电学半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）
姓名班次分数
一、选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入下列____________ 物质而形成的。
A、电子；
B、空穴；
C、三价元素；
D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 ________________ 。
A、掺杂的工艺；
B、杂质的浓度：
C、温度；
D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是
A、发射结正偏、集电结反偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是
A、发射结正偏、集电结反偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是
A、发射结正偏、集电结反偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确
的是
A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止；
B、发射结正偏、集电结正偏;
D、发射结反偏、集电结反偏;
B、发射结正偏、集电结正偏;
D、发射结反偏、集电结反偏;
B、发射结正偏、集电结正偏;
D、发射结反偏、集电结反偏;
6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是
A、一12V ;
C、+6V ;B、一6V ;
D、
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是
A、运用它的反向特性；
C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域; 锗管使用在反向击穿区；
D、都使用正向区
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是
A、用万用表的
B、用万用表的
C、用万用表的
D、用万用表的R X 100
R X 10K
R X 100
R X 10 ,
或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;
的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转;
黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
A 、D 1、D 2 导通;
B 、D 1、D 2 截止;
B 、 U A =3.5V , U B =1.0V , D 截止；
C 、 U A =1.0V , U B =3.5V ,
D 导通； D 、 U A =1.0V ,
U B =1.0V , D 截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是 _________________________ 。 A 、 稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负 极；
B 、 稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正 极；
C 、 稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源 的
低电位。
D 、 稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源 的
高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，贝U 下列四种变化中正确的是 _______________________________ 。 A 、 U I — U O — |W — |R — U R — U O J ； B 、 U i U O |W I R U R U O J ； C 、 U l fT U O J T |W J T |R fT U R fT U O J ； D 、 U 1 fT U O J T |W J T |R J T U R J T U 0 J 。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是 _________________________ A 、三极管具有电压放大作用； B 、三极管具有功率放大作用； C 、三极管具有电流放大作用；
D 、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是 ________________________ 。 A 、二极管具有单向导电性； B 、二极管同样具有放大作用; C 、二极管具有箝位功能；
D 、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是 A 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 B 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 C 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 D 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与
15、 下图中两只二极管的导通状态是 __________________
Ube 之间的关系; Uce 之间的关系; lc 之间的关系； le 之间的关系；
C 、
D 1导通、D 2截止; D 、D i 截止、D 2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 __________________ A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -15V ；
D 、U AO = -12V 。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 __________________ A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -12V ；
D 、U AO = 0V 。
18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 _________________ A 、U AO =6V ； B 、U AO = - 6V ； C 、U AO = -12V ；
D 、U AO =12V 。
