金属氧化膜电阻器

RY94～RY99(D/X)型系列金属氧化膜电阻器

产品说明：

本产品具有阻值范围宽、耐热性好、性能稳定

可靠等特点，相同额定功率的同一型号产品有

尺寸大小不同的两个品种。该产品广泛应用于

彩色电视、电脑显示屏、新型电源和其它家用

电器等温度较高条件下要求稳定的电路中。执行标准：

国家标准（总规范）：GB/T 5729-2003 《电子设备用固定电阻器第一部分总规范》

外形图及外形尺寸

负荷特性曲线：

常见金属电阻率

常用金属导体在20℃时的电阻率材料电阻率(Ωm) (1)1.65×10-8 (2)1.75×10-8 (3)2.40×10-8 (4)2.83×10-8 (55.48×10-8 (6)9.78×10-8 (7)2.22×10-7 (8)4.4×10-7 (9)9.6×10-7 (10)5.0×10-7 (11)镍铬1.0×10-6 (12)铁铬1.4×10-6 (13)铝镍铁合金1.6×10-6 可以看出金属的电阻率较小，合金的电阻率较大，非金属和一些更大，而的电阻率极大。锗、硅、硒、氧化铜、硼等的电阻率比绝缘体小而比金属大，我们把这类材料叫做(semiconductors)。另外一些金属和非金属的电阻率金属温度（0℃）ρ(×10-8Ωm),αo(×10-3) 锌20 5.94.2

铝（软）202.754.2 铝（软）–781.64 (8～13)×10-6 阿露美尔合金20331.2 锑038.75.4 铱206.53.9 铟08.25.1 殷钢0752 锇209.54.2 镉207.44.2 钾206.95.1① 钙204.63.3 金202.44.0 银201.624.1 铬（软）2017 镍铬合金（克露美尔）—70—110.11—.54钴a06.376.58 康铜—50–.04–1.01 锆30494.0 黄铜–5—71.4–2 水银094.080.99 水银2095.8

锶030.33.5 青铜–13—180.5 铯20214.8 铋201204.5 铊20195 钨205.55.3 钨100035 钨3000123 钨–783.2 钽20153.5 金属温度（0℃）ραo,100杜拉铝（软）—3.4 铁（纯）209.86.6 铁（纯）–784.9 铁（钢）—10—201.5—5 铁（铸）—57—114 铜（软）201.724.3 铜（软）1002.28 铜（软）–781.03 铜（软）–1830.30 钍20182.4

电阻的分类及性能.

电阻的分类及性能电阻分为限值固定电阻和限值可变电阻两类。限值固定电： 1碳膜电阻，标示通用R或RT 电压稳定性能好，造价低，在普通电子产品中应用广泛。 2.金属膜电阻，R或RJ 电压系数更好，同等条件下体积比碳膜电阻小很多，但它的脉冲负荷稳定性差，造价高。 3.金属氧化膜电阻器，R或RY 具有抗氧化、耐酸、抗高温等特点。 4.合成碳膜电阻器，R或RH 高压、高阻电阻器。 5.玻璃釉电阻器，R或RL 耐高温、耐潮湿、稳定、噪声小、限值范围大。 6.水泥电阻器，R 应用大功率电路，当负载短路时，电阻丝与焊脚间的压接处会迅速熔断，对整个电路起保护作用。 7.排电阻器，R 用圆点或缺口表示公共端，电阻器上的数字分别表示有效数字和倍数数字。 8.熔断电阻器（保险电阻器），R 具有电阻器和过流保护熔断双重作用元件。 9.实心电阻器，R 成本低，限值误差大，稳定较差。限值可变电阻一、可调电阻器（可人工调节）标示RP 有3个引脚和一个动片引脚，还有一个可调整旋转钮，可以通过改变动片，改变电阻的阻值。二、敏感电阻器（随环境变化而变化） 1．压敏电阻器，MY 当外加电压施加到某一临界值时，压敏的阻值会急剧变小。 2.热敏电阻器，MZ或MF 随着温度变化而变化，温度高阻值增大，温度低阻值增小为正温度系数相反为负温度系数。 3．湿敏电阻器，MS 常见种类硅湿敏电阻器、陶瓷湿敏电阻器、氯化理湿敏电阻器。湿度变化而变化，湿敏电阻器是由感湿层（或湿敏膜）、引线电极和有一定强度的绝元基体组成。 4.光敏电阻器，ＭＧ入射光线增强，限值会明显减小，入射光线减弱限值会明显增大。按导体不同可分为单晶光敏和多晶光敏电阻器。按光谱特性分为红外线光敏电阻器、可见光敏电阻器及紫外线光敏电阻器。 5.气敏电阻器，MG 利用金属氧化物半导体表面吸收某种气体分子时，会发生氧化反应或还原电阻值改变特性而制成的。电容的种类标示及性能电容分为限值固定电容和限值可变电容器电容器一般标示都是C。

