芯片原理——芯片设计芯片制造

芯片原理——芯片设计芯片制造
芯片原理——芯片设计芯片制造

芯片原理芯片——设计芯片制造

1. 芯片为什么要采用CMOS:

CMOS,C:是互补的意思complementary,是指采用NMOS和PMOS管形成一个组合实现一个开关功能。也就是最小单元由至少两个MOS管组成。

MO:是金属氧化物的意思,是指MOS管的G极的材质是金属氧化物的

上图中,如果采用图A所示,则有Ic这个电流,如果R很大,那么V o的驱动能力就很弱,会造成芯片的反应速度很慢,如果R很小,则在MOS管开通时,电流Ic非常大,因此,这样的电路是没法应用于芯片的,经初步计算,如果采用图A所示的电路,要达到一定的处理速度,那么其功耗是100kW级别的,而采用图B的互补型(N和P型对称布置),则Vi高电平时上管关闭,下管开启,低电平时则相反,这样就不存在电流,那么为什么芯片还是有很大的功耗呢,这就是MOS管的结电容引起的,因为G极就是一个电容效应。充放电虽然对于一个MOS管来说是很小的功耗,但是芯片的晶体管数量非常多,如一个CMOS 开关为1uW,那么1000万个呢就是100W。

芯片的功耗基本可以这样理解:P = N * C* f * V2

N:晶体管个数,C:MOS管及其他引起的电容,f为频率、V为电压

当频率很高时,为了降低功耗,现在芯片的工作电压一直在降低,如从3V降低到1V,那么功耗降低了9倍,如果通过改善晶体管结构和线路结构,能减少电容C,那么也可以降低芯片功耗。

注意:我们在设计单片机电路时,经常性地采用如图A所示的下拉(或上拉)电阻形式,一般我们的被驱动电路的功耗是比较大的,因此经常会忽略该电路引起的功耗问题。

2. 芯片制作

芯片就如多层电路板,最低层为晶体管,然后往上几层就是连线(罗辑)。

切开一个晶片的小块,其中上层的导线连接就如这样,就如多层电路板,是一个三维连接体,导线之间会引起电容和信号干扰,而弯弯曲曲的导线,也会引起电感。

第一步:制作晶圆。

晶圆现在一般为8寸、12寸、20寸等。

晶圆本身进行参杂,形成P型,或N型衬底。也就是基板。

晶圆的制作过程,在网上有很多视频。

第二步:在晶圆上进行杂质注射,这里就需要模板。

模板中的孔,就是要变成PNP型MOS管的位置,这是在芯片设计时就已经决定了的,由芯片的晶体管的布局决定。

第三步,再在已经布局好的P和N基底上,注入杂质,形成N和P型半导体,这就是MOS 管的S(源)极和D(漏)极形成的过程。

要分两步:第一步注入N型杂质,然后换模板注入P型杂质。

第四步、实现逻辑、就是门电路的互联:

芯片制作时,会在原来的晶片的基础上,经过蚀刻去除一些部分,留下一些部分来制作P、N半导体,然后在在其上不断地增加层,每层都如电路板的一个层一样。如首先增加G极的绝缘层,就如上图,可以通过物理的或化学的方法,使每层都非常薄。一般越到上层,电流越大,是模块之间的连接,因此蚀刻的模板的孔也越大。

芯片设计时:

首先是系统设计、逻辑设计(VDHL),那就是类似软件开发一样。

然后经过专门的软件进行逻辑仿真,这种软件相对来说便宜些。

逻辑没有问题时,将设计转换成门电路图。

(元胞:就是最小的可以作为一个整体被直接使用(就如软件开发的一个函数调用)的最小单元。一般芯片设计软件有很多成熟的库,而这也与具体的生产工艺有关,设计人员可以自己设计,就如PCB可以自己设计元件库)

然后把门电路图转换成实际的晶体管布局图,这个过程要相当的经验了,这涉及到布局的合理性、电气性能。关系到最终的产品的稳定性。这个过程是有软件辅助设计的,类似PCB 板的设计,元件定位、布线。

然后就是输出版图,这个一般要专业的工具了,版图是直接可以给芯片加工厂生产的图纸,就如PCB的布线图、焊盘图等,这样的工具非常贵,一般个人是买不起的从原理图到版图,这中间经过很多次的翻译,也就如软件编译一样,只是芯片的编译没软件那么规范,涉及的问题更加多些。

对于一些小型的芯片,特别是量非常大的芯片,则芯片的布局图一般都采用手工进行,做到最优化。

芯片设计并不如我们想想的那么神秘,虽然很难,但是原理并没有什么高深的理论。只是设计的工具和生产工具很难获得,因而能有机会进行芯片核心部分设计的人也很少,芯片设计人员的经验就变得非常珍贵。

N年以后,或许你自己就可以在家里弄个设计平台,然后弄套设备进行芯片生产。一切只要技术和工艺成熟时。

3. 芯片的绝缘填充材料为二氧化硅,由于二氧化硅的介电常数高,因此形成的电容也大,目前采用碳化硅后,电性能就好很多。

4. 在芯片上制作电阻有很多方式,直接进行参杂来形成电阻的,或直接注入电阻材料或金属。电阻可以做到很高阻值,因此芯片的外接电阻比较少,因为一般在内部就可以实现。但是芯片内制作大电容就不可能,即使是薄膜电容,虽然绝缘层可以做得非常薄,但是面积是非常有限的,稍微大一点的一般需要多层电路连接形成电容。电感一般可以通过弯曲的导线实现,但是也不可能做得很大,第一是空间问题,第二是干扰问题。而在芯片内部,如果只是布尔运算,一般不需要很大的电容电感的,电容电感仅做改善电路性能的用途,但是对于模拟芯片,则由于要进行信号处理,电容、电感是自然就很多了。

