APS-3A降水采样器芯片更换发方法
降水采样器芯片更换发方法
所需工具：十字螺丝刀一把，镊子一个；
操作步骤：
1、关闭电源板直流和交流，切断仪器电源；
2、用螺丝刀把控制面板的四粒螺丝卸下来，取出面板，可以看到
面板背面的电路板，注意不要用力拉面板的连线，以免出现接触不良，
3、找到电路板上对应的芯片，用镊子撬开取下芯片，跟换上新的
芯片，注意:芯片插槽上的缺口要与芯片的缺口对应一致以免插反，如果插槽与芯片引脚宽窄不对应，可以适当对引脚进行整理，保证每一个芯片的引脚都插入芯片插槽里面。
4、合上面板，通电调试，打印，设置时间待机。
芯片插槽缺口如图所示。
NEC芯片破解
NEC/瑞萨单片机系列破解研究－－早期Flash/ROM系列 | 目前，NEC第一代FLASH MCU制品分别采用0.35um和0.25um工艺或 MASKROM制作，目前能够得到全面完美破解： 早期78K0s: 1. 型号命名规则：78F90** uPD789022,uPD789024,uPD789025,uPD789026, uPD78F9026 uPD789046, uPD78F9046 uPD789052, uPD789062, uPD78E9860, uPD78E9861, uPD789071,uPD789072,uPD789074 uPD78F9076 uPD789086,uPD789088 uPD78F9088 2. 型号命名规则：78F91** uPD789101,uPD789102,uPD789104,uPD789111,uPD789112,uPD789114, uPD78F9116 uPD789121,uPD789122,uPD789124,uPD789131,uPD789132,uPD789134, uPD78F9136 uPD789166,uPD789167,uPD789176,uPD789177 uPD78F9177 3. 78K0s/Kx1+ Lowpin 系列型号命名规则： 78F92** 或 78F95** uPD78F9200,uPD78F9201,uPD78F9202, uPD78F9500,uPD78F9501,uPD78F9502, uPD78F9210,uPD78F9211,uPD78F9212, uPD78F9510,uPD78F9511,uPD78F9512, uPD78F9221,uPD78F9222,uPD78F9224, uPD78F9232,uPD78F9234 4. 型号命名规则：78F93** uPD789304,uPD789306,uPD789314,uPD789316, uPD78F9314, uPD78F9316 uPD789322,uPD789324,uPD789326,uPD789327, uPD78F9328 5. 型号命名规则：78F94** uPD789405,uPD789406,uPD789407,uPD789415,uPD789416,uPD789417, uPD78F9418 uPD789425,uPD789426,uPD789435,uPD789436, uPD78F9436 uPD789445,uPD789446,uPD789455,uPD789456, uPD78F9456 uPD789462,uPD789464,uPD789466,uPD789467, uPD78F9468 uPD789477,uPD789478,uPD789479,uPD789488,uPD789489, uPD78F9478，uPD78F9479, uPD78F9488，uPD78F9489, 6. 型号命名规则：78F98** uPD789830,uPD789832,uPD789833,uPD789834,uPD789835 uPD78F9835 uPD789841,uPD789842 uPD78F9842 uPD789800 uPD78F9801 uPD789881 uPD78F9882 uPD789860,uPD789861,uPD789862 uPD78E9860A,uPD78E9861A 早期78K0: 1. 型号命名规则：78F00** uPD780021,uPD780022,uPD780023,uPD780024, uPD780031,uPD780032,uPD780033,uPD780034, uPD78F0034 uPD780053,uPD780054,uPD780055,uPD780056,uPD780058, uPD78F0058 uPD780065,uPD780076,uPD780078, uPD78F0066,uPD78F0078, 2. 78K0/Kx1 型号命名规则： 78F01** uPD780101,uPD780102,uPD780103, uPD78F0103,
完整ESD及EMI保护方案
完整ESD及EMI保护方案 对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电(ESD)保护，同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干扰(RFI)噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高的下载和带宽能力。随着设备的越来越小和融入性能的不断增加，ESD以及许多情况下的 EMI/RFI抑制已无法涵盖在驱动所需接口的新一代IC当中。另外，先进的系统级芯片(SoC)设计都是采用几何尺寸很小的工艺制造的。为了优化功能和芯片尺寸，IC设计人员一直在不 断减少其设计的功能的最小尺寸。IC尺寸的缩小导致器件更容易受到ESD电压的损害。过去，设计人员只要选择符合IEC61000-4-2规范的一个保护产品就足够了。因此，大多数保护产品的数据表只包括符合评级要求。