室外一体化集成机柜选型规格书

目录 1引言 ........................................... 错误!未定义书签。编写目的.......................................... 错误!未定义书签。预期读者和阅读建议................................ 错误!未定义书签。参考资料.......................................... 错误!未定义书签。缩写术语.......................................... 错误!未定义书签。2器件基本情况.................................... 错误!未定义书签。器件名称.......................................... 错误!未定义书签。器件说明: ......................................... 错误!未定义书签。3技术要求........................................ 错误!未定义书签。外形尺寸图及说明.................................. 错误!未定义书签。设备总体技术指标.................................. 错误!未定义书签。机柜布局和结构要求................................ 错误!未定义书签。机柜布局和功能区划分.......................... 错误!未定义书签。机柜舱门技术要求.............................. 错误!未定义书签。设备舱技术要求................................ 错误!未定义书签。温控舱技术要求................................ 错误!未定义书签。电池舱技术要求................................ 错误!未定义书签。其它技术要求.................................. 错误!未定义书签。机柜材料要求.................................. 错误!未定义书签。4样品常规检测.................................... 错误!未定义书签。5可靠性检测...................................... 错误!未定义书签。6包装、运输及存储................................ 错误!未定义书签。7质量要求........................................ 错误!未定义书签。供应商接口........................................ 错误!未定义书签。产品规格书........................................ 错误!未定义书签。

低压无功补偿技术规格书

低压无功补偿技术规格书．低压自动无功补偿装置技术要求 1、总则 1.1、本技术规范书适用于变电所内配置的RNT低压动态无功功率补偿装置，它提出了该动态无功功率补偿装置本体及附属设备的功能设计、结构、性能、调试和试验等方面的技术要求。 1.2本技术规格书中提出了最低限度的技术要求，并未规定所有的技术要求和适用的标准，未对一切技术细节做出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供方须提供一套满足本技术规格书和相关标准规范要求的高质量产品及其相应

服务，以保证的安全可靠运行。 1.3、供方须执行现行国家标准和电力行业标准。有矛盾时，按技术要求较高的标准执行。主要的标准如下： GB/T 15576-2008 《低压成套无功功率补偿装置》 GB50227-95 《并联电容器成套装置设计规范》 JB5346-1998 《串联电抗器》 GB191 《包装贮运标准》 GB11032-2000 《交流无间隙金属氧化锌避雷器》 GB/T 2681-1981 《电工成套装置中的导体颜色》 GB/T 2682-1981 《电工成套装置中的指示灯和按钮的颜色》 GB1028 《电流互感器》 GB10229 《电抗器》 DL/T620-1997 《装置过电压保护和绝缘配合》 GB 4208-93 《外壳防护等级》（IP代码） GB/T14549-93 《电能质量-公用电网谐波》另外，尚应符合本技术规格书规定的技术要求和买方的要求。 1.4、未尽事宜，供需双方协商确定。 2、设备环境条件 2.1、周围空气温度 ℃38.4最高气温：低压无功补偿设备技术协议 29.3℃最低气温： - 6.8~10.6℃年平均气温： 1500米2.2、海拔高度：不大于0.05g 6度区，动峰值加速度：2.3、地震烈度：户内2.4、安装地点：、电容补偿柜技术参数3400V 额定电压：1） AC 660V 额定绝缘电压： 2500V 额定工频耐受电压：1min 8kV 冲击耐压： TMY 主母线：）2TMY 母线：PE 系统容量与无功补偿设备等应达到设计要求；3）外形尺寸：具体见附图4）电压等级下的动态电容无功380V采用）无功功率补偿全部采用动态补偿方式：5 补偿柜，补偿容量具体见附表。％的电抗器，从根本7 对控制器、电抗器、驱动器进行特殊设计，要求选用6）上解决与系统发生串联、并联谐振，避免使谐波放大，实现无功补偿和谐波抑制并举的功能；控制应具有高可靠性，而且操作简单，与系统联结时，不需要考虑交流系统）7 相序，不会因为相序接错而带来烧坏可控硅或其他器件的现象；实现电流过零投切，电容投切过程中无涌流冲击、无操作过电压、无电弧重8）燃现象，使用寿命长；控制器实现全数字化，液晶显示，具有联网通讯功能；9）根据负载无功和负荷波动情况，在规定的动态响应时间内，多级补偿一次到）10位；

