晶体管参数大全

型号材料最高电

压

最大电

流

最大功率频率沟道电阻

MAT02FH 2 x SI-NPN 40 V 20 mA 0,5 W 450 MHz -

MPSA06 SI-NPN 80 V 0,5 A 0,625 W - -

MPSA10 SI-NPN 40 V 0,1 A 0,21 W 50 MHz -

MPSH10 SI-NPN 25 V 40 mA 0,35 W 650 MHz -

VN10KM N-FET 60 V 0,31 A - - 5,0 Ohm MPSA12 N-DARL 20 V 0,5 A 0,625 W - -

BSR14 SI-NPN 75 V 0,8 A - - -

MPSA14 SI-NPN 30 V 0,5 A 0,625 W - -

ASZ15 GE-PNP 100 V 8 A 30 W - -

BLX15 SI-NPN 110 V 6,5 A 195 W 275 MHz -

ASZ18 GE-PNP 100 V 8 A 30 W - -

MPSA18 SI-NPN 45 V 0,2 A 625 mW 100 MHz -

BSX20 SI-NPN 40 V 0,5 A 0,36 W - -

IRFZ20 N-FET 50 V 15 A 40 W 120 MHz -

BSX26 SI-NPN 40 V 0,5 A 0,36 W - -

ASY27 GE-PNP 25 V 0,2 A 0,15 W - -

BSX29 SI-PNP 12 V 0,2 A 0,36 W 25 MHz -

TIP29E SI-NPN 180 V 2 A 30 W 3 MHz -

IRFBC30 N-FET 600 V 3,9 A 100 W - 2,2 Ohm IRFBE30 N-FET 800 V 4,1 A 125 W - 3 Ohm BSR31 SI-PNP 70 V 1 A - - -

BLW32 SI-NPN 50 V 0,65 A 10 W 3,5 GHz -

BSX32 SI-NPN 65 V 1 A 0,8 W - -

TIP33C SI-NPN 115 V 10 A 80 W - -

TIP34C SI-PNP 100 V 10 A 80 W 3 MHz -

TIP35C SI-NPN 100 V 25 A 125 W 3 MHz -

TIP36C SI-PNP 100 V 25 A 125 W 3 MHz -

BSS38 SI-NPN 120 V 0,1 A 0,2 W - -

IRFBC40 N-FET 600 V 6,2 A 125 W - 1,2 Ohm IRFPC40 N-FET 600 V 6,8 A 150 W - 1,2 Ohm IRFPE40 N-FET 800 V 5,4 A 150 W - 2 Ohm IRFPF40 N-FET 900 V 4,7 A 150 W - 2,5 Ohm TIP41C SI-NPN 100 V 6 A 65 W 3 MHz -

MPSA42 SI-NPN 300 V 0,5 A 0,625 W - -

TIP42C SI-PNP 140 V 6 A 65 W - -

BSW43 SI-NPN 60 V 0,2 A 0,3 W - -

BSS44 SI-PNP 65 V 5 A 5 W - -

IRFZ44 N-FET 60 V 46 A 250 W - 0,028 Ohm MPSA44 SI-NPN 500 V 0,3 A 625 mW 20 MHz -

BSX47 SI-NPN 120 V 1 A 5 W - -

IRFZ48 N-FET 60 V 50 A 250 W - 0,018 Ohm BSR50 N-DARL 60 V 2 A 0,8 W 350 MHz -

IRFPC50 N-FET 600 V 13 A 250 W - 0,60 Ohm IRFPE50 N-FET 900 V 7,8 A 190 W - 1,2 Ohm IRFPF50 N-FET 900 V 6,7 A 190 W - 1,6 Ohm TIP50 SI-NPN 400 V 1 A 40 W 2 us -

