msp430 通用IO口

msp430 通用IO口
msp430 通用IO口

通用IO口

3.2.1 IO口

IO口是微处理器系统对外界沟通的最基本部件,从基本的键盘、LED到复杂的外设芯片等,都是通过IO口的输入输出操作来进行的。

在MSP430系列中,不同的单片机IO口数量不同。体积最小的MSP430F20xx系列中只有10个IO口,适合在超小型设备中应用;功能最丰富的MSP430FG46xx系列中多达80多个IO 口,足够应付外部设备繁多的复杂应用。在MSP430G2553单片机中,共有16个IO口,属于IO口较少的系列。

3.2.2 IO寄存器

和大部分单片机类似,MSP430系列单片机也是将8个IO口编为一组。每个IO口有四个控制寄存器,P1和P2还有额外的3个中断寄存器。寄存器情况可参见表3.2。

PxDIR寄存器用于设置每一位的IO口方向

MSP430单片机的IO口是双向IO口:0=输入 1=输出。在使用IO口时首先要选择寄存器来设置每个IO口方向。

例如下面的语句:

P1DIR |= BIT1+BIT3+BIT4;

P1DIR |= ~(BIT5+BIT6+BIT7);

以上语句将P1.1,P1.3和P1.4的方向置为输出,P1.5,P1.6和P1.7的方向置为输入。

PxDIR寄存器在复位的过程中会被清零,没有被设置的IO口方向均为输入状态,所以第二句可以省略。注意,将未用的IO口置为输出可减小漏电流。

对于所有已经设成输出的IO口可通过PxOUT寄存器设置其输出电平;对于所有已经被设成输入的IO口,可通过PxIN寄存器读回其输入电平。

PxSEl寄存器用于设置每一位IO口的功能:0=普通IO口,1=第二功能。

在MSP430系列单片机中,很多内部功能模块也需要和外界进行数据交换,为了不增加芯片的管脚数量,大部分都和IO口管脚复用,这就导致MSP430系列单片机的大多数IO管脚都具有第二功能。通过PxSEL可以指定某些IO口作为第二功能使用。如MSP430G2553中P1.1和RXD,P1.2和TXD复用。

3.2.3 IO口中断

在MSP430系列所有的单片机中,P1口、P2口总共16个IO口均能引发中断。

PxIE用于设置每一位IO口的中断允许:0=不允许 1=允许

PxIES用于选择每一个IO口的中断触发沿:0=上升沿 1=下降沿

在使用IO口中断之前,需要先将IO口设置为输入状态,并允许该位IO中断,再通过PxIES寄存器选择上升沿触发还是下降沿触发。如下例,将P1.5,P1.6和P1.7设置为中断源,下降沿触发。

P1DIR&=~(BIT5+BIT6+BIT7);

P1IES |=BIT5+BIT6+BIT7;

P1IE |=BIT5+BIT6+BIT7;

_EINT();

PxIFG是IO口中断标志寄存器:0=中断标志不成立,1=中断条件曾经成立

无论中断是否被允许,也无论是否可以执行中断服务程序,只要对应IO口满足中断条件,PxIFG中相应位都会立即置1并保持,只能通过软件人工清除。这种机制的目的在于最大可能的保证不会漏掉每一次中断。在MSP430系列单片机中,P1口的8个中断各共用了一个中断入口,因此该寄存器另一重要作用在于判断是哪一位IO产生了中断。

注意,在退出中断前,一定要人工清除中断标志,否则该中断会不停被执行。类似的原理,即使IO口没有出现中断条件,人工向PxIFG寄存器写“1”,也会引发中断。更改中断沿选择寄存器也相当于跳变,也会引发中断。所以,更改PxIES寄存器应该在关闭中断后进行,并且在打开中断后及时清除中断标示位。

3.2.4 线与逻辑

MSP430系列单片机的IO口是CMOS型,特点是当IO处于输入状态时时,呈高阻状态;当IO处于输出状态时,高低电平都具有较强的输出能力。若输出高电平的IO口和输出低电平的IO口直接相连,则会因短路造成损坏,不像8051的IO那样能实现“线与”功能。但可以通过IO方向的切换来模拟。以P1.0口为例,硬件上加一个上拉电阻至Vcc,软件中先将P1OUT的BIT0置0,再通过软件切换方向来改变输出。

#define IO_H P1DIR &= ~BIT0

#define IO_L P1DIR |=BIT0

#define IO_R (P1IN&BIT0)

用这种方法来模拟IO操作,高电平不是由IO直接输出的,而是通过上拉电阻拉高的,因此这种高电平的电流输出能力很弱;而低电平由IO直接输出,驱动能力较强。当高电平遇到低电平的时候会被拉低。当若干IO连在一起时,只要有1根输出0,整体就输出0,总输出相当于各IO相与。“线与”逻辑在I2C总线、多机通信中都有重要用途。

3.2.5 兼容性

为了电池供电应用,MSP430系列单片机工作电压较低(1.8V~3.6V)。大部分应用取3V 左右,因此单片机的IO口属于3V逻辑。且MSP430单片机的任何一个管脚的输入电压不能

超过Vcc+0.3V,不能低于-0.3V,否则将启动内部泄放电路。泄放电路最大值只能吸收2mA 的电流,超过可能毁损换IO口。在MSP430单片机与5V逻辑连接时,必须考虑电平转换问题,分以下几种情况进行讨论:

1.5V逻辑器件输出至MSP430单片机,这是一种最简单的情况,将5V逻辑通过10K和20K电阻分压后转换成3V逻辑。若5V逻辑属于弱上拉型,也可以直接连接,利用MSP430单片机内部泄放电路将电压钳至3V。当然,最为可靠的方法还是使用74LVC系列缓冲器,如74LVC244等,它可以3V供电,并具有5V的输入承受能力。

MSP430单片机输出至5V逻辑器件输入,这种情况首先要看接收器件的高电平门限,一般的接收芯片或设备手册都会给出。某些器件具有2.5V以下的门限可直接连接无需额外电路。若接收方门限较高,可在两者之间加一片74HCT24缓冲器。74HCT器件具有2.2V的固定逻辑门限,在5V电源时能够识别3V的逻辑输入。

双向数据传输中,不仅要转换电平,还需要切换方向,最好选用电平转换芯片74LVC4245实现。

驱动5V以上的逻辑电路,利用漏级开路门电路可以实现逻辑电平的转换。

无论出现何种转换方案,3V逻辑和5V逻辑电路中都是不值得推荐的。这不仅破坏了MSP430系统的简洁设计原则,还额外增加了功耗,增加了电源管理难度。所以在设计MSP430系统时应尽量使用3V逻辑。

