74283元件

74283元件
74283元件

? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation DS006421

https://www.360docs.net/doc/f74050797.html,

August 1986Revised March 2000

DM74LS283 4-Bit Binary Adder with Fast Carry

DM74LS283

4-Bit Binary Adder with Fast Carry

General Description

These full adders perform the addition of two 4-bit binary numbers. The sum (∑) outputs are provided for each bit and the resultant carry (C4) is obtained from the fourth bit.These adders feature full internal look ahead across all four bits. This provides the system designer with partial look-ahead performance at the economy and reduced package count of a ripple-carry implementation.

The adder logic, including the carry, is implemented in its true form meaning that the end-around carry can be accomplished without the need for logic or level inversion.Features

s Full-carry look-ahead across the four bits

s Systems achieve partial look-ahead performance with the economy of ripple carry s Typical add times

Two 8-bit words

25 ns

Two 16-bit words 45 ns

s Typical power dissipation per 4-bit adder 95 mW

Ordering Code:

Devices also available in T ape and Reel. Specify by appending the suffix letter “X” to the ordering code.

Connection Diagram

Order Number Package Number

Package Description

DM74LS283M M16A 16-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150 Narrow DM74LS283N

N16E

16-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300 Wide

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D M 74L S 283

Function Table

H

= HIGH Level, L = LOW Level

Input conditions at A1, B1, A2, B2, and C0 are used to determine outputs ∑1 and ∑2 and the value of the internal carry C2. The values at C2, A3, B3, A4, and B4 are then used to determine outputs ∑3, ∑4, and C4.

Logic Diagram

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DM74LS283

Absolute Maximum Ratings (Note 1)

Note 1: The “Absolute Maximum Ratings” are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. The device should not be operated at these limits. The parametric values defined in the Electrical Characteristics tables are not guaranteed at the absolute maximum ratings.The “Recommended Operating Conditions” table will define the conditions for actual device operation.

Recommended Operating Conditions

Electrical Characteristics

over recommended operating free air temperature range (unless otherwise noted)Note 2: All typicals are at V CC = 5V, T A = 25°C.

Note 3: Not more than one output should be shorted at a time, and the duration should not exceed one second.Note 4: I CC1 is measured with all outputs OPEN, all B inputs LOW and all other inputs at 4.5V, or all inputs at 4.5V.Note 5: I CC2 is measured with all outputs OPEN and all inputs GROUNDED.

Supply Voltage 7V Input Voltage

7V

Operating Free Air Temperature Range 0°C to +70°C Storage Temperature Range

?65°C to +150°C

Symbol Parameter

Min Nom Max Units V CC Supply Voltage

4.755

5.25

V V IH HIGH Level Input Voltage 2

V V IL LOW Level Input Voltage 0.8V I OH HIGH Level Output Current ?0.4mA I OL LOW Level Output Current 8mA T A

Free Air Operating Temperature

70

°C

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ Max Units (Note 2)

V I Input Clamp Voltage V CC = Min, I I = ?18 mA ?1.5

V V OH HIGH Level V CC = Min, I OH = Max 2.7

3.4V

Output Voltage V IL = Max, V IH = Min V OL

LOW Level V CC = Min, I OL = Max

0.350.5Output Voltage

V IL = Max, V IH = Min V

I OL = 4 mA, V CC = Min 0.25

0.4I I Input Current @ Max V CC = Max A, B 0.2mA Input Voltage V I = 7V C00.1I IH HIGH Level V CC = Max A, B 40μA Input Current V I = 2.7V C020I IL LOW Level V CC = Max

A, B ?0.8mA Input Current

V I = 0.4V C0

?0.4I OS Short Circuit Output Current V CC = Max ?20

?100mA I CC1Supply Current V CC = Max (Note 4)1934mA I CC2

Supply Current

V CC = Max (Note 5)

22

39

mA

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D M 74L S 283

Switching Characteristics

at V CC = 5V and T A = 25°C

From (Input)

R L = 2 k ?

Symbol Parameter

To (Output)

C L = 15 pF C L = 50 pF Units

Min

Max Min

Max t PLH Propagation Delay Time C0 to ∑1, ∑22428ns LOW-to-HIGH Level Output t PHL Propagation Delay Time C0 to ∑1, ∑22430ns HIGH-to-LOW Level Output t PLH Propagation Delay Time C0 to ∑32428ns LOW-to-HIGH Level Output t PHL Propagation Delay Time C0 to ∑32430ns HIGH-to-LOW Level Output t PLH Propagation Delay Time C0 to ∑42428ns LOW-to-HIGH Level Output t PHL Propagation Delay Time C0 to ∑42430ns HIGH-to-LOW Level Output t PLH Propagation Delay Time A i or B i to ∑i 2428ns LOW-to-HIGH Level Output t PHL Propagation Delay Time A i or B i to ∑i 2430ns HIGH-to-LOW Level Output t PLH Propagation Delay Time C0 to C41724ns LOW-to-HIGH Level Output t PHL Propagation Delay Time C0 to C41725ns HIGH-to-LOW Level Output t PLH Propagation Delay Time A i or B i to C41724ns LOW-to-HIGH Level Output t PHL

Propagation Delay Time A i or B i to C4

17

26

ns HIGH-to-LOW Level Output

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DM74LS283

Physical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted

16-Lead Small Outline Integrated Circuit (SOIC), JEDEC MS-012, 0.150 Narrow

Package Number M16A

https://www.360docs.net/doc/f74050797.html,

6

D M 74L S 283 4-B i t B i n a r y A d d e r w i t h F a s t C a r r y

Physical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted (Continued)

16-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300 Wide

Package Number N16E

Fairchild does not assume any responsibility for use of any circuitry described, no circuit patent licenses are implied and Fairchild reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:1.Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be rea-sonably expected to result in a significant injury to the user. 2. A critical component in any component of a life support device or system whose failure to perform can be rea-sonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.

