模拟电子技术第五章答案
第五章 放大电路的频率响应
自 测 题
一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率
B.输入电压频率不变，改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化
（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍
B.0.7倍
C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dB
B.4dB
C.5dB
（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o
U 与i U 相位关系是 。 A.＋45?
B.－90?
C.－135?
当f ＝ f H 时，o
U 与i U 的相位关系是 。 A.－45? B.－135? C.－225? 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C
二、电路如图T5.2所示。已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。试求解：
（1）中频电压放大倍数sm
u A ； （2）'
πC ；
（3）f H 和f L ；
（4）画出波特图。
图T5.2
解：（1）静态及动态的分析估算：
∥178)(mA/V
2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV
26)
1(V 3mA 8.1)1(A
μ 6.22c m be
e b'i s i
sm
T
EQ m b be i e b'bb'be EQ
e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b
BEQ
CC BQ -≈-?+=≈=
Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=
R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ
（2）估算'
πC ：
pF
1602)1(pF
214π2)
(π2μc m '
μT
e b'0
μπe b'0
T ≈++=≈-≈
+≈
C R g C C C f r C C C r f πππββ
（3）求解上限、下限截止频率：
Hz
14)π(21
kHz 175π21
567)()(i s L '
π
H s b b'e b'b s b b'e b'≈+=
≈=
Ω
≈+≈+=C
R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥
（4）在中频段的增益为
dB 45lg 20sm ≈u A
频率特性曲线如解图T5.2所示。
解图T5.2
三、 已知某放大电路的波特图如图T5.3所示，填空：
（1）电路的中频电压增益20lg|m u A |＝ dB ，m
u A ＝ 。 （2）电路的下限频率f L ≈ Hz ，上限频率f H ≈ kHz.
（3）电路的电压放大倍数的表达式u
A ＝ 。
图T5.3
解：（1）60 104 （2）10 10 （3）
)
10
j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f
f f f +++±+++±或
说明：该放大电路的中频放大倍数可能为“＋”，也可能为“－”。
习 题
5.1 在图P5.1所示电路中，已知晶体管的'bb r 、C μ、C π，R i ≈r b e 。 填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
图P 5.1
（1）在空载情况下，下限频率的表达式f L ＝ 。当R s 减小时，f L 将 ；当带上负载电阻后，f L 将 。
（2）在空载情况下，若b-e 间等效电容为'
πC ， 则上限频率的表达式f H ＝ ；当R s 为零时，f H 将 ；当R b 减小时，g m 将 ，'π
C 将 ，f H 将 。 解:（1）
1
be b s )(π21
C r R R ∥+ 。①；①。
（2）'
s b bb'e b')]([21
π
πC R R r r ∥∥+ ；①；①，①，③。
5.2 已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出u
A 的表达式。
图P 5.2
解: 设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
)
10
j 1)(10j 1( 3.2j )10j 1)(j 101(3255f f f A f f A u
u
++-≈++-≈ 或
5.3 已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出u
A 的表达式。
图P 5.3
解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ，即中频放大倍数为－100；
下限截止频率为1Hz 和10Hz ，上限截止频率为250kHz 。故电路u
A 的表达式为
)10
5.2j 1)(10j 1)(j 1(10 )105.2j 1)(j 101)(j 11(100
5
2
?++++=?+++-=f f
A f f f A u
u
或
5.4 已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问： （1）该电路的耦合方式；
（2）该电路由几级放大电路组成； （3）当f ＝104Hz 时，附加相移为多少？当f ＝105时，附加相移又约为多少？
解:（1）因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路；
（2）因为在高频段幅频特性为 图P 5.4 －60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路；
（3）当f ＝104Hz 时，φ'＝－135o ；当f ＝105Hz 时，φ'≈－270o 。
5.5 若某电路的幅频特性如图P5.4所示，试写出u
A 的表达式，并近似估算该电路的上限频率f H 。
解：u
A 的表达式和上限频率分别为 kHz 2.531.1 )10
j 1(10'H H 343
≈≈+±=f f f A u
5.6 已知某电路电压放大倍数
)
10
j 1)(10j 1(j 105f f f
A u
++-=
试求解：
（1）m
u A ＝？f L ＝？f H ＝? （2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出m
u A 、f L 、f H 。
Hz
10Hz 10100
)10j 1)(10j
1(10
j 1005H L m
5==-=++?-=f f A f
f f
A u u
（2）波特图如解图P5.6所示。
解图P 5.6
5.7 已知两级共射放大电路的电压放大倍数
105.2j 110j 15j 1j 20054??