19、金属导体的电阻率随温度升高而 ，半导体的导电能力随温度的升高而 _。 A 、升高/升高；
B 、降低/降低；
C 、升高/降低；
D 、降低/ 升高
20、下列是 PN 结两端的电位值，使 PN 结导通的是 ______________________ A 、 P 端接+5V , N 端通过一电阻接+7V ； B 、 N 端接+2V , P 端通过一电阻接+7V ； C 、P 端接一3V , N 端通过一电阻接+7V ； D 、P 端接+1V , N 端通过一电阻接+6V 。
21、电路如图所示，
R=1K Q,设二管导通时的管压降为
0.5V ，则电压表的读数是
A 、0.5V ；
B 、15V ；
C 、3V ；
D 、以上答案都不对。
关于输出信号 U 。波形的说法，正确的是 __________________
23、对于3AG11C 三极管的型号，下列说法正确的是 ______________________________ A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；
D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;
22、如图所示，设输入信号 U i 为正弦波，幅值为1V ,二极管导通时正向电压降为
0.6V ,
A 、 输出电压值的范围介于
B 、 输出电压值的范围介于
C 、 输出电压值的范围介于
D 、 输出电压值的范围介于
-0.6V — +0.6V 之间; -0V — +0.6V 之间； -0.6V — 0V 之间； 0V — 1V 之间。
24、 对于3DD80C 三极管的型号，下列说法正确的是 _________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；
B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；
C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；
D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;
25、 对于3DG12C 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；
B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；
C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；
D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管
26、 对于3AD30B 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。 A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；
D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管
27、场效应管属于 控制型器
晶体三极管则属于
控制器件。 A 、电压/电流；
B 、电流/电压；
C 、电压/电压；
D 、电流/电
流
28、电路其如图所示， D 为理想二极管，则
U 0为
。
A 、3V ；
B 、6V ；
C 、-3V ；
D 、-6V 。
29、电路如下图所示，已知
Rb=10K Q, Rc=1K Q, Ec=10V ,
晶体管的 3 =50,Ube=0.7V ，当 Ui=OV 时， 三极管处于 。
A 、截止状态；
B 、放大状态；
C 、饱和状态；
D 、击穿状态。
、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X ”表示判断结果填入空内。 (1 )在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 (2 )因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 ()
(3 ) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
()
(4 )处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
()
(5 )结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压, 大的特点。()
(6 )若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
P 型半导体。()
才能保证其R GS
、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D = 0.7V 。
四、已知稳压管的稳压值 U Z = 6V ，稳定电流的最小值I zmin = 5mA 。求下图所示电路中 和U O2各为多少伏。
U OI
KJV
［必
(b)
II
五、作图分析题
1、电路如图所示，已知u i = 10sin故（v），试画出U i与U O的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
■0
% /?n 叫
2、电路如图（a）所示，其输入电压U I1和U I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压
U D = 0.7V。试画出输出电压U o的波形，并标出幅值。
I
lb)
半导体器件物理 试题库
半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。
9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化
常用半导体器件复习题
第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。
二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）
模拟电路习题
