电子百拼2、三极管控制电路30

电子百拼2、三极管控制电路30
电子百拼2、三极管控制电路30

题库二、三极管控制电路30题(光控、磁控、电控、触摸、声控、多控;偏置、输出、管型、复合、阀值、灵敏度;延时)

1. 按图拼一个天

黑灯就自动熄灭的

电路。

2.按图拼一个磁铁靠近时电机就转动的电路。

3.拼一个如图所示的电路。当按

键S断开,6V灯泡“停电”时,

由E2供电的2.5V应急灯就会

亮起。

4.按图拼一个一摸就亮的触摸电路。

5.请你拼一个发光管会随着掌声或震动而闪光的电路。

6. 请你设计并拼搭完成一个自动路灯,能在天黑时灯自动亮,但在磁铁靠近时无论是天黑还是天亮灯都亮。

7.某同学设计了一个如图所示的天黑灯就亮

的自动路灯电路,但图中的光敏电阻和1K的

偏置电阻使用不当。请只改动这些错误,拼

一个正确的可演示出天黑灯就亮的电路。

8.如图是一个光照指示灯电路,光敏电阻受光照

后发光管随之会亮。请你选用同一个三极管,但

将电路改成集电极输出,拼一个且具有相同的功

能不同性能的电路。

9.如图是一个用PNP型三极管做成的光控

电路。请改用NPN型三极管来完成具有同

样功能的电路。为保证性能变化不大,要求

负载还是接在集电极上。

10.如图是一个断开电建后,发光管还能亮

一会再灭的延时灯电路。请在此基础上只加

一个三极管,来延长延时时间。(电阻和导

线任选)

11.如图是一个天黑就亮的自动路灯电路。为提

高灵敏度(缩小上下阀值差)性能,请用具有

同样类型的复合管来替代图中的三极管,完成

拼搭。(中学)

12.请用PNP型复合管完成一个一摸灯泡就亮的电路。(中学)

13. 如图所示是一个延时灯电路,但电路

中缺少了放电电阻和放电二极管,这样

在第二次按下电键时,电路无法正常工

作。请完成补充放电电阻和放电二极管

后的完整电路。限流电阻自选。(中学)

14.做一个用NPN型复合管控制灯泡的,天黑就亮的自动路灯电路。

15.做一个用10μ电容来延时的电路,用PNP复合管放大来延长时间,被控制的是6V的灯泡。(中学)

16.用三极管设计一个防盗报警电路,将导线一碰断,2.5V的报警灯泡就会亮。

17.用NPN型复合管设计一个楼道触摸灯电路。要求接通电源后,在光暗的时候触碰触摸板,灯才会发光。

18.设计一个自动电风扇电路。要求:太阳光强时,自动打开风扇;阳光较弱或无光时,风扇自动停止。

19.如图是一个用磁铁来控制电灯的电路,设计要求是磁

铁靠近干簧管时灯才亮(正常发光)。请将它拼出来,但

如果图中的电路有错误时,应修正后再拼出来。(原图中

没错误的地方不得变动)

20.设计一个磁控灯电路。天黑时磁铁靠近,6V灯泡亮。

21.请用一个三极管,设计一个定时电灯电路。要求:合上开关,2.5V 灯泡不亮,按一下电键,灯泡点亮,放松电键后,灯泡延时熄灭。(选用一个电阻和一个电容使延时时间尽可能长。)

22.设计一个磁控灯电路。接通开关红色指示灯亮,但灯泡不亮;再用磁铁靠近时灯泡亮,指示灯不亮。用NPN型复合管实现,其他器材自选。(中学)

23.用NPN三极管、47K可调电阻、小灯泡设计一个调光灯,要求可调电阻调到中间时最暗,调到两端都会亮。其他器材参数自选。

24.用NPN型复合管设计一个天亮时灯灭,天黑时可调光的电路,6V 灯泡接在集电极,其他器材自选。(中学)

25.设计一个一摸就亮电路,实现如下功能:合上开关,灯不亮,用手摸一下灯就亮,然后延时几秒熄灭。要求用一个NPN三极管实现控制,集电极输出,其他器材自选。

26.设计一个楼道灯电路,实现如下功能:天亮时灯不会亮,天黑时发光二极管亮,这时再按下电键灯泡也亮。要求用一个NPN三极管控制灯泡,其他器材参数自选。

27.用一只PNP三极管设计一个天黑灯亮电路,要求在三极管的集电极和发射极各串接一个发光管,其他器材参数自选。

28.设计一个控制电路,实现如下功能:天亮时只有指示灯亮,天黑时只有灯泡亮。要求用NPN型复合管控制灯泡,其他器材参数自选。(中学)

29.如图所示是一个无光才亮的电路。

请你添加一个元件使发光管更容易亮(天

比现在还亮一些时,发光管就会亮了)原

图中的参数不能改变。

30.如图所示是一个有光就亮的电路。

请你修改一下电路(原先发光管的地

方不能变动),要求变成磁铁靠近时,

灯才亮。

第二章_半导体三极管及其基本电路(附答案)[1].

