模电知识点总结

第一章绪论

1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真

2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大

第二章预算放大器

1.集成运放适合于放大差模信号

2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均

为虚地。

3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈

4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。

5.根据输入输出表达式判断电路种类

同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。

反相：虚地。

第三章二极管及其基本电路

1.二极管最主要的特征：单向导电性

2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型

3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路

4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关

5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂

6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏

7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏

8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容

9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况

正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧

反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行

10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大

11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区

12.稳压管称为齐纳二极管

13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压

下进行,反向电流随光照强度的增加而上升

14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二

极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.

当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路

第四章双极结型三极管及放大电路

1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件

2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数

3.晶体三极管可以工作在:

放大区,发射结正偏,集电极反偏

饱和区,发射结集电极正偏

截止区,发射结集电极反偏

4.NPN,PNP,硅锗管的判断

5.工作在放大区的三极管，若当I

b 以12A

μ增大到22A

μ时，I

从1mA变为2mA，β约

为100

6.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点，若工作点选的太高——

饱和失真。选得太低——截止失真

7.顶部削平——截止失真。底部削平——饱和失真

8.共集电极放大电路，电压增益小于1而接近于1，输出电压与输入电压同相，输入电阻

高，输出电阻低，起阻抗变换的作用——缓冲级，输入级，输出级，有电压跟随作用9.共射级放大电路的电压和电流增益都大于1，输入电阻在三中组态中，输出电阻与集电

极电阻有关，作为中间级

10.共基极放大电路只有电压放大作用，没有电流放大作用，有电流跟随作用，输入电阻小，

输出电阻与集电极电阻有关。高频特性好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，集成电路兼有点位移动的功能

