e90中文说明书2008完整版

附件1

从以前的手机传输数据

升级到新手机时，有若干种方法可用来传输名片和其他信息。哪种方法最简

便取决于以下方面：

所涉及的手机型号

要传输的信息类型

一直使用的备份系统的类型

您是否改变了运营商或服务供应商。

传输数据的常用方法有：

通过SIM 卡传输电话号码

通过存储卡传输数据

通过蓝牙连接传输数据

通过PC 传输数据

通过PC 传输是最有效的方式，但最初需要多花一点时间和精力进行安装。您需要在兼容PC 上下载并安装PC 套件，确保许多变数都能协调一致，包括PC 套件版本、Windows 操作系统和连接方法的兼容性。

通过存储卡传输是最简单的方法，只要两种手机型号都支持同一种存储卡。SIM 卡传输只是传输电话号码的简单方法。

通过SIM 卡传输电话号码

如果您只要传输电话号码，那么使用SIM 卡传输方法比较明智。其具体操作是：将电话号码复制到SIM 卡中，从您以前用的手机中拔出SIM 卡，将它插入新手机中，然后将电话号码保存到新手机的存储器中。对于没有附加存储器的手机型号，电话号码可能已经储存在了SIM 卡中。

什么是SIM 卡？SIM 卡是一种插入手机中让手机建立网络连接的小卡，卡的一角有缺口。SIM 卡由您的网络运营商或服务供应商提供，其中包括您的帐号和网络信息以及有限的存储空间。

有关将电话号码复制到SIM 卡

以及从SIM 卡查找电话号码的指导说明，因手机型号而异，在您所用手机的用户手册中会有介绍。(有关复制数据的信息，请参照您以前所用手机型号的用户手册；有关查找数据的信息，则请参照新手机型号的用户手册。)

不过，对于许多诺基亚手机型号而言，大致的操作如下：

1. 在您以前的手机中，选择Contacts (名片夹)

2. 选择Options (选项) -> Mark All (全部标记)

3. 选择Options (选项) -> Copy to SIM direct (复制至SIM 卡电话簿)。

4. 选中您要复制的名片详情(例如，All (全部)

复制完名片夹后，从以前的手机中拔出SIM 卡，将其插入新手机中，然后将名片夹复制到新手机的存储器中：

5. 选择Contacts (名片夹)

6. 选择Options (选项) -> SIM directory (SIM 卡电话簿)

7. 选择Options (选项) -> Mark All (全部标记)

8. 选择Options (选项) -> Copy to Contacts (复制至名片夹)。

请注意：

在某些情况下，SIM 卡传输可能会改变联系信息的外观。例如，传输后，姓名可能变短，同一个联系人的多个电话号码可能分别以单独的联系人出现。

在某些情况下，您也能使用SIM 卡传输文字信息。

当您改变了手机型号制造商时，通常也可以使用SIM 卡传输。在大多数情况下，您可以将另一个制造商的手机中的信息储存在您的SIM 卡上，然后将信息正确传输到您的新诺基亚手机的Contacts (名片夹) 中。

由于SIM 卡是由您的网络运营商或服务供应商提供的，所以，如果您在换手机

型号的同时，又改变网络运营商，那么使用SIM 卡传输数据可能会比较麻烦。最好是在与原来的网络运营商或服务供应商终止服务合同前复制好信息。

您可能需要多次执行SIM 卡传输，具体取决于您储存的名片数量。通常，SIM 卡的存储空间可同时储存好几百张名片。

通过存储卡传输数据

什么是存储卡？存储卡是一种可卸下的存储卡，您可用它来储存许多类型的数据，包括文档、相片、音乐、视频片段和信息。

许多新型的诺基亚手机都有一个插槽，可插入两种尺寸的存储卡之一：普通存储卡或微型存储卡。如果您不确定，可以通过所用手机的用户手册查看您的手机中是否有存储卡插槽以及支持多大尺寸。