第一章 半导体器件基础 ⒈ 讨论题与思考题 ⑴ PN 结的伏安特性有何特点？ ⑵ 二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？ ⑶ 硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同？ ⑷ 在结构上，三极管是由两个背靠背的PN 结组成的，那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别？ ⑸ 三极管是由两个背靠背的PN 结组成的，由很薄的基区联系在一起。那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用？ ⑹ 场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点？ ⒉ 作业题 题1.1 在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为3 17d cm 10 =N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。 题 1.2 若硅PN 结的317a cm 10 =N ，3 16d cm 10=N ，求T =300K 时PN 结的内建电位差。 题1.3 流过硅二极管的电流I D =1mA 时，二极管两端压降U D =0.7V ，求电流I D =0.1mA 和10mA 时，二极管两端压降U D 分别为多少？ 题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的，t U u ωsin m i ?=： ① 画出该电路的传输特性； ② 画出输出电压波形。 题图 1.4 题1.5 题图 1.5中二极管是理想的，分别求出题图1.5(a)、(b)中电压U 和电流I 的值。 (a) (b) 题图1.5 题1.6 在图题1.6所示电路中，取5-V《半导体器件》习题及参考答案
第二章 1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。 解：)0(,22≤≤-=x x qax dx d p S εψ )0(,2 2n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22 ≤≤--=- =E x x x x qa dx d x p p S εψ n n S D x x x x qN dx d x ≤≤-=- =E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm ?? =--=-n p x x bi V dx x E dx x E V 0 516.0)()( m V x qa E p S /1082.4)(25 2max ?-=-= ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。 2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp＝τn＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。 解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/s cm D L p p p 3103-?==τ，cm D L n n n 31045.2-?==τ n p n p n p S L n qD L p qD J 0 + =
I S =A*J S =1.0*10-16A 。 ＋0.7V 时，I ＝49.3μA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A 3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。设n 型中性区的长度为1μm，空穴扩散长度为5μm。 解：P ＋ >>n ，正向注入：0)(2 202=---p n n n n L p p dx p p d ，得： ) sinh() sinh() 1(/00p n n p n kT qV n n n L x W L x W e p p p ---=- ??=-=n n W x n n A dx p p qA Q 20010289.5)( 4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm，计算此时击穿电压。 解：m V N E B g c /1025.3)1 .1E )q ( 101.148 14 32 1S 7 ?=?=（ ε V qN E V B C S B 35022 == ε m qN V x B B S mB με5.212== n 区减少到5μm 时，V V x W x V B mB mB B 9.143])(1[2 2 /=--＝ 第三章 1 一个p +-n-p 晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别是5×1018，1016，1015cm －3，基区宽度W B 为1.0μm，器件截面积为3mm 2。当发射区－基区结上的正向偏压为0.5V ，集电区－基区结上反向偏压为5V 时，计算
2020高考物理电学实验专题讲解和练习
。 专题四 电学实验 电学实验是高考实验考查的重点、热点内容。试题注重联系实 验操作的考查，如测量仪器的读数问题、实验线路的连线问题、电 表和其他用电器的选择问题都是实验操作的仿真模拟，需要考生具 备良好的动手实践经验。试题还注重实验数据的处理分析，如根据 实验数据画出图线，根据图线分析得出结论。“设计和完成实验的能 力”在理科综合《考试说明》中指出的五个考试目标之一。是近几年 高考物理实验题的命题趋向。 完整的设计一个实验，要经历多个环节，在实际考查中，一般 不会考查全部环节，而是只考查其中的几个环节，有的题目给出条 件和实验器材，要求阐述实验原理；有的给出实验电路图，要求领 会实验原理，确定需测物理量及计算公式；有的则要求考生根据操 作步骤及测定的物理量判断出实验原理……虽然考查方式不尽相 同，但目前高考中几乎所有的设计型实验题都有一个共同点，都以 不同方式或多或少的对实验原理作一定的提示，在给出实验器材的 前提下进行考查。 由于考查环节和要求的不同，题型也不尽相同，但较多的是选择、 填空、作图题。 在复习过程中，应对所学电学实验逐个理解实验原理、实验方 法，比较不同实验的异同（如电路图、滑动变阻器和电表的连接） 不断充实自己的经验和方法，逐步达到能灵活运用已学知识解答新 的问题。对于设计型实验题目要明确实验设计的关键在于实验原理 的设计，它是进行实验的依据和起点，它决定了应选用（或还需）
哪些实验器材，应测量哪些物理量，如何编排实验步骤。而实验原理的设计又往往依赖于所提供的实验器材（条件）和实验要求，它们相辅相成，互为条件。 （一）电学实验中所用到的基本知识 在近年的电学实验中，电阻的测量（包括变形如电表内阻的测量）、测电源的电动势与内电阻是考查频率较高的实验。它们所用 到的原理公式为：R=U,E=U+Ir。由此可见，对于电路中电压U I 及电流I的测量是实验的关键所在，但这两个量的直接测量和间接测量的方法却多种多样，在此往往也是高考试题的着力点之处。因此复习中应熟练掌握基本实验知识及方法，做到以不变应万变。1．电路设计原则：正确地选择仪器和设计电路的问题，有一定的灵活性，解决时应掌握和遵循一些基本的原则，即“安全性”、“方便性”、“精确性”原则，兼顾“误差小”、“仪器少”、“耗电少”等各方面因素综合考虑，灵活运用。 ⑴正确性：实验原理所依据的原理应当符合物理学的基本原理。 ⑵安全性：实验方案的实施要安全可靠，实施过程中不应对仪器及人身造成危害。要注意到各种电表均有量程、电阻均有最大允许电流和最大功率，电源也有最大允许电流，不能烧坏仪器。 ⑶方便性：实验应当便于操作，便于读数，便于进行数据处理。 ⑷精确性：在实验方案、仪器、仪器量程的选择上，应使实验误差尽可能的小。 2．电学实验仪器的选择： ⑴根据不使电表受损和尽量减少误差的原则选择电表。首先保证流