和所有CMOS电路一样,MSP430单片机的IO口输入状态也呈高阻态。若悬空,则等效于天线,会因附近电场而随机的感应出中间电平。MSP430单片机内部带有施密特触发器和总线保持器,悬空或输入中间电平不会造成错误或损坏,但会因为输入级CMOS门截止不良,额外增加系统耗电。所以在超低功耗应用中每个IO口都应具有确定电平,对于未用的IO口,可接地或设置为输出状态,以保证电平确定。

单片机io口理解

【转】单片机IO口设置推挽和开漏的区别(转自网易博客冷水泡茶的日志)2010-09-28 13:43 单片机IO口设置推挽和开漏的区别 一般情况下我们在电路设计编程过程中设置单片机,大多是按照固有的模式去做的,做了几年这一行了,也没碰到过什么问题。昨天就遇到了这样一个问题,电路结构如图一,在这种情况下STC单片机与410单片机通讯是没问题的 但是与PC就无法通讯了,STC收不到PC的命令,以前410的位置是用的STC的片子一直没问题,我想也许是驱动能力不够,在410TX端加了上拉,不过没起作用。 用示波器监视串口得到面的波形 这说明sp3232下拉得不够,于是加了下拉,还是没起作用。又把410端口内部的上拉去掉,结果还是一样。 最后请教老师,在410程序里将TX的工作方式由推挽式改为开漏式,一切ok~!

从网上查了推挽和开漏的区别,放在这里免得以后再到处找了,给自己保存了 我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”)。对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极C跟发射极E之间相当于断开),所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)。 我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制,“1”时断开,“0”时闭合。很明显可以看出,当开关闭合时,输出直接接地,所以输出电平为0。而当开关断开时,则输出端悬空了,即高阻态。这时电平状态未知,如果后面一个电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了,所以这个电路是不能输出高电平的。 再看图三。图三中那个1K的电阻即是上拉电阻。如果开关闭合,则有电流从1K电阻及开关上流过,但由于开关闭其它三个口带内部上拉),当我们要使用输入功能时,只要将输出口设置为1即可,这样就相当于那个开关断开,而对于P0口来说,就是高阻态了。 对于漏极开路(OD)输出,跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极,OC就变成了OD,原理分析是一样的。 另一种输出结构是推挽输出。推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关,当要输出高电平时,上面的开关通,下面的开关断;而要输出低电平时,则刚好相反。比起OC或者OD来说,这样的推挽结构高、低电平驱动能力都很强。如果两个输出不同电平的输出口接在一起的话,就会产生很大的电流,有可能将输出口烧坏。而上面说的OC或OD输出则不会有这样的情况,因为上拉电

反渗透膜的24个常见问题及解决方法

反渗透膜的24个常见问题及解决方法 1、反渗透系统应多久清洗一次 一般情况下,当标准化通量下降10~15%时,或系统脱盐率下降10~15%,或操作压力及段间压差升高10~15%,应清洗RO系统。清洗频度与系统预处理程度有直接的关系,当SDI15<3时,清洗频度可能为每年4次;当SDI15在5左右时,清洗频度可能要加倍但清洗频度取决于每一个项目现场的实际情况。 2、什么是SDI? 目前行之有效的评价RO/NF系统进水中胶体污染可能的最好技术是测量进水的淤积密度指数(SDI,又称污堵指数),这是在RO设计之前必须确定的重要参数,在RO/NF运行过程中,必须定期进行测量(对于地表水每日测定2~3次),ASTM D4189-82规定了该测试的标准。膜系统的进水规定是SDI15值必须≤5。降低SDI预处理的有效技术有多介质过滤器、超滤、微滤等。在过滤之前添加聚电介质有时能增强上述物理过滤、降低SDI值的能力。 3、一般进水应该选用反渗透还是离子交换工艺? 在许多进水条件下,采用离子交换树脂或反渗透在技术上均可行,工艺的选择则应由经济性比较而定,一般情况下,含盐量越高,反渗透就越经济,含盐量越低,离子交换就越经

济。由于反渗透技术的大量普及,采用反渗透+离子交换工艺或多级反渗透或反渗透+其它深度除盐技术的组合工艺已经成为公认的技术与经济更为合理的水处理方案,如需深入了解,请咨询水处理工程公司代表。 4、反渗透膜元件一般能用几年? 膜的使用寿命取决于膜的化学稳定性、元件的物理稳定性、可清洗性、进水水源、预处理、清洗频率、操作管理水平等。根据经济分析通常为5年以上。 5、反渗透和纳滤之间有何区别? 纳滤是位于反渗透合同超滤之间的膜法液体分离技术,反渗透可以脱除最小的溶质,分子量小于0.0001微米,纳滤可脱除分子量在0.001微米左右的溶质。纳滤本质上是一种低压反渗透,用于处理后产水纯度不特别严格的场合,纳滤适合于处理井水和地表水。纳滤适用于没有必要像反渗透那样的高脱盐率的水处理系统,但对于硬度成份的脱除能力很高,有时被称为“软化膜”,纳滤系统运行压力低,能耗低于相对应的反渗透系统。 6、膜技术具有怎样的分离能力? 反渗透是目前最精密的液体过滤技术,反渗透膜对溶解性的盐等无机分子和分子量大于100的有机物起截留作用,另一方面,水分子可以自由的透过反渗透膜,典型的可溶性盐的脱除率为>95~99%。操作压力从进水为苦咸水时的7bar(100psi)

给煤机常见问题汇总

给煤机问题汇总 给煤机现场出现问题: 问题一 现象:给煤机跳闸,错误调用报07(堵煤跳闸) 原因:由给煤机出口堵煤报警器发出的出口堵煤信号造成的给煤机跳闸。 处理方法:1.观察给煤机出口是否真正堵煤,如堵煤一定要及时停止给煤机,以防出现重大问题。 2.将出口堵煤报警器的外罩打开,观察堵煤报警器的行程开关是否 上锈。如果有锈迹,应为此原因造成的报警器误动作导致的给煤 机跳闸。需清理锈迹、重新将行程开关定位到临界状态或更换堵 煤报警器。 3.检查出口堵煤报警器的接线是否有接地或是否被砸断,因堵煤报 警器为常闭节点,一旦有接地或者砸断现象,会造成柜内堵煤继 电器误动作,导致给煤机跳闸。 4.检查给煤机控制柜内堵煤(FD)继电器及其底座是否损坏。接线 是否有松动及漏接、错接现象。 问题二 现象:给煤机报容积式给煤 原因:给煤机称重传感器无法称量皮带上方物体重量 处理方法:1.检查给煤机承重托辊上是否有杂物将托辊卡住,此现象会造成给煤机承重传感器两侧偏差过大,导致给煤机报容积式给煤。 2.检查给煤机称重传感器及其电缆是否有损坏现象。如果有损坏现 象,更换称重传感器。 3.检查自检(SELF TEST)09,如果两侧偏差过大,有可能为承重传 感器两侧不平,重新用水平检尺校订称重传感器水平。(校订方 法:将水平检尺放在称重跨距辊上,调节称重传感器下方螺母, 使称重辊与跨距辊在同一水平线。)如果校订后,如果两侧偏差 还是过大,检查皮带是否偏离并压住称重辊一侧。 4.用力下压或上抬,称重传感器数值变化缓慢或变化小,可能为称 重传感器内部进灰,导致传导不正确,用内六角将称重传感器外 壳打开,进行清理。 5.以上工作完成过后,仍报容积式,可能为干扰造成的容积式,与 我公司联系,加装屏蔽环 问题三 现象:给煤机报煤仓出口堵煤 原因:AE煤流检测器发出报警信号 处理方法:1.检查给煤机上闸门是否真正堵煤。如果真正堵煤可用疏松机或空气炮进行疏通,或用人工进行震打。 2.检查接线是否正确及给煤机控制柜内CFMR继电器和其底座是否