常见金属电阻率

常用金属导体在20℃时的电阻率材料电阻率(Ωm) (1)银1.65×10-8 (2)铜1.75×10-8 (3)金2.40×10-8 (4)铝2.83×10-8 (5钨5.48×10-8 (6)铁9.78×10-8 (7)铂2.22×10-7 (8)锰铜4.4×10-7 (9)汞9.6×10-7 (10)康铜5.0×10-7 (11)镍铬合金1.0×10-6 (12)铁铬铝合金1.4×10-6 (13)铝镍铁合金1.6×10-6 可以看出金属的电阻率较小，合金的电阻率较大，非金属和一些金属氧化物更大，而绝缘体的电阻率极大。锗、硅、硒、氧化铜、硼等的电阻率比绝缘体小而比金属大，我们把这类材料叫做半导体(semiconductors)。另外一些金属和非金属的电阻率金属温度（0℃）ρ(×10-8Ωm),αo(×10-3) 锌20 5.94.2 铝（软）202.754.2 铝（软）–781.64 石墨(8～13)×10-6 阿露美尔合金20331.2 锑038.75.4 铱206.53.9 铟08.25.1 殷钢0752 锇209.54.2 镉207.44.2 钾206.95.1① 钙204.63.3 金202.44.0 银201.624.1 铬（软）2017

镍铬合金（克露美尔）—70—110.11—.54 钴a06.376.58 康铜—50–.04–1.01 锆30494.0 黄铜–5—71.4–2 水银094.080.99 水银2095.8 锡2011.44.5 锶030.33.5 青铜–13—180.5 铯20214.8 铋201204.5 铊20195 钨205.55.3 钨100035 钨3000123 钨–783.2 钽20153.5 金属温度（0℃）ραo,100 杜拉铝（软）—3.4 铁（纯）209.86.6 铁（纯）–784.9 铁（钢）—10—201.5—5 铁（铸）—57—114 铜（软）201.724.3 铜（软）1002.28 铜（软）–781.03 铜（软）–1830.30 钍20182.4 钠204.65.5① 铅20214.2 镍铬合金（不含铁）20109.10 镍铬合金（含铁）2095—104.3—.5 镍铬林合金—27—45.2—.34 镍（软）207.246.7 镍（软）–783.9 铂2010.63.9 铂100043

YESO 不燃性金属氧化皮膜电阻器

MO 金属氧化皮膜电阻器随着电子设备之发展其构成之零件亦趋向小型化、轻型化及耐用化等倾向。电阻在高温下要有长期之安定性，电阻皮膜之单位面积就要负载较高之电力，适其要求之电阻就是金属氧化皮膜电阻器。 RSF ：小型化高性能金属氧化皮膜电阻器，选用高品质瓷棒来制作，尺寸较RS 大幅缩小，亦能发挥大型尺寸之功效。 APPEARANCE. DIMENSIONS DIMENSIONS 寸法（m/m ）型号 STYLE POWER RATING L max. D max. H±3 D MAX WORK ING V. MAX OVERL OAD V. RESISTANCE RANGE ±2%,±5% RS-1/2W RSF-1/2WS 1/2W 9.5 3.2 28 0.65 250 400 0.2Ω~56K Ω RS-1W RSF-1WS 1W 12 9.5 4.5 3.2 35 28 0.8 0.65 350 600 0.2Ω~82K Ω RS-2W RSF-2WS 2W 16 12 5 4.5 35 35 0.8 0.8 350 600 0.2Ω~82K Ω RS-3W RSF-3WS 3W 18 16 6 5 33 35 0.8 0.8 500 800 0.2Ω~120K Ω 分装色：RS-灰色。RSF ：粉红色。表示：5W 以下 RS-5W RSF-5WS 5W 25 18 8 6 40 33 0.8 0.8 500 800 0.2Ω~150K Ω PERFORMANCE SPECIFICATIONS 试验方法 TEST METHODS 项目 TEST ITEM 性能 CHARACTERISTICS JIS C 5202 MIL-R-22684B 使用温范围 Operating Temp. Range -55°c`200°c - - 温度系数 Temp. Coefficient (ppm/°c) ±350 5.2 4.6.11 短时间过负荷 Short Time Overload RS ±(1%+0.05Ω)RSF ±(2%+0.05Ω) 5.5 条件A 4. 6.5 焊接耐热性 Effect of Soldering ±(1%+0.05Ω) 6.4 350°c 2sec 4.6.9 温度循环 Temp. Cycling ±(1%+0.05Ω) 7.4 -25°c/85 °c 4.6.3 耐久性(耐湿负荷) Moisture Resistance ±5% 7.9 1000hr 4.6.10 阻值最大变化率 M a x . R e s i s t a n c e C h a n g e s 耐久性(定格负荷) Load Life ±5% 7.10 1.000hr 4.6.12 耐电压 Dielectric With standing Voltage ±(0.5%+0.05Ω) 5.7条件A 4.3.7 绝缘电阻 Insulation Resistance Over 103 M Ω 5.6条件A 4.6.8 不燃性 Non-combustibility 依照UL492.2试验方法13之过负荷试验结果无燃烧危险 The resistor shall withstand Overload test in accordance with Article UL 492.2 13 Without producing a fire hazard.