? ???+??? ??+??? ??+?=f f f f
A u
（1）m
u A ＝？f L ＝？f H ＝? （2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出m
u A 、f L 、f H 。
Hz
10 Hz 5
10
)105.2j 1)(10j 1)(5j 1(5
j
104H L 3m
5
43≈==?+++?=f f A f f f f
A u u
（2）波特图如解图P5.7所示。
解图P 5.7
5.8 电路如图P5.8所示。已知：晶体管的β、'bb r 、C μ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流I E Q 均相等。定性分析各电路，将结论填入空内。
图P 5.8
（1）低频特性最差即下限频率最高的电路是 ; （2）低频特性最好即下限频率最低的电路是 ; （3）高频特性最差即上限频率最低的电路是 ; 解：（1）（a ） （2）（c ） （3）（c ）
5.9 在图P5.8（a ）所示电路中，若β ＝100，r b e ＝1k Ω，C 1＝C 2＝C e ＝100μF ，则下限频率f L ≈?
解：由于所有电容容量相同，而C e 所在回路等效电阻最小，所以下限频率决定于C e 所在回路的时间常数。
Hz
80π 21
2011e
L s
be b s be e ≈≈Ω
≈++≈++=RC f R r R R r R R β
β∥∥
5.10 在图P5.8（b ）所示电路中,若要求C 1与C 2所在回路的时间常数相等,且已知r b e =1k Ω，则C 1:C 2＝? 若C 1与C 2所在回路的时间常数均为25ms ，则C 1、C 2各为多少？下限频率f L ≈? 解：（1）求解C 1:C 2
因为 C 1（R s ＋R i ）＝C 2（R c ＋R L ）
将电阻值代入上式，求出 C 1 : C 2＝5 : 1。 （2）求解C 1、C 2的容量和下限频率
Hz 1021.1Hz 4.6π21
F
μ 5.2μF 5.12L1L L2L1L
c 2i
s 1≈≈≈=
=≈+=
≈+=f f f f R R C R R C τ
τ
τ
5.11 在图P5.8（a ）所示电路中，若C e 突然开路，则中频电压放大倍数
sm
u A 、f H 和f L 各产生什么变化（是增大、减小、还是基本不变）？为什么？ 解：sm u A 将减小，因为在同样幅值的i U 作用下，b I 将减小，c I 随之减小，o
U 必然减小。 f L 减小，因为少了一个影响低频特性的电容。
f H 增大。因为'πC 会因电压放大倍数数值的减小而大大减小，所以虽然'π
C 所在回落的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故f H 增大。
5.12 在图P5.8（a ）所示电路中，若C 1＞C e ，C 2＞C e ，β ＝100，r b e ＝1k Ω，欲使f L ＝60Hz ，则C e 应选多少微法？
解：下限频率决定于C e 所在回路的时间常数，e
L π21
RC f ≈。R 为C e 所在
回路的等效电阻。
R 和C e 的值分别为： Ω≈++≈++=2011s
be b s be e β
βR r R R r R R ∥∥
133π21
L
e ≈≈R
f C μ F
5.13 在图P5.8（d ）所示电路中，已知晶体管的'bb r ＝100Ω，r b e ＝1k Ω，
静态电流I E Q ＝2mA ，'
πC ＝800pF ；R s ＝2k Ω，R b ＝500 k Ω，R C ＝3.3 k Ω，C =10
μF 。
试分别求出电路的f H 、f L ，并画出波特图。 解：（1）求解f L Hz 3.5)
(π21
)(π21be s i s L ≈+≈+=
r R R R f
（2）求解f H 和中频电压放大倍数
dB
6.37lg 2076
)()(V
/mA 77kHz 316)]([π21
)]([π21k 9.0sm '
L m be
s e b''L m be e b'i s i sm
T
EQ m '
πs b b'e b''πs b b b'e b'H b b'be e b'≈-≈-?+≈-??+=≈≈
≈+≈+=
Ω=-=u u A R g r R r R g r r R R R A U I g C R r r C R R r r f r r r ∥∥∥
其波特图参考解图P5.6。
5.14电路如图P5.14所示，已知C g s ＝C g d ＝5pF ，g m ＝5mS ，C 1＝C 2＝C S ＝10μF 。
试求f H 、f L 各约为多少，并写出s
u A 的表达式。
图P
5.14
解：f H 、f L 、s
u A 的表达式分析如下：
)10
1.1j 1)(16j 1()16j
(4.12MHz 1.1π21
)π(21pF
72)1(Hz
16π21
4
.12)(6
s
'
gs
s 'gs g s H gd '
L m gs 'gs s
s L '
L m 'L m i
s i sm ?++?-≈≈≈=
≈++=≈≈
-≈-≈-+=f f f
A C R C R R f C R g C C C R f R g R g R R R A u u ∥
5.15在图5.4.7（a ）所示电路中，已知R g ＝2M Ω，R d ＝R L ＝10k Ω，C ＝10μF ；场效应管的C g s ＝C g d ＝4pF ，g m ＝ 4mS 。试画出电路的波特图，并标出有关数据。