单片机IO口定义

单片机I/O口定义 I/O端口又称为I/O接口,也叫做I/O通道或I/O通道。I/O端口是MCS-51单片机对外部实现控制和信息交换的必经之路,是一个过渡的集成电路,用于信息传送过程中的速度匹配和增强它的负载能力。I/O端口右串行和并行之分,串行I/O端口一次只能传送一位二进制信息,并行I/O端口一次可以传送一组(8位)二进制信息。 并行I/O端口 8051有四个并行I/O端口,分别命名为P0、P1、P2和P3,在这四个并行I/O端口中,每个端口都有双向I/O功能。即CPU即可以从四个并行I/O端口中的任何一个输出数据,又可以从它们那里输入数据。每个I/O端口内部都有一个8位数据输出锁存器和一个8位数据输入缓冲器,四个数据输出锁存器和端口号P0、P1、P2和P3同名,皆为特殊功能寄存器SFR中的一个。因此,CPU数据从并行I/O端口输出时可以得到锁存,数据输入时可以得到缓冲。 四个并行I/O端口在结构上并不相同,因此它们在功能和用途上的差异较大。P0口和P2口内部均有一个受控制器控制的二选一选择电路,故它们除可以用作通用I/O口外,还具有特殊的功能。例如:P0可以输出片外存储器的低八位地址码和读写数据,P2口可以输出片外存储器的高八位地址码,等等。P1口常作为通用I/O口使用,为CPU传送用户数据;P3口除可以作为通用I/O口使用外,还具有第二功能。在四个并行I/O端口中,只有P0口是真正的双向I/O口,故它具有较大的负载能力,最多可以推动8个LSTTL门,其余3个

I/O口是准双向I/O口,只能推动4个LSTTL门。 四个并行I/O端口作为通用I/O使用时,共有写端口、读端口和读引脚三种操作方式,写端口实际上是输出数据,是把累加器A或其他寄存器中的数据传送到端口锁存器中,然后由端口自动从端口引脚线上输出。读端口不是真正的从外部输入数据,而是把端口锁存器中的输出数据读到CPU的累加器A中。读引脚才是真正的输入外部数据的操作,是从端口引脚线上读入外部的输入数据。端口的上述三种操作书架上是通过指令或程序来实现的。 串行I/O端口 8051有一个全双工的可编程串行I/O端口。这个串行I/O端口既可以在程序控制下把CPU中的8位并行数据编程串行数据逐行从发送数据线TXD发送出去,也可以把RXD线上串行接收到的数据变成8位并行数据送给CPU,而且这种串行发送和串行接收可以单独进行,也可以同时进行。 8051串行发送和串行接收利用了P3口的第二功能,即它利用P3.1引脚作为串行数据的发送线TDX和P3.0引脚作为串行数据的接收线RXD,串行口I/O口的电路结构还包括串行口控制寄存器SCON,电源及波特率选择寄存器PCON和串行数据缓冲器SBUF等,它们都属于SFR(特殊功能寄存器)。其中,PCON和SCON用于设置串行口工作方式和确定数据的发送和接收波特率,SBUF实际上有两个8位寄存器组成,一个工作方式和确定数据的发送和接收比特率,另一个用于存放接收到的数据,起着数据的缓冲作用。

反渗透膜在水处理应用中的26个常见问题及解决方法

反渗透膜在水处理应用中的26个常见问题及解决方法 1. 反渗透系统应多久清洗一次? 一般情况下,当标准化通量下降10?15%寸,或系统脱盐率下降10?15% 或操作压力及段间压差升高10?15%应清洗RO系统。清洗频度与系统预处理程度有直接的关系,当SDI15V3时,清洗频度可能为每年4次;当SDI15在5左右时,清洗频度可能要加倍但清洗频度取决于每一个项目现场的实际情况。 2. 什么是SDI? 目前行之有效的评价RO/NF系统进水中胶体污染可能的最好技术是测量进水的淤积密度指数(SDI,又称污堵指数),这是在RO设计之前必须确定的重要参数,在RO/NF运行过程中,必须定期进行测量(对于地表水每日测定2?3次),ASTM D4189-82规定了该测试的标准。膜系统的进水规定是SDI15值必须W 5。降低SDI 预处理的有效技术有多介质过滤器、超滤、微滤等。在过滤之前添加聚电介质有时能增强上述物理过滤、降低SDI值的能力。 3. 一般进水应该选用反渗透工艺还是离子交换工艺? 在许多进水条件下,采用离子交换树脂或反渗透在技术上均可行,工艺的选择则应由经济性比较而定,一般情况下,含盐量越高,反渗透就越经济,含盐量越低,离子交换就越经济。由于反渗透技术的大量普及,采用反渗透+离子交换 工艺或多级反渗透或反渗透+其它深度除盐技术的组合工艺已经成为公认的技术与经济更为合理的水处理方案,如需深入了解,请咨询水处理工程公司代表。4. 反渗透膜元件一般能用几年?膜的使用寿命取决于膜的化学稳定性、元件的物理稳定性、可清洗性、进水水源、预处理、清洗频率、操作管理水平等。根据经济分析通常为5年以上。 4. 反渗透膜元件一般能用几年? 膜的使用寿命取决于膜的化学稳定性、元件的物理稳定性、可清洗性、进水水源、预处理、清洗频率、操作管理水平等。根据经济分析通常为5年以上。 5. 反渗透和纳滤之间有何区别? 纳滤是位于反渗透合同超滤之间的膜法液体分离技术,反渗透可以脱除最小的溶质,分子量小于0.0001微米,纳滤可脱除分子量在0.001微米左右的溶质。纳滤本质上是一种低压反渗透,用于处理后产水纯度不特别严格的场合,纳滤适合于处理井水和地表水。纳滤适用于没有必要像反渗透那样的高脱盐率的水处理