水的电导率和电阻率

水的电导率和电阻率之间的关系水的电导率和电阻率之间的关系电阻率：是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米，常用单位是欧姆·平方毫米/米。？电导率：水的导电性即水的电阻的倒数，通常用它来表示水的纯净度。电导率是物体传导电流的能力。电导率测量仪的测量原理是将两块平行的极板，放到被测溶液中，在极板的两端加上一定的电势（通常为正弦波电压），然后测量极板间流过的电流。根据欧姆定律，电导率(G)--电阻(R)的倒数，是由电压和电流决定的。电导率的基本单位是西门子（S），原来被称为姆欧，取电阻单位欧姆倒数之意。因为电导池的几何形状影响电导率值，标准的测量中用单位电导率S/cm来表示，以补偿各种电极尺寸造成的差别。单位电导率（C）简单的说是所测电导率（G）与电导池常数(L/A)的乘积.这里的L为两块极板之间的液柱长度，A为极板的面积。 =ρl=l/σ

(1)定义或解释电阻率的倒数为电导率。σ=1/ρ (2)单位: 在国际单位制中,电导率的单位是西门子/米。 (3)说明电导率的物理意义是表示物质导电的性能。电导率越大则导电性能越强,反之越小。由于水中含有各种溶解盐类，并以离子的形态存在。当水中插入一对电极时，通电之后，在电场的作用下，带电的离子就会产生一定方向的移动，水中阴离子移向阳极，阳离子移向阴极，使水溶液起导电作用。水的导电能力强弱程度，就称为电导度 S （或称电导）。电导度反映了水中含盐量的多少，是水纯净度的一个重要指针。水愈纯净，含盐量愈小，电阻愈大，导电度愈低；超纯水几乎不导电，电导的大小等于电阻值的倒数。？由于水溶液中溶解盐类都以离子状态存在，因此具有导电能力，所以电导率也可以间接表示出溶解盐类的含量（含盐量），这些对于除盐水处理的水质控制及其水质标准和检测都非常重要。几类水的电导率及电阻率大致如下：物质电阻率/兆欧*cm 电导率/（us/cm） 30%H2SO4 1 1000*103 海水 33 33*103 %NaCl 1000 1000 天然水 20*103 50 普通蒸馏水 1000*1031

碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻区别

碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻碳膜电阻碳膜电阻（碳薄膜电阻）为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器，设备，资讯产品之最基本零组件。金属膜电阻金属膜电阻（金属拍摄电阻）同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成金属膜（如镍铬），并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端度上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优势。因此被广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。

金属氧化膜电阻某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作，使用一般的电阻会未能保持其安定性。在这种情况下可使用金属氧化膜电阻（金属氧化物薄膜电阻器），它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜（如氧化锌），并在金属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值，然后于外层喷涂不燃性涂料。它能够在高温下仍保持其安定性，电阻皮膜负载之电力亦较高。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好的优点。方形线绕电阻方形线绕电阻（钢丝缠绕电阻）又俗称为水泥电组，采用镍，铬，铁等电阻较大的合金电阻线绕在无碱性耐热瓷件上，外面加上耐热，耐湿，无腐蚀之材料保护而成，再把绕线电阻体放入瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确，低杂音，有良好散热及可以承受甚大的功率消耗，大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大，成本较高，亦因存在电感不适宜在高频的电路中使用。碳质电阻碳质电阻（碳电阻器）是利用石墨，碳等较大电阻系数的物质加上胶合剂加压，加热成棒状，并在制造时植入导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。其制造成本最为低廉，但稳定性较差及误差大。

常见金属电阻率

常见金属电阻率集团企业公司编码：（LL3698-KKI1269-TM2483-LUI12689-ITT289-

锌20 5.94.2 铝（软）202.754.2 铝（软）–781.64 (8～13)×10-6 阿露美尔合金20331.2 锑038.75.4 铱206.53.9 铟08.25.1 殷钢0752 锇209.54.2 镉207.44.2 钾206.95.1① 钙204.63.3 金202.44.0 银201.624.1 铬（软）2017 镍铬合金（克露美尔）—70—110.11—.54钴a06.376.58 康铜—50–.04–1.01 锆30494.0 黄铜–5—71.4–2 水银094.080.99

水银2095.8 锡2011.44.5 锶030.33.5 青铜–13—180.5 铯20214.8 铋201204.5 铊20195 钨205.55.3 钨100035 钨3000123 钨–783.2 钽20153.5 金属温度（0℃）ραo,100杜拉铝（软）—3.4 铁（纯）209.86.6 铁（纯）–784.9 铁（钢）—10—201.5—5 铁（铸）—57—114 铜（软）201.724.3 铜（软）1002.28 铜（软）–781.03 铜（软）–1830.30

插件电阻具体讲解大全

?插件电阻也称为电阻器(Resistor)在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。下面我们来说说插件电阻具体讲解大全：? ?固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感电阻) ?氧化膜电阻 ? ?不能调节的,我们称之为定值电阻或固定电阻,而可以调节的,我们称之为可调电阻.常见的可调电阻是滑动变阻器,例如收音机音量调节的装置是个圆形的滑动变阻器,主要应用于电压分配的,我们称之为电位器.

?按制造材料有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻,无感电阻,薄膜电阻等. ? ?薄膜电阻，用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成.主要如：碳膜电阻器、碳膜电阻 ? ?碳膜电阻(碳薄膜电阻),常用符号RT作为标志;为最早期也最普遍使用的电阻器,利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜,再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状,依照螺旋纹的多寡来定其电阻值,螺旋纹愈多时表示电阻值愈大.最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成.其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高,但由于价钱便宜.碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上,是目前电子,电器,设备,资讯产品之最基本零组件.

?金属膜电阻(metal film resistor),常用符号RJ作为标志;其同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂,只是将炭膜换成金属膜(如镍铬),并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值,并且于瓷棒两端镀上贵金属.虽然它较碳膜电阻器贵,但低杂音,稳定,受温度影响小,精确度高成了它的优势，因此被广泛应用于高级音响器材,电脑,仪表,国防及太空设备等方面. ? ? 金属氧化膜电阻器，某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作,使用一般的电阻会未能保持其安定性.在这种情况下可使用金属氧化膜电阻(金属氧化物薄膜电阻器) ,它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜(用锡和锡的化合物喷制成溶液,经喷雾送入500~500℃的恒温炉,涂覆在旋转的陶瓷基体上而形成的.材料也可以氧化锌等),

常见物质的电阻率

常见物质的电阻率物质温度t/℃电阻率电阻温度系数aR/℃-1 银20 1.586 0.0038(20℃) 铜20 1.678 0.00393(20℃) 金20 2.40 0.00324(20℃) 铝20 2.65480.00429(20℃) 钙 0 3.91 0.00416(0℃) 铍20 4.00.025(20℃) 镁20 4.45 0.0165(20℃) 钼 0 5.2 铱20 5.3 0.003925(0℃~100℃) 钨27 5.65 锌20 5.196 0.00419(0℃~100℃) 钴20 6.64 0.00604(0℃~100℃) 镍20 6.84 0.0069(0℃~100℃) 镉0 6.83 0.0042(0℃~100℃) 铟208.37 铁209.71 0.00651(20℃) 铂20 10.6 0.00374(0℃~60℃) 锡0 11.0 0.0047(0℃~100℃) 铷20 12.5 铬0 12.9 0.003(0℃~100℃) 镓20 17.4 铊0 18.0 铯20 20.0 铅20 20.684 0.00376 (20℃~40℃) 锑0 39.0 钛20 42.0 汞50 98.4 锰23~100 185.0 直流叫滞磁回线，不通过零点，与B座标相交叫剩磁、其面积能表达滞磁损耗，。交流只有一条曲线通过零点。武钢硅钢标准发布时间:2010-03-12 关键词:武钢,硅钢,标准,