由于集成电路变得越来越敏感，较新的设计都有保护元件来满足标准评级，但ESD冲击仍会形成过高的电压，有可能损坏IC。因此，设计人员必须选择一个或几个保护产品，不仅要符合ESD脉冲要求，而且也可以将ESD冲击钳位到足够低的电压，以确保IC得到保护。图1：美国静电放电协会(ESDA)的ESD保护要求先进技术实 现强大ESD保护安森美半导体的ESD钳位性能备受业界推崇，钳位性能可从几种方法观察和量化。使用几个标准工具即可测量独立ESD保护器件或集成器件的ESD钳位能力，包括ESD 保护功能。第一个工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脉冲响应截图，显示的是随时间推移的 钳位电压响应，可以看出ESD事件中下游器件的情形。图2：ESD钳钳位截图除了ESD钳位屏幕截图，另一种方法是测量传输线路脉冲(TLP)来评估ESD钳位性能。由于ESD事件是一个很短的瞬态脉冲，TLP可以测量电流与电压(I-V)数据，其中每个数据点都是从短方脉冲获得的。TLP I-V曲线和参数可以用来比较不同TVS器件的属性，也可用于预测电路的ESD 钳位性能。图3：典型TLP I-V曲线图安森美半导体提供的高速接口ESD保护保护器件阵容有两种类型。第一类最容易实现，被称为传统设计保护。在这种类型设计中，信号线在器件下运行。这些器件通常是电容最低的产品。另一类是采用PicoGuard® XS技术的产品。这种类型设计使用阻抗匹配(Impedance Matched)电路，可保证100 Ω的阻抗， 相当于电容为零。这类设计无需并联电感，有助于最大限度地减少封装引起的ESD电压尖 峰。图4：传统方法与PicoGuard® XS设计方法的对比安森美半导体的保护和滤波解
液晶背光驱动芯片解除保护的实用资料
液晶背光驱动芯片解除保护的实用资料芯片OZ9939GN去保护3脚接地。 芯片OZ9938CN 3或6脚对地短路 芯片TL494去保护2到14脚接10K电阻。或者1和16接地 芯片mp1008es去保护，把4脚接地就可以 mp1007es把3脚对地 mp1009es把5脚对地 芯片OZ964GN在①脚的2.2U的电容上并联一个4148二极管 BIT3173保护是把15脚吸空 芯片型号保护脚说明 CTL5001 5 对地短路 TL1451 15 对地短路 TL5451 15 对地短路 BA9741 15 对地短路 BA9743 15 对地短路 MB3775 15 对地短路 AT1741 15 对地短路 AT1380 2 对地短路 KA7500 1和16 对地短路 TL494 1和16 对地短路 FA3629 15和16 将外接电容短路 LFA3630 7和10 对地短路
OZ960 OZ962 2 对地短路OZ965 4 对地短路 OZ9RR 8 对地短路BIT3101 2和15 吸空引脚BIT3102 5 吸空引脚 BIT3105 4 吸空引脚 BIT3106 4和27 吸空引脚BIT3107 4 吸空引脚 BIT3193 15 吸空引脚AAT1100 8 对地短路AAT1107 15 对地短路 H3435苐18脚对地短路DF6109A苐13脚对地MP1008苐4对地 INL837吸空9脚 Fp5451苐15脚对地 OZ9937第14脚对地SEM2006第2脚接地 PM1048EM第1，6脚接地OZ9936第3，7脚接地OZ9966第15脚接地SAQ8818第8脚接地
芯片工作温度与表面温度
芯片工作温度与表面温度-标准化文件发布号：（9556-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
芯片工作温度与表面温度 例如:一款芯片操作温度是0-70℃,表面温度已经达到85℃是否可以正常工作.表面温度与操作温度的关系,测试环境温度是35℃,温升50℃正常.如果不考虑芯片结温,怎证明温度达到85摄氏度不合理呢是不是芯片的表面温度要控制在70℃一下呢 我一直比较困惑,如芯片分为很多等级,例如一款芯片工作温度是这样的:民用级:0℃ to 80℃工业级 -40℃ to 80℃军品级 -40℃ to 125℃所有的芯片结温最大都是150℃.单通过结温判断就有些不合适了吧! 芯片描述的操作温度如果是说芯片的周围环境温度,例如当时气温是30℃,这样是比较好理解.我个人比较同意芯片表面温度不超过最大工作温度.表面温度不等于工作温度也看起来是合理的. 芯片的结温计算:不加散热器的情况下,是否就是Tc(表面温度)+芯片Rja(热阻)*芯片的功耗,还是芯片的Ta(环境温度,例如当时的气温)+芯片Rja(热阻)*芯片功耗 IC封装的热特性 摘要：IC封装的热特性对于IC应用的性能和可靠性来说是非常关键的。本文描述了标准封装的热特性：热阻(用“theta”或Θ表示)，ΘJA、ΘJC、ΘCA，并提供了热计算、热参考等热管理技术的详细信息。 引言 为确保产品的高可靠性，在选择IC封装时应考虑其热管理指标。所有IC在有功耗时都会发热，为了保证器件的结温低于最大允许温度，经由封装进行的从IC 到周围环境的有效散热十分重要。本文有助于设计人员和客户理解IC热管理的基本概念。在讨论封装的热传导能力时，会从热阻和各“theta”值代表的含义入手，定义热特性的重要参数。本文还提供了热计算公式和数据，以便能够得到正确的结(管芯)温度、管壳(封装)温度和电路板温度。 热阻的重要性 半导体热管理技术涉及到热阻，热阻是描述物质热传导特性的一个重要指标。计算时，热阻用“Theta”表示，是由希腊语中“热”的拼写“thermos”衍生而来。热阻对我们来说特别重要。
初学芯片解密所需掌握的基础知识