第二章半导体三极管及其基本电路 一、填空题 1、(2-1,中)当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。 2、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。 3、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。 5、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。 6、(2-1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则I B,这样可克服失真。 7、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 9、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。 10、(2-1,中)共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。 11、(2-1,难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于 区的型的三极管。 12、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,试判断: a.①脚是,②脚是,③脚是(e, b,c); b.管型是(NPN,PNP); c.材料是(硅,锗)。 13、(2-1,中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。 14、(2-1,低)温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C,静态工作点。 15、(2-1,低)一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。 16、(2-1,低)画放大器交流通路时,和应作短路处理。 17、(2-2,低)在多级放大器里。前级是后级的,后级是前级的。 18、(2-2,低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有:,,。 19、(2-2,中)输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动,因此要抑制零漂,首先要抑制的零漂。目前抑制零漂比较有效的方法是采用。

三极管在电路中的使用(超详细有实例)

一种三极管开关电路设计 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接 点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电 子开关的基本电路图。由图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上。 Vcc 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open)与闭合(closed )动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由 于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off )区。 同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturatiON )。 1三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低 于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于0.3伏特。(838电子资源)当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上, 则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。 欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的 集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为: Vcc Ic(tfefi)二—— R LD 因此,基极电流最少应为: 丁Ic(sat) VCC T 二一二閒

三极管简单用用

一、最简单的电路 二、第二简单的电路

这是第二个最简单的电路。已添加第二个晶体管将你的手指传递的电流进行放大。该晶体管的增益约200,你的手指只需轻轻触摸图中的两个点,LED就会被点亮。增添的三极管将通过你的手指的电流放大了约200倍再提供给原三极管,总放大倍数约40000倍。 三、放大八百万倍的高增益电路 该电路有极高的放大倍数,它可以非接触检测电源线是否通电。只需将它靠近墙壁,它会检测到电源线的位置。它有约200×200×200 = 8,000,000的增益,该电路的输入端阻抗非常高,能够检测周围是否存在电场。

这张照片显示了电路的连接,检测端接有一小块铜箔板,能增强检测电场的能力。 在上面的电路基础上,这个电路增加一个压电蜂鸣器,当检测到市电时,LED点亮同时蜂鸣器会发声。 三极管开关电路设计 下面主要通过使用NPN三极管进行开关电路设计,PNP三极管的开关电路与NPN的类似。 一、三极管开关电路设计的可行性及必要性 可行性:用过三极管的人都清楚,三极管有一个特性,就是有饱和状态与截止状态,正是因为有了这两种状态,使其应用于开关电路成为可能。 必要性:假设我们在设计一个系统电路中,有些电压、信号等等需要在系统运行过程中进行切断,但是又不能通过机械式的方式切断,此时就只能通过软件方式处理,这就需要有三极管开关电路作为基础了。 二、三极管基本开关电路概述 如下(图.1)就是一个最基本的三极管开关电路,NPN的基极需连接一个基极电阻(R2)、集电极上连接一个负载电阻(R1) 首先我们要清楚当三极管的基极没有电流时候集电极也没有电流,三极管处于截止状态,即断开;当基极有电流时候将会导致集电极流过更大的放大电流,即进入饱和状态,相当于关闭。当然基极要有一个符合要求的电压输入才能确保三极管进入截止区与饱和区。

三极管基本电路原理和检修

三极管基本电路原理和检修 三极管是三端、电流控制器件。较低的输入阻抗(发射结可等效为一只电阻,需有实实在在的电流流通,三极管才能导通,因而要求信号源有电流输出能力),挑信号源;较高的输出阻抗(挑负载,要求负载阻抗>>电路本身输出阻抗,输出电压降才能落实到负载上)。在Ic受控于Ib的受控区内,工作于可变电阻区,为线性放大器(模拟电路);在Ic不受Ib控制的开关区,为开关电路(数字电路)。 上文中Ic指三极管集电极电流;Ib指三极管基极电流。 1三极管基本工作原理 三极管是个简称,全称为晶体三体管,早期以锗材料制作的为多,因其热稳定性差漏电流(电磁噪声)大而被淘汰,现在应用的都是硅材料晶体三体管。随着电子技术的进步,由三极管分立元件构成的放大器、逻辑电路已近于绝迹,但做为执行电路的末级驱动器件,如直流继电器线圈和风扇的驱动、IGBT的末级驱动(此处三极管仅仅作为开关来应用,如控制风扇的运转、继电器的动作等)等,大部分电路仍然继续采用三极管器件。所以由三极管构成的线性放大器,已经无须多加关注,仅需关注其开关应用即可以了。其原因为,当一片四运放集成电路的价格与单只小功率三极管的价格相接近时,恐怕已经没有人再愿意用数只甚至更加庞大数量的三极管来搭接线性放大器了,从性价比、电路性能、体积等任何一点考虑,三极管都貌似是永远失掉了它的优势。 2电路示例1——原理分析 虽然如此,为了更好地理解由三极管为核心构成的放大或开关电路,我带领大家设计一款最基本的三极管偏置电路,由对此简易电路的分析,找到分析三极管电路原理的关键所在。 已知:供电电源电压Vcc=10V;三极管β=100; 要求:静态Ic=1mA;静态Vc(三极管集电极电压)=5V。可知这是一款简易单电源供电 1

(整理)三极管应用电路和基本放大电路.

