RAM和ROM
典型外部ROM和RAM器件的使用实例详解
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1 实例功能
在很多应用场合，51单片机自身的存储器和I/O口资源不能满足系统设计的需要，这时就要进行系统扩展。在本例中，将结合片外ROM和片外RAM的典型芯片的应用，说明如何扩展单片机的数据存储器和程序存储器。
本例中3个功能模块描述如下：
?单片机系统：扩展单片机的存储器，实现片外存储器的访问。
?外围电路：分为3个内容。首先是用地址锁存器完成单片机系统总线的扩展，其次是扩展片外ROM器件2764,第三是扩展片外RAM6264.
?C51程序：用C51完成对片外存储器的读写。
本例目的在于希望keiltop读者在读完本例后，能完成相关的电路设计。
?器件原理
本实例中将首先介绍单片机的三总线概念和形成，随后介绍单片机弦叫线的扩展。在单片机系统扩展时，引入片外典型存储器件，最后给出典型片外ROM和RAM的电路连接和使用方法。
2.1单片机的三总线
(1)什么是单片机的三总线？
单片机三总线指数据线、地址线和控制线。单片机CPU所要处理的就是这3种不同的总线信号。
数据线：数据总线用来传送指令和数据信息。P0口兼做数据总线DB0~DB7.
地址线：用来指定数据存储单元的志趣分配信号线。在8051系列中，提供了引脚ALE,在ALE为有效高电平，在P0口上输出的是地址信息，A7-A0。另外，P2口可以用于输出地址高8位的A15~A8,所以对外16位地址总线由P2和P0锁存器构成。
控制线：8051系列中引脚输出控制线，如读写信号线、PSEN、ALE以及输入控制信号线，如EA、TST、T0、T1等构成了外部的控制总线。
(2)如何实现外部总线的扩展？
由于单片机的输入输出引脚有限，一般的，我们采用地址锁存器进行单片机系统总线的扩展。常用的单片机地址锁存器芯片有74LS373，图1-22所示为74LS373的引脚以及它们用作地址锁存器的连接方法。74LS373是带三态输出的8位锁存器。当三态门OE为有效电平时，使能端G为有效高电平，输出跟随输入变化；当G端由高变低时，输出端8位信息被锁存，直到G端再次有效为止。
2.2操作片外ROM
什么是片外ROM?
ROM是程序存储器的简称，用来存放用户程序的存储器，可分为EPROM，OTP，ROM和FLASH等类，现在大部分MCU集成了FLASH.
EPROM型存储器编程后其内容可用紫外线擦除，用户可反复使用。
ROM型适用大批量生产。由于ROM型单片机的代码只能由生产厂商在制造芯片时写入，帮用户要更改程序代码下分不便。
OTP型单片机只能写入一次。FLASH型可反复使用，速度快，故特别受中小客户欢迎。
2.3操作片外RAM
什么是片外RAM?
随机存储器(RAM)是用来存放程序运行时的数据的存储器。由于RAM的制作工艺复杂中，价格比ROM高得多，所以单片机的内部RAM非常宝贵，通常仅有几十到几百个字节。RAM的内容是易失性的，掉电后会丢失。最近出现了EEPROM或FLASH型的数据存储器，方便用户存放不经常改变的数据及其他重要信息。单片机通常还有特殊寄存器和通用寄存器，它们是单片机中存取速度最快的存储器，但通常存储空间很小。
单片机的读信号和外部RAM的输出允许信号引脚相连，信号和外RAM的写信号相连。外部RAM的片选信号与外部I／O端口和片选信号统一由译码产生。
电路
本例所要重点强调的就是单片机和外围典型器件的连接方法。为了更加清楚地说明ROM和RAM与单片机的连接方式，并且使得电路在实用中更加灵活，分别经出了ROM和RAM的连接电路。
单片机的键盘输入实例详解
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程序设计
在本例中，对于C51的编程而言并无太多变化。一般的C51编译器是完全支持8051单片机的硬件结构的，可以完全访问硬件系统所有部分。变量的存储类型和51单片机实际存储空间的对应关系如表1-21所示。
存储类型与存储空间的对应
Data 直接寻址的片内数据存储区
Bdata 可位寻址的片内数据存储区
Idata 间接寻址片内存储区，可访问片内全部RAM地址
Pdata 分页寻址片外数据存储区
Xdata 片外数据存储区
Code 代码存储区
当使用data,bdata定义变量时，它们定位在单片机的片内数据存储区。这个存储区的大小根据５１单片机的型号不同，长度分别有64、128、256、512字节之分。
当使用xdata存储类型定义变量时，它们定位在单片机片外数据存储区，该空间位于本例中所附加的6264中，最大的寻址范围为64K.
