 短路情况下（Vpv=0） ，这时所有产生的电流全都流向外加的短路负载而不会流经过二极管， 此时短路电流 Ipv 几乎等于光照下所产生的电流 Isc；当处于开路情况时（Ipv=0） ，光照下所产 生的电流完全流经二极管，此时开路电压 Voc 为[26]：
（2.8）
利用式子（2.7）可画出太阳能电池的 Ipv-Vpv 及 Vpv-Ppv 等特性曲线，如图 2-11 所示，由图可 知太阳能电池的输出曲线为非线性且为温度与日照强度的函数， 每一条曲线中各点所能画出 的最大矩形面积则是 Ipv 与 Vpv 的最大乘积值称为最大功率点， 定义为 Pmax， 为在该日照强度 下，它所能输出功率的最大值。而太阳能电池的填充因子（Fill Factor：F.F）及转换效率ηs， 分别定义为：
（2.9） （2.10）
其中 Pin 为单位面积入射光功率，就是所谓的日照强度(Irradiation)。

图2-11 太阳能电池的输出特性
§2.5 太阳能电池组件的建模与分析
太阳能电池阵列（Array）是由许多小单位的组件经由并联或是串联组合所组成；组件串联 组合可以提高太阳光电能发电系统的最高输出直流电压； 组件并联组合可以提高太阳光电能 发电系统的最高输出直流电流， 而串联或并联组件可以交替使用以便得到期望的输出直流电 压或直流电流值。 由于太阳能电池的制造过程较为复杂， 会造成每一光伏组件的特性不完全 一致，再加上环境的因素，例如：周围环境、灰尘、云层的阻碍、建筑物造成的阴影等等， 使得每一个相同组件所产生的电压、 电流都不尽相同， 而会造成某些组件成为其他组件的负 载的情况发生， 在这个情况下因为能量的消耗会使得组件温度上升， 而当太阳组件内部温度 超过 75℃～85℃时即有可能会造成组件的损坏，或当太阳能阵列装设的地点有被建筑物挡 到时， 造成阴影覆盖在太阳能组件上而造成该组件无法与其它组件产生相同的电压、 电流时。 在太阳阵列中有组件损坏时或组件被阴影挡到时， 所有的电压会全部落在这个组件上， 为了 要解决上述的情况，就在每一个组件并联一个旁路二极管（Bypass Diode） ，如图 2-11 所示， 如此便可提供每一组件一个能量散逸的低阻抗路径，克服了多个组件连接时的问题。 在白天时太阳能电池会对蓄电池组进行充电的工作， 若是太阳能电池在夜晚时或没有足够亮 光时，其输出电压会低于蓄电池电压。此时，太阳能电池的特性表现就如同一般的二极管， 而如蓄电池组有放电工作的话， 电流将会从蓄电池倒流入太阳能电池， 造成太阳能电池的损 坏。 为防止此发生， 其最简单解决方式便是在太阳能电池与蓄电池组之间加入一阻塞二极管 （Blocking Diode） ，如图 2-12 所示。但此二极管于顺向偏压时会有压降产生，并使得成本 提高这是在设计方面应该有所注意的。目前市售二极管的偏压，如图 2-13 所示，硅二极体 为 0.6～0.7V，Schottky 二极管为 0.2～0.3V，Ge 二极管为 0.1～0.3V。以 Ge 二极管而言， 虽然电压降很小， 但逆电流大， 实际上很少使用。 因此充电电压高时， 用低成本的硅二极管， 而充电电压低时，以成本稍高且压降小的 Schottky 二极管最好。

图2-12 太阳能电池模块的连接方式
图2-13 阻塞二极管的特性
我们将根据厂商所提供的资料，建立本系统所使用的太阳能组件 Solar Module SP75 的数学 模型，来分析在不同大气条件下太阳能电池输出特性的变化。SP75 是由 36 个单结晶硅太阳 能电池，所构成 75 峰瓦（Peak Watt）的组件，如图 2-14 及图 2-15 所示。根据本节的描述， 太阳能电池的数学模型可表示为图 2-16 的等效电路（忽略 Rsh 下） ，可以再简化为图 2-17 的 等效电路。