三极管应用电路和基本放大电路 2G 郭标2005-11-29 三极管应用电路和基本放大电路 (1) 一、三极管三种基本组态 (2) 二、应用电路 (3) A、偏置使用 (3) B、放大电路应用 (5) 三、射频FET小信号放大器设计 (7) 1、基本概念: (7) 2、基于S-参数和圆图的分析方法 (8) 四、集成中小功率放大器 (9) 附1:容易发生自激的电路形式 (11) 附2 电路分析实例 (11)

一、三极管三种基本组态 共发 共集 共基 特点:共发-对电压电流都有放大,适合制做放大器 共集-电压跟随器 共基-电流继随器 直流工作点选取 交流小信号混和PI 型等效模型 e

二、应用电路 A 、偏置使用 1、有源滤波电路: R1 R2 特点:直流全通,交流对地呈高容性。 使用时可在b 和e 对地接大电容,增强滤波。 2、有源负载电路: Vcc 特点:直流负载很小,交流负载大,提高放大器的Rc 3、恒流源电路 独立电流源 镜像电流源 特点:较大的偏置电压变化,有较小的电流变化

4、电平控制与告警电路 特点:利用导通截至特性,控制电平可调整 5、电流补偿偏置电路 特点:补偿偏置三极管能够补偿放大管因长期工作时,gm变低导致的Ic变低而改变工作点。

特点:适用于设计低噪声、高增益、高稳定性、较低频的放大电路。选择特定的材料可以做到高频。 1、共发放大的形式: ☆发射级接电阻的: 电压放大倍数接近为Rc/Re ☆接有源负载的: 共发有源负载的作用:直流负载很小,交流负载大 以此提高Rc,增大电压放大倍数 电压和电流同时放大的形式只有共发。 2、cb和cc的放大器一般只作为辅助。电流接续和电压接续或隔离作用。 3、级联考虑: 差分放大一般在组合放大的第一级,目的不在提供增益,而是良好的输入性能,如共模抑制比,温度漂移等;(互补型)共集电路(前置隔离级)做为最后一级,可兼容不同负载。而中间级一般是为了取得较高的增益,所以采用(有源偏置的)共发放大器。 放大电路中采用恒流偏置电路提高稳定性。 互补型共集电路 互补型共集电路特点:作为隔离级,提高动态范围

三极管开关电路

三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。由下图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的 回路上。 Vcc 團1基本的三极管开关 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open)与闭合(closed)动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off) 区。 同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturati on) 。 一、三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于0.3伏特。(838 电子资源)当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为:

三极管常用应用电路

三极管常用电路 1.三极管偏置电路_固定偏置电路 如上图为三极管常用电路中的固定偏置电路:Rb的作用是用来控制晶体管的基极电路Ib,Ib称为偏流,Rb称为偏流电阻或偏置电阻.改变Rb的值,就可以改变Ib的大小.图中Rb 固定,称为固定偏置电阻. 这种电路简单,使用元件少,但是由于晶体管的热稳定性差,尽管偏置电阻Rb固定,当温度升高时,晶体管的Iceo急剧增加,使Ie也增加,导致晶体管工作点发生变化.所以只有在温度变化不大,温度稳定性不高的场合才用固定偏置电路 2.三极管偏置电路_电压负反馈偏置电路 如上图为三极管常用电路中的电压负反馈偏置电路:晶体管的基极偏置电阻接于集电极. 这个电路好象与固定偏置电路在形式上没有多大差别,然而正是这一点,恰恰起到了自动补偿工作点漂移的效果.从图中可见,当温度升高时,Ic增大,那么Ic上的压降也要增大,使得Uce下降,通过Rb,必然Ib也随之减小,Ib的减小导致Ic的减小,从而稳定了Ic,保证了

