基于快速热响应相变材料的电子器件散热技术

基于快速热响应相变材料的电子器件散热技术
基于快速热响应相变材料的电子器件散热技术

华南理工大学学报(自然科学版)

第35卷第7期Journal of Sou th C hina U n iversity of Technology

V ol .35 N o .7

2007年7月

(N atu ral Science Edition )July 2007

文章编号:10002565X (2007)0720052205

 

 收稿日期:2006209226

3基金项目:广东省自然科学基金资助项目(05006551) 作者简介:尹辉斌(19802),男,博士生,主要从事传热强化与数值模拟研究.E 2mail:peppy222@https://www.360docs.net/doc/5b9306143.html,

通讯作者:高学农,副教授,E 2mail:cexngao@scut .edu .cn

基于快速热响应相变材料的电子器件散热技术

3

尹辉斌1

 高学农1

 丁 静2

 张正国

1

(1.华南理工大学传热强化与过程节能教育部重点实验室,广东广州510640;2.中山大学工学院,广东广州510006)

摘 要:以石蜡为相变材料,利用膨胀石墨的高导热系数和多孔吸附特性,制备出高导热系数的快速热响应复合相变材料,其导热系数可达41676W /(m ?K ).将该材料应用于电子器件散热装置,在不同的发热功率条件下,储热材料散热实验系统的表观传热系数是传统散热系统的1136~2198倍,其散热效果明显优于传统散热系统,可有效提高电子元器件抗高负荷热冲击的能力,保证电子电器设备运行的可靠性和稳定性.关键词:相变材料;热性能;电子器件;散热

中图分类号:TK124;T Q 021.3 文献标识码:A

随着电子及通讯技术的迅速发展,高性能芯片和大规模及超大规模集成电路的使用越来越广泛.电子器件芯片的集成度、封装密度以及工作频率不断提高,而体积却逐渐缩小(例如,微处理器的特征尺寸在1990至2000年内从0135μm 减小到0118μm ),这些都使得芯片的热流密度迅速升高

[1]

.由于高温会

对电子元器件的性能产生有害的影响,如过高的温度会危及半导体的结点,损伤电路的连接界面,增加导体的阻值和形成机械应力损伤

[2]

.随着温度的升

高,其失效率呈指数增长趋势,甚至有的器件在环境温度每升高10℃,失效率增大1倍以上,被称为10℃法则.据统计,电子设备的失效率有55%是温度超过规定的值引起的

[3]

.同时,大多电子芯片的待机

发热量低而运行时发热量大,使瞬间温升快.因此抗热冲击和散热问题已成为芯片技术发展的瓶颈.相变储热材料由于具有蓄能密度大、蓄放热过程近似等温、过程易控制等优点,备受研究者的关注,而提高其热性能更成为了研究热点

[426]

.近年来,将相变

储热材料应用于电子元件的散热技术在国外已受到

广泛重视,并在航空、航天和微电子等高科技系统及军事装备中

[7211]

得到一定应用.

将快速热响应复合相变储热材料应用于电子器件的散热器中,针对大多数电子器件满负荷工作时间短而待机时间长的特点,对电子器件及芯片因散热而引起的表面温度升高可起到移峰填谷的作用.当电子器件满负荷工作时可将部分热量储存起来,而在其待机发热量低时再释放出储存的热量,这样可有效提高电子器件抗高负荷热冲击的能力,保证电子电器设备运行的可靠性和稳定性,同时在低温环境中电子器件可不经过预热便能正常工作.复合相变储热材料的散热技术可广泛应用于各类电子产品中,具有良好的应用前景.

1 复合相变材料的热性能

与传统的散热方式不同,对于基于快速热响应储热材料的散热技术除要求相变材料的储热密度大之外,还要求材料具有较高的导热系数,传热速率快.为解决传统相变材料高储热密度和低导热系数之间的矛盾,根据电子元件散热技术领域对快速热响应相变储热材料的性能(如密度、相变温度、储热密度)要求,实验选定导热系数高且密度低的膨胀石墨作为无机支撑材料,石蜡作为有机相变材料,利用石蜡与膨胀石墨间的固、液表面张力,孔隙结构的

毛细作用力以及膨胀石墨的多孔结构和非极性等特性,筛选、制备出有机/无机复合相变材料,使得复合相变储热材料具有较高的导热系数.

采用Hot D isk 热常数分析仪测定纯石蜡和复合相变材料的导热系数,测定结果如表1所示.

表1 导热系数对照表1

)

Table 1 Comparative table of ther mal conductivity 样品石蜡含量/%

导热系数/(W ?m -1?K -1)

石蜡

100.000.26971#98.36 1.04902#98.04 1.62103#97.56 1.79804#96.77 2.54805#95.24 3.18606#93.75 4.67607#

90.91

1.7950

 1)1#~7#样品为复合相变储热材料.

从表中可以看出,复合相变材料的导热系数相比于纯石蜡有了显著的改善和提高,其中6#

样品的导热系数达到416760W /(m ?K ),提高了一个数量级.理论上,随着膨胀石墨添加量的不断增加,复合相变材料的导热系数会一直呈上升趋势,

但7#样品的导热系数有所下降.这主要是由于高比例膨胀石墨的存在使样品的结构变得比较疏松,存在部分空隙和气体,从而导致了导热系数的下降.

由于膨胀石墨的多孔结构和良好的热传导性,石蜡在和膨胀石墨复合后,不仅能在熔融状态下保持形状稳定、不流动,而且复合材料的热传导性能也比纯石蜡提高了许多.图1为石蜡和石蜡/膨胀石墨复合相变储热材料的储/放热性能曲线.

图1 石蜡和复合相变材料的储/放热性能曲线

Fig .1 Heat st orage and release curves of the paraffin and the

composite phase change material

实验过程中,将5g 石蜡和5g 石蜡/膨胀石墨复合相变储热材料分别装入等壁厚和等直径的玻璃试管,热电偶分别插入试管中心处.首先将两试管放入21℃恒温水浴中,等温度稳定后迅速置于65℃恒温

水浴中进行储热实验.储热实验完成后,再将其置于21℃恒温水浴中进行放热实验.温度由Agilent 34970A 数据采集系统进行自动测量记录.

从图1中可以看出,在实验开始记录后的260s 时间内,石蜡和石蜡/膨胀石墨复合相变储热材料的温度都维持在21℃.随着时间的增加,石蜡和石蜡/膨胀石墨复合相变材料的温度开始上升并发生固-液相变(储热过程).当都达到与系统温度平衡时(65℃),石蜡需时间920s,而石蜡/石墨复合相变储

热材料只需270s,这比石蜡所需时间减少7017%.当储热过程完成后,温度从65℃下降到21℃附近时

(放热过程),石蜡需时间460s,而石蜡/石墨复合相变储热材料需200s,比石蜡所需时间减少5615%.由图1的数据可见,由于石墨具有较高的导热系数,大大提高了石蜡/石墨复合相变储热材料在储/放热过程的传热性能,无论储热还是放热时间,都比石蜡明显减少.

2 实验系统的构建

本实验系统主要由温度自动测量系统、模拟运行系统及可调变压器组成.实验装置是以个人电脑的机箱作为主体框架,利用部分废弃的电子元器件改装而成,模拟其运行及散热情况.进行散热研究时,可通过可调变压器调整可控功率电热器的发热功率获得本实验研究内容所要求的条件.

温度自动测量系统主要仪器为Agilent 34970A 数据采集仪.实验过程中,利用Agilent 34970A 数据采集仪及其配套软件将热电偶的测量电压值直接转换成实际温度值,并自动记录到计算机上.

