西安交通大学模拟电子技术基础考试题

西安交通大学模拟电子技术基础考试题
西安交通大学模拟电子技术基础考试题

277

R

R

2

1

u

i

o

u C

R 附录1 西安交通大学模拟电子技术基础考试题(2001年12月)

一、填空题(每空1分,共15分):请在空格中填上合适的词语,将题中的论述补充完整。

1.PN 结的主要的特性是_____

2.多级放大电路的耦合方式有____耦合、________ 耦合和变压器耦合三种。 3.硅稳压管常使其工作在____ 状态,用来稳定直流电压。

4.N 沟道结型场效应管要求输入回路的PN 结_______偏置,且管子工作在放大区的条件是DS u ____ 。

5.增强型场效应管当DS u _________ , GS u _____ 时,有电流流过沟道。 6.场效应管组成_________ 、____ 和共漏三种基本放大电路。

7.如果电路需要稳定输出电流,且增大输入电阻,可以选择引入____反馈。 8.反馈放大电路发生自激振荡的条件是________ 。

9.图1所示的电路是 ____滤波器。 10.试判断图2所示电路能否振荡。 (a )图 _________,(b )图 ____。

图1

(a ) (b )

图2

二、(20分)电路如图3所示,设F 10321μ===C C C ,F 474μ=C ,F 20L p C = ,

10021==ββ,Ω='300b b r 。试求:

1.各级电路的静态工作点(包括I CQ1和U CEQ1,I CQ2和U CEQ2); 2.画出电路的微变等效电路;

3.电路总的电压增益i

o /U U A u =; 4.电路的输入电阻i R 和输出电阻o R ;

L

1

C

278

5.近似估算电路的下限截止频率L f 和上限截止频率H f ;

6.现有一个μF 100的电容器,你将替换C 1~C 4中哪个电容,就能明显改善电路的低频特性。

图3

三、(6分)电路如图4所示,如果电路需要引入反馈来稳定输出的电压,则反馈支路应加在电路的什么位置(指A 、B 、C 、D 、E 、F 、G 点)哪两个点之间,回答在答题纸上。

图4

四、(5分)电路如图5所示,设运放A 1和A 2都是理想运放,试分析:

1.电路的反馈极性和类型;(电压、电流、串联、并联、正、负); 2.若电路是负反馈,写出电路电压增益的表达式。

五、(15分)电路如图6(a )所示,运放A 1和A 2都是理想运放,Ω==k 1031R R ,Ω=k 202R ,Ω=k 14R ,Ω=k 100R ,μF 1=C ,V 6Z =U 。设0=t 时加入输入信号i u ,波形如图6(b )

所示,电容初始电压为0V ,试分析:

C

R u +-

279

1.电路由哪两部分单元电路构成; 2.画出输出电压u o1~u i 的传递特性图;

3.画出输出电压u o1和u o2的波形,要有分析的过程。

图5 (a )

(b )

图6

六、(15分)电路如图7所示,运放为理想运放,电阻Ω=k 100R ,C =0.01μF ,

Ω===k 10431R R R ,Ω=8L R ,V CC =18V ,U CES =3V 。

2

46-4-6

-

280

1.求输出电压u o 的频率;

2.电路正常工作时,电阻R 2应选用多大?

3.电路的最大输出功率和最大能量转换效率分别是多少? 4.二极管D 1和D 2的作用是什么?

图7

七、(11分)直流稳压电源如图8所示,已知U Z =6V ,R W =1k Ω,

1.标明电路有哪些环节组成,回答在答题纸上; 2.已知输出电压U O =8~12V ,求电阻R 1和R 2的阻值。

图8

八(10分)用两只集成运放设计电路,使输入和输出电压满足下列关系:

)(3)(5)(I2I1o t u dt t u t u -=?

要求:要有分析和设计过程。

C

O

u i

u

281

附录2 西安交通大学模拟电子技术基础考试题(2002年12月)

一、填空题(每空1分,共20分):请在空格中填上合适的词语,将题中的论述补充完整。

1.稳压二极管根据击穿机理可以分为 击穿和 击穿,其中 击穿具有正的温度系数, 击穿具有负的温度系数。

2.NPN 型晶体管共射极放大电路的静态工作点较高时,增加输入信号首先出现的是 失真;静态工作点较低时,增加输入信号首先出现的是 失真;这两种失真与 失真一起,都属于非线性失真的范畴。

3.N 沟道结型场效应管工作于放大状态的条件是:0≥U GSQ > ,U DSQ > ;而N 沟道增强型MOS 场效应管工作在放大状态的条件是:U GSQ > ,U DSQ > 。

