半导体器件分析仪 (B1500A)

技术

概述B1500A 半导体器件分析仪

加快基本的电流-电压（IV ）和电容-电压（CV ）测量以及业界领先的超快速 IV 器件表征

脉冲 IV 测量

（IV ）和电容-电压（CV ）表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。此外，B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块，适应不断变化的测量需求。

综合解决方案满足您的所有器件表征需求

B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中，可精确快速地进行器件表征。它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。它能够执行从基本的电流 - 电压Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件，可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行，支持高效和可重复的器件表征。B1500A 拥有几百种即时可用的测量（应

用测试）

，为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和测试。

关键特性

优势

精密电压和电流测量

（0.5 μV 和 0.1 fA 分辨率）

–低电压和小电流的精确表征。

用于多频率（1 kHz 至 5 MHz ）电容测量（CV 、C-f 和 C-t ）与电流/电压（IV ）测量切换的高精度和低成本解决方案。 –无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率

（使用 SCUU 时最小为 1 fA ，使用 ASU 时最小为 0.1 fA ）– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出

超快速 IV 测量，

100 ns 脉冲和 5 ns 采样率

–捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用

–缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式

–交互式地开发测试，并即时查看器件特征

–无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证（MCSMU 提供示波器视图）

功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理

–自动分析测量数据，无需使用外部 PC

– 自动存储测量数据和测试条件，日后快速调用此信息

让所有人都变成器件表征专家

EasyEXPERT group+ 使器件表征变得像 1、2、3 计算一样简单

B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件包括 300 多种可以即时使用的应用测试，您只需简单的 3 步便可进行测量。B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件配有应用测试库，能够帮助您加速对半导体器件、电子材料、有源/无源元器件以及许多其他类型电子器件进行表征。右表中列出了部分可用应用测试的实例。

类型应用测试

CMOS 晶体管Id-Vg 、Id-Vd 、Vth 、击穿、电容、QSCV 等

双极晶体管（BJT ）Ic-Vc 、二极管、Gummel 曲线图、击穿、三极管、电容等分立器件Id-Vg 、Id-Vd 、Ic-Vc 、二极管等存储器Vth 、电容、耐久性测试等功率器件脉冲 Id-Vg 、脉冲 Id-Vd 、击穿等纳米器件电阻、Id-Vg 、Id-Vd 、Ic-Vc 等

可靠性测试

NBTI/PBTI 、电荷泵、电迁移、热载子注入、恒增电压（V-Ramp ）、恒增电流（J-Ramp ）、TDDB 等

第 1 步

从配备的应用测试库之一选择测量。

第 2 步

根据需要修改测量参数。

（注：可将定制的测试保存到“My favorite ”设置中）

第 3 步

按下测量按钮，启动测量。屏幕上将会自动显示图形和数值测量结果、数据分析和参数提取结果。

应用测试模式

应用测试模式提供了应用式的、通过点击操作的测试设置和执行。您可以从应用测试库中按照器件类型和指定测量选择应用测试。

EasyEXPERT group+ 软件的 GUI 界面直观易用，方便用户进行器件表征

B1500A 平台包括宽大的 15 英寸触摸屏、嵌入式 Windows 10 操作系统、内置 SSD 和 DVD 驱动器以及 GPIB 、USB 和 LAN 接口

传统测试模式

传统测试模式提供功能式的测试设置和执行方式，外观和风格与4155/4156 类似。

宽大的 15 英寸触摸屏

快速测试模式

快速测试模式使您无需编程即可执行测试排序。您只需点击几下鼠标，便可选择、复制、重排和剪切复制应用测试，生成自动测试序列。

追踪仪测试模式

追踪仪测试模式提供直观和交互式的扫描控制能力，使用类似于曲线追踪仪的旋钮进行控制。在追踪仪测试模式中创建的测试设置可在瞬间平稳地切换到传统测试模式。控制追踪仪测试的旋钮

连接键盘、鼠标或闪存 I/O 的

USB 端口

可定制和扩展的 IV 、CV 和超快速 IV

测量能力可满足几乎所有测试需求

B1525A HV-SPGU

B1514A MCSMU B1520A MFCMU B1511B MPSMU

B1517A HRSMU

B1510A HPSMU B1530A WGFMU LAN 、USB 、外部触发

输入/输出以及数字 I/O 端口

内置接地单元（GNDU ）

GPIB 端口

测试范围

支持的模块

主要技术指标

主要特性

直流和脉冲 IV 测量

B1510A 大功率源表模块（HPSMU ）

–高达 200 V/1 A

–最小分辨率 10 fA/2 μV –最小 100 μs 采样（时域）测量 –最小脉宽 500 μs ，100 μs 分辨率 –准静态电容电压（QSCV ）测量，具有泄漏电流补偿

–4 象限工作 –Kelvin （4 线）连接

–点测量、扫描测量和其他功能

B1511B 中等功率源表模块（MPSMU ）

–高达 100 V/0.1 A

–最小分辨率 10 fA/0.5 μV

–ASU 选件用于 0.1 fA 和 IV/CV 切换B1517A 高分辨率源表模块（HRSMU ）

–高达 100 V/0.1 A

–最小分辨率 1 fA/0.5 μV

–ASU 选件用于 0.1 fA 和 IV/CV 切换B1514A 50 μs 脉冲中等电流源表模块（MCSMU ） –高达 30 V/1 A （0.1 A 直流）

–最小脉宽 50 μs ，2 μs 分辨率

–示波器视图支持精确的脉冲测量

电容测量

B1520A 多频率电容测量单元（MFCMU ） –频率范围为 1 kHz 至 5 MHz

–S MU 和 SCUU 提供 25 V 内置直流偏置和 100 V 直流偏置 –交流阻抗测量（C-V 、C-f 、C-t ）

–使用自动切换通过 SCUU 轻松、快速、精确地进行 IV 和 CV 测量

超快速脉冲和瞬态 IV 测量

B1530A 波形发生器/快速测量单元（WGFMU ） – 用于波形生成的 10 ns 可编程分辨率

–200 MSa/s 同时高速测量 –10 V 峰峰值输出

–无负载线效应；使用 SMU 技术进行精确的脉冲 IV 测量

–支持 NBTI/PBTI 、RTN 等先进应用

脉冲生成B1525A 高电压半导体脉冲

发生器单元（HV-SPGU ） –高达 ±40 V 高电压输出 –能够在每个通道上生成二电平和三电平脉冲和任意波形

–适用于非易失性存储器测试

超快速脉冲高 k/SOI 测试

B1542A 10 ns 脉冲 IV 参数测试解决方案

– 最小选通脉宽 10 ns ，上升和下降时间为 2 ns –1 μs 电流测量分辨率

–精确的 Id-Vd 和 Id-Vg 测量 –在直流测量和脉冲测量之间轻松切换VGA 视频输出端口

绝对电流/电压测量增强您的测量信心

B1500A SMU 支持轻松和精确的 IV 测量

多种功能增强 SMU 能力

B1500A SMU 具有多种通用测量功能。它们既可进行基础的单点测量，又能执行高达 10,001 点的扫描测量。它们还能生成最窄 50 μs 的电压和电流脉冲，并每隔 100 μs 测量数量随时间的变化。此外，B1500A SMU 可输出和测量高达 200 V 和 1 A 的电压和电流，并能够以 0.5 μV 和 0.1 fA 的分辨率测量电压和电流。其他先进特性（例如快速自动调整量程和大电容负载稳定化）可进一步帮助改善性能。B1500A 支持多种 SMU ，可以非常容易地混合和匹配不同类型的 SMU ，满足广泛的测试需求。B1500A 的 SMU 可满足几乎所有的器件和材料测试要求。