解：
Hz 904π21
Hz
796.0)π(21
pF
88)1(dB 26lg 20 ,20'
gs
g H L d L gd '
L m gs 'gs m
'L m m ≈=
≈+≈
=++=≈-=-=C R f C R R f C R g C C A R g A u u
其波特图参考解图P5.6。
5.16 已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为
?
?? ??+??? ?
?+-==?
??
??+??? ??+-==52
o 25o1110j 150j 1 j 2 10j 14j 1 j 25f f f U U A f f f U U A i u i u （1）写出该放大电路的表达式；
（2）求出该电路的f L 和f H 各约为多少； （3）画出该电路的波特图。 解：（1）电压放大电路的表达式
2
52
21)
10
j 1)(50j 1)(4j 1(50f f f f A A A u u u +++-=
=
（2）f L 和f H 分别为：
kHz 3.641021.11
1
Hz
50 H 5
H L ≈≈≈f f f ， （3）根据电压放大倍数的表达式可知，中频电压放大倍数为104，增益为80dB 。波特图如解图P5.16所示。
解图P
5.16
5.17 电路如图P5.17所示。试定性分析下列问题，并简述理由。 （1）哪一个电容决定电路的下限频率；
（2）若T 1和T 2静态时发射极电流相等，且'bb r 和'
C 相等，则哪一级的
上限频率低。
图P 5.17
解：（1）决定电路下限频率的是C e ，因为它所在回路的等效电阻最小。
（2）'s C R R R R R 2π1432 ，∥＞∥∥因为所在回路的时间常数大于'π1C 所在
回路的时间常数，所以第二级的上限频率低。
5.18 若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示，试画出整个电路的波特图。
解：dB 60lg 20m
u A 。在折线化幅频特性中，频率小于10Hz 时斜率为＋40dB/十倍频，频率大于105Hz 时斜率为－40dB/十倍频。在折线化相频特性中，f ＝10Hz 时相移为＋90o ，f ＝105Hz 时相移为－90o 。波特图如解图P5.18所示。
解图P 5.18
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题（20 分） 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题（20分） 1、P 型半导体中的多数载流子是 ，N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ，反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的 约为 （ ）。 A ．1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”） 1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。（ ） 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。（ ） 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深，电路的性能越稳定。（ ） 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（ ） 四、简答题：（ 25分） 1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝。 V 2 V 1 2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型 ￥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡 五、计算题（25分） 1、电路如下图所示，试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。 第二章 放大电路基础 2.1 放大电路如图P 3.1所示，电流电压均为正弦波，已知Ω=600S R 、mV U S 30=、 mV U i 20=、Ω=k R L 1、V U 2.10=。求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻i R ；当L R 开路时，测得V U 8.10=，求输出电阻R 。 解：1、 S i S i i U R R R U += Ω =-?=-=k U U R U R i S S i i 2.12030600 20 2、 6002.02 .1=== i O u U U A dB A dB A u u 6.3578.12060log 20||log 20)(=?=== 3、 uA R U I i i i 7.162.120=== uA mA A R U I L 12002.10012.01012 .1300===?== 9.717.161200=== i O i I I A dB A dB A i i 2.3786.1209.71log 20log 20)(=?