模拟运行系统主要包括散热器(60mm ×60mm ×30mm 的长方体)、储热器件(90mm ×60mm ×20mm 的长方体)和可控功率电热器及其运行系统.储热器件通过热管与可控功率电热器及其散热器连接,本实验采用两根同等规格的微热管,其直径为6mm ,长150mm ,热管一端约50mm 置于储热器的

中间位置,另一端置于散热器底部,与可控功率电热

器直接接触,中间段约50mm 进行保温.可控温元件与热管、散热器之间用导热硅脂粘合,以提高其间的结合度,改善换热情况.其结构如图2所示.

3

5 第7期尹辉斌等:基于快速热响应相变材料的电子器件散热技术

图2 模拟运行系统结构示意图

Fig.2 Sche matic diagra m of si m ulative syste m

1—可控功率电热器;2—微热管;3—储热器件;

4—散热器;5—PCB;6—机箱电源

3 实验方案

本实验过程主要分为两大部分.

(1)对比实验.测定在传统散热模式下,不同的发热功率条件及瞬时高发热功率条件下可控功率电热器及散热器的表面温度随时间的变化规律.为更好地比较分析复合相变储能材料对电子器件散热及抗高热负荷冲击的性能影响规律,实验过程中不启用强制冷却风扇.

(2)构建基于快速热响应储热材料的电子器件散热测试实验系统.按6#样品的含量制备出快速热响应复合相变材料,该材料相变潜热为18910kJ/kg,导热系数为416760W/(m?K),密度与石蜡相当.将此材料制作复合相变储热材料器件,应用于电子器件散热装置,给定不同的发热功率条件以及瞬时高发热功率条件,测定可控功率电热器及相变材料的温度随时间的变化规律.

4 实验结果及分析

对于电子系统,温度场分布是评价其散热性能优劣的主要指标.下文分别对可控功率电热器及相变材料的温度变化进行分析讨论,并引入表观传热系数作为衡量指标,以对比分析传统散热系统和储热材料散热实验系统的散热效果.

4.1 可控功率电热器的表面温度变化规律

实验对比传统散热系统以及基于快速热响应储热材料的散热实验系统,测定两者在不同的发热功率条件及瞬时高发热功率条件下温度随时间的变化规律.在系统运行达到稳定后,停止输入功率,测定其降温过程温度的变化规律.图3为在不同的输入电压(即不同的输入功率)下,

可控功率电热器的表

图3 不同输入电压下可控功率电热器表面温度变化曲线Fig.3 Temperature variati onal curves of contr ollable power electric component at different input voltages

面温度随时间的变化规律.从图中可见,每条温度变化曲线都分为两段,一段为启动运行过程的温度上升阶段,另一段为停止输入功率的温度下降阶段.

图4显示了在不同发热功率条件下可控功率电热器表面的温度变化规律.从图中可以看出,当发热功率在50W以下时,随着发热功率的增大,可控功率电热器的表面温度增长迅速,这是温度变化的主要区段;当发热功率在50~175W之间时,随着发热功率的进一步增大,可控功率电热器的表面温度变化缓慢,其温度变化曲线开始变得平缓;当发热功率在175W以上时,

可控功率电热器的表面温度已经

图4 不同发热功率下可控功率电热器表面温度变化规律Fig.4 Temperature variati onal disci p linarian of contr ollable power electric component at different power conditi ons

45华南理工大学学报(自然科学版)第35卷

没有太大的变化,趋于稳定值.从图中还可以看出,储热材料散热实验系统的温度变化曲线位于传统散热系统的温度变化曲线之下,在相同的发热功率下,储热材料散热实验系统可控功率电热器的表面温度较低,这说明了其散热效果要优于传统散热系统. 4.2 相变材料的温度变化规律

进行散热研究时,微型可控功率电热器产生的热量一部分通过与其接触的散热器散失,另一部分则通过微热管传递给储热材料,当相变材料的温度达到其相变温度时,储热材料吸收热量发生相变并将热量储存起来;低于相变材料的相变温度时,储热材料吸收热量又通过散热器散失掉.图5列出了在不同的发热功率条件下,相变材料内部的温度随时间的变化规律,曲线分为两段,第一段为系统启动运行过程相变材料温度的上升阶段,另一段为系统停止运行相变材料的温度下降阶段.如图中曲线4所示,当可控功率电热器的发热功率达到371时,储热材料的温度达到其相变温度,发热功率在3715W 以下时,储热材料未能发生相变,吸收微热管传递的热量,一部分通过散热器又散失到空气中.在蓄热阶段,相变过程在图线上表现不明显,其原因是材料具有较高的导热系数,由热源传递过来的热量被复合相变材料吸收后,一部分又很快被散失到环境中.通过对复合相变材料进行DSC分析,其相变温度为61℃左右,当输入功率提高到一定程度时,可以观察到材料的温度已经超过了相变温度点,表明此时相变已经发生.从图5中可以发现在温度值超过相变点的一段曲线斜率有一定程度的减小,能够反映出潜热在蓄热过程中的作用.在系统停止运行的降温阶段,温度达到相变温度的储热材料的降温曲线

会出现一个拐点,其温度值接近于其相变温度值

,

图5 复合相变材料的温度变化曲线

Fig.5 Te mperature variati onal curves of composite phase change material 如图中的曲线4~7所示,在降温起点至拐点区间,温度下降较快,曲线的斜率较大;经过此拐点值,降温速度开始变得缓慢,曲线更为平缓一些,其温度变化规律与储热材料的相变规律是吻合的.

4.3 表观传热系数的比较

在传统散热模式下,可控功率电热器产生的热量通过界面材料(导热硅脂)以热传导的方式传递到散热器,然后以空气自然对流的方式散失到环境中.在储热材料散热实验系统中,可控功率电热器产生的热量一部分通过与其接触的散热器散失,这与传统散热模式下的散热过程是相同的;另一部分则通过微热管传递给储热材料,当相变材料的温度达到其相变温度时,储热材料吸收热量发生相变并将热量储存起来;低于相变材料的相变温度时,储热材料吸收热量又通过散热器散失掉.为简单、直观地对比分析传统散热系统和储热材料散热实验系统的散热效果,本文引入表观传热系数(k)作为衡量的指标.

根据传热方程式

Φ=kAΔT(1)

表观传热系数可表示为

k=

Φ

AΔT

(2)以上式中Φ为热流量,忽略其他热损失,可近似取发热功率P作为热流量;A为散热面积;ΔT为传热温差,即可控功率电热器的表面温度与环境温度的差值.

图6显示了表观传热系数的变化规律.从图中可以看出,随着发热功率的增大,表观传热系数呈现先降后升的变化规律.表观传热系数是由导热系数、对流传热系数及接触热阻等几方面的因素共同决定的,同时在给定热流量的条件下,表观传热系数与传热温差ΔT相互影响、相互作用.在发热功率比较小的情况(1717~2817W)下,空气介质的自然对流强度不大,传导热阻和接触热阻是传热的主要阻力,可控功率电热器的表面温度上升迅速,传热温差ΔT 较大,在这一阶段,表观传热系数随发热功率的增大而减小;随着发热功率的进一步增大,空气介质的自然对流加强,对流传热系数增大,成为主导因素,表观传热系数呈上升变化趋势.从图中我们还可以看出,在不同的发热功率条件(1717~36519W)下,储热材料散热实验系统的表观传热系数是传统散热系统的1136~2198倍,其散热效果明显优于传统散热系统.

55

 第7期尹辉斌等:基于快速热响应相变材料的电子器件散热技术

图6 表观传热系数变化规律

Fig.6 Variati onal disci p linarian of apparent heat transfer coefficient

5 结论

根据电子元件散热技术领域对快速热响应相变储热材料的性能要求,以石蜡和膨胀石墨为材料,制备出高导热系数复合相变材料,并应用于电子器件散热装置,使得相同条件下其性能和抗高负荷冲击性能明显优于传统电子器件散热器.