冷轧无取向电工钢带（片） 1、范围本标准规定了无取向电工钢的牌号、公称厚度、叠装系数、磁特性等技术条件。本标准适合于武汉钢铁股份有限公司生产的冷轧无取向电工钢带（片）。 2、引用标准下列文件中的条款通过在本标准中的引用而构成本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 228-1987 金属拉伸试验方式 GB/T 235-1988 金属反复弯曲试验方法（厚度等于或小于3mm薄板及钢带） GB/T 247-1988 钢板和钢带验收、包装、标志及质量证明的一般规定 GB/T 2522-1988 电工钢（带）层间电阻、涂层附着性、叠装系数测试方法 GB/T 3076-1982 金属薄板（带）拉伸试验方法 GB/T 3655-1992 电工钢片（带）磁、电和物理性能测量方法 GB/T 6397-1986 金属拉伸试验试样 GB/T 13789-1998 单片面性电工钢片（带）磁性能测量方法 3、牌号表示方法为了区别于GB/T2521-1996的同类产品牌号，本标准牌号中的各符号含义表述如下： 4、技术要求 4.1磁特性 4.1.1磁感

测定金属电阻率.

测定金属的电阻率实验目的学会用伏安法测量电阻的阻值，测定金属的电阻率。实验原理用刻度尺测一段金属导线的长度，用螺旋测微器测导线的直径，用伏安法测导线的电阻，根据电阻定律，金属的电阻率。实验器材被测金属导线、米尺、螺旋测微器、电流表、电压表、直流电源、电键、滑动变阻器、导线若干。实验步骤 1. 用螺旋测微器在被测金属导线上的三个不同位置各测一次直径，求出其平均值d; 2. 按图所示的电路图连接好用伏安法测电阻的实验电路； 3. 用毫米刻度尺测量接入电路中的被测金属导线的有效长度，反复测量3次，求出其平均值L ； 4. 把滑动变阻器的滑动片调节到使接入电路中的电阻值最大的位置，电路经检查确认无误后，闭合电键K。改变滑动变阻器滑动片的位置，读出几组相应的电流表、电压表的示数I和U的值，记入记录表格内，断开电键求出导线电阻R的平均值； 5. 将测得R、L、d的值，代入电阻率计算公式中，计算出金属导线的电阻率； 6. 拆去实验线路，整理好实验器材。实验结论 P = = 根据电阻定律，得金属的电阻率，所以只要先用伏安法测出金属丝电阻，用刻度尺测金属丝长度，用螺旋测微器测金属丝直径，然后代入公式即可。在测电阻时，如果是小电阻，则电流表用外接法；反之，如果电阻较大，则电流表用内接法。由于金属丝电阻一般较小（相对于电压表内阻来说），故做本实验时应采用电流表外接法.至于滑动变阻器是采用限流式还是分压式，可根据实验所提供的器材及要求而灵活选取.若无特别要求，一般可用限流式。实验考点通过本实验考查刻度尺和螺旋测微器的读数；伏安法测电阻（注意电流表的内、外接和滑动变阻器的限流、分压接法）；电阻定律。

电阻的分类

1.Wire-绕线电阻 2.Foil-金属箔电阻 3.Metal Film-金属膜电阻 4.Metal Oxide-金属氧化物膜电阻 5.Carbon Film-碳膜电阻 6.Carbon Composition-碳实芯电阻 7.Thick Film-厚膜电阻 8.Thin Film-薄膜电阻 9.Metal Glaze-金属釉质电阻一、碳膜电阻：气态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉积在瓷棒瓷管上，形成一层结晶碳膜。改变碳膜的厚度和用刻槽的方法，改变碳膜的长度，可以得到不同的阻值。成本低，性能一般。二、金属膜电阻：在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜。刻槽或改变金属膜厚度，可以控制阻值。这种电阻和碳膜电阻相比，体积小、噪声低，稳定性好，但成本教高。三、碳质电阻：把碳黑、树脂、粘土等混合物压制后经过热处理制成。在电阻上用色环表示它的阻值。这种电阻成本低，阻值范围宽，但性能差，很少采用。四、线绕电阻：用康铜或者镍铬合金电阻丝在陶瓷骨架上绕制而成。这种电阻分固定和可变两种。它的特点是工作稳定，耐热性能好，误差范围小，适用于大功率的场合，额定功率一般在1w 以上。五、电位器：又分碳膜电位器和绕线电位器。他的阻值是可以改变的。应用范围广其实，对于不是搞计量的不需要分的那么清楚，可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。但是，对于“精度”一词，可以分解成分解成三个要素： 1、温度系数。温度变化是电阻的大敌，温度系数一般用ppm/℃表示，即温度变化1度对应电阻变化百万分之几。100ppm/℃就是0.01%/℃。 2、老化。也就是长期稳定性，一般用ppm/年来表示，也有用%/年来表示的。出厂再怎么准确的电阻，如果老化大，那么很快就变了，也就失去高准确的意义了。