BSS52 N-DARL 100 V 1 A 0,8 W - -

BSV52 SI-NPN 20 V 0,1 A 225 mW 400 MHz -

BSX52 SI-NPN 25 V 0,2 A 0,3 W - -

IRFP054 N-FET 60 V 70 A 230 W - 0,014 Ohm BSY56 SI-NPN 120 V 0,5 A 0,8 W 100 MHz -

MPSA56 SI-PNP 80 V 0,5 A 0,625 W - -

BSX59 SI-NPN 45 V 1 A 0,8 W - -

BLW60C SI-NPN 18 V 9 A 100 W 650 MHz -

BSR60 P-DARL 45 V 1 A 0,8 W - -

IRFP064 N-FET 60 V 70 A 300 W - 0,009 Ohm VN66AFD N-FET 60 V 2 A 12 W - 3 Ohm BSS68 SI-PNP 40 V 0,8 A - - -

BSW68A SI-NPN 150 V 2 A 5 W 130 MHz -

MPSA70 SI-PNP 40 V 0,1 A 0,35 W 125 MHz -

ASY77 GE-PNP 60 V 1 A 0,26 W 500 kHz -

BSV80 N-FET 40 V 10 mA 0,35 W - -

BSV81 N-FET 30 V 50 mA 0,2 W - 100 Ohm BSW85 SI-NPN 75 V 0,5 A 0,5 W 250 MHz -

BLY87C SI-NPN 36 V 1,53 A 20 W 175 MHz -

BLY88C SI-NPN 18 V 3 A 36 W 850 MHz -

BSX88 SI-NPN 40 V 0,5 A 0,36 W - -

VN88AFD N-FET 80 V 1,3 A 20 W - -

BLY89C SI-NPN 18 V 6 A 73 W 800 MHz -

BSS89 N-FET 240 V 0,3 A 1 W - 6 Ohm BSS91 N-FET 200 V 0,35 A 1,5 W - 6 Ohm BSS92 P-FET 200 V 0,15 A 1 W 38 MHz -

MPSA92 SI-PNP 300 V 0,5 A 0,625 W - -

BLY93C SI-NPN 65 V 2 A 25 W 175 MHz -

BLY94 SI-NPN 65 V 6 A 50 W 175 MHz -

HPA100R SI-N+D 1500 V 10 A 150 W - -

AL102 GE-PNP 130 V 6 A 30 W - -

MPF102 N-FET 25 V 2 mA - - -

TIP102 N-DARL 100 V 8 A 80 W - -

BS107 N-FET 200 V 0,13 A 0,8 W - 26 Ohm TIP107 P-DARL 100 V 15 A 80 W - -

BS108 N-FET 200 V 0,23 A 0,8 W - 8 Ohm J111 N-FET 40 V 50 mA 0,4 W - 30 Ohm AL112 GE-PNP 130 V 6 A 10 W - -

TIP112 N-DARL 100 V 2 A 50 W - -

DTA114EK SI-PNP 50 V 0,1 A 0,2 W - -

DTA114ES SI-PNP 50 V 0,1 A - - -

DTA114TL SI-PNP 50 V 0,1 A - - -

DTA114YL SI-PNP 50 V 0,1 A - - -

DTC114ES SI-NPN 50 V 0,1 A - - -

DTC114TS SI-NPN 50 V 0,1 A - - -

DTC114YS SI-NPN 50 V 0,1 A - - -

TIP117 P-DARL 100 V 2 A 50 W - -

IRF120 N-FET 100 V 9,2 A 60 W 58 MHz -

IRFD120 N-FET 100 V 1,3 A 1,3 W - 0,27 Ohm IRFF120 N-FET 100 V 6 A 20 W - 0,3 Ohm BTS121A N-FET 100 V 22 A 95 W - 0,1 Ohm TIP122 N-DARL 100 V 5 A 65 W - -