(1)利用膨胀石墨良好的吸附性和导热性,以石蜡作为相变储能介质,制备出的相变储热复合材料在相变过程中不会发生泄漏现象,其导热系数可达到416760W/(m?K),相比于纯石蜡提高了一个数量级.在实验条件下,复合相变储热材料的储热时间和放热时间分别比纯石蜡缩短了7017%和5615%.

(2)将石蜡/膨胀石墨复合相变材料应用于电子器件散热装置,在不同的发热功率条件下,储热材料散热实验系统的表观传热系数是传统散热系统的1136~2198倍,其散热效果明显优于传统散热系统.可控功率电热器产生的一部分热量通过微热管传递给储热材料,当相变材料的温度达到其相变温度时,储热材料吸收热量发生相变并将热量储存起来,从而使得可控功率电热器的温升速率下降,在一定程度上可以达到提高电子器件抗高负荷热冲击能力的目的,保证电子电器设备运行的可靠性和稳定性.利用相变材料大的相变潜热和较为恒定的相变温度的特点,能实现电子器件散热的有效管理.

参考文献:

[1] 徐超,何雅玲,杨卫卫,等.现代电子器件冷却方法研

究动态[J].制冷与空调,2003,3(4):10217.

Xu Chao,He Ya2ling,Yang W ei2wei,et al.Modern re2

search about electr onics cooling method[J].Refrigerati on

and A ir2conditi oning,2003,3(4):10217.

[2] 胡志勇.当今电子设备冷却技术的发展趋势[J].电子

机械工程,1999(1):225.

Hu Zhi2yong.Devel opment trends of cooling technique f or

t oday’s electr onic equi pment[J].Electr onics Machinery

Engineering,1999(1):225.

[3] 于慈远,于湘珍,杨为民.电子设备热分析/热设计/热

测试技术初步研究[J].微电子学,2000,3(5):3342 337.

Yu Ci2yuan,Yu Xiang2zhen,YangW ei2m in.A p reli m inary

study on the techniques for ther mal analysis/design/test

of electr onic equi pments[J].M icr oelectr onics,2000,3

(5):3342337.

[4] 林怡辉,张正国,王世平.溶胶-凝胶法制备新型蓄能

复合材料的研究[J].华南理工大学学报:自然科学

版,2001,29(11):7210.

L in Yi2hui,Zhang Zheng2guo,W ang Shi2p ing.Preparati on

of ne w ther mal energy st orage co mposites material by s o12

gel method[J].Journal of S outh China University of Tech2

nol ogy:Natural Science Editi on,2001,29(11):7210. [5] Xavier Py,Regis O lives,Sylvain Mauran.Paraffin/por ous2

graphite2matrix composite as a high and constant power

ther mal st orage material[J].I nternati onal Journal of Heat

and Mass Transfer,2001,44:272722737.

[6] 张正国,王学泽,方晓明.石蜡/膨胀石墨复合相变材

料的结构与热性能[J].华南理工大学学报:自然科学

版,2006,34(3):125.

Zhang Zheng2guo,W ang Xue2ze,Fang Xiao2m ing.Struc2

ture and ther mal p r operties of composite paraffin/expand2

ed graphite phase2change material[J].Journal of South

China University of Technol ogy:Natural Science Editi on,

2006,34(3):125.

[7] Krishnan S,Gari m ella S V,Kang S S.A novel hybrid heat

sink using phase change materials f or transient ther mal

manage ment of electr onics[C]∥9th I nters ociety Confe2

rence on Ther mal and Ther momechanical Phenomena in

Electr onic Syste m https://www.360docs.net/doc/5b9306143.html,s Vegas:[s.n.],2004,1:3102 318.

[8] Krishnan S,Gari m ella S V.Analysis of a phase change

energy st orage system for pulsed power dissi pati on[J].

I EEE Transacti on on Components and Packaging Techno2

l ogies,2004,27(1):1912199.

[9] A la wadhi E M,Amon C H.PC M ther mal contr ol unit f or

portable electr onic devices:experi m ental and nu merical

studies[J].I EEE Transacti on on Components and Packa2

ging Technol ogies,2003,26(1):1162125.

(下转第104页)

p r operties of tetrafuncti onal epoxy resin t oughened with epoxidized s oybean oil[J].Materials Science and Engi2 neering A,2004,374(122):1092114.[12] Kaynak C,Cagatay O.Rubber t oughening of phenolic

resin by using nitrile rubber and a m ino silane[J].Poly2

mer Testing,2006,25(3):2962305.

Synthesis and Appli cati on of Phenoli c Resi n I nternally Toughened by Cha i n Extensi on Poly mer of Epoxi di zed Soybean O il

S itu Yue Hu J ian2feng Huang Hong Fu He2qing Zeng Han2w ei Chen Huan2qin (School of Che m ical and Energy Engineering,South China Univ.of Tech.,Guangzhou510640,Guangdong,China)

Abstract:I n this paper,first,a novel phenolic resin internally t oughened by epoxidized s oybean oil(ES O)with good t oughness and ther mal stability was p repared as the matrix resin of copper clad la m inate(CCL).Next,FT2I R was adop ted t o characterize the molecular structure of the modified phenolic resin and SE M was used t o observe the m icr o mor phol ogy of the resin intersecti ons with i m pact.Then,the p r operties of CCL s p repared with the modified phenolic resin were studied t o deter m ine the op ti m al p r ocessing conditi ons.Finally,the corres ponding t oughening mechanis m was investigated.It is de monstrated that the t oughening relies mainly on the triethanola m ine2catalyzed etherificati on reacti on bet w een phenol hydr oxyl and ES O and the chain extensi on poly merizati on bet w een ES O and multi2a m ine,which p resents l ong2chain ES O epoxy grafting on the phenolic resin p repoly mer.Moreover,it is f ound that the ES O2t oughened phenolic resin possesses op ti m al perfor mance at an ES O content of30%and a curing agent content of7%,and that the flexible ES O epoxy possessing significant t oughening effect can cr osslink with the phe2 nolic resin t o for m an internally t oughened net w ork f or i m p r oving the s olderleaching resistance of the CCL p repared with the modified phenolic resin.

Key words:phenolic resin;t oughness;epoxidized s oybean oil;copper clad la m inate;s olderleaching resistance; synthesis;app licati on

 (上接第56页)

[10] Lu T J.Ther mal manage ment of high power electr onics

with phase change cooling[J].I nternati onal Journal of

Heat and M ass Transfer,2000,43:224522256.

[11] Price D C.A revie w of selected ther mal manage ment s o2luti ons electr onics for m ilitary system s[J].I EEE Trans2 acti on on Components and Packaging Technol ogies, 2003,26(1):26239.

Cooli n g Technology of Electron i c Devi ce Based on Phase2Change Materi a l

with Rapi d Ther mal Response

Yin Hui2bin1 Gao X ue2nong1 D ing J ing2 Zhang Zheng2guo1

(1.Key Laborat ory of Enhanced Heat Transfer and Energy Conservati on of the M inistry of Educati on,South China Univ.of Tech., Guangzhou510640,Guangdong,China;2.School of Engineering,Sun Yat2Sen Univ.,Guangzhou510006,Guangdong,China)

Abstract:A kind of composite phase2change material(PC M)possessing rap id ther mal res ponse was p repared, with paraffin as the phase2change material and with por ous expanded graphite of high ther mal conductivity as the supporting material.The p r oduct with a ther mal conductivity up t o41676W/(m?K)was then app lied t o the heat sinks of electr onic devices.The results show that the apparent heat transfer coefficients of the PC M2based testing sys2 te m at different heating po wers are1136~2198ti m es that of the traditi onal cooling syste m,meaning that the PC M2 based testing syste m is of better cooling perf or mances and is capable of effectively i m p r oving the resistance t o high2 l oading heat shock.Thus,the operati on reliability and stability of electr onic devices can be effectively ensured.

