如何测试场效应管

如何测试场效应管
如何测试场效应管

如何测试场效应管

1、结型场效应管的管脚识别:

场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1K档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。

2、判定栅极

用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力

将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。

然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS 和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。

由于人体感应的0Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。

少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。

为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。

MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。

目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如上图所示。

与晶体三极管相比,功率场效应管具有输入阻抗高、开头速度块,驱动电流小、工作电流大、热隐定性好等诸多优点。

由于场效应管的结构、原理和普通三极管不同,其检测方法也大不相同。在此介绍在业余条件下用万用表作判别的方法,供参考。

1.G极(栅极)的判定:

置万用表于R*100档,然后分别测量场效应管每两脚间的阻值(正反各测一次),正常时应有一次阻值为数百欧姆,这时万用表两表笔所接的引脚是D(漏极)和S(源极),悬空的另一脚则为G(栅极)。

2.D极(漏极)、S极(源极)的判定:

判断出G极后,再把万用表置于R*10档,分别测量D极和S极间的正反向电阻值,在测得阻值为较大值时,用黑表笔与G栅极接触一下,然后再恢复原状,在此过程中,红表笔应始终与管脚相触,这时万用表的读数会出现两种情况:若读数由大变小,则万用表黑表笔所接的管脚为D(漏极),红表笔所接的管脚为S(源极);若万用表读数没有明显变化,仍为较大值,这时就应把黑表笔与引脚保持接触,然后移动红表笔与G极相碰下后返回原引脚。

此时若阻值由大变小,则黑表笔所接的管脚为S(源极),红表笔所接的管脚为D(源极)。

3.类型的判定:

在判定D漏极和S源极后,如果万用表黑表笔所接为D漏极,红表笔所接为S源极,而且用黑表能触发G栅极,这时表明该场效应管为N沟道;如果黑表笔所接为S源极,红表笔所接为D漏极,且需用红表笔才能触发G栅极,则表明该场效应管为P沟道。

4.跨导大小(非定量)的判别:

对于N沟道的场效应管,用红表笔接S极(源极)黑表笔接D极(漏极),万用表读数应较大,这时若用手接触G极(栅极),万用表读数就会发生变化,变化越明显,说明该场效应管的跨导越大。

对于D沟道的场效应管,用黑表笔接S极(源极),红表笔接D极(漏极),万用表的读数应较大,若用手指轻碰G极(栅极),万用表的读数就会发生变化,阻值变化越明显,则说明该场效应管的跨导越大。

场效应管的好坏如何检测

一、用指针式万用表对场效应管进行判别

(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1K档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S,因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极G,其余两电极分别为漏极D和源极S。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极G。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。(2)用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极S与漏极D、栅极G与源极S、栅极G与漏极D、栅极G与栅极G之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:

首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常

值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10K档,再测栅极G与S源极、G栅极与D漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

用感应信号输人法估测场效应管的放大能力,具体方法:

用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏极D源极S间的电阻值。

然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极G上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏极D源极S间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。

根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管DJF。先将管的栅极G开路,测得漏源电阻RDS为00Ω,用手捏住栅极G后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为KΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明几点:

第一,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。

第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。

第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。

(3)用测电阻法判别无标志的场效应管

首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G和第二栅极G。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。

用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G、G也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G、G的位置,从而就确定了D、S、G、G管脚的顺序。

(4)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。

将万用表的欧姆档选在R×0kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现

管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。

场效应管检测方法与经验

一、用指针式万用表对场效应管进行判别

(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:

将万用表拨在R×1K档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G与栅极G之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10档,再测栅极G与G之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上.V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。

这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。

根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管DJF。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为100Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为KΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明几点:

第一,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆

动(电阻值增加)。

这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。

但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。

第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。

第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。

(1)用测电阻法判别无标志的场效应管

首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G和第二栅极G。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G、G也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G、G的位置,从而就确定了D、S、G、G管脚的顺序。

(2)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×0kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。

二、.场效应管的使用注意事项

(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。

(3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。

(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将

管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。

对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。

总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。

三.VMOS场效应管

VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥0W)、驱动电流小(0.μA左右),还具有耐压高(最高00V)、工作电流大(.A~00A)、输出功率高(~0W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此,VMOS管的并联得到广泛应用。

众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从图上可以看出其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D。

电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

国内生产VMOS场效应管的主要厂家有厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等,典型产品有VN0、VN、VMPT等。

下面介绍检测VMOS管的方法。

.判定栅极G

将万用表拨至R×k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。

.判定源极S、漏极D

由图可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D 极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。

.测量漏-源通态电阻RDS(on)

将G-S极短路,选择万用表的R×档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用00型万用表R ×档实测一只IRFPC0型VMOS管,RDS(on)=.W,大于0.W(典型值)。

.检查跨导

将万用表置于R×1K(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。

注意事项:

(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。

(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的、项不再适用。

(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR 公司生产的IRFT00型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。

(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=0MHz,IDSM=A,PDM=0W,共源小信号低频跨导gm=000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF0为例,该管子加装0×0×(mm)的散热器后,最大功率才能达到0W。