但是要用到稍微大点的电容、电感一般就需要外部电路协作,即使是电阻,芯片内部做的功率一般非常小,因此在模拟芯片中,与功率有关的部分,必然要引用外部电路进行调节。在芯片内部的电子元件极易受到芯片温度影响,因此对于高精度要求的电路,其芯片的外围元件也必然会多,而且其精度也要求高。

5. 在芯片内部的元件:MOS管、双极型三极管、电阻、电容、电感。

芯片设计和生产流程

芯片设计和生产流程 大家都是电子行业的人,对芯片,对各种封装都了解不少,但是你 知道一个芯片是怎样设计出来的么?你又知道设计出来的芯片是 怎么生产出来的么?看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的IC芯片(这些会在后面介绍)。然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对IC设计做介绍。 在IC生产流程中,IC多由专业IC设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel等知名大厂,都自行设计各自的IC芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计,所以IC设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值。然而,工程师们在设计一颗IC芯片时,究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。

设计第一步,订定目标 在IC设计中,最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前,先决定要几间房间、浴室,有什么建筑法规需要遵守,在确定好所有的功能之后在进行设计,这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤,才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何,对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合,像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範, 不然,这芯片将无法和市面上的产品相容,使它无法和其他设备连线。最后则是

确立这颗IC的实作方法,将不同功能分配成不同的单元,并确立不同单元间连结的方法,如此便完成规格的制定。 设计完规格后,接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画,将整体轮廓描绘出来,方便后续制图。在IC芯片中,便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等,藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改,直到它满足期望的功能为止。 ▲32bits加法器的Verilog范例。 有了电脑,事情都变得容易 有了完整规画后,接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中,逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code,放入电子设计自动化工具(EDA tool),让电脑将HDL code转换成逻辑电路,产生如下的电路图。之后,反

集成电路制造技术-原理与工艺 课后习题答案

第一单元: 3.比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂,受杂质分凝、杂质蒸发,以及坩埚污染影响大,因此,直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。 MCZ磁控直拉法,在CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅的流动因切割磁力线而产生洛仑兹力,这相当于增强了熔体的粘性,熔体对流受阻。能生长无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。 FZ悬浮区熔法,多晶与单晶均由夹具夹着,由高频加热器产生一悬浮的溶区,多晶硅连续通过熔区熔融,在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。与直拉法相比,去掉了坩埚,没有坩埚的污染,因此能生长出无氧的,纯度更高的单晶硅棒。 6.硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离[100]或[111]等晶向一个小角度,为什么? 答:在外延生长过程中,外延气体进入反应器,气体中的反应剂气相输运到衬底,在高温衬底上发生化学反应,生成的外延物质沿着衬底晶向规则地排列,生长出外延层。 气相外延是由外延气体的气相质量传递和表面外延两个过程完成的。表面外延过程实质上包含了吸附、分解、迁移、解吸这几个环节,表面过程表明外延生长是横向进行的,是在衬底台阶的结点位置发生的。因此,在将硅锭切片制备外延衬底时,一般硅片都应偏离主晶面一个小角度。目的是为了得到原子层台阶和结点位置,以利于表面外延生长。 7. 外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响? 答:杂质掺杂效率不仅依赖于外延温度、生长速率、气流中掺杂剂的摩尔分数、反应室的几何形状等因素,还依赖于掺杂剂自身的特性。另外,影响掺杂效率的因素还有衬底的取向和外延层结晶质量。硅的气相外延工艺中,在外延过程中,衬底和外延层之间存在杂质交换现象,即会出现杂质的再分布现象,主要有自掺杂效应和互扩散效应两种现象引起。

芯片是什么 芯片的工作原理 芯片基础知识介绍

芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍 芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍一、芯片基础知识介绍我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对'强电'、'弱电'等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的'核心技术'主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,'砖瓦'还很贵.一般来说,'芯片'成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。集成电路(IC)常用基本概念有:晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC 就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为

前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。存储器:专门用于保存数据信息的IC。逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。二、电脑芯片的工作原理是什么?是怎样制作的?芯片简单的工作原理:芯片是一种集成电路,由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模,大到几亿;小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态,开和关,用1、0 来表示。多个晶体管产生的多个1与0的信号,这些信号被设定成特定的功能(即指令和数据),来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后,首先产生一个启动指令,来启动芯片,以后就不断接受新指令和数据,来完成功能。最复杂的芯片(如:CPU芯片、显卡芯片等)生产过程:1.将高纯的硅晶圆,切成薄片;2.在每一个切片表面生成一层二氧化硅;3.在二氧化硅层上覆盖一个感光层,进行光刻蚀; 4.添加另一层二氧化硅,然后光刻一次,如此添加多层; 5.整片的晶圆被切割成一个个独立的芯片单元,进行封装。一个是电源灯(绿色),一个是硬盘灯(红色),你的电脑开机,