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元器件的认识和作用

元器件的认识和作用1.电阻器 电阻无极性,但立式电阻有方向性,装插时应注意 可调电阻 .

2.电容器 基本概念:电容是由两个金属电极,中间夹一层电介质构成的电子组件. 作用:电容在电路中,可用于隔直流通交,滤波,与电感组成振荡回路.电容分类可分 三大类.1.固定电容器:电容量不能改变(纸介\云母\电解电容)2.可变电容器:在一定范围内调节(常用于调节器整电路中,如收音机的调箔器)3.微调电容器:又称为半可变或补偿电容器.固定电容又分X 电容(杂波滤出),滤波电容(滤波),谐振电容(与线盘形成振荡回路,产生交变磁场)4.电容的额定直流工作电压:是指在线路中能够长期可靠地工作而不被击穿时所能承受的最大直流电压(可以说是耐压)。就比如说:47UF/50V 的电容,它在电路中能长期工作承受直流电压为50V ,也是它的耐压为50V 。 3.电流互感器作用:检测电路中电流大小的器件,是通过互感器的电流感应出电压, 电流大那么电压也变大,从而达到控制功率的目的。凡是能产生电感作用的器件统称电感器。 4.二极管的作用:是整流,检波,稳压,开关,发光。二极管分为整流二极管,稳 压二极管,开关二极管,发光二极管。整流二极管作用是将交流转换为直流。二极管的特性是:单向导电性.怎样分别测二极管的好坏,用万用表测它的正向电阻(合格标准为400至550之间)反向电阻为几千欧,这就是锗管它的压降为0.4V锗管,硅管的正向电阻为1K欧,反向电阻在500K欧以上.压降0.6V.目前我们所用的二极管是硅管.怎样可以知道它是硅管还是锗管,用以下的方法测:用一个1.5V的干电池一端串一个电阻

电子元器件配套

电子元器件配套 万联芯城注册资金1100万元,是国内领先的电子元器件采购网。万 联芯城目前为长电科技,顺络电子,先科ST等多家知名国内上市公 司的授权代理商,卓越的企业资质可以保证优良的产品质量。为了满足广大用户的一站式配套需求,万联芯城推出了电子元器件配单服务,在网站上咨询客服即可获取元器件报价。点击进入万联芯城网站

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主要受压元件

压力容器的筒体、封头(端盖)、人孔盖、人孔法兰、人孔接管、膨胀节、开孔补强圈、设备法兰、球罐的球壳板;换热器的管板和换热管;M36以上的设备主螺栓及公称直径大于等于250mm的接管和管法兰均作为主要受压元件。 16MnR 厚度≥38 筒体H10MnSi 封头H08MnMoA 焊缝预热 焊缝后热 线能量KJ/cm ν?? ?1000 60 max max A U 3.焊接材料 3.1焊接材料包括焊条、焊丝、钢带、焊剂、气体、电极和衬垫等。 3.2焊接材料选用原则 应根据母材的化学成分、力学性能、焊接性能,并结合压力容器的特点、使用条件及焊接方法综合考虑选用焊接材料,必要时同过试验确定。 焊缝金属的性能应高于或等于相应母材标准规定值的下限或满足图样规定的技术要求。对各类刚的焊缝金属要求如下: 3.2.1相同钢号相焊的焊缝金属 3.2.1.1碳素钢、底合金钢的焊缝金属应保证力学性能,且抗拉强度不应超过母材标准规定的上限值加30MPa。耐热型钢底合金钢的焊缝金属还应保证化学成份。 注:本标准将GB150中的底合金钢按其使用性能分为强度型底合金钢、耐热性底合金钢和低温型底合金钢。 3.2.1.2高合金钢的焊接金属应保证力学性能和耐腐蚀性能。 3.2.1.3不锈钢复合层的焊缝应保证力学性能,且其抗拉强度不应超过母材标准规定的上限值加30MPa;复层的焊缝金属应保证腐蚀性能,当有力学性能要求时还应保证力学性能。 复层焊缝与基层焊缝以及复层焊缝与基层钢板的交界处宜采用过渡焊缝。 3.2.2不同钢号相焊的焊缝金属 3.2.2.1不同强度钢号的碳素钢、低合金钢之间的焊缝金属应保证力学性能,且其抗拉强度不应超过强度较高母材标准规定的上限值。 3.2.2.2奥氏体高合金钢与碳素钢或低合金钢之间的焊缝金属应保证抗裂性能和力学性能。宜采用铬、镍含量较奥氏体高合金钢母材高的焊接材料。 3.3焊接材料应有产品质量证明书,应符合相应标准的规定。施焊单位按照质量保证体系规定验收与复验,合格后方准使用。 3.4焊接材料应满足图样的技术要求,并按JB4708规定通过焊接工艺评定。

电子元件符号、作用、单位大全

电子元器件基础知识(1)——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Q、K Q、MQ表示。一、电阻的型号命名方法: 国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分:主称,用字母表示,表示产品的名字。如R表示电阻,W表示电位器。第二部分:材料,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、 N-无机实心、J-金属膜、丫-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如:R T 1 1型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识(2)――电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10A6uF=10A12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。第二部分:材料,用字母表示。第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。第四部分:序号,用数字表示。用 字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D- 铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、0-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、丫-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识(3)――电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH),1H=10A3mH=10A6uH。 电感的分类按电感形式分类:固定电感、可变电感。按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2冗fL 3、