碳纳米管的现状和前景

碳纳米管的现状和前景 信息技术更新日新月异,正如摩尔定律所言,集成电路的集成度每隔18 个月翻一番,即同样的成本下,集成电路的功能翻一倍。这些进步基于晶体管的发展,晶体管的缩小提高了集成电路的性能。 在硅基微电子学发展的过程中,器件的特征尺寸随着集成度的越来越高而日益减小,现在硅器件已经进入深微亚米阶段,也马上触及到硅器件发展的瓶颈,器件将不再遵从传统的运行规律,具有显著的量子效应和统计涨落特性. 为了解决这些问题,人们进行了不懈地努力,寻找新的材料和方法,来提高微电子器件的性能。研究基于碳纳米管的纳电子器件就是其中很有前途的一种方法。 碳纳米管简介 一直以来都认为碳只有两种形态——金刚石和石墨。直至1985年发现了以碳60为代表的富勒烯、从而改变了人类对碳形态的认识。1991年,日本筑波NEC研究室内科学家首次在电子显微镜里观察到有奇特的、由纯碳组成的纳米量级的线状物。此类纤细的分子就是碳纳米管 碳纳米管有许多优异的性能,如超高的反弹性、抗张强度和热稳定性等。被认为将在微型机器人、抗撞击汽车车身和抗震建筑等方面有着极好的应用前景。但是碳纳米管的第一个获得应用的领域是电子学领域、近年来,它已成为微电子技术领域的研究重要方面。 研究工作表明,在数十纳米上下的导线和功能器件可以用碳纳米管来制造,并连接成电子电路。其工作速度将过高于已有的产品而功率损耗却极低! 不少研究组已经成功地用碳纳米管制成了电子器件。例如IBM 的科学家们就用单根半导体碳纳米管和它两端的金属电极做成了场效应管(FETs)。通过是否往第三电极施加电压,可以成为开关,此器件在室温下的工作特性和硅器件非常相似,而导电性却高出许多,消耗功率也小。按理论推算,纳米级的开关的时钟频率可以达到1太赫以上,比现有的处理器要快1000倍。 碳纳米管的分类 石墨烯的碳原子片层一般可以从一层到上百层,根据碳纳米管管壁中碳原子层的数目被分为单壁和多壁碳纳米管。 单壁碳纳米管(SWNT)由单层石墨卷成柱状无缝管而形成是结构完美的单分子材料。SWNT 的直径一般为1-6 nm,最小直径大约为0.5 nm,与C36 分子的直径相当,但SWNT 的直径大于6nm 以后特别不稳定,会发生SWNT 管的塌陷,长度则可达几百纳米到几个微米。因为SWNT 的最小直径与富勒烯分子类似,故也有人称其为巴基管或富勒管。 多壁碳纳米管MWNT可看作由多个不同直径的单壁碳纳米管同轴套构而成。其层数从2~50 不等,层间距为0.34±0.01nm,与石墨层间距(0.34nm)相当。多壁管的典型直径和长度分别为2~30nm 和0.1~50μm。多壁管在开始形成的时候,层与层之间很容易成为陷阱中心而捕获各种缺陷,因而多壁管的管壁上通常

场效应管的问题点解答

场效应管的问题点解答 1 场效应管的性能与双极型三极管比较具有哪些特点? 答: 场效应管是另一种半导体放大器件。在场效应管中只是多子参与导电,故称为单极型三极管;而普通三极管参与导电的,既有多数载流子,又有少数载流子,故称为双极型三极管。由于少数载流子的浓度易受温度的影响,因此,在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。2.双极型三极管是电流控制器件,通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此,基极总有一定的电流,故三极管的输人电阻较低;场效应管是电压控制器件,其输出电流决定于栅源极之间的电压,栅极基本上不取电流,因此,它的输入电阻很高,可达109~1014Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。 3.场效应管的漏极和源极可以互换,耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负,灵活性比双极型三极管强。 4 场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用,可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。 2 场效应管的伏安特性如何表示?试以N沟道结型场效应管为例,说明场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性有和区别? 答: 场效应管的伏安特性用输出特性(又称漏极特性)Id=f(Vds)|Vgs=常数和转移特性 Id=f(Vgs)|Vds=常数表示。它们都反映了场效应管工作的同一物理过程,转移特性可以直接从输出特性上用作图法�一对应地求出。 N沟道结型场效应管的输出特性曲线与双极型三极管的输出特性相比有类似之处,但有区别,详见表 1.3.2。 3 何为场效应管的开启电压Vt和夹断电压Vp? 在图1.3.3(a)和(b)所示场效应管的输出特性曲线上如何确定其值? 答: 对于增强型绝缘栅型场效应管(MOSFET),在Vgs=0时不存在导电沟道,只有当Vgs达到开启电压Vt时才有漏极电流Id。因此,在输出特性中, Id大于或等于零(即开始出现Id)时

场效应管放大器实验报告

实验六场效应管放大器 一、实验目的 1、了解结型场效应管的性能和特点 2、进一步熟悉放大器动态参数的测试方法 二、实验仪器 1、双踪示波器 2、万用表 3、信号发生器 三、实验原理 实验电路如下图所示: 图6-1