Key words:phase2change material;ther mal p r operty;electr onic device;cooling

电子材料与元器件论文

CMOS图像传感器工作原理和应用 姓名: 学院: 班级: 组号: 日期:2014年12月9日

摘要 随着集成电路制造工艺技术的发展和集成电路设计水平的不断提高,基于CMOS集成电路工艺技术制造的CMOS图像传感器由于其集成度高、功耗低、体积小、工艺简单、成本低且开发周期较短等优势,目前在诸多领域得到了广泛的应用,特别是数码产品如数码相机、照相手机的图像传感器应用方面,市场前景广泛,因此对CMOS图像传感器的研究与开发有着非常高的市场价值。 本文首先介绍了CMOS图像传感器的发展历程和工作原理及应用现状。随后叙述了CMOS图像传感器的像元、结构及工作原理,着重说明了成像原理和图像信号的读取和处理过程,以及在数字摄像机,数码相机,彩信手机中的应用方式。 一、CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期,美国贝尔实验室提出固态成像器件概念: 互补金属氧化物半导体图像传感器CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor 电荷耦合器件图像传感器(CCD) CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步,固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感器: 由于受当时工艺水平的限制,图像质量差、分辨率低、噪声降不下来,因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感器: 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高,CMOS图像传感器过去存在的缺点,现在都可以找到办法克服,而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的,因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功, 80年代末,英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件, 1995年像元数为(128×128)的高性能CMOS 有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功。 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化。 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS,

电力电子器件产业发展蓝皮书

电力电子器件产业发展蓝皮书(2016-2020年) 中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟 中国IGBT技术创新与产业联盟 中国电器工业协会电力电子分会 北京电力电子学会 二零一七年

目录 一、发展电力电子器件产业的重要意义 (1) (一)电力电子技术的基本涵义 (1) (二)电力电子技术的重大作用 (1) (三)电力电子器件是电力电子技术的基础和核心 (3) (四)电力电子器件简介 (4) 二、电力电子器件产业发展状况及趋势 (9) (一)国际发展状况 (9) (二)国内发展状况 (12) 三、电力电子器件的市场分析及预测 (15) (一)国际市场分析 (15) (二)国内市场分析 (16) (三)市场预测 (17) 四、2016-2020年电力电子发展重点 (20) (一)关键材料 (22) (二)关键电力电子器件 (23) (三)关键设备 (25) (四)技术标准 (27) 五、展望 (29)

一、发展电力电子器件产业的重要意义 (一)电力电子技术的基本涵义 电力电子技术(Power Electronics,又称功率电子技术)是能源高效转换领域的核心技术,它以电力电子器件为基础,实现对电能高效地产生、传输、转换、存储和控制,提高能源利用效率、开发可再生能源,推动国民经济的可持续发展。电力电子技术包括电力电子器件、电力电子设备和系统控制三个方面,其转换功率范围小到数瓦(W),大到数百兆瓦(MW)甚至吉瓦(GW),其产业不仅涉及到电力电子器件、电力电子装置、系统控制及其在各个行业的应用等领域,还涉及到相关的半导体材料、电工材料、关键结构件、散热装置、生产设备、检测设备等产业。 (二)电力电子技术的重大作用 近年来,“节能减排”、“开发绿色新能源”已成为我国长期发展的基本国策。在我国绿色能源产业发展的推动下,电

【CN110099548A】一种电子器件散热装置与方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910359479.0 (22)申请日 2019.04.30 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 (72)发明人 魏进家 袁博 张永海  (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 代理人 安彦彦 (51)Int.Cl. H05K 7/20(2006.01) (54)发明名称一种电子器件散热装置与方法(57)摘要一种电子器件散热装置与方法,包括设置在流动通道内的电子器件,电子器件布置在流动通道的底面上;流动通道顶面上开设有第一出口与第二出口,与第一出口相连的第一管道上设置有第一电磁阀,与第二出口相连的第二管道上设置有第二电磁阀,流动通道底面上开设第一入口和第二入口,与第一入口相连的第三管道上设置有第三电磁阀;与第二入口相连的第四管道上设置有第四电磁阀。由一台PLC控制四枚电磁阀两两一组进行交替的开启与闭合,通过往复流动的液体对电子器件表面气泡的进行持续高效冲击,促使气泡脱离加热表面,并离开流道,显著提升了换热系数和临界热流密度,达到高热流密度条件 下电子器件散热的需求。权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 110099548 A 2019.08.06 C N 110099548 A

权 利 要 求 书1/1页CN 110099548 A 1.一种电子器件散热装置,其特征在于,包括设置在流动通道(5)内的电子器件,电子器件布置在流动通道(5)的底面上;流动通道(5)顶面上开设有第一出口与第二出口,与第一出口相连的第一管道(13)上设置有第一电磁阀(1),与第二出口相连的第二管道(14)上设置有第二电磁阀(2),流动通道(5)底面上开设第一入口和第二入口,与第一入口相连的第三管道(15)上设置有第三电磁阀(7);与第二入口相连的第四管道(16)上设置有第四电磁阀(11)。 2.根据权利要求1所述的一种电子器件散热装置,其特征在于,流动通道(5)的横截面为矩形。 3.根据权利要求1所述的一种电子器件散热装置,其特征在于,第一入口与第二入口之间的距离以及第一出口与第二出口之间的距离均大于电子器件的长度10mm。 4.根据权利要求1所述的一种电子器件散热装置,其特征在于,第一电磁阀(1)、第二电磁阀(2)、第三电磁阀(7)与第四电磁阀(11)均与可编程逻辑控制器相连。 5.根据权利要求1所述的一种电子器件散热装置,其特征在于,第三电磁阀(7)与第四电磁阀(11)的入口均与流量计(6)相连。 6.根据权利要求5所述的一种电子器件散热装置,其特征在于,流量计(6)与离心泵(12)相连。 7.根据权利要求1所述的一种电子器件散热装置,其特征在于,电子器件连接有直流电源(10)。 8.根据权利要求1所述的一种电子器件散热装置,其特征在于,当第一电磁阀(1)与第四电磁阀(11)开启时,第二电磁阀(2)与第三电磁阀(7)闭合;当第二电磁阀(2)与第三电磁阀(7)开启时,第一电磁阀(1)与第四电磁阀(11)闭合。 9.一种基于权利要求1-8中任意一项所述散热装置的散热方法,其特征在于,通过可编程逻辑控制器相连控制第一电磁阀(1)与第四电磁阀(11)开启,第二电磁阀(2)与第三电磁阀(7)闭合,流动通道(5)内液体从右向左流过电子器件表面,进行流动沸腾换热;在经过一个动作周期后,第二电磁阀(2)与第三电磁阀(7)开启,第一电磁阀(1)与第四电磁阀(11)闭合,液体反向,从左向右流过电子器件表面;如此反复切换电磁阀工作状态,实现液体的高频往复流动,从而实现对电子器件的散热。 10.一种根据权利要求(9)所述的散热方法,其特征在于,一个动作周期为50ms。 2

电子材料与器件习题解析汇报

5.6 最小电导率 a. 考虑半导体的电导率e h en ep σμμ=+。掺杂总是能提高电导率吗? b. 请说明:当Si 的p 型掺杂而使空穴浓度为下式所表示的值时,可以得到最小的电导率。 m p n = 与该式对应的最小电导率(最大电阻率)为 min 2en σ= c. 对Si 计算m p 和min σ,并与本征值进行比较。 解析: a. 半导体的电导率e h en ep σμμ=+,其中,n 和p 满足质量作用定律 2exp()g i c v E np n N N kT ==- ,在一定的温度下,np 为常数。 当掺杂增大电子浓度n 时,空穴浓度p 则会减小,反之亦然。在掺杂浓度一定时,由于e h μμ>,如果对半导体进行n 型掺杂,则n>p ,显然随着掺杂浓度的 p 型掺杂,则n