初学芯片解密所需掌握的基础知识 很多之前没有接触过芯片解密的客户总是会问我一些很基本的概念性问题，像什么是芯片解密/单片机解密等等。其实对于初学者来讲，芯片解密这个概念就算他看了也还是不会理解芯片解密的过程是如何实现的。今天在这里，就芯片解密基础知识方面给大家做个简单的介绍。 像平时大家通常所说的“芯片”或者“IC”其实指的就是集成电路，它是微电子技术的主要产品。所谓微电子是相对“强电”、“弱电”等概念而言，指它处理的电子信号极其微小。它是现代信息技术的基础，我们通常所接触的电子产品，包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。 就我国的信息通讯、电子终端设备产品来讲，在最近这些年来都有了长足发展，但是以加工装配、组装工艺、应用工程见长，产品的核心技术自主开发的却比较少。这里所说的“核心技术”主要就是微电子技术。就好像我们盖房子的水平已经不错了，但是，盖房子所用的砖瓦还不能生产。一般来说，"芯片"成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多，包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等，其中又以集成电路技术为核心，包括集成电路的设计、制造。 在芯片解密过程中经常会听到很多词汇，以下是给大家列出的一些常用词语及其简介。 晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。 前、后工序：IC制造过程中，晶圆光刻的工艺(即所谓流片)，被称为前工序，这是IC制造的最要害技术；晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。 光刻：IC生产的主要工艺手段，指用光技术在晶圆上刻蚀电路。 线宽：4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等，是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。 线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。 封装：指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。 存储器：专门用于保存数据信息的IC。 逻辑电路：以二进制为原理的数字电路。
5种ESD防护方法
5种ESD防护方法 静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等。芯片级一般用HBM做测试，而电子产品则用IEC 6 1000-4-2的放电模型做测试。为对 ESD 的测试进行统一规范，在工业标准方面，欧共体的 IEC 61000-4-2 已建立起严格的瞬变冲击抑制标准；电子产品必须符合这一标准之后方能销往欧共体的各个成员国。 因此，大多数生产厂家都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 测试的事实标准。我国的国家标准（GB/T 17626.2-1998）等同于I EC 6 1000-4-2。大多是实验室用的静电发生器就是按 IEC 6 1000-4-2的标准，分为接触放电和空气放电。静电发生器的模型如图 1。放电头按接触放电和空气放电分尖头和圆头两种。
IEC 61000-4-2的 静电放电的波形如图2，可以看到静电放电主要电流是一个上升沿在1nS左右的一个上升沿，要消除这个上升沿要求ESD保护器件响应时间要小于这个时间。静电放电的能量主要集中在几十MHz到500MHz，很多时候我们能从频谱上考虑，如滤波器滤除相应频带的能量来实现静电防护。 IEC 61000-4-2规定了几个试验等级，目前手机CTA测试执行得是3级，即接触放电6KV，空气放电8KV。很多手机厂家内部执行更高的静电防护等级。
当集成电路（ IC ）经受静电放电（ ESD）时，放电回路的电阻通常都很小，无法限制放电电流。例如将带静电的电缆插到电路接口上时，放电回路的电阻几乎为零，造成高达数十安培的瞬间放电尖峰电流，流入相应的 IC 管脚。瞬间大电流会严重损伤 IC ，局部发热的热量甚至会融化硅片管芯。ESD 对 IC的损伤还包括内部金属连接被烧断，钝化层受到破坏，晶体管单元被烧坏。 ESD 还会引起 IC 的死锁（ LATCHUP）。这种效应和 CMOS 器件内部的类似可控硅的结构单元被激活有关。高电压可激活这些结构，形成大电流信道，一般是从 VCC 到地。串行接口器件的死锁电流可高达 1A 。死锁电流会一直保持，直到器件被断电。不过到那时， IC 通常早已因过热而烧毁了。 电路级ESD防护方法 1、并联放电器件 常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图
STC单片机性能及其解密方法分类简介
STC单片机性能及其解密方法分类简介 时间：2011-07-21 16:55 作者：互联网来源：互联网 单片机以其高可靠性、高性能价格比，在工业控制系统、数据采集系统、智能化仪器仪表、办公自动化等诸多领域得到极为广泛的应用，并已走入家庭，洗衣机、空调等，到处都可见到单片机的踪影。在此，小编针对STC单片机来整理了一些资料，总结STC单片机性能及其解密方法分类，希望能给大家学习STC单片机有一定的参考作用。 STC单片机 随着电子技术的迅速发展，单片机技术的出现给现代工业测控领域带来了一次新的技术革命。STC公司推出了了STC89系列单片机，增加了大量的新功能，提高了51的性能，是MCS51家族中的佼佼者。文章主要介绍了该单片机种与MCS51的不同之处，并根据笔者的实践，提出了一些需要注意的地方。这里要向大家推荐的是新近由STC公司推出的高性价比的STC89系列单片机。 STC单片机-STC89系列单片机的性能 STC89系列单片机是MCS-51系列单片机的派生产品。