=== 4、uW I U P i i i 334.07.1602.0=?== uW I U P 1440 12002.1000=?== 4311334.01440=== i O P P P A dB A dB A P P 9.3669.3104311log 10log 10)(=?=== 5、其等效电路如图P3.1.2： 根据等效电路可得： 8 .12.10?+= L L R R R Ω=k R 5.00 2.2 放大电路如图P 3.2.1所示，已知三极管100=β、Ω=200'bb r 、V U BEQ 7.0=。试： （1）计算静态工作点CQ I 、CEQ U 、BQ I ；（2）画出H 小信号等效电路，求u A 、i R 、 0R （3）求源电压增益uS A 。 解：1、 V V R R R V CC B B B B 315104010 212=?+=+= mA R R R V I E E BEQ B CQ 1.21.017 .032 1=+-= +-= uA I I CQ BQ 211001 .2== = β V R R R I V U E E C C CC CEQ 4.6)1.013(1.215)(21=++?-=++-= 2、H 小信号等效电路如图P3.2.2： Ω=?++=++=14501.226 )1001(20026) 1('0EQ bb be I r r β 9 .151.010145.13 //7.4100)1('1-=?+?-=++-=E be L u R r R A ββ []Ω=?+=++=k R r R R R E be B B i 73.4)1.010145.1//(40//10)1(////121β Ω≈=k R R C 30 3、 35.1451.073.473 .49.1500-=+?-=+==== S i i u S i u S i i S uS R R R A U U A U U U U U U A 2.3 放大电路如图P 3.3.1所示，已知三极管80=β、Ω=200'bb r 设各电容对交流的容抗 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U 一、填空题（1-20题。每小题有3个选项，其中只有一个是正确的，请并将 其代号填写在题中括号内，每小题1分，共20分。) 1．三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）。 A 5v B 9v C 12v 2. 测某电路中PNP三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三 个电极分别是（）。 A (E、C、B) B (C、B、E) C (B、C、E) 3. 三极管的反向电流I CBO是由（）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 4. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）。 A输入电压 B 击穿电压 C 跨导 5. 引入并联负反馈，可使放大器的（）。 A. 输出电压稳定 B.反馈环内输入电阻增加 C. 反馈环内输入电 阻减小 6.差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 7. LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。 A、0~20 B、20~200 C、200~1000 8.通用型集成运放的输入级通常采用（）电路。 A. 差分放大 B. 基本共射极放大 C.电流源 9.交流负反馈是指（）。 A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈 B. 交流通路中的负反馈 C.放大正弦信号时才有的负反馈 10．共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负 反馈 11. 典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数 （ ）。 A.变大 B.变小 C.不变 12.某滤波器的通带增益为0A ,当0f →时，增益趋向于零；当f →∝时，增益趋向于0A ；那么，该滤波器具有（ ）特性。 A. 高通 B.低通 C.带通 13.实际上，乙类互补推挽功放电路中的交越失真就是（ ）。 A.幅频失真 B.饱和失真 C.截止失真 14.桥式整流电路如图1.14所示，流过二极管的平均电流为（ ）mA 。 图1.14 A. 4.5 B. 9 D. 14.14 15．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（ ）。 A.A F =1 B. A F ＜1 C . A F ≤1 16.由开关组成的逻辑电路如图1.16所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。 A 图1.16 A. “ 与”门 B.“ 或”门 C. “ 非”门 17. 数/模转换器的分辨率取决于（ ）。 A. 输入的二进制数字信号的位数，位数越多分辨率越高. B. 输出的模拟电压的大小，输出的模拟电压越高，分辨率越高. C. 参考电压U R 的大小，U R 越大，分辨率越高. 18.逻辑电路如图1.18所示,当 A=“0”，B=“1”时,C 脉冲来到后D 触发器 ( )。 