图2-14 SP75单晶硅太阳能电池表面放大500倍
图2-15 SP75组件图（中间）

图2-16 SP75光伏组件的等效电路
图2-17 SP75光伏组件的简化等效电路
表 2-1 为由厂商所提供 SP75，日照量 1kW/m2 在 AM1.5、太阳能电池温度为 25℃时的参数。 一般测试环境上所采用标准测试条件为 （Standard Test Condition： STC） 在 AM1.5 ： （Air Mass 2 1.5） ，且太阳能电池温度为 25℃时日照量为 1kW/m 的情况。我们通常定义在一干净无污染 的环境下，且太阳位于天顶时为 AM1，而 AM X 约略近似为 AM 1/cosθ，其中θ为太阳与 天顶所夹的角度，如图 2-18 所示。
表2-1 SP75的规格表 额定最大输出功率 开路电压 短路电流 Pmax=Popt=75W Voc=21.7V Isc=4.8A

最大功率点的电压 最大功率点的电流 开路电压的温度系数 短路电流的温度系数 光伏组件长、宽规格
Vopt=17V Iopt=4.4A -0.077V/℃ 2.06mA/℃ 1172mm×483mm
图2-18 Air Mass的定义图
根据式（2.6） ，计算出其填充因子：
根据式（2.7） ，计算出其转换效率：
由图 2-16，用其近似公式计算，求得其参数：Isc、Is、Rs
（1.）求 Isc：当 Vo=0 时，Isc=Io(设 Rs 很小时，V?Vo=0)
（2.）求 Is：当 Vo=Voc 时，Io=0（T＝25℃时，VT＝25.68mV）

（3.）求 Rs：当 Vo=Vopt 时，Io=Iopt、P=Pmax
由式（2.7）和其等效电路可知，太阳能电池基本上是由一个电流源和一个二极管所组成， 若忽略其电压的变化，则电流源的大小正比于日照量，其关系如下[27]：
（2.11）
其中 Isc(S)：日照量 S 下的短路电流 Isc：日照量 1kW/m2 时的短路电流 S：日照量 由式（2.11） ，若已知太阳能电池在日照量 1kW/m2 时的短路电流 Isc，欲求其它日照量下的短 路电流时，可直接将当时的日照量乘以 1kW/m2 时的短路电流即可求得。 由上述各项条件，可绘出太阳电池组件的特性曲线图。由于太阳能电池在固定温度下，短路 电流可近似正比于太阳光照度，因此只要改变定电流源 Isc 的大小即可以仿真出不同日照量 下太阳能电池的特性曲线。 表 2-1 为厂商所提供的规格表，但是要注意的是这些工作点均是在标准环境下所做的测试， 即日照量为 1kW/m2、组件温度为 25℃时，因此设置于实际环境下则必须在加以修正如下：
（2-12） （2-13）
其中 α：电压温度修正系数 β：电流温度修正系数 VNEW 及 INEW：修正后的电压和电流 Tco 及 So：标准环境下的组件温度和日照量 Tc 及 S：设置环境下的组件温度和日照量 图 2-19 为温度在 25℃，串联电组 Rs=0.614Ω时，分别仿真出日照量在 200～1000W/m2 时的 光伏组件的 I-V 曲线，图 2-20 则为其 P-V 曲线。由此二图中可知日照强度改变时，其开路 电压不会有太大的改变， 但所产生的最大电流会有相当大的变化， 所以其输出功率与最大功 率点会随之改变。

图2-19 不同日照量下对太阳能电池I-V曲线的影响
图2-20 不同日照量下对太阳能电池P-V曲线的影响
图 2-21 为固定日照量在 1000W/m2，串联电组 Rs=0.614Ω时，分别仿真温度在 0℃～100℃ 时的光伏组件 I-V 曲线，图 2-22 则为其 P-V 曲线。由此二图可知，在固定日照强度下，当 温度升高时太阳能电池的开路电压会有所下降，短路电流却会有所增加。整体而言，输出功 率会略微减少，而所能输出的最大功率值也会随着温度的递增而递减，对应于温度变化，最 大功率值也会呈现线性变化。温度的上升，会造成太阳能电池输出功率的减少，因此工作环 境的温度将会直接影响到太阳能电池的效率。

图2-21 不同温度下对太阳能电池I-V曲线的影响
图 2-22 不同温度下对太阳能电池 P-V 曲线的影响