常见金属电阻率

常见金属的电阻率,都来看看哦很多人对镀金,镀银有误解,或者是不清楚镀金的作用,现在来澄清下。。。 1。镀金并不是为了减小电阻,而是因为金的化学性质非常稳定,不容易氧化,接头上镀金是为了防止接触不良(不是因为金的导电能力比铜好)。 2。众所周知,银的电阻率最小,在所有金属中,它的导电能力是最好的。 3。不要以为镀金或镀银的板子就好,良好的电路设计和PCB的设计,比镀金或镀银对电路性能的影响更大。 4。导电能力银好于铜,铜好于金! 现在贴上常见金属的电阻率及其温度系数: 物质温度t/℃电阻率电阻温度系数aR/℃-1 银20 1.586 0.0038(20℃) 铜20 1.678 0.00393(20℃) 金20 2.40 0.00324(20℃) 铝20 2.65480.00429(20℃) 钙0 3.91 0.00416(0℃) 铍20 4.00.025(20℃) 镁20 4.45 0.0165(20℃) 钼 0 5.2

铱20 5.3 0.003925(0℃~100℃) 钨27 5.65 锌20 5.196 0.00419(0℃~100℃) 钴20 6.64 0.00604(0℃~100℃) 镍20 6.84 0.0069(0℃~100℃) 镉0 6.83 0.0042(0℃~100℃) 铟208.37 铁209.71 0.00651(20℃) 铂20 10.6 0.00374(0℃~60℃) 锡0 11.0 0.0047(0℃~100℃) 铷20 12.5 铬0 12.9 0.003(0℃~100℃) 镓20 17.4 铊0 18.0 铯20 20.0 铅20 20.684 0.00376 (20℃~40℃) 锑0 39.0

电容电阻基本常识

常规贴片阻容封装对照表常规贴片电阻标准封装与额定功率对照表

常规钽电容封装对照表常规电解电容封装对照表 (单位：m) 电阻电容包装形式

2、碳膜电阻 3、精密金属膜电阻 4金属氧化膜电阻 5、陶瓷电容

7、贴片电阻贴片元件封装说明转贴片元件封装说明 BGM SMT是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命，被誉为电子业的”明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。为IT（Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT零件：SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP等等）的冲击，在本章里将分标准零件与IC类零件详细阐述。标准零件标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感 (L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型，一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。

贴片电容的精度规格书

贴片电容的精度规格书容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。一、电容的型号命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用数字表示分类。第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。

标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V16V25V32V40V50V 63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470

元件降额参考

一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。我们通常规定： 1，最大工作电压，不超过额定电压80% 2，最大输出电流，不超过额定电流75% 3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80% 二、二极管二极管种类繁多，特性不一。故而，有通用要求，也有特别要求：通用要求：长期反向电压<70%～90%×V RRM（最大可重复反向电压）最大峰值反向电压<90%×V RRM 正向平均电流<70%～90%×额定值正向峰值电流<75%～85%×I FRM正向可重复峰值电流对于工作结温，不同的二极管要求略有区别：信号二极管< 85～150℃ 玻璃钝化二极管< 85～150℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃ 肖特基二极管< 85～115℃ 稳压二极管（<0.5W）<85～125℃ 稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃ T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。这里很多指标给的是个范围，因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。下面同理

三、功率MOS V GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压) I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流) V DS<80～90%×额定电压 dV/dt<50%～90%×额定值结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温) T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。四，三极管所有的电压指标都要限制在85%的额定值之下功率损耗不超过70%～90%额定值 IC必须在RBSOA(反偏安全工作区)与FBSOA(正偏安全工作区)范围内降额30%（就是额定的70%）结温不超过85～125℃ Tcase(外壳温度)≤0.75×T jma x-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。五，电解电容铝电解电容是开关电源中一个非常重要的元件。而很多开关电源的故障率偏高，都是因为对铝电解的使用不当造成的。由于铝电解的重要性，我们对他的研究比较多，因而制定出来的规则也比较多。 1，V dc+V ripple<90%×额定电压 2，在电容体之下，PCB正面，尽量不要有地线之外的其他走线。 3，纹波电流，这个问题比较复杂，因为开关电源中，纹波电流的频谱是非常丰富的，所以必须把纹波电流折算一下：

金属电阻率及其温度系数

金属电阻率及其温度系数金属电阻率及其温度系数物质物质温度温度 t/℃ t/℃ t/℃ 电阻率电阻率 Ω·m 电阻温度系数电阻温度系数 a a R /℃-1 银 20 1.586×10-8 0.0038(20℃) 铜 20 1.678×10-8 0.00393(20℃) 金 20 2.40×10-8 0.00324(20℃) 铝 20 2.6548×10-8 0.00429(20℃) 钙 0 3.91×10-8 0.00416(0℃) 铍 20 4.0×10-8 0.025(20℃) 镁 20 4.45×10-8 0.0165(20℃) 钼 0 5.2×10-8 铱 20 5.3×10-8 0.003925(0℃~100℃) 钨 27 5.65×10-8 锌 20 5.196×10-8 0.00419(0℃~100℃) 钴 20 6.64×10-8 0.00604(0℃~100℃) 镍 20 6.84×10-8 0.0069(0℃~100℃) 镉 0 6.83×10-8 0.0042(0℃~100℃) 铟 20 8.37×10-8 铁 20 9.71×10-8 0.00651(20℃) 铂 20 10.6×10-8 0.00374(0℃~60℃) 锡 0 11.0×10-8 0.0047(0℃~100℃) 铷 20 12.5×10-8 铬 0 12.9×10-8 0.003(0℃~100℃) 镓 20 17.4×10-8 铊 0 18.0×10-8 铯 20 20×10-8 铅 20 20.684×10-8 0.00376(20℃~40℃) 锑 0 39.0×10-8 钛 20 42.0×10-8 汞 50 98.4×10-8 锰 23~100 185.0×10-8 锰铜 20 44.0×10-8 康铜 20 50.0×10-8 镍铬合金 20 100.0×10-8 铁铬铝合金 20 140.0×10-8 铝镍铁合金 20 160.0×10-8 不锈钢 0~900 70~130×10-8 不锈钢304 20 72×10-8 不锈钢316 20 74×10-8

电子电路中电阻电容器件降额规范

电子电路中电阻电容等器件降额规范电阻器降额规范稳态功率与瞬态功率稳态功率功率降额是在相应的工作温度下的降额，即是在元件符合曲线所规定环境温度下的功率的进一步降额，采用P=V2/R公式进行计算。为了保证电阻器的正常工作，各种型号的电阻厂家都通过试验确定了相应的降功率曲线，因此在使用过程中，必须严格按照降功率曲线使用电阻器。当环境温度定于额定温度时（T

单脉冲：多脉冲： 1、合成型电阻器1.1 概述

合成型电阻器件体积小，过负荷能力强，但它们的阻值稳定性差，热和电流噪声大，电压与温度系数较大。合成型电阻器的主要降额参数是环境温度、功率和电压。 1.2 应用指南 a) 合成型电阻为负温度和负电压系数，易于烧坏。因此限制其电压是必须的。 b) 在潮湿环境下使用的合成型电阻器，不宜过度降额。否则潮气不能挥发将可能使电阻器变质失效。 c) 热点温度过高可能导致合成型电阻器内部的电阻材料永久性损伤。 d) 为保证电路长期工作的可靠性，电路设计应允许合成型电阻器有±15%的阻值容差。 1.3 降额准则合成型电阻器的降额准则见下表。合成型电阻器降额准则 2、薄膜型电阻器 2.1 概述薄膜型电阻器按其结构，主要有金属氧化膜电阻器和金属膜电阻器两种。薄膜型电阻器的高频特性好，电流噪声和非线性较小，阻值范围宽，温度系数小，性能稳定，是使用最广泛的一类电阻器。薄膜型电阻器降额的主要参数是电压、功率和环境温度。 2.2 应用指南 a) 各种金属氧化膜电阻器在高频工作情况下，阻值均会下降（见元件相关详细规范）。 b) 为保证电路长期工作的可靠性，设计应允许薄膜型电阻器有一定的阻值容差，金属膜电阻器为±2%，金属氧化膜电阻器为±4%，碳膜电阻器为±15%。 2.3 降额准则 3、电阻网络 3.1 概述电阻网络装配密度高，各元件间的匹配性能和跟踪温度系数好，对时间、温度的稳定性好。电阻网络降额的主要参数是功率、电压和环境温度。 3.2 应用指南