11.共射—共集：总的电压增益是多级电压增益乘积，要考虑级间互相影响

12.共集—共集：复合管电流放大系数等于各组成管电流放大系数乘积

13.放大电路需加合适的直流电源才能工作

14.影响放大器工作点的主要因素是温度

15.电压放大倍数空载是指R

16.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用共射放大电路

17.带负载能力强的放大器一定是输出电阻低

18.射级跟随器是共集电极放大电路

19.双极型三极管是电流控制器件，工作在放大区时，发射结正偏，发射结正偏，集电结反

偏

20.场效管是电压控制器件

21.各级放大电路增益关系

22.获得输入电压中的低频信号，选用低通滤波电路

23.已知输入信号12KHz-14KHz，为防止干扰信号混入，选用带通滤波电路

24.为使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时，滤波特性不变，选用有源滤波

电路

第五章场效应管放大电路

1.场效管本质上是一个电压控制电流源器件

2.在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电

路

3.场效应管的类型：金属—氧化物—半导体场效管，结型场效管

4.场效管的输出特性分为几个区：可变电阻区，饱和区，截止区

5.场效管工作在饱和区

6.对MOS管中的漏极和源级接入电路能对调使用

7.增强型与耗尽型差别：V

=0时，增强型无沟道，耗尽型有沟道

8.栅极电流受参数控制：V

第六章模拟集成电路

1.镜像电流源电路——毫安级。微电流源电路——微安级

2.典型差动放大电路的公共射级电阻R

，对共模信号有抑制作用

3.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的差，共模输入信号等于两个

输入信号的算术平均值

4.差模信号和共模信号一般是用电压信号来描述的。两输入电压之差称为差模电压。两输

出电压的算术平均值称为共模电压

5.差动放大器对共模信号具有较强的抑制作用，真正要放大的是差模信号

6.通用型集成运放的输入级一般采用差分式放大电路，主要目的是抑制零点漂移

第七章反馈放大电路

1.对于放大电路，开环指无反馈通路，闭环指有反馈通路

2.直流负反馈的作用：稳定静态工作点

3.负反馈四种组态及其特点

电压串并负反馈——稳定电压

电流串并负反馈——稳定电流

4.并联反馈——减小输入电阻。串联反馈——增大输入电阻

5.在深度负反馈时，闭环增益与开环增益无关

6.使净输入信号量比没有引入反馈时减小了，称这种反馈为负反馈。

性能影响：

1.闭环增益下降

2.提高增益的稳定性

3.减小非线性失真

4.抑制反馈环内噪声

第八章功率放大电路

1.功放的分类：甲类，乙类，甲乙类

2.每种运放的特点

第九章信号处理与信号产生电路

1.振荡条件和起振条件

2.RC桥式振荡电路的振荡频率

第十章直流稳压电源

1.直流稳压电源电路组成

2.常用滤波器：电容滤波器，电感滤波器，形滤波器

3.接线对调，极性不会相反

4.三端集成稳压器定义：最简单的集成稳压电源只有输入、输出、公共引出端，故称为三

端集成稳压器

5.具有放大环节的稳压电路中，电源调整工作在放大状态。在开关电源中，调整管工作在

开关状态

模电数电及电力电子技术知识点

集成运算放大电路输入级采用高性能的恒流源差动放大电路要求输入阻抗高、差摸放大倍数大、共模抑制比高、差摸输入电压及共模输入电压范围大且静态电流小作用减少零点漂移和抑制共模干扰信号中间级采用共射放大电路作用提供较高的电压增益输入级要求其输出电压范围尽可能宽、输出电阻小以便有较强的带负载能力且非线性失真小采用准互补输出级偏置电路确定合适的静态工作点采用准互补输出级综合高差摸放大倍数、高共模抑制比、高输入阻抗、高输出电压、低输出阻抗的双端输入单端输出的差动放大器交直流反馈的判断电容隔直通交直流：短路交流：开路串并联反馈的判断输入信号与反馈信号同时加在一个输入端上的是并联，反之电压电流反馈的判断反馈电路直接从输出端引出的是电压反馈从负载电阻RL的靠近 “地”端引出的是电流反馈直流脉宽调制PWM变换器将固定电压的直流电源变换成大小可调的直流电源的DC-DC变换器又称直流斩波器。它能从固定输入的直流电压产生出经过斩波的负载电。负载电压受斩波器工作率的控制。变更工作率的方法与脉冲宽度调制（斩波频率f=1/T不变，改变导通时间t on）和频率调制（导通时间t on或关断时间t off不变，改变斩波周期T即斩波频率f=1/T）两种。斩波器的基本回落方式有升压（斩波器所产生的输出电压高于输入电压）和降压两种，改变回落元件的连接就可改换回路的方式。用晶闸管作为开关的斩波器，由于晶闸管无自关断能力，它在直流回路里工作是，必须有一套使其关断的（强迫）换相（流）电路。晶闸管的换流方式有：电源换流、负载换流和强迫换流。负载换流缺点主要是电骡的揩振频率与L和C的大小有关，随着负载与频率的变化，换流的裕量也随之改变。为了可靠换流，换流脉冲的幅值应足以消去晶闸管中的电流，脉冲的宽度应保证大于晶闸管的关断时间。晶闸管斩波器的缺点是需要庞大的强迫换流电脑，是设备体积增大和损耗增加；而且斩波开关频率也低，致使斩波器电流的脉动幅度大，电源揩波也大，往往需加滤波器。直流PWM变换器分不可逆、可逆输出两大类。前者输出只有一种极性的电压，而后者可输出正或负极性电压。如果在一个斩波周期中输出电压正、负相间的称为双极式可逆PWM 变换器；如果在一个斩波周期中输出电压只有一种极性电压的称为单极式可逆PWM变换器。双极式可逆PWM变换器的输出电压Uab在一个周期正、负相间。单机式可逆PWM变换器只在一个阶段中输出某一极限的脉冲电压+Uab或—Uab，在另一阶段中Uab=0. 无制动作用的不可逆输出PWM变换器电流始终是一个方向，因此不能产生制动作用，电动机只能作单象限运行，又称为受限式脉宽调制电路。受限单极式可逆PWM变换器与单极式可逆PWM变换器的不同是避免了上下两个开关直通的可能性。双极式脉宽调制器由三角波振荡器、电压比较器构成，单极式脉宽调制器由两只运算放