BSS123 N-FET 100 V 0,17 A - - -

DTA124ES SI-PNP 50 V 0,1 A - - -

DTA124XS SI-PNP 50 V 0,1 A - - -

DTC124EK SI-NPN 50 V 0,1 A 0,2 W - -

DTC124ES SI-NPN 50 V 0,1 A - - -

TIP127 P-DARL 100 V 5 A 65 W - -

TIP132 N-DARL 100 V 8 A 70 W - -

TIP137 P-DARL 100 V 8 A 70 W - -

IRF140 N-FET 100 V 28 A 150 W - 0,77 Ohm IRFP140 N-FET 100 V 31 A 180 W - O,77 Ohm TIP142 N-DARL 100 V 10 A 125 W - -

TIP142T N-DARL 100 V 10 A 80 W - -

DTA143EK SI-PNP 50 V 0,1 A 0,2 W - -

DTA143ES SI-PNP 50 V 0,1 A - - -

DTC143EK SI-NPN 50 V 0,1 A 0,2 W - -

DTC143ES SI-NPN 50 V 0,1 A - - -

DTC143TS SI-NPN 50 V 0,1 A - - -

DTC143XS SI-NPN 50 V 0,1 A 0,3 W - -

DTA144EK SI-PNP 50 V 0,1 A 0,2 W - -

DTA144ES SI-PNP 50 V 0,1 A - - -

DTA144TS SI-PNP 50 V 0,1 A 0,3 W - -

DTC144EK SI-NPN 50 V 0,1 A 0,2 W - -

DTC144ES SI-NPN 50 V 0,1 A - - -

DTC144EU SI-NPN 50 V 0,1 A 0,2 W - -

DTC144TS SI-NPN 50 V 0,1 A 0,3 W - -

DTC144WS SI-NPN 50 V 0,1 A 0,2 W - -

TIP147 P-DARL+D 100 V 10 A 125 W - -

HPA150R SI-N+D 1500 V 15 A 180 W - -

IRFP150 N-FET 100 V 40 A 180 W - 0,55 Ohm TIP152 N-DARL+D 400 V 7 A 80 W - -

TIP162 N-DARL 380 V 10 A 3 W - -

BS170 N-FET 60 V 0,3 A 0,8 W - 5 Ohm

THD200FI SI-NPN 1500 V 10 A 60 W - -

BS208 P-FET 200 V 0,2 A 0,8 W - -

MJE210 SI-PNP 40 V 5 A 15 W 65 MHz -

ZTX213 SI-PNP 45 V 0,2 A 0,3 W 350 MHz -

IRF230 N-FET 200 V 9 A 75 W - 0,4 Ohm MRF237 SI-NPN 36 V 0,6 A 4 W 174 MHz -

IRF240 N-FET 200 V 18 A 125 W - -

IRFP240 N-FET 200 V 20 A 150 W - 0,18 Ohm GD243 GE-PNP 65 V 3 A 10 W - -

MJE243 SI-NPN 100 V 4 A 15 W 40 MHz -

BS250 P-FET 45 V 0,18 A 0,83 W - -

IRF250 N-FET 200 V 30 A 150 W - -

IRFP250 N-FET 200 V 33 A 180 W - -

MJE253 SI-PNP 100 V 4 A 15 W 40 MHz -

BSN254A N-FET 250 V 0,3 A 1 W - 7 Ohm MJE270 N-DARL 100 V 2 A 15 W 16 MHz -

MJE271 P-DARL 100 V 2 A 15 W - -

BSN274 N-FET 270 V 0,25 A 1 W - 8 Ohm J300 N-FET 25 V 6 mA 0,35 W - -

BSN304 N-FET 300 V 0,25 A 1 W - 8 Ohm J309 N-FET 25 V 30 mA - - -

J310 N-FET 25 V 60 mA - - -

SGSF313 SI-NPN 450 V 7 A 70 W 0,3 us -

SGSF313XI SI-NPN 1000 V 5 A 25 W 0,3 us -

IRF330 N-FET 400 V 5,5 A 75 W - 1 Ohm IRF340 N-FET 400 V 10 A 125 W 62 MHz -

IRFP340 N-FET 400 V 11 A 150 W - 0,55 Ohm MJE340 SI-NPN 300 V 0,5 A 20 W - -

ZTX342 SI-NPN 120 V 0,1 A 0,3 W - -

SGSF344 SI-NPN 600 V 7 A 85 W - -

SGSIF344 SI-NPN 600 V 7 A 35 W - -

IRF350 N-FET 400 V 13 A 150 W - 0,4 Ohm

2N系列功率晶体管技术参数(精)