Uce基本不变. 这个过程,称为负反馈过程,这个电路就是电压负反馈偏置电路. 2.三极管偏置电路_分压式电流负反馈偏置电路 如上图为三极管常用电路中的分压式电流负反馈偏置电路:这个电路通过发射极回路串入电阻Re和基极回路由电阻R1,R2的分压关系固定基极电位以稳定工作点,称为分压式电流负反馈偏置电路.下面分析工作点稳定过程. 当温度升高,Iceo增大使Ic增加.Ie也随之增加.这时发射极电阻Re上的压降Ue=Ie*Re 也随之升高.由于基极电位Ub是固定的,晶体管发射结Ube=Ub-Ue,所以Ube必然减小,从而使Ib减小,Ic和Ie也就减小了. 这个过程与电压负反馈类似,都能起到稳定工作点的目的.但是,这个电路的反馈是Ue=Ie*Re,取决于输出电流,与输出电压无关,所以称电流负反馈. 在这个电路中,上,下基极偏置电阻R1,R2的阻值适当小些,使基极电位Ub主要由它们的分压值决定.发射极上的反馈电阻Re越大,负反馈越深,稳定性越好.不过Re太大,在电源电压不变的情况下,会使Uce下降,影响放大,所以Re要选得适当. 如果输入交流信号,也会在Re上引起压降,降低了放大器的放大倍数,为了避免这一点,Re 两端并联了一个电容Ce,起交流旁路作用. 这种电路稳定性好,所以应用很广泛. 一、采用仪表放大器还是差分放大器 尽管仪表放大器和差分放大器有很多共性,但设计过程的第一步应当是选择使用何种类型的放大器。

三极管开关电路设计详细过程

揭秘:三极管开关电路设计详细过程 电源网首页| 分类:功率开关| 2011-03-10 09:15:39 | 评论(0) 摘要:三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电... 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。由下图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上。 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。

同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturation)。 一、三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于0.3伏特。(838电子资源)当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为﹕ 因此,基极电流最少应为: 上式表出了IC和IB之间的基本关系,式中的β值代表三极管的直流电流增益,对某些三极管而言,其交流β值和直流β值之间,有着甚大的差异。欲使开关闭合,则其V in值必须够高,以送出超过或等于(式1) 式所要求的最低基极电流值。由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路,故Vin可由下式来求解﹕

三极管作为开关电路的设计及应用

第一节基本三极管开关基本电路设计 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。由下图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上, 图1 基本的三极管开关 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。 同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturation)。838电子 一、三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于0.3伏特。(838电子资源) 当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为﹕

pmos功率管开关电路设计

PMOS开关管电路设计指 南 2013/7/18 本文档的目的1)能够根据本指南进行PMOS管开关电路设计

更新说明

目录 一、NMOS管等效电路 (4) 二、公司固定传感器控制盒PMOS开关电路分析 (4)

PMOS开关管电路设计指南 一、NMOS管等效电路 A)B) 图2 NMOS管等效模型 1、驱动G极时,因为输入电容Ciss(Cgd+Cgs)的存在,要求电压变化快,i=Cdu/dt, 当G极电流大时,du/dt也大,增大开关速度。 2、根据B图,功率MOS管内部存在等效三极管,当S接地,刚上电时,三极 管会导通,且电流有可能过大,所以,最好D极有缓启动电路保护。 3、根据A图,反向寄生二极管有可能被正向或反向击穿。反向击穿有可能因为 D极部分,当电源开启时会有冲击电流,因为线上电感原因,U = Ldi/dt,导致U过大。正向击穿,可能因为S极在关电时,因为线上电感原因,造成U 过大;或者线上串入能量较大干扰电压,导致寄生二极管正向通道电流过大,烧毁寄生二极管,从而造成MOS管失效。 二、控制盒PMOS开关电路分析 1、小电流切换电路

A)B) 图3 5V激光器驱动电路和24V LED灯驱动电路 1、电路A: 1)三极管集电极电阻过大,导致开关速度不高;考虑是激光器驱动电路,正好使用这个缓启动功能。 2)MOS管损坏过,现象是能够正常开启MOS管,但不能完全关断MOS管,怀疑是MOS管寄生二极管损坏导致。 解决办法, a)更换Vds较大的MOS管(IRLML5203,Vds最大30V,而6401的Vds最大12V)b)电源处增加缓启动 c)D端增加5V TVS d)在输出端口增加电阻等措施 e)去掉输出π型滤波电路上的并接反向二极管,如有可能,在输出放置防反接二极管。 2、电路B 1)24V驱动电路,导通时Vgs过大,影响PMOS管寿命 解决办法:修改R13为10K,R11为20K,Vgs最大为-8V 2)电源上电有可能Vgs过大,在G、S极增加一个8V稳压二极管保护 3)IRF9393的最大Vds约55V,更改为IRF6217,最大Vds变为150V 4)在D极增加24V TVS 5)在输出端口增加电阻等措施 6)去掉输出π型滤波电路上的并接反向二极管,如有可能,在输出放置防反接二极管。

三极管在电路中的应用三极管的适用范围

三极管在电路中的应用三极管的适用范围三极管在电路中的应用,三极管的适用范围。三极管是我们常用电子元件的之一,我们生活中常见的电子元件有电阻、电容、电感、电位器、变压器、三极管、二极管、IC等。电子元件(Electronic component),是组成电子产品的基础。而三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三级管在电路中有哪些应用呢?三极管又有什么适用范围呢? 三极管在电路中的应用,三极管的适用范围。三极管在电路中的应用将在以下几点体现,晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。 一、三极管的电路中的工作状态 三极管的工作状态: 截至状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。 放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,