,因此,当Si 的p 后增大。对2i e h n e ep p σμμ=+求导得2' 2i e h n e e p σμμ=-+,令'0σ=得p n =

相应地2en σ=m p n =时,电导率最小,为 min 2en σ=。 c. 室温下,对于Si ,103i 1.010n cm -=?,2111350e cm V s μ--=??, 211450h cm V s μ--=??,带入m p n =和min 2en σ=得 1031031.710 1.010m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 2.510 2.910cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 若取103i 1.510n cm -=?,则有 1031032.610 1.510m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 3.710 4.310cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 5.13 砷化镓 Ga 具有的化合价是3,而As 具有的化合价是5。当Ga 和As 原子一起形成GsAs 单晶体时,如图5.54所示,一个Ga 的3个价电子与一个As 的5个价电子均共享,结果形成4个共价键。在具有大约23310cm -Ga 原子和As 原子(数量几乎相等)的GsAs 晶体中,无论是Ga 还是As ,每个原子平均具有4个价电子。因此我们可以认为:其价键的结合与Si 晶体中的相似,每个原子4个键。然而,它的晶体结构却不是金刚石结构,而是闪锌矿结构。 a. 对于每对Ga 和As 原子,以及在GaAs 晶体中,每个原子的平均价电子数是多少? b. 如果在GaAs 晶体中以Ⅵ族元素硒(Se )或碲(Te )代替As 原子,情况如何? c. 如果在GaAs 晶体中以Ⅱ族元素锌(Zn )或镉(Cd )代替Ga 原子,情况如何? d. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅(Si )代替As 原子,情况如何? e. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅(Si )代替Ga 原子,情况如何?两性掺杂表示什么? f. 基于以上对GaAs 的讨论,你认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs ,GaP ,InAs,InP 和InSb 的晶体结构是什么?

电力电子技术教案

第1、2课时课题: 电力电子技术绪论 教学目的和要求: 掌握电力电子技术等概念,了解电力电子技术的发展史以及电力电子技术的应用。重点与难点: 掌握电力电子技术等相关概念 教学方法: 图片展示,应用介绍,结论分析。 预复习任务: 复习前期学过的《电工技术基础》等课程的相关知识。 1什么是电力电子技术 电力电子与信息电子 信息电子技术——信息处理 电力电子技术——电力变换 电子技术一般即指信息电子技术,广义而言,也包括电力电子技术。 电力电子技术——使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,即应用于电力领域的电子技术。目前电力电子器件均用半导体制成,故也称电力半导体器件。电力电子技术变换的“电力”,可大到数百MW甚至GW,也可小到数W甚至1W以下。两大分支 电力电子器件制造技术 电力电子技术的基础,理论基础是半导体物理。

变流技术(电力电子器件应用技术) 用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制的技术,以及构成电力电子装置和电力电子系统的技术。 电力电子技术的核心,理论基础是电路理论。 电力变换四大类:交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流 直流交流 输 出 输入 交流整流交流电力控制、变频、变相 直流直流斩波逆变 与相关学科的关系 电力电子学名称60年代出现。 与电子学(信息电子学)的关系 都分为器件和应用两大分支。 器件的材料、工艺基本相同,采用微电子技术。 应用的理论基础、分析方法、分析软件也基本相同。 信息电子电路的器件可工作在开关状态,也可工作在放大状态;电力电子电路的器件一般只工作在开关状态。 二者同根同源。 与电力学(电气工程)的关系 电力电子技术广泛用于电气工程中 高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、电镀、电加热、高性能交直流电源

电子元器件行业现状

1、电子元器件行业现状 我国电子元件的产量已占全球的近39%以上。产量居世界第一的产品有:电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。 伴随我国电子信息产业规模的扩大,珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中,产业链较完整,具有相当的规模和配套能力。 我国电子材料和元器件产业存在一些主要问题:中低档产品过剩,高端产品主要依赖进口;缺乏核心技术,产品利润较低;企业规模较小,技术开发投入不足。 2、电子元器件行业发展趋势 技术发展趋势 新型元器件将继续向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。 市场需求分析 随着下一代互联网、新一代移动通信和数字电视的逐步商用,电子整机产业的升级换代将为电子材料和元器件产业的发展带来巨大的市场机遇。 我国“十一五”发展重点 我国《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》重点强调新型元器件、新型显示器件和电子材料作为主要分产业的发展目标。 注:上表所列信息与数据引自商务部网站、国研网、统计局网站 3、阿里巴巴关于“电子元器件”买家分布情况 在alibaba买家分布中,广东、浙江、江苏买家数占78%,其市场开发潜力巨大。 4、阿里巴巴电子元器件企业概况

目前通过阿里巴巴搜索“电子元器件”有43533310条产品供应信息,这些企业中有很多实现了从做网站、做推广、找买家,谈生意、成交等一站式的业务模式。当前有效求购“电子元器件”的信息已达到50536条(数据截止2008-10-23)。 阿里巴巴部分电子元器件行业企业 公司名称合作年限公司名称合作年限深圳市百拓科技有限公司 3 靖江市柯林电子器材厂 6 深圳赛格电子市场广发电子经营部 4 乐清市东博机电有限公司 6 镇江汉邦科技有限公司7 温州祥威阀门有限公司 6 无锡市国力机电工程安装有限公司 5 上海纳新工业设备有限公司 6 深圳市恒嘉乐科技有限公司 6 天津市天寅机电有限公司科技 开发分公司 6 厦门振泰成科技有限公司 6 常州市武进坂上继电器配件厂 6 5、同行成功经验分享 公司名:佛山市禅城区帝华电子五金制品厂——一个“很有想法”的诚信通老板主营产品:16型电位器;开关电位器;调光电位器;调速电位器;直滑式电位器等加入诚信通年限:第4年 佛山市禅城区帝华电子五金制品厂的董仁先生是一个“很有想法”的老板,虽然公司成立的时间不长,但是有很多经营理念。董先生是很健谈的人,据他介绍,帝华电子是以生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家,加入阿里巴巴诚信通已有两年时间。对于加入诚信通的目的,董先生的解释比较独特:“我们的产品属于电子设备及家用电器的元器件,和终端消费者没有直接的联系,就是把我们的产品扔两箱在大街上,扫大街的都没人要。而且我们的销售方式和普通厂家也不太一样,我们在国际国内都有销售办事处,同时还采用配套享受的形式。因此,我们加入诚信通并不是希望直接获得订单,而是想通过阿里巴巴的巨大知名度来提升我们公司的知名度,要让相关客户都知道中国有我们这样一个生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家。” 对于经营管理上的困难,董先生直言不讳:“当然,我们现在也遇到不少的困难,最困扰我的两个主要问题一是运输物流,二是生产。到现在我还没找到值得信赖和长期合作的物流公司,公司产品的运输经常得不到保证。现在阿里巴巴的网络交易渠道和交易方式已经很完善,我们也迫切希望阿里巴巴能提供物流服务。另一方面,最关键是生产上的问题,我们的生产往往赶不上订单的速度,这两个问题我正在努力解决中。” 对于公司今后的长远发展,“我们现在还属于生产元器件的厂家,随着公司的壮大,今后我们还将向半成品和终端消费品发展,我希望我们能形成终端消费品和相关的配套产业一条龙生产。”董先生显得踌躇满志。