卓越的 0.1 fA 测量与 IV-CV 无缝切换能力完美结合

B1500A 的 MPSMU 和 HRSMU 本身分别提供 10 fA 和 1 fA 的测量分辨率。然而，如果您需要更出色的小电流测量性能，可以将两者之一与自动传感和开关单元（ASU ）结合使用，这样测量分辨率可以达到 0.1 fA 。ASU 提供了额外的优势，使用户能够在 SMU 测量与通过可用 BNC 输入进行的测量之间切换。ASU 的 BNC 输入可与 B1500A 的 MF-CMU 模块一起使用，进行低成本 CV-IV 切换（需要 2 个 SMU 与 ASU 一起使

用），也可与其他外部仪器配合使用。

源表模块

时间采样测量

SMU Force

反馈

共模

源表模块（SMU ）将用于 IV 测量的所有必要资源都整合到紧凑型模块中。这些包括电流源、电压源、电流表和电压表，以及在这些功能之间轻松切换的能力。这些功能的紧密整合使 B1500A SMU 具有极高的性能水平，电流测量分辨率可达到亚 pA 级。此外，SMU 拥有内部反馈机制，因此可保持精确、稳定的输出；还拥有一致性（极限线）特性，可保护器件不会因为电压过高或电

流过大而受损。所有 B1500A SMU 都支持通过三轴连接与有源接地相连，进行小电流测量；并支持 4 线（Kelvin ）力和传感连接，进行低电阻测量和全部 4 象限操作。

MPSMU

HRSMU

配有 ASU 的 MPSMU/HRSMU

ASU 选件

全方位的电容测量解决方案

测量 1 kHz 至 5 MHz 的 C-V、C-f 和 C-t

B1500A 可支持多频率电容测量单元（MFCMU）。MFCMU 能够执行半导体器件测试所必需的全部电容测量，包括电容与电压（C-V）、电容与频率（C-f）以及电容与时间（C-t）测量。MFCMU 具有极宽的频率测量范围（1 kHz 至 5 MHz）和最高 1 MHz 分辨率。MFCMU 还可提供高达 25 V 的直流测量偏置。

具有泄漏补偿能力的精确准静态 CV（QSCV）测量

表征 MOSFET 准静态 CV（QSCV）响应的能力对于了解它在重要反转区域中的特性至关重要，因为高频 CV（HFCV）测量无法提供这方面的信息。B1500A 可与其 HPSMU、MPSMU 和 HRSMU 配合，支持 QSCV 测量功能，无需使用任何额外的硬件。QSCV 功能可对栅极泄漏电流进行补偿，并执行偏置校准，消除测量结果中的寄生电容。

在精确的 CV 和 IV 测量之间完

美切换

由于 CV 和 IV 测量采用的电缆连接方式

不同，手动切换这两种测量可能非常麻烦

和耗时。为解决这个问题，B1500A 可选

配 SMU CMU 统一单元（SCUU）和保护

开关单元（GSWU），在不影响性能的条

件下在 CV 和 IV 测量之间流畅切换。虽

然 GSWU 是选件，不过它可以在电容测

量期间使保护端短路，从而稳定电缆电

感并改善电容测量精度。SCUU 还配有内

置直流偏置装置，使连接的 SMU 可用作

MFCMU 的偏置源，进行直流偏置高达

100 V 的电容测量。这些功能使您只需使

用一台仪器便可快速执行 HFCV 和 QSCV

测量。

高频 CV 曲线

单台仪器可执行高频 CV 和准静态 CV 测量

SCUU 方框图

可满足先进脉冲测量需求的多种选件

广泛的脉冲测量解决方案

脉冲测量在器件表征中的作用变得越来越重要。虽然形成这种趋势的原因非常复杂，但是引发新器件物理问题的两大变化 — 器件体积日益缩小和器件制造使用的材料种类越来越多 — 是最主要的因素。为了解决这些挑战，B1500A 利用 SMU 和专用脉冲发生器模块选件提供了广泛的脉冲测量解决方案。这些解决方案使您能够灵活地选择 B1500A 配置，既可以满足您的电流脉冲测量需求，又可以根据未来测试需求的变化进行升级。

最短 500 μs 的 SMU 脉冲提供经济高效的时基测量

基础型 B 1500A S M U （M P S M U 、 HPSMU 和 HRSMU ）具有脉冲和时间采样测量能力。硬件内置的固有计时电路可确保生成最小脉宽 500 μs 的精确和可重复的脉冲。这些 SMU 还能够以 100 μs 的间隔执行精确的时间采样测量。

MCSMU 支持 50 μs 脉冲和更大瞬态功率

50 μs 脉冲中等电流 SMU （MCSMU ）经过专门设计，可更快地执行脉冲 IV 测量。在脉冲模式中，它可以输出比 HPSMU 更大的瞬态功率（1 A ，30 V ），创建最小脉宽 50 μs 的电流或电压脉冲（是 HPSMU 、MPSMU 或 HRSMU 的十分之一）。此外，MCSMU 支持 EasyEXPERT group+ 的示波器视图，使您可以通过 B1500A 前面板监测多个电