单片机IO口结构与工作原理

一、P0端口的结构及工作原理 P0端口8位中的一位结构图见下图: 由上图可见,P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。 下面,先分析组成P0口的各个部分: 先看输入缓冲器:在P0口中,有两个三态的缓冲器,在其的输出端可以是高电平、低电平,同时还有一种就是高阻状态(或称为禁止状态),上面一个是读锁存器的缓冲器,下面一个是读引脚的缓冲器,读取P0.X引脚上的数据,要使这个三态缓冲器有效,引脚上的数据才会传输到部数据总线上。 D锁存器:在51单片机的32根I/O口线中都是用一个D触发器来构成锁存器的。D端是数据输入端,CP是控制端(也就是时序控制信号输入端),Q是输出端,Q非是反向输出端。 多路开关:在51单片机中,不需要外扩展存储器时,P0口可以作为通用的输入输出端口(即I/O)使用,对于8031(部没有ROM)的单片机或者编写的程序超过了单片机部的存储器容量,需要外扩存储器时,P0口就作为‘地址/数据’总线使用。这个多路选择开关就是用于选择是做为普通I/O口使用还是作为‘数据/地址’总线使用的选择开关了。当多路开关与下面接通时,P0口是作为普通的I/O口使用的,当多路开关是与上面接通时,P0口是作为‘地址/数据’总线使用的。 输出驱动部份:P0口的输出是由两个MOS管组成的推拉式结构,也就是说,这两个MOS管一次只能导通一个,当V1导通时,V2就截止,当V2导通时,V1截止。

P0口作为I/O端口使用时,多路开关的控制信号为0(低电平),V1管截止,多路开关是与锁存器的Q非端相接的(即P0口作为I/O口线使用)。作为地址/数据线使用时,多路开关的控制信号为1,V1管由地址/数据线决定,多路开关与地址/数据线连接。 输出过程: 1、I/O输出工作过程:当写锁存器信号CP有效,数据总线的信号→锁存器的输入端D→锁存器的反向输出Q非端→多路开关→V2管的栅极→V2的漏极到输出端P0.X。这时多路开关的控制信号为低电平0,V1管是截止的,所以作为输出口时,P0是漏极开路输出,类似于OC门,当驱动上接电流负载时,需要外接上拉电阻。 下图就是由部数据总线向P0口输出数据的流程图(红色箭头)。 2、地址输出过程 控制信号为1,地址信号为“0”时,与门输出低电平,V1管截止;反相器输出高电平,V2管导通,输出引脚的地址信号为低电平。

实验三单片机IO口控制实验

实验三单片机I/O口控制实验 一、实验目的 利用单片机的P1口作I/O口,学会利用P1口作为输入和输出口。 二、实验设备及器件 PC机一台 https://www.360docs.net/doc/7113568134.html,单片机仿真器、编程器、实验仪三合一综合开发平台一台 三、实验内容 1.编写一段程序,用P1口作为控制端口,使D1区的LED轮流亮。 2.编写一段程序,用P1.0~P1.6口控制LED,P1.7控制LED的亮和灭(P1.7接按键,按下时LED亮,不按时LED灭)。 四、实验要求 学会使用单片机的P1口作为I/O口,如果有时间用户也可以利用P3口作I/O口来做该试验。 五、实验步骤 1.用导线把A2区的J61接口与D1区的J52接口相连。原理如图所示。 2.先编写一个延时程序。 3.将LED轮流亮的程序编写完整并使用TKStudy ICE仿真器调试运行。 4.使用导线把A2区的J61接口的P1.0~P1.6与D1区的J52接口的LED1~LED7相连,另外A2区J61接口的P1.7与D1区的J53的KEY1相连。原理如上图所示。 5.编写P1.7控制LED的程序,并调试运行。(按下K1看是否全亮) 6.A2区J61接口的P1.7与D1区的J54的SW1相连。然后再使用TKStudy ICE仿真器运行程序,查看结果。 六、实验预习要求 仔细阅读实验箱介绍中的各个接口内容,理解该实验的硬件结构。还可以先把程序编好,然后在Keil C51环境下进行软件仿真。

七、实验参考程序 程序1: ORG 0000H LJMP Main ORG 0100H Main: MOV A,#0FFH CLR C MainLoop: CALL Delay RLC A MOV P1,A SJMP MainLoop Delay: MOV R7, #0 Loop: MOV R6, #0 DJNZ R6, $ DJNZ R6, $ DJNZ R6, $ DJNZ R7, Loop RET END 程序2: ORG 0000H LJMP Main ORG 0100H Main: JB P1.7,SETLED CLRLED: CLR P1.0 CLR P1.1 CLR P1.2 CLR P1.3 CLR P1.4 CLR P1.5 CLR P1.6 SJMP Main SETLED: SETB P1.0 SETB P1.1 SETB P1.2 SETB P1.3

反渗透技术问答(实用问题集)

反渗透技术问答(实用问题集)1.膜元件的标准测试回收率、实际回收率与系统回收率 膜元件标准回收率为膜元件生产厂家在标准测试条件所采用的回收率。海德能公司苦咸水膜元件的标准回收率15%,海水膜元件10%。 膜元件实际回收率是膜元件实际使用时的回收率。为了降低膜元件的污染速度、保证膜元件的使用寿命,膜元件生产厂家对单支膜元件的实际回收率作了明确规定,要求每支l米长的膜元件实际回收率不要超过18%,但当膜元件用于第二级反渗透系统水处理时,则实际回收率不受此限制,允许超过18%。 系统回收率是指反渗透装置在实际使用时总的回收率。系统回收率受给水水质、膜元件的数量及排列方式等多种因素的影响,小型反渗透装置由于膜元件的数量少、给水流程短,因而系统回收率普遍偏低,而工业用大型反渗透装置由于膜元件的数量多、给水流程长,所以实际系统回收率一般均在75%以上,有时甚至可以达到90%。 在某些情况下,对于小型反渗透装置也要求较高的系统回收率,以免造成水资源的浪费,此时在设计反渗透装置时就需要采取一些不同的对策,最常见的方法是采用浓水部分循环,即反渗透装置的浓水只排放一部分,其余部分循环进入给水泵入口,此时既可保证膜元件表面维持一定的横向流速,又可以达到用户所需要的系统回收率,但切不可通过直接调整给水/浓水进出口阀门来提高系统回收率,如果这样操作,就会造成膜元件的污染速度加快,导致严重后果。 系统回收率越高则消耗的水量越少,但回收率过高会发生以下问题。 ①产品水的脱盐率下降。 ②可能发生微溶盐的沉淀。 ③浓水的渗透压过高,元件的产水量降低。 一般苦咸水脱盐系统回收率多控制在75%,即浓水浓缩了4倍,当原水含盐量较低时,有时也可采用80%,如原水中某种微溶盐含量高,有时也采用较低的系统回收率以防止结垢。 2.如何确定系统回收率 工业用大型反渗透装置由于膜元件的数量多、给水流程长,实际系统回收率一般均在75%以上,有时甚至可以达到90%。对于小型反渗透装置也要求较高