三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。 饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 二、三极管在电路中的放大作用 1)三极管工作在放大状态,即发射结正偏,集电结反偏。 2)输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电流,从而产生三极管的电流控制关系,变成集电极电流的变化。 3)输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式(输出电压或输出电流)。 三、三极管在电路中的开关控制作用 1)基极必须串接电阻,保护基极。 2)基极根据PNP或者NPN管子加上拉电阻或者下拉电阻。 3)集电极电阻阻值根据驱动电流实际情况调整。 三极管在电路中的工作状态、三极管在电路中的放大作用以及三极管在电路中的开关控制作上文已作详细说明,那三极管又有什么样的适用范围呢?三极管的种类有低频小功率三极管,高频小功率三极管,低频大功率三极管,高频大功率三极管,开关三极管等。三级管有着以下适用范围: 1.低频率小功率三极管,一般指特征频率在3MHZ以下,功率小于1W的三极管,一般作为小信号放大用。

三极管雪崩窄脉冲电路设计

三极管雪崩窄脉冲电路设计 窄脉冲发射机主要是产生经过调制后的窄脉冲并将信号从天线发射出去,其中关键的是如何产生需要的窄脉冲信号,本文在参考探地雷达脉冲和IR-UWB 产生的基础上,根据现有的和实际的情况,选择了适合的发射电路。 §1.1雪崩三极管窄脉冲产生原理 雪崩晶体三极管是可以用来产生比较高速、大功率窄脉冲的器件,它价格便宜、使用方便,因此得到广泛运用。 CEO CE I CBO 图1.1 共发射极输出特性曲线 从图1.1中可以看出,按照晶体管的工作情况,可以把共发射极接法的输出特性曲线分为四个区域:截止区、放大区、饱和区和击穿区。 当发射结反向运用,集电结也反向运用时,晶体管处于截止区。 当发射结正向运用,集电结反向运用时,晶体管处于放大区。 当发射结和集电结都处于正向运用状态时,晶体管处于饱和区。 在放大区工作时,如果将集电极和发射极间的电压CE V 增加到一定程度,就会使集电结发生雪崩击穿,雪崩击穿电压较高,一般6伏,击穿后集电极电流C I 急剧上升。下面分析晶体三极管发生雪崩效应的过程。 集电结反向偏压很大,集电结空间电荷区内电场强度达到发生雪崩倍增效应时,电流通过集电结空间电荷区,由于雪崩倍增,电流增大,因此引进倍增因子M 为电流增大的倍速,M 定义为雪崩区内集电结电流与基结电流的比值,数值上等效于雪崩区域内电流放大系数α与正常工作区域内电流放大系数0α的比值。

6 图1.2 CEO BV 测量原理电路图 图1.3 CBO BV 测量原理电路图 在基极开路的共发射极电路中,外加电压比较小而没有发生雪崩倍增情况下,电路电流关系为: 0(1) C B O C E O I I α= - (1-1) 若外加电压较高,集电结发生雪崩倍增效应,这时的电流放大系数为0M α,基区的电流为CBO MI ,电路电流关系变为: 0(1) CBO CEO MI I M α= - (1-2) 当01M α→,CEO I →∞时,晶体管发生了击穿,当0=1M α时,-C E 间所加的反向电压就是CEO BV 。 实验表明,倍增因子M 与外加反向电压V 的关系为: 1 1() m B M V V = - (1-3) 其中B V 为集电结雪崩击穿电压,对于基极开路的情况,V 近似等于CEO V ,m 为常数,与晶体管的结构和材料有关[8],具体取值如表1.1: 对于不同的m 值,应用M 值表达式可以仿真出外加电压倍增因子M 与m ,B V V 三者之间的关系,仿真图如下:

三极管开关电路工作原理解析

三极管开关电路工作原理解析 图一所示是NPN三极管的共射极电路,图二所示是它的特性曲线图,图中它有3 种工作区域:截止区(Cutoff Region)、线性区 (Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。三极管是以B 极电流IB 作为输入,操控整个三极管的工作状态。若三极管是在截止区,IB 趋近于0 (VBE 亦趋近于0),C 极与E 极间约呈断路状态,IC = 0,VCE = VCC。若三极管是在线性区,B-E 接面为顺向偏压,B-C 接面为逆向偏压,IB 的值适中 (VBE = 0.7 V), I C =h F E I B 呈比例放大,Vce = Vcc -Rc I c = V cc - Rc hFE IB可被 IB 操控。若三极管在饱和区,IB 很大,VBE = 0.8 V,VCE = 0.2 V,VBC = 0.6 V,B-C 与B-E 两接面均为正向偏压,C-E间等同于一个带有0.2 V 电位落差的通路,可得I c=( Vcc - 0.2 )/ Rc ,Ic 与 IB 无关了,因此时的IB大过线性放大区的IB 值, Ic