您手机中的某些数据可能已储存在您的存储卡中，但大多数情况下，至少有一些数据将储存在手机内置存储器中。

有关从手机存储器将数据传输到存储卡的指导说明，因手机型号而异，在您所用手机的用户手册中会有介绍。查找以下方面的信息：

复制/移动信息

复制/移动Gallery (多媒体资料，如图像、视频片段) 的内容

复制/移动音乐、铃声或其他声音文件

复制/移动文档

名片夹、日历项、附加应用程序*或游戏*可能无法顺利复制或移动至存储卡。对于这些内容，请通过蓝牙连接或PC 移动信息。

将所需数据复制到存储卡之后，只需将卡拔出并插入新手机。您可以将数据留在存储卡上，也可以将数据移至新手机的存储器中。

请注意：

·如果您以前使用的手机支持普通存储卡，而新手机支持微型存储卡，请使用微型存储卡传输数据。此时，需要一个适配器，才能将微型存储卡插入以前的手机中。您手机的销售包装中可能含有该适配器。

根据诺基亚存储卡的型号，您的存储卡有32、64 或128 MB 存储空间。如果您的存储卡已满，则可能需要删除一些数据、将一些数据传输到新手机中存储起来，或用另一块有足够空间的存储卡来复制以前所用手机的存储器中的数据。

*并非所有应用程序或游戏都与全部手机型号兼容。请与应用程序的供应商核对与哪些手机型号兼容。有关诺基亚提供的免费应用程序的信息，请查看所用手机型号的“支持”网页：从“产品支持”中选择您的手机型号。

通过蓝牙连接传输数据

什么是蓝牙？蓝牙是一种技术。借助它，两个兼容的设备(如手机和PC) 不需要看得见的线缆连接即可进行无线通信。诺基亚现有的许多手机型号都支持蓝牙无线连接。有关蓝牙和支持蓝牙的诺基亚手机的更多信息，请参见诺基亚的技术网站。

通过蓝牙连接传输数据的指导说明因手机型号而异，您所用手机的用户手册中会有介绍。所有支持蓝牙的诺基亚手机型号都支持数据传输，一次可传输一项。

某些最新型的诺基亚手机内置有名为Data Transfer (数据转移) 或Data Mover (数据移动) 的应用程序。利用这两种应用程序之一，您可以通过蓝牙连接将整个Contacts (名片夹)、Calendar (日历) 或Gallery (多媒体资料) 文件夹(Gallery 包含图像、声音片段和视频片段) 从一部兼容的诺基亚手机传输到另一部手机。打开该应用程序，按照屏幕上的说明进行操作，从另一部兼容手机移动所支持格式的数据。所有基于60 系列平台的诺基亚手机都属于兼容手机。

请注意：不能使用Data Transfer (数据转移) 或Data Mover (数据移动) 应用程序传输电子邮件、彩信或文字信息。

通过PC 传输数据

诺基亚提供一种名为诺基亚PC 套件的免费软件；借助它，您可以通过数据线或无线连接将数据从手机传输到兼容PC。然后，再将数据从PC 传输到您的新手

机。

PC 套件可以为我所用吗？通过PC 套件传输可以说非常有效，但需要花一点时间和精力进行安装，而且还有许多变数会影响传输的顺畅性。

在以下情况下使用PC 套件：

将数据传输到另一部同一型号的手机

或

您的前一部手机和新手机都支持PC 套件版本6 或更高版本

您的PC 的操作系统为Windows XP 或2000，而且

您的PC 和手机都支持同一连接类型：USB 数据线、蓝牙和/或红外

在以下情况下，PC 套件不起作用：

您的手机型号支持不同版本的PC 套件(例如，您的前一部手机支持PC 套件4.8 或适用于诺基亚6600 的PC 套件，而您的新手机型号支持PC 套件版本6 或更高版本)