单片机io口控制实验报告

单片机实验报告 实验名称:I/O口控制 姓名:张昊 学号:110404247 班级:通信2班 时间:2013.11.19 南京理工大学紫金学院电光系

一、实验目的 1、学习I/O口的使用。 2、学习延时子程序的编写和使用。 3、掌握单片机编程器的使用和芯片烧写方法。 二、实验原理 1、广告流水灯实验 (1)做单一灯的左移右移,八个发光二极管L1~L8分别接在单片机的P1.0~P1.7接口上,输出“0”的时候,发光二极管亮,开始时 P1.0->P1.1->P1.2->P1.3->...->P1.7->P1.6->...P1.0亮,重复循 环。 (2)系统板上硬件连线:把“单片机系统”A2区的J61接口的P1.0~P1.6端口与D1区的J52接口相连。要求:P1.0对应着L1,P1.1对应 L2,……,P1.7对应着L8。 P1口广告流水灯实验原理图如下

程序设计流程:流程图如下 2、模拟开关实验 (1)监视开关K1(接在P3.0端口上),用发光二极管L1(接在单片机P1.0端口上)显示开关状态,如果开关合上,L1亮,开关打开, L1熄火。 (2)系统板上硬件连线:把“单片机系统”A2区的P1.0端口用导线连接到D1区的LED1端口上;把“单片机系统”A2区的P3.0端口用 导线连接到D1区的KEY1端口上; 实验原理图如下图

程序设计流程 二、实验内容 1、流水灯 #include sbit p10=P1^0; sbit p11=P1^1; sbit p12=P1^2; sbit p13=P1^3; sbit p14=P1^4; sbit p15=P1^5; sbit p16=P1^6; sbit p17=P1^7; unsigned char count=0; bit flag; void main() {

反渗透技术培训资料全

反渗透技术培训资料

目录 1.反渗透水处理系统的构成 2.反渗透预处理—它是让您高枕无忧的关键 2-1反渗透预处理合适与否的简单判断准则 2-2反渗透预处理设计考虑因素 2-3反渗透膜元件的进水条件 2-4预处理中应考虑的反渗透结垢成分 2-5反渗透污染物 2-6针对特定污染物的反渗透预处理设计要点 3.反渗透系统的故障诊断与运行数据的标准化 3-1反渗透系统的故障及其诊断 3-2常见反渗透污染现象 3-3反渗透污染症状 3-4反渗透故障诊断一览表 3-5如何减少故障和降低反渗透清洗频率 3-6反渗透系统的标准化 4.反渗透膜的清洗消毒及保存 4-1什么时候需要清洗反渗透系统 4-2需要清洗什么 4-3如何选择清洗药剂 4-4在选择和使用化学清洗药剂的注意事项 4-5复合膜(CPA、ESPA、ESNA)最常用的清洗配方 4-6二氧化硅垢的化学清洗 4-7复合膜生物污染物的清洗 4-8细菌的控制和杀除 4-9反渗透化学杀菌剂应有的特性 4-10杀菌剂的杀菌速度 4-11复合膜(CPA、ESPA、ESNA)元件消毒用杀菌剂 4-12反渗透系统化学清洗的一般方法 4-13复合膜(CPA、ESPA、ESNA)在反渗透压力容器中的保存

1.反渗透水处理系统的构成

2. 反渗透预处理—它是让您高枕无忧的关键 ★成功运行的必要条件 ★具体的预处理设计需要根据现场情况和膜元件类型确定★必须仔细考虑各种要求 ★原水的特点非常重要 ★为确保系统可靠运行,有时需要做小型实验 ★最后您将心想事成! 2-2反渗透预处理设计考虑因素 ◆膜元件种类 ◆进水水质(水源及其变化) ◆进水流量(小型或大型装置) ◆反渗透的回收率(高回收率意味着需要更好的预处理) ◆后处理设备和要求

单片机IO口结构及工作原理

、Po端口的结构及工作原理 Po端口8位中的一位结构图见下图: 地址∕ttiκ I i O i XWwfr?? 内部总线 i?引脚 PO 口工作康理图 由上图可见,P0端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成下面,先分析组成P0 口的各个部分: 先看输入缓冲器:在P0 口中,有两个三态的缓冲器,在其的输出端可以是高电平、低电平,同时还有一种就是高阻状态(或称为禁止状态),上面一个是读锁存器的缓冲器,下面一个是读引脚的缓冲器,读取P0.X引脚上的数据,要使这 个三态缓冲器有效,引脚上的数据才会传输到内部数据总线上。 D锁存器:在51单片机的32根I/O 口线中都是用一个D触发器来构成锁存器的。D 端是数据输入端,CP是控制端(也就是时序控制信号输入端),Q是输出端,Q非是反向输出端。 多路开关:在51单片机中,不需要外扩展存储器时,P0 口可以作为通用的输入输出端口(即I/O)使用,对于8031 (内部没有ROM )的单片机或者编写的程序超过了单片机内部的存储器容量,需要外扩存储器时,P0 口就作为,地址/数据? 总线使用。这个多路选择开关就是用于选择是做为普通I/O 口使用还是作为,数据/地址?总线使用的选择开关了。当多路开关与下面接通时,P0 口是作为普通的I/O 口使用的,当多路开关是与上面接通时,P0 口是作为,地址/数据?总线使用的。 输出驱动部份:P0 口的输出是由两个MOS管组成的推拉式结构,也就是说,这两个MOS管一次只能导通一个,当V1导通时,V2就截止,当V2导通时,V1截止。

Po 口作为I/O端口使用时,多路开关的控制信号为0 (低电平),V1管截止, 多路开关是与锁存器的Q非端相接的(即P0 口作为I/O 口线使用)。作为地址/数据线使用时,多路开关的控制信号为1,V1管由地址/数据线决定,多路开关与地址/数据线连接。 输出过程: 1、I/O输出工作过程:当写锁存器信号CP有效,数据总线的信号→锁存器的输入端D→锁存器的反向输出Q非端→多路开关→V2管的栅极→V2的漏极到输出端 P0.X。这时多路开关的控制信号为低电平0, V1管是截止的,所以作为输出口时,P0是漏极开路输出,类似于OC门,当驱动上接电流负载时,需要外接上拉电阻。下图就是由内部数据总线向P0 口输出数据的流程图(红色箭头)。 地址/数抵 控制信号(0. 1) PO. XWftKra 内部总线 ht t p://WWW Z Po口由内部致据忌址向31 Wtt出时的5t?≡ 2、地址输出过程 控制信号为1 ,地址信号为“(时,与门输出低电平,V1管截止;反相器输出高电平,V2管导通,输出引脚的地址信号为低电平。