它们在指令系统、硬件结构和片内资源上与标准8052单片机完全兼容，DIP40封装系列与8051为pin-to-pin兼容。STC89系列单片机高速(最高时钟频率90MHz)，低功耗，在系统/在应用可编程(ISP，IAP),不占用户资源。下表是STC89系列单片机资源一览表。 STC单片机-STC89系列单片机主要特性： 80C51核心处理器单元；3V/5V工作电压，操作频率0~33MHz（STC89LE516AD最高可达90MHz）；5V工作电压，操作频率0~40MHz； 大容量内部数据RAM：1K字节RAM；64/32/16/8kB片内Flash程序存储器，具有在应用可编程(IAP) ,在系统可编程(ISP)，可实现远程软件升级，无需编程器； 支持12时钟(默认)或6时钟模式；双DPTR数据指针；SPI(串行外围接口)和增强型UART ；PCA(可编程计数器阵列)，具有PWM的捕获/比较功能；
集成电路使用常识
集成电路使用常识 费仲兴编译 前言 在多年的半导体器件的推广应用中了解到，很多整机厂的技术人员并不太了解集成电路使用的必要常识，即使是对于我公司的技术人员来说，关于这方面知识的掌握也不够全面，因此有必要把有关这方面的材料编译出来，供大家参考。 本材料主要根据日本东芝公司、三洋公司双极集成电路手册中的有关内容编译而成，有些地方加进了一些个人的理解。一共包含了以下三个方面的内容，一是有关集成电路最大额定值的物理意义以及和产品性能的关系；二是整机设计中功率集成电路的热设计方法；三是集成电路使用中的注意事项。其中最大额定值中的各种使用条件和环境温度的相互关系、关系集成电路功耗等的考虑方法还是值得参考的。 一、最大额定值 1、最大额定值的必要性和意义 根据半导体物理理论，半导体器件中载流子密度和温度成指数关系，因此温度对集成电路性能影响很大。 如果在集成电路内部器件的PN结上施加上足够的电压，载流子就会得到附加的能量，引起雪崩倍增，反向电流迅速增大，这时往往会发生击穿现象。 电流所引起的变化不像电压所引起的变化那样剧烈，但它会使半导体元件的性能缓慢地劣化，逐步地失去功能。此外，流过PN结的电流和施加电压的乘积变为功耗，引起温升，如果温度过高，也会引起热破坏。因此，温度、电压、电流和功耗就成为限制集成电路工作的四大因素。 据于上述理由，集成电路制造厂家往往对施加在集成电路上的电压、电流、功耗和温度规定最大容许值，要求用户遵照执行，这就是通常所说的最大额定值。 究竟什么是最大额定值，日本JIS7030（日本工业标准晶体管试验方法）中是这样定义的： 关于集成电路的最大额定值，JIS中没有明确定义过，但只要把上述定义中的晶体管换成集成电路的话，就成为集成电路最大额定值的定义。 集成电路最大额定值，就是为了保证集成电路的寿命和可靠性不可超越的额定值。这些额定值受结构材料、设计和生产条件等限制，因集成电路的种类不同其数值也不同。如果采用绝对最大额定值的概念，可以作如下表述。 所谓绝对最大额定值，就是在工作中即使瞬间也不能超过的值，如果定有两个以上项目的最大额定值时，其中的任何一个项目也不容许超过。 此外，最大额定值的大小不仅决定于半导体芯片内部的特征，同时还要考虑芯片以外的结构材料，如封装树指、芯片焊料等材料的特征。 超过最大额定值使用时，有时会不回复其特性。此外，应在设计时考虑电压的变化、零件特性的元件误差、环境温度的变化及输入信号的变化等，避免超过最大额定值中的任何一项。 2、电压的最大额定值 集成电路内部有许多PN结，当PN结上施加的电压一高，PN结空间电荷区内形成高电场强度，由于载流子的倍增作用，会引起电子雪崩，如果没有足够大的限流电阻，就会引起PN结的损坏。
【CN109946578A】一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910127850.0 (22)申请日 2019.02.20 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 刘文中 凌子文 杜中州 皮仕强 (74)专利代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 李智 曹葆青 (51)Int.Cl. G01R 31/26(2014.01) (54)发明名称 一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于磁纳米粒子的IGBT 结温测量方法，包括：将磁纳米粒子布置在IGBT 芯片外壳背部的中心区域，构建IGBT结、IGBT芯 片外壳与工作环境的二阶传热模型；构建均匀的 交流激励磁场，将带有磁纳米粒子的IGBT芯片放 置于所述磁场后，提取磁纳米粒子响应信号的一 次谐波幅值；根据一次谐波幅值，计算IGBT芯片 外壳背部温度；根据IGBT芯片外壳背部温度、工 作环境温度和二阶传热模型，计算IGBT结温。本 发明使磁纳米粒子接近IGBT结处，提高IGBT结温 测量的精度；利用磁纳米粒子磁化强度的温度敏 感特性，测量磁纳米粒子交流磁化强度的一次谐 波幅值，得到外壳背部温度，无需破坏IGBT芯片 的现有封装，实现非侵入式温度测量；通过二阶 热容热阻传热模型， 实现IGBT结温的实时测量。权利要求书2页 说明书7页 附图5页CN 109946578 A 2019.06.28 C N 109946578 A