数电和模电知识点

模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

数电填空题知识点总结

1、逻辑代数有与、或和非三种基本运算。 2、四个逻辑相邻的最小项合并，可以消去__2________个因子； __2n _______个逻辑相邻的最小项合并，可以消去n 个因子。 3、逻辑代数的三条重要规则是指反演规则、代入规则和对偶规则。 4、 n 个变量的全部最小项相或值为1。 6、在真值表、表达式和逻辑图三种表示方法中，形式唯一的是真值表。 8、真值表是一种以表格描述逻辑函数的方法。 9 、与最小项ABC 相邻的最小项有AB ’C’，ABC， A’BC ’。 2n 10、一个逻辑函数，如果有n 个变量，则有个最小项。 11、 n 个变量的卡诺图是由2n个小方格构成的。 13、描述逻辑函数常有的方法是真值表、逻辑函数式和逻辑图三种。 14、相同变量构成的两个不同最小项相与结果为0。 15、任意一个最小项，其相应变量有且只有一种取值使这个最小项的值为1。1．在数字电路中，三极管主要工作在和两种稳定状态。饱和、截止 2．二极管电路中，电平接近于零时称为，电平接近于 VCC是称为。低电平、高电平 3． TTL 集成电路中，多发射极晶体管完成逻辑功能。与运算 4． TTL 与非门输出高电平的典型值为，输出低电平的典型值为。 3.6V 、 0.2V 5．与一般门电路相比，三态门电路中除了数据的输入输出端外，还增加了一个片选信号端，这个对芯片具有控制作用的端也常称为。使能端 6．或非门电路输入都为逻辑 1 时，输出为逻辑。 7．电路如图所示，其输出端 F 的逻辑状态为。 1 8．与门的多余输出端可，或门的多余输出端可。与有用输入端并联或接高电平、与有用输入端并联或接低电平 10．正逻辑的或非门电路等效于负逻辑的与非门电路。与非门 11．三态门主要用于总线传输，既可用于单向传输，也可用于双向传输。单向传送、双向传送 12．为保证TTL 与非门输出高电平，输入电压必须是低电平，规定其的最大值称为开门电平。低电平、开门电平

模电知识总结

第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体－--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Ｓi、锗Ｇe）。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。４．两种载流子--－-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。６. 杂质半导体的特性＊载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。＊体电阻--－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。＊转型－--通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.ＰN结

＊ＰN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0．8V，锗材料约为０.２～0.3V。 * ＰＮ结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性---－－-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-－--同ＰN结。 *正向导通压降--－---硅管０.6~０.7V，锗管0．２~０.3Ｖ。 *死区电压--－---硅管0.5Ｖ，锗管０.1Ｖ。 3.分析方法-－----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低：若Ｖ阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路）; 若Ｖ阳

２) 等效电路法 ?直流等效电路法＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>Ｖ阴( 正偏),二极管导通（短路); 若V阳

模电数电基础笔试总结

模拟电路（基本概念和知识总揽） 1、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用） 3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用？反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。电压（流）负反馈的特点：电路的输出电压（流）趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别？无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点，广泛采用差分结构的原因。答：基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路，简称共基、共射、共集放大电路。共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻较大，频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。共基放大电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射放大电路相当，频率特性是三种接法中最好的电路。常用于宽频带放大电路。共集放大电路只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级，在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。广泛采用差分结构的原因是差分结构可以抑制零点漂移现象。 ?7、二极管主要用于限幅，整流，钳位． ?判断二极管是否正向导通：１．先假设二极管截止，求其阳极和阴极电位；２．若阳极阴极电位差＞UD ，则其正向导通；３．若电路有多个二极管，阳极和阴极电位差最大的二极管优先导通；其导通后，其阳极阴极电位差被钳制在正向导通电压（０.7V 或０.３V ）；再判断其它二极管．