建筑设计基本原理思考题

《建筑设计原理》练习题 1:建筑 答:建筑是为了满足人类社会活动的需要,利用物质技术条件,按科学法则和审美要求,并通过对空间的塑造,组织与完善所形成的人为物质环境。建筑可包括建筑物和构筑物两类。2:早在公元前1世纪,古罗马建筑师(维特鲁威)就在其论著《建筑十书》中表明,(实用)(坚固)(美观)为构成建筑的三大要素,而这三要素又通过(建筑功能)(建筑技术)(建筑艺术)。 3:建筑功能 答:建筑功能主要是指建筑的用途和使用需求,而随着社会的生产和发展,将产生出有不同功能要求的建筑类型,不同的建筑类型又有着不同的建筑特点,与不同的使用要求。 4:建筑技术包括(材料)(结构)(设备)(施工技术)等 5:建筑艺术包括(建筑群体)(单体)(建筑内部)(外部的空间组合)(造型设计)以及(西部的材质)(色彩)等方面给予体现 6:(建筑功能)是目的,建筑技术是手段,而(建筑艺术)则是前两者对审美要求的综合表现 7:建筑设计原则可分为两部分1(建筑方针政策)2(基本原则)早在1953年我国就制定了(适用)(经济)(可能条件下注意美观)的建筑方针,1986年由建设部制定并颁布《中国建筑技术政策》明确指出:(建筑业的主要任务是全面贯彻适用、安全、经济、美观的方针) 8:建筑设计必须遵循的基本原则? 1坚持贯彻国家的方针政策,遵守有关法律、规范、条例、 2结合地形与环境,满足城市规划要求,满足城市规划要求 3结合建筑功能,创造良好环境,满足使用要求 4充分考虑防水,防震、防空、防洪要求,保障人民生命财产安全 5保障使用要求的同时,创造良好的建筑形象,满足人们审美要求 6考虑经济条件,创造良好的经济效益社会效益环境效益和节能减排 7结合施工技术为施工创造有利条件促进建筑工业化 9建筑物的分类(居住建筑)(公共建筑)(工业建筑)(农业建筑)等 10按照主体建筑结构的耐久年限分级:一级(100)年以上,适用于(重要建筑)和(高层建筑)二级(50-100)年适用于(一般建筑)三级(25-50)年适用于(次要建筑) 四级(15)年以下,适用于(临时建筑) 11建筑设计的依据主要有人体尺度和人体活动所需的空间尺度,自然条件和环境条件,技术要求 12建筑设计工作通常包括(建筑设计)(结构设计)(设备设计) 13建筑设计包括? 建筑设计包括外空间的组合,环境与造型设计以及细部的构造做法的技术设计,建筑设计的房屋设计的龙头,并与建筑结构和建筑设备相协调 14结构设计包括? 包括结构选型,结构计算、结构布置与构件设计,保证建筑物的绝对安全 15设备设计包括? 包括给水,排水、供热、通风电气、燃气等,他是保证房屋正常使用及改善物理环境的重要设计

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷(120分钟)一张A4纸开卷教师:邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释:(7分) 答:Moore law:芯片上所集成的晶体管的数目,每隔18个月翻一番。 特征尺寸:集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless:IC 设计公司,只设计不生产。 SOI:绝缘体上硅。 RTA:快速热退火。 微电子:微型电子电路。 IDM:集成器件制造商。 Chipless:既不生产也不设计芯片,设计IP内核,授权给半导体公司使用。 LOCOS:局部氧化工艺。 STI:浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少,是何家企业生产?请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术(与亚微米工艺相比)?(7分) 答:国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有:铜互联;Low-K材料;金属栅;High-K材料;应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺,为什么?(7分) 答:集成电路制造工艺中,主要有局部氧化工艺-LOCOS;浅槽隔离技术-STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是:STI。STI与LOCOS工艺相比,具有以下优点:更有效的器件隔离;显著减小器件表面积;超强的闩锁保护能力;对沟道无 侵蚀;与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生?(7分) 答:如果没有LDD形成,在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

芯片内部原理及应用

555定时电路内部结构分析及应用 1 绪言 555定时器是电子工程领域中广泛使用的一种中规模集成电路,它将模拟与逻辑功能巧妙地组合在一起,具有结构简单、使用电压范围宽、工作速度快、定时精度高、驱动能力强等优点。555定时器配以外部元件,可以构成多种实际应用电路。广泛应用于产生多种波形的脉冲振荡器、检测电路、自动控制电路、家用电器以及通信产品等电子设备中。 2555定时器功能及结构分析 2.1 555定时器的分类及管脚作用 555定时器又称时基电路。555定时器按照内部元件分有双极型(又称TTL 型)和单极型两种。双极型内部采用的是晶体管;单极型内部采用的则是场效应管,常见的555时基集成电路为塑料双列直插式封装(见图2-1),正面印有555字样,左下角为脚①,管脚号按逆时针方向排列。 2-1 555时基集成电路各管脚排布 555时基集成电路各管脚的作用:脚①是公共地端为负极;脚②为低触发端TR,低于1/3电源电压以下时即导通;脚③是输出端V,电流可达2000mA; 脚④是强制复位端MR,不用可与电源正极相连或悬空;脚⑤是用来调节比较器的基准电压,简称控制端VC,不用时可悬空,或通过0.01μF电容器接地;脚⑥为高触发端TH,也称阈值端,高于2/3电源电压发上时即截止;脚⑦是放电端DIS;脚⑧是电源正极VC。 2.2 555定时器的电路组成 图2-2为555芯片的内部等效电路 2-2 555定时器电路组成 5G555定时器内部电路如图所示,一般由分压器、比较器、触发器和开关。及输出等四部分组成,这里我们主要介绍RS触发器和电压比较器。 2.2.1基本RS触发器原理