2N系列功率晶体管技术参数 2N1304GE-N25V0.3A0.15W10MHz 2N1305GE-P30V0.3A0.15W5MHz 2N1307GE-P30V0.3A0.15W B>60 2N1613SI-N75V1A0.8W60MHz 2N1711SI-N75V1A0.8W70MHz 2N109GE-P35V0.15A0.165W 2N1893SI-N120V0.5A0.8W 2N2102SI-N120V1A1W<120MHz 2N2148GE-P60V5A12.5W 2N2165SI-P30V50mA0.15W18MHz 2N2166SI-P15V50mA0.15W10MHz 2N2219A SI-N40V0.8A0.8W250MHz 2N2222A SI-N40V0.8A0.5W300MHz 2N22232xSI-N100V0.5A0.6W>50 2N2223A2xSI-N100V0.5A0.6W>50 2N2243A SI-N120V1A0.8W50MHz 2N2369A SI-N40V0.2A.36W12/18ns 2N2857SI-N30V40mA0.2W>1GHz 2N2894SI-P12V0.2A 1.2W60/90ns 2N2905A SI-P60V0.6A0.6W45/100 2N2906A SI-P60V0.6A0.4W45/100 2N2907A SI-P60V0.6A0.4W45/100 2N2917SI-N45V0.03A>60Mz

2N2926SI-N25V0.1A0.2W300MHz 2N2955GE-P40V0.1A0.15W200MHz 2N3019SI-N140V1A0.8W100MHz 2N3053SI-N60V0.7A5W100MHz 2N3054SI-N90V4A25W3MHz 2N3055SI-N100V15A115W800kHz 2N3055SI-N100V15A115W800kHz 2N3055H SI-N100V15A115W800kHz 2N3251SI-P50V0.2A0.36W 2N3375SI-N40V0.5A11.6W500MHz 2N3439SI-N450V1A10W15MHz 2N3440SI-N300V1A10W15MHz 2N3441SI-N160V3A25W POWER 2N3442SI-N160V10A117W0.8MHz 2N3495SI-P120V0.1A0.6W>150MHz 2N3502SI-P45V0.6A0.7W200MHz 2N3553SI-N65V0.35A7W500MHz 2N3571SI-N30V0.05A0.2W 1.4GHz 2N3583SI-N250/175V2A35W>10MHz 2N3632SI-N40V0.25A23W400MHz 2N3646SI-N40V0.2A0.2W 2N3700SI-N140V1A0.5W200MHz 2N3707SI-N30V0.03A0.36W100MHz 2N3708SI-N30V0.03A0.36W80MHz 2N3716SI-N100V10A150W4MHz

常见大中功率管三极管参数(精)

常见大中功率管三极管参数晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN 2SD994 1500V 8A 50W * * NPN 2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN 2SD952 1500V 3A 70W * * NPN 2SD904 1500V 7A 60W * * NPN 2SD903 1500V 7A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN 2SD870 1500V 5A 50W * * NPN 2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD838 2500V 3A 50W * * NPN 2SD822 1500V 7A 50W * * NPN 2SD821 1500V 6A 50W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN 2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN 2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN 2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN 2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN 2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN

常用场效应管和晶体管参数大全

常用场效应管和晶体管参数大全 2010年03月04日 10:13 .elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。三、实验原理（一）半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。

1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。

(整理)常用晶体管参数表

常用晶体管参数表索引晶体管型号反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 2SA 2SA1009 350V 2A 15W ** PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W ** PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W ** PNP 2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1295 230V 17A 200W * * PNP 2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP 2SA1301 200V 10A 100W * * PNP 2SA1302 200V 15A 150W * * PNP 2SA1304 150V 1.5A 25W ** PNP 2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1358 120V 1A 10W *120MHZ PNP 2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP

双极型晶体管介绍

双极型晶体管晶体管的极限参数双极型晶体管（Bipolar Transistor）由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管. 晶体管分类：NPN型管和PNP型管输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为：硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为：双击型晶体管输出特性可分为三个区 ★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。 ★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，U CE@0，IC=EC／RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。 ★放大区：发射结正偏，集电结反偏。放大区的特点是： ◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。 ◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。 ◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。 ◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB ◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。