模电知识要点总结_期末复习用_较全面[适合考前时间充分的全面复习]

模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

数字集成电路必备考前复习总结

Digital IC：数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统第一章引论 1、数字IC芯片制造步骤设计：前端设计（行为设计、体系结构设计、结构设计）、后端设计（逻辑设计、电路设计、版图设计）制版：根据版图制作加工用的光刻版制造：划片：将圆片切割成一个一个的管芯（划片槽）封装：用金丝把管芯的压焊块（pad）与管壳的引脚相连测试：测试芯片的工作情况 2、数字IC的设计方法分层设计思想：每个层次都由下一个层次的若干个模块组成，自顶向下每个层次、每个模块分别进行建模与验证 SoC设计方法：IP模块（硬核（Hardcore)、软核（Softcore)、固核（Firmcore））与设计复用Foundry（代工）、Fabless（芯片设计）、Chipless（IP设计）“三足鼎立”——SoC发展的模式 3、数字IC的质量评价标准（重点：成本、延时、功耗，还有能量啦可靠性啦驱动能力啦之类的） NRE (Non-Recurrent Engineering) 成本设计时间和投入，掩膜生产，样品生产一次性成本 Recurrent 成本工艺制造（silicon processing），封装（packaging），测试（test）正比于产量一阶RC网路传播延时：正比于此电路下拉电阻和负载电容所形成的时间常数功耗：emmmm自己算 4、EDA设计流程 IP设计系统设计（SystemC）模块设计（verilog）综合版图设计(.ICC) 电路级设计（.v 基本不可读）综合过程中用到的文件类型(都是synopsys版权)：可以相互转化 .db（不可读）.lib（可读）加了功耗信息

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

数电知识点总结(整理版)

数电复习知识点第一章 1、了解任意进制数的一般表达式、2-8-10-16进制数之间的相互转换； 2、了解码制相关的基本概念和常用二进制编码（8421BCD、格雷码等）；第三章 1、掌握与、或、非逻辑运算和常用组合逻辑运算（与非、或非、与或非、异或、同或）及其逻辑符号； 2、掌握逻辑问题的描述、逻辑函数及其表达方式、真值表的建立； 3、掌握逻辑代数的基本定律、基本公式、基本规则（对偶、反演等）； 4、掌握逻辑函数的常用化简法（代数法和卡诺图法）； 5、掌握最小项的定义以及逻辑函数的最小项表达式；掌握无关项的表示方法和化简原则； 6、掌握逻辑表达式的转换方法（与或式、与非－与非式、与或非式的转换）；第四章 1、了解包括MOS在内的半导体元件的开关特性； 2、掌握TTL门电路和MOS门电路的逻辑关系的简单分析； 3、了解拉电流负载、灌电流负载的概念、噪声容限的概念； 4、掌握OD门、OC门及其逻辑符号、使用方法； 5、掌握三态门及其逻辑符号、使用方法； 6、掌握CMOS传输门及其逻辑符号、使用方法； 7、了解正逻辑与负逻辑的定义及其对应关系； 8、掌握TTL与CMOS门电路的输入特性（输入端接高阻、接低阻、悬空等）；第五章 1、掌握组合逻辑电路的分析与设计方法； 2、掌握产生竞争与冒险的原因、检查方法及常用消除方法； 3、掌握常用的组合逻辑集成器件（编码器、译码器、数据选择器）； 4、掌握用集成译码器实现逻辑函数的方法； 5、掌握用2n选一数据选择器实现n或者n＋1个变量的逻辑函数的方法；第六章 1、掌握各种触发器（RS、D、JK、T、T’）的功能、特性方程及其常用表达方式（状态转换表、状态转换图、波形图等）； 2、了解各种RS触发器的约束条件； 3、掌握异步清零端Rd和异步置位端Sd的用法； 2、了解不同功能触发器之间的相互转换；第七章 1、了解时序逻辑电路的特点和分类； 2、掌握时序逻辑电路的描述方法（状态转移表、状态转移图、波形图、驱动方程、状态方程、输出方程）； 3、掌握同步时序逻辑电路的分析与设计方法，掌握原始状态转移图的化简；