如图2-3是由两个“与非”门构成的基本R-S触发器, RD、SD是两个输入端,Q及是两个输出端。 2-3 RS触发器 正常工作时,触发器的Q和应保持相反,因而触发器具有两个稳定状态: 1)Q=1,=0。通常将Q端作为触发器的状态。若Q端处于高电平,就说触发器是1状态; 2)Q=0,=1。Q端处于低电平,就说触发器是0状态;Q端称为触发器的原端或1端,端称为触发器的非端或0端。 由图可看出,如果Q端的初始状态设为1,RD、SD端都作用于高电平(逻辑1),则一定为0。如果RD、SD状态不变,则Q及的状态也不会改变。这是一个稳定状态;同理,若触发器的初始状态Q为0而为1,在RD、SD为1的情况下这种状态也不会改变。这又是一个稳定状态。可见,它具有两个稳定状态。 输入与输出之间的逻辑关系可以用真值表来描述。 首先对该RS触发器Q端状态仿真。如图2-4 2-4 RS触发器Q端仿真电路图 Q端状态变化规律如图2-5 2-5 Q端状态变化规律仿真 此图中A即SD,B即RD.,再对该R—S触发器Q非端状态仿真,如图2-6 2-6 RS触发器Q非端仿真图 Q非端状态变化规律如图2-7 2-7 Q非端状态变化规律 此图中A即SD,B即RD. R-S触发器的逻辑功能,可以用输入、输出之间的逻辑关系构成一个真值表(或叫功能表)来描述,由仿真可得以下结论。当RD =0,SD=1时,不论触发器的初始状态如何,一定为1,由于“与非”门的输入全是1,Q端应为0。称触发器为0状态,RD为置0端。当RD =1,SD=0时,不论触发器的初始状态如何,Q 一定为1,从而使为0。称触发器为1状态,SD置1端。当RD =1,SD =1时,

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅,加入少量的电活性“掺杂剂”,如砷、硼、磷或锑,一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后,用一根长晶线缆作为籽晶,插入到融化的多晶硅中直至底部。然后,旋转线缆并慢慢拉出,最后,再将其冷却结晶,就形成圆柱状的单晶硅晶棒,即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺,直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后,即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片,将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后,对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗,将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形,去除粗糙的划痕和杂质,就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后,还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放,并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中,外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成,是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。

教你怎么检查电路原理图

教你怎么检查电路原理图 最近一直在做嵌入式系统,画原理图。最后,为了保证原理图准确无误,检查原理图花费我近两周的时间,在此,把我在检查原理图方面的心得体会总结在此,供大家参考,说得不对的地方欢迎大家指出。 往往我们画完电路原理图后,也知道要检查检查,但从哪些地方入手检查呢?检查原理图需要注意哪些地方呢?下面听我根据我的经验一一道来。 1. 检查所有的芯片封装图引脚是否有误 当然,我指的是自己画的芯片封装。我在项目中曾经把一个芯片的2个引脚画反了,导致最后制版出来后不得不跳线,这样就很难看了。 所以,检查与原理图前一定要从芯片的封装入手,坚决把错误的封装扼杀在摇篮中! 2. 使用protel的Tools->ERC电气规则检查,根据其生成的文件来排错 这个指的是protel99的ERC电气规则检查,DXP应该也会有相应的菜单可以完成这样一个检查。很有用,它可以帮你查找出很多错误,根据它生成的错误文件,对照着错误文件检查一下你的原理图,你应该会惊叹:“我这么仔细地画图,竟然还会有这么多错误啊?” 3. 检测所有的网络节点net是否都连接正确(重点) 一般容易出现的错误有: (1) 本来两个net是应该相连接的,却不小心标得不一致,例如我曾经把主芯片的DDR时钟脚标的是DDR_CLK,而把DDR芯片对应的时钟脚标成了DDRCLK,由于名字不一致,其实这两个脚是没有连接在一起的。 (2) 有的net只标出了一个,该net的另一端在什么地方却忘记标出。 (3) 同一个net标号有多个地方重复使用,导致它们全部连接到了一起。 4. 检测各个芯片功能引脚是否都连接正确,检测所有的芯片是否有遗漏引脚,不连接的划X 芯片的功能引脚一定不要连错,例如我使用的音频处理芯片有LCLK、BCLK、MCLK三个时钟引脚,与主芯片的三个音频时钟引脚一定要一一对应,连反一个就不能工作了。 是否有遗漏引脚其实很容易排查,仔细观察各个芯片,看是否有没有遗漏没有连接出去的引脚,查查datasheet,看看该引脚什么功能,如果系统中不需要,就使用X把该引脚X掉。

第二章 结设计基本原理

第二章结构设计基本原理 本章的意义和内容:本章主要介绍结构上的作用、作用效应、结构抗力,结构的功能 要求、结构功能的极限状态,以及可靠度、可靠指标的概念,同时还介绍了荷载的分类和取 值方法,最后给出了概率极限状态设计实用表达式,对结构设计的基本原理做了一定阐述, 对初学者有非常重要的指导意义,本章内容是后续各章学习的基础。 概念题 (一)填空题 1、结构的可靠性包括、、。 2、建筑结构的极限状态有和。 3、结构上的作用按其随时间的变异可分为、、。 4、永久荷载的分項系数是这样取的:当其效应对结构不利时,由可变荷载控制的效应组合 取,由永久荷载控制的效应组合取;对结构有利时,一般取,对结 构的倾覆、滑移或漂流验算可以取 。 5、结构上的作用是指施加在结构上的或,以及引起结构外加变形或约 束变形的原因。 6、极限状态是区分结构与的界限。 7、结构能完成预定功能的概率称为,不能完成预定功能的概率称为, 两者相加的总和为。 8、我国《建筑结构可靠度设计统一标准》规定,对于一般工业与民用建筑构件,在延性破 坏时可靠度指标β取,脆性破坏时β取。 (二)选择题 1、若用S表示结构或构件截面上的荷载效应,用R表示结构或构件截面的抗力,结构 或构件截面处于极限状态时,对应于式。 a、 R>S b、 R=S c、 R<S d、 R≤S 2、设计基准期是为确定可变荷载及与时间有关的材料性能取值而选用的时间参数,《统 一标准》所考虑的荷载统计参数,都是按设计基准期为[ ]年确定的。 a、 25 b、 50 c、 100 d、 75 3、下列[ ]状态应按正常使用极限状态验算。 a、结构作为刚体失去平衡 b、影响耐久性能的局部损坏 c、因过度的塑性变形而不适于继续承载 d、构件失去稳定 4、荷载代表值有荷载的标准值、组合值、频遇值和准永久值,其中[ ]为荷载的基本代表值。 a、组合值 b、准永久值 c、频遇值 d、标准值 5、对所有钢筋混凝土结构构件都应进行[ ]。 a、抗裂度验算 b、裂缝宽度验算 c 、变形验算 d、承载能力计算 6、下列[ ]项属于超出正常使用极限状态。

