电子技术基础 模拟部分(第五版)第五章习题答案
电子技术基础模拟部分
第五版
模拟电子技术习题
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t 专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。 （1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。 （1）画出u2、u D 1和u O的波形； （2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。 1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问： （1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。 专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 （1）分别标出u O1和u O2对地的极性； （2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 （3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷） 第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10 (3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101 二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。 8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件就是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态就是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流就是( A )而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2、1V,V B＝2、8V,V C＝4、4V,说明此三极管处在( A )。 A、放大区; B、饱与区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件就是( C ) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象就是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱与失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件就是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题就是(A)。 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp— 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 《电子技术基础》课程习题集 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说法正确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。 ，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C；(B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为（） 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和 输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 习题答案电子技术基础与技能资源 1.填空题 （1）单向导电 导通 截止 （2）硅管 锗管 0.6~0.7 0.2~0.3 （3）最大整流电流 最高反向工作电压 （4）将电信号转换成光信号 将光信号转换成电信号 （5）将交流电网电压转换成为稳固的直流电压 （6）桥式整流 （7）将交流电变成单向脉动直流电 将脉动的直流电转换成较平滑的直流电 2.判定题 （1）（ √ ） （2）（ × ） （3）（ √ ） （4）（ √ ） （5）（ √ ） （6）（ √ ） 3.选择题 （1）C （2）B （3）B （4）C （5）A （6）D （7）C 4.分析与运算 解：a)VT 导通。Uao=－9V b)VT1导通，VT2截止。Uao=0V c)VT2导通，VT1截止。Uao=－4.5V 5.画图题 略 第1章 测试题一解答 1.填空题 （1）导体 绝缘体 （2）本征半导体 （3）P 型 （4）负极 正极 （5）反向击穿 （6）反向 （7）反偏 （8）半波整流 2.判定题 （1）（ × ） （2）（ × ） （3）（ × ） （4）（ √ ） （5）（ × ） （6）（ × ） 3.选择题 （1）C （2）C （3）D （4）A 4.分析与运算 （1）解：依照二极管的正向伏安特性曲线可知，若按此接法，由于电源本身内阻专门小，1.6V 电压几乎全加在二极管两端，通过二极管的电流会专门大，容易烧坏二极管，电源也会因过热而损坏，因此不承诺把二极管按此方法连接。 （2）解：8种接法；5个不同值，16V 、8.7V 、1.4V 、8V 、0.7V 。 （3）解：VD1、VD4接反，电容C 极性接反。 （4）解：V V U U O 1081209.09.02=?==； 空载时V V U U O 1681204.122=?≈=； 二极管承担反向电压可达168V 。 第1章 测试题二解答 1.填空题 （1）空穴 （2）0.5 0.2清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
模拟电子技术基础习题册.docx
《数字电子技术基础》课后习题答案
模拟电子技术题库
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术基础试题汇总
电子技术基础习题答案
模拟电子技术基础期末考试试题(B)
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
电子技术基础_习题集(含答案)
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
电子技术基础复习题及答案最新版本
《模拟电子技术基础》典型习题解答
模拟电子技术教程课后习题答案大全
模拟电子技术基本练习题(解)
习题答案电子技术基础与技能资源