模电课程总结

模电课程总结报告一学期模电课也终将结束了，而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒，到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电，我觉得模电的难度要大一些，学习方法也有很大不同。课程学习方法 1.上课认真听讲，虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异，但是从听觉和视觉两方面得来的信息比自己看更有效，上课的互动也能加深学习印象，更重要的是模电离不开电路，单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间，有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题，比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过，但是很少有人注意到。 2.要有个线索，建立自己的知识树，注意前后的联系，不要脱节。比如：半导体材料的性质，半导体构成的元件，半导体元件组成的放大电路，处理电路。前后紧密相连，环环相扣，围绕着一个核心问题：信号的放大，运算，处理，转换，产生。在学习的时候，一定要从前往后切实的掌握基本概念，理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法，掌握工作原理，结构特点，性能特点。比如典型的差分电路，多级放大电路的基本组成，各种功率放大电路等，唯有如此，才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真，这也是模电数电的一个重大区别，数电电路复杂，但是一旦接对结果一定正确，而模电虽然电路简单，但是即使设计和电路都正确，结果还是出不来。这时就要具体分析电路，哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适，在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手，可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍，一方面对这些元件有个初步的认识，另一方面对参数的设置有具体的把握。课程学习成效 1.会看：电路的识别及定性分析，首先根据电路特征判断其属于哪种电路，然后根据电路特点判断其性能特点。 2.会选：在已知需求情况下选择电路形式，在已知功能情况下选择元器件类型，在已知性能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选，比如选择合适的放大电路，应根据动态静态，带负载能力输入电阻大小等来选择，选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流，带负载能力，输入电阻等来选择。 3.会算：电路的定量分析，例如对于放大电路会求解静态工作点，Au，输入输出电阻，上下限截止频率，会画出交直流等效电路；对于运算电路会求解运算关系等 4.会调：电路参数的调节和设置，主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参数，比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真，是由于哪些因素引起，相应调节对应参数 5.会设计：能够根据要求设计相应功能的电路，这是一个综合的富有创新性的能力。比如设计一个求解微分方程的电路，设计一个电压表等。课程学习感受我觉得模电是一门知识点杂多，但是主线清晰的学科，具有很强的工程性和实践性，对于我来说还是很有难度和挑战性的，但是迎难而上收获才会更多！

模电数电复习题(已整理)

第1章常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D=0.7V。图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，=100，U BE=0.7V。试问： (1)R b=50k时，U o=? (2)若T临界饱和，则R b=? 解：(1)26 BB BE B b V U I A R μ - ==， 2.6 C B I I mA β ==, 2 O CC C c U V I R V =-=。图T1.5 (2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==，/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2所示，已知10sin i u tω =(V)，试画出i u与o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。图P1.2 解图P1.2 解： i u与o u的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压 U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。图P1.3 解图 P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。第2章基本放大电路 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，' 100bb r =Ω。分别计算 L R =∞ 和3L R k =Ω时的 Q 点、u A 、i R 和o R 。图P2.6 图P2.7

模电知识点归纳2(完全版).

第一章常用半导体器件 1. 什么是杂质半导体?有哪 2种杂质半导体? 2. 什么是 N 型杂质半导体?在 N 型半导体中, 掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P 型半导体? 3. 什么是 P 型杂质半导体?在 P 型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为 N 型半导体? 4. 什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5. 二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6. 理想二极管的特点? 7. 什么是稳压管?电路符号?正向导通, 反向截止, 反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压 Uz 指的是什么?稳定电流 Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8. 二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1二极管的开关电路, D 为理想二极管,求 U AO

(2二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形 (3二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (4二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压