集成电路制造工艺原理

《集成电路制造工艺原理》 课程教学 教案 山东大学信息科学与工程学院 电子科学与技术教研室(微电) 张新

课程总体介绍: 1.课程性质及开课时间:本课程为电子科学与技术专业(微电子技术方向和光电子技术方向)的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。 2.参考教材:《半导体器件工艺原理》国防工业出版社 华中工学院、西北电讯工程学院合编 《半导体器件工艺原理》(上、下册) 国防工业出版社成都电讯工程学院编著 《半导体器件工艺原理》上海科技出版社 《半导体器件制造工艺》上海科技出版社 《集成电路制造技术-原理与实践》 电子工业出版社 《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社 《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》 电子工业出版社3.目前实际教学学时数:课内课时54学时 4.教学内容简介:本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的,与微电子技术相关的器件(硅器件)、集成电路(硅集成电路)的制造工艺原理和技术;介绍了与光电子技术相关的器件(发光器件和激光器件)、集成电路(光集成电路)的制造工艺原理,主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技 术。 5.教学课时安排:(按54学时) 课程介绍及绪论 2学时 第一章衬底材料及衬底制备 6学时 第二章外延工艺 8学时 第三章氧化工艺 7学时 第四章掺杂工艺 12学时 第五章光刻工艺 3学时 第六章制版工艺 3学时 第七章隔离工艺 3学时 第八章表面钝化工艺 5学时 第九章表面内电极与互连 3学时 第十章器件组装 2学时

教你如何检查电路原理图

教你如何检查电路原理图 最近一直在做嵌入式系统,画原理图。最后,为了保证原理图准确无误,检查原理图花费我近两周的时间,在此,把我在检查原理图方面的心得体会总结在此,供大家参考,说得不对的地方欢迎大家指出。 往往我们画完电路原理图后,也知道要检查检查,但从哪些地方入手检查呢?检查原理图需要注意哪些地方呢?下面听我根据我的经验一一道来。 1. 检查所有的芯片封装图引脚是否有误 当然,我指的是自己画的芯片封装。我在项目中曾经把一个芯片的2个引脚画反了,导致最后制版出来后不得不跳线,这样就很难看了。 所以,检查与原理图前一定要从芯片的封装入手,坚决把错误的封装扼杀在摇篮中! 2. 使用protel的Tools->ERC电气规则检查,根据其生成的文件来排错 这个指的是protel99的ERC电气规则检查,DXP应该也会有相应的菜单可以完成这样一个检查。很有用,它可以帮你查找出很多错误,根据它生成的错误文件,对照着错误文件检查一下你的原理图,你应该会惊叹:“我这么仔细地画图,竟然还会有这么多错误啊?” 3. 检测所有的网络节点net是否都连接正确(重点) 一般容易出现的错误有: (1) 本来两个net是应该相连接的,却不小心标得不一致,例如我曾经把主芯片的DDR时钟脚标的是DDR_CLK,而把DDR芯片对应的时钟脚标成了DDRCLK,由于名字不一致,其实这两个脚是没有连接在一起的。 (2) 有的net只标出了一个,该net的另一端在什么地方却忘记标出。 (3) 同一个net标号有多个地方重复使用,导致它们全部连接到了一起。 4. 检测各个芯片功能引脚是否都连接正确,检测所有的芯片是否有遗漏引脚,不连接的划X 芯片的功能引脚一定不要连错,例如我使用的音频处理芯片有LCLK、BCLK、MCLK三个时钟引脚,与主芯片的三个音频时钟引脚一定要一一对应,连反一个就不能工作了。 是否有遗漏引脚其实很容易排查,仔细观察各个芯片,看是否有没有遗漏没有连接出去的引脚,查查datasheet,看看该引脚什么功能,如果系统中不需要,就使用X把该引脚X掉。 5. 检测所有的外接电容、电感、电阻的取值是否有根据,而不是随意取值 其实新手在画原理图时,时常不清楚某些外围电阻、电容怎么取值,这时千万不要随意取值,往往这些外围电路电阻、电容的取值在芯片的datasheet上都有说明的,有的datasheet上也给出了典型参考电路,或者一些电阻电容的计算公式,只要你足够细心,大部分电阻电容的取值你都是可以找到依据的。偶尔实在找不到依据的,可以在网上搜搜其他人的设计案例或者典型连接,参考一下。总之,不要随意设置这些取值。 6. 检查所有芯片供电端是否加了电容滤波 电源端的电容滤波的重要性就不用我多说了,其实做过硬件的人都应该知道。一般情况下,电路电源输入端会引进一些纹波,为了防止这些纹波对芯片的逻辑造成太大的影响,往往需要在芯片供电端旁边加上一些0.1uf之类的电容,起到一些滤波效果,检查电路原理图时,你可以仔细观察一下是否在必要地芯片电源端加上了这样的滤波电路呢? 7. 检测系统所有的接口电路 接口电路一般包括系统的输入和输出,需要检查输入是否有应有的保护等,输出是否有足够的驱动能力等 输入保护一般有:反冲电流保护、光耦隔离、过压保护等等。 输出驱动能力不足的需要加上一些上拉电阻提高驱动能力。 8. 检查各个芯片是否有上电、复位的先后顺序要求,若有要求,则需要设计相应的时延电路