由上述介绍，当我们需要定义片外RAM中的变量时，需要定义它们在征片外的地址。例如定义片外RAM中的6个储单元的变量A~F,其地址为
0x0100h~0x0600H,可以采用下面的格式：
＃define aXBYTE[0X0100]
＃define bXBYTE[0X0200]
＃define cXBYTE[0X0300]
＃define dXBYTE[0X0400]
# define eXBYTE[0X0500]
＃define fXBYTE[0X0600]
AD574构成高精度数字电压表 深圳市凌雁电子有
限公司
AD574A 是美国模拟数字公司（Analog ）推出的单片高速12位逐次比较型A/D 转换器，内置双极性电路构成的混合集成转换显片，具有外接元件少，功耗低，精度高等特点，并且具有自动校零和自动极性转换功能，只需外接少量的阻容件即可构成一个完整的A/D 转换器，其主要功能特性如下： 分辨率：12位 非线性误差：小于±1/2LBS 或±1LBS 转换速率：25us 模拟电压输入范围：0—10V 和0—20V ，0—±5V 和0—±10V 两档四种 电源电压：±15V 和5V 数据输出格式：12位/8位
芯片工作模式：全速工作模式和单一工作模式
我们利用AD574与ATMEL 公司的低价高性能单片机
AT89C2051组成一个高精度的数字电压表，电原理图如图
1，AD574是12位逐次比较型A/D 转换器，共有12根数
据线，AT89C2051的P1与AD574的高8位数据线直接相
接，AD574的低4位数据线与单片机的高半4位
P1.4——P1.7直接相接，数据的读取是依靠单片机的控
制线进行分时选通进行。P3.5接AD574的字节短周期控
制线（A0），P3.4接读转换数据控制脚（
），P3.7直接与工作状态指示端（STS ）相连，这样的结构决定只能是8位输出形式，故
数据模式选择端直接接地即可。AT89C2051只有15根I/O 口线，上述用了11根，只
余下4根口线，我们将输出的数据通过单片机的串行口
输出，外接一片74LS164（串入并出）译码器进行扩展，
同时显示的数据为4位，剩下的2根口线仍不能满足要
求，还需要一片74LS138三——八译码器对显示LED 进
行地址选通。
这里我们采用10V量程的输入模式，故AD574的
Pin13为被测电压的输入端，因为只使用了一片AD574转
换芯片，所以CS端直接接地即可。转换器使用±12V电
源电压供电，工作电压为+5V。
74LS164为串入并出译码器，AT89C2051通过串行口输出的BCD串行码经74LS164译码输出为七段BCD码，直接与LED的a——g相连，同时四位LED的数据线都一一对应连接在一起。LED数码管选用共阳型，74LS138输出的地址码经一个三极管2SA1015（PNP）接LED的公共端，四位LED的显示是通过地址线进行分时选通的，这就是我们常用的动态扫描显示方式。
值得一提的是，动态扫描显示方式中，动态扫描的频率有一定的要求，频率太低，LED将出现闪烁现象。如频率太高，由于每个LED点亮的时间太短，LED的亮度太低，肉眼无法看清，所以一般均取10ms左右为宜，这就要求在编写程序时，选通某一位LED使其点亮并保持一定的时间，程序上常采用的是调用延时子程序。在C51指令中，延时子程序是相当简单的，并且延时时间也很容易更改。
点亮最简单的单片机系统(一)
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1.实例功能
一个最简单的单片机系统的开发也需要电路设计、单片机器件选择和程序编写3个步聚。对于单片机系统，最简单的功能无非是控制输出电平的高低，这也是数字电路最基本的功能。所以，第一个例子就是将单片机系统接上一个发光二极管，用二极管的亮灭表示设计的单片机系统是否正常工作.
在进行设计之前，在需要说明的是，这里默认读者已经掌握了有关电路设计软件（如Protel）和C51单片机程序的编写，所以在本站只重点说明单片机及其外围器件电路的设计。本例的功能模块分为以下3个方面。
单片机系统：形成最简单的单片机系统。
外围电路：用LED显示系统是否正常工作。
编程： C51编程：编写最简单的C51程序，通过C51延时程序控制端口的高低电平。在以后的章节中，对于每个实例都将其功能分成单片机功能外围路和C51程序3个方面进行说明。希望读者在读完本例后，能完成相关的电路设计，并掌握如下的知识点内容：
单片机系统的基本组成。
晶振选择和典型电路。
复位电路的原理和典型电路。
基本I/O口的控制。
C51程序设计。
1.2器件和原理
本实例中将首先介绍单片机系统的基本组成，然后给出其晶振和复位电路的典型电路图，完成最简单片机系统的设计。最后，利用C51程序控制一个LED灯的亮灭以及端口的高低电平，说明该单片机系统是否工作正常.
·什么是单片机
单片机是将中央处理器（CPU）、随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM 或EPROM）、定时器芯片和一些输入／输出接口电路集成在一个芯片上的微控制器（Microcontroller）。中央处理器包括运算器、控制器和寄器3个主要部分，是单片机的核心。按工作方式可以分为两大类：随机存储器RAM和只读存储器ROM。RAM可被CPU随机地读写，断电后存储的内容消失：ROM中的信息只能被读取，一般用于存放固定的程序。ROM中的内容只能用编程器专用设备写入。输入／输出接口(I／O接口)是单片机的重要组成部分。程序、数据以及现场信息需要通过输入设备送到单片机，计算结果需要通过输出设备输出到外设。常用的输入设备有按键、键盘、A/D等，输出设备一般有LED、电机等。
·什么是单片机系统？
单片机系统的基本结构框图如图1-3所示。从图中可以看出，对于一个典型的单片机系统而言，主要由单片机、晶振和复位电路、输入控制电路、输出显示电路以及外围功能器件5个部分组成。
除了上文介绍过的单片机外，单片机系统中的其他4个部分的主要作用和器件如下。
（1）晶振和复位电路：单片机系统的必要组成部分，控制单片机的机器周期和工能复位。
(2 )输入控制：是指在一定要求下，采取何种形式的控制方式来实现单
片机不同功能的转换，以及控制指令以何种方式传送到单片机。常用的输入控制方法有按键、矩阵键盘、串行通信等方式。
（3）输出显示：是指机将需要显示的数据发送到LED、液晶等显示模块，并控制LED等显示模块按照一定的格式显示的功能。此外，输出对象还有电机、传感器等特殊的功能器件。
（4）外围功能器件：单片机只是控制器件，对应于一定的设计要求，需要加入特定功能的器件。例如外部存储器，单片机通过对外部存储器的读写操作，完成对数据的存储和读取，从而扩展单片机的存储单元和数据。此外，常用的外围器件还有A/D、D/A、74LS07门电路以及特定功能的传感器等。
单片机的最简单系统是指单片机能正常工作所必须的外围元件，主要由单片机、晶振电路和复位电路构成。而输入/输出部分则通过单片机的I／O口实现。
·单片机系统可以用来干什么？
单片机的应用十分广泛，在工业控制领域、家电产品、智能化仪器仪表、计算机外部设备，特别是机电一体化产品中，都有重要的用途。其主要的用途可以分为以下方面。
显示：通过单片机控制发光二极管或是液晶，显示特定的图形和字符。
机电控制：用单片机控制机电产品做定时或定向的动作。
检测：通过单片机和传感器的联合使用，用来检测产品或者工况的意外发生。
通信：通过RS-232串行通信或者是USB通信，传输数据和信号。
科学计算：用来实现简单的算法。
那么单片机是不是解决上述应用的惟一选择？当然不是！目前，在自动控制中，一般有3种选择，分别是嵌入式微机、DSP和单片机，它们的性