电子专业都应知道的_三极管应用电路

电路图中的放大电路 能够把微弱的信号放大的电路叫做放大电路或放大器。例如助听器里的关键部件就是一个放大器。 一、放大电路的用途和组成 放大器有交流放大器和直流放大器。交流放大器又可按频率分为低频、中频和高频:按输出信号强弱分成电压放大、功率放大等。此外还有用集成运算放大器和特殊晶体管作器件的放大器。它是电子电路中最复杂多变的电路。但初学者经常遇到的也只是少数几种较典型的放大电路。 读放大电路图时也还是按照“逐级分解、抓住关键、细致分析、全面综合”的原则和步骤进行。首先把整个放大电路按输入、输出逐级分开,然后逐级抓住关键进行分析弄通原理。放大电路有它本身的特点:一是有静态和动态两种工作状态,所以有时往往要画出它的直流通路和交流通路才能进行分析,二是电路往往加有负反馈,这种反馈有时在本级内,有时是从后级反馈到前级,所以在分析这一级时还要能“瞻前顾后”。在弄通每一级的原理之后就可以把整个电路串通起来进行全面综合。 下面我们介绍几种常见的放大电路。 低频电压放大器低频电压放大器是指工作频率在20赫~20千赫之间、输出要求有一定电压值而不要求很强的电流的放大器。 (1)共发射极放大电路 图1(a)是共发射极放大电路。C1是输入电容,C2是输出电容,三极管VT就是起放大作用的器件,RB是基极偏置电阻,RC是集电极负载电阻。1、3端是输入,2、3端是输出。3端是公共点,通常是接地的,也称“地”端.静态时的直流通路见图1(b),动态时交流通路见图1(c)。电路的特点是电压放大倍数从十几到一百多,输出电压的相位拥输入

电压是相反的,性能不够稳定,可用于一般场合。 (2)分压式偏置共发射极放大电路 图2比图1多用3个元件。基极电压是由RBl和RB2分压取得的,所以称为分压偏置。发射极中增加电阻RE和电容CE,CE称交流旁路电容,对交流是短路的,RE则有直流负反馈作用。所谓反馈是指把输出的变化通过某种方式送到输入端,作为输入的一部分。如果送回部分和原来的输入部分是相减的,就是负反馈。图中基极真正的输入电压是RB2上电压和RE上电压的差值,所以是负反馈。由于采取了上面两个措施,使电路工作稳定性能提高,是应用最广的放大电路。 (3)射极输出器 图3(a)是一个射极输出器。它的输出电压是从射极输出的。图3(b)是它的交流通路图,可以看到它是共集电极放大电路。这个图中,晶体管真正的输入是Vl和V。的差值,所以这是一个交流负反馈很深的电路,由于很深的负反馈,这个电路的特点是:电压放大倍数小于1而接近1,输出电压和输入电压同相输入阻抗高输出阻抗低,失真小,频带宽,

三极管开关电源的原理及其应用

三极管开关原理[2009年05月21日] 2009-05-21 22:09 图1 NPN 三极管共射极电路图2 共射极电路输出特性曲 图一所示是NPN三极管的共射极电路,图二所示是它的特性曲线图,图中它有3 种工作区域:截止区(Cutoff Region)、线性区(Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。三极管是以B 极电流IB 作为输入,操控整个三极管的工作状态。若三极管是在截止区,IB 趋近于0 (V BE亦趋近于0),

C 极与E 极间约呈断路状态,I C = 0,V CE = V CC。若三极管是在线性区,B-E 接面为顺向偏压,B-C 接面为逆向偏压,IB 的值适中(V BE = 0.7 V),I C =h F E I B呈比例放大,Vce = Vcc -Rc I c = V cc - Rc h FE I B可被I B操控。若三极管在饱和区,I B很大,V BE= 0.8 V,V CE = 0.2 V,V BC = 0.6 V,B-C 与B-E 两接面均为正向偏压,C-E间等同于一个带有0.2 V 电位落差的通路,可得I c=( Vcc - 0.2 )/ Rc,Ic与I B无关了,因此时的I B大过线性放大区的I B值,Ic

三极管开关电路设计

下面主要通过使用NPN三极管进行开关电路设计,PNP三极管的开关电路与NPN的类似。 一、三极管开关电路设计的可行性及必要性 可行性:用过三极管的人都清楚,三极管有一个特性,就是有饱和状态与截止状态,正是因为有了这两种状态,使其应用于开关电路成为可能。 必要性:假设我们在设计一个系统电路中,有些电压、信号等等需要在系统运行过程中进行切断,但是又不能通过机械式的方式切断,此时就只能通过软件方式处理,这就需要有三极管开关电路作为基础了。 二、三极管基本开关电路概述 如下(图.1)就是一个最基本的三极管开关电路,NPN的基极需连接一个基极电阻(R2)、集电极上连接一个负载电阻(R1) 首先我们要清楚当三极管的基极没有电流时候集电极也没有电流,三极管处于截止状态,即断开;当基极有电流时候将会导致集电极流过更大的放大电流,即进入饱和状态,相当于关闭。当然基极要有一个符合要求的电压输入才能确保三极管进入截止区与饱和区。