MCSMU 生成的 50 μs 脉冲波形

压和电流波形（最小 2 μs 采样间隔）。这一功能使您可以轻而易举地优化脉冲测量计时，生成有效的 Id- Vg 和 Id-Vd 电流。

50 μs

脉宽

10 ns

100 ns 1 us 10 us 100 us 1 ms 10 ms 100 ms 1 s 10 s

更高效的脉冲输出可改善先进存储器和器件表征

HV-SPGU 提供±40 V 输出，并支持生成

3 电平脉冲，用于非易失性存储器测试

高电压半导体脉冲发生器单元（HV-SPGU）可（对开路负

载）输出高达±40 V 的脉冲，因此是闪存测试等应用的选择。

此外，在脉冲生成单元（PGU）模式中，HV-SPGU 通道可输出

2 电平或

3 电平脉冲，用于对复杂的闪存单元进行测试。这些

功能使 HV-SPGU 成为用于先进非易失性存储器（NVM）器件

表征的脉冲发生器。

EasyEXPERT group+ HV-SPGU GUI 使创建任

意波形变得轻松无比

除了 PGU 模式外，HV-SPGU 还支持任意线性波形发生器

（ALWG）模式，可生成更复杂的波形。EasyEXPERT group+

GUI 为 HV-SPGU ALWG 模式提供了非常方便的使用界面，使

创建复杂波形变得轻而易举。您可以通过直观的图形界面（或

使用类似电子表格的表格指定波形点）来创建波形。

写入/擦除耐用性测试时间缩短 15 倍

非易失性存储器必须接受耐久性测试，但这往往需要很长时间

才能得到结果。B1500A 的 HV-SPGU 模块支持多种特性，可将

写入/擦除耐用性测试时间缩短 15 倍（相对于 4155/4156）。

HV-SPGU 模块之所以能够实现如此显著的性能改善，得益于其

具有多种先进特性，例如更短的脉冲周期；三电平脉冲生成；

使用固态继电器实现开路输出状态；以及使用16440A SMU/脉

冲发生器选择器选件进行更快切换等。

WGFMU 模块实现传统仪器前所未能的超快速脉冲测量

功能强大的波形发生器/快速测量单元（WGFMU ）支持先进的超快速脉冲和瞬态测量

为了了解先进下一代器件的特性，很多时候必须要进行超快速脉冲和瞬态 IV 表征。虽然这些器件的动态特性可以通过结合使用多种设备（例如脉冲发生器、示波器和并联电阻）来测量，但是受到仪器测量精度、电缆连接的复杂程度以及并联电阻的误差补偿等因素的影响，获得有效的数据非常困难。Keysight B1500A 的 WGFMU 模块能够生成任意波形（脉宽最小为 100 ns ），并能以 5 ns （200 MSa/s ）的采样率同时测量电压或电流，因此可以轻松应对这些测量挑战。另外， WGFMU 模块在快速 IV 模式中可以执行超快速电压或电流测量，无需在测量路径中插入 50 Ω 串联电阻（就像 SMU 一样）。这些特性使 WGFMU 模块成为执行超快速 NBTI/PBTI 、随机电报信号噪声（RTN ）测量以及其他超快速脉冲和瞬态 IV 测量的选择。

WGFMU 提供没有负载线路效应的脉冲和瞬态测量

传统的脉冲发生器具有 50 Ω 的输出阻抗，可能产生多余的特征。如果加上被测器件的阻抗，这个 50 Ω 输出阻抗有可能形成分压器，进而影响到输入到被测器件的实际电压。虽然可以在被测器件阻抗固定下来后对这个负载线路效应进行适当的补偿，但是如果被测器件的阻抗是动态或可变的，那么补偿是不可能实现的。因此，以脉冲发生器为基础的解决方案无法精确测量特征不断变化的器件的脉冲或瞬态响应，例如 MOSFET Id-Vg 扫描和非易失性/电阻性存储器单元。而 WGFMU 模块的快速 IV 模式是以 SMU 为基础的，因此能够进行准确的脉冲和瞬态 IV 测量，而不会引入任何负载线路效应。此外，WGFMU 模块包括动态反馈电路，可确保输出电压与其编程值匹配（就像 SMU 一样）。WGFMU 模块还具有动态量程选择能力，可优化对于整个波形输出的测量分辨率。综合上述所有原因，以 SMU 为基础设计的 WGFMU 模块能够执行精确、快速的脉冲和瞬态 IV 测量，甚至对特征不断变化的器件也能测量。

50 ? 负载线路对 Id-Vg 测量的影响（使用 PG 的传统解决方案）

WGFMU 模块的高速 SMU 技术可消除负载线路效应

WGFMU

负载线路效应导致 Vd 下降

B1500A 克服先进器件表征的挑战

超快速 NBTI/PBT

MOSFET 阈值电压（Vth ）在高栅极偏置和高温条件下的下降是影响先进半导体器件可靠性的关键问题。测量负偏置温度不稳定度（NBTI ）和正偏置温度不稳定度（PBTI ）两种现象，必须使用极快速的测量设备，因为一旦取消极限条件，下降的 Vth 会非常迅速地恢复。实际上，您必须在取消极限条件后 1 μs 至 100 μs 的时间范围内开始测量，以避免动态恢复效应。Keysight B1500A 为 BTI 测试提供了两种解决方案：一种是使用 SMU 的高速测量方案，采样间隔长达 100 μs ；另一种是使用 WGFMU 的超快速方法，可在不到 1 μs 的时间内启动测量。

随机电报信号噪声（RTN ）

随机电报信号噪声（RTN ）现象通常可能导致 MOSFET 的漏极电流发生波动。通常认为，它是两个或多个不连续电流之间的随机转换，主要是由电子俘获和释放导致的。虽然 RTN 长期以来都是 CMOS 图像传感器制造商最关注的问题，但随着器件体积的缩小，它得到了所有半导体器件制造商越来越明显的重视，因为它已经开始影响到 SRAM 单元的稳定度。WGFMU 模块具有小于 0.1 mV （rms ）的本底噪声、5 ns 采样间隔和 400 万点数据缓冲区，是测量 RTN 的理想工具。这些能力使 WGFMU 模块能够在 1 Hz 以下到几 MHz 的频率范围内测量 RTN 。

1 μs 超快速 BTI 测量

随机电报信号噪声（RTN ）测量

IV 扫描（100 μs ）

极限频率 [Hz]

频域 [1MSa/s]

时间 [s]

时域 [100 kSa/s]

功率谱密度 [A ^2/H z ]

随机电报信号噪声（RTN）（续）

另外，使用 WGFMU 和 E4727E3 WaferPro Express WGFMU 测量软件套件许可证能够以低成本提供晶圆上自动 RTN 测量系统。

E4727E3 的关键特性

–自动执行 RTN 和 1/f 噪声测量和数据分析

–晶圆映射

–多重数据叠加显示

–系统本底噪声显示和数据剪裁

用于高 k/SOI 器件表征的超快速 10 ns 脉冲

由高 k 栅介质材料构成或采用绝缘硅（SOI）技术制成的 MOSFET 由于存在电子俘获和自热效应，必须使用极快速（最小 10 ns）脉冲测量方法进行测量。Keysight B1542A 10 ns 脉冲 IV 参数测试解决方案专门设计用于表征由高 k 栅介质材料构成或采用绝缘硅（SOI）技术制成的 MOSFET 的 Id-Vg 和 Id-Vd。

这款综合解决方案能够以最小 10 ns（2 ns 上升和下降时间）的脉宽执行脉冲 Id-Vg 和 Id-Vd 测量。

应用测试模式提供广泛的预定义测试库

应用测试模式提供了操作方便、面向任务的点击式测试设置和执行。用户可以按照器件类型和/或指定的测量从配备的应用测试库中选择应用测试，根据需要修改默认的输入参数，然后执行测试。修改后的测试设置可存储到“My Favorite ”列表中，以便日后快速执行该测试。用户还可以使用 EasyEXPERT group+ 内置的图形编程环境对应用测试进行全面修改。