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 题5.1 某差动放大电路如图5-16所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =0.7V ，R W 的影响可以忽略不计，试估算： 1．T 1，T 2的静态工作点。 2.差模电压放大倍数A ud = 12 11o ΔΔΔU U U - V EE (-12V) 解：1.静态工作点计算，令120i i u u == 1210.92(1)EE BE B B b e U U I I A R R μβ-== =++ 120.54C C B I I I mA β=== 12()(2)7.7CE CE CC EE C c e U U U U I R R v ==+-+≈ 2. 26(1) 2.75be bb E mv r r k I mA β'=++≈Ω 1222o c ud i i b be U R A U U R r β?= =-≈-?-?+ 题5.2 在图5-17所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路。 2．求差模电压放大倍数i2 i1o ud ΔU U U A ??-= 。 3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR V EE 解： 1.在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻Re;在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为Re 和R/2的并联。 2. 12 3.5(1)(//)2 od C ud i i be e U R A R U U r R ββ= =-=--++ 3.双端输出条件下： 3.5,0,ud uc CMR A A K =-==∞ 单端输出条件下： 1.75,0.4(1)OC C ud uc IC be e U R A A U r R ββ=-= =-=-++ 4.2ud CMR uc A K A = = 题5.3 在图5-18的电路中，T 1，T 2的特性相同，且β很大，求I C2和I CE2的值，设U BE =0.6V 。 EE 图5-18 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 【5-1】填空 1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 耦 合方式。 2. 为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。 3. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30，则将它们级连成两级放大电路，则其放大倍数为 （a. 600，b. 大于600，c. 小于600） 4. 在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u |= ，折合为 dB 。 5. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ；而前级的输出电阻则也可视为后级的 。 6．功率放大电路的主要作用是 。 7．甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据晶体管的 大小来区分的，其中甲类放大 ；乙类放大 ；甲乙类放大 。 8．乙类推挽功率放大电路的 较高，这种电路会产生特有的失真现象称 ；为消除之，常采用 。 9．一个输出功率为10W 的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W 的功率管 个。 10．理想集成运算放大器的放大倍数A u ＝ ，输入电阻R i ＝ ，输出电阻R o ＝ 。 11．通用型集成运算放大器的输入级大多采用 电路，输出级大多采用 电路。 1. 直接 2. 变压器 3. c 小于600 4. 105，100 5. 负载，后级的信号源，信号源内阻 6. 向负载提供足够大的功率； 7. 导通角，导通角为360°，导通角为180°，大于180°而小于360°； 8. 效率，交越失真，甲乙类工作状态； 9. 2，2。 10. ∞，∞，0 11. 差分放大，互补功率输出 【5-2】电路如图5.12.1所示 1．写出i o u U U A =及R i ，R o 的表达式，设β1、β2、r be1、r be2及电路中各电阻均为已知。 2．设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的Q 点不合适，问第一级产生了什么失真？如何消除？若原因是第二级Q 点不合适，问第二级产生了什么失真？又如何消除？ 解： 1． o 1c1b2be22e2L 2e2L u i be11e1be22e2L ////[(1)(//)](1)(//)(1)(1)(//)U R R r R R R R A U r R r R R βββββ-?+++= =?++++ i b11b12be11e1////[(1)]r R R r R β=++ be2 c1b2 o e22 ////1r R R r R β+=+ 2．