单片机最明显的优点是价格便宜，从几元到几十元人民币。这是因为这类芯片的生产量很大，技术也很成熟。
其次，单片机的体积也远小于其他两种方案。单片机本身一般用40引
肢封装，当然功能多一些的单片机也有引脚比较多的，如68引脚，功能
少的只有10多个或20多个引脚，有的甚至只有8只引脚。
当然，单片机无论在速度还是容量方面都远小于其他两种方案，但是实
际工作中并不是任何需要计算机的场合都要求计算机有很高的性能。例如，控制电冰箱温度的控制器就不需要使用嵌入式系统，用一片51就可
以轻松实现。所以应用的关键是看是否够用，是否有很好的性能价格比。51系列的单片机已经面世10多年，依然没有被淘汰，还在不断的发展中，这就说明是它有广阔的应用前景。4．如何选择单片机？
MCS-51是指由美国Intel公司生产的一系列单片机的总称，这一系列
单片机包括了多个种类，如8031、8051、8751、8032、8052、8752等，其中8051是最早、最典型的产品，该系列其他单片机都是在8051的基
础上进行功能的增、减改变而来的，所以人们习惯于用8051来称呼
MCS-51系列单片机。Intel公司将MCS-51的核心技术授权给了很多其他
公司，所以有很多公司在开发以8051为核心的单片机。
由于单片机的种类很多，在选择单片机时要依据实际设计要求选择合
适的单片机。例如，当设计时仅仅需要一个单片机定时器，那
么89C1051或是89C2051即可，而不需要选择89C51或是89C52，因为后
者要比前者在价格上贵上一倍。当然，如果程序和数据区的要求较高，
那么选择的单片机还要能满足程序空间的要求。
(完)
5.单片机中为什么要用晶振？
简单地说，没有晶振，就没有时钟周期，没有时钟周期，就无法执行程序代码，单片机就无法工作。单片机工作时，是一条一条地从ROM中取指令，然后一步一步地执行。单片机访问一次存储器的时间，称之为一个机器周期，这是一个时间基准。一个机器周期包括12个时钟周期，如果一个单片机选
择了12MHz晶振，它的时钟周期是1/12us，它的一个机器周期是12*（1/12）us，也就是1us。
MCS-51单片机的所有指令中，有一些完成得比较快，只要一个机器周期就行了，有一些完成得比较慢，得要2个机器周期，还有两条指令要4个机器周期才行。为了衡量指令执行时间的长短，又引入一个新的概念：指令周期。所谓指令周期就是指执行一条指令的时间。例如，当需要计算DJNZ指令完成所需要的时间时，首先必须要知道晶振的频率，设所用晶振为12MHz，则一个机器周期就是1us。而DJNZ指令，所以执行一次要2us。如果该指令需要执行500次，正好1000us，也就是1ms。机器周期不公对于指令执行有着重要的意义，而且机器周期也是单片机定时器和计数器的时间基准。例如一个单片机选择了12MHz晶振，那么当定时器的数值加1时，实际经过的时间就是1us，这就是单片机的定时原理。
6．选择什么样的晶振呢？
晶振一般分为晶体振荡器和谐振器。在单片机系统中，晶体振荡器将外围的电容集成到振荡器的内部，无需再设计晶振电路，只需要将电源加载到晶振上，晶振就可以起振，并通过两个引脚输出到单片机的晶振引脚上。
一般的，由于晶体振荡器的体积较大，价格较贵，在实际使用中，还可以选择晶体谐振器，也就是常说的立式晶振。该晶振需要外部的晶振电路才可以起振，但是由于该电路非常简单，并且使用灵活，在单片机系统中也有广泛地应用。
7．有通用的晶振电路吗？
当然有！单片机的晶振电路是一种典型电路，分为内部时钟方式和外部时
钟方式两种。
内部时钟的晶振频率一般选择在4MHz~12 MHz之间，外接两个谐振电容。该电容的典型值为30pF，但是在实际应用时，需要根据实际起振情况选择。如果单片机的时钟必须使用某一个外接的时钟信号，就不要外接晶振。由于此
时的外接晶振引脚上没有晶振信号输入，内部的电路将停振，这种方式称为
外部时钟方式。图1-6给出了两种外部时钟的电路，可以根据不同的单片机
型号选择不同的电路。
8。什么是复位电路？
简单地说，单片机的复位就和计算机的重起是一样的概念。任何单片机在工作之前都要有个复位的过程，复位对机来说，是程序还澡有开始执行，是在做准备工作。一般的复位只需要5ms的时间。
如何进行复位呢？只要在单片机的RST引脚上加上高电平就可以了，按上面
所说，时间不少于5ms。为了达到这个要求，需要在外部设计复位电路。电
路的实现可以用很多种方法，但是从功能上一般分为两种：一种是电源复位，即外部的复位电路在系统通上电之后直接使单片机工作，单片机的起停通过
电源控制。另一种方法是在复位电路中设计按键开关，通过开关触发复位电平，控制单片机的复位。
9．有通用的复位电路吗？
有！和晶振电路一样，复位电路也是单片机系统的典型外部电路。基本的
复位电路的原理图如图1-7所示。
一般采用上电复位电路。这种复位电路的工作原理是：通电时，电容两端相当于是短路，于是RST引脚上为高电平，然后电源通过电阻对电容充电，RST端电压慢慢下降，降到一定程序，即为低电平，单片机开始正常工作。
10．必须使用通用的复位电路吗？
当然不是！这种典型的复位电路并不是读者的惟一选择。对于有着丰富电路设计经验的读者而言，可以根据自己的需要，定制满足实际要求的电路。这里，给出了一种根据实际需要设计的上电复位电路，如图1-8所示。
复位电路由22uF的电容和1k欧的电阻及IN4148二极管组成。在满足单片机可靠性复位的前提下，该复位电路的优点在于降低复位引脚的对地阻抗，
可以显著增强单片机复位电路的扩干扰能力。二极管可以实现快速释放电容电量的功能，满足短时间复位的要求。
11．如何在单片机中实现和发光二极管的接口？
在第一个例子中，目前已经掌握了一个最简单的单片机系统的组成和电路实现。外围器件选择的是发光二极管，接下来就开始介绍发光二极管和单片机的接口。发光二极管和单片机的连接方式如图1-9所示。
这里需要注意的是：该电路是一个非标准的电路，一方面是为了说明最简单单片机系统的使用，另一方面也是为了和第二个例子作对比。对于这个接口电路，不同背景的读者可能会问出不同的问题。
12．发光二极管在什么情况下会亮呢？
提出这个问题的读者可能对软件编程比较了解，而对电路设计不太熟悉。不过不要紧，本书的目的就在于为编程人员介绍如何将程序功能在电路上实现，同时为硬件工程师提供一定功能的实例。发光二极管在其两端的电压差超出其导通压降时开始工作，发光二极管的导通压降一般为1.7V~1.9V。此外，工作电流要满足该二极管的工作电流。满足电流和电压的要求，发光二极管就可以发光了。单片机系统中往往是数字信号，不是5V就是0V，所以只要将二极管的正负极和电源对应上就可以了！
二极管的正负极可以用万用表的二极管档量出来，如果表上有了1点几几的计数，红表笔接的就是发光二极管的正极，黑表笔接的就是负极。从外观上看，发光二极管的正极引脚的长度也比较长但是问题远远不是这样简单的在后面的实例中还要介绍到较为复杂的情况，在本例在这样理解二极管的应用原理就可以了。
13．为什么要接一个电阻
这个电阻的作用在于限制通过二极管的电流，从而达到减少功耗或者满足端口对最大电流限制。
一般二极管的点亮电流为5mA至10mA，在5V驱动时，厂家多采用470欧限流电阻，在电路中采用了1k欧的电阻，电流也就3～5mA。当然，为了更亮一点，可以减小电阻值，但二极管的电流不要超出单片机的I/O口最大电流。
14．好像觉得这个电路有点问题
是的！您一定是一位对单片机有一定了解的使用者。的确，在上文中我们也提到，这个电路不是一个标准的二极管发光电路，主要原因是因为单片机I/O口的驱动问题。