如果图中四个二极管全部反过来接, 求负载上输出电压的平均值? (5二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (6二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 9. 什么是晶体管?它的结构和电路符号? (见教材 P29页 , 晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么? 10.晶体管有哪三种工作状态?如果已知β=50, I CS =3mA, U CES =0.3V 则以下晶体管分别工作在什么状态? I C 为多大? 第二章基本放大电路 1. 利用晶体管的电流放大作用, 可以组成哪三种基本放大电路?如何判断放大电路的接法

数字电路知识点汇总精华版

数字电路知识点汇总（东南大学）第1章数字逻辑概论一、进位计数制 1.十进制与二进制数的转换 2.二进制数与十进制数的转换 3.二进制数与16进制数的转换二、基本逻辑门电路第2章逻辑代数表示逻辑函数的方法，归纳起来有：真值表，函数表达式，卡诺图，逻辑图及波形图等几种。一、逻辑代数的基本公式和常用公式 1）常量与变量的关系Ａ+0＝Ａ与Ａ=?1ＡＡ+1＝1与00=?A A A +＝1与A A ?＝0 2）与普通代数相运算规律 a.交换律：Ａ+Ｂ＝Ｂ+Ａ A B B A ?=? b.结合律：（Ａ+Ｂ）+Ｃ＝Ａ+（Ｂ+Ｃ） )()(C B A C B A ??=?? c.分配律：)(C B A ??＝+?B A C A ? ))()(C A B A C B A ++=?+） 3）逻辑函数的特殊规律 a.同一律：Ａ+Ａ+Ａ

b.摩根定律：B A B A ?=+，B A B A +=? b.关于否定的性质Ａ＝A 二、逻辑函数的基本规则代入规则在任何一个逻辑等式中，如果将等式两边同时出现某一变量Ａ的地方，都用一个函数Ｌ表示，则等式仍然成立，这个规则称为代入规则例如：C B A C B A ⊕?+⊕? 可令Ｌ＝C B ⊕ 则上式变成L A L A ?+?＝C B A L A ⊕⊕=⊕ 三、逻辑函数的：——公式化简法公式化简法就是利用逻辑函数的基本公式和常用公式化简逻辑函数，通常，我们将逻辑函数化简为最简的与—或表达式 1）合并项法：利用Ａ+1=+A A 或A B A B A =?=?,将二项合并为一项，合并时可消去一个变量例如：Ｌ＝B A C C B A C B A C B A =+=+)( 2）吸收法利用公式A B A A =?+，消去多余的积项，根据代入规则B A ?可以是任何一个复杂的逻辑式例如化简函数Ｌ＝E B D A AB ++ 解：先用摩根定理展开：AB ＝B A + 再用吸收法Ｌ＝E B D A AB ++

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压輕qo 0￡) 00 GO e?；①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极；N区引出的电极一一阴极温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压一一0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流＜0.1叭，锗的开启电压一一0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ，端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb｝时号恳竽故审.歸

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 ．什么是杂质半导体？有哪 2 种杂质半导体？ 2 ．什么是 N 型杂质半导体？在N 型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体？ 3 ．什么是 P 型杂质半导体？在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体？ 4 ．什么是 PN 结？ PN 结具有什么样的导电性能？ 5 ．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？ 6 ．理想二极管的特点？ 7 ．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳定电压 Uz 指的是什么？稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么？ 8 ．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。（1 ）二极管的开关电路， D 为理想二极管，求U AO （2 ）二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形（3 ）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（4 ）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）如果图中四个二极管全部反过来接，求负载上输出电压的平均值？（5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 9 ．什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29 页），晶体管是一种电流控制器件，用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么？