图.1 NPN基本开关电路 三、三极管开关电路设计及分析 (1)截止区、饱和区条件 1、进入截止区条件:上面提到了要使三级管进入截止区的条件是当基极没有电流时候,但是在什么情况下能达到此要求呢?对硅三极管而言,其基极跟发射极接通的正向偏压约为0.6V,因此欲使三极管截止,基极输入电压(Vin)必须低于0.6V,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了令三极管必定处于截止状态,往往使Vin值低于0.3V。当然基极输入电压愈接近0V愈能保证三极管必处于截止状态。 2、进入饱和区条件:首先集电极要接一个负载电阻R1,基极要接一个基极电阻R2,如图.1所示。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与发射极必须短路。因此必须使Vin达到足够高的电位,以驱动三极管进入饱和工作区工作。三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则Vce便接近于0,而使三极管的集电极和发射极几乎呈短路。在理想状况下,根据欧姆定律,

三极管基本电路总结

1.共射极电路:共射极的放大倍数较大,输入输出电阻也较大,适合作为多级放 大电路的输入级而不适合作为输出级.但是由于基极与集电极的结电容受密勒 效应的影响,高频特性较差,因此适用于低频功率放大. 2.共基极电路:由于共基极电路的输入电阻很小,且输出电阻较大,因此很少用 共基极电路进行放大.但是由于其基极接地,使得基极和集电极的结电容不受 密勒效应的影响,因此常用于高频放大或与集电极电路组成宽带放大电路,例 如用于视频信号放大等. 3.共集电极电路:共集电极电路的电压增益为1,常用作电压跟随器,此外,由于 其输入电阻很大,输出电阻很小,带负载能力很强,因此可用作阻抗变换及作为 多级放大电路的输出级.例如互补推挽输出级就是采用共集电极作为输出级. shuijian 发表于 2006-5-13 12:47:00 共集放大电路具有很多的优良特性,比如输入阻抗高,输出阻抗低,而且具有电压跟随特性,因此常用来作为多级放大电路的输出级,典型的应用就是在运放电路 里的互补推挽输出.下面我们来具体分析共集放大电路的中频区特性,见图: 由图可计算出电压放大倍数为:Au=(1+β)Rl'/[rbe+(1+β)Rl']≈1 其中,Rl'=R3//R4 ---------由此可以看出共集放大具有电压 跟随特性. 输入电阻ri=R1//[rbe+(1+β)Rl']

其中rbe为基-射电阻,计算方法为rbe=rbb'+(1+β)Vt/Ie (也可查手册得到,一般为1-2kohm) Vt常温取26mV ---------由上面的式子可以看出共集的输入阻抗很高 输出电阻ro=rce//[(R1+rbe)/(1+β)]≈(R1+rbe)/(1+β) --------由上面的式子可以看出共集的输出阻抗很低约几十欧到几k 这里由于采用的是固定偏置,因而比较大,如果采用分压偏置,输出阻抗会更小.另外为计算方便,这里没有考虑信号源内阻. 具体计算过程可根据中频区放大电路的微变等效电路计算. 下面是该电路的输入输出波形,从输入输出波形可以看出共集电路具有电压跟随特性. By shuijian shuijian 发表于 2006-5-12 23:36:00 三极管共基电路与共射的分析类似,只是输入输出的电压信号同相,对于参数 相同的电路,其电压增益相同.但是由于输入阻抗低,一般很少用.见图:

三极管开关电路分析

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图1 基本的三极管开关 因此,基极电流最少应为: ( 流值。由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路,故 (

为了避免混淆起见,本文所介绍的三极管开关均采用NPN三极管,当然NPN三极管亦可以被当作开关来使用,只是比较不常见罢了。 例题1 试解释出在图2的开关电路中,欲使开关闭合(三极管饱和) 所须的输入电压为何﹖并解释出此时之负载电流与基极电流值﹖ 解﹕由2式可知,在饱和状态下,所有的供电电压完全跨降于负载电阻上,因此 由方程式 (1) 可知 因此输入电压可由下式求得﹕ 图2 用三极管做为灯泡开关 由例题得知,欲利用三极管开关来控制大到1.5A的负载电流之启闭动作,只须要利用甚小的控制电压和电流即可。此外,三极管虽然流过大电流,却不须要装上散热片,因为当负载电流流过时,三极管呈饱和状态,其VCE趋近于零,所以其电流和电压相乘的功率之非常小,根本不须要散热片。 二、三极管开关与机械式开关的比较 截至目前为止,我们都假设当三极管开关导通时,其基极与射极之间是完全短路的。事实并非如此,没有任何三极管可以完全短路而使VCE=0,大多数的小信号硅质三极管在饱和时,VCE(饱和) 值约为0.2伏特,纵使是专为开关应用而设计的交换三极管,其VCE(饱和) 值顶多也只能低到0.1伏特左右,而且负载电流一高,VCE(饱和) 值还会有些许的上升现象,虽然对大多数的分析计算而言,VCE(饱和) 值可以不予考虑,但是在测试交换电路时,必须明白VCE(饱和) 值并非真的是0。 虽然VCE(饱和)的电压很小,本身微不足道,但是若将几个三极管开关串接起来,其总和的压降效应就很可观了, 不幸的是机械式的开关经常是采用串接的方式来工作的,如图3(a)所示,三极管开关无法模拟机械式开关的等效电 路(如图3(b)所示)来工作,这是三极管开关的一大缺点。表 步进电机控制工作原理 直流电机的PWM冲调速控制技术 消除按键抖动电路 伺服电机工作原理LED驱动原理