常用场效应管和晶体管参数大全

常用场效应管和晶体管参数大全常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应

最全的各类晶体管参数符号汇总,新人务必收藏

Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) Symbol Para m eter V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流 Current 反向电流 I R Reverse I FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流 Voltage 正向直流电压V F Forward C j Typical Junction Capactiance 结电容 Dissipation 耗散功率P D Power T j Operating Junction Temperature 工作结温 T stg Storage Temperature Range 存储温度 R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻 Pin二极管 (Pin Diode) Symbol Para m eter V R Continuous reverse voltage 反向直流电压 I F Continuous forward current 正向直流电流 voltage 正向电压V F Forward current 反向电流 I R Reverse capacitance 二极管电容 C d diode r d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗Temperature 结温T j Junction temperature 存储温度T stg storage TVS二极管 (TVS Diode) Symbol Para m eter I PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流 voltage 钳位电压V C Clampling I R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流 voltage 击穿电压V(BR) Breakdown V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forward voltage 正向电压 current 正向电流 I F Forward current 测试电流 I T Test

晶体管直流参数测量

实验五用图示仪测量二极管、三极管的直流参数晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。晶体管直流参数测试仪很多，XJ-4810型晶体管特性图示仪是最常用的一种。本实验的目的是了解XJ-4810型特性图示仪原理，掌握其使用方法，并用这种仪器进行晶体管直流参数测试及芯片检测，分析晶体管质量，分析晶体管质量，找出失效原因，作为进一步改进器件性能的依据。一、实验目的： 1．熟悉晶体二极管、三极管的主要参数。 2．学习使用万用表判断三级管极性和管脚的方法。 3．学习使用XJ-4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的方法。 4．熟悉XJ-4810型晶体管特性图示仪。二、实验仪器： XJ-4810型晶体管特性图示仪、万用表。三、实验原理 1．晶体二极管主要参数：（1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。（3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V (BR) 后，取其1∕2即是。（4）反向电流I R ：二极管未击穿时的反向电流值。（5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。由晶体管特性图示仪测得。 2．稳压二极管主要参数：（1）稳定电压V Z ：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。（2）稳定电流I Z ：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。（3）动态电阻r Z ：稳压管两端的电压V Z 和流过稳压管的电流I 的变化量之比，可用电压表、电流表共同测得，或用晶体管特性图示仪测得，用下式计算： I V r Z Z ??= （4）额定功耗P Z ：由生产厂规定，可由特性手册中查到。 3．晶体三极管主要参数：（1）直流电流放大系数-β：可用电流表或晶体管特性图示仪测得集电极电流I C 和基极电流I B 后算出，也可用数字万用表的H FE 档测得。计算公式： B C B CE C I I I I I ≈-=-0β 式中I CE0是三极管的穿透电流。（2）穿透电流I CE0 ：基极开路时的I C 值，此值反映了三极管的热稳定性，越小越好。（3）交流电流放大系数β ：I C 与I B 的变化量之比。可由晶体管特性图示仪测得ΔI C 和ΔI B 后根据下式计算： B C I I ??=β 该参数也可表为h fe 。两者略有区别：β是指对应实际工作条件时的ΔI C 与ΔI B 之比，而h fe 是指在给定条件下（一般由生产厂给定）的ΔI C 与ΔI B 之比。β与h fe 的值基本相等，所以在使用时常常不予区别。（4）反向击穿电压BV CE0 ：基极开路时，C 、E 之间的击穿电压。也可表示为 U （BR ）CE0 。使用晶体管特性图示仪测量十分方便。测量时应注意集电极功耗电阻应取10K 以上，避免击穿时集电极电流过大，使被测三极管因功耗过大烧毁。