场效应管是一种电压控制型器件。按结构可分为结型和绝缘栅型两种类型。由于场效应管栅源之间处于绝缘或反向偏置,所以输入电阻很高(一般可达上百兆欧)又由于场效应管是一种多数载流子控制器件,因此热稳定性好,抗辐射能力强,噪声系数小。加之制造工艺较简单,便于大规模集成,因此得到越来越广泛的应用。 1、结型场效应管的特性和参数 场效应管的特性主要有输出特性和转移特性。图6-2所示为N沟道结 图6-2 3DJ6F的输出特性和转移特性曲线 型场效应管3DJ6F的输出特性和转移特性曲线。其直流参数主要有饱和漏极电 流I DSS ,夹断电压U P 等;交流参数主要有低频跨导 常数 U △U △I g DS GS D m = = 表6-1列出了3DJ6F的典型参数值及测试条件。 表6-1 参数名称饱和漏极电流 I DSS (mA) 夹断电压 U P (V) 跨导 g m (μA/V) 测试条件U DS =10V U GS =0V U DS =10V I DS =50μA U DS =10V I DS =3mA f=1KHz 参数值1~3.5 <|-9|>100

2、场效应管放大器性能分析 图6-1为结型场效应管组成的共源级放大电路。其静态工作点 2 P GS DSS D )U U (1I I - = 中频电压放大倍数 A V =-g m R L '=-g m R D // R L 输入电阻 R i =R G +R g1 // R g2 输出电阻 R O ≈R D 式中跨导g m 可由特性曲线用作图法求得,或用公式 )U U (1U 2I g P GS P DSS m -- = 计算。但要注意,计算时U GS 要用静态工作点处之数值。 3、输入电阻的测量方法 场效应管放大器的静态工作点、电压放大倍数和输出电阻的测量方法,与实验二中晶体管放大器的测量方法相同。其输入电阻的测量,从原理上讲,也可采用实验二中所述方法,但由于场效应管的R i 比较大,如直接测输入电压U S 和U i ,则限于测量仪器的输入电阻有限,必然会带来较大的误差。因此为了减小误差,常利用被测放大器的隔离作用,通过测量输出电压U O 来计算输入电阻。测量电路如图3-3所示。 图3-3 输入电阻测量电路 在放大器的输入端串入电阻R ,把开关K 掷向位置1(即使R =0),测量放大器的输出电压U 01=A V U S ;保持U S 不变,再把K 掷向2(即接入R ),测量放大器的输出电压U 02。由于两次测量中A V 和U S 保持不变,故 S D DD g2 g1g1 S G GS R I U R R R U U U -+= -=

热阻测试仪说明书

热阻测试仪使用说明

测试概述: 1.可测试各类型散热器,散热模组测试热阻及温度监控. 2.电脑软件自动监控,自动计算温度及热阻,并自动绘制温度及热阻曲线。 3.使用简单,适用范围广。 4.测试精度:优于3% 5.实验方式:a、试样不同压力下热阻测试。b、材料导热系数测试。c、接触热阻测试。 6.计算机全自动测试,并可实现数据打印输出 使用手册(1本) 三.保修: 本产品自售出之日起6个月内,用户在遵守各项使用要求的情况下,产品质量出现问题,我方可免费维修。因违反操作规定和要求而造成损坏的,需缴纳器件费和维修费及相应的运输费用,如果模拟测试平台有明显的烧毁、烧糊情况原则上不予维修。如果本设备测试有问题,可以免费维修。验收标准,方法及提出异议期限:需方收到货后当场确认! 四.基本原理 热阻的计算公式:R=T1-T2/W T1=CPU表面温度 T2=环境温度 W=CPU最大运行功率 通过电源提供模拟电脑CPU热阻测试治具与真实电脑CPU运行最大功率时所需的相同功率,使电脑CPU热阻测试治具发热与真实电脑CPU基本相同。通过双通道温度测试仪测试出CPU表面温度和风扇进风口温度。然后通过电脑时时监控温度

变化和计算热阻绘制热阻曲线。 五.操作步骤 1.打开透明机箱盖 2.涂导热膏 3.將散热器固定于模拟测试平台上 4.连接风扇连接线,打开风扇电源开关

5.连接模拟测试平台连接线到电源 6.盖上透明机箱盖 7.将温度线联接到已联接到电脑的温度测试仪。打开电脑及测试软件! 8.开启模拟CPU电源开关(请一定确认COOLER已安装好) 7.调整正确的电流和电压数,在电脑上可时时监控温度CPU温度. 8.测试10~15分钟后,保存测试数据,关闭模拟CPU电源开关,非常重要!! 9.关闭温度测试表打开透明机箱盖待模拟制具稍冷却后关闭风扇电源拔取风扇 连接线取下COOLER清洁治具上及COOLER的导热膏盖上透明机箱盖。 10.通过电脑测试自动算出温度曲线,热阻曲线。

第五章 FET三极管及其放大管考试试题

第五章FET三极管及其放大管 一、判断题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。()。 √ 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。()× 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。()× I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。() × 若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。()前往 × 互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) √ 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。( ) × I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。( ) × 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。( ) √ 与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳

定性好等优点。() √ 场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。() × 二、填空题 场效应管放大电路中,共__极电路具有电压放大能力,输出电压与输入电压反 相;共__极电路输出电阻较小,输出电压与输入电压同相。 源,栅 场效应管是利用__电压来控制__电流大小的半导体器件。 V GS(栅源电压),I D(漏极) 场效应管是____控制半导体器件,参与导电的载流子有____种。 电压,1 当u gs=0时,漏源间存在导电沟道的称为____型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为____型场效应管。 耗尽型,增强型 场效应管具有输入电阻很____、抗干扰能力____等特点。 大,强 输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是____。 共射(共源) 共源极放大电路的性能与半导体三极管的____电路相似。 共射 共漏极放大电路的性能与半导体三极管的____电路相似。