实验2+++并行IO口的使用

实验二并行I/O端口的使用 一、实验目的 1.进一步熟悉Keil C、proteus软件的使用方法。 2.掌握分支结构语句、运算符和数组的运用。 3.掌握LED数码管的结构和静态显示工作原理。 二、实验内容 1.程序一:按键K0~K3,用分支语句实现P0口的多值输出。 2.程序二:用循环语句实现P0口的多值输出。 3.程序三:用数组方式控制跑马灯。 4程序四:在P2口连接的LED数码管上循环显示“0”,“1”,“2”,“3”,“4”。 三、实验仿真硬件图 在Proteus软件中建立如下图所示仿真模型并保存。 图2-1 并行I/O端口应用原理图 四、编程提示 程序一:分别用if语句、if-else-if语句、switch语句来实现当按下按键K0~K3时,对应D1~D4点亮。 程序二:运用三种基本的循环语句: for语句、while语句和do-while语句,实现D1~D8循环点亮。 程序三:用数组方式控制跑马灯。将跑马灯的全部状态用数组表达,然后用循环语句依次读取数组各元素,送P0口显示。 程序四:在P2口连接的LED数码管上循环显示“0”,“1”,“2”,“3”,“4”。思路同程序一,只不过数组元素是由共阴极数码管所对应的字形码所组成。 五、调试运行 1.四个程序在proteus仿真通过。

分别用if语句、if-else-if语句、switch语句来实现当按下按键K0~K3时,对应D1~D4点亮。 if语句的一般形式: if ( 表达式1 ) { 语句组1; } if ( 表达式 2) { 语句组2; } ... if-else-if语句的一般形式: if ( 表达式 1) { 语句组1; } else if( 表达式 2) { 语句组2; } ... else if( 表达式 n) { 语句组n; } else { 语句组n+1; } switch语句的一般形式为: switch(表达式) { case常量表达式1: 语句序列1;break; case常量表达式2: 语句序列2;break; ... case常量表达式n: 语句序列n;break; default : 语句序列n+1 } 2.运用三种基本的循环语句: for语句、while语句和do-while语句,实现D1~D8循环点亮。 for语句的一般形式:

给煤机安装

目录 1. 工程概况 1.1工程(系统或设备)概况 1.2工程量和工期 2. 编制依据 3. 作业前的条件和准备 3.1技术准备 3.2作业人员 3.3作业工机具 3.4材料和设备 3.5安全器具 3.6工序交接 3.7其它 4. 作业程序、方法 4.1 施工方案 4.2 施工工艺流程 4.3 施工方法及要求 5. 质量控制点的设置和质量通病预防 5.1质量目标 5.2 质量通病预防 5.3 作业过程中对控制点的设置 5.4 质量标准及要求 6. 作业的安全要求和环境条件 6.1作业的安全危害因素辨识和控制 6.2环境条件 7. 附录(包括记录表样、附表、附图等)

给煤机安装作业指导书要点 1工程概况及工程量 1.1工程(系统或设备)概况 简明扼要的将本项目所包含的作业项目和施工范围,设备的结构特点和布置位置、主要参数、制造厂家,设备的供货情况,以及作业环境和施工机械的使用等情况进行介绍。 1.2工程量和工期 1.2.1 工程量 描述本项工作中都包含哪些设备,并依据设计院图纸及设备清单,列出施工范围内主要设备的名称、规格(参数)、外形尺寸、重量、数量等相关技术数据。 设备统计表 1.2.2 施工工期 本内容为完成此项工作所需的绝对施工工期。从设备清点、检查开始, 到组合、安装、验收结束至计算工期。 2 编制依据

3. 作业前的条件和准备 3.1技术准备 施工技术准备应包含:施工图纸会审、施工方案的确定审批、施工措施的设计审批、施工材料设备预算编制、外委外购件的委托、作业指导书编制、施工技术交底、上道工序具备的技术条件等,以及其他相关的技术准备工作。 针对施工具体情况提出要求和达到的标准。 3.2作业人员 3.2.1 作业人员配置、资格

反渗透系统故障分析及解决方案

反渗透系统故障分析及解决方案 反渗透系统的故障现象主要有三类:透水量减少、盐透过率增大(脱盐率下降)、压降增大,但造成这些故障的原因很多,应尽量从这些故障现象中找出问题的实质,从而尽快实施检修和维持等对策。 引起故障的外部因素 一、由进水水质变化引起的反渗透故障 1、进水水质变化; 2、预处理系统无法得到优化。 二、由预处理引起的反渗透故障 1、多介质过滤器滤料乱层或偏流; 2、缓冲水箱细菌、微生物繁殖严重; 3、活性炭过滤器滤料粉化或微生物繁殖严重。 三、由保安过滤器引起的反渗透故障 1、保安过滤器直径偏小; 2、滤芯质量较差,过滤精度达不到要求; 3、滤芯压不紧,且易变形。 四、由阻垢剂加药系统引起的反渗透故障 1、阻垢剂的性能与水质不匹配; 2、阻垢剂计量泵的性能不可靠; 3、阻垢剂的过度稀释及药箱污染严重; 4、阻垢剂加药产生偏流。 五、由其它加药系统引起的反渗透故障 1、不适宜的絮凝剂带来膜元件污染; 2、氧化剂过量投加引起膜元件被氧化; 3、还原剂过量投加引起膜元件严重污堵。 六、由仪器仪表引起的反渗透故障 1、浓水流量显示偏大(实际较小)引起反渗透回收率过高产生结垢; 2、浓水流量显示偏小(实际较大)引起反渗透回收率过低产生过大压差;

3、流量读数波动引起系统判断失误。 反渗透装置常见故障 一、在初始设计时选择高压泵的扬程偏低,在温度或进水水质发生变化时引起产水量达不到设计要求; 二、膜元件被氧化引起水通量增加及产水水质下降; 三、盐水密封圈倒置引起实际回收率过高而产生结垢及水质下降现象; 四、盐水密封圈破损引起实际回收率过高而产生结垢即水质下降现象; 五、O型圈破损引起产水水质下降; 六、新旧膜元件、不同类型的膜元件的混合使用引起系统性能下降; 七、压力容器浓水止推环与浓水出口重叠或部分重叠引起回收率过高而产生结垢现象; 八、压力容器长度偏大引起浓水泄漏到产水侧使产水水质下降; 九、无段间压力表无法可靠地分析与判断反渗透运行情况; 十、较大的压差使膜元件产生望远镜效应而损坏; 十一、产水背压的提高引起产水量的下降; 十二、反渗透排列不合理引起局部膜元件水通量增加,污染速度加快; 十三、反渗透回收率设计不合理,膜元件数量偏小; 十四、颗粒性污染使膜元件产生较为严重的机械污堵,一段压差偏大,产水量及水质变差; 十五、系统停运引起污染物沉积及细菌、微生物污染; 十六、铸铁底座高压泵串联在化学清洗系统管路中。 1.jpg 反渗透常见故障分析 一、阻垢剂加药系统故障 1、阻垢剂药剂的选型有三个关键点: (1)原水详细水质分析——详细的水质分析是前提; (2)反渗透系统情况——温度、回收率、排列方式、产水量等; (3)利用专用计算机模拟加药软件,可以具体分析系统工况及进水水质情况,结合药剂性能,提供性价比最优的药剂选型。