数电知识点汇总

数电知识点汇总第一章： 1, 二进制数、十六进制与十进制数的互化，十进制化为8421BCD代码 2，原码，补码，反码及化为十进制数 3，原码=补码反码+1 重点课后作业题：题 1.7,1.10 第二章： 1，与，或，非，与非，或非，异或，同或，与或非的符号（2 种不同符号，课本 P22，P23 上侧）及其表达式。 A o A o A……A=?（当A的个数为奇数时，结果为A,当A的个数为偶数时，结果为1） A十A十A??…A=?（当A的个数为奇数时，结果为A,当A的个数为偶数时，结果为0） 2，课本P25，P26 几个常用公式（化简用）3，定理（代入定理，反演定理，对偶定理），学会求一表达式的对偶式及其反函数。 4，※※卡诺图化简：最小项写1，最大项写0，无关项写X。画圈注意事项：圈内的“T必须是2n个；“ 1可以重复圈,但每圈一次必须包含没圈过的“ 1”；每个圈包含“ 1”的个数尽可能多，但必须相邻，必须为2n个；圈数尽可能的少；要圈完卡诺图上所有的“ 1”。 5，一个逻辑函数全部最小项之和恒等于1 6，已知某最小项，求与其相邻的最小项的个数。 7，使用与非门时多余的输入端应该接高电平，或非门多余的输入端应接低电平8，三变量逻辑函数的最小项共有8个，任意两个最小项之积为0. 9，易混淆知识辨析： 1）如果对72个符号进行二进制编码，则至少需要7 位二进制代码。 2）要构成13 进制计数器，至少需要 4 个触发器。 3）存储8 位二进制信息需要8 个触发器。 4）N 进制计数器有N 个有效状态。 5）—个具有6位地址端的数据选择器的功能是2A6选1. 重点课后作业题：P61题2.10~2.13题中的（1）小题，P62-P63题2.15 （7），题2.16 （b），题2.18 （3）、（5）、（7），P64题2.22 （3）、2.23 （3）、2.25 （3）。第三章： 1，二极管与门，或门的符号（课本P71，P72） 2, 认识N沟道增强型MOS管，P沟道增强型MOS管，N沟道耗尽型，P沟道耗尽

(完整版)模电学习心得集

个人建议：认真分析几个典型电路，主要掌握晶体管的等效模型，以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了，模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕，开始不要太关注乱七八糟的内容，抓住主要的，次要的回过头来很容易解决。我现在大三，自动化的。个人建议就是，不要要求每字每句都会，大概的了解那些理论，就可以。在以后的学习中，你会慢慢地发现，理解原来的知识的！二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短，稳压电路，电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象，其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法，所不同的是，新增加了不少复杂的电气元器件。说到元器件，首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材，一开始都会介绍pn结的特性，个人觉得可以不要太在乎里面的结构，但其特性方程是一定要记得的。然后，二极管比较简单，就是一个单一的pn结，在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决（理想模型、恒压降模型、小信号模型，前两者是用于直流分析的，而最后一个是用于交流分析的）。而对于三极管，就相对来说复杂些，在此本人不想说书上有的东西，只想强调一下学习中该注意的问题： 1、对于三极管，它总共有三种工作状态，当它被放在电路中时，我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。（在模电的习题中，除非那道题是专门地考你三极管的状态，否则都是工作在放大区，因为只有这样，管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中，我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的） 2、既然管子基本在放大区，那么它的直流特性就有：be结的电压为0.7V（硅管，锗管是0.2V），发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系，我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是：ce间电压，三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢？这就要弄清直流和交流之间的关系了：在模电里，我们研究的对象都是放大电路，而其中的放大量都是交流信号，并且是比较微弱的交流信号。大家知道，三极管要工作是要一定的偏置条件的，而交流信号又小又有负值，所以我们不能直接放大交流信号，在此我们用的方法就是：给管子一个直流偏置，让它在放大区工作，然后在直流上叠加一个交流信号（也就是让电压波动，不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动，而是围绕你加的那个直流电压波动），然后由于三极管的性质，就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路：从以上的叙述，我们可以看出分析电路应该分为两部分：直流分析和交流分析。不同的分析下，电路图是不一样的，这是因为元件在不同的量下，它的特性不同。（例如电容在直流下就相当于开路，而在交流下可以近似为短路）。而三极管，在交流下就有一个等效模型，也就是把be间等效为一个电阻，ce间等效为一个受控电流源，其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