场效应管在开关电路中的应用

场效应管在开关电路中的应用 场效应管在mpn中,它的长相和我们前面讲的三极管极像,所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不清楚,统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”,呵呵,如果这样麻木不分的话,你的维修技术恐怕很难快速提高的哦! 好了,说到这里场效应管的长相恐怕我就不用贴图了,在电路图中它常用 表示,关于它的构造原理由于比较抽象,我们是通俗化讲它的使用,所以不去多讲,由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多,特性也都不尽相同;我们在mpn 中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用,所以需要通过电流比较大,所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型的场效应管(MOS型),它的电路图符号: 仔细看看你会发现,这两个图似乎有差别,对了,这实际上是两种不同的增强型场效应管,第一个那个叫N沟道增强型场效应管,第二个那个叫P沟道增强型场效应管,它们的的作用是刚好相反的。前面说过,场效应管是用电控制的开关,那么我们就先讲一下怎么使用它来当开关的,从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚,这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D),mpn中的贴片元件示意图是这

个样子: 1脚就是栅极,这个栅极就是控制极,在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通,N沟道的,在栅极加上电压2脚和3脚就通电了,去掉电压就关断了,而P沟道的刚好相反,在栅极加上电压就关断(高电位),去掉电压(低电位)就相通了! 我们常见的2606主控电路图中的电源开机电路中经常遇到的就是P沟道MOS管: 这个图中的SI2305就是P沟道MOS管,由于有很多朋友对于检查这一部分的故障很茫然,所以在这里很有必要讲一下它的工作原理,来加深一下你的印象! 图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极,由于Q1是一个P沟道管,它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压,所以不能通电,电压不能继续通过,3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机!这时,如果我们按下SW1开机按键时,正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极,三极管Q2的基极得到一个正电位,三极管导通(前面讲到三极管的时候已经讲过),由于三极管的发射极直接接地,三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地,加在它上面的通过R20电阻的

(精品)热阻及热导率的测量方法

热阻及热导率测试方法 范围 本方法规定了导热材料热阻和热导率的测试方法。本方法适用于金属基覆铜板热 阻和导热绝缘材料热阻和热导率的测试。 术语和符号 术语 热触热阻 contact resistance 是测试中冷热两平面与试样表面相接触的界面产生热流量所需的温差。接触热阻 的符号为R I 面积热流量areic heat flow rate 指热流量除以面积。 符号 下列符号适用于本方法。 λ:热导率,W/(m﹒K); A:试样的面积,m 2 ; H:试样的厚度,m; Q:热流量,W 或者 J/s; q:单位面积热流量,W/ m 2 ; R:热阻,(K﹒m 2 )/W。 原理 本方法是基于测试两平行等温界面中间厚度均匀试样的理想热传导。 试样两接触界面间的温 度差施加不同温度,使得试样上下两面形成温度梯度,促使热流量全部垂直穿过试样测试表 面而没有侧面的热扩散。 使用两个标准测量块时本方法所需的测试: T1=高温测量块的高温,K; T2=高温测量块的低温,K; T3=低温测量块的高温,K; T4=低温测量块的低温,K; A=测试试样的面积,m 2 ; H=试样的厚度,m。 基于理想测试模型需计算以下参数: T H:高温等温面的温度,K; T C:低温等温面的温度,K; Q:两个等温面间的热流量 热阻:两等温界面间的温差除以通过它们的热流量,单位为(K﹒m 2 )/W; 热导率:从试样热阻与厚度的关系图中计算得到,单位为W/(m.K)。

接触热阻存在于试样表面与测试面之间。 接触热阻随着试样表面特性和测试表面施加给试样 的压力的不同而显著变化。因此,对于固体材料在测量时需保持一定的压力,并宜对压力进 行测量和记录。热阻的计算包含了试样的热阻和接触热阻两部分。 试样的热导率可以通过扣除接触热阻精确计算得到。 即测试不同厚度试样的热阻,用热阻相 对于厚度作图,所得直线段斜率的倒数为该试样的热导率,在厚度为零的截取值为两个接触 界面的接触热阻。如果接触热阻相对于试样的热阻非常小时(通常小于1%),试样的热导率 可以通过试样的热阻和厚度计算得出。 通过采用导热油脂或者导热膏涂抹在坚硬的测试材料表面来减小接触热阻。 仪器 符合本测试方法的一般特点要求的仪器见图A.1和图A.2。 该套仪器增加测厚度及压力监测等 功能,加强了测试条件的要求来满足测试精度需要。 仪器测试表面粗糙度不大于0.5μm;测试表面平行度不大于5μm。 精度为1μm归零厚度测试仪(测微计、LVDT、激光探测器等)。 压力监测系统。 图A.1 使用卡路里测量块测试架 图A.2 加热器保护的测量架 热源可采用电加热器或是温控流体循环器。主热源部分必需采用有保护罩进行保护, 保护罩 与热源绝缘,与加热器保持±0.2K的温差。避免热流量通过试样时产生热量损失。无论使用 哪一种热源,通过试样的热流量可以用测量块测得。 热流量测量块由测量的温度范围内已知其热导率的高热导率材料组成。为准确测量热流量, 必须考虑热传导的温度灵敏度。推荐测量块材料的热导率大于50 W/(m.K)。 通过推算测量块温度与测试表面的线性关系(Fourier传热方程),确定测量块的热端和冷端 的表面温度。 冷却单元通常是用温度可控的循环流体冷却的金属块,其温度稳定度为±0.2 K。 试样的接触压力通过测试夹具垂直施加在试样的表面上,并保持表面的平行性和对位。

