E02158_GJ型保护板原材料规格书_A

E02158_G J型保护板原材料规格书_A

-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1

密级

阶段标记

页数 13 原材料技术条件及零部件规格书

名称主板- E02158

编号

拟制

审核

会签

标准化

批准

天津力神电池股份有限公司

1目的

为公司提供原材料技术条件，确保原材料质量处于受控状态，满足生产要求。2适用范围

适用于316-PP505690-4S5P-PCM型锂离子电池项目，可作为采购进货检验依据。3技术条件及相关内容

3.1产品简述：

3.1.1名称： E02158

3.2BOM：技术要求（@25 oC）

3.2.1过充保护电压：

3.2.2

3.2.3过充恢复电压：

3.2.4

3.2.5过放保护电压：

3.2.6过放恢复电压：

3.2.7

3.2.8

3.2.9过流保护电流： 15.5A +/3A（电芯）

3.2.10短路保护功能： OK

3.2.7 均衡起始电压：

3.3.8 工作温度： -45℃～55℃

3.3.9 存储温度： -40℃～85℃

3.3元器件布件图：

底层

无底层布件3.4焊盘定义：

顶层

无底层焊盘

3.5

元器件列表：

所有器件符合工业级标准(工作温度范围达-40℃至+85℃)：

印制板线路图

底层：

DS2788文件烧写

3.8.1 DS2788烧写接口如下：

其中：DQ为DS2788通信总线，GND为数据地线。

3.8.2 DS2788基本参数烧写

3.8. 2.1 DS2788基本参数初步烧写。

单击File，选择Flod，该文件为.tex格式，该格式文件明如下，"11085","11085","11317","11412","11500", "312","305","298","52","34", "29","29","29","18","0", "","","","480", "","","","61","",

"","00h","","20 C","10 C"

单击Write$copy键，进行基本参数烧写。

（注意检流电阻为：5.00mΩ；，电压较准参数为（参数值~）；电流校准参数（参数值~）

3.8.2.2 DS2788主要参数校准。

修正电压较准参数（参数值在~之间），并在主界面读取软件电压测量值，使得软件测量电压与实际测量电压压差不超过50mV；

修正电流校准参数（参数值在~之间）。

3.8.3 DS2788老化系数烧写

单击Write和Done键进行老化系数烧写，老化系数设置为98%（烧写后老化系数有略微改变，但变化在97%~98%之间）。

3.8.4 通信地址烧写

寄存器相对地址和相应参数烧写如下

a、额定容量：10000mAh,对应十六进制为2710h，

其中低位地址20h：27h,高位地址21h：10h；

b、节数：4串，对应十六进制为04h,地址为2Ch，

单击Write和Done键进行通信地址烧写。

单片机ATmega48烧写

3.9.1 AVR并行ISP 烧写器接口和保护板烧写接口如下：

3.9.1.1 AVR并行ISP 烧写器接口

3.9.1.2 保护板上单片机ATmega48烧接口如下

3.9.2 烧写方法（AVR studio4 烧写界面）

3.9.2.1 熔丝配置

a. 如图选择 BOOLEVEL=110

b. 如图选择默认振荡频率（内部晶振8M），CKSEL=0010，SUT=10

c. 内部晶振频率分频设置：不分频

熔丝配置并烧写完成后界面如下

3.9.2.2 烧写文件写入

a、器件选择：ATmega48

b、烧写模式：ISP mode

c、Flash路径设置：

3.9.2.3 烧写文件

烧写文件为.hex格式，该格式文件如下：剩余相对容量修正烧写，测试液晶显示功能

单击Write和Done键进行剩余容量烧写，剩余容量初次烧写为7000mAh，此时液晶显示应为3格。

4 检验项目及检验方法

目测检查保护板没有弯曲变形，表面洁净，无腐蚀，无异物。

目测检查保护板上的器件位置，应与条中的元器件布件图相符。

利用游标卡尺测量保护板关键机械尺寸(*标注)，应与相符。

利用保护板测试仪测试保护板的电气性能，应与相符。

利用专用烧写工具烧写测试保护板液晶显示和通信功能，应符合、、的要求。

5 存储

原材料应密闭包装，避免潮湿和化学气氛。

6运输

包装规格要求

防静电包装。

运输要求

应防止碰撞、防破损。

7修订历史记录

修订状态拟制人修订原因修订记录发布日期0刘彩秋-----------2009-7-16

1刘彩秋DS2788外部

分压电阻变

更

1、C13：由原来50V,20%

改变为50V,20%

2010-2-22

2、C18：由10uF/50V,20%，1206

改变为10uF/25V,20%，1206

3、R54：由原来1M1%,1/16W

改变为100K, 1%,1/16W;

4、R47：由原来3M, 1%,1/16W