最新半导体器件基础测试题
第一章 半导体器件基础测试题（高三） 姓名 班次 分数 一、选择题 1、N 型半导体是在本征半导体中加入下列 ___________ 物质而形成的。 A 、电子； B 、空穴； C 、三价元素； D 、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 A 、掺杂的工艺； B 、杂质的浓度: C 、温度； D 、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 _______________ 。 A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏； D 、发射结反偏、集电结反偏; 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 _____________________ 。 A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏； D 、发射结反偏、集电结反偏; 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A 、发射结正偏、集电结反偏； C 、发射结反偏、集电结正偏； 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其 A 、一 12V ； B 、一 6V ； C 、+6V ； D 、+12V 。 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 __________________ 。 A 、运用它的反向特性； B 、锗管使用在反向击穿区； C 、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域； D 、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 _______________________ A 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; B 、 用万用表的R X 10K 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； C 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转; D 、用万用表的R X 10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 9、电路如下图所示，则 A 、B 两点的电压正确的是 ________________ B 、发射结正偏、集电结正偏; D 、发射结反偏、集电结反偏; AB 两端的电压是 _____________
半导体器件物理试题
1.P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理 2.简述晶体管开关的原理 3.简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系 4.简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系 5.以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分 布特征及与晶体管输出特性间的关系 6.请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工 作状态和输出特性 7.叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素 8.论述在外加直流电压下P-N结势垒的变化、载流子运动以及能带特征 9.试叙述P-N结的形成过程以及P-N结外加电压时其单向导电特征 10.何谓截止频率、特征频率及振荡频率，请叙述共发射极短路电流放大系数与 频率间的关系 11.请叙述晶体管四种工作模式并分析不同模式下基区少数载流子的分布特征 12.请画出P型半导体理想MOS的C-V曲线，并叙述曲线在不同外加电信号作 用下的曲线特征及原因 13.影响MOS的C-V特性的因素有哪些？它们是如何影响C-V曲线的 14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅层中有哪些影响器件性能的不利因素 15.介绍MIS结构及其特点，并结合能带变化论述理想MIS结构在加不同偏压 时半导体表面特征 16.晶体管具备放大能力须具备哪些条件 17.饱和开关电路和非饱和开关电路的区别（各自有缺点）是什么 18.简述势垒区正负空间电荷区的宽度和该区杂质浓度的关系 19.结合能带图简述绝缘体、半导体及导体的导电能力 20.说明晶体管具有电信号放大能力的条件并画出不同情况下晶体管的输入输 出曲线并描述其特征 21.请画图并叙述晶体管电流放大系数与频率间的关系 22.请画出MOSFET器件工作中的输出特性及转移特性曲线并描述其特征 23.请叙述双极型晶体管和场效应晶体管的工作原理及区别 24.画出CMOS倒相器的工作图并叙述其工作原理 25.提高双极型晶体管功率增益的途径有哪些 26.请描述双极型晶体管大电流特性下的三个效应 27.画出共基极组态下的晶体管输入及输出特性曲线
初中物理电学实验测试题
https://www.360docs.net/doc/2e1492753.html, 6e平平网～下精品资料完全免费，无须注册，天天更新～初中物理电学实验测试题 初中升学物理实验测试—电学(一) 1、根据图所示的实物图画出电路图. 2、根据所示的电路图将下面的实物连接起来.
初中升学物理实验测试—电学(二) 1、如图所示，在桌面上有两个小灯泡和——个开关，它们的连接电路在桌面下方无法看到， 某同学试了—下，闭合开关时两灯泡均亮，断开开关时，两灯泡均熄灭(这两个小灯泡 究竟是串联连接，还是并联连接，请写出你的判断方法. 2、现有电灯L1、L2开关S1、S2及电源和导线，请按下列要求画出电路图。 要求:?只要S1断开，即使S2闭合，灯L2也不亮，?当S1闭合S2断开时，灯L1亮，灯L2还不 亮?当S1、S2同时闭合时，灯L1、L2都亮。 3、两盏灯和一个开关,连接在一个恒定的电源上,先闭合开关,这时甲灯发光,乙灯不发光,然后断开开关,这时甲、乙两盏灯都发光,但甲灯不如原来那么亮,请画出图. 4、两个单刀双掷开关,一个小灯泡,一个电池组,还有导线.请设计一个电路,使两个开关都能开或关这盏灯.