您PC 的操作系统不同于适合您手机的PC 套件版本支持的Windows 操作系统。

您的PC 不支持所涉及的一部或两部手机支持的连接类型。

实际上，这意味着2004 年以前发布的诺基亚手机型号中的信息不能通过PC 套件移至新型的诺基亚手机。不过，目前发布的所有诺基亚手机型号都使用同一版本的PC 套件，这意味着，将来在手机型号升级时进行的数据传输会变得更加无缝。

要查看适合您的前一部手机型号

新手机型号以及您PC 的操作系统的PC 套件，请访问PC 套件版本表。如果版本不匹配，那么大多数情况下，不能使用PC 套件来将数据从一部手机传输到另一部。

版本表上面列出了诺基亚手机型号支持的连接方式。

附件二

诺基亚内容

在您的诺基亚商务手机上发现，下载，享受软件和其他功能，正如您在操作电脑一样。不管您是玩游戏还是使用办公工具，诺基亚目录将给您提供更多的选择。·进入下载目录，正如工具，视频，铃声音量和游戏。

·浏览，预览，购买，下载应用程序直接到您的商务手机上。

·阅读产品说明包括测量过的下载时间

·当您购买之前请测试一些免费的下载试用程序

·从常规的升级来选择最新的操作

诺基亚目录定位于菜单>下载

您可以在诺基亚目录中找到此说明书的其他应用程序。诺基亚目录内容将因升级而被更改。

无线掌上广播

诺基亚无线掌上广播程序将让您来搜索，订阅和下载无线信息。当您下载了无线广播系统后，您可以视听无限。无线掌上广播是一种常规的音频和视频广播系统，它可以让您在移动设备上和个人电脑上下载文件或体验游戏。新闻机构和其它信息资源将为您提供一系列的掌上无线广播。（.sis）格式的安装文件位于随机附带的存储卡上。

更多的信息尽在：https://www.360docs.net/doc/2117484030.html,/support.

数据移动者

此款程序是用来帮助用户将诺基亚沟通者S80(9500,9300和9300I)通过蓝牙系统转换到诺基亚E90沟通者。

数据类型包括：联系人，信息，文件夹，日历，备忘录，书签和最近的呼叫记录。启动

数据转换过程总是由E90沟通者来监控，这样可以使程序安装。从手机菜单的打开程序可以是数据转化为过程。

数据转化

通过按继续按钮可以开始转化数据，然后按照显示的指导来做。确认用来传递的蓝牙接通。程序将通过蓝牙自动寻找移动设备。从列表中选择发射信号中的手机。如果两者之前都没有被捆绑，程序将要求用户自动确认密码。

如果发射信号的手机没有数据移动程序，用户将被询问是否愿意传送程序安装系统到传送方手机。按是，将传送安装程序并继续进行转换。

在传送方手机完成安装后，接受方手机可以选择数据转换类型。这样，数据转换就可以开始了。

列表

前者被传输的数据细节将在程序完成后被列表出来。

按关闭键将关闭程序或开始新的转换过程。

路透社新闻程序

这个程序将为您提供路透社的最新头条和各种娱乐，政治，经济，科学，技术，体育等信息。它还能为您提供最新的股市行情，相关信息来自世界范围内的海量数据库。

您的头条新闻和股市行情等相关信息将会每隔几分钟就会自动跟新。

环球伴侣

通过环球伴侣，您将从诺基亚商务手机设备上直接获取重要的旅行信息。

诺基亚手机的天气频道将提供5天之内全球400多个地方的天气预报，更多环球咨询信息来自https://www.360docs.net/doc/2117484030.html,。

不用麻烦您来计算时区了，本款手机装备有全球时区换算功能和自动更新世界各地时间表功能。

现在是美国时间白天吗？北京在哪里？带有时间定位和地点定位的世界地图将给您答案。

现在有超过160种货币的汇率转换，它可以同时进行当前三种货币的汇率转换服务。

高尔夫PRO比赛

这款邮戏拥有3D图画和真实感受。跟自己玩或者跟三个朋友一起通过进1，9，18洞来完成游戏。成功需要您认真选择合适的俱乐部，风向，地形等。避免选择树林，水塘，沙丘等障碍物。