1.一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1.将磁纳米粒子布置在IGBT芯片外壳背部的中心区域，构建IGBT结、IGBT芯片外壳与工作环境的二阶传热模型； S2.构建均匀的交流激励磁场，将带有磁纳米粒子的IGBT芯片放置于所述磁场后，提取磁纳米粒子响应信号的一次谐波幅值； S3.根据提取到的一次谐波幅值，计算IGBT芯片外壳背部温度； S4.根据计算得到的IGBT芯片外壳背部温度、工作环境温度和二阶传热模型，计算IGBT 结温。 2.如权利要求1所述的IGBT结温测量方法，其特征在于，所述磁纳米粒子的粒径为5～30nm。 3.如权利要求1所述的IGBT结温测量方法，其特征在于，IGBT芯片的传热模型看作R1和C1组成的一阶RC网络，散热片看作R2和C2构成的一阶RC网络，从而构建二阶传热模型。 4.如权利要求3所述的IGBT结温测量方法，其特征在于， 所述二阶模型的状态方程为：其中，T j 为IGBT结温，T c 为外壳背部温度，T a 为工作环境温度，I为IGBT耗散功率，t为时间。 5.如权利要求3所述的IGBT结温测量方法，其特征在于，IGBT结温T j 的阶跃响应方程如 下： IGBT芯片外壳背部温度T c 的阶跃响应方程如下： 权 利 要 求 书1/2页2CN 109946578 A
芯片解密方法概述
芯片解密方法概述 芯片解密(IC解密)，又称为单片机解密，就是通过一定的设备和方法，直接得到加密单片机中的烧写文件，可以自己复制烧写芯片或反汇编后自己参考研究。 目前芯片解密有两种方法，一种是以软件为主，称为非侵入型攻击，要借助一些软件，如类似编程器的自制设备，这种方法不破坏母片（解密后芯片处于不加密状态）；还有一种是以硬件为主，辅助软件，称为侵入型攻击，这种方法需要剥开母片（开盖或叫开封，decapsulation），然后做电路修改(通常称FIB：focused ion beam)，这种破坏芯片外形结构和芯片管芯线路只影响加密功能，不改变芯片本身功能。 单片机解密常用方法 单片机（MCU）一般都有内部ＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ／ＦＬＡＳＨ供用户存放程序。为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序，大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节，以保护片内程序。如果在编程时加密锁定位被使能（锁定），就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序，这就是所谓单片机加密或者说锁定功能。事实上，这样的保护措施很脆弱，很容易被破解。单片机攻击者借助专用设备或者自制设备，利用单片机芯片设计上的漏洞或软件缺陷，通过多种技术手段，就可以从芯片中提取关键信息，获取单片机内程序。因此，作为电子产品的设计工程师非常有必要了解当前单片机攻击的最新技术，做到知己知彼，心中有数，才能有效防止自己花费大量金钱和时间辛辛苦苦设计出来的产品被人家一夜之间仿冒的事情发生。 目前，单片机解密主要有四种技术，分别是： 一、软件攻击 该技术通常使用处理器通信接口并利用协议、加密算法或这些算法中的安全漏洞来进行攻击。软件攻击取得成功的一个典型事例是对早期ＡＴＭＥＬＡＴ８９Ｃ５１系列单片机的攻击。攻击者利用了该系列单片机擦除操作时序设计上的漏洞，使用自编程序在擦除加密锁定位后，停止下一步擦除片内程序存储器数据的操作，从而使加过密的单片机变成没加密的单片机，然后利用编程器读出片内程序。 目前在其他加密方法的基础上，可以研究出一些设备，配合一定的软件，来做软件攻击。 近期国内出现了了一种51单片机解密设备，这种解密器主要针对SyncMos. Winbond,在生产工艺上的漏洞,利用某些编程器定位插字节，通过一定的方法查找芯片中是否有连续空位,也就是说查找芯片中连续的FF FF字节，插入的字节能够执行把片内的程序送到片外的指令,然后用解密的设备进行截获,这样芯片内部的程序就被解密完成了。 二、电子探测攻击 该技术通常以高时间分辨率来监控处理器在正常操作时所有电源和接口连接的模拟特性，并通过监控它的电磁辐射特性来实施攻击。因为单片机是一个活动的电子器件，当它执行不同的指令时，对应的电源功率消耗也相应变化。这样通过使用特殊的电子测量仪器和数学统计方法分析和检测这些变化，即可获取单片机中的特定关键信息。 目前RF编程器可以直接读出老的型号的加密MCU中的程序，就是采用这个原理。
几种IGBT驱动电路的保护电路原理图
几种IGBT驱动电路的保护电路原理图 第一种驱动电路EXB841/840 EXB841工作原理如图1,当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us以后IGBT 正常开通，VCE下降至3V左右，6脚电压被钳制在8V左右，由于VS1稳压值是13V,所以不会被击穿，V3不导通，E点的电位约为20V,二极管VD,截止，不影响V4和V5正常工作。 当14脚和15脚无电流流过，则V1和V2导通，V2的导通使V4截止、V5导通，IGBT 栅极电荷通过V5迅速放电，引脚3电位下降至0V,是IGBT 栅一射间承受5V左右的负偏压，IGBT可靠关断，同时VCE的迅速上升使引脚6悬空.C2的放电使得B点电位为0V,则V S1仍然不导通，后续电路不动作，IGBT正常关断。 如有过流发生，IGBT的V CE过大使得VD2截止，使得VS1击穿，V3导通，C4通过R7放电，D点电位下降，从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低,完成慢关断，实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知，EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压，6脚的电压不仅与VCE 有关，还和二极管VD2的导通电压Vd有关。 典型接线方法如图2,使用时注意如下几点： a、IGBT栅-射极驱动回路往返接线不能太长(一般应该小于1m)，并且应该采用双绞线接法，防止干扰。 b、由于IGBT集电极产生较大的电压尖脉冲，增加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全工作。但是栅极电阻RG不能太大也不能太小，如果RG增大，则开通关断时间延长，使得开通能耗增加;相反，如果RG太小，则使得di/dt增加，容易产生误导通。 c、图中电容C用来吸收由电源连接阻抗引起的供电电压变化，并不是电源的供电滤波电容，一般取值为47 F. d、6脚过电流保护取样信号连接端，通过快恢复二极管接IGBT集电极。 e、14、15接驱动信号，一般14脚接脉冲形成部分的地，15脚接输入信号的正端，15端的输入电流一般应该小于20mA,故在15脚前加限流电阻。