传统测试模式提供全方位的硬件控制以及类似 4155/56 的外观和风格

传统测试模式可使用 B1500A 的完整硬件能力。它的界面外观和风格与 4155/4156 的前面板界面相似，术语也保持一致。另外，它还可充分利用 EasyEXPERT group+ 的 Windows 操作系统的功能，实际上对 4155/4156 的用户界面做出了进一步的改进。

自动图形显示、分析和参数提取能力可提高效率

EasyEXPERT group+ 支持功能强大的数据显示、分析和算术运算功能，帮助实现自动数据分析和参数提取。它能够实时执行预定义数据分析和参数提取，使您可以立即查看测量结果，无需在测量完成后进行数据处理。此外，图形和数值结果可以自动保存到任何连接的远程存储设备中。

保护数据，用于交互式测量和自动测量

EasyEXPERT group+ 支持通过多种方法确保测量数据的完整性。它支持多个工作区域（可以是公共的或私人的），能够非常简便地管理数据和应用测试。它还能够备份工作区并将其导出到其他计算机中。在工作区中，您可以选择自动数据记录，这样不仅可以保存测量数据，还保存测量设置条件，并改善器件表征的可重复性。您可在以后轻松调用测量设置和数据，重新进行测量。您还可以手动或自动地将测量数据导出到 TXT 、CSV 等格式的文件中，使用外部 PC 进行进一步分析。

应用测试模式传统测试模式

数据显示

EasyEXPERT group+ 可轻松收集、处理和组织参数测量数据

快速优化陌生器件的测试条件

追踪仪测试使用旋钮控制实时

曲线追踪，可加速器件表征

追踪仪测试模式采用类似于模拟曲线追

踪仪的旋钮，提供直观和交互式的扫描

控制。与曲线追踪仪相似，您可以进

行单向扫描（适用于研发器件分析），

也可以双向扫描（适用于故障分析应

用）。另外，在追踪仪测试模式中创建

的测试设置可快速传输到传统测试模式

中，并使用传统测试模式的自动分析工

具进行改进。

在不使用外部示波器的条件下

验证脉冲测量结果

在 B1500A 前面板上，示波器视图（可在

追踪仪测试模式中与 MCSMU 模块配合

使用）可显示测得的电流和电压数据随

时间的变化。示波器视图可以显示在任

何用户指定点上的脉冲波形计时以及扫

描测量结果。脉冲波形在单独的窗口中

出现，以便进行测量计时验证。此功能

对验证波形、优化计时参数、调试脉冲

测量非常有用。

游标

可监测指定步进的波形。

游标读数值

扫描测量计时窗口

优化开关矩阵、晶圆探头和 IC-CAP 的使用

EasyEXPERT group+ 提供

便利的开关矩阵控制

开关矩阵经常与参数分析仪配合使用，

提供更灵活的连通性。EasyEXPERT

group+ 特此支持直观的 GUI，便于您控

制 Keysight B2200A、B2201A 和 E5250A

开关矩阵。它不仅无需进行编程，还有

助于实现自动测试。

使用半自动晶圆探头进行的

自动测试

采用 GUI 的快速测试模式使您无需编

程即可按顺序执行测试。您只需点击鼠

标，便可选择、复制、重排和剪切复制

应用测试。在选定和排好测试顺序后，

点击测量按钮即可开始运行自动测试序

列。您可以结合使用晶圆探头控制和快

速测试模式，对晶圆进行多种测试。如

果您使用了开关矩阵，那么也可以自动

调用开关码型。支持所有常用的半自动

晶圆探头，另外您也可以创建自己的晶

圆探头驱动程序。

支持 Keysight IC-CAP MDM

文件转换

Keysight IC-CAP 作为非常流行的器件

建模软件解决方案，一直为 B1500A 提

供支持。然而，B1500A 现在支持 MDM

文件转换器工具，可将 EasyEXPERT

group+ 数据转换为 IC-CAP 兼容的

MDM 文件格式。因此，IC-CAP 用户

在执行器件建模表征时，可以充分利用

EasyEXPERT group+ 的强大功能。

灵活的 B1500A 远程控制和网络选件

利用交互式创建的应用测试进行远程测试

EasyEXPERT group+ 局域网远程控制功能支持您选择编程语言对分析仪所配有的几百种应用测试进行编程，实现自动测试。 B1500A 能够提高您的测试效率的参数分析仪，它支持您通过交互方式修改和创建应用测试，然后远程运行这些测试。B1500A FLEX 命令集优化速度和效率

如果您更希望直接控制 B1500A 的硬件资源，那么可以使用B1500A 的 FLEX 命令集。您可以通过 GPIB 接口使用任意编程语言运行 FLEX 命令。另外，由于 B1500A 的前面板不是在 FLEX 命令的控制下进行更新，所以可以实现极快的测量速度。

现有 Keysight 4155/4156 硬件和测量装置的使用

您可以使用 EasyEXPERT group+ 软件通过计算机上的 GPIB 接口控制4155/4156（B 或 C 版本）。这样既可以获得 Windows 环境的灵活性和数据传输能力，又可以利用 4155/4156 的测量资源。此外，4155/4156 设置文件转换器工具可将 4155/4156 MES 和 DAT 文件转换为等效的传统模式测试。这些能力对于混搭使用新型 B1500A 和老款 4155/4156 设备的实验室来说尤其有用。从实验室到办公室，充分发挥这款分析仪的测量和分析功能的强大优势

EasyEXPERT group+ 可以安装在您的计算机上，充当您的个人分析仪。由于它可以通过 USB-GPIB 接口连接到仪器，因此非常便于携带，可以无缝地在办公室执行离线任务或在实验室中执行在线测量。它无需靠近仪器就能正常运行，并可以在办公室中借助计算机外设（例如宽广的显示屏、USB、SSD 以及 Excel 等软件）完成大部分任务，从而显著提

升了工作效率。

LAN GPIB

是德科技精密电流-电压分析仪系列和功率器件分析仪系列

功率半导体器件在我国的发展现状

功率半导体器件在我国的发展现状 MOSFET是由P极、N极、G栅极、S源极和D漏级组成。它的导通跟阻断都由电压控制，电流可以双向流过，其优点是开关速度很高，通常在几十纳秒到几百纳秒，开关损耗小，适用于各类开关电源。但它也有缺点，那就是在高压环境下压降很高，随着电压的上升，电阻变大，传导损耗很高。随着电子电力领域的发展，IGBT出现了。它是由BJT和MOS组成的复合式半导体，兼具二者的优点，都是通过电压驱动进行导通的。IGBT克服了MOS的缺点，拥有高输入阻抗和低导通压降的特点。因此，其广泛应用于开关电源、电车、交流电机等领域。如今，各个行业的发展几乎电子化，对功率半导体器件的需求越来越大，不过现在功率半导体器件主要由欧美国家和地区提供。我国又是全球需求量最大的国家，自给率仅有10%，严重依赖进口。功率半导体器件的生产制造要求特别严格，需要具备完整的晶圆厂、芯片制造厂、封装厂等产业链环节。国内企业的技术跟资金条件暂时还无法满足。从市场格局来看，全球功率半导体市场中，海外龙头企业占据主导地位。我国功率半导体器件的生产制造还需要付出很大的努力。制造功率半导体器件有着严格的要求，每一道工序都需要精心控制。最后的成品仍需要经过专业仪器的测试才能上市。这也是为半导体器件生产厂家降低生产成本，提高经济效益的体现。没有经过测试的半导体器件一旦哪方面不及格，则需要重新返工制造，将会增加了企业的生产成本。