Allegro器件封装设计

PCB零件封装的创建 孙海峰零件封装是安装半导体集成电路芯片的外壳,主要起到安装、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,它是芯片内部电路与外部电路的桥梁。随着电子技术飞速发展,集成电路封装技术也越来越先进,使得芯片内部电路越来越复杂的情况下,芯片性能不但没受影响,反而越来越强。 在Cadence软件中,设计者要将绘制好的原理图正确完整的导入PCB Editor 中,并对电路板进行布局布线,就必须首先确定原理图中每个元件符号都有相应的零件封装(PCB Footprint)。虽然软件自带强大的元件及封装库,但对于设计者而言,往往都需要设计自己的元件库和对应的零件封装库。在Cadence中主要使用Allegro Package封装编辑器来创建和编辑新的零件封装。 一、进入封装编辑器 要创建和编辑零件封装,先要进入Allegro Package封装编辑器界面,步骤如下: 1、执行“开始/Cadence/Release 16.3/PCB Editor”命令,弹出产品选择对话框,如下图, 点击Allegro PCB Design GXL即可进入PCB设计。 2、在PCB设计系统中,执行File/New将弹出New Drawing对话框如下图, 该对话框中,在Drawing Name中填入新建设计名称,并可点击后面Browse 改变设计存储路径;在Template栏中可选择所需设计模板;在Drawing Type 栏中,选择设计的类型。这里可以用以设计电路板(Board)、创建模型(Module),还可以用以创建以下各类封装: (1)封装符号(Package Symbol) 一般元件的封装符号, 后缀名为*.psm。PCB 中所有元件像电阻、电容、电感、IC 等的封装类型都是Package Symbol; (2)机械符号(Mechanical Symbol) 由板外框及螺丝孔所组成的机构符号, 后缀名为*.bsm。有时设计PCB 的外框及螺丝孔位置都是一样的, 比如显卡, 电脑主板, 每次设计PCB时要画一次板外框及确定螺丝孔位置, 显得较麻烦。这时我们可以将PCB的外框及螺丝孔建

原核表达载体的重要调控元件

原核表达载体的重要调控元件 启动子 启动子是DNA链上一段能与RNA聚合酶结合并起始RNA合成的序列,它是基因表达不可缺少的重要调控序列。没有启动子,基因就不能转录。由于细菌RNA聚合酶不能识别真核基因的启动子,因此原核表达载体所用的启动子必须是原核启动子。 原核启动子是由两段彼此分开且又高度保守的核苷酸序列组成,对mRNA的合成极为重要。在转录起始点上游5~10 bp处,有一段由6~8个碱基组成,富含A和T的区域,称为Pribnow 盒,又名TATA 盒或-10区。来源不同的启动子,Pribnow 盒的碱基顺序稍有变化。在距转录起始位点上游35 bp处,有一段由10 bp组成的区域,称为-35区。转录时大肠杆菌RNA聚合酶识别并结合启动子。-35区与RNA聚合酶s 亚基结合,-10区与RNA聚合酶的核心酶结合,在转录起始位点附近DNA被解旋形成单链,RNA聚合酶使第一和第二核苷酸形成磷酸二酯键,以后在RNA聚合酶作用下向前推进,形成新生的RNA链。 原核表达系统中通常使用的可调控的启动子有Lac(乳糖启动子)、Trp(色氨酸启动子)、Tac(乳糖和色氨酸的杂合启动子) 、lP L (l噬菌体的左向启动子)、T7噬菌体启动子等。 (1)Lac启动子:它来自大肠杆菌的乳糖操纵子,是DNA分子上一段有方向的核苷酸序列,由阻遏蛋白基因(LacI)、启动基因(P)、操纵基因(O)和编码3个与乳糖利用有关的酶的基因结构所组成。Lac启动子受分解代谢系统的正调控和阻遏物的负调控。正调控通过CAP(catabolite gene activation protein)因子和cAMP 来激活启动子,促使转录进行。负调控则是由调节基因产生LacZ阻遏蛋白,该阻遏蛋白能与操纵基因结合阻止转录。乳糖及某些类似物如IPTG可与阻遏蛋白形成复合物,使其构型改变,不能与O基因结合,从而解除这种阻遏,诱导转录发生。 (2)trp启动子:它来自大肠杆菌的色氨酸操纵子,其阻遏蛋白必须与色氨酸结合才有活性。当缺乏色氨酸时,该启动子开始转录。当色氨酸较丰富时,则停止转录。b-吲哚丙烯酸可竞争性抑制色氨酸与阻遏蛋白的结合,解除阻遏蛋白的活性,促使trp启动子转录。 (3)Tac启动子:Tac启动子是一组由Lac和trp启动子人工构建的杂合启动子,受Lac阻遏蛋白的负调节,它的启动能力比Lac和trp都强。其中Tac 1是由Trp启动子的-35区加上一个合成的46 bp DNA片段(包括Pribnow 盒)和Lac操纵基因构成,Tac 12是由Trp的启动子-35区和Lac启动子的-10区,加上Lac 操纵子中的操纵基因部分和SD序列融合而成。Tac启动子受IPTG的诱导。