5、如图所示，虚线方框表示某校一块科技实验田和值班室，现有足够长的细 导线(导线电阻忽略不计)，小灯泡、电铃、电池组、开关各一个，导线若干(为 了防止牲畜闯入实验田，利用这些材料，请你为值班室看护人员设计一个报警电路。 要求:情况正常时，值班室内灯亮、电铃不响;有牲畜闯入时，碰倒栅栏会 拉断细导线，灯亮同时电钤响( 6、电压表、电流表示数分别为2.5伏,0.44安,请你在图所示的表盘中标出指针位置及所选用的接线柱. 6e平平网精品系列资料 https://www.360docs.net/doc/2e1492753.html, 6e平平网@版权所有 https://www.360docs.net/doc/2e1492753.html, 6e平平网～下精品资料完全免费，无须注册，天天更新～7、学生实验用的—只电压表，有3V和15V两个量程。经判断，选用了3V这一量程接入电路，但o—3V挡的刻度模糊不清，无法从上面读出实验数据，但是能从 o-15V挡的刻度上读出值为11(5V。那么，实验记录应填写。 8、要正确使用电压表,使用时应注意: (1) 电压表要__________联在电路中,要测量某部分电路两端的__________,必须把电压表跟这部分电路__________起来. (2) “，”“,”接线柱的接法要正确.必须使电流从“，”接线柱 ____________电压表,从“,”接线柱_______电压表,这跟________表接线柱的使用是一样的.
第1章课后习题参考答案
第一章半导体器件基础 1．试求图所示电路的输出电压Uo，忽略二极管的正向压降和正向电阻。 解： （a）图分析： 1）若D1导通，忽略D1的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则U O=1V，U D2=1-4=-3V。即D1导通，D2截止。 2）若D2导通，忽略D2的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则U O=4V，在这种情况下，D1两端电压为U D1=4-1=3V，远超过二极管的导通电压，D1将因电流过大而烧毁，所以正常情况下，不因出现这种情况。 综上分析，正确的答案是U O= 1V。 （b）图分析： 1.由于输出端开路，所以D1、D2均受反向电压而截止，等效电路如图所示，所以U O=U I=10V。
2．图所示电路中， E 解： （a）图 当u I＜E时，D截止，u O=E=5V； 当u I≥E时，D导通，u O=u I u O波形如图所示。 u I ωt 5V 10V uo ωt 5V 10V （b）图 当u I＜-E=-5V时,D1导通D2截止，uo=E=5V； 当-E＜u I＜E时，D1导通D2截止，uo=E=5V； 当u I≥E=5V时，uo=u I 所以输出电压u o的波形与（a）图波形相同。 5．在图所示电路中，试求下列几种情况下输出端F的电位UF及各元件(R、DA、DB)中通过的电流：( 1 )UA=UB=0V；( 2 )UA= +3V，UB = 0 V。( 3 ) UA= UB = +3V。二极管的正向压降可忽略不计。 解：（1）U A=U B=0V时，D A、D B都导通，在忽略二极管正向管压降的情况下，有：U F=0V mA k R U I F R 08 .3 9.3 12 12 = = - = 《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009 第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 一．探究电流与电压电阻关系 1．在探究“电流与电阻的关系”实验过程中，老师给同学们准备了以下器材： 蓄电池（6V）、电流表（0﹣，0﹣3A ）、电压表（0﹣3V，0﹣15V）、定值电阻（5Ω、10Ω、15Ω各1个）、开关、滑动变阻器（，20Ω）、导线若干． （1）连接电路时，开关应处于_________（选填“断开”或“闭合”）状态． （2）小明按图甲连好电路后，闭合开关发现电压表和电流表都无示数，经检查，漏接了一根导线，如图乙，请你帮小明补接上． （3）补接后，小明先将5Ω电阻接入电路，调节滑动变阻器使电压表示数为2V，电流表示数如图丙为 A；再将5Ω的电阻更换为10Ω电阻，为了使电压表示数仍为2V，应将滑动变阻器适当向________（选填“左”或“右”）移动． （4）当小明再换接15Ω电阻时，无论怎样调节滑动变阻器，都不能使电压表示数为2V，分析其可能的原因____ _____．（答出一种情况即可） （5）同组的小娟同学思考了一会，在不增减器材的条件下解决了这一问题，完成了实验，数据如下表：实验结论：； 电阻R/Ω 5 10 15 电流I/A （6）本实验采用的方法是_________，利用该电路还能完成的实验有：____ _____ （答出1个实验名称即可）． 2．在“探究通过导体的电流与电压和电阻的关系”实验中，有如下器材：电压表、电流表、滑动变阻器、开关、两节干电池、定值电阻R（分别为5Ω、10Ω、15Ω、20Ω、25Ω）、导线若干．小明在实验时连接 的电路如图1所示． （1）在探究“电流与电压的 关系”实验中： ①闭合开关前，要将滑动变 阻器滑片移至________（填 “A”或“B”）端；电路中滑 动变阻器起到保护电路元件 安全和____ _____的作用； ②闭合开关S，无论如何移动滑动变阻器的滑片P，发现电流表示数几乎为零，电压表示数约为3V，此时，电路出现的故障可能是；小明排除故障后继续实验．（2）在探究“电流与电阻的关系”实验中： ①电路中滑动变阻器起到保护电路元件安全和_________ 的作用； ②小明先将R﹦10Ω的电阻接入，闭合开关，调节滑动变阻器的滑片，直到电压表示数为， Chapter 4 4.1 ??? ? ? ?-=kT E N N n g c i exp 2υ ??? ? ??-??? ??=kT E T N N g O cO exp 3003 υ where cO N and O N υ are the values at 300 K. (b) Germanium _______________________________________ 4.2 Plot _______________________________________ 4.3 (a) ??? ? ??-=kT E N N n g c i exp 2υ ( )( )( ) 3 19 19 2 113001004.1108.2105?? ? ????=?T ()()?? ????-?3000259.012.1exp T () 3 382330010912.2105.2?? ? ???=?T ()()()()?? ????-?T 0259.030012.1exp By trial and error, 5.367?T K (b) () 252 12 2105.2105?=?=i n ( ) ()()()()?? ????-??? ???=T T 0259.030012.1exp 30010912.23 38 By trial and error, 5.417?T K _______________________________________ 4.4 At 200=T K, ()?? ? ??=3002000259.0kT 017267.0=eV At 400=T K, ()?? ? ??=3004000259.0kT 034533.0=eV ()()()() 172 22102 210025.31040.11070.7200400?=??= i i n n ? ? ????-??????-???? ??? ?? ??=017267.0exp 034533.0exp 3002003004003 3 g g E E ?? ? ???-=034533.0017267.0exp 8g g E E ()[] 9578.289139.57exp 810025.317-=?g E or ()1714.38810025.3ln 9561.2817=??? ? ???=g E or 318.1=g E eV Now ( ) 3 2 1030040010 70.7?? ? ??=?o co N N υ 电学实验 测定金属的电阻率 1.在“测定金属的电阻率”的实验中，所测金属丝的电阻大约为5，先用伏安法测出该金属丝的电阻，然后根据电阻定律计算出该金属材料的电阻率。用米尺测出该金属丝的长度L，用螺旋测微器测量该金属丝直径时的刻度位置如图所示。 (1)从图中读出金属丝的直径为______________mm。 (2)实验时，取来两节新的干电池、开关、若干导线和下列器材： A．电压表0～3 V，内阻10 k B．电压表0～15 V，内阻50 k C．电流表0～0.6A，内阻0.05 D．电流表0～3 A，内阻0.01 E．滑动变阻器，0～10 F．滑动变阻器，0～100 ①要较准确地测出该金属丝的电阻值，电压表应选_______________，电流表应选______________，滑动变阻器选_____________(填序号)。 ②实验中，某同学的实物接线如图所示，请指出该实物接线中的两处明显错误。 错误l：_____________________________； 错误2：_____________________________。 2.为了测量某根金属丝的电阻率，根据电阻定律需要测量长为L的金属丝的直径D.电阻R。某同学进行如下几步进行测量： （1）直径测量：该同学把金属丝放于螺旋测微器两测量杆间，测量结果如图，由图可知，该金属丝的直径d= 。 （2）欧姆表粗测电阻，他先选择欧姆×10档，测量结果如图所示，为了使读数更精确些，还需进行的步骤是。 A.换为×1档，重新测量 B.换为×100档，重新测量 C.换为×1档，先欧姆调零再测量 D.换为×100档，先欧姆调零再测量 （3）伏安法测电阻，实验室提供的滑变阻值为0～20Ω，电流表0～0.6A（内阻约0.5Ω），电压表0～3V（内阻约5kΩ），为了测量电阻误差较小，且电路便于调节，下列备选电路中，应该选择。 3.在测定金属电阻率的实验中，某同学连接电路如图（a）所示．闭合开关后，发现电路有故障（已知电源、电表和导线均完好，电源电动势为E）： 学校代码： 学号： HENAN INSTITUTE OF ENGINEERING 文献综述 题目仓储温湿度报警系统的设计 学生姓名 专业班级电气工程及其自动化二班 学号 系（部）电气信息工程系 指导教师(职称)蒋威（讲师） 完成时间 2011年 3 月 1日 仓储温湿度报警系统的设计综述 摘要：为保证日常工作的顺利进行，首要问题是加强仓库内温度与湿度的监测 工作，并及时报警提示。本文根据粮仓环境测试的特点，应用现代检测理论，对温室的温度、湿度等环境因子进行自动检测，并实现报警功能，首先介绍了粮仓自动监测系统的发展背景及现状，指出在控制监测方面存在的问题和需要进一步深入探讨、研究的各个方面。 关键词：粮仓、单片机、监测、传感器 目前，关于这类监测系统的研究，国内外公开发表的文献不多，下面是关于 单片机自动监测的一些主要文献： 文献[1] 这本书从应用角度出发，精选了国内外最新流行的智能仪器与数据采集系统中的一些有特色、功能很强的新型集成电路20多类100余种。内容涉及仪用放大器，运算放大器，隔离放大器，变送器，A／D、 D／A变换器， LED、LCD驱动器，看门狗定时器，UP电源监控器，数字电位器，闪烁存储器，实时时钟等器件。所优选的每一种器件除阐述其基本功能、电路特点、性能参数和管脚说明之外，更突出器件的使用方法和应用电路。对智能仪器设计、数据采集、自动控制、数字通信和计算机接口这部分设计具有很高的使用和参考价值。 文献[2] 这本书是"单片机应用技术丛书"中专门介绍单片机应用系统软件 设计的一本著作。书中总结了作者多年来在80C51系列单片机应用系统软件设计 中的实践经验，归纳出一整套应用程序设计的方法和技巧。在内容安排上，不仅 有实现功能要求的应用程序设计步骤、子程序、监控程序及常用功能模块设计方法，还以较大篇幅介绍了提高系统可靠性的抗干扰设计和容错设计技术以及程序测试的正确思想方法。附录中向读者提供了完整的系统程序设计样本和经过多年使用考验的定点运算子程序库与浮点运算子程序库的程序文本、注释及使用方法。对于本次设计主要参考的是应用程序设计步骤、子程序、监控程序及常用功能模块设计方法这一部分的内容。 文献[3] 提出MCS-51系列单片机应用系统的构成和设计方法。详细地阐述 了应用系统的前向通道（传感器通道接口）、后向通道（伺服驱动、控制通道接 口）、人机对话通道和相互通道（单片机应用系统之间的通信接口）的结构设计、 半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子： 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。 7. 有效状态密度： 在导带能量范围（ ~c E ∞ ）内，对导带量子态密度函数 导带中电子的有效状态密度。 在价带能量范围（ ~v E -∞） 内，对价带量子态密度函数 8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度： 其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度： 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10. 11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E ： 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带 带宽度g c v E E E =-。？ 15. 本征载流子浓度i n ： 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度 00i n p n ==。硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=?。 16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态： 在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征： 本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等，那么本征半导体费米能级 第7章 常用半导体器件 习题参考答案 7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。 （1）U A ＝U B ＝0时； （2）U A ＝E ，U B ＝0时； （3）U A ＝U B ＝E 时。 解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。 当A 、B 两点的电位同时为0时，D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极（U Y ）两端电位同时为0，因此均不能导通；当U A ＝E ，U B ＝0时，D A 的阳极电位为E ，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，D A 此时承受正压而导通，一旦D A 导通，则U Y ＞0，从而使D B 承受反压（U B ＝0）而截止；当U A ＝U B ＝E 时，即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下： （1）由于U A ＝U B ＝0，D A 和D B 均处于截止状态，所以U Y ＝0； （2）由U A ＝E ，U B ＝0可知，D A 导通，D B 截止，所以U Y ＝E ? +9 19＝109E ； （3）由于U A ＝U B ＝E ，D A 和D B 同时导通，因此U Y ＝E ?