以下是相关特点：

此3D游戏有18个模块

现实环境包括树，风，水，掩体等。

四个运动者将出现在同一个商业比赛中

移动手机中的不可思议的效果

高尔夫俱乐部的所有特点都涵盖在内

更多信息请登录：https://www.360docs.net/doc/2117484030.html,

F安全移动防病毒系统

此款系统是一款领先的用来解决病毒对手机伤害的边缘性解决方案。

它通过自动的更新为手机提供了时事的设备保护。用户不用为此烦神。

所有的文件都是自动截取和扫描，此时，相关保存，下载，复制，分析，修改会同时进行。当被感染的文件被发现了，它将会立刻报至系统的其它保护程序中。相关特性和优点如下所示：

及时的实时保护用来消除设备和存储卡中的病毒。

从F安全研究者到移动设备的自动无线升级反病毒数据库，覆盖超文本传输数据或者增加的即时短信。

自动查询互联网连接，例如GPRS,WLAN,WCDMA,用来背景的升级。

F安全移动防病毒系统自动升级

标记反病毒数据库更新和病毒痕迹升级。

掌上计算器

此功能可以记录管理你的商务支出，因此可以减少花费在创建报告支出和非报告支出的花费。

此功能有一个简单的接口和一个方便的数据输入方法。当商务旅行时，您可以记录相应的支出。例如：当您在机场等航班时，当您飞行到下一家站时此功能发生作用。当您回家时，您可以将所有的记录移动到CSV文件夹中，传入个人电脑中，或向您的公司披露您的旅行支出。

更多信息尽在https://www.360docs.net/doc/2117484030.html,

领路导航者

领路导航者将您的诺基亚商务设备转化为以GPS为基础的导航体系。清晰的声音指示，移动地图，路标指示将带领您到达目的地。

找到各种各样的风景名胜作为收藏，并可以通过电子邮件和短信与您的朋友分享您设备上存储的资料。

安装应用程序，购买导航资格和GPS设备无线蓝牙设备。通过无线蓝牙连接，GPS设备将与您的商务收集连通。

地图和相关信息是定期更新，他们覆盖所有的西欧和北美地区，您的设备很多地方导航都是有效的。

更多信息请登陆：https://www.360docs.net/doc/2117484030.html,

移动口袋阅读程序

移动口袋书是亚马孙在线的子公司，它可以通过阅读程序将您的手机具备大众电子文本阅读功能。您可以轻松地在任何时候查找，浏览，购买电子书。

通过移动口袋阅读程序，您可以如下执行：

阅读不同领域中的2万5千多种电子书，主要来源是美国，德国，法国和西班牙的出版商；

调整字体大小，使用习惯的字体，阅读全屏幕，使用全文了解，并有自动翻页功能。

标注，书签，或着重指出电子书任何部分。

翻看任何字眼加以翻译或定义与内置式了望功能，并从100 +选择可用的词典。享受无线浏览网页，即时购买，并下载任何电子书或相关内容（需要gprs联接）

更多信息请登陆：

https://www.360docs.net/doc/2117484030.html,

psiloc无线激光器

无线激光器可以让你来管理幻灯片放映与利用蓝牙无线技术导航键你的企业设备。

你可以调整颜色深度，鼠标速度和键盘布局。与键盘布局，你可以在地图上的按键来控制各窗口的应用，如媒体播放器和因特网探险家。你可以显示屏幕上的你的业务装置电脑，举例来说，当你想要展示商务装置的特点。

新的无线激光器从psiloc满足需求，高效率和易于使用的企业设备的商业工具。唯一的要求是，个人电脑要兼容蓝牙技术，并已安装windows xp 操作系统pack2。