常见元器件作用

断路器 断路器(英文名称:circuit-breaker,circuit breaker)是指能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流并能关合、在规定的时间内承载和开断异常回路条件下的电流的开关装置。断路器可用来分配电能,不频繁地启动异步电动机,对电源线路及电动机等实行保护,当它们发生严重的过载或者短路及欠压等故障时能自动切断电路,其功能相当于熔断器式开关与过欠热继电器等的组合。而且在分断故障电流后一般不需要变更零部件。 微型断路器 微型断路器,简称MCB (Micro Circuit Breaker ),能接通、承载以及分断正常电路条件下的电流,也能在规定的非正常电路条件下接通、承载一定时间和分断电流的一种机械开关电器。其主触点是靠手动操作或电动合闸的。主触点闭合后,自由脱扣机构将主触点锁在合闸位置上。过电流脱扣器的线圈和热脱扣器的热元件与主电路串联,欠电压脱扣器的线圈和电源并联。当电路发生短路或严重过载时,过电流脱扣器的衔铁吸合,使自由脱扣机构动作,主触点断开主电路。当电路过载时,热脱扣器的热元件发热使双金属片上弯曲,推动自由脱扣机构动作。当电路欠电压时,欠电压脱扣器的衔铁释放。也使自由脱扣机构动作。 熔断器 熔断器(fuse)是指当电流超过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后,以其自身产生的热量使熔体熔化,从而使电路断开;运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中,作为短路和过电流的保护器,是应用最普遍的保护器件之一。 接线端子排 专指:电气工程中的系列组合接线固定装置。每排接线端点数的数量是不同的,可根据工程技术参数的需要而确定其型号。电力电子配接线中,凡屏内设备与屏外设备相连接时,都要通过一些专门的接线端子,这些接线端子组合起来,便称为端子排。端子排的作用就是将屏内设备和屏外设备的线路相连接,起到信号(电流电压)传输的作用。有了端子排,使得接线美观,维护方便,在远距离线之间的联接时主要是牢靠,施工和维护方便。

电子元器件配套

电子元器件配套 电子元器件采购网 https://www.360docs.net/doc/f74050797.html, -万联芯城,专注电子元器件配单业务,所售产品均为原厂或原厂授权代理直供,拥有海量现货库存,价格优势明显,万联芯城是长电,顺络,先科ST等多家优秀原厂的指定授权代理商,货品供应全国各大终端企业,专为节省采购成本而生,欢迎客户咨询业务。点击进入万联芯城网站

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影响一些电气设备的制造。 其次,电子元器件配套的产品质量都是得到中国新CQC认证的,所以对于想要购买的商家来说,选择网上商城售卖的电子元器件产品质量一定合格。不仅如此,如果购买之后出现任何问题,商家还是包退换的,因此如果有商家想要购买的话,那么就不用担心它的质量问题。 最后,电子元器件配套产品都是合格过关的。因为商家为了在激烈的市场竞争中占据一定的优势,所以非常注重自己售卖产品的质量,不会将任何不合格的产品在网上进行售卖。所以购买电子元器件配套购买绝对放心。

霍尔元件的工作原理及结构

霍尔元件的工作原理及结构 如图1所示.—块高为1、宽为5、厚为6的半导体。存外加磁场B作用下, 当商电流J流过时.运动屯子受洛伦兹力的作用而偏向一侧,使该侧形成电子的积累,与它对义的侧面由于电了浓度下降。出现了正电荷·。这样,在两侧面间就形 成了—‘个电场。运动 电子在受洛伦兹力的同时,又受电场力的作用.最后当这两力作用相等时,电子的积累达到动态平衡,这时两侧之间建立电场,称霍尔电场民,相应的电压称霍尔电压uEI。上述这种现象称霍尔效应。经分析推导得霍尔电压 式中M—半导体单位体积中的载流子数; ‘—一电子电量; K M——程尔元件灵饭度,J(M一1/MrJ。 二·、霍尔元件的材料及结构特点 根报雀尔效应原理做成的器件贴片钽电容叫做程尔元件。霍尔元件—般采用具有N 型的锗、锑化钥 和砷化钢等十导体单品材料制成。锑化铜元件的输出较大.促受温度的影响也较大。铬元件 的输小虽小,但它的温度性能和线性度却比较好。砷化姻元件的输出信号没有锑化姻元件大, 但是受温度的影响印比锑化姻的要小,而且线性度也较好。因此,以砷化钡为霍尔元件的材料

得到曾遏放用。 霍尔元件结构很简单、是‘种半导体凹端薄片,它由霍尔片、引线和壳体组成。霍尔片的相对两侧对称地焊上两对电极引出线,如图10—2(a)所示。其小,一对(altj端)称为激励电流 端25外一对(c、J端)称为霍尔电势输出端,引线焊接处要求接触电阻小,而量呈现纯电阻件 质(欧姆接触)。霍尔片—般用非磁件金届、陶瓷或环氧树脂封装。 (一)输入电阻R, 霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值,队儿欧到几百欧,视不问型 号的元件而定。温度升高,输入电钽电容阻变小,从而使输入电流变大,最终引起猩尔屯势变化。 为广减少这种影响,最好采用恒流源作为激励源。 (二)输出电阻只。 两个留尔屯势输出端之间的电阻称为输出电阻,它的数值与输入电阻属同一数量级,它也 随温度改变而改变。选择适当的负载电阻RL与之匹配,uJ以使出温度引起霍尔电势的漂移减 至最小。 (三)最大激励电流JM 由于霍尔电势随激励电流增大而沼大,故在应用中总希望选用较大的激励电流,但激励电 流增大.霍尔元件的功耗增大,元件的温度升高,从而引起霍尔电势的温漂增大,因此每种型号 的元件均规定丁相应的最大激励电流,它的数值为几毫安至几百毫安。 (曰)R敏曰xH

各元器件符号及作用

精心整理 电子元器件基础知识(1)——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R 表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法: 国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分:主称?,用字母表示,表示产品的名字。如R 表示电阻,W 表示电位器。第二部分:材料?,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频?、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种, 能量转换, ?表示。?H-V-云母纸、Y- 。 ?绕线结构? 电感线圈的主要特性参数?1、电感量L?电感量L 表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。?2、感抗XL?电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL ,单位是欧姆。它与电感量L 和交流电频率f 的关系为XL=2πfL?3、品质因素Q?品质因素Q 是表示线圈质量的一个物理量,Q 为感抗XL 与其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R?线圈的Q 值愈高,回路的损耗愈小。线圈的Q 值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q 值通常为几十到几百。?4、分布电容?线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q 值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好。