精选5芯片引脚图及引脚描述

555芯片引脚图及引脚描述 555的8脚是集成电路工作电压输入端,电压为5~18V,以UCC表示;从分压器上看出,上比较器A1的5脚接在R1和R2之间,所以5脚的电压固定在2UCC/3上;下比较器A2接在R2与R3之间,A2的同相输入端电位被固定在UCC/3上。 1脚为地。2脚为触发输入端;3脚为输出端,输出的电平状态受触发器控制,而触发器受上比较器6脚和下比较器2脚的控制。 当触发器接受上比较器A1从R脚输入的高电平时,触发器被置于复位状态,3脚输出低电平; 2脚和6脚是互补的,2脚只对低电平起作用,高电平对它不起作用,即电压小于1Ucc/3,此时3脚输出高电平。6脚为阈值端,只对高电平起作用,低电平对它不起作用,即输入电压大于2 Ucc/3,称高触发端,3脚输出低电平,但有一个先决条件,即2脚电位必须大于1Ucc/3时才有效。3脚在高电位接近电源电压Ucc,输出电流最大可打200mA。 4脚是复位端,当4脚电位小于时,不管2、6脚状态如何,输出端3脚都输出低电平。 5脚是控制端。 7脚称放电端,与3脚输出同步,输出电平一致,但7脚并不输出电流,所以3脚称为实高(或低)、7脚称为虚高。 555集成电路管脚,工作原理,特点及典型应用电路介绍. 1 555集成电路的框图及工作原理 555集成电路开始是作定时器应用的,所以叫做555定时器或555时基电路。但后来经过开发,它除了作定时延时控制外,还可用于调光、调温、调压、调速等多种控制及计量检测。此外,还可以组成脉冲振荡、单稳、双稳和脉冲调制电路,用于交流信号源、电源变换、频率变换、脉冲调制等。由于它工作可靠、使用方便、价格低廉,目前被广泛用于各种电子产品中,555集成电路内部有几十个元器件,有分压器、比较器、基本R-S触发器、放电管以及缓冲器等,电路比较复杂,是模拟电路和数字电路的混合体,如图1所示。 2. 555芯片管脚介绍 555集成电路是8脚封装,双列直插型,如图2(A)所示,按输入输出的排列可看成如图2(B)所示。其中6脚称阈值端(TH),是上比较器的输入;2脚称触发端(TR),是下比较器的输入;3脚是输出端(Vo),它有O和1两种状态,由输入端所加的电平决定;7脚是放电端(DIS),它是内部放电管的输出,有悬空和接地两种状态,也是由输入端的状态决定;4脚是复位端(MR),加上低电平时可使输出为低电平;5脚是控制电压端(Vc),可用它改变上下触发电平值;8脚是电源端,1脚是地端。 图2 555集成电路封装图 我们也可以把555电路等效成一个带放电开关的R-S触发器,如图3(A)所示,这个特殊的触发器有两个输入端:阈值端(TH)可看成是置零端R,要求高电平,触发端(TR)可看成是置位端S,要求低电平,有一个输出端Vo,Vo可等效成触发器的Q端,放电端(DIS)可看成是由内部放电开关控制的一个接点,由触发器的Q端控制:Q=1时DIS端接地,Q=0时DIS 端悬空。另外还有复位端MR,控制电压端Vc,电源端VDD和 地端GND。这个特殊的触发器有两个特点: (1)两个输入端的触发电平要求一高一低,置零端R即阈值端(TH)要求高电平,而置位端s 即触发端(TR)则要求低电乎; (2)两个输入端的触发电平使输出发生翻转的阈值电压值也不同,当V c端不接控制电压时,对TH(R)端来讲,>2/3VDD是高电平1,<2/3VDD是低电平0:而对TR(S)端来讲,>1/3VDD是高电平1,<1/3VDD是低电平0。如果在控制端(Vc)上控制电压Vc时,这时上触发电平就变

集成电路设计答案 王志功版

第一章 1.按规模划分,集成电路的发展已经经历了哪几代?它的发展遵循了一条业界著名的定律,请说出是什么定律? 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律 2.什么是无生产线集成电路设计?列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术,但不拥有生产线。特点:电路设计,工艺制造,封装分立运行。 环境:IC产业生产能力剩余,人们需要更多的功能芯片设计 3.多项目晶圆(MPW)技术的特点是什么?对发展集成电路设计有什么意义? MPW:把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上,然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义:降低成本。 4.集成电路设计需要哪四个方面的知识? 系统,电路,工具,工艺方面的知识 第二章 1.为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富,技术成熟,硅基产品价格低廉 2.GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3.怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触? 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触,金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4.说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5.列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6.SOI材料是怎样形成的,有什么特点? SOI绝缘体上硅,可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点:电极与衬底之间寄生电容大大减少,器件速度更快,功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点? 肖特基接触:阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触:载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 第三章 1.写出晶体外延的意义,列出三种外延生长方法,并比较各自的优缺点。 意义:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长,气相外延生长,金属有机物气相外延生长 2.写出掩膜在IC制造过程中的作用,比较整版掩膜和单片掩膜的区别,列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3.写出光刻的作用,光刻有哪两种曝光方式?作用:把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4.X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点? X 射线(X-ray)具有比可见光短得多的波长,可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子