深圳威宇佳公司是国内知名的功率半导体检测专家，专门生产制造简便易用、高精度的设备，让操作人员轻松上手操作，省力更省心。如生产的IGBT动态参数测试设备、PIM&单管IGBT 专用动态设备、IGBT静态参数测试设备、功率半导体测试平台等，均是经过经验丰富的技术人员精心打磨出来的，设备高可靠性、高效率，已在市场上应用超过10年，历经了超过500万只模块/DBC的测试考验。

B1500A 半导体器件分析仪主机

B1500A 半导体器件分析仪主机/EasyEXPERT 软件主要特性与技术指标测量功能 ?在0.1 fA - 1 A / 0.5 μV - 200 V 范围内执行精确的电流-电压（IV）测量，支持点测量、扫描测量、采样和脉冲测量 ?在1 kHz 至5 MHz 频率范围内执行交流电容测量，支持准静态电容-电压（QS-CV）测量 ?先进的脉冲IV 测量和超快IV 测量，最低采样间隔为5 ns（200 MSa/s） ?高达40 V 的高压脉势，适用于非易失存储器测试 ?测量模块可升级至10 插槽配置工作环境（包含EasyEXPERT） ?EasyEXPERT 软件（链接至EasyEXPERT）在嵌入式Windows 7 中运行 ?数百种测量程序库在需要时即可使用（应用测试） ?15 英寸触摸屏支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测 ?自动数据记录功能支持测试数据和测试条件的恢复，可使您轻松地进行探测 ?利用曲线追踪（旋钮操作）和自动记录特性来实现实时交互表征 ?利用便捷的在线/离线测试环境完成测试开发与分析（台式EasyEXPERT），从而最大限度地发挥仪器效用描述 Agilent B1500A 半导体器件分析仪是一款用于器件表征的综合解决方案。它支持IV、CV、脉冲IV 及快速IV 测量，可对器件、材料、半导体、有源/无源元件以及任意电气器件进行各种电气表征和评测。模块化结构可使您根据测试需求随时把仪器升级到10 插槽配置。嵌入式Windows 7 和功能强大的EasyEXPERT 软件借助先进的图形用户界面（GUI），可让您执行高效、数据可恢复的器件表征。Agilent B1500A 是唯一一款能够适应多种测量需要的参数分析仪，具备极高的测量可靠性和易于使用的测试环境，可实现高效、数据可恢复的器件表征。 Agilent EasyEXPERT 是一款基于图形用户界面的必备软件，在B1500A 嵌入式Windows?7 中运行。它支持所有类型的参数测试，从基本的IV 和CV 扫描到超快速IV 和脉冲IV 测量等等。数百种即用型程序库（应用测试）可使您非常轻松地立即开始进行复杂测量。仪器的全部操作通过15 英寸触摸屏、简单的键盘和鼠标操作来实现。EasyEXPERT 软件还提供高效测试环境，支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测。测试条件和测量数据可以自动保存到工作区内，使您毫不费力地完成器件表征。 EasyEXPERT 主要特性： ?支持所有类型的参数测试，从基本的IV 和CV 扫描到超快速IV 和脉冲IV 测量等等

半导体器件参数(精)

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二）姓名：单位：职务：得分：一、填空题（每题1分，共20分）： 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻结到环境的热阻

动态电阻本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---

15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压）、正向压降（正向直流电压） △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV 履行职责交流输入电压最大输出平均电压

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代，并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势 1.硅单晶材料硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展，还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料，也就是半导体/氧化物/绝缘体之意，这种材料在空间得到了广泛的应用。总之，从提高集成电路的成品率，降低成本来看的话，增大硅单晶的直径，仍然是一个大趋势；因为，只有材料的直径增大，电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律，每隔18个月它的集成度就翻一番，它的价格就掉一半，价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上，工艺加工条件相同，但出的芯片数量则不同；所以说，增大硅的直径，仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的

盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_中标190924

招标投标企业报告盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司

本报告于 2019年9月24日生成您所看到的报告内容为截至该时间点该公司的数据快照目录 1. 基本信息：工商信息 2. 招投标情况：中标/投标数量、中标/投标情况、中标/投标行业分布、参与投标的甲方排名、合作甲方排名 3. 股东及出资信息 4. 风险信息：经营异常、股权出资、动产抵押、税务信息、行政处罚 5. 企业信息：工程人员、企业资质 * 敬启者：本报告内容是中国比地招标网接收您的委托，查询公开信息所得结果。中国比地招标网不对该查询结果的全面、准确、真实性负责。本报告应仅为您的决策提供参考。

一、基本信息 1. 工商信息企业名称：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司统一社会信用代码：91330200MA2AHN2244工商注册号：/组织机构代码：MA2AHN224 法定代表人：项习飞成立日期：2018-03-22 企业类型：有限责任公司(中外合资)经营状态：存续注册资本：2000万美元注册地址：浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村营业期限：2018-03-22 至 2068-03-21 营业范围：二手半导体设备及配件的翻新、改造、安装、维护、销售；半导体设备的研发、生产、销售；半导体生产及研发设备的技术服务；自营或代理货物和技术的进出口，但国家限制经营或禁止进出口的货物和技术除外；半导体相关的功能材料、器件、配件及相关产品的技术开发、生产、销售和咨询。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）联系电话：*********** 二、招投标分析 2.1 中标/投标数量企业中标/投标数：个（数据统计时间：2017年至报告生成时间） 6

半导体材料的发展现状与趋势

的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，

phase11半导体热阻分析仪

Phase 11 Phase10半导体热阻分析仪米力光 MICOFORCE 一、Analysis Tech Phase11 Phase10概述半导体热分析仪Semiconductor Thermal Analyzer热阻测试仪, 由美国Analysis Tech Inc公司的PHASE10 PHASE11 热阻测试仪电子封装器件，符合美军标和JEDEC标准. Analysis Tech Inc.成立于1983年，坐落于波士顿北部，是电子封装器件可靠性测试的国际设计，制造公司。他的创始人是John W.Sofia，美国麻省理工的博士，并且是提出焊点可靠性,热阻分析和热导率理论的专家. 发表了很多关于焊点可靠性,热阻分析和热导率论文. Analysis Tech Inc.在美国有独的实验室提供技术支持.。热阻分析仪Phase 11主要用于二极管、三极管、线性调压器、可控硅、LED、MOSFET、MESFET、IGBT、IC等分立功率器件的热阻测试和分析。二、Analysis Tech Phase 11 Phase10工作原理及测试过程 Phase 11采用油浴法测定热敏参数校正曲线。在通以感应电流结还没有明显产生热量时，如果给定足够的时间，结温和壳温将达到热平衡，壳温非常接近结温。将热电偶直接连接到器件表面采集数据时，油浴将充分保证器件的温度稳定并且使热电偶采集的温度等于感应结温。在这个环节中，感应电流大小的选择是很重要的。感应电流过大，会导致结温明显变化；感应电流过小，会导致正向压降值测量误差较大。Phase 11 感应电流的可选范围是0.1mA~50mA，完全符合JEDEC标准。在加热器件的过程中，Phase 11 采用了脉冲加热方式，如下图所示：