单片机IO口结构及上拉电阻

单片机IO口结构及上拉电阻 MCS-51有4组8位I/O口:P0、P1、P2和P3口,P1、P2和P3为准双向口,P0口则为双向三态输入输出口,下面我们分别介绍这几个口线。 一、P0口和P2口 图1和图2为P0口和P2口其中一位的电路图。由图可见,电路中包含一个数据输出锁存器(D触发器)和两个三态数据输入缓冲器,另外还有一个数据输出的驱动(T1和T2)和控制电路。这两组口线用来作为CPU与外部数据存储器、外部程序存储器和I/O扩展口,而不能象P1、P3直接用作输出口。它们一起可以作为外部地址总线,P0口身兼两职,既可作为地址总线,也可作为数据总线。 图1 单片机P0口内部一位结构图

图2 单片机P0口内部一位结构图 P2口作为外部数据存储器或程序存储器的地址总线的高8位输出口 AB8-AB15,P0口由ALE选通作为地址总线的低8位输出口AB0-AB7。外部的程序存储器由PSEN信号选通,数据存储器则由WR和RD读写信号选通,因为 2^16=64k,所以MCS-51最大可外接64kB的程序存储器和数据存储器。 二、P1口 图3为P1口其中一位的电路图,P1口为8位准双向口,每一位均可单独定义为输入或输出口,当作为输入口时,1写入锁存器,Q(非)=0,T2截止,内上拉电阻将电位拉至"1",此时该口输出为1,当0写入锁存器,Q(非)=1,T2导通,输出则为0。 图3 单片机P2口内部一位结构图 作为输入口时,锁存器置1,Q(非)=0,T2截止,此时该位既可以把外部电路拉成低电平,也可由内部上拉电阻拉成高电平,正因为这个原因,所以P1口常称为准双向口。 需要说明的是,作为输入口使用时,有两种情况:

单片机实验-单片机并行IO口的应用实验

单片机并行I/O口的应用实验 一、实验目的 1、熟悉Proteus软件和Keil软件的使用方法。 2、熟悉单片机应用电路的设计方法。 3、掌握单片机并行I/O口的直接应用方法。 4、掌握单片机应用程序的设计和调试方法。 二、实验内容或原理 1、利用单片机并行I/O口控制流水灯。 2、利用单片机并行I/O口控制蜂鸣器。 三、设计要求 1、用Proteus软件画出电路原理图。要求在P1.0至P1.7口 线上分别接LED0至LED7八个发光二极管,在P3.0口线上 接一蜂鸣器。 2、编写程序:要求LED0至LED7以秒速率循环右移。 3、编写程序:要求LED0至LED7以秒速率循环左移。 4、编写程序:要求在灯移动的同时,蜂鸣器逐位报警。 四、实验报告要求 1、实验目的和要求。 2、设计要求。 3、实验程序流程框图和程序清单。 4、电路原理图。 5、实验结果 6、实验总结。 7、思考题。 五、思考题 1、编程实现LED0至LED7以十六进制计数规律亮灯? 原理图:

程序清单: /*(1)LED0~LED7以秒速率循环右移 蜂鸣器逐位报警*/ ORG 0000H MAIN:MOV A, #11111110B;赋初值 LOOP:MOV P1,A ;赋值给P1口 CPL P3.0 ;低电平有效 LCALL DELAY ;调用延时电路 SETB P3.0 ;控制蜂鸣器叫的时间间隔 LCALL DELAY RL A LJMP LOOP DELAY:MOV R7,#0FFH LOOP1:MOV R6,#0F4H LOOP2:MOV R5,#02H DJNZ R5,$ ;"$"当前的PC值,R5的内容减1不为零,继续执行该语句 DJNZ R6,LOOP2 DJNZ R7,LOOP1 RET END /*(2)LED0~LED7以十六进制计数规律亮灯*/ ORG 0000H MOV A,#0FFH LOOP: MOV P1,A LCALL DELAY DEC A CJNE A, #0FFH,LOOP MOV A, #0FFH LJMP LOOP DELAY:MOV R7, #0A7H LOOP1:MOV R6, #0ABH LOOP2:MOV R5, #10H DJNZ R5, $ ;"$"当前的PC值。R5的内容减1不为零 DJNZ R6, LOOP2 DJNZ R7, LOOP1 RET END

RO系统常见问题

RO系统常见问题Q&A 1.什么是SDI? 目前行之有效的评价RO/NF系统进水中胶体污染可能的最好技术是测量进水的淤积密度指数(SDI,又称污堵指数),这是在RO设计之前必须确定的重要参数,在RO/NF运行过程中,必须定期进行测量(对于地表水每日测定2~3次),ASTM D4189-82规定了该测试的标准。膜系统的进水规定是SDI值必须≤5。降低SDI预处理的有效物理手段有多介质过滤器、超滤、微滤等,化学手段是为了提高物理手段而配置的混凝剂,絮凝剂,杀菌剂,等等反2.一般进水应该选用反渗透工艺还是离子交换工艺? 在许多进水条件下,采用离子交换树脂或反渗透在技术上均可行,工艺的选择则应由经济性比较而定,一般情况下,含盐量越高,反渗透就越经济,含盐量越低,离子交换就越经济。由于反渗透技术的大量普及,采用反渗透+离子交换工艺或多级反渗透或反渗透+其它深度除盐技术的组合工艺已经成为公认的技术与经济更为合理的水处理方案。 3.反渗透膜元件一般能用几年? 膜的使用寿命取决于膜的化学稳定性、元件的物理稳定性、可清洗性、进水水源、预处理、清洗频率、操作管理水平等。根据经济分析通常为5年以上。 4.渗透纯水机系统应多久清洗一次?