(完整版)单片机解密方法简单介绍(破解)
单片机解密方法简单介绍 下面是单片机解密的常用几种方法,我们做一下简单介绍: 1：软解密技术，就是通过软件找出单片机的设计缺陷，将内部OTP/falsh ROM 或eeprom代码读出，但这种方法并不是最理想的，因为他的研究时间太长。同一系列的单片机都不是颗颗一样。下面再教你如何破解51单片机。 2：探针技术，和FIB技术解密，是一个很流行的一种方法，但是要一定的成本。首先将单片机的C onfig.(配置文件)用烧写器保存起来，用在文件做出来后手工补回去之用。再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用微形探针试探。得出结果后在显微镜拍成图片用FIB连接或切割加工完成。也有不用FIB用探针就能用编程器将程序读出。 3：紫外线光技术，是一个非常流行的一种方法，也是最简单的一种时间快、像我们一样只要30至1 20分钟出文件、成本非常低样片成本就行。首先将单片机的Config.(配置文件)用烧写器保存起来，再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用不透光的物体盖住OTP/falsh ROM 或eeprom处，紫外线照在加密位上10到120分钟，加密位由0变为1就能用编程器将程序读出。（不过他有个缺陷，不是对每颗OT P/falsh都有效） 有了以上的了解解密手段，我们开始从最简的紫外光技术，对付它： EMC单片机用紫外光有那一些问题出现呢？：OTP ROM 的地址(Address:0080H to 008FH) or (Address:0280h to 028FH) 即:EMC的指令的第9位由0变为1。因为它的加密位在于第9位，所以会影响数据。说明一下指令格式："0110 bbb rrrrrrr" 这条指令JBC 0x13,2最头痛,2是B，0X13是R。如果数据由0变为1后："0111 bbb rrrrrrr"变成JBS 0x13,2头痛啊，见议在80H到8FH 和280H到28FH多用这条指令。或用"润飞RF-2148"烧录，将IC的 CheckSum变为0000让解密者不知道内部的CheckSum值是多少。因为EMC的烧器会将这个Che ckSum值加上去，即讲给解密者内部CheckSum值是多少。RF-2148烧录器不过有点慢。刚才讲的是普通级的153,156,447,451,458等，但是N级即工业级的加密位在0,1，2位：0000000000XXX，X XX是加密位，见议在80H到8FH和280H到28FH用RETL @0x?? 这条指令,他的格式为：11100 rrrrrrrr。硬件方面加密看下面。 CYPRESS单片机用紫外光有那一些问题出现呢？：常见型号有63001、63723、、、影响数据出现
芯片封装的主要步骤
芯片封装的主要步骤 板上芯片（Chip On Board, COB)工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接。 裸芯片技术主要有两种形式：一种是COB技术，另一种是倒装片技术（Flip Chip）。板上芯片封装（COB），半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。 COB主要的焊接方法： （1）热压焊 利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起。其原理是通过加热和加压力，使焊区（如AI）发生塑性形变同时破坏压焊界面上的氧化层，从而使原子间产生吸引力达到“键合”的目的，此外，两金属界面不平整加热加压时可使上下的金属相互镶嵌。此技术一般用为玻璃板上芯片COG。 （2）超声焊 超声焊是利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁场感应下，迅速伸缩产生弹性振动，使劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力，于是劈刀在这两种力的共同作用下，带动AI丝在被焊区的金属化层如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI丝和AI膜表面产生塑性变形，这种形变也破坏了AI层界面的氧化层，使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合，从而形成焊接。主要焊接材料为铝线焊头，一般为楔形。 （3）金丝焊 球焊在引线键合中是最具代表性的焊接技术，因为现在的半导体封装二、三极管封装都采用AU线球焊。而且它操作方便、灵活、焊点牢固（直径为25UM的AU丝的焊接强度一般为0.07～0.09N/点），又无方向性，焊接速度可高达15点/秒以上。金丝焊也叫热（压）（超）声焊主要键合材料为金（AU）线焊头为球形故为球焊。 COB封装流程 第一步：扩晶。采用扩张机将厂商提供的整张LED晶片薄膜均匀扩张，使附着在薄膜表面紧密排列的LED晶粒拉开，便于刺晶。 第二步：背胶。将扩好晶的扩晶环放在已刮好银浆层的背胶机面上，背上银浆。点银浆。
多种液晶高压板专用芯片去保护的方法