公路工程试验检测仪器设备校准指南

公路工程试验检测仪器设备校准指南常用非强检设备校准方法目录 1.4 电动击实仪校准方法（JTJZ 01-04） (2) 1.7 CBR试验装置校准方法（JTJZ 01－07） (4) 2.8容量筒校准方法（JTJZ 02-08） (6) 3.1透气比表面积仪校准方法（JTJZ 03-01） (8) 3.2水泥负压筛析仪校准方法（JTJZ 03-02） (10) 3.4量水器校准方法（JTJZ 03-04） (12) 3.6雷氏夹校准方法（JTJZ 03－06） (15) 3.13坍落度测定仪校准方法（JTJZ 03-13） (17) 3.16水泥混凝土抗渗仪校准方法（JTJZ 03-16） (19) 3.18水泥砂浆分层度仪校准方法（JTJZ 03-18） (22) 3.19水泥混凝土试模、砂浆试模校准方法（JTJZ 03-19） (24) 5.1 灌砂筒校准方法（JTJZ 05-01） (27) 5.6玻璃器皿校准方法（JTJZ 05-06） (29) 游标卡尺：最大量程不小于200 mm，分度值0.02 mm。钢直尺：量程不少于500 mm，分度值1 mm。塞尺：0.02~2 mm。电子天平：量程不小于2000g，感量为0.01g。电子天平：量程不小于5000g，感量为1g。电子天平：量程不小于15kg，感量为1g。

分析天平：量程不小于100g，感量为0.0001g。电子秤或磅秤：量程不小于50kg，感量为5g。 1.4 电动击实仪校准方法（JTJZ 01-04） 1 适用范围本方法适用于电动击实仪的校准，参照《土工击实仪检定规程》[JJG（交通）058－2004]编制。 2 技术要求 2.1 仪器应带有名牌（包括仪器名称、型号规格、出厂编号、出厂日期、制造厂等）、合格证、使用说明书。 3 校准项目 3.1 外观检查。 3.2 击实锤质量。 3.3 击实锤落高。 3.4 击实锤锤头直径。 3.5 击实锤体的侧母线与击实筒内壁的间隙。 3.6 击实筒几何尺寸。 4 校准环境及校准器具 4.1 校准环境：环境温度为（25±10）℃，相对湿度不大于85%，校准现场应洁净，周围无影响结果的振动、污染、腐蚀性气体。 4.2 校准器具： 4.2.1 电子天平：量程不小于5000g，感量为1g。 4.2.2 钢直尺：量程不小于500mm，分度值为1mm。 4.2.3 游标卡尺：最大量程不小于200 mm，分度值0.02 mm。 4.2.4 塞尺：0.02~2 mm。 5 校准方法 5.1 外观检查：按本方法2.1条要求对仪器的外观进行检查。

2019年半导体分立器件行业发展研究

2019年半导体分立器件行业发展研究（一）半导体行业基本情况 1、半导体概况（1）半导体的概念半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。（2）半导体行业分类按照制造技术的不同，半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对

信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示：

在分立器件发展过程中，20 世纪50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET 发展起来；20 世纪80 年代后期，沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时

试验检测仪器设备一览表资料

试验检测仪器设备一览表第页共页序号公司控制仪器设备编号设备名称型号规格生产厂家生产日期量程或规格编号仪器设备负责人数量备注 1 S1 微机控制电液伺服万能试验机 WAW-30 0B 浙江辰鑫机械设备有限公司2014-3-15 一级精度140301 2 S2 微机控制压力试验机 W AW-1000 B 浙江辰鑫机械设备有限公司2010-01 最大负荷1000KN 20101 3 S3 连续式标点机LB-40 浙江上虞市道墟实达试验仪器厂 2006-06 1CM 1949 4 S4 微机控制压力试验机YAW-200 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-10 最大负荷2000KN 131005 5 S5 微机控制压力试验机YAW-300 D 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-09 最大负荷300KN 130908 6 S6 标准养护恒温恒湿控制仪BYSF-40 浙江华南仪器设备有限公司2013-11 131115 7 S7 砼振实台试验机ZHJ100 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-11 50±3HZ 131101 8 S8 强制式单卧混凝土搅拌机SJD-60 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-11 最大进料70L 最大出料60L 131101 9 S9 混凝土贯入阻力仪ZC-1A浙江上虞市新光仪器设备厂2013-11 20-1500牛 1牛 1301

序号公司控制仪器设备编号设备名称型号规格生产厂家生产日期量程或规格编号仪器设备负责人数量备注 10 S10 卧轴式砂浆搅拌机SJZ15 上海上迈电子仪器有限公司2011-01 最大进料22L 最大出料15L 030 11 S11 自动调压砼抗渗仪HS-4S 上海英松工矿设备仪器有限公司 2011-03 10mm 1156 12 S12 电热恒温干燥箱101-4A 上海天缘试验仪器厂2000-05 温度范围10℃-300℃222 13 S13 水压直读式含气量测定仪CA-3 上海路达实验仪器有限公司2009-05 含气量≤8％2736 14 S14 砂浆稠度仪SZ-145天津建工仪器厂2011-8 14.5CM 0051 15 S15 集料筛200 上虞市道墟冲压筛具厂2012/5 111 16 S16 震击式标准振筛机ZBSX92 A 浙江省上虞市胜飞试验机械厂 2001-07 摆动次数221min-1 112 17 S17 洛杉矶磨耗机MH-II 绍兴市上虞区道墟建筑机械厂 2014-7 30-33rpm 0903 18 S18 加速磨光机JM-III 沐阳县华通高速公路仪器有限公司 2009-06 320±5转090611 19 S19 针片状规准仪国标河北虹宇仪器2009-6 000 20 S20 压碎值仪北方检测仪器厂 2002-8 21 S21 细集料流动时间测定仪BES-1 上虞市探矿仪器厂2009-05 2128

半导体器件工艺基础知识

半导体基础知识和半导体器件工艺第一章半导体基础知识　通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞

半导体物理与器件基础知识

9金属半导体与半导体异质结一、肖特基势垒二极管欧姆接触：通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。金属与半导体接触时，在未接触时，半导体的费米能级高于金属的费米能级，接触后，半导体的电子流向金属，使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。在金属与半导体接触处，场强达到最大值，由于金属中场强为零，所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。影响肖特基势垒高度的非理想因素：肖特基效应的影响，即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图：电流——电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流，而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线：反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较：1.反向饱和电流密度（同上），有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件，加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。二、金属-半导体的欧姆接触附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图三、异质结：两种不同的半导体形成一个结小结：1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势垒高度降低，电子很容易从半导体流向金属，称为热电子发射。 2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，因此达到相同电流时，肖特基二极管所需的反偏电压要低。 10双极型晶体管双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结，两个结很近所以之间可以互相作用。之所以成为双极型晶体管，是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。一、工作原理附npn型和pnp型的结构图发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低附常规npn截面图造成实际结构复杂的原因是：1.各端点引线要做在表面上，为了降低半导体的电阻，必须要有重掺杂的N+型掩埋层。2.一片半导体材料上要做很多的双极型晶体管，各自必须隔离，应为不是所有的集电极都是同一个电位。通常情况下，BE结是正偏的，BC结是反偏的。称为正向有源。附图：由于发射结正偏，电子就从发射区越过发射结注入到基区。BC结反偏，所以在BC结边界，理想情况下少子电子浓度为零。附基区中电子浓度示意图：电子浓度梯度表明，从发射区注入的电子会越过基区扩散到BC结的空间电荷区，

功率器件的发展历程

功率器件的发展历程 IGBT、GTR、GTO、MOSFET、IGBT、IGCT…… 2009-12-08 08:49 引言电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面，其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础，也是电力电子技术发展的“龙头”。从1958年美国通用电气(GE)公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代，这标志着电力电子技术的诞生。到了70年代，晶闸管开始形成由低压小电流到高压大电流的系列产品。同时，非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等晶闸管派生器件相继问世，广泛应用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点，其研制及应用得到了飞速发展。由于普通晶闸管不能自关断，属于半控型器件，因而被称作第一代电力电子器件。在实际需要的推动下，随着理论研究和工艺水平的不断提高，电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展，先后出现了GTR、GTO、功率MOSET等自关断、全控型器件，被称为第二代电力电子器件。近年来，电力电子器件正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展，如IGPT、MCT、HVIC等就是这种发展的产物。电力整流管整流管产生于本世纪40年代，是电力电子器件中结构最简单、使用最广泛的一种器件。目前已形成普通整流管、快恢复整流管和肖特基整流管等三种主要类型。其中普通整流管的特点是：漏电流小、通态压降较高(1 0～1 8V)、反向恢复时间较长(几十微秒)、可获得很高的电压和电流定额。多用于牵引、充电、电镀等对转换速度要求不高的装置中。较快的反向恢复时间(几百纳秒至几微秒)是快恢复整流管的显著特点，但是它的通态压降却很高(1 6～4 0V)。它主要用于斩波、逆变等电路中充当旁路

半导体器件知识点归纳一

一、半导体器件基本方程 1、半导体器件基本方程泊松方程、电流密度方程、电子和空穴连续性方程的一维微分形式及其物理意义 2、基本方程的主要简化形式泊松方程分别在N耗尽区和P耗尽区的简化形式电流密度方程分别在忽略扩散电流和漂移电流时的简化形式 P型中性区电子净复合率、N型中性区空穴净复合率 P区电子和N区空穴的扩散方程及其定态形式电子电流和空穴电流的电荷控制方程及其定态形式注：第一章是整个课程的基础，直接考察的概率很小，一般都结合后面章节进行填空或者计算的考察，理解的基础上牢记各公式形式及其物理意义。二、PN结 1、突变结与缓变结理想突变结、理想线性缓变结、单边突变结的定义 2、PN结空间电荷区理解空间电荷区的形成过程注：自己用概括性的语句总结出来，可能考简述题。 3、耗尽近似与中性近似耗尽近似、耗尽区、中性近似、中性区的概念 4、内建电场、耗尽区宽度、内建电势内建电场、内建电势、约化浓度的概念内建电场、耗尽区宽度、内建电势的推导电场分布图的画法内建电势的影响因素 Si和Ge内建电势的典型值注：填空题可能考察一些物理概念的典型值，这部分内容主要掌握突变结的，可能考计算题，不会完全跟书上一样，会有变形，比如考察PIN结的相关计算；对于线性缓变结，只需记住结论公式即可。 5、外加电压下PN结中的载流子运动正向电压下空穴扩散电流、电子扩散电流、势垒区复合电流的形成过程反向电压下空穴扩散电流、电子扩散电流、势垒区产生电流的形成过程正向电流很大反向电流很小的原因 6、PN结能带图 PN结分别在正向电压和反向电压下的能带图注：所有作图题应力求完整，注意细节，标出所有图示需要的标识 7、PN结的少子分布结定律：小注入下势垒区边界上的少子浓度表达式少子浓度的边界条件中性区内非平衡少子浓度分布公式外加正反向电压时中性区中少子浓度分布图注：书上给出了N区的推导，尽量自己推导一下P区的情况，加深理解 8、PN结的直流伏安特性

保证气体分析仪检测准确度,抑制零点漂移是关键

保证气体分析仪检测准确度，抑制零点漂移是关键这是电子方面的术语，指当放大电路输入信号为零（即没有交流电输入）时，由于受温度变化，电源电压不稳等因素的影响，使静态工作点发生变化，并被逐级放大和传输，导致电路输出端电压偏离原固定值而上下漂动的现象。这种现象就叫零点漂移（或称温漂）。产生零点漂移的原因产生零点漂移的原因很多，如电源电压不稳、元器件参数变化、环境温度变化等。其中最主要的因素是温度的变化，因为晶体管是温度的敏感器件，当温度变化时，其参数UBE、β、ICBO都将发生变化，最终导致放大电路静态工作点产生偏移。此外，在诸因素中，最难控制的也是温度的变化。零点漂移对气体分析仪检测的影响在直接耦合放大电路中，任何参数的变化，如电源电压波动、元件老化、半导体元件参数随温度变化而产生的变化，都将产生输出电压的漂移。由于前后级直接相连，前一级的漂移电压会和有用信号一起被送到下一级，而且逐级放大，使放大电路输出信号出现偏差，甚至不能正常工作。气体分析仪的零点在正常环境中应该显示为000，由于气体分析仪的检测结果是通过传感器将环境中存在的被测气体转化成电信号后以浓度数值方式显示出来的，当出现零点漂移时，放大电路输出信号出现偏差，使分析仪显示浓度大于0，从而使气体分析仪的检测结果产生绝对误差。因此，一旦出现漂移，需要对气体分析仪进行校准。

什么叫零点校准？在无外界因素干扰的情况下，将仪器仪表测量界面调整为零，或者说是调到标准状态时的零值。如何进行零点校准？ 1.硬件校准这里的硬件主要指气体分析仪中的电路，在实际电路中常采用补偿和调制两种手段，稳定静态工作点以实现零点校准。补偿及优化参数配置，是指用另外一个元器件来抵消放大电路的漂移，如果参数配合得当，就能把漂移抑制在较低的限度之内。前级的放大器引入的直流对整体的系统影响最大，通过手动调节分压网络的方式对前级放大器引入的直流进行补偿。后级运放则通过软件调节节另一分压网络的方式对后级可控增益放大级引入的直流进行补偿。调制即优化电路设计，是指将直流变化量转换为其它形式的变化量（如正弦波幅度的变化），并通过漂移很小的阻容耦合电路放大，再设法将放大了的信号还原为直流成份的变化。 2.标气校准标准气体属于标准物质，标准物质是高度均匀的，良好稳定和量值准确的测定标准，它们具有复现，保存和传递量值的基本作用，在物理，化学，生物与工程测量领域中用于校准测量仪器和测量过程，评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力，确定材料或产品的特性量值，进行量值仲裁等。气体分析仪在出厂前一般需要先用一个零点标气和几个标准浓度的气体对仪器进行标定，得到标准曲线储存于仪器之中。测定时，仪器将待测气体浓度产生的电信号同标准浓度的电信号进行比较，计算得到准确的气体浓度值。分析仪器在使用过程中，由于受到电压波动、元器件参数及环境温度变化的影响而出现零点漂移，则需要定期采用零点标气对分析仪进行零点校准，以保证气体分析仪测量的准确性。

Agilen阻抗分析仪使用手册

Agilent 4294A阻抗分析仪使用手册华中科技大学激光技术国家重点实验室 2002年1月目录目录...................................................................................... 一、介绍.............................................................................. 二、基本原理： ................................................................. 三、A GILENT 4294A的主要技术指标: ............................. 四、前/后面板、硬/软键介绍 ........................................... 五、测量方法...................................................................... 一、介绍 Agilent 4294A精密阻抗分析仪可以对各种电子器件（元件和电路）以及电子材料和非电子材料的精确阻抗测量提供广泛的支持。它是对电子元件进行设计、签定、质量控制和生产测试的强有力工具。它所提供的性能和功能对于电路设计开发人员将获益匪浅。此外，Agilent 4294A的优良测量性能和功能为电路的设计和开发以及材料（电子材料和非电子材料）的研究和

开发提供强有力的工具。它具有： ·在宽阻抗范围的宽频率范围内进行精确测量 ·强大的阻抗分析功能 ·便于使用并能用多种方式与PC机配套电子器件：无源元件：二端元件如电容器、电感器、铁氧体珠、电阻器、变压器、晶体/陶瓷谐振器、多芯片组件或阵列/网络元件的阻抗测量。半导体元件：变容二极管的C－V（电流－电压）特性分析；二极管、晶体管或集成电路(IC)封装终端/引线的寄生分析；放大器的输入/输出阻抗测量。其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等的阻抗评估。材料：介质材料：塑料、陶瓷、印制电路板和其它介质材料和损耗切角评估。磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估。半导体材料：半导体材料的介电常熟、导电率和C－V特性。二、基本原理： Agilent 4294A阻抗分析仪所采用的是自动平衡电桥技术。如图所示：可以将平衡电桥看作一个放大器电路，基于欧姆定律V=I*R进行测量。被测器件(DUT)通过一个交流源激励，它的电压就是在高端H监测到的电压。低端L为虚拟地，电压为0V。通过电阻器R2的电流I2跟通过被测器件(DUT)的电流I相等。因此，输出电压和通过被测器件(DUT)的电流成正比，电压和电流自动平衡，这也就是它的名字的由来。在实际应用中，为了覆盖更加大的频率范围，通常用一个null-detector 和modulator来代替电路中的放大器。当然，这只是一个基本的测量原理电路，为了得到精确的结果，还有许多的附加电路。三、Agilent 4294A的主要技术指标:

中国半导体产业发展历史大事记之二

中国半导体产业发展历史大事记之二 ◎分立器件发展阶段（１９５６--１９６５）１９５６年中国提出“向科学进军”，国家制订了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，明确了目标。根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。为了落实发展半导体规划，中国科学院应用物理所首先举行了半导体器件短期训练班。请回国的半导体专家内昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制技术和半导体线路。参加短训班的约１００多人。当时国家决定由五所大学-北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学半导体物理专来，共同培养第一批半导体人才。五校中最出名的教授有北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德和吉林大学的高鼎三。１９５７年就有一批毕业生，其中有现在成为中国科学院院士的王阳元（北京大学）、工程院院士的许居衍（华晶集团公司）和电子工业部总工程师俞忠钰等人。之后，清华大学等一批工科大学也先后设置了半导体专业。中国半导体材料从锗（Ｇｅ）开始。通过提炼煤灰制备了锗材料。１９５７年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一研究所开发锗晶体管。前者由王守武任半导体实验室主任，后者由武尔桢负责。１９５７可国依靠自己的技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。为了加强半导体的研究，中国科学院于１９６０年在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所-第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。到六十年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。此时，国内搞半导体器件的已有十几个厂点。当时北方以北京电子管厂为代表，生产了ＩＩ－６低频合金管和ＩＩ４０１高频合金扩散管；南方以上海元件五厂为代表。在锗之后，很快也研究出其他半导体材料。１９５９年天津拉制了硅（Ｓｉ）单晶。１９６２年又接制了砷化镓（ＧａＡｓ）单晶，后来也研究开发了其他种化合物半导体。硅器件开始搞的是合金管。１９６２年研究成外延工艺，并开始研究采用照相制版、光刻工艺，河北半导体研究所在１９６３年搞出了硅平面型晶体管，１９６４年搞出了硅外延平面型晶体管。在平面管之前不久，也搞过错和硅的台面扩散管，但一旦平面管研制出来后，绝大部分器件采用平面结构，因为它更适合于批量生产。

半导体器件分析仪 (B1500A)

技术概述B1500A 半导体器件分析仪

加快基本的电流-电压（IV ）和电容-电压（CV ）测量以及业界领先的超快速 IV 器件表征脉冲 IV 测量（IV ）和电容-电压（CV ）表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。此外，B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块，适应不断变化的测量需求。综合解决方案满足您的所有器件表征需求 B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中，可精确快速地进行器件表征。它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。它能够执行从基本的电流 - 电压Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件，可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行，支持高效和可重复的器件表征。B1500A 拥有几百种即时可用的测量（应用测试），为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和测试。关键特性优势精密电压和电流测量（0.5 μV 和 0.1 fA 分辨率） –低电压和小电流的精确表征。用于多频率（1 kHz 至 5 MHz ）电容测量（CV 、C-f 和 C-t ）与电流/电压（IV ）测量切换的高精度和低成本解决方案。 –无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率（使用 SCUU 时最小为 1 fA ，使用 ASU 时最小为 0.1 fA ）– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出超快速 IV 测量， 100 ns 脉冲和 5 ns 采样率 –捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用 –缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式 –交互式地开发测试，并即时查看器件特征 –无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证（MCSMU 提供示波器视图）功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理 –自动分析测量数据，无需使用外部 PC – 自动存储测量数据和测试条件，日后快速调用此信息