数字化仪

撰写，拍摄，并传送了！一个完全新的途径消息，您会感到非常有趣！

创建和发送手写的讯息给朋友和同事。因此，可以说明，催办会议指示，图表和图纸。

书写选项，然后以了解你的讯息.对图形即时抽取，激化，并作为一种低规模的多媒体信息传送到任何其他兼容手机。

艺术字。表达你的情绪。表情，这才是真正表达你的头脑。

当打字的话是不够的，譬如说，它与个人的手写信息是新的途径。

使用这项程序时，你需要一个可拍照手机。

widsets应用

widset是一个自由流动的应用程序，使你最喜欢的网络服务，直接来到您的手机上。它采用小型应用所谓构件即自动推向更新的内容，以您的行动，每当它变成可在网上查阅。

找资料，看新闻，看看博客，让你的邮件，看照片，玩游戏-所有这一切以及更多先进功能，方便地呈现在你的手机中。

widsets它可用来以您的手机推荐内容。内容包括自动优化图片和文字。只有更新的内容，你的个人兴趣是被推荐到你的手机中，并在紧凑地在易于使用的移动仪表盘显示出来。

安装widsets客户从存储卡，并从图书馆选择你喜爱的构件。您也可以创建你自己收集的构件和与你的朋友分享。

附件三

插入sim卡和电池

对于供货情况和资料，使用智能卡的服务，联络你的智能卡厂商。这可能是服务供应商或

其他的厂商。

始终关闭装置的电源，并除去电池之前拔除充电器。

1 。面对背对着你的手机，按下释放钮（1 ）和把背盖拿去（

2 ）

2 。如果电池已插入，将电池按箭头所指的方向移出。

3 。插入sim卡。请确认接触面积就卡正面临着连接器装置，并确认圆圈所标明的角

正面对底部的装置。

4 。插入电池。对准或接触的电池与之相应的连接器，按箭头方向插入电池。

5 。钩住槽内的封底。

6 。幻灯片背盖回到位。

插入记忆卡

只使用兼容microsd卡批准，由诺基亚使用这种装置。诺基亚用途核准的业界标准

记忆卡，但有些品牌，可能不完全符合这个装置。不相容的卡可能会损坏卡和该装置和腐败现象的数据存储卡。

使用记忆卡，以节省记忆体空间你的装置。您也可以备份资料，从你的设备到存储卡上。

销售包装你的装置可能不会包含一个记忆卡。记忆卡可作为单独的功能。见"记忆" ，第18页。

1 。将记忆卡的盖子从手机中移出。

2 。首先插入记忆卡，并与卡槽接触。确保接触面积是正对盖子的。

3 。将卡推进去。你听到一个按键，当卡门锁起来。

4 。关闭的封面。

弹出存储卡

1 。迅速按下电源键，并选择移除记忆卡。

2 。从手机上移出记忆卡。

3 。按下存储卡的末端，从记忆卡插槽释放它。

4 。关闭盖子。为电池充电

1 。连接兼容的充电器，一墙壁插座。

2 。连接电源线到设备上。如果电池完全没电，但可能需要一段时间，才在充电指示灯

开始滚动。

3 。当电池完全充电后，拔除充电器从设备，然后再从墙壁插座。

你的电池已经在出厂前充电，但收费水平可能会有所不同。要达到充分的手术时间，收费电池直到它已完全充电，根据电池水平的指标。

小秘诀：如果你有旧兼容诺基亚充电器，你可以使用它们与诺基亚e90传播者附加

钙- 44充电器适配器，以旧充电器。适配器，可作为一个单独的强化。

连接耳机

警告：当您使用耳机，你的能力听到外面的声音可能被波及。不使用耳机

如果能够危及你的安全着想。

连接兼容耳机耳机接头您的装置。

钥匙和零件封面

1 -听筒

2 -电源键

3 -语音关键

4 -n avi?键。按下方向键，将进入一个选择，以涡旋左，右，上落于汇演。