输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的Q 点不合适，第一级产生了截止 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 第5章习题答案 1.概念题: (1反馈有时将输出的全部都馈送到输入端,其典型的例子是射极跟随器放大器和源极跟随器放大器。 (2电压反馈时,反馈网路输出一定是电压吗?(不一定并联反馈时,反馈网路的输出一定是电流吗?(是 (3“负反馈有用,正反馈没用”这种说法对吗?(不对按照输入端的信号耦合方式和输出端的信号取样方式负反馈共有 4 种组合形式。 (4当希望稳定输出电压并且希望提高输入阻抗时,应引入电压串联负反馈;当负载需要恒定电流并且信号源也为电流型时,应引入电流并联负反馈;当希望稳定输出电压并且信号源为电流型时,应引入电压并联负反馈;当输入为电压信号并且输出为电流信号时,应引入电流串联负反馈。 (5为了稳定电路的静态工作点,应引入直流负反馈;为了改善电路的动态特性,应引入交流负反馈。 (6方框图法是分析负反馈放大器的最基本的方法,在求解A和F 时保持F网路的空载效应是非常重要的。 (7有人说:“不使用反馈技术,要设计具有精密增益、高稳定度的放大器简直难于上青天”,你觉得对吗?(对 (8设计电压电流转换电路可直接选用电流串联负反馈电路;设计电流电压转换电路可直接选用电压并联负反馈电路。 (9如果开环放大器由3级以上的单管放大器组成,则组成的负反馈电路有可能出现自激的现象,这是因晶体管结电容形成的移相造成的。 (10共基放大器比共射放大器频率响应好,这是因为在共基接法下,集基电容不产生加倍的米勒效应。 (11分析放大器时,按低频段、中频段及高频段分开讨论,不但计算简单,而且意义明确。 (12当信号频率较高时,有些负反馈放大器是不稳定的,此时可采用滞后补偿法、超前补偿法等方法进行补偿。 (13开环放大器A和反馈网路F可能有量纲,例如欧姆或西门子,但环路增益是没有量纲的。 2.电路图如图5-58所示。 (1判断各电路中是否引入了反馈,对于引入反馈者试判断电路引入了什么性质的反馈,这些性质包括直流反馈、交流反馈、交直流反馈、局部反馈、全局反馈、电压反馈、电流反馈、串联反馈、并联反馈、正反馈、负反馈,设图中所有电容对交流信号均可视为短路; (2就整体反馈而言,你认为哪些电路引入了深度负反馈,请写出其反馈系数表达式 和闭环增益表达式。 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。 1、填空题（0.5分×20=10分） （1）N型半导体中有 2 种载流子，其中自由电子是多子。 （2）共集电极放大电路的信号是从基极输入，从发射极输出，输入与输出的相位关系是同相关系。 （3）场效应晶体管可以分为两大类：分别是结型（FJFET）和绝缘栅型（IGFET）。 （4）集成运算放大器的输入极一般采用差分放大电路电路，输出级一般采用功率放大电路电路。（5）使输入电阻增大的是串联负反馈，使输出电阻减小的是电压负反馈。 （6）根据通带和阻带所处的频率区域不同，一般将滤波器分成4类，分别是高通 ，低通，带通和带阻。 （7）正弦波自激振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件分别是AF=1 和ψA+ψF=2nπ，n=0,±1,…。（8）乙类功率放大电路容易产生的失真称为交越（非线性）失真。 （9）直流稳压电路中，滤波电路的作用是将脉动的直流电压变换为平滑的直流电压。 （10）单相桥式整流电路的输出直流电压和变压器副边电压的有效值之间的关系是0.9 ，每个二极管的最高反向电压和变压器副边电压的有效值之间的关系为 1.414 。 2、选择题（3分×5=15分） （1）某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2K欧姆的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（C ） A．10K B. 2K C. 1K D.0.5K （2）电路如图1所示，若不慎将旁路电容Ce断开，则（C ） A．不仅影响静态工作点，而且影响电压增益 B. 只影响静态工作点，但不影响电压增益 C. 不影响静态工作点，只影响电压增益 D. 不影响静态工作点，页不影响电压增益 图1 共射放大电路 （3）在互补对称功率放大电路中，引起交越失真的原因是（D ） A．输入信号过大 B. 晶体管β值太大 C. 电源电压太高 D.晶体管输入特性的非线性 （4）双端输出的差分放大电路能抑制零点漂移的主要原因是（B ） A．电压增益高 B. 电路的结构和参数对称性好 C. 输入电阻大 D. 采用双电源 （5）负反馈所能抑制的干扰和噪声是（B） A．输入信号中所包含的干扰和噪声 B. 反馈闭环内的干扰和噪声 C. 反馈闭环外的干扰和噪声 D.输出信号中的干扰和噪声 3、运算放大器分析与设计（10分×2=20分） （1）由理想运算放大器组成的电路如图2所示，u1和u2为两路输入信号，uo为输出信号，试写出该电路输出uo与两输入信号之差（u1-u2）的关系表达式。 第- 1 -页共5页 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。 ，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14模拟电子技术期末考试试卷及答案
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