元器件焊盘设计

元器件焊盘设计 PCB的元器件焊盘设计是一个重点,最终产品的质量都在于焊点的质量。因此,焊盘设计是否科学合理,至关重要。 对于同一个元件,凡是对称使用的焊盘(如片状电阻、电容、SOIC、QFP等),设计时应严格保持其全面的对称性,即焊盘图形的形状与尺寸应完全一致。以保证焊料熔融时,作用于元器件上所有焊点的表面张力(也称为润湿力)能保持平衡(即其合力为零),以利于形成理想的焊点。 以下分类讲一下不同类型元器件的焊盘设计要求: 一、片式(Chip)元件焊盘设计应掌握以下关键要素 对称性:两端焊盘必须对称,才能保证熔融焊锡表面张力平衡;对于小尺寸的元件0603、0402、0201等,两端融焊锡表面张力的不平衡,很容易引起元件形成“立碑”的缺陷。 焊盘间距:确保元件端头或引脚与焊盘恰当的搭接尺寸;

焊盘剩余尺寸:搭接后的剩余尺寸必须保证焊点能够形成弯月面; 焊盘宽度:应与元件端头或引脚的宽度基本一致。 A :焊盘宽度 B :焊盘长度 G :焊盘间距 S :焊盘剩余尺寸 在实际生产中,最常见到0402元件焊盘设计不合理,造成缺陷比较多,在这里,给大家一个0402元件的优选焊盘设计方案,这个方案在生产实际中效果比较好,缺陷率极低。 0402优选焊盘各项参数及焊盘图形: A=0.7-0.71 B=0.38 G=0.52 S=0.14 焊盘的两端可以设计成半园形,焊接后的焊点比较饱满。 二、SOP及QFP设计原则: 1、焊盘中心距等于引脚中心距;

2、单个引脚焊盘设计的一般原则 Y=T+b1+b2=1.5~2mm (b1=0.3~1.0mm b2=0.3~0.7mm) X=1~1.2W 3、相对两排焊盘内侧距离按下式计算(单位mm) G=F-K 式中:G—两排焊盘之间距离, F—元器件壳体封装尺寸, K—系数,一般取0.25mm, SOP 包括QFP的焊盘设计中,需要注意的就是上面第2条中的b1和b2两个参数。良好的焊点可以看下面的图,在这个图里,前面称为的焊点的脚趾,后面称为焊点的脚跟,一个合格的焊点,必须包含这两部分,缺一不可,而且焊点的强度也是靠这两个部位来保证的,尤其是脚跟部位。在一些设计不良的案例中,或者是b2太短,或者b1太短,导致的结果就是无法形成合格的焊点。 三、BGA的焊盘设计原则 1、PCB上的每个焊盘的中心与BGA底部相对应的焊球中心相吻合;

常用元器件封装(重要)

常用元器件封装— 电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等 79系列有7905,7912,7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46) 电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4 瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1 电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管:DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 发光二极管:RB.1/.2 集成块:DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系,但封装尺寸与功率有关通常来说如下: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的文章概念因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再

原理图元件库的设计步骤(精)

原理图元件库的设计步骤 一. 了解欲绘制的原理图元件的结构 1. 该单片机实际包含40只引脚,图中只出现了38只, 有两只引脚被隐藏,即电源VCC(Pin40和GND(Pin20。 2. 电气符号包含了引脚名和引脚编号两种基本信息。 3. 部分引脚包含引脚电气类型信息(第12脚、第13脚、第32至第39脚。 4. 除了第18脚和第19脚垂直放置,其余水平放置。由于VCC及GND隐藏,所以放置方式可以任意。 5. 一些引脚的名称带有上划线及斜线,应正确标识。

二. 新建集成元件库及电气符号库 1. 在D盘新建一个文件夹D:/student 2. 建立一个工程文件,选择File/New/Project/Integrated Library,如:Dong自制元件库.LibPkg 3. 新建一个电气符号库,选择File/New/Library/Schematic Library,如:Dong自制元件库.SchLib 4. 追加原理图元件 在左侧的SCH Library标签中,点击库元件列表框(第一个窗口下的Add(追加按钮,弹出New Component Name对话框,追加一个原理图元件,输入8051并确认,8051随即被添加到元件列表框中。 三. 绘制原理图元件 1. 绘制矩形元件体 矩形框的左上角定位在原点,则矩形框的右下脚应位于(130,-250。 注意:图纸设置中各Grids都设为10mil。 2. 放置引脚 (1P0.0~P0.7的放置及属性设置 单击实用工具面板的引脚放置工具图标,并按Tab键,系统弹出【引脚属性】对话框: 【Display Name显示名称】文本框中输入“P0.0”; 【Designator标识符】文本框中输入“39”;