5 -选择键。按下选择键履行为侨服务的职能，表明它上面就展示。

6 -选择键

7 -明确重点

8 -结束键。按下结束键拒绝拨打电话，为此积极呼吁并举行了电话，而具有悠久keypress ，年底的数据连接

（gprs的，数据通话）。

9 -红外端口

10 -捕捉关键。按下按键来捕捉图像。

11 -麦克风

12 -耳机接头

13 -充电器接头

14 -迷你u sb端口

15 -呼叫关键

16 -菜单键。按下菜单中的关键准入申请安装在您的装置。请按住菜单中的关键准入

积极申请。

1 -相机镜头

2 -照相机闪光灯

3 -扬声器

该保护膜对显示器和照相机镜头是可拆卸的。

钥匙和零件上的传播者

1 -选择键

2 -选择键

3 -菜单关键

4 -应用键

5 -结束键

6 -呼叫关键

7 -摄像头（用于视频电话中，只有）

我自己的钥匙。配置我自己的钥匙打开一个应用，按下按键。要改变选定的应用，新闻

按住我自己的钥匙。您的网络运营商可能分配一个应用的关键，在这种情况下，你不能改变

这项申请。

chr+A启动红外连接。chr+B启动一个蓝牙连接。

chr+c增加通话量。

chr+d减少通话量。

chr+e静音通话。

chr+f改变姿态。

chr+g 调整萤幕亮度。

开关背光的键盘。

找到类型标签，移除电池盖和电池。

相机

诺基亚e90传播者有两个摄像头。该相机上的封面是用来捕获静止图象和录音录像。

该相机上的通讯器，是用于视频电话。

为了捕捉图像，使用该显示器作为取景器，蕴藏着装置横向联合，目的是你的题目，然后按下捕获

关键的一半路程。照相机的重点课题。然后按下捕获所有主要方式。

缩放图像前捕捉，涡旋左或右同方向键。

显示指标

a.该电池充电的水平。越高，酒吧，就愈强电荷在电池。

b.您有一个或多个未读邮件，在收件箱文件夹中的短消息。

@您收到新的电子邮件，在偏远的信箱。

d您有一个或多个错过电话。

e警钟，是活跃。

f你选择了沉默的姿态，那么这种设备不响来袭来电或讯息。

g蓝牙技术是活跃。

h红外连接是否活跃。如果指标闪烁时，您的装置正尝试连接其他装置，或联系已经消失。

i通过gprs分组数据连接。

l是一个egprs的分组数据连接。

m是一个egprs的方面是积极的。

n.你的设备是连接到一个umts网络。

o.你的设备连接到一台电脑的usb数据电缆。

p.所有电话移动到另一个号码

q耳机连接到手机

Q座机连接到手机

首次启动

1 。请按住电源键。

2 。如果该装置会询问为pin码或锁码，输入代码，并选择确定。

3 。提示时，请输入当前日期，时间，及城市中，你的所在地。转换之间的时间，由上午

时，向上或向下。找到你的城市，进入的首字母城市的名字。它重要的是要选择正确的城市，

因为预定日历条目可能会有所改变，如果你改变城市后，和新的城市是位于一个不同的时代

区。

提示：当你切换装置，它可能承认sim卡提供商和配置正确的文字讯息，

多媒体信息，和gprs设置自动。如果没有，请联系您的服务提供商，以进行正确的设定，或使用设置向导应用。当你关闭装置的电源，通讯部分还交换机起飞。关掉通讯功能和使用communicator的一部分，只有中，按下电源键简略，并选择离线。离线概况阻止你的装置，从无意中开关，发送或接收讯息，或使用无线区域网路，蓝芽，全球定位系统，或调频广播，它也关闭任何在互联网方面，可在运行时，姿态是选定的。离线轮廓并不阻止你