数电模电超有用知识点,值得拥有

《数字电子技术》重要知识点汇总一、主要知识点总结和要求 1．数制、编码其及转换：要求：能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD 、格雷码之间进行相互转换。举例1：（37.25）10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解：（37.25）10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 )8421BCD 2．逻辑门电路： (1)基本概念 1）数字电路中晶体管作为开关使用时，是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2）TTL 门电路典型高电平为3.6 V ，典型低电平为0.3 V 。 3）OC 门和OD 门具有线与功能。 4）三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5）门电路参数：噪声容限V NH 或V NL 、扇出系数N o 、平均传输时间t pd 。要求：掌握八种逻辑门电路的逻辑功能；掌握OC 门和OD 门，三态门电路的逻辑功能；能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。举例2：画出下列电路的输出波形。解：由逻辑图写出表达式为：C B A C B A Y ++=+=，则输出Y 见上。 3．基本逻辑运算的特点：与运算：见零为零，全1为1；或运算：见1为1，全零为零；与非运算：见零为1，全1为零；或非运算：见1为零，全零为1；异或运算：相异为1，相同为零；同或运算：相同为1，相异为零；非运算：零变 1， 1 变零；要求：熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表（组合逻辑电路）或状态转换真值表（时序逻辑电路）：是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式：是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图：是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。

集美大学模电总结复习要点

最新模电复习要点详解第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 *PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8.PN结的伏安特性二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

数字电路期末总复习知识点归纳详细.doc

第1章数字逻辑概论一、进位计数制 1.十进制与二进制数的转换 2.二进制数与十进制数的转换 3.二进制数与16进制数的转换二、基本逻辑门电路第2章逻辑代数表示逻辑函数的方法，归纳起来有：真值表，函数表达式，卡诺图，逻辑图及波形图等几种。一、逻辑代数的基本公式和常用公式 1）常量与变量的关系Ａ+0＝Ａ与Ａ= ?1ＡＡ+1＝1与0 ?A 0= A?＝0 A+＝1与A A 2）与普通代数相运算规律 a.交换律：Ａ+Ｂ＝Ｂ+Ａ ? A? = B A B b.结合律：（Ａ+Ｂ）+Ｃ＝Ａ+（Ｂ+Ｃ） A? B ? C ? = ? ) A ( ) B (C c.分配律：) ?＝+ A? (C B A? A C ?B A+ + +） B ? = A )() ) (C A B C 3）逻辑函数的特殊规律 a.同一律：Ａ+Ａ+Ａ b.摩根定律：B A+ B ? A = A B A? = +，B

b.关于否定的性质Ａ＝A 二、逻辑函数的基本规则代入规则在任何一个逻辑等式中，如果将等式两边同时出现某一变量Ａ的地方，都用一个函数Ｌ表示，则等式仍然成立，这个规则称为代入规则例如：C ? ⊕ ? A⊕ + A C B B 可令Ｌ＝C B⊕ 则上式变成L ?＝C + A A? L = ⊕ ⊕ A⊕ B A L 三、逻辑函数的：——公式化简法公式化简法就是利用逻辑函数的基本公式和常用公式化简逻辑函数，通常，我们将逻辑函数化简为最简的与—或表达式 1）合并项法：利用Ａ+1 A= ? ?, 将二项合并为一项，合并时可消去一个变量 B = A = A或A +A B 例如：Ｌ＝B B C + ( A +) = A= A B C C A C B 2）吸收法利用公式A A?可以是任何一个复杂的逻辑? +，消去多余的积项，根据代入规则B A B A= 式例如化简函数Ｌ＝E AB+ + A D B 解：先用摩根定理展开：AB＝B A+再用吸收法Ｌ＝E AB+ A + B D ＝E + + B A+ B D A ＝) A A+ + D + B ( ) (E B ＝) A A+ D + + 1(E 1( ) B B