开关三极管的使用误区

在数字电路设计的中,往往需要把数字信号经过开关扩流器件来驱动一些蜂鸣器、LED、继电器等需要较大电流的器件,用得最多的开关扩流器件要数三极管。 然而在使用的过程中,如果电路设计不当,三极管无法工作在正常的开关状态,就达不到预期的目的,有时就是因为这些小小的错误而导致重新打板,导致浪费。 本人在这个方面就吃过亏,所以把自己使用三极管的一些经验以及一些常见的误区给大家分享一下,在电路设计的过程中可以减少一些不必要的麻烦。 下面来看几个三极管做开关的常用电路画法。几个例子都是蜂鸣器作为被驱动器件。 图一 图一的a 电路用的是NPN管,注意蜂鸣器接在三极管的集电极,驱动信号可以是常见的3.3V或者5VTTL,高电平开通,电阻按照经验法可以取4.7K。 例如a电路,开通时假设为高电平5V,基极电流Ib=(5V- 0.7V)/4.7K=0.9mA,可以使三极管完全饱和。b 电路用的是PNP管,同样把蜂鸣器接在三极管的集电极,不同的是驱动信号是5V的TTL电平。 以上这两个都可以正常工作,只要PWM驱动信号工作在合适的频率,蜂鸣器(有源)都会发出最大的声音。

图二 图二的这两个电路相比图一来说,最大的区别在于被驱动器件接在三极管的发射极。同样看c电路,开通时假设为高电平5V,基极电流Ib=(5V-0.7V-UL)/4.7K,其中UL为被驱动器件上的压降。 可以看到,同样取基极电阻为4.7K,流过的基极电流会比图一a电路的要小,小多少要看UL是多少。如果UL比较大,那么相应的Ib就小,很有可能导致三极管无法工作在饱和状态,使得被驱动器件无法动作。 有人会说把基极电阻减小就可以了呀,可是被驱动器件的压降是很难获知的,有些被驱动器件的压降是变动的,这样一来基极电阻就较难选择合适的值,阻值选择太大就会驱动失败,选择太小,损耗又变大。所以,在非不得已的情况下,不建议选用图二的这两种电路。 图三 我们再来看图三这两个电路。驱动信号为3.3VTTL电平,而被驱动器件开通电压需要5V。在3.3V的MCU电路中,不小心的话很容易就设计出这两种电路,而这两种电路都是错误的。

三极管开关电路工作原理分析

三极管开关电路工作原理分析 图一所示是NPN三极管的共射极电路,图二所示是它的特性曲线图,图中它有3 种工作区域:截止区(Cutoff Region)、线性区(Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。三极管是以B 极电流IB 作为输入,操控整个三极管的工作状态。若三极管是在截止区,IB 趋近于0 (VBE 亦趋近于0),C 极与E 极间约呈断路状态,IC = 0,VCE = VCC。若三极管是在线性区,B-E 接面为顺向偏压,B-C 接面为逆向偏压,IB 的值适中(VBE = 0.7 V),I C =h F E I B 呈比例放大,Vce = Vcc -Rc I c = V cc - Rc hFE IB可被IB 操控。若三极管在饱和区,IB 很大,VBE = 0.8 V,VCE = 0.2 V,VBC = 0.6 V,B-C 与B-E 两接面均为正向偏压,C-E间等同于一个带有0.2 V 电位落差的通路,可得I c=( Vcc - 0.2 )/ Rc ,Ic 与IB 无关了,因此时的IB大过线性放大区的IB 值,IchFE IB 是必然的。三极管在截止态时C-E 间如同断路,在饱和态时C-E 间如同通路(带有0.2 V 电位降),因此可以作为开关。控制此开关的是IB,也可以用VBB 作为控制的输入讯号。图三、四分别显示三极管开关的通路、断路状态,及其对应的等效电路。 图1 NPN 三极管共射极电路图2 共射极电路输出特性曲

图3、截止态如同断路线图图4、饱和态如同通路

三极管开关电路设计 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。 由下图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上, 图1 基本的三极管开关 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。 同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturation)。838电子 一、三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于 0.3伏特。 (838电子资源)当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使 Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为﹕

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