建立一个无线局域网或蓝牙连接，在稍后时间，或从重启全球定位系统或调频广播，使遵守任何适用的安全要求，在建立和使用这些特性。

锁钥匙当键盘锁，来电也有可能官方紧急号码到您的装置。

锁，钥匙，以防止按键装置被不小心压。

锁定键在待机模式下，按下左选择键和* 。解锁，按下按键同时。

提示：要锁定键在菜单上或在一个开放的应用中，按下电源键简单地说，和

选择锁键盘。解锁，按下左选择键和* 。

定装置，以锁定键后，就会自动确定的期限，选择>工具>设置>

普通" >安全>电话和智能卡>键盘autolock时期。

陈设

少数失踪，变色，或明亮点可能出现在屏幕上。这是一个特点，这种类型的显示器。

某些显示器可能含有像素或点仍然存在的开或关。这是正常的，不是故障。

所有通话都转发到另一个号码。

耳机是连接到设备上。

连接耳机与蓝牙连接已中断。

免提车载套件是连接到设备上。

助听器装置连接到设备上。

一个文本的手机连接到设备上。

您的装置是同步的。

你有经常性按键通话连接。

天线

你的装置有内部天线。

注：对于任何无线电发射装置，避免触及天线不必要时，天线是在使用。为

举例来说，避免触摸手机天线在使用电话。联络与发送或接收天线

质量受影响的无线电通信，可能造成设备的运作，在更高的功率水平比，否则需要，并有可能降低电池寿命。

该图示正常使用，该设备在耳后的语音通话。

诺基亚支持和联系信息

检查https://www.360docs.net/doc/2117484030.html, /支援或您当地的诺基亚网站上的最新版本，本指南，了解更多信息，

下载和有关的服务，您的诺基亚产品。

在该网站上，你可以得到的资料，使用诺基亚的产品和服务。如果您需要联系客户服务，

核对清单当地诺基亚联络中心在https://www.360docs.net/doc/2117484030.html, / customerservice 。

为维修服务，检查你的最接近的诺基亚服务中心https://www.360docs.net/doc/2117484030.html, /修理。getstarted

? 2007年

附件四：

英汉字典功能，与说明书正文一致，请参考正文。

文本对话功能：可以将手写短信转化为声音。从办公文档中选择信息读取，然后按播放键，详见说明书正文

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针

常用场效应管参数大全 (2)

型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3

常用场效应管参数大全(1)

型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两

个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极

常用场效应管参数.doc

常用场效应管参数

常用全系列场效应管MOS 管型号参数封装资料(2008-05-17 13:21:38) 转载标签：分类：电气知识 mos（和谐社会）场效应管开关管型号参数封装 it 场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220

MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220

常用场效应管参数表

（IRF系列）型号厂家用途构造沟道方式 v111(V) 区分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3

IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA

常用大功率场效应管

2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流（TC=25 ℃ ） PD Total Power Dissipation 总功率耗散（TC=25 ℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商型号耐压（V ）内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR

毕业设计-0820常用三极管场效应管参数

常用三极管、场效应管参数基础知识基本概念备忘录 2009-10-15 18:39 阅读37 评论0 字号：大中小晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应 IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应 IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应 IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应 IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应