关于单片机I/O口的驱动问题比较复杂，在下一章中我们将通过一个实例进行详细的介绍。在本例中，主要是使读者了解单片机最小系统的组成和能够完成的简单功能，所以引入了发光二极管表明最简单系统的一个简单应用，使读者能够尽快地在单片机系统和功能之间架起上座桥梁。
在具体的电路上，我们也采取了一些保护措施，例如将限流电阻增加到1k 欧，而不是常用的470欧。同时，我们也建议读者在实验该例子时做到能够验证程序和电路的正确性即可，不要作长时间的实验，以免损坏端口。在后续的例子中，将给出标准的发光二极管电路。
当然，这样也并非完全不可，在有些驱动能力较强的单片机上，如89C2051上，这样的接法就是简单可行的。
1.3 电路
以上分别介绍了该实例的各个关键功能和实现电路，本节将给出完整的实例电路原理图。读者可以根据该电路设计印刷电路板。本例的主要功能是提供形成单片机最简系统的电路和外部的LED接口电路，其基本的电路如下图所示。
1、电路原理和器件选择
在这里列出和本例相关的、关键部分的器件名称及其在电路中的主要功能。
89C51：单片机，控制发光二极管的亮灭。
OSC：晶振，在本例在选择12MHz的立式晶振。
C1、C2：晶振电路的起振电容，容值为22pF。
LED1：发光二极管。
RES2：限流电阻，阻值为1k欧。
2、地址的分配和连接
这里只列出和本例相关的、关键部分的单片机与各个模块管脚的连接和相关的地址分配。
P2.0：与发光二极管电路相连，控制LED发光二极管阴极的电平高低。
RESET：单片机复位引脚，和晶振电路的两个对应引脚相连。
1.4程序设计
程序功能
点亮系统的程序主要完成以下的功能。
利用C51程序编写延时程序
为了循序渐进地学习单片机的功能，这里我们不使用单片机中的定时器，而是直接采用软件的延时程序定时控制发光二极管的亮灭。该午时程序的时间主要是通过计算单片机执行指令所需时间来确定的。
例如，在前文中介绍过，在选择12MHz晶振时，执行一个简单加法指令的时间为一个指令周期，需要1/12M(秒)＝1（微秒），所以程序中作1M次加法循环所需要的时间就是1秒钟。当然，这只是一个粗略和算法，需要加上执行其他必须指令所花的时间，并且考虑程序代码的效率。但是，这不失为一种简单的解决方案。
控制单片机I/O端口电平的高低，从而控制发光二极管的亮灭
通过对P2.0口的变量置1和置0,控制P2.0口的电平高和低。当P2.0口的电平高时，发光二极管两端压差为零，二极管有导通，灯不亮。当P2.0口的电平低时，发光二极管两端压差为5V，二极管导通，灯亮。
2。主要器件和变量的说明
由于本例是一个简单的单片机入门实例，所以程序功能非常简单，也没有相关的主要功能器件。
在程序中将通过对P2.0口变量“gate”的延时取反操作，控制该端口的电平高低。
3.程序代码
＃INCLUDE
sbit gate=P2^0;//定义P2.0口void main(void)
{
unsigned int I,j;
while(1)
{
for(i=1000;i>0;i--)
for(j=1000;j>0;j--);
gate=!gate;
}
}
RAM和ROM的区别
RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。 不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。 ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。 RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。 由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦，因此就有了Flash Memory的发展，Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处，又可以在需要的时候任意更改资料，不过单价也比普通的ROM要高。 SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。 具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的
STM32芯片的ROM与RAM
按照上边的例子， 在Keil中编译工程成功后，在下面的Bulid Ouput窗口中会输出下面这样一段信息： Program Size: Code=119222 RO-data=18266 RW-data=320 ZI-data=23492 代表的意思： Code ：是程序中代码所占字节大小 RO-data ：程序中所定义的指令和常量大小（个人理解：Read Only） RW-data ：程序中已初始化的变量大小 (个人理解”：Read/Write) ZI-Data ：程序中未初始化的变量大小 (个人理解：Zero Initialize) ROM(Flash) size = Code+RO-data+RW-data; RAM size = RW-data+ZI-data 可以通过.map查看占用的flash和ram大小 Code是代码占用的空间，RO-data是 Read Only 只读常量的大小，如const型，RW-data是（Read Write）初始化了的可读写变量的大小，ZI-data是（Zero Initialize）没有初始化的可读写变量的大小。ZI-data不会被算做代码里因为不会被初始化。 简单的说就是在烧写的时候是FLASH中的被占用的空间为：Code+RO Data+RW Da ta 程序运行的时候，芯片内部RAM使用的空间为：RW Data+ZI Data ARM编译中的RO、RW和ZI DATA区段 ARM程序(指在ARM系统中正在执行的程序，而非保存在ROM中的bin文件)的组成 一个ARM程序包含3部分：RO段，RW段和ZI段 RO是程序中的指令和常量 RW是程序中的已初始化变量
RAM和ROM
典型外部ROM和RAM器件的使用实例详解 来源：开拓电子（https://www.360docs.net/doc/325138418.html,）录入： autumn 1 实例功能 在很多应用场合，51单片机自身的存储器和I/O口资源不能满足系统设计的需要，这时就要进行系统扩展。在本例中，将结合片外ROM和片外RAM的典型芯片的应用，说明如何扩展单片机的数据存储器和程序存储器。 本例中3个功能模块描述如下： ?单片机系统：扩展单片机的存储器，实现片外存储器的访问。 ?外围电路：分为3个内容。首先是用地址锁存器完成单片机系统总线的扩展，其次是扩展片外ROM器件2764,第三是扩展片外RAM6264. ?C51程序：用C51完成对片外存储器的读写。 本例目的在于希望keiltop读者在读完本例后，能完成相关的电路设计。 ?器件原理 本实例中将首先介绍单片机的三总线概念和形成，随后介绍单片机弦叫线的扩展。在单片机系统扩展时，引入片外典型存储器件，最后给出典型片外ROM和RAM的电路连接和使用方法。 2.1单片机的三总线 (1)什么是单片机的三总线？ 单片机三总线指数据线、地址线和控制线。单片机CPU所要处理的就是这3种不同的总线信号。 数据线：数据总线用来传送指令和数据信息。P0口兼做数据总线DB0~DB7. 地址线：用来指定数据存储单元的志趣分配信号线。在8051系列中，提供了引脚ALE,在ALE为有效高电平，在P0口上输出的是地址信息，A7-A0。另外，P2口可以用于输出地址高8位的A15~A8,所以对外16位地址总线由P2和P0锁存器构成。 控制线：8051系列中引脚输出控制线，如读写信号线、PSEN、ALE以及输入控制信号线，如EA、TST、T0、T1等构成了外部的控制总线。