碳纳米管器件原理和应用

碳纳米管器件原理和 应用 姓名:郭天凯 专业:应用物理 学号:2012437019

摘要: 纳米材料被誉为是21 世纪的重要材料,它将构成未来智能社会的四大支柱之一。碳纳米管在纳米材料中最富有代表性,并且是性能最优异的材料。碳纳米管具有独特的结构形态和优异的电学、力学等性能,碳纳米管的独特结构和优异的物理力学性能使它成为纳米科技领域中构筑纳尺度器件和系统的重要基础,为纳米科技领域的创新提供着持续强劲的原动力。碳纳米管在各种应用领域中的巨大应用前景,包括高强度复合材料、微机械、信息存储、纳米电子器件、平板场致发射显示器以及碳纳米管微操作等,碳纳米管独特的结构和优良性能使其在纳米技术和纳米电子学领域扮演着愈来愈重要的角色,本文综述了碳纳米管器件的原理和应用。 关键词:碳纳米管器件、场效应管、单电子晶体管、电磁屏蔽复合材料、聚合物基吸波复合材料、超电容器电极材料、储氢材料、催化剂载体 正文: 一、碳纳米管器件的制备原理 碳纳米管的生长和制备是场致发射显示器研制中关键的一个环节。目前,人们可以利用激光轰击法、化学汽相沉积法、辉光放电法、直流电弧放电法、气体燃烧法、催化剂高温热解法等多种方法制备碳纳米管。在这些技术当中,直流电弧放电法的生产工艺简单,可以大批量生产。虽然目前已经有很多种制备碳纳米管的方法,但是碳纳米管的大量制备仍然是以电弧放电法和高温催化热解法为主。其中电弧

放电法可以获得具有较高程度石墨化结构的碳纳米管,十分适用于理论研究的需要。C.Journet等人采用电弧法的工艺过程如下:在氩气气氛下,利用阴阳两个电极之间的大量放电现象来实现碳纳米管材料的生长。阴极是一个长约100mm、直径大约6mm的石墨棒,上面刻蚀了一个4mm深、3.5mm直径大小的孔洞,利用金属催化剂和石墨粉末的混合物进行填充。利用大约为100A的高电流来产生电弧放电,通过不断移动阳极,同时保持阴极和阳极之间的间距为常数(大约为 3mm)来实现的。典型的生长时间为2min。从SEM的结果看,存在着大量的、相互缠绕的碳纤维材料均匀地分布在至少为几个平方毫米的衬底表面上,碳纳米管的直径为10~20nm,而两个缠绕点之间的平均距离在几个微米左右,但是看不出碳纳米管的顶端。估计碳纳米管的产量在百分之八十左右。 碳纳米管的电学性能,单壁碳纳米管既可表现为金属性,又可表现为半导体性;电子在碳纳米管中可实现弹道式传输,无电子散射发生,无能量损失;碳纳米管的通流能力可以达到109? 1010A/cm2,并在较高的温度下稳定地存在而没有电迁移现象;碳纳米管的电流传输具有螺旋特征,使其磁场分布主要集中在碳管的内部;碳纳米管的场发射特性具有相对低的开启电压和阈值电压、良好的场发射稳定性和长的发射周期;碳纳米管的微波介电特性使其表现出较强的宽带微波吸收性能。碳纳米管的力学性能,比重为钢的1/6,强度为钢的100 倍,杨氏模量可达1000 GPa,比金刚石高好几倍,弹性模量可达 1 TPa;具有高弹性,高的韧性;通过材料的响应,直接把电能转化为机械能。

三极管和场效应管 练习题2

三极管和场效应管 练习题2 一、单选题(每题1分) 1. 场效应管本质上是一个( )。 A 、电流控制电流源器件 B 、电流控制电压源器件 C 、电压控制电流源器件 D 、电压控制电压源器件 2. 放大电路如图所示,已知硅三极管的50=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 3. 放大电路如图所示,已知三极管的05=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 4. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ,则下列状态下三极管能正常工作的是( )。 A. mA 10,V 3C CE ==I U B. mA 40,V 2C CE ==I U C. mA 20,V 6C CE ==I U D. mA 2,V 20C CE ==I U 5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是( )。

A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS 6. ( )情况下,可以用H 参数小信号模型分析放大电路。 A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号 7. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。 A.C B E I I I += B. B C I I β≈ C. CEO CBO I I )1(β+= D. βααβ=+ 8. 硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ,则此时三极管工作于( ) 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 9. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 10. 下面的电路符号代表( )管。 A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS 11. 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是( )。 A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>> B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>> C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>> D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>> 12. ( )具有不同的低频小信号电路模型。 A. NPN 管和PNP 管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管 D. 三极管和二极管 二、判断题(每题1分) 1. 对三极管电路进行直流分析时,可将三极管用H 参数小信号模型替代。 2. 分析三极管低频小信号放大电路时,可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件,从而简化计算。 3. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移,且间距随温度升高而减小。 4. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。 5. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路,交流分析时可视为开路。 6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同,因此,可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。 7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。 8. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。 9. 双极型三极管由两个PN 结构成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 10. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。 11. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。 12. 三极管工作在放大区时,若i B 为常数,则u CE 增大时,i C 几乎不变,故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。

IGBT模块的测试方法

MOS管和IGBT模块的测试方法 MOS管(MOSFET)的测试方法: 场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G(栅极)和S(源极)之间,G与D(漏极)之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用. 另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 (1)从包装上区分 由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. (2)用指针式万用表的电阻档测量 用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管. 2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚 一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同(均为几千欧)时,该两极分别为D、S极(在使用时,这两极可互换),余下的一极为 由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜. 简单方法检测IGBT模块的好坏:

l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极( G )。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极( C ):黑表笔接的为发射极( E )。 2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档,用黑表笔接 IGBT 的集电极( C ),红表笔接 IGBT 的发时极( E ),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极( G )和集电极( C ),这时工 GBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极( G )和发射极( E ),这时 IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断 IGBT 是好的。 3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×IOK挡,因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管( P 一 MOSFET )的好坏。 以两单元为例:用模拟万用表测量 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;

电压法LED结温及热阻测试原理分析

电压法LED结温及热阻测试原理分析 发布日期:2010-08-01 来源: 关键字: 近年来,由于功率型LED 光效提高和价格下降使LED 应用于照明领域数量迅猛增长,从各种景观照明、户外照明到普通家庭照明,应用日益广泛。LED 应用于照明除了节能外,长寿命也是其十分重要的优势。目前由于LED 热性能原因,LED 及其灯具不能达到理想的使用寿命;LED 在工作状态时的结温直接关系到其寿命和光效;热阻则直接影响LED 在同等使用条件下 LED 的结温;LED 灯具的导热系统设计是否合理也直接影响灯具的寿命。因此功率型 LED 及其灯具的热性能测试 ,对于 LED 的生产和应用研发都有十分直接的意义。以下将简述LED 及其灯具的主要热性能指标,电压温度系数K、结温和热阻的测试原理、测试设备、测试内容和测试方法,以供LED 研发、生产和应用企业参考。 一、电压法测量 LED 结温的原理 LED 热性能的测试首先要测试 LED 的结温,即工作状态下 LED 的芯片的温度。关于LED 芯片温度的测试,理论上有多种方法,如红外光谱法、波长分析法和电压法等等。目前实际使用的是电压法。1995 年 12 月电子工业联合会/电子工程设计发展联合会议发布的> 标准对于电压法测量半导体结温的原理、方法和要求等都作了详细规范。 电压法测量LED 结温的主要思想是:特定电流下 LED 的正向压降 Vf 与 LED 芯片的温度成线性关系,所以只要测试到两个以上温度点的Vf 值,就可以确定该 LED 电压与温度的关系斜率,即电压温度系数 K 值,单位是 mV/°C 。K 值可由公式K=ㄓVf/ㄓTj 求得。K 值有了,就可以通过测量实时的 Vf 值,计算出芯片的温度(结温)Tj 。为了减小电压测量带来的误差,> 标准规定测量系数 K 时,两个温度点温差应该大于等于50 度。对于用电压法测量结温的仪器有几个基本的要求:A、电压法测量结温的基础是特定的测试电流下的 Vf 测量,而 LED 芯片由于温度变化带来的电压变化是毫伏级的,所以要求测试仪器对电压测量的稳定度必须足够高,连续测量的波动幅度应小于 1mV 。 B、这个测试电流必须足够小,以免在测试过程中引起芯片温度变化;但是太小时会引起电压测量不稳定,有些LED 存在匝流体效应会影响 Vf 测试的稳定性,所以要求测试电流不小于 IV 曲线的拐点位置的电流值。

场效应管放大电路

第四章场效应管放大电路 本章内容简介 场效应管是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点,还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。场效应管的分类根据结构和工作原理的不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 在一块N型半导体材料的两边各扩散 一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对 称的PN结,即耗尽层。把两个P+区并联在 一起,引出一个电极g,称为栅极,在N 型半导体的两端各引出一个电极,分别称 为源极s和漏极d。 场效应管的与三极管的三个电极的对应关系: 栅极g—基极b;源极s—发射极e;漏极d—集电极c夹在两个PN结中间的区域称为导电沟道(简称沟道)。 如果在一块P型半导体的两边各扩散一 个高杂质浓度的N+区,就可以制成一个P沟 道的结型场效应管。P沟道结型场效应管的