实验二场效应晶体管(FET)特性参数测量

实验二、场效应晶体管（FET）特性参数测量一、实验设备（1）半导体管特性图示仪(XJ4810A 型)，（2）BJT 晶体管（S9014、S8050、S8550），（3）二极管（1N4001）二、实验目的 1、熟悉BJT 晶体管特性参数测试原理； 2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT 晶体管特性参数的方法； 3、学会利用手册的特性参数计算BJT 晶体管的混合π型EM1 模型参数的方法。三、MOS 晶体管特性参数的测量原理 1、实验仪器实验仪器为场效应管参数测试仪(BJ2922B)，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E 间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即 G（栅极） B（基极）； S（源极） E（发射极）； D（漏极） C（集电极）。值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E接线柱）与机壳相通。存放时，要将管子三个电极引线短接。 2、参数定义（1）、输出特性曲线与转移特性曲线输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。在曲线中，工作区可分为三部分： I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系曲线，它反映了场效应管栅极的控制能力。由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS＞0）并大于 0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。这是由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。这时如果外电路无保护措施，易将被测管烧毁，而MOS场效应管因其栅极有SiO2绝缘层，所以即使栅极正偏也不引起栅电流，曲线仍向上升。（2）、跨导(gm) 跨导是漏源电压一定时，栅压微分增量与由此而产生的漏电流微分增量之比。跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应管放大作用的重要参数，类似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安表示。它的单位是西门子，用S表示，1S=1A/V。或用欧姆的倒数“姆欧”表示，记作“ -1 ”。（3）、夹断电压VP和开启电压VT 夹断电压VP是对耗尽型管而言，它表示在一定漏源电压VDS下，漏极电流减小到接近于零（或等于某一规定数值，如50μA）时的栅源电压。开启电压VT是对增强型管而言。它表示在一定漏源电压VDS下，开始有漏电流时对应的栅

常用场效应管和晶体管参数大全

常用场效应管和晶体管参数大全2010年03月04日 10:13 www.elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应

hi-fi常用晶体管参数

HIFI常用晶体管参数（音响） GT20D101/GT20D201 (东芝250V20A180W) K1530/J201 (东芝200v12A200W) K1529/J200 (东芝180V10A150W) K1058/J162 (日立160V7A100W) K405/J115 (东芝160V8A100W) K133/J48 (日立金封120V7A100W) K413/J118 (日立140V8A100W) A1186/C2837 (三肯150V10A100W) A1694/C4467 (三肯160V8A80W) A1695/C4468 (三肯140V10A100W) A1215/C2921 (三肯160V15A150W) A1216/C2922 (三肯180V17A200W) A1295/C3264 (三肯230V17A200W) A1494/C3858 (三肯200V17A200W) A1492/C3856 (三肯180V15A130W) A1491/C3855 (三肯140V10A100W) A1301/C3280 (东芝160V12A120W) A1516/C3907 (东芝180V12A130W) A1941/C5198 (东芝140V10A100W) A1943/C5200 (东芝230V15A150W) A1264/C3181 (东芝120V8A80W) A1265/C3182 (东芝140V10A100W)

A1633/C4278 (罗姆150V10A100W) A1075/C2525* (120V12A120W) B688/D718 (东芝120V8A80W) B817/D1047 (三洋160V12A100W) MJ15024/15025 (摩托罗拉250V16A250W) MP1620/MN2488 SAP15N/SAP15P (三肯160V15A150W) 中功率音响配对管 K2013/J313 (东芝180V1A25W) K214/J77 (日立160V0.5A30W) A1837/C4793 (东芝230V1A20W) A1859/C4883 (三肯150V2A20W) A1930/C5171 (东芝180V2A20W) A1306/C3298 (东芝160V1.5A20W) A1360/C3423 (东芝150V15mA5W) B649/D669 (日立160V1.5A20W) 2SC2275/2SA985 (160v 1.5A 25w) 小功率音响配对管 K170/J74 (东芝40V400mW) K246/J103 (东芝50V14mA300mW) A872/C1775 (日立120V0.05A0.3W)

三极管参数表

|常用三极管参数表下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号 3DG9011 50V 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V LM9011 SS9011 9012 40V LM9012 9012(HH) 40V SS9012 9012LT1 40V A1298 3DG9013 40V CS9013 JE9013 & 9013 40V LM9013 9013(HH) 40V SS9013 9013LT1 40V C3265 3DG9014 50V CS9014 JE9014 9014 50V LM9014 SS9014 9014LT1 50V C1623 9015 50V LM9015 SS9015 TEC9015 50V BC557 2N3906 TEC9015A 50V BC557 2N3906 TEC9015B 50V BC557 2N3906 [