手机RAM、ROM和储存卡区别
手机RAM、ROM和储存卡的那些事 很多用户对于手机的RAM、ROM和储存卡这几个概念混淆不清。例如有的人会说他的手机“内存”是16G，有的用户则抱怨为什么16G ROM的机器可用的只剩下10G 甚至更少，还有的则苦恼为什么储存卡还有很多空间，安装大型游戏的时候却弹出空间不足，以上各种问题都是我们玩机时候经常会遇到的。本文主要内容是介绍手机的RAM、ROM和储存卡的知识以及怎么更好地利用它们。 首先说明一下手机RAM、ROM和存储卡的关系。手机的RAM和ROM都属于半导体存储器。手机的RAM即我们常说的内存，是Random Access Memory的缩写，即随机存储器，在工作状态时可以随机读写数据，断电以后会丢失数据。手机的ROM和传统的ROM（Read Only Memory）又有些不一样，它分为两部分，一部分是用于系
统，另外一部分是用作用户存储数据。而存储卡则很好理解了，常用的有tf卡， 用于存储用户数据。 RAM RAM即内存，主流的手机有512M、768M、1G、2G等容量，所以一些用户所说的“16G 内存”当然不是指RAM了。RAM的容量又分标称容量、实际容量和可用容量三种，标称容量即我们看手机参数的容量，即1G、2G这些。实际容量会比标称容量少一
些，这其除了一些小量的损耗（算法、颗粒的不同）之外，部分手机还会被GPU 占用一部分RAM，所以一些2G的手机看到的实际容量会是1.7G~1.8G。而可用容量又会比实际容量再少一些，是由于系统占用以及后台程序的占用的原因，一般2G的手机刚开机的时候可用RAM会有1.3G左右，而1G的手机可用有400M左右。 如何节省RAM？
Ram和Rom的区别
RAM和ROM RAM 被称为随机存储，也即我们通常所说的运行内存。 特点：易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关。处理范围：系统程序、运行数据等。 RAM的大小，决定着整个系统的运行速度，决定可以同时打开多少个程序，并且在使用的切换时候流畅的问题，而ROM的大小则基本对这些起不到很大的作用。 目前主流容量大小：512MB、1G、2G、4G 是否支持扩展：目前暂不支持扩展 ROM 称为只读存储。 特点：断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。目前主流的存储器已经支持写入，所以不再是传统意义上的只读。 处理范围：分为系统本身自带的数据，这部分为只读存储部分；另一部分为用户自行写入部分，如音乐、视频、照片等等。 目前主流容量大小：8G、16G、32G、64G、128G 是否支持扩展：支持扩展，如SD卡、TF卡的扩展方式等。 RAM和ROM的数据处理速度是不同的，RAM的处理速度是ROM的好几倍，
这是为什么呢？这是因为他们俩所处的位置不同。运行内存作为整个系统的一部分，是不可或缺的。所以现在的技术已经将它和CPU叠加嵌入式。这样大大增加了CPU的处理能力。 举个栗子：把整个系统想象成一个房间，而CPU就是在里面工作的主人公，他的面前是一个书桌，那么我们就可以理解为，运行存储是放在书桌上的文件数据，而存储则是放在书架上的文件数据。这样就一目了然了，CPU工作时，直接放在桌子上的数据用起来自然就快了，而放在书架上的，他必须起身，走过去，把东西搬到书桌上才能开始工作。这样两者的哪个处理的快的，就不言而喻了。 现在主流的运行内存是4G，为什么没有做得更大呢？ 猜想一：理论上是说运行内存越大，系统的处理速度就会越快，但是这里要注意的是，一个系统是有机的整体，运行的速度是由多个因素决定的，所以不是单纯的提高运行内存。就可以提高系统的运行速度。受到了核数和cpu以及带宽等的限制。并且，目前苹果6的运行内存依旧是1G的，整个系统的运行可以自由切换应用，主要是由于他们的应用做的比较小，节省电量，为了保证续航时间。举个栗子：可以把整个运行内存想象成一个工厂，而CPU是里面的机器，在机器生产能力没有提高的情况下，不管把工厂做得多大，也没有办法起到提高工作效率的作用的。 猜想二：由于目前的手机更新换代周期为18个月左右，如果把硬件配置做到最好，那么商家以后该转战到软件市场赚钱了。就像苹果6的运行内存，从1G换成2G，只需要增加10美元的成本，而且增加这个成本，完全可以让消费者来
RAM和ROM的作用与区别
RAM和ROM的作用与区别 ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是：ROM是Read Only Memory 的意思，也就是说这种存储器只能读，不能写。而RAM是Random Access Memory 的缩写，可以随机读写，因此得名。 ROM有很多种，其中智能手机中应用的是Flash ROM / Flash EEPROM，下面是关于他的解释： 这是目前最常见的可擦写ROM了，广泛的用于主板和显卡声卡网卡等扩展卡的BIOS存储上。而现在各种邮票尺寸的半导体存储卡，包括Compact Flash/CF，Smart Media/SM，Security Digital/SD，Multimedia Card/MMC，Memory Stick/MS，以及FUJI新出的标准vCard，还有各种钥匙链大小的USB移动硬盘/USB Drive/优盘，内部用的都是Flash ROM。绝大多数PDA/掌上电脑也用它来存储操作系统和内置程序。还有数码相机，数码摄像机，MD/MP3播放器内部的Fireware（用于存储DSP/ASIC程序），也大多使用Flash ROM了。与EEPROM相比，Flash ROM有写入速度快，写入电压低的优点。不过它的成本也是较高的． RAM，最常见的就是电脑的内存了。PDA/掌上电脑中也会使用RAM来让用户存储程序和数据，不过在PDA/掌上电脑中，由电池供电，所以只要电池有电，RAM 中的数据还是保留的，不会丢失。在MD/MP3播放器，DC/DV中也会使用RAM来保存程序数据或者作为数据缓冲。RAM也是有很多分类的． ROM和RAM的种类非常繁多，我们只针对PDA/掌上电脑设备总结一下。 通常我们会看到在PDA/掌上电脑上标称xxM ROM和xxM RAM，这里的ROM 就是指存储操作系统和内置程序的空间，掉电的时候，这些数据依然存在。除了使用Mask ROM的低端设备，其它都是使用Flash ROM的，这意味着操作系统可以升级，某些程序还可以更改系统使得普通程序可以使用ROM中剩余的空间。而RAM
软盘、硬盘、内存、外存、ROM、RAM的区别