集成电路中的器件结构

第3章集成电路中的器件结构 3.1 电学隔离的必要性和方法 第2章中给出了二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的截面剖图(见图2—14、图2—19和图2—31)。图中显示了这些器件的主要特征,但这种结构不能直接用于集成电路之中,在集成电路中它们的结构要复杂得多。 一块集成电路中含有百万以至千万个二极管、晶体管以及电阻、电容等元件,而且它们都是做在一个硅芯片上,即共有同一个硅片衬底。因此,如果不把它们在电学上一一隔离起来,那么各个元器件就会通过半导体衬底相互影响和干扰,以至整个芯片无法正常工作,这是集成电路设计和制造时首先要考虑的问题。为此要引入隔离技术,然后在隔离的基础上根据电路要求把相关的各元器件端口连接起来,以实现电路的功能。 在现代集成电路技术中,通常采用以下两种电学隔离方法:①通过反向PN结进行隔离;②采用氧化物(二氧化硅)加以隔离。这两种方法能较好地实现直流隔离,其缺点是都会增加芯片面积并引入附加的电容。 现以MOS管为例说明反向PN结的隔离作用。如在一个硅片衬底上有两个N沟 MOS管,其结构与PN结的隔离作用见图3~1。 图3一l PN结隔离作用 在每个N沟MOS管的源与衬底之间加一负偏压或将两者直接短路后接地,就可防止电流流向衬底。同时由于两管的漏端总是处于正电压,漏与衬底结处于反向,沟道与衬底之间也形成一反向结,因此两个MOS管之间在电学上也就被隔离。 这是MOS场效应晶体管在结构上的一个固有优点,即可以利用MOS管本身的PN结实现隔离而不需增加新的PN结。 对于双极型晶体管常采用氧化物隔离方法,即在形成三极管区域的四周构筑一隔离环,该隔离环为二氧化硅绝缘体,因而集成电路中的各个三极管之间,以及各三极管与其他元件(如电阻、电容等)之间是完全电隔离的。氧化物隔离的示意图见图3—2。图中有两个三极管,每个三极管四周被二氧化硅所包围,因而这两个三极管在电学上完全被隔离,其横截面图将示于3.3节中的图3—5。 3.2二极管的结构 用于集成电路中的二极管,其制作步骤和实际结构示于图3—3。

电子元器件配套

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------电子元器件包括:电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。 按产品可划分为:分立器件、光电器件、传感器和集成电路四类,其中集成电路为电子元器件核心产品,份额占80%左右,集成电路产品分为模拟芯片、微处理器、逻辑芯片和存储器。 从主要地区元器件规模来看,我国元器件领跑全球,占比高达到33.8%,美国、欧洲、日本、其他环太平洋区域分别占22%、9.2%、8.5%和26.5%。 随着大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业技术快速发展,不同应用需求如:全球工业4.0、智能穿戴设备、智能家电、智能网联汽车、智能机器人、智慧医疗、农田水利、市政建筑等数以万亿计的新设备将接入网络,这些应用正在爆发性增长并将形成海量数据,促进生产生活和社会管理方式进一步智能化、网络化、精细化,将持续推动电子元器件配套强劲的需求,全球产业将迎来新一轮机遇。 当前在电子元器件配套环节明显的问题是大批量产能与多样化小批量需求之间存在矛盾,整体供需链呈现一个巨型的金字塔结构。因此,应运而生了类似深铭易购的电子元器件网上商城,解决多样化和小批量需求问题,进一步打通上下游供需平衡。 深铭易购一站式电子元件采购BOM配单,专注原装现货电子元器件,提供:IC芯片、二三极管、连接器、传感器、电容、电阻、光电耦合、LED发光管、开关插座等元器件,广泛应用工程科研、通讯、电脑、家电、消防、电机控制、节能、工控等领域,目前有3千多平方米库,现货5万种,取得20多家品牌,200多国内外优质资源,是值得信赖的电子元器件网上商城。

机身结构元件的设计与布置汇总

6.2 机身结构元件的设计与布置 本节主要介绍半硬壳机身结构元件的布置与设计。半硬壳式机身尺寸最大、受力也最严重的结构件是由蒙皮和桁条(或桁梁)组成的壁板构成的加筋筒状盒段结构。它承受几乎所有的总体内力——垂直平面和水平面内的弯矩、剪力以及机身的扭矩、轴力(如发动机推力);还有外部气动压力、内部增压座舱压力等所引起的一切载荷。盒段内以一定的间隔配置机身隔框,以防机身压屈并维持其剖面形状。除蒙皮或桁条(或桁梁)破坏外,这类加筋筒状盒段结构还有三种可能的失稳失效形式: (1)蒙皮失稳。薄蒙皮在较低的压应力和剪应力下就会出现屈曲。如果设计要求规定蒙皮在受载时不能屈曲,那么蒙皮必须较厚,或布置较密的桁条,这有可能导致结构效串降低.机身的舱内增压能使蒙皮失稳问题有一定的改善。考虑到蒙皮屈曲后仍能以张力场形式承受、传递剪切载荷<此时机身结构内的应力会重新分配),因此在某些情况下设汁规范规定,低于百分之几十的限制裁荷(即使用载荷)或极限载荷(即设计载荷)下才不允许出现屈曲。但应注意到蒙皮以张力场梁受剪时,桁条和框缘条会有附加的轴向载荷和弯曲载荷. (2)壁板失稳。这是指两框之间的一段壁板(蒙皮和桁条组成的加筋板)失稳。该段壁板的长度即框距. (3)总体失稳。它所造成的破坏超出两个或两个以上隔框间距。一般半硬壳式机身不允许出现总体失稳。当壁板出现失稳时,各隔框的刚度可

以支持住长桁,但当框的刚度不足时,就会发生总体失稳破坏。此时增加桁条效果不大,而增加框的刚度却可产生较大影响.以下对机身的典型结构元件设计作一介绍,对于桁条和桁梁剖面形状的确定等与机翼相似,不再赘述。 一、机身蒙皮设计 机身蒙皮是机身盒段结构中的重要受力元件,其重量约占机身结构重量的25%~30%。它承受并传递机身中的剪力Qy,Qz和扭矩Mx的剪流。在桁条式机身中,蒙皮较厚时它还承受一部分弯矩引起的轴向力。旅客机气密增压座舱部位的蒙皮还承受内外压力差造成的周向(环向)和轴 向的张应力。因此,机身蒙皮上的载荷一般是多种应力的组合.但由于机身剖面尺寸大,所以相对载荷较小,其厚度一般比机翼蒙皮薄。机身蒙皮的设计和布置包括以下内容:确定材料、厚度,合理的分块和厚度分布以及损伤容限设计措施。机身蒙皮材料一般采用铝合金。对损伤容限设计的关键件、危险部位应采用断裂、疲劳性能好的材料,如I.Y12,2024—T4等.对于Ma>3的飞机,在受热影响较大的部位采用钛合金或不锈钢板材。在某些情况下,也有用厚铝板经化学铣切等方法直接加工成带纵、横筋条的整体壁板,如歼—8飞机的中机身上壁扳(又是受力口盖).蒙皮厚度首先要考虑载荷的大小。由于一般机身中部受力大,两端受力小,故中部的蒙皮比两端的厚。但设计时必须同时考虑工艺制造、供货来源、生产成本等因素,通常不可能完全按载荷分布做成任意厚度或分成很多小块:小块蒙皮不但会增加连接工艺上的困难和工作量,还