结构示意图和它在电路中的代表符号

如图所示。 2. 工作原理 v GS对i D的控制作用 为便于讨论,先假设漏-源极间所加的电压v DS=0。 (a) 当v GS=0时,沟道较宽,其电阻较小。 (b) 当v GS<0,且其大小增加时,在这个反偏电压的作用下,两个PN结耗尽层将加宽。由于N 区掺杂浓度小于P+区,因此,随着|v GS| 的增加,耗尽层将主要向N沟道中扩展,使沟道变窄,沟道电阻增大。当|v GS| 进一步增大到一定值|V P| 时,两侧的耗尽层将在沟道中央合拢,沟道全部被夹断。由于耗尽层中没有载流子,因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大,即使加上一定的电压v DS,漏极电流i D也将为零。这时的栅-源电压v GS称为夹断电压,用V P表示。在预夹断处:V GD=V GS-V DS =V P 上述分析表明: (a)改变栅源电压v GS的大小,可以有效地控制沟道电阻的大小。 (b)若同时在漏源-极间加上固定的正向电压v DS,则漏极电流i D将受v GS的控制,|v GS|增大时,沟道电阻增大,i D减小。 (c)上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边建立了电场,电场强度的大小控制了沟道的宽度,即控制了沟道电阻的大小,从而控制了漏极电流i D的大小。 v DS对i D的影响 设v GS值固定,且V P

VMOS场效应管基础知识及检测方法

VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,其两大结构特点: 第一,金属栅极采用V型槽结构; 第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+ 区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D。 下面介绍检测VMOS管的方法。 1.判定栅极G 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。 2.判定源极S、漏极D 由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D 极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。 3.测量漏-源通态电阻RD S(on) 将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。 由于测试条件不同,测出的RD S(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。 4.检查跨导 将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。 注意事项: (1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。 (2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。 (3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公

碳纳米管的结构、性能和应用

碳纳米管的制备、性质和应用 摘要:综述了碳纳米管的研究进展,简单地介绍了单层碳纳米管和多层碳纳米管的基本形貌、结构及其表征,列举了几种主要的制备方法以及特点,介绍了碳纳米管优异的物理化学性质,以及在各个领域中潜在的应用前景和商业开发价值。 Abstract: the article reviews the study progress in nanotubes, and gives a brief introduction to single-layer carbon nanotubes and multi-walled carbon nanotubes of their morphology, structure and characterization. At the same time ,the commonly used ways of preparation and principles as well as the applications and research prospect of carbon nanotubes are also presented. Key words: carbon nanotubes ; preparation; application 前言 仅仅在十几年前,人们一般认为碳的同素异形体只有两种:石墨和金刚石。1985年,英国Sussex大学的Kroto教授和美国Rice大学的Smalley教授进行合作研究,用激光轰击石墨靶尝试用人工的方法合成一些宇宙中的长碳链分子。在所得产物中他们意外发现了碳原子的一种新颖的排列方式,60个碳原子排列于一个截角二十面体的60个顶点,构成一个与现代足球形状完全相同的中空球,这种直径仅为0.7nm的球状分子即被称为碳60分子1-2。此即为碳晶体的第三种形式。 1991年,碳晶体家族的又一新成员出现了,这就是碳纳米管。日本NEC公司基础研究实验室的Iijima教授在给《Nature》杂志的信中宣布合成了这种一种新的碳结构3。这是继C60之后发现的碳的又一同素异形体,是碳团簇领域的又一重大科研成果。碳纳米管(CNTs)具有较大的长径比和比表面积、较低的电阻和很高的化学稳定性,同时又可吸附适合其内径的分子,在材料科学、微电子学、电化学领域中都有重要应用。 1碳纳米管的结构 碳原子sp2杂化形成关闭或开放的蜂巢状原子排列,卷曲产生管状的碳结构。CNTs的直径为零点几纳米至几十纳米,每个单壁管侧面由碳原子的六边形组成,长度一般为几十纳米至微米级,两端由碳原子的五边形封顶,单壁碳纳米管(SWNTs)存在3种类型的结构,分别为单壁纳米管(Armchair nanotubes)、锯齿型纳米管(Zigzag nanotubes)和手性型纳米管(Chiral nanotubes),见图14。多层碳纳米管一般有几个到几十个SWNT同轴构成,管间距为0.34nm左右,这相当于石墨的{0002}面间距,直径约为1nm,长径比大。 图13种类型的碳纳米管 CNTs的性能由它们的直径和手性角θ来确定,而这两个参数又取决于两个整数n和m 值,Ch=na1+ma2,a1和a2为CNTs一个单胞的单位矢量。手性矢量形成了纳米管圆形横截面的圆周,不同的m和n值导致了不同的纳米管结构1,5。 2碳纳米管的制备

模电4-场效应管

4 场效应管放大电路 学习指导: 1. 正确理解各种场效应管的工作原理 2.熟练掌握各种场效应管的外特性及主要参数 3.熟练掌握共源、共漏放大电路的工作原理及直流偏置 4.会用场效应管小信号模型分析法求解共源、共漏放大电路的电压增益、输入电阻和输出电阻 主要内容: 4.1 结型场效应管 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1、结构: 在一块N型半导体材料的两 边各扩散一个高杂质浓度的P+区, 就形成两个不对称的P+N结,即 耗尽层。把两个P+区并联在一起, 引出一个电极g,称为栅极,在N 型半导体的两端各引出一个电 极,分别称为源极s和漏极d。它 们分别与三极管的基极b、发射 极e和集电极c相对应。夹在两 个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管, 如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区,就可以制成一个P沟道的结型场效应管。图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。 2、工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。 在栅-源极间加一负电压(v GS<0), 使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流 i G≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高 达108 左右)。 在漏-源极间加一正电压(v DS>0), 使N沟道中的多数载流子电子在电场作 用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏 极电流i D。i D的大小主要受栅-源电压v GS 控制,同时也受漏-源电压v DS的影响。

场效应管的极性和好坏判断

Q1:高压稳场管;Q2:低压稳场管 Q2的S极接地;测量方法:红表笔接地,黑表笔接场管S极,如数值小于10,则说明当前所测场管Q2,Q2的D极连接Q1的S极。 判断Q1是否击穿:红表笔接D极,黑表笔接S极,数值小于10,证明击穿。 场管的代换原则(只适合主板) 场管代换只需大小相同,分清N沟道P沟道即可 功率大的可以代换功率小的 技嘉主板的场管最好原值代换 一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多,其次是增强型P沟道,结型管和耗尽型管一般没有, 场效应管N沟道和P沟道判断方法 (1)场效应管的极性判断,管型判断(如图)

G极与D极和S极正反向均为∞ (2)场效应管的好坏判断 把数字万用表打到二极管档,用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚,好的场效应管最终测量结果只有一次有读数,并且在500左右。如果在最终测量结果中测得只有一次有读数,并且为“0”时,须用表笔短接场效应管识引脚,然后再测量一次,若又测得一组为500左右读数时,此管也为好管。不符合以上规律的场效应管均为坏管。 场效应管的代换原则(注:只适合主板上场效应管的代换) 一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多,其次是增强型P沟道,结型管和耗尽型管一般没有,所以在代换时,只须在大小相同的情况下,N沟道代N沟道,P沟道代P沟道即可。 用万用表测量场效应管极性及好坏判断 来源:互联网作者:电子电路图网【大中小】 1、测量

极性及管型判断 红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道 红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道 如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测 场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准 2、好坏判断

碳纳米管场效应晶体管设计

第24卷 第10期 电子测量与仪器学报 Vol. 24 No. 10 2010年10月 JOURNAL OF ELECTRONIC MEASUREMENT AND INSTRUMENT · 969 · 本文于2010年8月收到。 * 基金项目: 安徽省自然科学基金(编号: 090414199)资助项目; 中央高校基本科研业务费专项资金(编号:2010HGZY0004, 2010HGXJ0224)资助项目。 DOI: 10.3724/SP.J.1187.2010.00969 碳纳米管场效应晶体管设计与应用* 许高斌1,2 陈 兴1,2 周 琪3 王 鹏1,2 (1. 安徽省微电子机械系统工程技术研究中心, 合肥 230009; 2. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院, 合肥 230009; 3. 合肥工业大学材料科学与工程学院, 合肥 230009) 摘 要: 碳纳米管具有一些独特的电学性质, 在纳米电子学有很好的应用前景。随着纳米技术的发展, 新的工艺技术也随之产生。纳米器件的“由下至上”制作工艺, 是在纳米技术和纳米材料的基础之上发展起来的, 在新工艺基础之上, 可以利用纳米管、纳米线的性质制作成各种新的电子器件。由于碳纳米管可以和硅在电子电路中扮演同样的角色, 随着基于碳纳米管的纳米电路研究的深入发展, 电子学将在真正意义上从微电子时代进入纳电子时代。从分析碳纳米管分立场效应晶体管典型结构特点入手, 分析阐述了碳纳米管构建的典型纳米逻辑电路结构特征及碳纳米管在柔性纳米集成电路方面的应用。 关键词: 碳纳米管;场效应晶体管;纳米逻辑门电路;柔性纳米集成电路;纳米电子学 中图分类号: O484 文献标识码: A 国家标准学科分类代码: 430.4030 Design and application of carbon nanotube FETs Xu Gaobin 1,2 Chen Xing 1,2 Zhou Qi 3 Wang Peng 1,2 (1. Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province, Hefei 230009, China; 2. School of Electronic Science & Applied Physics, Hefei 230009, China; 3. School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) Abstract: Carbon nanotube has many extraordinary electrical properties and extensive application foreground on nano electronics. With the development of nanotechnology, new process technique is generated. And the bottom-up fabri-cation process is developed based on nano technique and nano materials, then various new electron devices is constructed by using the properties of nanotubes and nanowires. Since the CNTs can act same roles in electronic circuit as Si material, and with the profound development of research of nano-ICs based on CNTs, the electronics will turn into the nanoelec-tronic era truly from the microelectronic era. In this paper, the feature of typical structure of nano electronic devices based on CNTs, CNTs field effect transistor (FET), is discussed, the characteristic of typical structure of logic-gate circuits based on CNT-FETs is represented, and the application of CNTs on flexible nano ICs is also described. Keywords: carbon nanotube; FETs; nano logic-gate circuit; flexible nano-ICs; Nano electronics 1 引 言 自1991年S. Iijima 发现碳纳米管后[1] , 由于其独特的物理、化学性质及其机械性能, 具有径向量子效应、超大比表面面积、千兆赫兹的固有振荡频率等特点[2] , 碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)引起了人们的极大关注。从结构上来说, CNTs 可以分为单 壁碳纳米管(single-walled carbon nanotube, SWCNT)和多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotube, MWCNT)。SWCNT 是单层的, 其直径在1~5 nm; MWCNT 大约有50层, 内径在1.5~15 nm, 外径在2.5~30 nm 。MWCNT 由于结构上存在缺陷, 其纳结构在稳定性上不如SWCNT 结构。碳纳米管具有一些独特的电学性质[3], 可制备出金属性和半导体性

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