电力电子器件的最新发展趋势

电力电子器件的最新发展趋势 现代的电力电子技术无论对改造传统工业(电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等),还是对新建高技术产业(航天、激光、通信、机器人等)至关重要,从而已迅速发展成为一门独立学科领域。它的应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,毫无疑问,它将成为本世纪乃至下世纪重要关键技术之一。近几年西方发达的国家,尽管总体经济的增长速度较慢,电力电子技术仍一直保持着每年百分之十几的高速增长。 从历史上看,每一代新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。以功率器件为核心的现代电力电子装置,在整台装置中通常不超过总价值的20%~30%,但是,它对提高装置的各项技术指标和技术性能,却起着十分重要的作用。 众所周知,一个理想的功率器件,应当具有下列理想的静态和动态特性:在截止状态时能承受高电压;在导通状态时,具有大电流和很低的压降;在开关转换时,具有短的开、关时间,能承受高的di/dt和dv/dt,以及具有全控功能。 自从50年代,硅晶闸管问世以后,20多年来,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈的努力,并已取得了使世人瞩目的成就。60年代后期,可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能,并使斩波工作频率扩展到1kHz以上。70年代中期,高功率晶体管和功率MOSFET问世,功率器件实现了场控功能,打开了高频应用的大门。80年代,绝缘栅门控双极型晶体管(IGBT) 问世,它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。它的迅速发展,又激励了人们对综合功率MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件- MOSFET门控晶闸管的研究。因此,当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的性能改进、MOS门控晶闸管以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。下面就近几年来上述功率器件的最新发展加以综述。 一、功率晶闸管的最新发展 1.超大功率晶闸管 晶闸管(SCR)自问世以来,其功率容量提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产8kV / 4kA的晶闸管。日本现在已投产8kV / 4kA和6kV / 6kA的光触发晶闸管(LTT)。美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。近十几年来,由于自关断器件的飞速发展,晶闸管的应用领域有所缩小,但是,由于它的高电压、大电流特性,它在HVDC、静止无功补偿(SVC)、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有十分重要的地位。预计在今后若干年内,晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。 现在,许多生产商可提供额定开关功率36MVA ( 6kV/ 6kA )用的高压大电流GTO。传统GTO的典型的关断增量仅为3~5。GTO关断期间的不均匀性引起的“挤流效应”使其在关断期间dv/dt必须限制在500~1kV/μs。为此,人们不得不使用体积大、昂贵的吸收电路。另外它的门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。但是,高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管,这些突出的优点仍使人们对GTO感到兴趣。到目前为止,在高压(VBR > 3.3kV )、大功率(0.5~20 MVA)牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。目前,GTO的最高研究水平为6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。为了满足电力系统对1GVA以上的三相逆变功

电子基础材料与关键元器件“十一五”专项规划

电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划 前言 电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分,处于电子信息产业链的前端,是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础,作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节,对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。 根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求,在深入调研、广泛论证的基础上,编制本规划,以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件,作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。 一、“十五”回顾 (一)产业规模进一步扩大 “十五”期间,我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度,产业规模进一步扩大(详见表1和表2),其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长,成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末,我国电子材料和元器件产业规模仅次于日本和美国,居全球第三位。 表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比 表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况

(二)部分产品产量居世界前列 经过“十五”的发展,我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国,产量占世界总产量的30%以上,部分产品产量居世界前列。其中,产量居全球首位的产品:电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列,成为全球重要的生产和出口基地(详见表3)。 表3 “十五”电子元件产品产量增长情况 (三)产品结构有所改善 “十五”期间,我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%,接近世界平均水平;新型显示器件产业取得突破,国内两条第5代TFT-LCD 生产线均实现量产,PDP的研发和产业化取得一定进展,彩管正在向纯平、高清晰度方向发展;多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%;锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列;大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。 (四)技术创新取得新进展 “十五”期间,国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈,大大降低了MLCC的成本;TFT-LCD 领域拥有了一定数量的核心专利,OLED技术研发取得重要进展;具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化;已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶,并掌握主要技术;SOI(绝缘层上的硅)技术研究水平基本与国外同步,6英寸注氧隔离(SIMOX)晶片已经批量生产。 尽管“十五”以来,我国电子材料和关键元器件取得长足进步,但总体看,行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出,高端元器件和关键电子材料主要依赖进口;整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成;国内骨干企业规模小、经济实力弱,自主创新能力不足;关税、投融资等政策环境亟待改善,低水平竞争、重复建设等问题仍较突出。 二、“十一五”面临的形势 (一)技术发展趋势 随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展,电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展,电子材料和元器件技术将发生深刻变化。 新型元器件将向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。微小型和片式化技术、无源集成技术、抗电磁干扰技术、低温共烧陶瓷技术、绿色化生产技术等已成为行业技术进步的重点。微电子机械系统(MEMS)和微组装技术的高速发展,将促进元器件功能和性能大幅提升。

散热器高效散热技术及应用研究阚宏伟

散热器高效散热技术及应用研究 摘要:随着电子技术的发展,使得电子器件的热流密度不断增加,这样势必对电子器有更高的散热要求,因此有效地解决散热问题已成为电子设备必须解决的关键技术。针对现代电子设备所面临的散热问题,就散热基本原理以及各种主流散热技术,包括自然对流散、强制风冷散热、液体冷却、热管、微槽道冷却、集成热路、热电致冷等常用的电子设备散热技术及某些前沿的研究现状、发展趋势及存在问题分别予以阐述。 关键词:热传递自然对流强制风冷热管散热热电制冷 引言:据统计,55%的电子设备失效是由温度过高引起的。可见,电子设备的主要故障形式为过热损坏,因此对电子设备进行有效的散热是提高产品可靠性的关键。电子设备的主要散热技术电子设备的高效散热问题与传热学(包括热传导、对流和热辐射)和流体力学(包括质量、动量和能量守恒三大定律)等原理的应用密切相关。 一:热传递主要有三种方式: 传导:物质本身或当物质与物质接触时,能量的传递就被称为热传导,这是最普遍的一种热传递方式,由能量较低的粒子和能量较高的粒子直接接触碰撞来传递能量。相对而言,热传导方式局限于固体和液体,因为气体的分子构成并不是很紧密,它们之间能量的传递被称为热扩散。 热传导的基本公式为“Q=K×A×ΔT/ΔL”。其中Q代表为热量,也就是热传导所产生或传导的热量;K为材料的热传导系数,热传导系数类似比热,但是又与比热有一些差别,热传导系数与比热成反比,热传导系数越高,其比热的数值也就越低。举例说明,纯铜的热传导系数为396.4,而其比热则为0.39;公式中A代表传热的面积(或是两物体的接触面积)、ΔT代表两端的温度差;ΔL则是两端的距离。因此,从公式我们就可以发现,热量传递的大小同热传导系数、热传热面积成正比,同距离成反比。热传递系数越高、热传递面积越大,传输的距离越短,那么热传导的能量就越高,也就越容易带走热量。 对流:对流指的是流体(气体或液体)与固体表面接触,造成流体从固体表面将热带走的热传递方式。 具体应用到实际来看,热对流又有两种不同的情况,即:自然对流和强制对流。自然对流指的是流体运动,成因是温度差,温度高的流体密度较低,因此质量轻,相对就会向上运动。相反地,温度低的流体,密度高,因此向下运动,这种热传递是因为流体受热之后,或者说存在温度差之后,产生了热传递的动力;强制对流则是流体受外在的强制驱动(如风扇带动的空气流动),驱动力向什么地方,流体就向什么地方运动,因此这种热对流更有效率和可指向性。

各种电力电子器件技术特点的比较及应用

《电力牵引交流传动及其控制系统》报告——各种电力电子器件技术特点的比较及其应用

电力电子器件及其应用装置已日益广泛,这与近30 多年来电力电子器件与电力电子技术的飞速发展和电力电子的重要作用密切相关。20 世纪80 年代以后,电力电子技术等)的飞速发展,给世界科学技术、经济、文化、军事等各方面带来了革命性的影响。电子技术包含两大部分:信息电子技术(包括:微电子、计算机、通信等)是实施信息传输、处理、存储和产生控制指令;电力电子技术是实施电能的传输、处理、存储和控制,保障电能安全、可靠、高效和经济地运行,将能源与信息高度地集成在一起。 事实表明,无论是电力、机械、矿冶、交通、石油、能源、化工、轻纺等传统产业,还是通信、激光、机器人、环保、原子能、航天等高技术产业,都迫切需要高质量、高效率的电能。而电力电子正是将各种一次能源高效率地变为人们所需的电能,实现节能环保和提高人民生活质量的重要手段,它已经成为弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造技术之间、传统产业实现自动化、智能化改造和兴建高科技产业之间不可缺少的重要桥梁。而新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。电力电子器件就好像现代电力电子装置的心脏,它对装置的总价值,尺寸、重量、动态性能,过载能力,耐用性及可靠性等,起着十分重要的作用。因此,新型电力电子器件及其相关新型半导体材料的研究,一直是电力电子领域极为活跃的主要课题之一。 一个理想的功率半导体器件,应当具有下列理想的静态和动态特性:在阻断状态,能承受高电压;在导通状态,能导通高的电流密度并具有低的导通压降;在开关状态和转换时,具有短的开、关时间,能承受高的d i/d t 和d u/d t,具有低的开关损耗;运行时具有全控功能和良好的温度特性。自20 世纪50 年代硅晶闸管问世以后,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈努力,并已取得了世人瞩目的成就。早期的大功率变流器,如牵引变流器,几乎都是基于晶闸管的。到了20 世纪80 年代中期,4.5kV 的可关断晶闸管得到广泛应用,并成为在接下来的10 年内大功率变流器的首选器件,一直到绝缘栅双极型晶体管的阻断电压达到 3.3kV 之后,这个局面才得到改变。与此同时,对GTO 技术的进一步改进导致了集成门极换流晶闸管的问世,它显示出比传统GTO 更加显著的优点。目前的GTO 开关频率大概为500Hz,由于开关性能的提高,IGCT 和功率IGBT 的开通和关断损耗都相对较低,因此可以工作在1~3kHz 的开关频率下。至2005 年,以晶闸管为代表的半控型器件已达到70MW/9000V 的水平,全控器件也发展到了非常高的水平。当前,硅基电力电子器件的水平基本上稳定在109~1010WHz 左右,已逼近了由于寄生二极管制约而能达到的硅材料极限,不难理解,更高电压、更好开关性能的电力电子器件的出现,使在大功率应用场合不必要采用很复杂的电路拓扑,这样就有效地降低了装置的故障率和成本。 1电力电子器件 电力电子器件又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。 电力电子器件目前的制约因素有耐压,电流容量,开关的速度。电力电子器件的分类多种多样。按照电力电子器件的开关控制能力,电力电子器件可分为三类:不可控器件、半控型器件、全控型器件。按照驱动电路加在电力电子器件控

电子基础材料和关键元器件十二五规划

子规划1: 电子基础材料和关键元器件“十二五”规划

目录 前言 (1) 一、“十一五”产业发展回顾 (1) (一)产业规模稳步增长 (1) (二)企业实力进一步增强 (2) (三)生产技术水平持续提升 (3) (四)清洁生产稳步推进,循环经济初步发展 (4) (五)产业发展仍存在突出问题 (4) 二、“十二五”期间产业发展面临的形势 (5) (一)产业面临良好发展机遇 (5) (二)技术创新孕育新的突破 (5) (三)外部环境变化对产业的挑战日趋严峻 (6) (四)产业面临转型升级的迫切需要 (6) 三、产业发展的指导思想和目标 (7) (一)指导思想 (7) (二)发展目标 (7) 1、经济指标 (7) 2、结构指标 (7) 3、创新指标 (8) 4、节能环保指标 (8) 四、主要任务和发展重点 (8) (一)主要任务 (8) 1、推动产业升级 (8) 2、加强科技创新 (9) 3、统筹规划产业布局 (9) 4、加强自主品牌建设 (9) 5、促进产业协同发展 (10)

6、积极参与国际合作 (10) (二)发展重点 (10) 1、电子材料 (10) 2、电子元件 (12) 3、电子器件 (13) 五、政策措施和建议 (14) (一)加强政府引导,完善产业政策 (14) (二)发挥财政资金作用,创造良好投融资环境 (14) (三)提升产业创新能力,推动产业升级 (15) (四)优化产业布局,统筹规划区域发展 (15) (五)加强行业管理,促进产业健康发展 (15) (六)重视人才培养,积极参与国际交流合作 (16)

前言 电子材料和元器件是电子信息产业的重要组成部分,处于电子信息产业链的前端,是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础,对于电子信息产业的技术创新和做大做强有着重要的支撑作用。 为全面科学地总结“十一五”的发展经验,明确“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业的发展方向,确保产业健康发展,根据《工业转型升级“十二五”规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”发展规划》,制定本规划。 本规划涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件,是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件,以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。 一、“十一五”产业发展回顾 (一)产业规模稳步增长 我国电子材料和元器件产业在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升,增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击,产业经历小幅调整,但总体发展稳定。2010年,在国内行业整体增长特别是新兴产业快速发展的带动下,行业恢复发展到历

贴片式功率器件的散热计

贴片式功率器件的散热计算 Heat Dispersion Calculation of Surface Mounted Power Device 北京航空航天大学方佩敏 自上世纪90年代开始,贴片式封装器件逐步替代了穿孔式封装器件。近年来,除少数大功率器件还采用穿孔式封装外,极大部分器件都采用贴片式(SMD)封装。由于贴片式功率器件封装尺寸小,不能采用加散热片的方法来散热,只能用印制板的敷铜层作为散热(一定的面积)。因此在贴片式功率器件的应用中需要在印制板(PCB)布局前,考虑所需的敷铜层散热面积。 本文介绍Micrel 公司推荐的一种简单计算方法,它可以根据选定的功率器件和使用的条件进行计算,并用查图表的方式得出所需的散热敷铜层的面积。由于实际情况较复杂,会影响到计算的正确性,比如使用印制板的厚度尺寸不同、敷铜层的厚度尺寸不同、印制板走线的宽度不同及机壳的容积大小和有无散热孔等,所以这种计算是一种粗略的估算。计算过程中,可以发现设定的使用条件是否合理,选择器件的封装尺寸大小是否能满足散热的需求。 两种过热保护 功率器件在工作过程中会产生热量使管芯的温度升高,在最大的功率输出时产生的热量最大,使管芯的温度升得最高。如果散热条件不佳,则管芯的结温超过150℃时,使器件损坏(一般称为“烧掉”)。如果散热条件良好,但使用过程中出现故障(如负载发生局部短路、线性稳压电源发生调整管短路等),则输出功率超过最大允许输出功率,会使功率器件损坏。功率器件设计者设计了两种过热保护措施:自动热调节和过热关闭保护,提高了器件的安全性及可靠性。 用户在设计PCB 散热面积时,要保证在正常最大输出功率时不出现自动热调节(自动减小输出功率)和热关闭(无输出)现象。只有在出现故障时才出现过热保护。 散热与热阻 功率器件在工作时,管芯的热量通过封装材料传导到管壳、经管壳传到敷铜板散热面,再由散热面传到环境空气中。这种热的传导过程中会有一定的热阻,如管芯传到管壳的热阻JC θ,管壳传到敷铜板的热阻CS θ,敷铜板散热面传到环境控制的热阻SA θ,这种热的传导(热的流向) 如图1所示,图中管芯的温度结温为J T 、环境空气的温度为A T 。温度由高的流向低的,从管芯到环境空气总的热阻JA θ与热传导过程的各热阻的关系为: SA CS JC JA θθθθ++=⑴ 各种热阻的单位是℃/W。热阻大,散热差。 管芯 环境 空气 J T A T JA θJC θCS θSA θ热的流向 图1

电子材料与元器件教学大纲

电子材料与元器件教学大 纲 Final approval draft on November 22, 2020

《电子材料与元器件》课程教学大纲 课程编号:010192 适用专业:应用电子技术专业 学时数:60(讲课:40,上机:20)学分数:4 执笔者:张恒审核人:编写日期: 建议教材与教学参考书:[1]《电子材料与元器件》电子工业出版社陈颖主编 一、课程的性质和目的: 《电子材料与元器件》是高等职业学校工业应用电子技术、自动化和机电一体化等专业的一门重要的专业必修课,是与实际生产相结合的基本课程,是电子类技术人才必须掌握的基础知识。本大纲根据高等职业学校机电类专业教学计划制订。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科,教学中必须坚持理论联系实际的原则,让学生有一定的动手练习机会。可按照相关的课程内容,相应的组织实验、模拟实习、焊接练习,以提高学生的理解深度和动手能力,从而提高学生对电子材料与元器件的处理问题的能力。 本课程的教学任务是:讲授常用电子材料以及各种常用电子元器件:电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形,命名和标识,检测和使用等方面的知识,把学生培养成为具有一定理论与实践相结合的高等职业技术人才。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科,教学中必须有时注意理论联系实际的原则,让学生有相应的动手练习机会。由于受课时量的限制,可按照相关的课程内容,组织相应的元器件识别、以提高学生的对电子元器件的识别能力、应用能力 二、教学目标和基本要求: 教学目标: 通过本课程的学习,把学生培养成为具有一定电子技术知识和操作能力,能够独立分析、解决有关材料和元器件问题的高等职业技术人才。 (一)理论方面: 本课程的教学任务是:使学生掌握常用电子材料以及各种常用电子元器件:电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形,命名和标识,检测和使用等方面的知识,为学习后续课程和今后的工作准备必要的基础知识,以及同时也

电子器件该怎么散热

电子器件该怎么散热 01 电子元器件都怎么散热 在电子元器件的高速发展过程中,它们的总功率密度不断增大,但尺寸却越来越较小,热流密度因而持续增加,这种高温环境势必会影响电子元器件的性能指标。对此,必须要加强对电子元器件的热控制。如何解决电子元器件的散热问题是现阶段的重点。本文章主要对电子元器件的散热方法进行了简单的分析。 电子元器件的高效散热问题,受到传热学以及流体力学的原理影响。电气器件的散热就是对电子设备运行温度进行控制,进而保障其工作的温度以及安全性,主要涉及到散热、材料等各个方面的不同内容。现阶段电子元器件散热主要有自然、强制、液体、制冷、疏导、热隔离等方式。 1、自然散热或冷却方式 自然散热或冷却方式就是在自然的状况之下,不接受任何外部辅助能量的影响,通过局部发热器件以周围环境散热的方式进行温度控制,其主要的方式就是导热、对流以及辐射集中方式,而主要应用的就是对流以及自然对流等方式。 自然散热或冷却方式主要就是应用在对温度控制要求较低的电子元器件、器件发热的热流密度相对较低的低功耗器材以及部件之中。在密封以及密

集性组装的器件中,如果无需应用其他冷却技术,也可以应用此种方式。在一些时候,对于散热能力要求相对较低的情况,也可以利用电子器件自身的特征,适当增加其与临近的热沉导热或者辐射影响,并在通过优化结构优化自然对流,进而增强系统的散热能力。 2、强制散热或冷却方式 强制散热或冷却方式就是通过风扇等方式加快电子元器件周边的空气流动,从而带走热量的一种方式。此种方式较为简单便捷,应用效果显著。在电子元器件中,如果其空间较大使空气更易流动,或者安装一些散热设施,就可以应用此种方式。在实践中,提升此种对流传热能力的主要方式具体如下:要适当增加散热的总面积、要在散热表面产生相对较大的对流传热系数。 在实践中,增大散热器表面散热面积的方式应用较为广泛。在工程中主要就是通过翅片的方式拓展散热器的表面面积,进而强化传热效果。而翅片散热方式可以分为不同的形式,包括在一些热耗电子器件的表面应用的换热器件,以及空气中应用的换热器件。应用此种模式可以减少热沉热阻,也可以提升其散热的效果。而对于一些功率相对较大的电子器件,则可以应用航空中的扰流方式进行处理,通过对散热器中增加扰流片,在散热器的表面流场中引入扰流,则可以提升换热的效果。

电子器件散热技术现状及进展

电子器件散热技术现状及进展 随着电子及通讯技术的迅速发展,高性能芯片和集成电路的使用越来越广泛。电子器件芯片的功率不断增大,而体积却逐渐缩小,并且大多数电子芯片 的待机发热量低而运行时发热量大,瞬间温升快。高温会对电子器件的性能产 生有害的影响,据统计电子设备的失效有55 %是温度超过规定值引起的,电子器件散热技术越来越成为电子设备开发、研制中非常关键的技术。电子器件散 热的目的是对电子设备的运行温度进行控制(或称热控制),以保证其工作的稳 定性和可靠性,这其中涉及了与传热有关的散热或冷却方式、材料等多方面内容,目前主要有空气冷却技术和液体冷却技术两大类。 1 空气冷却技术 空气冷却技术是目前应用最广泛的电子冷却技术,包括自然对流空气冷却技 术和强制对流空气冷却技术。自然对流空气冷却技术主要应用于体积发热功率 较小的电子器件,利用设备中各个元器件的空隙以及机壳的热传导、对流和辐 射来达到冷却目的。 自然对流依赖于流体的密度变化,所要求的驱动力不大,因此在流动路径中 容易受到障碍和阻力的影响而降低流体的流量和冷却速率。对于体积发热功率 较大的电子器件,如单一器件功耗达到7 W(15~25 W-cm-2),板级(印制电路板) 功耗超过300 W(2~3W-cm-2)时,一般则采用强制对流空气冷却技术。强制散热或冷却方法主要是借助于风扇等设备强迫电子器件周边的空气流动,从而将 器件散发出的热量带走,这是一种操作简便、收效明显的散热方法。提高这种 强迫对流传热能力的方法主要有增大散热面积(散热片)以及提高散热表面的强 迫对流传热系数(紊流器、喷射冲击、静电作用)。对一些较大功率的电子器件,可以根据航空技术中的扰流方法,通过在现有型材散热器中增加小片扰流片,

常用电子元器件介绍

常用电子元器件介绍 电子元件知识——电阻器 电阻:导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R 表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻) ①主称②材料③分类④序号 电阻器的分类: ①线绕电阻器 ②薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器 ③实心电阻器 ④敏感电阻器:压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 ※电阻器阻值标示方法: 1、直标法:用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值,其允许误差直接用百分数表示,若电阻上未注偏差,则均为±20% 。 2、文字符号法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称 阻值,其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符

号文字符号:DFGJKM 允许偏差分别为: ±0.5%±1%±2%±5%±10%±20% 3、数码法:在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到 右,第一、二位为有效值,第三位为指数,即零的个数,单位为欧。偏差通 常采用文字符号表示。 4、色标法:用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。 国外电阻大部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4 、绿-5 、蓝-6 、紫-7、灰-8、白-9、金- ±5%、银- ±10% 、无色-±20% 当电阻为四环时,最后一环必为金色或银色,前两位为有效数字,第三位为乘方数,第四位为偏差。 当电阻为五环时,最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字,第四位为乘方数,第五位为偏差

相关文档
最新文档