电路主要元件的作用及原理

第一章:基本元件 第一节电阻器 电阻,英文名resistance,通常缩写为R,它是导体的一种基本性质,与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律说,I=U/R,那么R=U/I,电阻的基本单位是欧姆,用希腊字母“Ω”表示,有这样的定义:导体上加上一伏特电压时,产生一安培电流所对应的阻值。电阻的主要职能就是阻碍电流流过。事实上,“电阻”说的是一种性质,而通常在电子产品中所指的电阻,是指电阻器这样一种元件。师傅对徒弟说:“找一个100欧的电阻来!”,指的就是一个“电阻值”为100欧姆的电阻器,欧姆常简称为欧。表示电阻阻值的常用单位还有千欧(kΩ),兆欧(MΩ)。 一、电阻器的种类 电阻器的种类有很多,通常分为三大类:固定电阻,可变电阻,特种电阻。在电子产品中,以固定电阻应用最多。而固定电阻以其制造材料又可分为好多类,但 常用、常见的有RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻,还有近年来开始广泛应用的片状电阻。型号命名很有规律,R代表电阻,T-碳膜,J-金属,X-线绕,是拼音的第一个字母。在国产老式的电子产品中,常可以看到外表涂覆绿漆的电阻,那就是RT型的。而红颜色的电阻,是RJ型的。一般老式 电子产品中,以绿色的电阻居多。为什么呢?这涉及到产品成本的问题,因为金属膜电阻虽然精度高、温度特性好,但制造成本也高,而碳膜电阻特别价廉,而且能满足民用产品要求。 电阻器当然也有功率之分。常见的是1/8瓦的“色环碳膜电阻”,它是电子产品和电子制作中用的最多的。当然在一些微型产品中,会用到1/16瓦的电阻,它 的个头小多了。再者就是微型片状电阻,它是贴片元件家族的一员,以前多见于进口微型产品中,现在电子爱好者也可以买到了(做无线窃听器?) 二、电阻器的标识 这些直接标注的电阻,在新买来的时候,很容易识别规格。可是在装配电子产品的时候,必须考虑到为以后检修的方便,把标注面朝向易于看到的地方。所以在弯脚的时候,要特别注意。在手工装配时,多这一道工序,不是什么大问题,但是自动生产线上的机器没有那么聪明。而且,电阻器元件越做越小,直接标注的 标记难以看清。因此,国际上惯用“色环标注法”。事实上,“色环电阻”占据着

电子元器件配套知识大全(二)(爱因迪生)

电子元器件配套知识大全(二) ——爱因迪生《常用电子元器件实战知识讲座》系列 4、电子元件、器件、元器件、零件 电子元件、器件、元器件、零件在一般的应用场合是可以混用的,不作区分。在少数场合,会把元件和器件区分开来。但是区分的标准越来越模糊。有时把半导体之类的元器件称为“器件”,而把普通电阻电容等元器件称为“元件”。还有的人把IC称为“器件”,而把分立元器件和电阻电容等元器件称为“元件”。我建议不要刻意去区分,意义不大。 元器件当然就是元件和器件的统称。有时元器件又会称为零件。 电子元器件是电子产品中最小单位,它具有完整性、独立性、不可分割性,是电子产品中的基本单元。 5、有源器件、无源器件,主动元件、被动元件 有源器件又称为主动元件,无源器件又称为被动元件。 区分有源器件和无源器件,从它们的概念本身不好区分,这里给出一个最简单的区分方法:看该器件建立起的等效电路模型中是否含有电源。等效电路模型中有电源的就是有源器件,否则是无源器件。 有源器件包括三极管、场效应管、可控硅、IGBT、IC等。注意二极管属于无源器件。电阻、电容、电感、变压器、电磁继电器、开关、接插件、电机、扬声器、蜂鸣器等属于无源器件。 晶振分无源晶振和有源晶振。有源晶振是晶振内部包含了IC等有源元件。固态继电器里面也包含MOS管等有源器件,所以也属有源器件。 6、安规元件与安规认证 有些元件,因为有安全要求,所以必须是经过安规认证的才能使用,这些元件又称为安规元件。比如X电容,保险丝等。 最权威的安规认证是UL(美国)认证。另外还有CE(欧盟)、VDE(德国)、CCC(中国)等认证。很多电子产品整机本身也有安规认证要求,而这些整机所用的与安规有关的元件也必须是有安规认证的。 如果元器件厂家声明他们的元器件通过了某个安规认证,那么可以向其索取证书,另外也可以索要到认证号之后在对应的认证机构网上进行查询。比如UL认证可以上https://www.360docs.net/doc/f74050797.html,网站查询。 7、表面安装元器件、表面安装技术 表面安装元器件现在已经成为了元器件的主流封装形式。其主要特点是其引脚或焊端制作在同一平面内,适用于表面安装。其中,表面安装元件(surface mounted components)简称为SMC,表面安装器件(surface mounted devices)简称为SMD。就像上面介绍的那样,元件器件有时会混用,所以有时把SMC和SMD相互混称。 表面安装元器件同时还可以称为表贴元件、贴装元件。片状电阻等是因为本身是片状的,所以又称为片状元件,或贴片元件。 与表面安装元器件相对的是插装元器件,但是现在插装元器件越来越多地被表面安装元器件取代。表面安装元器件的优点是体积小、重量轻、成本低、而且易于实现自动化安装技术。当然还有其他一些优点,比如无引线或引线短,降低了寄生电感和寄生电容的影响,提高了其高频特性。 表面安装(组装、贴装)技术,是指无需对印制板钻插装孔,直接将表面安装元