常用场效应管型号及参数表

常用场效应管型号及参数表（三） 2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100 6.0 20 TO-205AF 2613 IRFF121 IR N 60 6.0 20 TO-205AF 2614 IRFF122 IR N 100 5.0 20 TO-205AF 2615 IRFF123 IR N 60 5.0 20 TO-205AF 2616 IRFF130 IR N 100 8.0 25 TO-205AF 2617 IRFF131 IR N 60 8.0 25 TO-205AF 2618 IRFF132 IR N 100 7.0 25 TO-205AF 2619 IRFF133 IR N 60 7.0 25 TO-205AF 2620 IRFF210 IR N 200 2.2 15 TO-205AF 2621 IRFF211 IR N 150 2.2 15 TO-205AF 2622 IRFF212 IR N 200 1.8 15 TO-205AF 2623 IRFF213 IR N 150 1.8 15 TO-205AF 2624 IRFF220 IR N 200 3.5 20 TO-205AF 2625 IRFF221 IR N 150 3.5 20 TO-205AF 2626 IRFF222 IR N 200 3.0 20 TO-205AF 2627 IRFF223 IR N 150 3.0 20 TO-205AF 2628 IRFF230 IR N 200 5.5 25 TO-205AF 2629 IRFF231 IR N 150 5.5 25 TO-205AF 2630 IRFF232 IR N 200 4.5 25 TO-205AF 2631 IRFF233 IR N 150 4.5 25 TO-205AF 2632 IRFF310 IR N 400 1.35 15 TO-205AF 2633 IRFF311 IR N 350 1.35 15 TO-205AF 2634 IRFF312 IR N 400 1.15 15 TO-205AF 2635 IRFF313 IR N 350 1.15 15 TO-205AF 2636 IRFF320 IR N 400 2.5 20 TO-205AF 2637 IRFF321 IR N 350 2.5 20 TO-205AF 2638 IRFF322 IR N 400 2.0 20 TO-205AF 2639 IRFF323 IR N 350 2.0 20 TO-205AF 2640 IRFF330 IR N 400 3.5 25 TO-205AF 2641 IRFF331 IR N 350 3.5 25 TO-205AF 2642 IRFF332 IR N 400 3.0 25 TO-205AF 2643 IRFF333 IR N 350 3.0 25 TO-205AF 2644 IRFF420 IR N 500 1.6 20 TO-205AF 2645 IRFF421 IR N 450 1.6 20 TO-205AF 2646 IRFF422 IR N 500 1.4 20 TO-205AF 2647 IRFF423 IR N 450 1.4 20 TO-205AF 2648 IRFF430 IR N 500 2.75 25 TO-205AF 2649 IRFF431 IR N 450 2.75 25 TO-205AF 2650 IRFF432 IR N 500 2.25 25 TO-205AF 2651 IRFF433 IR N 450 2.25 25 TO-205AF

常用场效应管和晶体管参数大全

IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS 场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS 场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS 场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS 场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS 场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS 场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应

常用场效应管参数大全共11页文档

常用场效应管参数

器件型号耐压电流功率 2SK534----800V----5A----100W 2SK538----900V----3A----100W 2SK557----500V----12A----100W 2SK560----500V----15A----100W 2SK565----500V----9A----125W 2SK566----800V----8A----78W 2SK644----500V----10A----125W 2SK719----900V----5A----120W 2SK725----500V----15A----125W 2SK727----900V----5A----125W 2SK774----500V----18A----120W 2SK785----500V----20A----150W 2SK787----900V----8A-----150W 2SK788----500V----13A----150W 2SK790----500V----15A----150W 2SK794----900V----5A----150W 2SK872----900V----6A----150W 2SK955----800V----9A----150W 2SK956----800V----9A----150W 2SK962----900V----8A----150W 2SK1019----500V----30A----300W 2SK1020----500V----30A----300W 2SK1024----900V----8A----100W 2SK1044----800V----5A----150W 2SK1045----900V----5A----150W 2SK1119----1000V----4A----100W 2SK1120----1000V----8A----150W 2SK1198----800V----3A----75W 2SK1249----500V----15A----130W 2SK1250----500V----20A----150W 2SK1271----1400V----15A----240W 2SK1280----500V----18A----150W 2SK1341----900V----5A----100W 2SK1342----900V----8A----100W 2SK1357----900V----5A----125W 2SK1358----900V----9A----150W 2SK1451----900V----5A----120W 2SK1461----900V----5A----120W 2SK1498----500V---20A----120W 2SK1500----500V----25A----160W 2SK1507----600V----6A----50W

常用场效应管和晶体管参数大全完整版

常用场效应管和晶体管参数大全 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

常用场效应管和晶体管参数大全 2010年03月04日 10:13www.elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应

常用场效应管(25N120等)参数及代换

常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460 KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动IC RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860

常用的P沟道场效应管

常用大功率P沟道场效应管的选型 2009-11-16 14:24 IRF系列 POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号 Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压 Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源通态电阻 Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃） Package 封装 Toshiba Replacement 替换东芝型号 Vender 供应商型号---V ---A---W----封装 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR