使用半导体器件分析仪 (B1500A) WGFMU 模块测量先进 MOSFET 的随机电报噪声 (RTN)

使用半导体器件分析仪 (B1500A) WGFMU 模块测量先进 MOSFET 的随机电报噪声 (RTN)
使用半导体器件分析仪 (B1500A) WGFMU 模块测量先进 MOSFET 的随机电报噪声 (RTN)

常用半导体器件复习题

第1章常用半导体器件 一、判断题(正确打“√”,错误打“×”,每题1分) 1.在N型半导体中,如果掺入足够量的三价元素,可将其改型成为P型半导体。()2.在N型半导体中,由于多数载流子是自由电子,所以N型半导体带负电。()3.本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。() 4.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。() 5.使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏,且集电结也是正偏。()6.晶体三极管的β值,在任何电路中都是越大越好。( ) 7.模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8.稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9.发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10.光电二极管外加合适的正向电压时,可以正常发光。( ) 一、判断题答案:(每题1分) 1.√; 2.×; 3.√; 4.√; 5.×; 6.×; 7.√; 8.×; 9.×; 10.×。

二、填空题(每题1分) 1.N型半导体中的多数载流子是电子,P型半导体中的多数载流子是。2.由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3.晶体二极管的核心部件是一个,它具有单向导电性。 4.二极管的单向导电性表现为:外加正向电压时,外加反向电压时截止。5.三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结偏置。6.场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是:场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b,源极S对应晶体三极管,漏极D对应晶体三极管的集电极c。7.PN结加正向电压时,空间电荷区将。 8.稳压二极管正常工作时,在稳压管两端加上一定的电压,并且在其电路中串联一支限流电阻,在一定电流围表现出稳压特性,且能保证其正常可靠地工作。 9.晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为:。 10.发光二极管的发光颜色决定于所用的,目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案:(每题1分) 1.空穴 2.扩散运动 3.PN结 4.导通 5.反向 6.发射机e 7.变薄 8.反向 9.I E =I B +I C 10.材料 三、单项选择题(将正确的答案题号及容一起填入横线上,每题1分)

表面温度测量方法

表面温度测量方法 表面热电偶在结构上坚固得多,并且不受因安装材料或方法所引起的应变的影响。它们具有设计简单的固有特点,从而使成本较低。所有热电偶表面传感器都具有能够在与表面热电阻传感器相比高出很多的温度下正常工作以及响应更加快速的特定。但是,热电偶传感器生成的电压信号较低,可能需要进行附加放大,这在电气噪声很高的环境中是一个缺点。 与表面热电偶传感器不同,表面热电阻传感器不需要参考点、冰浴或温度补偿电路。这些传感器具有非常低的热质量,因此可提供真实的表面温度测量值以及快到50ms的响应时间。铂传感器被公认为是一种精密温度测量传感器,它可在-190℃~660℃温度范围来定义国际温标(ITS-90)。将铂温度计选择作为首要标准的主要原因是,它的电阻温度参数具有优异的稳定性和重复性。表面热电阻的信号输出大小是热电偶输出的50~200倍。这意味着温度测量常常可使用标准仪表来进行。 TOBTO拓必拓TM-1300A微型测温笔主要用于物体表面温度的精确测量。 TOBTO拓必拓TM-1300A微型测温笔特点: 1、LCD4位数字液晶显示 2、采用集成电路稳定可靠 3、使用充电锂电池,使用周期长

TOBTO拓必拓TM-1300A微型测温笔技术指标: 1、分辨率:1℃;单位:℃ 2、精度:±(2%+1℃) 3、测量范围:TP─01-20℃──300℃ 比例系数:12:1; 4、测量环境:0℃──50℃相对湿度≤80%RH; 5、保存环境:-30℃──60℃相对湿度≤75%RH; 6、电池连续使用寿命720小时。 TOBTO拓必拓TM-1300A微型测温笔使用方法: 1、按开关键开机,红外对准要测量的设备,再按“M”执行键开始 测量,仪器显示采集到的数值后测量完成。 2、手动开/关机。

B1500A 半导体器件分析仪主机

B1500A 半导体器件分析仪主机/EasyEXPERT 软件 主要特性与技术指标 测量功能 ?在0.1 fA - 1 A / 0.5 μV - 200 V 范围内执行精确的电流-电压(IV)测量,支持点测量、扫描测量、采样和脉冲测量 ?在1 kHz 至5 MHz 频率范围内执行交流电容测量,支持准静态电容-电压(QS-CV)测量 ?先进的脉冲IV 测量和超快IV 测量,最低采样间隔为5 ns(200 MSa/s) ?高达40 V 的高压脉势,适用于非易失存储器测试 ?测量模块可升级至10 插槽配置 工作环境(包含EasyEXPERT) ?EasyEXPERT 软件(链接至EasyEXPERT)在嵌入式Windows 7 中运行 ?数百种测量程序库在需要时即可使用(应用测试) ?15 英寸触摸屏支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测 ?自动数据记录功能支持测试数据和测试条件的恢复,可使您轻松地进行探测 ?利用曲线追踪(旋钮操作)和自动记录特性来实现实时交互表征 ?利用便捷的在线/离线测试环境完成测试开发与分析(台式EasyEXPERT),从而最大限度地发挥仪器效用 描述 Agilent B1500A 半导体器件分析仪是一款用于器件表征的综合解决方案。它支持IV、CV、脉冲IV 及快速IV 测量,可对器件、材料、半导体、有源/无源元件以及任意电气器件进行各种电气表征和评测。模块化结构可使您根据测试需求随时把仪器升级到10 插槽配置。嵌入式Windows 7 和功能强大的EasyEXPERT 软件借助先进的图形用户界面(GUI),可让您执行高效、数据可恢复的器件表征。Agilent B1500A 是唯一一款能够适应多种测量需要的参数分析仪,具备极高的测量可靠性和易于使用的测试环境,可实现高效、数据可恢复的器件表征。 Agilent EasyEXPERT 是一款基于图形用户界面的必备软件,在B1500A 嵌入式Windows?7 中运行。它支持所有类型的参数测试,从基本的IV 和CV 扫描到超快速IV 和脉冲IV 测量等等。数百种即用型程序库(应用测试)可使您非常轻松地立即开始进行复杂测量。仪器的全部操作通过15 英寸触摸屏、简单的键盘和鼠标操作来实现。EasyEXPERT 软件还提供高效测试环境,支持您在器件表征时采取直观的操作、分析与探测。测试条件和测量数据可以自动保存到工作区内,使您毫不费力地完成器件表征。 EasyEXPERT 主要特性: ?支持所有类型的参数测试,从基本的IV 和CV 扫描到超快速IV 和脉冲IV 测量等等

基于LABVIEW的虚拟频谱分析仪设计

目录 1 设计任务 (1) 1.1 技术要求 (1) 1.2 设计方案 (1) 2 基本原理 (1) 3 建立模型 (2) 3.1 系统前面板设计 (3) 3.2 系统程序框图设计 (3) 3.3 系统程序运行结果 (4) 4 结论与心得体会 (9) 4.1 实验结论 (9) 4.2 心得体会 (10) 5 参考文献 (10)

基于LABVIEW的虚拟频谱分析仪设计1设计任务 1.1 技术要求 1)设计出规定的虚拟频谱分析仪,可对输入信号进行频域分析,显示输入信号的幅度谱和相位谱等 2)设置出各个控件的参数; 3)利用LabVIEW实现该虚拟频谱分析仪的设计; 4)观察仿真结果并进行分析; 5)对该虚拟频谱分析仪进行性能评价。 1.2 设计方案 虚拟频谱分析仪的设计包括以下三个步骤: 1) 按照实际任务的要求,确定频谱分析仪的性能指标。 2) 按照实验原理想好设计思路,并且完成电路图及程序,然后在前面板和程序流程图中实现。 3) 完成电路设计,运行程序并且检查,直至无误后观察仿真结果并且分心。 2基本原理 本设计采用的是数字处理式频谱分析原理,方法为:经过采样,使连续时间信号变为离散时间信号,然后利用LabVIEW的强大的数字信号处理的功能,对采样得到的数据进行滤波、加窗、FFT 运算处理,就可得到信号的幅度谱、相位谱以及功率谱。FFT的输出都是双边的,它同时显示了正负频率的信息。通过只使用一半FFT输出采样点转换成单边FFT。FFT的采样点之间的频率间隔是fs/N,这里fs是采样频率。FFT和能量频谱可以用于测量静止或者动态信号的频率信息。FFT提供了信号在整个采样期间的平均频率信息。因此,FFT主要用于固定信号的分析(即信号在采样期间的频率变化不大)或者只需要求取每个频率分量的平均能量。 在采样过程中,为了满足采样定理,对不同的频率信号,选用合适的采样速率,从而防止频率混叠。实际中,我们只能对有限长的信号进行分析与处理,而进行傅立叶变换的数据理论上应为无限长的离散数据序列,所以必须对无限长离散序列截断,只取采样时间

半导体器件物理 试题库

半导体器件试题库 常用单位: 在室温(T = 300K )时,硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 (一)名词解释题 杂质补偿:半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时,施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用,通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子:半导体处于非平衡态时,附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度, 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率:载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志,即单位电场下的漂移速度。 晶向: 晶面: (二)填空题 1.根据半导体材料内部原子排列的有序程度,可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2.根据杂质原子在半导体晶格中所处位置,可分为 杂质和 杂质两种。 3.点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4.线缺陷,也称位错,包括 、 两种。 5.根据能带理论,当半导体获得电子时,能带向 弯曲,获得空穴时,能带 向 弯曲。 6.能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质;能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7.对于N 型半导体,根据导带低E C 和E F 的相对位置,半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8.载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。

9.在Si-SiO 2系统中,存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10.对于N 型半导体,当掺杂浓度提高时,费米能级分别向 移动;对于P 型半 导体,当温度升高时,费米能级向 移动。 (三)简答题 1.什么是有效质量,引入有效质量的意义何在?有效质量与惯性质量的区别是什么? 2.说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用? 3.说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围? 4.什么是杂质的补偿,补偿的意义是什么? (四)问答题 1.说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同? 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么? (五)计算题 1.金刚石结构晶胞的晶格常数为a ,计算晶面(100)、(110)的面间距和原子面密度。 2.掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ,已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ,而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3,由此计算: (a )该样品的离化杂质浓度是多少? (b )该样品的少子浓度是多少? (c )未离化杂质浓度是多少? (d )施主杂质浓度是多少? 3.室温下的Si ,实验测得430 4.510 cm n -=?,153510 cm D N -=?, (a )该半导体是N 型还是P 型的? (b )分别求出其多子浓度和少子浓度。 (c )样品的电导率是多少? (d )计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4.室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?,1931.110 cm v N -=?,0.026 eV B k T =,禁带 宽度 1.12 eV g E =,如果忽略禁带宽度随温度的变化

测量物体表面温度的传感器大全

物体表面温度传感器型号大全,测量物体表面温度可以从中选择适合自己的 1:贴片式温度传感器 贴片式温度传感器JCJ100TTP和被测物体接触面积大,接触紧密,所以在一些表面温度测量方面具有比较明显的优势:测温准确性高、反应速度快,体积小方便固定安装。 2磁性温度传感器 通过磁性吸附在金属表面,一方面非常方便安装固定,另一方面不需打孔固定,对被测物表面不会产生破坏,保护被测物体的完好性。 3:螺纹固定温度传感器 螺纹固定式温度传感器JCJ100ZBS由接线盒、固定螺纹和保护管三部分组成。产品可广泛应用测量气温、液体温度、油温及物体表面温度等。 常温情况可以选择铜热电阻作为感温元件或者数字温度传感器

高温下选择铂热电阻可以测量的范围(-200~600)℃ 4:固定法兰式温度传感器 JCJ100ZGFS与上一种温度传感器不同地方在于固定方式的不同一个采用螺纹固定一个采用法兰式的固定方法 5:直角弯头式温度传感器 直角弯头式温度传感器JCJ100ZZW由接线盒、弯头部分和保护管三部分组成。产品可广泛应用测量气温、液体温度、油温及物体表面温度等。用于生产现场存在高温和有害气体对热电阻接线盒有影响,或不宜直接水平及垂直安装场合。 铂热电阻作为元件:Pt100、Pt500、Pt1000(-200~600)℃

6:WZ系列装配式热电阻 装配式热电阻主要以Pt100作为感温元件,进口薄膜铂电阻具有测量精度高、机械强度高,抗震性能好等特点。装配式热电阻可以测量-200~600℃范围内的气体、液体和蒸汽及固体表面或内部温度。 7:WR系列铠装式热电偶 铠装式热电偶具有测量温度范围大、反应速度快,动态误差小、可弯曲安装,机械强度高,耐压性能好等特点。铠装式热电偶一般可以测量0~1300℃范围内的气体、液体和蒸汽及固体表面或内部温度。铠装式热电偶可以配套数字仪表、记录调节仪表、PLC、数据采集器或计算机使用,作为新一代的温度传感器,它可广泛用于冶金、石油、化工、电力、轻工、纺织、食品、国防及科研等各部门。

盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_中标190924

招标投标企业报告 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

本报告于 2019年9月24日 生成 您所看到的报告内容为截至该时间点该公司的数据快照 目录 1. 基本信息:工商信息 2. 招投标情况:中标/投标数量、中标/投标情况、中标/投标行业分布、参与投标 的甲方排名、合作甲方排名 3. 股东及出资信息 4. 风险信息:经营异常、股权出资、动产抵押、税务信息、行政处罚 5. 企业信息:工程人员、企业资质 * 敬启者:本报告内容是中国比地招标网接收您的委托,查询公开信息所得结果。中国比地招标网不对该查询结果的全面、准确、真实性负责。本报告应仅为您的决策提供参考。

一、基本信息 1. 工商信息 企业名称:盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司统一社会信用代码:91330200MA2AHN2244工商注册号:/组织机构代码:MA2AHN224 法定代表人:项习飞成立日期:2018-03-22 企业类型:有限责任公司(中外合资)经营状态:存续 注册资本:2000万美元 注册地址:浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村 营业期限:2018-03-22 至 2068-03-21 营业范围:二手半导体设备及配件的翻新、改造、安装、维护、销售;半导体设备的研发、生产、销售;半导体生产及研发设备的技术服务;自营或代理货物和技术的进出口,但国家限制经营或禁止进出口的货物和技术除外;半导体相关的功能材料、器件、配件及相关产品的技术开发、生产、销售和咨询。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) 联系电话:*********** 二、招投标分析 2.1 中标/投标数量 企业中标/投标数: 个 (数据统计时间:2017年至报告生成时间) 6

【目录】基于LABVIEW的虚拟频谱分析仪设计

【关键字】目录 目录 基于LABVIEW的虚拟频谱分析仪设计 1设计任务 1.1 技术要求 1)设计出规定的虚拟频谱分析仪,可对输入信号进行频域分析,显示输入信号的幅度谱和相位谱等 2)设置出各个控件的参数; 3)利用LabVIEW实现该虚拟频谱分析仪的设计; 4)观察仿真结果并进行分析; 5)对该虚拟频谱分析仪进行性能评价。 1.2 设计方案 虚拟频谱分析仪的设计包括以下三个步骤: 1) 按照实际任务的要求,确定频谱分析仪的性能指标。 2) 按照实验原理想好设计思路,并且完成电路图及程序,然后在前面板和程序流程图中实现。 3) 完成电路设计,运行程序并且检查,直至无误后观察仿真结果并且分心。

2基本原理 本设计采用的是数字处理式频谱分析原理,方法为:经过采样,使连续时间信号变为离散时间信号,然后利用LabVIEW的强大的数字信号处理的功能,对采样得到的数据进行滤波、加窗、FFT 运算处理,就可得到信号的幅度谱、相位谱以及功率谱。FFT的输出都是双边的,它同时显示了正负频率的信息。通过只使用一半FFT输出采样点转换成单边FFT。FFT的采样点之间的频率间隔是fs/N,这里fs是采样频率。FFT和能量频谱可以用于测量静止或者动态信号的频率信息。FFT提供了信号在整个采样期间的平均频率信息。因此,FFT主要用于固定信号的分析(即信号在采样期间的频率变化不大)或者只需要求取每个频率分量的平均能量。 在采样过程中,为了满足采样定理,对不同的频率信号,选用合适的采样速率,从而防止频率混叠。实际中,我们只能对有限长的信号进行分析与处理,而进行傅立叶变换的数据理论上应为无限长的离散数据序列,所以必须对无限长离散序列截断,只取采样时间内有限数据。这样就导致频谱泄漏的存在。所以利用用加窗的方法来减少频谱泄漏。由于取样信号中混叠有噪声信号,为了消除干扰,在进行FFT 变换之前,要先进行滤波处理。本设计采用了巴特沃斯(Butterworth)、切比雪夫(Chebyshev)、椭圆(Ellipse)、贝塞尔(Bessel)等滤波器。 以下说明时域分析与频域分析的功能 1)信号的时域分析主要是测量尝试信号经滤波处理后的特征值,这些特征值以一个数值的方式来表示信号的某些时域特征,是对尝试信号最简单直观的时域描述。将尝试信号采集到计算机后,在尝试VI中进行信号特征值处理,并在尝试VI前面板上直观地表示出信号的特征值,可以给尝试VI的使用者提供一个了解尝试信号变化的快速途径。信号的特征值分为幅值特征值、时间特征值和相位特征值。 2)信号的频域分析就是根据信号的频域描述来估计和分析信号的组成和特征量。测量时采集到的是时域波形,但是由于时域分析工具较少,往往把问题转换到频域来处理。频域分析包括频谱分析、功率谱分析、相干函数分析以及频率响应函数分析。通过信号的频域分析,可以确定信号中含有的频率组成成分和频率分布范围;还可以确定信号中的各频率成分的幅值和能量;同时还能分析各信号之间的相互关系。 3建立模型 本设计中用LabVIEW中的信号发生控件来代替信号采集部分产生信号。整个系统的设计均由软件来仿真实现。 本设计的虚拟频谱分析仪由两个软件模块组成:信号发生器模块和频谱分析模块。处理过程如下:首先将信号发生模块产生的尝试信号送数字滤波器处理,滤除干扰噪声,然后分别进行时域分析、频域

常用的温度测量方法

常用的温度测量方法 温度的测量方法,按照测量温度所使用工具以及原理的不同,通常分为以下几种: 电阻变化:热敏导体或半导体在受热后导致的电阻值变化。 热膨胀:固体、气体、液体等在受热后发生的热膨胀。 热电效应:不同材质导线连接的闭合回路,两接点的温度不同,造成回路内所产生热电势。 热辐射:物体的热辐射随温度的变化而变化。 其它:射流测温、涡流测温、激光测温等。 下表是各种不同温度计的量程和优缺点比较 (一)玻璃管温度计 1. 常用玻璃管温度计 特点:玻璃管温度计结构简单、价格便宜、读数方便,而且有较高的精度 种类:实验室用得最多的是水银温度计和有机液体温度计。水银温度计测量范围广、刻度均匀、读数准确,但玻璃管破损后会造成汞污染。有机液体(如乙醇、苯等)温度计着色后读数明显,但由于膨胀系数随温度而变化,故刻度不均匀,

读数误差较大。 2. 玻璃管温度计的安装和使用 (1)玻璃管温度计应安装在没有大的振动,不易受碰撞的设备上。特别是有机液体玻璃温度计,如果振动很大,容易使液柱中断。 (2)玻璃管温度计的感温泡中心应处于温度变化最敏感处。 (3)玻璃管温度计要安装在便于读数的场所。不能倒装,也应尽量不要倾斜安装。 (4)为了减少读数误差,应在玻璃管温度计保护管中加入甘油、变压器油等,以排除空气等不良导体。 (5)水银温度计读数时按凸面最高点读数;有机液体玻璃温度计则按凹面最低点读数。 (6)为了准确地测定温度,用玻璃管温度计测定物体温度时,如果指示液柱不是全部插入欲测的物体中,会使测定值不准确,必要时需进行校正。 3. 玻璃管温度计的校正 玻璃管温度计的校正方法有以下两种: (1)与标准 >标准温度计在同一状况下比较 实验室内将被校验的玻璃管温度计与标准温度计插入恒温糟中,待恒温槽的温度稳定后,比较被校验温度计与标准温度计的示值。示值误差的校验应采用升温校验,因为对于有机液体来说它与毛细管壁有附着力,在降温时,液柱下降会有部分液体停留在毛细管壁上,影响读数准确。水银玻璃管温度计在降温时也会因磨擦发生滞后现象。 (2)利用纯质相变点进行校正 ①用水和冰的混合液校正0℃ ②用水和水蒸汽校正100℃ (二)热电偶温度计 1. 热电偶测温原理 热电偶是根据热电效应制成的一种测温元件。它结构简单,坚固耐用,使用方便,精度高,测量范围宽,便于远距离、多点、集中测量和自动控制,是应用很广泛的一种温度计。如果取两根不同材料的金属导线A和B,将其两端焊在一起,这样就组成了一个闭合回路。因为两种不同金属的自由电子密度不同,当两种金属接触时在两种金属的交界处,就会因电子密度不同而产生电子扩散,扩散结果在两金属接触面两侧形成静电场即接触电势差。这种接触电势差仅与两金属的材料和接触点的温度有关,温度愈高,金属中自由电子就越活跃,致使接触处所产生的电场强度增加,接触面电动势也相应增高。由此可制成热电偶测温计。 2. 常用热电偶的特性 几种常用的热电偶的特性数据见表3-2。使用者可以根据表中列出的数据,选择合适的二次仪表,确定热电偶的使用温度范围。

简易频谱分析仪课程设计

东北石油大学课程设计 2014年7月18 日

东北石油大学课程设计任务书 课程通信电子线路课程设计 题目简易频谱分析仪 专业姓名学号 主要内容、基本要求、主要参考资料等 主要内容: 设计一个测量频率范围覆盖为10MHz-30MHz,可根据用户需要设定显示频谱的中心频率和带宽,还可以识别调幅,调频和等幅波信号的简易频谱分析仪。基本要求: (1)频率测量范围为10MHz--30MHz; (2)频率分辨力为10kHz,输入信号电压有效值为20mV±5mV,输入阻抗为50Ω; (3)可设置中心频率和扫频宽度; (4)借助示波器显示被测信号的频谱图,并在示波器上标出间隔为1MHz 的频标。 主要参考资料: [1]谢家奎.电子线路(非线性部分)[M].北京:高等教育出版社. [2] 张建华.数字电子技术[M].北京:机械工业出版社. [3] 陈汝全.电子技术常用器件应用手册[M].北京:机械工业出版社. 完成期限2014.7.14 — 2014.7.18 指导教师 专业负责人 2014年7 月14 日

摘要 系统利用SPCE061A单片机作为主控制器,采用外差原理设计并实现频谱分析仪:利用DDS芯片生成10KHz步进的本机振荡器,AD835做集成混频器,通过开关电容滤波器取出各个频点(相隔10KHz)的值,再配合放大,检波电路收集采样值,经凌阳单片机SPCE061A的处理,最后送示波器显示频谱。测量频率范围覆盖10MHz-30MHz,可根据用户需要设定显示频谱的中心频率和带宽,还可以识别调幅,调频和等幅波信号。 关键词:SPCE061A;DDS;频谱分析仪

半导体器件复习题与参考答案

第二章 1 一个硅p -n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结,a=1019cm -4,n 型一侧为均匀掺杂,杂质浓度为3×1014cm -3,在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm,求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。 解:)0(,22≤≤-=x x qax dx d p S εψ )0(,2 2n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22 ≤≤--=- =E x x x x qa dx d x p p S εψ n n S D x x x x qN dx d x ≤≤-=- =E 0),()(εψ x =0处E 连续得x n =1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm ?? =--=-n p x x bi V dx x E dx x E V 0 516.0)()( m V x qa E p S /1082.4)(25 2max ?-=-= ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。 2 一个理想的p-n 结,N D =1018cm -3,N A =1016cm -3,τp=τn=10-6s ,器件的面积为1.2×10-5cm -2,计算300K 下饱和电流的理论值,±0.7V 时的正向和反向电流。 解:D p =9cm 2/s ,D n =6cm 2/s cm D L p p p 3103-?==τ,cm D L n n n 31045.2-?==τ n p n p n p S L n qD L p qD J 0 + = I S =A*J S =1.0*10-16A 。 +0.7V 时,I =49.3μA , -0.7V 时,I =1.0*10-16A 3 对于理想的硅p +-n 突变结,N D =1016cm -3,在1V 正向偏压下,求n 型中性区存

常用半导体器件

《模拟电子技术基础》 (教案与讲稿) 任课教师:谭华 院系:桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级:2008电子信息专业本科1、2班 授课时间:2009年9月21日------2009年12月23日每周学时:4学时 授课教材:《模拟电子技术基础》(第4版) 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009

第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后,主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上,还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 (一)主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点,半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 (二)基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管(包括稳压管)的V-I特性及主要性能指标 (三)教学要点: ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手,重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料,我们称之为半导体。在电子器件中,常用的半导体材料有:元素半导体,如硅(Si)、锗(Ge)等;化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;以及掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点: 1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。 3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。

phase11半导体热阻分析仪

Phase 11 Phase10半导体热阻分析仪 米力光 MICOFORCE 一、Analysis Tech Phase11 Phase10概述 半导体热分析仪Semiconductor Thermal Analyzer热阻测试仪, 由美国Analysis Tech Inc公司的PHASE10 PHASE11 热阻测试仪电子封装器件,符合美军标和JEDEC标准. Analysis Tech Inc.成立于1983年,坐落于波士顿北部,是电子封装器件可靠性测试的国际设计,制造公司。他的创始人是John W.Sofia,美国麻省理工的博士,并且是提出焊点可靠性,热阻分析和热导率理论的专家. 发表了很多关于焊点可靠性,热阻分析和热导率论文. Analysis Tech Inc.在美国有独的 实验室提供技术支持.。 热阻分析仪Phase 11主要用于二极管、三极管、线性调压器、可控硅、LED、MOSFET、MESFET、IGBT、IC等分立功率器件的热阻测试和分析。 二、Analysis Tech Phase 11 Phase10工作原理及测试过程 Phase 11采用油浴法测定热敏参数校正曲线。在通以感应电流结还没有明显产生热量时,如果给定足够的时间,结温和壳温将达到热平衡,壳温非常接近结温。将热电偶直接连接到器件表面采集数据时,油浴将充分保证器件的温度稳定并且使 热电偶采集的温度等于感应结温。 在这个环节中,感应电流大小的选择是很重要的。感应电流过大,会导致结温明显变化;感应电流过小,会导致正向压降值测量误差较大。Phase 11 感应电流的可选范围是0.1mA~50mA,完全符合JEDEC标准。 在加热器件的过程中,Phase 11 采用了脉冲加热方式,如下图所示:

音频频谱分析仪设计

信号处理实验 实验八:音频频谱分析仪设计与实现

一、实验名称:音频频谱分析仪设计与实现 二、实验原理: MATLAB是一个数据信息和处理功能十分强大的工程实用软件,其数据采集工具箱为实现数据的输入和输出提供了十分方便的函数和命令。本实验可以用MATLAB进行音频信号频谱分析仪的设计与实现。 1、信号频率、幅值和相位估计 (1)频率(周期)检测 对周期信号来说,可以用时域波形分析来确定信号的周期,也就是计算相邻的两个信号波峰的时间差、或过零点的时间差。这里采用过零点(ti)的时间差T(周期)。频率即为f = 1/T,由于能够求得多个T值(ti有多个),故采用它们的平均值作为周期的估计值。 (2)幅值检测 在一个周期内,求出信号最大值ymax与最小值ymin的差的一半,即A = (ymax - ymin)/2,同样,也会求出多个A值,但第1个A值对应的ymax和ymin不是在一个周期内搜索得到的,故以除第1个以外的A值的平均作为幅值的估计值。 (3)相位检测 采用过零法,即通过判断与同频零相位信号过零点时刻,计算其时间差,然后换成相应的相位差。φ=2π(1-ti/T),{x}表示x的小数部分,同样,以φ的平均值作为相位的估计值。 频率、幅值和相位估计的流程如图所示。

其中tin表示第n个过零点,yi为第i个采样点的值,Fs为采样频率。 2、数字信号统计量估计 (1) 峰值P的估计 在样本数据x中找出最大值与最小值,其差值为双峰值,双峰值的一半即为峰值。P=0.5[max(yi)-min(yi)] (2)均值估计 式中,N为样本容量,下同。 (3) 均方值估计

1章 常用半导体器件题解

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ×) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) 解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽(加上正向电压时,内电场被削弱,空间电荷区变窄) (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S -T U U I (3)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V, U O6≈-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解:U O1=6V,U O2=5V。

切削温度测量方法概述..

热工测量仪表作业 切削温度测量方法概述Summary of Cutting Temperature Measurement Methods 作者姓名:王韬 专业:冶金工程 学号:20101360 指导老师:张华 东北大学 Northeastern university 2013年6月

切削温度测量方法概述 王韬 东北大学 摘要:高速切削加工现已成为当代先进制造技术的重要组成部分,切削热与切削温度是高速切削技术研究的重要内容。本文根据国内外高速切削温度测量方法的研究现状,对目前常用的切削温度测量方法进行了分类和比较,主要包括接触式测温、非接触式测温和其他测量方法三种,详细介绍了热电偶法、光辐射法、热辐射法、金相结构法等几种常用切削测温方法的基本原理、优缺点、适用范围及发展状况;介绍了几种新型高速切削温度测量方法。最后对各种测量方法作了比较,探讨了切削温度实验测量方法研究的发展方向。 关键词: 切削温度,测量方法,发展状况 Summary of Cutting Temperature Measurement Methods Wang Tao Northeastern university Abstract: High-speed machining has become an important part of the contemporary advanced manufacturing technology. Cutting heat and cutting temperature is the important content of high speed cutting technology research. This paper gives the background to the measurement of metal cutting temperatures and a review of the practicality of the various methods of measuring cutting temperature while machining metals. Classify the cutting temperature measurement methods, mainly including non-contact temperature measurement, non-contact temperature test of other three kinds of measurement methods; Introduced the thermocouple method, radiation method, radiation method and metallographic structure of the basic principle of several kinds of commonly used cutting temperature measurement method, the advantages and disadvantages, applicable scope and the status of the development; Several new high-speed cutting temperature measurement methods are introduced. Finally discusses the development direction of cutting temperature experiment measurement method research for a variety of measurement methods. Keywords:metal cutting, cutting temperature, measurement method

简易频谱分析仪

简易频谱分析仪[ 2005年电子大赛二等奖] 摘要:本设计以凌阳16位单片机SPCE061A为核心控制器件,配合Xilinx Virtex-II FPGA及Xilinx公司提供的硬件DSP高级设计工具System Generator,制作完成本数字式外差频谱分析仪。前端利用高性能A/D对被测信号进行采集,利用FPGA高速、并行的处理特点,在FPGA内部完成数字混频,数字滤波等DSP 算法。 SPCE061A单片机是整个设计的核心控制器件,根据从键盘接受的数据控制整个系统的工作流程,包括控制FPGA工作以及控制双路D/A在模拟示波器屏幕上描绘频谱图。人机接口使用128×64液晶和4×4键盘。本系统运行稳定,功能齐全,人机界面友好。 关键字:SPCE061A 简易频谱分析仪 一、方案论证 频谱分析仪是在频域上观察电信号特征,并在显示仪器上显示当前信号频谱图的仪器。从实现方式上可分为模拟式与数字式两类方案,下面对两种方案进行比较: 方案一:模拟式频谱分析仪 模拟方式的频谱仪以模拟滤波器为基础,通常有并行滤波法、顺序滤波法,可调滤波法、扫描外差法等实现方法,现在广泛应用的模拟频谱分析仪设计方案多为扫描外差法,此方案原理框图如图1.1:

图 1.1 模拟外差式频谱仪原理框图 图中的扫频振荡器是仪器内部的振荡源,当扫频振荡器的频率在一定范围内扫动时,输入信号中的各个频率分量在混频器中产生差频信号 (),依次落入窄带滤波器的通带内(这个通带是固定的),获得中频增益,经检波后加到Y放大器,使亮点在屏幕上的垂直偏移正比于该频率分量的幅值。由于扫描电压在调制振荡器的同时,又驱动X放大器,从而可以在屏幕上显示出被测信号的线状频谱图。这是目前常用模拟外差式频谱仪的基本原理。模拟外差式频谱仪具有高带宽和高频率分辨率等优点,但是模拟器件调试复杂,短期实现有难度,尤其是在对频谱信息的存储和分析上,逊色于新兴的数字化频谱仪方案。 方案二:数字式频谱分析仪 数字式频谱仪通常使用高速A/D采集当前信号,然后送入处理器处理,最后将得到的各频率分量幅度值数据送入显示器显示,其组成框图如图1.2: 图 1.2 数字式频谱仪组成框图

常用半导体器件习题考答案

第7章 常用半导体器件 习题参考答案 7-1 计算图所示电路的电位U Y (设D 为理想二极管)。 (1)U A =U B =0时; (2)U A =E ,U B =0时; (3)U A =U B =E 时。 解:此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。 当A 、B 两点的电位同时为0时,D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极(U Y )两端电位同时为0,因此均不能导通;当U A =E ,U B =0时,D A 的阳极电位为E ,阴极电位为0(接地),根据二极管的导通条件,D A 此时承受正压而导通,一旦D A 导通,则U Y >0,从而使D B 承受反压(U B =0)而截止;当U A =U B =E 时,即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位,所以两管同时导通,两个1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下: (1)由于U A =U B =0,D A 和D B 均处于截止状态,所以U Y =0; (2)由U A =E ,U B =0可知,D A 导通,D B 截止,所以U Y =E ? +9 19=109E ; (3)由于U A =U B =E ,D A 和D B 同时导通,因此U Y =E ?+5.099=1918E 。 7-2 在图所示电路中,设D 为理想二极管,已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o 的波形图。 解:此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从(b )图可以看出,当二极管D 导通时,电阻为零,所以u o =u i ;当D 截止时,电阻为无穷大,相当 于断路,因此u o =5V ,即是说,只要判断出D 导通与否, 就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通,可 以以接地为参考点(电位零点),判断出D 两端电位的高 低,从而得知是否导通。 u o 与u i 的波形对比如右图所示: 7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有 何异同 (参考答案:见教材) 7-4 某人检修电子设备时,用测电位的办法,测出管脚①对地电位为-;管脚②对地电位

常见的温度检测方法

常见温度检测方法分析 摘要:在目前工农业生产和国民经济生活中,温度测量日益重要,新型温度传感器不断涌现,通过对现代常用温度传感器的工作原理和特性的分析,便于在工作中根据具体情况,选用提供依据,以减少生活生产中不必要的损失。 关键词:温度;检测方法;传感器;测量 Study On Methods Of Measuring Teamperature Abstract:In the of industrial and agricultural Produetionornationaleconomicife,measuringtemperatureisinereasinglyimportant,andmoderntemrerat uresensorseontinuouslyarise.Prineipleand charaeterofmoderntemperaturesensorsanalyzedhere is usefulforseientific eworkers.It is foundmentalto choicetemperaturesensorsforuser aeeordingto praetieal circumstances ,So that it can reduce unnecessary lossin thelife production. Keywords:temperature:sensor;measure 温度是科学技术中最基本的物理量之一, 物理、化学、热力学、飞行力学、流体力学等学科都离不开温度,它也是工业生产中最普遍最重要的参数之一。许多工农业产品的质量都与温度密切相关,比如, 离开合适的温度, 许多化学反应就不能正常进行甚至不能进行;没有合适的温度炉窑就不能炼制出合格的产品;没有合适的温度环境, 农作物就不能正常生长, 许多电子仪器就不能正常工作, 粮仓的储粮就会变质霉烂, 家禽的孵化也不能进行。可见, 温度的测量与控制十分重要。 测温方法很多,仅从测量体与被测介质接触与否来分,有接触式测温与非接触式测温两大类。接触式测温是基于热平衡原理,测温敏感元件必须与被测介质接触,使两者处于同一热平衡状态,具有同一温度,如水银温度计,热电偶温度计等就是利用此法测量。非接触式测温是利用物质的热辐射原理,测温元件不需与被测介质接触,而是通过接收被测物体发出的辐射热来判断温度,如辐射温度计,光纤温度计等[1]。 接触式测温简单、可靠,且测量精度高。但是由于测温元件需与被测介质接触后进行的热交换,才能达到热平衡,因而产生了滞后现象。另外,由于受到耐高温材料的限制,接触式测量不能应用于很高温度的测量。非接触式测温,由于测温元件不与被测介质接触,因而其测温范围很广,其测温上限原则上不受限制,测温速度也较快,而且可以对运动体进行测量。但是,它受到物体的发射率,被测对象到仪表之间的距离,烟尘和水汽等其它介质的影响,一般测温误差较大,目前使用较广的是接触式测温。下面介绍几种现代常用温度测量方法。 1电阻温度传感器 这种传感器以电阻作为温度敏感元件,根据敏感材料不同又可分成热电阻式和热敏电阻式,热电阻式一般用金属材料制成, 如铂、铜、镍等1热敏电阻是以半导体材料制成的陶瓷器件, 如锰、镍、钴等金属的氧化物与其它化合物按不同配比烧结而成。 热电阻的温度系数一般为正值,以铂电阻为例, 其阻值Rt 与温度间的关系为Rt=R0(1+At+Bt2), 0℃≤t≤650℃; Rt= R0[1+At+Bt2+Ct3(t- 100) ],- 200℃≤t≤0℃, 其中A = 319684×10- 8/℃, B= - 518470

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