常见PWM芯片和高压板专用芯片去保护的方法 在维修中通常会碰到一些显示器只有一根灯管坏和保护电路异常引起的黑屏故障，为做到快修我们通常会去把芯片的保护电路去掉。以下是在维修中碰到和网上查到的一些芯片的去保护方法，看芯片图，一般从有打点或者缺角的那个开始逆时针数第几脚。 AA1343,15飞线到地 AA T1107,15对地短路 AA T1164或68 15飞线到地 AT1741,15对地短路 AT1380，2对地短路； AA T1100，8对地短路 BIT3193，15吸空引脚 BIT3713，15吸空 BA9741，15对地短路； BA9743，15对地短路； BD9275F,11脚接地 BIT3101，2和15 吸空引脚 BIT3102，5吸空引脚 BIT3105，4吸空引脚 BIT3106，4和27 吸空引脚 BIT3107，4吸空引脚 BIT3193,15吸空引脚 DF6106,14飞线到地 DF6109,15飞线到地 FA3629，15和16将外接电容短路 FA3630，7和10对地短路 FAN7314,1脚对地短路 FAN7318,1脚对地短路 FP5451,15飞线到地 INL837GN,14脚那个电容去掉直连接接地 KA7500，1和16对地短路 MB3775 15对地短路 MP1038EY,用导线11脚连接2脚 MP1038EY，6脚对地 MP1048EM，1,6脚对地 MB3775，15对地短路； OZ960 OZ962，2对地短路 OZ964GN，1对地短路 OZ965，4对地短路 OZ9RR，8对地短路 OZ9919GN，8对地短路 OZ9938 3脚对地短路 OZ9910 10 3个IN14148到地 OZ9930 7 拆外接高压电容 OZ9936 7 拆外接高压电容
芯片工作温度与表面温度
芯片工作温度与表面温度 例如:一款芯片操作温度是0-70℃,表面温度已经达到85℃是否可以正常工作.表面温度与操作温度的关系,测试环境温度是35℃,温升50℃正常.如果不考虑芯片结温,怎证明温度达到85摄氏度不合理呢?是不是芯片的表面温度要控制在70℃一下呢? 我一直比较困惑,如芯片分为很多等级,例如一款芯片工作温度是这样的:民用级:0℃ to 80℃工业级 -40℃ to 80℃军品级 -40℃ to 125℃所有的芯片结温最大都是150℃.单通过结温判断就有些不合适了吧! 芯片描述的操作温度如果是说芯片的周围环境温度,例如当时气温是30℃,这样是比较好理解.我个 人比较同意芯片表面温度不超过最大工作温度.表面温度不等于工作温度也看起来是合理的. 芯片的结温计算:不加散热器的情况下,是否就是Tc(表面温度)+芯片Rja(热阻)*芯片的功耗,还是芯片的Ta(环境温度,例如当时的气温)+芯片Rja(热阻)*芯片功耗? IC封装的热特性 摘要：IC封装的热特性对于IC应用的性能和可靠性来说是非常关键的。本文描述了标准封装的热特性：热阻(用“theta”或Θ表示)，ΘJA、ΘJC、ΘCA，并提供了热计算、热参考等热管理技术的详细信息。 引言 为确保产品的高可靠性，在选择IC封装时应考虑其热管理指标。所有IC在有功耗时都会发热，为了保证器件的结温低于最大允许温度，经由封装进行的从IC 到周围环境的有效散热十分重要。本文有助于设计人员和客户理解IC热管理的基本概念。在讨论封装的热传导能力时，会从热阻和各“theta”值代表的含义入手，定义热特性的重要参数。本文还提供了热计算公式和数据，以便能够得到正确的结(管芯)温度、管壳(封装)温度和电路板温度。 热阻的重要性 半导体热管理技术涉及到热阻，热阻是描述物质热传导特性的一个重要指标。计算时，热阻用“Theta”表示，是由希腊语中“热”的拼写“thermos”衍生而来。热阻对我们来说特别重要。
IC芯片解密
IC芯片解密 IC芯片解密、单片机（MCU）一般都有内部ＥＥＰＲＯＭ／ＦＬＡＳＨ供用户存放程序和工作数据。为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序，大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节，以保护片内程序。如果在编程时加密锁定位被使能（锁定），就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序，这就叫单片机加密或芯片加密。单片机攻击者借助专用设备或者自制设备，利用单片机芯片设计上的漏洞或软件缺陷，通过多种技术手段，就可以从芯片中提取关键信息，获取单片机内程序这就叫芯片解密。 ic芯片解密、单片机（MCU）一般都有内部ＥＥＰＲＯＭ／ＦＬＡＳＨ供用户存放程序和工作数据。为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序，大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节，以保护片内程序。如果在编程时加密锁定位被使能（锁定），就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序，这就叫单片机加密或芯片加密。单片机攻击者借助专用设备或者自制设备，利用单片机芯片设计上的漏洞或软件缺陷，通过多种技术手段，就可以从芯片中提取关键信息，获取单片机内程序这就叫芯片解密。 ic芯片解密又叫单片机解密，单片机破解，芯片破解，IC解密，但是这严格说来这几种称呼都不科学，但已经成了习惯叫法，我们把CPLD解密，DSP解密都习惯称为芯片解密。单片机只是能装载程序芯片的其中一个类。能烧录程序并能加密的芯片还有DSP，CPLD，PLD，AVR，ARM等。也有专门设计有加密算法用于专业加密的芯片或设计验证厂家代码工作等功能芯片，该类芯片业能实现防止电子产品复制的目的。 1.目前芯片解密方法主要如下： （１）软件攻击 该技术通常使用处理器通信接口并利用协议、加密算法或这些算法中的安全漏洞来进行攻击。软件攻击取得成功的一个典型事例是对早期ＡＴＭＥＬＡＴ８９Ｃ系列单片机的攻击。攻击者利用了该系列单片机擦除操作时序设计上的漏洞，使用自编程序在擦除加密锁定位后，停止下一步擦除片内程序存储器数据的操作，从而使加过密的单片机变成没加密的单片机，然后利用编程器读出片内程序。 目前在其他加密方法的基础上，可以研究出一些设备，配合一定的软件，来做软件攻击。 近期国内出现了了一种51芯片解密设备（成都一位高手搞出来的）,这种解密器主要针