实验设计的基本原理

实验设计的基本原则 在实验设计中,应当严格遵守对照、随机、重复和均衡四个基本原则。 1、对照的原则 1)设立对照的意义 设立对照组的的意义在于使实验组和对照组内的非处理因素的基本一致,即均衡可比。对照的意义还可以用以下符号表达: 实验效应是与混在一起的,实验设计的主要任务是如何使能单独显示出来。 设立对照,使实验中两组(或多组)的均衡,即。这样,实验组的效 应就可以显示出来。 :处理因素;与:相同的非处理因素;:与之差;:实验效应, 与是与的影响结果;:与之差的效应。这样,通过对照就消 除了非处理因素对实验效应的影响。 2)对照的基本形式 对照的形式有多种,可根据研究目的和内容加以选择,常用的有下列几种。 (1)空白对照对照组不施加任何处理因素。例如,观察某种疫苗预防肾综合征出血热的效果,选择人口数量和构成、发病水平、地理环境、主要宿主鼠类基本相似的两个疫区,一个作为试验区,在人群中接种疫苗,另一个作为对照区,不施加任何干预措施,处理因素完全空白。这种对 照只有在处理因素很强,非处理因素很弱的情况下才能使用。在临床试验中,一般不用空白对照。

(2)实验对照对照组不施加处理因素,但施加某种实验因素。如观察赖氨酸对儿童发育的影响,实验组儿童课间加食含赖氨酸的面包,对照组儿童课间加食不含赖氨酸的面包。处理因素是赖氨酸,非处理因素的面包量两组是相同的。 (3)标准对照不设立专门的对照组,而是用现有标准值或正常值做对照。在临床试验中常以某疗法为标准对照组,这种对照应注意标准组必须是代表当时水平的疗法,切不可用降低标准组的方法使实验效应提高。但实验研究一般不用标准对照,因为实验条件不一致,常常影响对比效果。 (4)自身对照对照与实验在同一受试者身上进行,如用药前后作为对比。一般情况下还要求设立平行对照组。 (5)相互对照这种对照不设立对照组,而是两个或几个试验组相互对照。例如用莫雷西嗪治疗冠心病、高血压、心肌病和失调症引起的室性早搏时,设立冠心病组、高血压组、心肌病组和失调症组四个治疗组,相互比较它们的疗效。 (6)配对对照把研究对象条件相同的两个配成一对,分别给以不同的处理因素,对比两者之间的不同效应。配对对照常用于动物实验,临床试验也可采用,但严格地说,很难找到相同或十分相似的对子。 (7)历史对照以本人过去的研究或他人研究结果与本次研究结果做对照。除了非处理因素影响较小的少数疾病外,一般不宜使用这种对照。用时要特别注意资料的可比性。 2、随机的原则 1)随机的意义 所谓随机,就是每一个受试对象都有同等的机会被分配到任何一个组中去,分组的结果不受人为因素的干扰和影响。实验设计中必须贯彻随机化原则,因为在实验过程中许多非处理因素在设计时研究者并不完全知道,必须采用随机化的办法抵消这些干扰因素的影响。 2)随机化的实施 实验设计中所指的总体不是泛指的无限总体,而是根据研究假设的要求规定的纳入标准,如动物的体重、年龄、病人的病情、经济条件、父母的文化程度等所选择的受试对象(即本次实验的有限总体),再把这些受试对象随机分入实验组和对照组中,以增强可比性,称为随机分配(randomized allocation)。随机化的实施就是如何进行随机分配。随机化的方法有多种,最简单的如抽签。但在实验设计中广泛应用随机数字表和随机排列表。 (1)随机数字表和随机排列表

集成电路制造工艺原理

集成电路制造工艺原理 课程总体介绍: 1.课程性质及开课时间:本课程为电子科学与技术专业(微电子技术方向和光电子技术方向)的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。 2.参考教材:《半导体器件工艺原理》国防工业出版社 华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》(上、下册) 国防工业出版社成都电讯工程学院编著 《半导体器件工艺原理》上海科技出版社 《半导体器件制造工艺》上海科技出版社 《集成电路制造技术-原理与实践》 电子工业出版社 《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社 《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》 电子工业出版社 3.目前实际教学学时数:课内课时54学时 4.教学内容简介:本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的,与微电子技术相关的器件(硅器件)、集成电路(硅集成电路)的制造工艺原理和技术;介绍了与光电子技术相关的器件(发光器件和激光器件)、集成电路(光集成电路)的制造工艺原理,主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技术。 5.教学课时安排:(按54学时) 课程介绍及绪论2学时第一章衬底材料及衬底制备6学时 第二章外延工艺8学时第三章氧化工艺7学时第四章掺杂工艺12学时第五章光刻工艺3学时第六章制版工艺3学时第七章隔离工艺3

学时 第八章表面钝化工艺5学时 第九章表面内电极与互连3学时 第十章器件组装2学时 课程教案: 课程介绍及序论 (2学时) 内容: 课程介绍: 1 教学内容 1.1与微电子技术相关的器件、集成电路的制造工艺原理 1.2 与光电子技术相关的器件、集成电路的制造 1.3 参考教材 2教学课时安排 3学习要求 序论: 课程内容: 1半导体技术概况 1.1 半导体器件制造技术 1.1.1 半导体器件制造的工艺设计 1.1.2 工艺制造 1.1.3 工艺分析 1.1.4 质量控制 1.2 半导体器件制造的关键问题 1.2.1 工艺改革和新工艺的应用 1.2.2 环境条件改革和工艺条件优化 1.2.3 注重情报和产品结构的及时调整 1.2.4 工业化生产 2典型硅外延平面器件管芯制造工艺流程及讨论 2.1 常规npn外延平面管管芯制造工艺流程 2.2 典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程 2.3 两工艺流程的讨论 2.3.1 有关说明 2.3.2 两工艺流程的区别及原因 课程重点:介绍了与电子科学与技术中的两个专业方向(微电子技术方向和光电子技术方向)相关的制造业,指明该制造业是社会的基础工业、是现代化的基础工业,是国家远景规划中置于首位发展的工业。介绍了与微电子技术方向相关的分离器件(硅器件)、集成电路(硅集成电路)的制造工艺原理的内容,指明微电子技术从某种意义上是指大规模集成电路和超大规模集成电路的制造技术。由于集成电路的制造技术是由分离器件的制造技术发展起来的,则从制造工艺上看,两种工艺流程中绝大多数制造工艺是相通