软盘、硬盘、内存、外存、ROM、RAM的区别 概念RAM（random access memory）即随机存储内存，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。ROM（Read-Only Memory）即只读内存，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。对比手机中的RAM和ROM分别对应电脑的内存和硬盘，内存负责程序的运行以及数据交换，有了它，电脑中的软件才能运行，并有了进程；而硬盘就是一块存储空间，您可以存储各种各样的文件，包括视频、照片、音乐、软件等。 手机RAM手机中的RAM和ROM与电脑类似，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，它支撑的是手机软件的运行，存放手机软件运行后进行的数据交换等工作。也就是，RAM决定了您的手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复。 手机RAM手机中的RAM和ROM与电脑类似，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，它支撑的是手机软件的运行，存放手机软件运行后进行的数据交换等工作。也就是，RAM决定了您的手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复。 手机RAM手机中的RAM和ROM与电脑类似，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，它支撑的是手机软件的运行，存放手机软件运行后进行的数据交换等工作。也就是，RAM决定了您的手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复。 软盘：首先告诉你，软盘是已经被淘汰的储存介质，都可以进博物馆了。软盘（Floppy Disk，港台称之为软碟）是个人电脑（PC）中最早使用的可移介质。软盘的读写是通过软盘驱动器完成的。软盘存取速度慢，容量也小，但可装可卸、携带方便。分为3.5英寸（容量为1.44M）和5.25英寸（容量为1.2M)两种。 硬盘：就是我们电脑上的硬盘，现在还在使用，只不过容量越来越大。硬盘（港台称之为硬碟，英文名：Hard Disc Drive 简称HDD 全名温彻斯特式硬盘）是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。这些碟片外覆盖有铁磁性材料。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。 内存：全称内部存储器，通俗点说就是电脑市场里销售的内存条。在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。 外存：全称外部存储器。包括软盘、硬盘、U盘、光盘、CF卡、记忆棒、SD卡等等。 ROM：read only memory 只读存储器,英文简称ROM。只能读不能写入的存储器，比如DVD VCD 都是ROM。 RAM:random access memory 随机存储器,英文简称RAM。它的特点是易挥发性，即掉电失忆。我们前面说的内存就属于RAM的一种。
RAM和ROM分别是什么意思
随机存取记忆体(Random Access Memory，或称为RAM)，是一种在电脑中用来暂时保存数据的元件。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为作业系统或其他正在运行中的程式之临时资料存储媒介。 RAM记忆体可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态记忆体(DRAM)两大类。SRAM具有快速存取的优点。而DRAM由於具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的储存设备中(例如硬碟)。 RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。唯读记忆体(Read-Only Memory，ROM)是一种半导体记忆体，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。 通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。例如早期的个人电脑如Apple II或IBM PC XT/AT的开机程式(作业系统)或是其他各种微电脑系统中的轫体(Firmware)。 它不是永久性存储数据的，此类的内存就是我们常说的内存;RAM可被看作是电脑中使用的临时存储区，它能暂时存储程序运行时需要使用的数据或信息等。电脑的RAM是我们最常使用的部件之一，也是数据保存期相当短的一个部件，因为只有当电脑不断电的情况下，ROM 中的数据才能保存住;如果你关机，那保存在RAM中的数据将全部丢失。如果你或你的电脑系统需要数据的保存期长些，简单点就是将数据保存到硬盘中，这样不论你系统是否断电，都可以永久保存数据。 当电脑系统装载一个程序时，它会先加载一部份数据到电脑的RAM中以供程序运行使用。在这里你可以按照你的意愿运行你的程序，而他不会改变电脑中任何永久性数据信息。这就如你在电脑中使用文字处理程序来编辑一份报告等，你知道为了能安全地保存你的报告，你必须save它，否则当电脑断电后，你所做的所有事都将会丢失。当你使用记事本等编辑你的报告时，在未将内容保存到硬盘中之前，所有的事都是存在电脑的RAM中的，这允许你自由地删减报告内容等;当报告存储到硬盘中后，在RAM中的信息就被转化成了永久性数据了。以后要再次使用这些数据，就可以读取硬盘中的这个文件，系统会将其内容重新加载到电脑RAM。 目前广泛使用的RAM也有两种类型，它们适用于不同的用途。下面就分别介绍这两种RAM 的工作原理及其用途。 1：SRAM (Static RAM，静态随机存储器) - 此类静态RAM的运行速度非常快，也非常昂贵，其体积相对来说也比较大。今天我们常说的CPU内的一级、二级缓存就是使用了此SRAM。英特尔的Pentium III Coppermine CPU中结合有256KB的全速二级缓存，这实际上就是一种SRAM。非常不幸得就是此种SRAM与其伙伴DRAM相比非常地昂贵，因此在CPU内只能使用少量的SRAM，以降低处理器的生产成本;不过由于SRAM的特点---高速度，因此对提高系统性能非常有帮助。处理器内的一级缓存，其运行频率与CPU的时钟同步;而二级缓存可以整合在CPU中，也可以位于如一些Slot-1 CPU的边上。
Flash、RAM、ROM的区别
一、ROM(Read Only Memory) ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。 ROM也有很多种: PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM; EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM； EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。 二、RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。 静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。 动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
ROM RAM FLASH分类及关系区别,