集成电路中的器件结构

第3章 集成电路中的器件结构 3.1 电学隔离的必要性和方法 第2章中给出了二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的截面剖图(见图2—14、图2—19和图2—31)。图中显示了这些器件的主要特征,但这种结构不能直接用于集成电路之中,在集成电路中它们的结构要复杂得多。 一块集成电路中含有百万以至千万个二极管、晶体管以及电阻、电容等元件,而且它们都是做在一个硅芯片上,即共有同一个硅片衬底。因此,如果不把它们在电学上一一隔离起来,那么各个元器件就会通过半导体衬底相互影响和干扰,以至整个芯片无法正常工作,这是集成电路设计和制造时首先要考虑的问题。为此要引入隔离技术,然后在隔离的基础上根据电路要求把相关的各元器件端口连接起来,以实现电路的功能。 在现代集成电路技术中,通常采用以下两种电学隔离方法:①通过反向PN结进行隔离;②采用氧化物(二氧化硅)加以隔离。这两种方法能较好地实现直流隔离,其缺点是都会增加芯片面积并引入附加的电容。 现以MOS管为例说明反向PN结的隔离作用。如在一个硅片衬底上有两个N沟 MOS管,其结构与PN结的隔离作用见图3~1。 图3一l PN结隔离作用 在每个N沟MOS管的源与衬底之间加一负偏压或将两者直接短路后接地,就可防止电流流向衬底。同时由于两管的漏端总是处于正电压,漏与衬底结处于反向,沟道与衬底之间也形成一反向结,因此两个MOS管之间在电学上也就被隔离。 这是MOS场效应晶体管在结构上的一个固有优点,即可以利用MOS管本身的PN结实现隔离而不需增加新的PN结。 对于双极型晶体管常采用氧化物隔离方法,即在形成三极管区域的四周构筑一隔离环,该隔离环为二氧化硅绝缘体,因而集成电路中的各个三极管之间,以及各三极管与其他元件(如电阻、电容等)之间是完全电隔离的。氧化物隔离的示意图见图3—2。图中有两个三极管,每个三极管四周被二氧化硅所包围,因而这两个三极管在电学上完全被隔离,其横截面图将示于3.3节中的图3—5。 3.2二极管的结构 用于集成电路中的二极管,其制作步骤和实际结构示于图3—3。

电气元件辅件装配工艺

电气元件辅件装配工艺 1、适用围 本守则制定了本厂所生产的高、低压成套开关设备等电器成套设备的装配工艺,使其符合有关工艺规定和要求,以求产品质量达到技术标准。 2、相关工艺标准 铜、(铝)母线制作、安装工艺守则 主、辅电路配线工艺守则 3、工具设备 3.1手枪钻、电钻 3.2麻花钻头 3.3丝锥 3.4木榔头。 3.5活动扳手 3.6套筒扳手 3.7死扳手 3.8螺丝刀(包括十字口与平口) 3.9铰手 3.10锉刀(板锉、半圆锉、圆锉)。 3.11卷尺: 3.12直角尺(划线用)。 4工艺准备 4.1安装前首先熟悉一次方案图与装配图和技术要求,详细阅读所安装的元(配)件使用说明及安装

要求。 4.2按设计技术规检查核实柜体和配套的电器元(配)件型号、名称、规格是否符合要求,是否具有出厂合格证和检验报告。 4.3检查柜体规格和质量,前后门的灵活性、开启角度是否大于90度,门缝是否符合要求,表面喷塑是否有损伤,装配所需要的安装板、安装梁等是否适合柜架(箱壳)规格。 4.4检查各电器元(配)件外观,如有碰伤、破损、锈蚀、规格不符合、无生产许可证的一律不准安装,若型号、规格需代用的必须办理代用手续。 4.5准备好所需的附件(如线夹、母线柜、绝缘子、标签框、端子板、视察窗等)及各种所需的紧固件(螺钉、螺母、平垫、弹簧垫圈等)。 5工艺过程 5.1固定式低压开关设备的装配工艺过程。 5.1.1根据一次方案图装配规表,将所需配套元器件按照各台设备的要求堆放于各有关框架或附近。 5.1.2如需装配前后门、仪表门的橡胶密封条、门锁和视察框,应按装配要求进行,门锁安装应调整至门的晃动小于2毫米,否则再进行调整达到要求。 5.1.3将应安装元(配)件的各类条(板)、横梁、柜壳按尺寸要求和安装位置牢固的固定于柜体上,并注意配妥接地垫圈和接地螺钉及接地标志。 5.1.4按装配图要求安装于面板或门等位置的仪表、指示灯、按钮、刀开关手柄、转换开关、标签框等按规定部位安装准确,要求间距均匀、横向水平、纵向垂直,力求整齐美观,不得出现歪斜现象,调整完毕后逐个将螺母紧固。 5.1.5柜所有电器元(配)件、刀开关、短路器、接触器、互感器、熔断器等应牢固的固定在柜架或安装支架上,不允许悬挂在其他配件上,如面板上电器元(配)件的二次接线因柜所装电器元(配)件的安装而影响接线工作,应先将部分接线工作完成后在进行安装。 5.1.6电器元(配)件安装后,进行一次母线和二次行线制作和安装工作。

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