+5.099＝1918E 。 7-2 在图所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o 的波形图。 解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从（b ）图可以看出，当二极管D 导通时，电阻为零，所以u o ＝u i ；当D 截止时，电阻为无穷大，相当 于断路，因此u o ＝5V ，即是说，只要判断出D 导通与否， 就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通，可 以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高 低，从而得知是否导通。 u o 与u i 的波形对比如右图所示： 7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有 何异同 （参考答案：见教材） 7-4 某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－；管脚②对地电位 初中物理电学实验练习题 226．如图112所示，现有一个电池组，两只电流表Ａ１和Ａ２，两只小灯泡Ｌ１和Ｌ２（灯Ｌ１的电阻Ｒ１大于灯Ｌ２的电阻Ｒ２），一个开关，导线若干条（用笔画线代替导线）．请你设计一个电路，要求开关闭合后，灯Ｌ１与灯Ｌ２并联，两只电流表接在电路中，且电流表Ａ１的示数大于电流表Ａ２的示数． 图112 （1）请在虚线框中画出你所设计的电路图． （2）按照你所设计的电路图，将图中的元件连接起来．（导线不要交叉） 227．在做“决定电阻大小的因素”实验时，为了便于研究，采取控制变量法，即每次挑选两根合适的导线，测出通过它们的电流，然后比较其大小，最后得出结论． （1）为了研究电阻与导体横截面积的关系，应选用的两根导线是Ａ和Ｄ； （2）为了研究电阻与导体材料的关系，应选用的两根导线是_________； （3）为了研究电阻与导体长度的关系，应选用的两根导线是_________． 228．现有一个电池组，一个电流表，一个开关，一个已知阻值的电阻Ｒ０，导线若干．用上述器材测定待测电阻Ｒｘ的阻值，要求： （1）画出实验电路图； （2）简要写出实验步骤并用字母表示测量的物理量（电流）； （3）写出待测电阻Ｒｘ阻值的表达式． 229．现有三个定值电阻Ｒ１、Ｒ２和Ｒ３（已知电阻值Ｒ１＝Ｒ２＝2Ｒ３），导线若干，它们分别与如图113所示虚线框中标有Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ的有关接线柱相连接．用一个供电电压为Ｕ且保持不变的电源接在Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ中的有关接线柱上进行测试，结果发现： （1）当电源接在Ａ、Ｃ间时，电流表Ａ２的示数是电流表Ａ１示数的1．5倍； （2）当电源接在Ｂ、Ｃ间时，电流表Ａ１的示数是电流表Ａ２示数的2倍． 第一章半导体器件基础测试题（高三） 姓名班次分数 一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列____________ 物质而形成的。 A、电子； B、空穴； C、三价元素； D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 ________________ 。 A、掺杂的工艺； B、杂质的浓度： C、温度； D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确 的是 A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止； B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是 A、一12V ; C、+6V ;B、一6V ; D、 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 A、运用它的反向特性； C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域; 锗管使用在反向击穿区； D、都使用正向区 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 A、用万用表的 B、用万用表的 C、用万用表的 D、用万用表的R X 100 R X 10K R X 100 R X 10 , 或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转; 黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；常用半导体器件
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