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM 是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM 有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据.而且是行列地址复用的，许多都有页模式;SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。 SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有 150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。 SRAM是静态内存，SDRAM是同步动态内存.每单位容量的DRAM使用较少的晶体管而且占用面积小，而SRAM则是用较多晶体管占用的面也要相对大不少；DRAM 需要不断刷新来维持所存储的数据，SRAM则不需要；DRAM的存取时钟间隔长，而SRAM的速度快，时间短；DRAM的耗电低，SRAM耗电大。目前，相同容量的SRAM价格是SDRAM的8倍左右，面积则将近大4倍，所以SRAM常用于快速存储的较低容量的RAM需求，比如Cache(缓存），比如CPU内部的L1 Cache和主板上的L2 Cache，一般只有几百K。 布线上可以同样遵守高速设计的需要，具体可参考厂家设计规范要求。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和 EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而 EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM 中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍
ROM与RAM的区别
ROM与RAM 简单的说，一个完整的计算机系统是由软件和硬件组成的。其中，硬件部分由中央处理单元CPU（包括运算器和控制器）、存储器和输入/输出设备构成。目前个人电脑上使用的主板一般只能支持到 1GB的内存，即使是INTEL目前最高阶的450NX芯片组也只能支持到4GB。 存储器包括主存储器（Main Memory）和辅助存储器（Auxiliary Memory）。主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。主存具有速度快、价格高、容量小的特点，负责直接与CPU交换指令和数据。辅存通常是磁性介质或光盘，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息。辅存速度慢、价格低、容量大，可以用来保存程序和数据。常见的辅存如硬盘、软盘、CD-ROM 等，而现在的主存一般就是指半导体集成电路存储器了。那主存和内存有什么关系呢？可以这么认为：主存就是广义的内存。 广义的内存分为随机存储器（RAM，RANDOM ACCESS MEMORY）和只读存储器（ROM，READ ONLY MEMORY）。电脑上使用RAM来临时存储运行程序需要的数据，不过如果电脑断电后，这些存储在RAM中的数据将全部丢失。每种每台电脑中都结合有两种基本类型的内存，它们分别有不同的用途以完成不同的任务。为了存储数据的持久性，ROM常用
于存储电脑重要的信息例如：电脑主板的BIOS(基本输入/输出系统)。不像RAM，存储在ROM中的数据理论上是永久的。即使电脑关机后，保存在ROM中的数据也不会丢失。存储在BIOS中的信息控制着你电脑系统的运行。真因为其重要性，对BIOS未经授权的复制或删除是不允许的。 一、 RAM RAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。RAM 的速度比较快，但其保存的信息需要电力支持，一旦丢失供电即数据消失，所以又叫易失性存储器，还有一种很有趣的叫法是"挥发性存储器"，当然这里"挥发"掉的是数据而不是物理上的芯片。在51单片机中,RAM主要用来保存数据、中间结果和运行程序等，所以也把RAM叫做数据存储器。 1.RAM的分类 RAM又分动态存储器（DRAM，DYNAMIC RAM）和静态存储器（SRAM，STATIC RAM）我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的，只要不断电，信息是不会丢失的，所以谓之静态；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，这个充电的过程叫再生或刷新（REFRESH），所以动态RAM需要设臵刷新电路。由于电容的充放电是需要相对较长的时间的，
RAM、ROM的概念和区别
RAM、ROM的概念和区别 大家知道，电脑的内存分为RAM和ROM。 ROM是英文“READ-ONLY MEMORY”的缩写，意思为只读存储器，在电脑的正常工作过程中，其内容不可改变。 RAM是英文“RANDOM-ACCESS MEMORY”的缩写，即是我们通常所说的内存，其内容是可读可写的，电脑在正常工作时，存放在其他介质（硬盘、软盘、光盘等）上面的程序都要调到RAM中才能运行，内存越大，一次性可以从其他介质上调用的数据越多。内存如果不够大的话，程序运行时，如果需要从其他介质上调用新的数据，这样，原来调到内存中的数据有部分就要被改写成新数据。因此，内存（RAM）中的数据，在需要时是可以随机改写的。此外，内存芯片如果没有电源供应的话，那么其中的内容将会全部丢失。而ROM芯片即使没有电源供应，其中的BIOS程序也不会消失。 BIOS存放在ROM芯片中。电脑在正常工作时，ROM芯片中的BIOS程序不会被改写。从物理性能上来看，用于存放BIOS的ROM芯片又有以下几种类型： 1、PROM 它是英文＂可编程只读存储器＂一词的缩写,是只可以一次性写入内容的芯片。其中的内容一经写入,就不能修改。PROM芯片本来是一块空白无内容的芯片，主板厂商在PROM中写上内容，用到主板上，它就成为了ROM。主板厂商在往PROM中写入内容时,需要使用一种叫做编程器的工具。编程器也叫烧写机，使用编程器往PROM中写入数据的过程就叫烧写。在早期的586和486电脑上使用PROM来存放BIOS的很常见。 2、EPROM 它是英文＂可擦写的可编程只读存储器＂的缩写。它是一种可以通过在紫外线的照射下擦除内容的特殊PROM芯片。芯片的内容一旦被擦除,您就可以重新写入新内容。只有很少一些古老的机型在使用EPROM来存放BIOS。 3、EEPROM 它是英文＂电可擦写的可编程只读存储器＂,它不必借助紫外线的照射，而仅仅通过使用和电有关的手段就改写内容。目前大多数的电脑现在都在使用EEPROM来存放电脑的BIOS。
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 内存工作原理： 内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
手机rom和ram的区别
RAM和ROM和Flash ROM的区别 RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。 不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM 内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。 ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一但写入后只能用特殊方法或根本无法更改，因此ROM常在嵌入式系统中担任存放作业系统的用途。现在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。 RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM就不会。 由于ROM不易更改的特性让更新资料变得相当麻烦，因此就有了Flash Memory的发展，Flash Memory具有ROM不需电力维持资料的好处，又可以在需要的时候任意更改资料，不过单价也比普通的ROM要高。 SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。动态RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。 具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的
寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理
寄存器 寄存器是中央处理器内的组成部份。它跟CPU有关。寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件，它们可用来暂存指令、数据和位址。在中央处理器的控制部件中，包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。在中央处理器的算术及逻辑部件中，包含的寄存器有累加器(ACC)。 存储器 存储器范围最大，它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。你所说的寄存器，内存，都是存储器里面的一种。凡是有存储能力的硬件，都可以称之为存储器，这是自然，硬盘更加明显了，它归入外存储器行列，由此可见——。 内存 内存既专业名上的内存储器，它不是个什么神秘的东西，它也只是存储器中的沧海一粟，它包涵的范围也很大，一般分为只读存储器和随即存储器，以及最强悍的高速缓冲存储器（CACHE），只读存储器应用广泛，它通常是一块在硬件上集成的可读芯片，作用是识别与控制硬件，它的特点是只可读取，不能写入。随机存储器的特点是可读可写，断电后一切数据都消失，我们所说的内存条就是指它了。 CACHE CACHE是在CPU中速度非常块，而容量却很小的一种存储器，它是计算机存储器中最强悍的存储器。由于技术限制，容量很难提升，一般都不过兆。 ROM、RAM的区别： ROM（只读存储器或者固化存储器） RAM（随机存取存储器） ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），当数据被存入其中后不会消失。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了。当这个SRAM 单元被赋予0 或者1 的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。但是存储1bit 的信息需要4-6 只晶体管。因此它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM 必须在一定的时间内不停的刷新才能保持其中存储的数据。DRAM 只要1 只晶体管就可以实现。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 最初,把只能读的存储器叫做ROM(Read Only Memory),并且掉电后数据不会丢失。由于不能
DDR与ROM,RAM区别,详细介绍,菜鸟必看
FLASH闪存 FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash"。闪存则是一种非易失性（Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。 各类DDR 、SDRAM 或者RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。 快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。 NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。 在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。 Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM和EEPROM两项技术，并拥有一个SRAM接口。 第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存 的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也 相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好 的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、and PC cards、USB sticks等存储卡上。 NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND 的存储块大小为8 到32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB 容量的NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。 NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O端口只有8 个，比NOR 要少多了。 这区区8 个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR 闪存 的并行传输模式慢得多。再加上NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR 闪存要差。 RAM 随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
RAM,ROM,EEPROM,FLASH区别
ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。 ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，计算机启动用的BIOS芯片，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写RAM。 此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM 。 EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。 RAM（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。 所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带） 当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。 RAM-RandomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。我们经常说的内存，比如计算机的内存，手机的内存，包括CPU里用的高速缓存，都属于RAM这类存储器。{这个是pc(如台式电脑)磁盘分区中的C 盘，不是ROM;而是RAM，属于可读写存储器} RAM为静态易失型存储器； ROM为非易失性存储器； Flash 是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。 目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容