LED结温热阻计算方法详解
LED结温热阻计算方法详解. Ta: 环境温度Rsa：铝基散热装置的热阻、散热器与环境间的热阻 Ts: 散热装置的温度. Rms：铝基板到铝散热装置的热阻 Tm: 铝基板的温度. Rcm：引脚到铝基板的热阻 Tc: 引脚的温度. Rjc：PN结到引脚的热阻、结壳间的热阻 Rja：PN结点到环境的热阻 Tj：晶体管的结温、芯片PN结最大能承受之温度( 100-130℃) P表示功耗 Rcs表示晶体管外壳与散热器间的热阻， L50: LED光源亮度降至50%的寿命 L70: LED光源亮度降至70%的寿命 结温计算的过程： 1.热阻与温度、功耗之间的关系为： Ta=Tj-*P(Rjc+Rcs+Rsa)=Tj-P*Rja， 2.当功率晶体管的散热片足够大而且接触足够良好时，壳温Tc=Ta 晶体管外壳与环境间的热阻Rca=Rcs+Rsa=0。此时Ta=Tj-*P(Rjc+Rcs+Rsa)演化成公式 Ta=Tc=Tj-P*Rjc。厂家规格书一般会给出，最大允许功耗Pcm、Rjc及(或) Rja等参数。一般Pcm 是指在Tc=25℃或Ta=25℃时的最大允许功耗。当使用温度大于25℃时，会有一个降额指标。 3.以ON公司的为例三级管2N5551举个实例： 1)2N5551规格书中给出壳温Tc=25℃时的最大允许功耗是1.5W，Rjc是83.3度/W。 2)代入公式Tc=Tj- P*Rjc有：25=Tj-1.5*83.3可以从中推出最大允许结温Tj为150度。一 般芯片最大允许结温是确定的。所以，2N5551的允许壳温与允许功耗之间的关系为： Tc=150-P*83.3。 3)比如，假设管子的功耗为1W，那么，允许的壳温Tc=150-1*83.3=66.7度。 4)注意，此管子Tc =25℃时的最大允许功耗是1.5W，如果壳温高于25℃,功率就要降额使用。 规格书中给出的降额为12mW/度(0.012W/度）。 5)我们可以用公式来验证这个结论。假设壳温为Tc，那么，功率降额为0.012*(Tc-25)。则此 时最大总功耗为1.5-0.012*(Tc-25)。把此时的条件代入公式Tc=Tj- P*Rjc得出： Tc=150-(1.5-0.012*(Tc-25))*83.3，公式成立。 4.一般情况下没办法测Tj，可以经过测Tc的方法来估算Tj。公式变为： Tj=Tc+P*Rjc
如何正确选择加密芯片的方法
现在市场上具有创新的，价值附加的产品，需要核心数据防泄密的产品，越来越多采用加密芯片来保护自己的产品不被抄袭，以来增加自己产品的价值周期。为什么要使用加密芯片，我想那些被抄袭过产品的公司以及那些给别人做方案的方案公司是应该是最有感触的。我们根据客户在使用加密芯片的过程中的反馈情况做了一下总结。为什么DX81C04加密芯片在同类型的加密产品中拥有绝对优势！ 加密芯片算法强度： 加密算法有很多，可分为对称算法和非对称算法，而且强度也不一样，使用的场景也不同，算法本身是死的，如何利用算法自身的特性来设置破解障碍才是一个好的加密产品。 DX81C04加密芯片在国际通用的SHA算法上加入了多种随机因子进行复合运算，如随机数，芯片标识等等因子，并且结合了别的算法组合，在加密传输，数据加解密上设置了多道门槛，需要进行多层认证，给破解带来极大难度。 防破解攻击： 同类型芯片破解的三种方式，软件的重放攻击和真值攻击以及芯片的物理破解。重放攻击的目的是尽可能找出多的挑战--应答对，然后通过模拟应答达到欺骗主机认证通过的目的。真值攻击是通过各种方法得到固件的源码，然后找到其中认证加密芯片的代码进行跳过达到破解的目的。芯片的物理破解通过FIB等方式找到加密芯片的密钥达到破解的目的。防破解的手段也是衡量加密芯片的一个重要标准。 DX81C04加密芯片防止重发攻击：当攻击者每次发出相同的挑战的时候，芯片每次给出的应答都是不一样的（类似于银行卡支付时候每次发的动态密钥都不一样），这样芯片的应答就无穷多过，从而防止了重发攻击。不像市面上的一些加密芯片每次相同的挑战返回的应答都是一样的。 DX81C04加密芯片防止真值攻击：真值攻击对加密芯片来说是致命的，所有的程序源码都被破解成明文，从而跳过加密芯片。其实市面上很多被破解的产品被山寨都是内部人员泄漏或者是内部人员出来搞的（中国特色）。动信微的独特的密钥烧写管理系统可以有效的防止源码被泄漏的情况，只要公司管理好自己的烧写流程，这也是动信公司在加密流程上的特色，已经被很多公司推崇和认可。 DX81C04加密芯片防止物理破解：其实SHA算法本身是很难破解的，DES和3DES已经被破解，国际上还没有听说SHA被破解的传闻。每颗DX81C04芯片密钥都采用不同的地址乱序和数据加密，即使攻击者破解了单颗DX81C04加密芯片的密钥和数据，然后将密钥和数据复制到相同的白片中也是无法工作的，因为每颗加密芯片的密钥都是不一样的，具有独有性，有效的防止了一颗芯片遭到破解后，芯片密钥被无穷的复制。这个也是DX81C04的一大特色。 密钥自主可控和安全烧写： 目前有些加密芯片是原厂写好密钥后出货的，其实最终客户都希望将烧写密钥的控制权放在自己的手里，并不希望直接使用加密芯片厂商已经烧写好密钥加密芯片，并且希望烧写流程能安全可控。这样对自己的产品的灵活性，安全性都可以得到更大的提升。