4.已知图1复合管电路T 1、T 2管的电流放大倍数分别为β1、β2,基极与发射极之间的等效电阻分别为r be1、r be2,复合管的电流放大倍数β

= ,r be = 。 图1

5.负反馈放大电路产生自激振荡的条件可分别表示为:幅值条件F A

= 、相位条件=?+?F A ?? 。

6.在四种负反馈放大电路中,能够稳定输出电流,并能减小输入电阻的负反馈是 负反馈。

7.图2所示的电路属于 滤波器。 8.直流稳压电源是由电源变压器、 、

和 四个部分组成。 图2

二、分析计算题(共80分)

1.(20分)电路如图3所示,已知+V CC =12V ,β1=β2=150,C 1=C 2=C 3=10μF ,C 4=C 5=47μF ,U BE =0.7V ,r bb ’=300Ω。试求:

(1) 各级电路的静态工作点; (2) 画出电路的微变等效电路;

(3) 计算电路的放大倍数A u ,输入电阻R i 和输出电阻R o ;

(4) 如果电路的下限截止频率过高,通过改变电路中的哪些电容可以显著地降低电路的下限截止频率,该如何改变;

(5)假设晶体管的结电容和分布电容的影响均可忽略不计,若在负载电阻R L 上并联一个

O

282

200pF 的电容,计算放大电路的上限截止频率f H 。

图3

2.(9分)电路如图4所示,已知+V DD =28V ,耗尽型MOS 场效应管的I DSS =4mA ,U GS(o ff) = -4V ,各电容器的电容量都足够大,试求:

(1)放大电路的静态工作点I DQ 、U GSQ 、U DSQ ; (2)画出电路的微变等效电路;

(3)求放大电路的u

A 、R i 、R o 。

图4 图5

3.(8分)电路如图5所示,其中A 1、A 2、A 3、A 4均为理想运放,试推导出输出电压u O

与输入电压u I1、u I2的关系式。

4.(16分)电路如图6(a)所示,已知R=2.4KΩ,C=0.1μF,集成运算放大器的性能理想,运放的电源电压为±8V,由A1组成的电路能够产生稳定的正弦波输出,R4=R5=10kΩ,U R=2V,稳压管的稳定电压为±6V,试回答下列问题:

(1)在图中标出A1的同相输入端和反相输入端(直接标在试卷上);

(2)写出R t与R1的关系表达式,指出R t应具有正还是负温度系数;

(3)求出输出正弦波的频率f0;

(4)画出输出电压u O与u O1的传输特性曲线;

(5)在图6(b)中画出输出电压u O的波形(写出分析过程)。

图6

5. (6分) 试判断图7所示的两个电路是否有可能产生正弦波振荡,如可能振荡,指出该电路属于什么类型,并写出其振荡频率的近似表达式,设电容C b,C e很大,在交流通路中可

283

284

视为短路,图(a)中L 1、L 2之间的互感为M 。

图7

6.(15分) 电路如图8所示,已知+V CC =15V ,―V CC =―15V 各晶体管的参数相同,且β=100,r be =1k Ω,各个电阻的参数标于图中,各晶体管均处于放大状态,T 4和T 5的饱和压降U CES =2V ,晶体管T 2集电极的输出电压为O1u ,试求:

(1) 断开C 2和T 3的发射极之间的连接,计算由T 1和T 2组成的差分放大电路的差模电压放大倍数I

O1ud u u A ??=

,以及差模输出电阻R od ;

(2) 若通过电阻R F 引入负反馈使输出电压稳定,且增大放大电路的输入电阻,则应引入什么类型的负反馈,说明R F 的两端应怎样连接(给出文字说明),假设引入的负反馈满足深度负反馈条件,当输入电压的有效值为0.6V 时,求此时电路的输出功率P o 以及输出级的能量转换效率η;

(3) 二极管D 1和D 2的作用是什么,它使晶体管T 4和T 5工作在什么放大状态,为了充分利用电源电压,当输入信号为多大时电路具有最大的输出功率,求出此最大输出功率P om 以及此时的能量转换效率ηm 。

285

图8

7.(6分)电路如图9所示,已知I W =10mA ,U I 足够大,C 3是容量较大的电解电容器,试说明该电容的极性,并求出输出电压U O 的大小。

图9

286

附录3 西安交通大学模拟电子技术基础考试题(2003年12月)

一、填空题(每空1分,共20分):请在空格中填上合适的词语,将题中的论述补充完整。

1.共射极放大电路中,若增加输入信号,首先出现输出电压顶部削平的失真,这种失真是_____失真,原因是静态工作点偏_____。

2.晶体管的极限参数U (BR)CEO , U (BR)CES , U (BR)CBO 中数值最大的(指同一种晶体管)是_____,最小的是_____。

3. 场效应管的转移特性如图1所示。由图可知该管的I DSS =_____,U GS(off)=_____。 4.负反馈放大电路产生自激振荡的幅度条件是_____,相位条件是_____。 5.在放大电路中,引入电压负反馈可以稳定_____、降低_____。

图1

图2

6. 放大电路的线性失真包括_____失真和_____失真。若某直接耦合放大电路的上限截止频率f H =10kHz,当输入正弦信号的频率等于30kHz ,且电路无非线性失真,这时输出电压_____(回答会、不会)产生线性失真。

7.多级放大电路常见的三种耦合方式为:阻容耦合、_____耦合和_____耦合。 8.集成运放的种类繁多,但结构基本相同,通常由_____电路、输入级、_____和输出级四部分组成。

9.功率放大电路如图2。(设U BE >0

时,管子立即导通,忽略管子的饱和压降)电路最大

S

)

)C C o

输出功率P

Omax =_____,最大效率

max

η=_____,T1和T2的耐压

BR)CEO

(

U至少应为_____。

二、判断题(共12分,每题4分)

1.电路如图3(a)和(b)所示。试用相位平衡条件判断它们是否有可能产生振荡。图中电容C E、C B、C S、C G的容量足够大,对交流来说可视为短路。

R

B1

R

B2

L

(a) (b)

图3

2.电路如图4(a)和(b)所示。试分析其场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区。已知T1的I DSS=3mA、U GS(off)=-5V;T2的K=2.25mA/V2、U GS(th)=2V。

R

Ω

.3k

10V

R

G

k

100

Ω

.1k

15V

(a)(b)

图4

3.电路如图5(a)和(b)所示。图中各电容的容量足够大,试判断电阻R引入的反馈类型。(说明电路中的反馈是正、负、交流、直流、电压、电流、串联、并联反馈)

287

288

u O

R u s

(a)

(b)

图5

三、分析计算题 (共68分)

1.(20分)放大电路及参数如图6所示。其中,管子的β=50,r bb ’=300Ω,U BE =0.6V , (1)估算电路的静态工作点I BQ 、I EQ 、U CEQ ;

(2)计算电路的放大倍数u

A 、输入电阻R i 和输出电阻R o 的值;

(3)估算电路的下限截止频率f L 。

图6

2.(15分)由差动放大电路和运算放大电路组成的反馈放大电路如图7所示。其中,U BE1

=U BE2=U BE3=0.7V ,回答下列问题:

(1)当u

I =0时,求 U C1,U C2;

C C

u O

R u s k 1)

289

(2)判断电路中存在的

反馈的类型;

(3)设A 为理想运放,求电路的闭环电压放

大倍数i

o U

U A u =。

图7

3.(10分)文氏电桥振荡电路如图8所示。 (1) 请在图中标出运算放大器A 两个输

入端的正、负极性;

(2)估算满足起振条件时电阻R 1至少应为多少?

(3)若要求振荡频率为480Hz ,试确定R 的阻值(用标称值)。设运放A 具有理想的特性。

图8

4.(15分)电路如图9所示。图中A 1~A 4均为理想运算放大器,稳压管D Z 的稳压值U Z =12V ,u I1与u I2均为直流电压信号。

(1)求u O1,u O2;

(2)写出u O3的表达式,设t =0时,u C =0;

(3)已知t =0时,u O4=+12V ,问接通电源多长时间后u O4变为-12V ?画 出u O3、 u O4的波形。

R

290

R u I1

u I2

图9

5.(8分)串联型直流稳压电源电路如图10所示,A 为理想运算放大器。图中输入直流电压U

I =30V ,稳压管的稳定电压U Z

等于6V ,试问:

(1)变压器副边电压有效值U 2=?

(2)输出电压U O 的最大值和最小值各等于多少伏?

U O

图10

291

附录4 西安交通大学研究生入学考试题(2004年1月)

电子技术基础(模拟部分)

一、电路如图1所示,晶体管均为硅管3DG100,β=100, Ω='300b b r 。输入信号频率为1000Hz 。所有电容相对于此交流信号均可视为短路,由于答题原因,图中有些电解电容没有标注极性。其它元件参数如图1中标注。

1.求晶体管T 1 、T 2的静态工作点I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2。 2.求晶体管T 1 、T 2的be1r 、be2r 。

3.求电压放大倍数i

o U U A u =。

4.当C L =pF 4700,求上限截止频率

二、电路如图2所示。设运放、二极管均为理想器件,电源电压为V CC =12V ,-V CC =-12V 。其它

参数如图2标注。

1.假设图中所有电位器的中心抽头,均被调整至中点。请在相同的时间坐标轴上,定性画出图中标注的关键点o1u 、o2u 、o4u 、5o u 波形,注意仅需要画出各波形的类型(三角波还是方波)、相位关系、直流电平特征。

2.R W2的中心抽头,由中点向上方调整。试从幅度、频率、占空比、直流偏移量上定性描述O2u 的波形改变。

3.R W1的中心抽头,由中点向左方调整。试从幅度、频率、占空比、直流偏移量上定性描述O2u 的波形改变。

4.R W3的中心抽头,由中点向上方调整。试从幅度、频率、占空比、直流偏移量上定性描述O4u 的波形改变。

图1

292

三、以晶体管为核心器件(即不使用集成功率放大器),设计一个乙类互补推挽功率放大电路。已知负载R L =8Ω,要求整个电路的效率大于50%,输出功率大于等于10W 。其中晶体管饱和压降可以忽略。具体设计内容如下:

1.在±5V 、±12V 、±15V 三种电源中选择一种,以满足上述要求。

2.当输入信号有效值为1V ,设计以运放为前置级、含反馈的功放电路。画出电路图,并根据输入信号、输出功率的要求,计算功率放大电路电压放大倍数的最小值。 四、单项选择题(请选择最合适的一个答案)

1.将电话线接入电话机时,为什么不需要区分电话线的正负? (A )电话线上传送的是交流电压;

(B )电话线只传送信号,信号本身不需要区分正负;

(C )电话线一方面传送话音信号,另一方面也向电话机提供直流电压。由于电话机内部有整流电路,可以自动适应外部连线的反接,因此可以不区分电话线的正负;

(D )电话机内部有差动放大器,无需区分信号的正负。

2.心电图机的电极直接接触患者的皮肤。为了保证患者不会遭受意外电击,下列哪种方法是有效的?

(A )在电极对地之间加入稳压管;

(B )在测量电路中使用隔离放大器和隔离电源; (C) 使用专用的测量放大器;

图2

293

(D) 使用带阻滤波器,滤除可能伤害患者的50Hz 工频电压。

3.有一种触摸开关台灯。当人体轻轻接触台灯表面的一个金属区域(即开关),台灯将打开或者关闭。这种台灯中的控制思路,最可能是下列哪种?

(A)用温度传感器,识别人手指的表面温度,进而控制内部开关; (B)用压力传感器,识别人手指对台灯表面的触压,进而控制内部开关; (C)用场效应管的栅极作为输入端,接受人体的噪声信号,进而控制内部开关; (D)用红外传感器,识别人手指的红外信号,进而控制内部开关。 4.用两个性能一致的晶体管构成差分放大电路,其主要目的是: (A)一个晶体管损坏时,另外一个晶体管备用; (B)抑制共模输入信号,放大差模输入信号; (C)增加输出功率;

(D)使得总电流放大倍数增加为21)1(ββ+。

5.在卡拉OK 厅里,将麦克风置于音响附近,可能会引起很刺耳的“啸叫”。产生这种现象的主要原因是:

(A)自激振荡; (B)深度负反馈; (C)交越失真;

(D)音响功率放大器质量不高,有明显的零点漂移。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕 一、填空题(15分) 1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号; D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

统计西安交大期末考试试题(含答案)

西安交大统计学考试试卷 一、单项选择题(每小题2 分,共20 分) 1.在企业统计中,下列统计标志中属于数量标志的是(C) A、文化程度 B、职业 C、月工资 D、行业 2.下列属于相对数的综合指标有(B ) A、国民收入 B、人均国民收入 C、国内生产净值 D、设备台数 3.有三个企业的年利润额分别是5000 万元、8000 万元和3900 万元,则这句话中有(B)个变量? A、0 个 B、两个 C、1 个 D、3 个 4.下列变量中属于连续型变量的是(A ) A、身高 B、产品件数 C、企业人数 D、产品品种 5.下列各项中,属于时点指标的有(A ) A、库存额 B、总收入 C、平均收入 D、人均收入 6.典型调查是(B )确定调查单位的 A、随机 B、主观 C、随意 D 盲目 7.总体标准差未知时总体均值的假设检验要用到(A ): A、Z 统计量 B、t 统计量 C、统计量 D、X 统计量 8.把样本总体中全部单位数的集合称为(A ) A、样本 B、小总体 C、样本容量 D、总体容量 9.概率的取值范围是p(D ) A、大于1 B、大于-1 C、小于1 D、在0 与1 之间 10.算术平均数的离差之和等于(A ) A、零 B、1 C、-1 D、2 二、多项选择题(每小题2 分,共10 分。每题全部答对才给分,否则不计分) 1.数据的计量尺度包括(ABCD ): A、定类尺度 B、定序尺度 C、定距尺度 D、定比尺度 E、测量尺度 2.下列属于连续型变量的有(BE ): A、工人人数 B、商品销售额 C、商品库存额 D、商品库存量 E、总产值 3.测量变量离中趋势的指标有(ABE ) A、极差 B、平均差 C、几何平均数 D、众数 E、标准差 4.在工业企业的设备调查中(BDE ) A、工业企业是调查对象 B、工业企业的所有设备是调查对象 C、每台设备是 填报单位D、每台设备是调查单位E、每个工业企业是填报单位 5.下列平均数中,容易受数列中极端值影响的平均数有(ABC ) A、算术平均数 B、调和平均数 C、几何平均数 D、中位数 E、众数 三、判断题(在正确答案后写“对”,在错误答案后写“错”。每小题1 分,共10 分) 1、“性别”是品质标志。(对)

西交《汇编语言程序设计》期末复习题

(单选题)1.当A≥B时转移的条件转移指令为(A,B为带符号数)()。 A: JA B: JAE C: JG D: JGE 正确答案: D (单选题)2.当执行指令ADD AX,BX后,若AX的内容为2BA0H,设置的奇偶标志位PF=1,下面的叙述正确的是()。 A: 表示该数为偶数 B: 表示结果中低八位含1的个数为偶数 C: 表示结果中含1的个数为偶数 D: 表示结果中含1的个数为奇数 正确答案: B (单选题)3.设AH=0,AL=06H,BL=09H,执行以下指令之后,其结果应是()。 ADD AL,BL AAA A: AH=01H, AL=05 B: AH=01H, AL=15 C: AH=0, AL=0FH D: AH=0, AL=05 正确答案: A (单选题)4.执行1号DOS系统功能调用后,从键盘输入的字符应存放在( ) A: AL中 B: BL中 C: CL中 D: DL中 正确答案: A (单选题)5.使状态标志位CF清零的错误指令是( ) A: OR AX,AX B: SUB AX,AX C: MOV CF,0 D: CLC 正确答案: C (单选题)6.假定(DS)=4000H,(DI)=0100H,(401OOH)=55H,(40101H)=AAH,试问执行指令LEA

BX,[DI]后,(BX)=( ) A: 0100H B: 55AAH C: AA55H D: 4100H 正确答案: C (单选题)7.下列指令执行时出错的是( ) A: ADD BUF1,BUF2 B: JMP DWORD PTR DAT [BX] C: MOV AX,[BX+DI] NUM D: TEST AL,08H 正确答案: A (单选题)8.假定(DS)=4000H,(DI)=0100H,(401OOH)=55H,(40101H)=AAH,试问执行指令LEA BX,[DI]后,(BX)= ( ) A: 0100H B: 55AAH C: AA55H D: 4100H 正确答案: A (单选题)9.循环指令LOOPNZ终止循环的条件是()。 A: CX=0,且ZF=0 B: CX=0,或ZF=1 C: CX<>0,且ZF=0 D: CX<>0,或ZF=1 正确答案: B (单选题)10.直接、间接、立即三种寻址方式指令的执行速度,由快至慢的排序为 ( ) A: 直接、立即、间接 B: 直接、间接、立即 C: 立即、直接、间接 D: 不一定 正确答案: C (单选题)11.若定义DAT DW 'A',则(DAT)和(DAT+1)两个相邻的内存中存放的数据是 ( )。 [注]选项C. 和D.中的XX表示任意数据。 A: 0041H

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()

西交大《程序设计基础》试题及答案

西交大《程序设计基础》试题及答案 一、单项选择题(本大题共20小题,每小题2分,共40分) 1.int a[10];合法的数组元素的最小下标值为()。A:10 B:9 C:1 D:0 答案:D 2.以下运算符中优先级最低的是()。A:&& B:& C:|| D:| 答案:C 3.若使用一维数组名作函数实参,则以下正确的说法是()。A:必须在主调函数中说明此数组的大小B:实参数组类型与形参数组类型可以不匹配C:在被调用函数中,不需要考虑形参数组的大小D:实参数组名与形参数组名必须一致答案:A 4.已知函数的调用形式:fread(buffer,size,count,fp);其中buffer 代表的是()。 A:一个整数,代表要读入的数据项总数B:一个文件指针,指向要读的文件C:一个指针,指向要读入数据的存放地址D:一个存储区,存放要读的数据项答案:C 5.对以下说明语句int a[10]={6,7,8,9,10}; 的正确理解是()。A:将5个初值依次赋给a[1]至a[5] B:将5个初值依次赋给a[0]至a[4] C:将5个初值依次赋给a[6]至a[10] D:因为数组长度与初值的个数不相同,所以此语句不正确答案:B 6.下列程序的输出结果是()。main() { int x=1,y=0,a=0,b=0; switch(x) { case 1:switch(y) { case case } case 2:a++;b++;break; case 3:a++;b++;break; } printf(\} A:a=1,b=0 B:a=2,b=1 C:a=1,b=1 D:a=2,b=2 答案:B 7.下列程序的输出结果为()。main() {int m=7,n=4; float a=38.4,b=6.4,x; x=m/2+n*a/b+1/2; printf(\ 0:a++;break; 1:b++;break; } A:27.000000 B:27.500000 C:28.000000 D:28.500000 答案:A 8.若k为int型变量,则以下程序段的执行结果是()。k=-8567; printf(\A:格式描述符不合

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

模电期末考试题

《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。(10分) 1只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。 (×)2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 (√)3负反馈越深,电路的性能越稳定。 (×)4零点漂移就是静态工作点的漂移。 (√)5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 (√)6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 (√)7半导体中的空穴带正电。 (√)8 P型半导体带正电,N型半导体带负电。 (×)9实现运算电路不一定非引入负反馈。 (×)10凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。 (×)二、选择填空(10分) (1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 A ;为了展宽频带,应在放大电路中引入 D 。 (A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈(2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中, C 。 (A)φA=-1800,φF=+1800 (B)φA=+1800,φF=+1800 (C)φA=00,φF=00 (3)集成运放的互补输出级采用 B 。 (A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B 。

(A)β(B)β2 (C)2β(D)1+β (5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是 B ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 C 。 (A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路(6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C B u B B u E。 (A)> (B)< (C)= (D)≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 (A)大(B)小(C)相等 三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。解:二极管D截止,u0=-6V 四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位(V)①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ=0.7V,电流放大系数为β=80,r be=1.2 kΩ,R B=500 kΩ,R C=R L=5 kΩ,V CC=12V。

(整理)西安交通大学口腔医学本科期末考试试题

西安交通大学口腔医学本科期末考试试题 课程 系别考试日期年月日 专业班号 姓名学号期中期末 一、A1型题(每题1分,共50分) 1、口腔中的主要致龋菌为 A放线菌菌株 B乳杆菌 C变形链球菌 D以上全不对 E以上都对 2、关于继发龋,以下哪种叙述是正确的 A继发龋是在原来龋坏基础上又发生龋坏 B继发龋是龋病治疗后,由于充填物边缘与牙体组织之间形成缝隙而产生龋病C继发龋的可能原因充填物边缘或窝洞周围牙体组织之间破裂不密合或龋坏病变组织未去除干净,形成菌斑滞留区 D B和C正确 E以上全对 3、引起楔状缺损的主要原因是 A牙颈部结构薄弱 B酸的作用

C牙体材料疲劳 D刷牙 E以上全不对 4、后牙浅龋制洞洞深以达釉牙本质界下---为宜? A 0.1-0.2mm B 0.2-0.5mm C 0.5-1mm D 1.0-2.0mm E以上都不对 5、牙隐裂最常发生于 A下颌磨牙 B上颌磨牙 C下颌前牙 D上颌前牙 E上颌尖牙 6、目前公认的龋病致病因素包括 A酸、微生物、宿主、即牙齿健康状况 B微生物、饮食、年龄 C微生物、饮食、遗传 D微生物、饮食、宿主即牙齿健康状况 E细菌、蔗糖、时间 7、深龋充填术后出现自发疼痛应

A对症处理 B调牙合 C照牙髓炎的治疗原则处理 D取出原充填物,垫底后重新充填 E服消炎药或止痛药 8、银汞合金充填窝洞时其固位形主要依靠 A其与牙体组织间的粘结性 B侧壁固位 C倒凹固位 D密合的摩擦力和洞口小于洞底的机械力 E以上全不对 9、下列叙述中,哪一项不正确 AⅡ类洞为发生于后牙邻面的龋损所制备的洞形 BⅢ类洞为发生于前牙邻面未损伤切角的龋损所制备的洞形 CⅣ类洞为发生于前牙唇面并损伤切角的龋损所制备的洞形 DⅤ类洞为发生于所有牙唇(颊)龈1/3牙面的龋损所制备的洞形EⅠ类洞为发生于所有牙齿的发育窝沟内的龋损所制备的洞形10、洞形制备的一般原则不包括 A尽量去净病变组织 B保存健康组织 C了解患者的健康状况 D失活牙髓,减轻疼痛

西交大程序设计复习题

程序设计基础-学习指南 一.填空题 1.计算机系统是由()、()两部分组成。 2.程序执行过程中其值保持不变的量称为()。它又可以分为()、()、()。 3.()语句的作用是从switch、for、while或do-while语句中跳出来,终止这些语句的执行,把控制转到被中断的循环语句或switch语句之后去执行。 4.标准字符串处理函数的头文件是()。 5.在C语言中,字符串实际上是指字符串第一个字符的(),所以字符串数组中的每一个元素实际上是每一个字符串的()。 6.putchar( )函数的函数功能是( )。7.Static char a[15]={‘H’,’a’,’p’,’p’,’y’,’.’};这个初始化语句中有9个数组元素没有给出初值,系统会自动对它们赋值为()或()。 8.由于指针变量直接指向变量,所以称为()。而如果通过指向指针的指针变量来访问变量则构成()。 二.选择题 1.下列哪个不是算法的特征() A.有穷性B.可行性C.不确定性D.输入 2.设:x=9;y=++x;,则产生的结果是() A.x=9;y=9; B.x=10;y=10; C.x=9;y=10; D.x=10;y=9; 3.下列说法错误的是() A.for语句中,<表达式1> 、<表达式2>和<表达式3>都可以缺省。 B.<表达式2>缺省,系统会认为此处的值是0 C.for语句的三个表达式可以是任何类型的表达式 D.for语句可以嵌套使用 4.关于数组,下列说法正确的是() A.对数组的初始化操作在定义数组的同时进行 B.给数组赋初值时,必须所有数组元素都被赋值 C.给数组元素全部赋初值时,一定要指明数组的大小。 D.引用数组元素的时候,可以一次引用数组中的全部元素 5.以下说法错误的是() A.C程序必须从main( )函数开始执行 B.所有函数在定义上讲都是相互独立的,不存在嵌套定义 C.C语言中有两类函数,系统提供的库函数和用户自定义的函数 D.参数的作用是向函数传递不同的数据 6.对于如下的表达式: int a[3][4],*p; p=*a; 执行p++操作之后,*p表示取()的内容。 A.a[0][0] B.a[1][0] C.a[1][1] D.a[0][1] 7.以下函数,哪个不属于动态申请空间的标准库函数() A.malloc( ) B.calloc( ) C.free( ) D.strcmp( ) 8.执行下列两个语句后,输出的结果为()

西安交通大学管理学期末考试试题1

西安交通大学管理学期末考试试题二 一、选择题(每小题1.5分,共15分) 1()的目的能使管理人员全面了解整个组织的不同工作内容,得到各种不同的经验,为其今后在更高层次上任职打好基础 A提升B职务轮换C在副职上培训D理论培训 2在管理方格理论中,确定领导行为的两个因素是() A对人的关心B对生产的关心C正式结构D体谅 3决策是计划工作的() A基础B重心C核心D目标 4决策树是()的一种,受到广泛的使用 A博弈论法B效用方法C线性规划法D期望值法 5狭义的决策就是()方案 A筹备B拟定C选择D执行 6组织工作就是为了使组织有效运作而进行的一种()的设计和维持 A职位结构B人员群体C分工协作D组织框架 7管理层次的划分主要是解决组织的()问题 A横向结构B纵向结构C横向分工D总想协调 8按()划分部门是最普遍采用的一种划分方法 A地区B职能C产品D时间 9一般的,集权或分权的程度,常根据各管理层次拥有的()来确定 A组织权B决策权C计划权D领导权 10根据激励的公平理论()能得到激励 AOp>oo Bop/ip>oo/io Cop/ip

西安交通大学16年9月课程考试《程序设计基础》作业答案.电子教案

一、单选题(共30 道试题,共60 分。V 1. 以下运算符中优先级最低的是(。 A. && B. & C. || D. | 满分:2 分 2. 要打开A盘上user子目录下名为abc.txt的文本文件进行读、写操作,下面符合此要求的函数调用是(。 A. fopen("A.\user\abc.txt","r" B. fopen("A.\\user\\abc.txt","r+" C. fopen("A.\user\abc.txt","rb" D. fopen("A.\\user\\abc.txt","w" 满分:2 分 3. 语句while(!E;中的表达式!E等价于(。 A. E==0 B. E!=1 C. E!=0 D. E==1

满分:2 分 4. 对以下说明语句int a[10]={6,7,8,9,10};的正确理解是(。 A. 将5个初值依次赋给a[1]至a[5] B. 将5个初值依次赋给a[0]至a[4] C. 将5个初值依次赋给a[6]至a[10] D. 因为数组长度与初值的个数不相同,所以此语句不正确 满分:2 分 5. 以下叙述中不正确的是(。 A. 一个好的程序应该有详尽的注释 B. 在C程序中,赋值运算符的优先级最低 C. 在C程序中,j++;是一条赋值语句 D. C程序中的#include和#define均不是C语句 满分:2 分 6. static struct {int a1;float a2;char a3;}a[10]={1,3.5,'A'};说明数组a是地址常量,它有10个结构体型的下标变量,采用静态存储方式,其中被初始化的下标变量是(。 A. a[1] B. a[-1] C. a[0] D. a[10]

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于(A ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( B ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型锗管 D.PNP 型硅管 (4 )温度上升时,半导体三极管的( A ) A.β和I CEO 增大,u BE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小 C.β减小,I CEO 和u BE 增大 D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( ) A.A u 等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R o 等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ,可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc | C.R id D.K CMR (9 )电路如图2所示,其中U 2=20V ,C=100μf 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略,该电路的输出电压U o ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (10 )在下列四种比较器中,抗干扰能力强的是 ( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题 (每格1分,共20分) (11 )当放大电路输入非正 弦信号时,由于放大电路 对不同频率分量有不同的 放大倍数而产生的输出失 真为 ____ 失真,由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ___失真,这两种失真统称为 _____失真或 ______失真。 (12 )半导体三极管属 _____控制器件,而场效应管属于_____控制器件。 (13按结构不同场效应管分为_____ 型和______型两大类。 (14 )集成运放内部电路实际是一个 _____、_____ 、______ 放大电路。 + _ + D 4 TR D 3 Uo D 2 U 2 + C D 1 U 1 (图2) _ _ -2V -8V -2.2V ① ② ③ 图1

2020西安交大网络继续教育《程序设计基础》试题及答案

程序设计基础 一、单选题 1.以下选项中,与k=n++完全等价的表达式是(A) A: k=nn=n+1 B:n=n+1,k=n C: k=++n D:k+=n+1 2.结构体类型的定义允许嵌套是指(A) A:成员是已经或正在定义的结构体型 B:成员可以重名 C:结构体型可以派生 D:定义多个结构体型 3.函数 rewind的作用是(A) A使位置指针重新返回文件的开头 B:将位置指针指向文件中所要求的特定位置 C:使位置指针指向文件的末尾 D:使位置指针自动移至下一个字符位置 4.下列程序的输出结果为(A) main(int m=7,n=4; floata=38.4,b=6.4,xx=m/2+n'a/b+1/2; print("%fn",X), A:27 B:27.5 C:28 D:28.5 5. char a=" Thisisaprogram."输出前5个字符的语句是(A) A: printf(%.5s,a) B: puts(a) C: printf("%s,a) D: a[5"2]=0: puts(a) 6.若有int'p-(nt) malloc( sizeof(n):则向内存申请到内存空间存入整数123的语句为(A)A: scanf(%od",p) B: scanf(%d",&p) C: scanf("d",p) D: scanf(%d,""p) 7.若使用一维数组名作函数实参,则以下正确的说法是(A) A:必须在主调函数中说明此数组的大小 B:实参数组类型与形参数组类型可以不匹配 C:在被调用函数中,不需要考虑形参数组的大小 D:实参数组名与形参数组名必须一致 8.以下标识符中,不能作为合法的C用户定义标识符的是(A) A: putchar B: double

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

哈工大模电期末考试题及答案

一、 填空(16分) 1、在电流控制方式上,双极型晶体管是__电流控制电流源____型,而场效应管是__电压控制电流源___型;二者比较,一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中,为了不出现失真,晶体管应工作在___放大___区,此时发射结___正偏______,集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能,为了提高负载能力,应采用___电压___型负反馈,如果输入为电流源信号,宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中,___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√,错误的画× (1)放大电路的核心是有源器件晶体管,它能够实现能量的放大,把输入信号的能量放大为输出信号的能量,它提供了输出信号的能量。 ( × ) (2)共集组态基本放大电路的输入电阻高,输出电阻低,能够实现电压和电流的放大。 ( × ) (3)图1所示的文氏桥振荡电路中,对于频率为01 2f RC π=的信号,反馈信 号U f 与输出信号U o 反相,因此在电路中引入了正反馈环节,能产生正弦波振荡。 ( × ) 第 1 页 (共 8 页) C C R R + + + +R R 3 4 o U ?f U ?t 图1

试 题: 班号: 姓名: 二、(18分)基本放大电路及参数如图2所示,U BE =0.7V ,R bb ’=300?。回答下列各问: (1) 请问这是何种组态的基本放大电路?(共射、共集、共基) (2) 计算放大电路的静态工作点。 (3) 画出微变等效电路。 (4) 计算该放大电路的动态参数:u A ,R i 和R o (5) 若观察到输出信号出现了底部失真,请问应如何调整R b 才能消除失真。 图2 答:(1)是共射组态基本放大电路 (1分) (2)静态工作点Q : Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ,即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?, ∴I BQ =0.0235mA (2分) ∴I CQ =βI BQ =1.175mA , (2分) ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V (2分) (3)微变等效电路 o (4分) (4)r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 (2分) Ri=R b //r be ≈1.33K ?; (2分) Ro ≈Rc=2K ? (2分) (5)是饱和失真,应增大R b (1分)

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

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