TEC9015C 50V BC557 2N3906 3DG9016 30V JE9016 9016 30V SS9016 TEC9016 40V BF240 BF254 BF594 8050 40V SS8050 8050LT1 40V KA3265 ED8050 50V BC337 SDT85501 60V 10A 3DK104C SDT85502 80V 10A 3DK104C SDT85503 100V 10A 3DK104D ~ SDT85504 140V 10A 3DK104E SDT85505 170V 10A 3DK104F SDT85506 60V 10A 3DK104C SDT85507 80V 10A 3DK104C SDT85508 100V 10A 3DK104D SDT85509 140V 10A 3DK104E ED8550 50V BC337 8550 40V LM8550 SS8550 8550LT1 40V KA3265 2SA1015 50V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 ￥

晶体管的各种参数有什么意义

晶体管的各种参数有什么意义？晶闸管的电参数，在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参数(AC)等。但在实际的使用中，我发现还有许多想测而无法测量到的参数，为使工作方便，我便称其为“功能参数”。分别述之：一、极限参数所谓极限参数，是指在晶体管工作时，不管因何种原因，都不允许超过的参数。这些参数常规的有三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集电极耗散功率(Pcm)、晶体管工作的环境(包括温度、湿度、电磁场、大气压等)、存储条件等。在民用电子产品的应用中，基本只关心前三个。 1、晶体管的反向击穿电压定义：在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压，观察其PN结的电流变化情况，当PN结的反向电流出现剧烈增加时，此时施加到此PN结两端的电压值，就是此PN结的反向击穿电压。每个晶体管都有三个反向击穿电压，分别是：基极开路时集电极—发射极反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。此电参数对工程设计的指导意义是：决定了晶体管正常工作的电压范围。由此电参数的特性可知，当晶体管在工作中出现击穿状态，将是非常危险的。因此，在设计中，都给晶体管工作时的电压范围，留有足够的余量。实际上，当晶体管长期工作在较高电压时(晶体管实测值的60%以上)，其晶体管的

可靠性将会出现数量级的下降。有兴趣的可以参考《电子元器件降额准则》。许多公司在对来料进行入库检验时发现，一些品种的反向击穿电压实测值要比规格书上所标的要大出许多。这是怎么回事呢? 晶体管在生产制造过程中，与一些我们常见的生产完全不一样。在晶体管的生产过程中，可以分成二大块：芯片制造和封装。在工程分类中，习惯把芯片制造统称为“前道”，而把封装行业统称为“后道”。在前道生产中，从投料开始选原材料，到芯片出厂，一切控制数据，给出的都是范围。芯片在正常生产时，投料的最小单位是“编号批”，每批为24或25片4英寸到8英寸直径的园片。就以4寸片为例，每片可出合格的晶体管只数少则上千，多则可近10万。在实际生产中，最小生产单位是“扩散批”，一个扩散批所投的园片从150片到250片之间。可以想象出，在芯片的前道生产中，每次投料，对以单只来计算的晶体管而言，是一个什么样的数量概念。不说别的，要让一个扩散批所有的材料，具有相同的电特性(这里，也可以说是硅片的电阻率)，是不可能的。加上硅片中，不可避免的会有一些固有的缺陷(半导体晶格的层错和位错)，使得在几乎相同环境中生产出的同一品种的晶体管，不可能具有完全相同的电特性。这样只能给出一个大家都能接受的范围，这就是产品规格书。为了提高生产效率，现在许多芯片厂都把芯片的“免测率”作为生产线工序能力的一项重要考核指标。所谓的“免测”，是指产品的参数靠设计、工序控制来达到，加工结束后，通过抽测部分相关点的参数，来判断此片的质量情况。当此片的抽测合格率在96%以上时，就把此片芯片列入“免测片”。要使晶体管芯片达到免测试，就必须对其中的一些参数进行“余量放大”。而晶体

晶体管参数大全

2N系列功率晶体管技术参数(精)

常见大中功率管三极管参数(精)

常用场效应管和晶体管参数大全

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量

(整理)常用晶体管参数表

双极型晶体管介绍

常用场效应管和晶体管参数大全

最全的各类晶体管参数符号汇总,新人务必收藏

最新常用晶体管参数查询

晶体管直流参数测量

实验二场效应晶体管(FET)特性参数测量

常用场效应管和晶体管参数大全

hi-fi常用晶体管参数

三极管参数表

晶体管的各种参数有什么意义