芯片原理

芯片原理 1.芯片为什么要采用CMOS: CMOS,C:是互补的意思complementary,是指采用NMOS和PMOS管形成一个组合实现一个开关功能。也就是最小单元由至少两个MOS管组成。 MO:是金属氧化物的意思,是指MOS管的G极的材质是金属氧化物的 上图中,如果采用图A所示,则有Ic这个电流,如果R很大,那么V o的驱动能力就很弱,会造成芯片的反应速度很慢,如果R很小,则在MOS管开通时,电流Ic非常大,因此,这样的电路是没法应用于芯片的,经初步计算,如果采用图A所示的电路,要达到一定的处理速度,那么其功耗是100kW级别的,而采用图B的互补型(N和P型对称布置),则Vi高电平时上管关闭,下管开启,低电平时则相反,这样就不存在电流,那么为什么芯片还是有很大的功耗呢,这就是MOS管的结电容引起的,因为G极就是一个电容效应。充放电虽然对于一个MOS管来说是很小的功耗,但是芯片的晶体管数量非常多,如一个CMOS 开关为1uW,那么1000万个呢就是100W。 芯片的功耗基本可以这样理解:P = N * C* f * V2 N:晶体管个数,C:MOS管及其他引起的电容,f为频率、V为电压 当频率很高时,为了降低功耗,现在芯片的工作电压一直在降低,如从3V降低到1V,那么功耗降低了9倍,如果通过改善晶体管结构和线路结构,能减少电容C,那么也可以降低芯片功耗。 注意:我们在设计单片机电路时,经常性地采用如图A所示的下拉(或上拉)电阻形式,一般我们的被驱动电路的功耗是比较大的,因此经常会忽略该电路引起的功耗问题。

2.芯片制作 芯片就如多层电路板,最低层为晶体管,然后往上几层就是连线(罗辑)。 切开一个晶片的小块,其中上层的导线连接就如这样,就如多层电路板,是一个三维连接体,导线之间会引起电容和信号干扰,而弯弯曲曲的导线,也会引起电感。 第一步:制作晶圆。 晶圆现在一般为8寸、12寸、20寸等。 晶圆本身进行参杂,形成P型,或N型衬底。也就是基板。 晶圆的制作过程,在网上有很多视频。 第二步:在晶圆上进行杂质注射,这里就需要模板。 模板中的孔,就是要变成PNP型MOS管的位置,这是在芯片设计时就已经决定了的,由芯片的晶体管的布局决定。 第三步,再在已经布局好的P和N基底上,注入杂质,形成N和P型半导体,这就是MOS管的S(源)极和D(漏)极形成的过程。 要分两步:第一步注入N型杂质,然后换模板注入P型杂质。

设计管理的基本原理与方法

第三章设计管理的基本原理与方法 设计管理是一个过程,在这个过程中,企业的各种设计活动,包括产品设计、环境设计、视觉传达设计等,被合理化和组织化。另外,设计管理还要负责处理设计与其它管理功能的关系,并负责有效地使用设计师。 在设计管理的过程中,设计管理者扮演了组织者、协作者、整合者、同中求异者、传达沟通者及媒介者等诸多角色。本章在管理学的基础上,总结归纳出设计管理的基本原理与方法。 第1节设计管理的基本原理 原理是指某种客观事物的实质及其运动的基本规律。设计管理原理是对设计管理工作的实质内容进行科学分析总结而形成的基本原理,除具有管理原理的基本特征外,还具有自己的独特特点。 一、系统原理是指将产品创新设计的整个过程视为一个开放式系统,运用系统理论和系统方法,对设计要素、设计组织、设计过程进行系统分析,旨在优化设计管理系统的最优功能,以实现企业产品的整体优化和产品创新的总体目的。 在一项产品创新设计过程中,管理工作的内部存在着错综复杂、相互制约的关系,而且还表现在这一管理工作与其他管理工作之间也存在着这种错综复杂、相互制约的关系。任何一种关系处理不好,任何一个环节出现问题,都会对设计管理系统的正常活动带来不利的影响。因此,这就要求设计管理者必须坚持系统理论和方法论,通盘考虑,全面权衡,综合处理它们之间的各种问题。 产品创新设计系统内诸要素都不是孤立地存在的,其性质必然满足系统存在的一切条件。一方面,系统的整体目标规定着要素的根本性质及其存在和发展;另一方面,要素又随着管理系统是开放而同外部环境以及其它系统发生着各种形式的“输入和输出”,表现为一种相互制约、相互促进的动态相关图景。设计管理强调运用系统理论和方法,在确定和不确定的条件下,对管理对象诸要素及其相互关系进行充分的系统管理和综合,以实现设计管理的最优化目标。 为了正确贯彻设计管理系统的原理,必须掌握它的三个主要观点: 1、目的性观点 设计管理意义上的“目的”一词,是指设计管理系统存在的依据和最终目标。没有目的的设计管理系统是毫无意义和价值的系统;目的不明确或混淆了不同的目的,都必然会造成设计管理系统的紊乱。一般讲,设计管理对象在未经管理之前呈无序状态。设计管理的任务就在于:通

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