一般情况下,当标准化通量下降10~15%时,或系统脱盐率下降10~15%,或操作压力及段间压差升高10~15%,应清洗RO系统。 清洗频度与系统预处理程度有直接的关系,SDI不是决定是否清洗或判断成因的唯一原因。清洗是对运行数据偏离的校正手段,是由数据决定的,而维持正常清洗状态的保障是良好的预处理和RO 设计,良好的运操规程,良好的控制方案(包括化学品管理方案)。 5.膜技术具有怎样的分离能力? 反渗透是目前最精密的液体过滤技术,反渗透膜对溶解性的盐等无机分子和分子量大于100的有机物起截留作用,另一方面,水分子可以自由的透过反渗透膜,典型的可溶性盐的脱除率为>95~99%。操作压力从进水为苦咸水时的7bar(100psi)到海水时的69bar(1,000psi)。纳滤能脱除颗粒在1nm(10埃)的杂质和分子量大于200~400的有机物,溶解性固体的脱除率20~98%,含单价阴离子的盐(如NaCl或 CaCl2)脱除率为20~80%,而含二价阴离子的盐(如MgSO4)脱除率较高,为90~98%。超滤对于大于100~1,000埃~微米)的大分子有分离作用。所有的溶解性盐和小分子能透过超滤膜,可脱除的物质包括胶体、蛋白质、微生物和大分子有机物。多数超滤膜的截留分子量为1,000~100,000。微滤脱除颗粒的范围约~1微米,通常情况下,悬浮物和大颗粒胶体能被截留而大分子和溶解性盐可自由透过微滤膜,微滤膜用于去除细菌、微絮凝物或总悬浮固体TSS,典型的膜两侧的压力为1~3bar.

环式给煤机工作原理及啃轨问题的处理方法

环式给煤机工作原理及 啃轨问题的修复方法 摘要:环式给煤机是圆形储煤筒仓下部使用的大型给煤设备,可均匀定量给煤,并大范围调整给煤量;当几个筒仓联用时,能够实现优劣煤种的配用,从而提高煤质的综合利用率,提升用煤单位整体经济效益。本文针对我厂输煤工序中环式给煤机的实际情况,对环式给煤机的设备组成、工作原理,生产过程中常见的啃轨现场做如下研究:首先,简述环式给煤机工作原理及技术发展状况。其次讨论了环式给煤机生产过程中常见的啃轨现场的原因及危害,本文从轨道缺陷、行走轮缺陷等方面详细分析了筒仓环式给煤机行走轮啃轨的常见原因,得出啃轨问题出现的原因及影响因素。最后,通过对筒仓环式给煤机啃轨问题的发生原因、危害判断,提出对今后生产过程中,本车间环式给煤机出现啃轨现象时的修复方法。 关键词:环式给煤机机,工作原理,啃轨,危害,原因分析,修复方法。 1.环式给煤机工作原理 环式给煤机是圆形储煤筒仓下部使用的大型给煤设备,可均匀定量给煤,并大范围调整给煤量;当几个筒仓联用时,

能够实现优劣煤种的配用,从而提高煤质的综合利用率,提升电厂的整体经济效益。圆形储煤筒仓占地面积小,不污染周边环境,不会因天气变化影响煤的水分,仓体结构利于破拱,仓内煤始终保持先进、先出的原则,杜绝了筒仓积煤、堵煤现象,符合节能环保的要求。环式给煤机工作时是沿圆弧轨道行走的,环式给煤机主要由犁煤车、卸煤车、水平定位轮、落料斗、密封罩、驱动装置、电控系统组成。犁煤车和卸煤车回转体为环形箱式结构,二者均由水平轮定位;驱动装置对称布置;采用销齿传动;可设置多个犁煤器并均匀分布。卸煤器安装在卸煤车上方横梁上,卸料犁支架绕固定轴转动,筒仓下口设环形缝隙式煤槽,并须设置犁煤层、卸煤层和带式输送机层。犁煤车和卸煤车均由电机减速机拖动,两车运行速度不同,方向向反。当犁煤车运转时,位于筒仓底部的犁煤器把煤从筒仓环式缝隙中犁下,落到运行着的卸煤车上,继而卸煤器把卸煤车上的煤犁到落煤斗中,直落到下层带式输送机上阻止卸煤车上的煤向密封罩外溢。根据需要,通过变频器调节犁煤车转速,实现连续调节环式给煤机的出力。环式给煤机是输煤系统中必不可少的关键设备之一,能否平稳运行直接影响后续生产工艺。对整个工艺生产流程起着决定性的作用。 2.环式给煤机的啃轨原因

反渗透常见故障及处理办法

反渗透常见故障及处理办法

反渗透系统常见故障排除 反渗透系统的故障通常至少出现下列情况之一: 标准化后产水量下降,通常需要提高运行压力来维持额定的产水量; 标准化后脱盐率降低,在反渗透系统中表现为产水电导率升高; 压降增加,在维持进水流量不变的情况下,进水与浓水间的压差增大; 下面将详细的讨论上述三种主要故障。 一、标准化后产水量下降 RO系统出现标准化后产水量降低,可根据下面三种情况寻找原因: RO系统的第一段产水量降低,则存在颗粒类污染物的沉积; RO系统的最后一段产水量降低,则存在结垢污染; RO系统的所有段的产水量都降低,则存在污堵; 根据上述症状,出现问题的位置,确定故障的起因,并采取相应的措施,依照“清洗导则”进行清洗等。另外反渗透系统出现产水量下降的同时还会伴随有脱盐率降低、升高等情况。 (1)标准化后产水量下降脱盐率降低 标准化后产水量下降脱盐率降低是最常见的系统故障,其可能的原因是: 一、胶体污堵 为了辨别胶体污堵,需要: 测定原水的SDI值; 分析SDI测试膜膜表面的截留物; 检查和分析第一段第一支膜元件端面上的沉积物; 二、金属氧化物污堵 金属氧化物污堵主要发生在第一段,通常的故障原因是: 进水中含铁和铝 进水中含H2S并有空气进入,产生硫化盐; 管道、压力容器等部件产生的腐蚀产物; 三、结垢 结垢是微溶或难溶盐类沉积在膜的表面,一般出现在预处理较差且回收率较高的苦咸水系统中,常常发生在RO系统的最后一段,然后逐渐向前一段扩

镜现象会造成膜元件的机械损坏。 ③膜表面磨损 这种情况常常是因为RO系统前端的元件受到水中结晶体或具有尖锐外缘的金属悬浮物的磨损造成的。 ④产水背压 任何时刻,产水压力高于进水或浓水压力0.3bar,复合膜就可能发生复合层间的剥离,从而损坏膜元件。 (2)标准化后脱盐率下降产水量升高 产生这种症状的原因有: ①膜氧化 当膜接触到水中的氧化性物质后,膜被氧化破坏,这是不可逆的化学损伤,一旦出现这种情况,只能更换所有膜元件。 ②泄漏 膜元件或中心管严重的机械损坏将导致进水或浓水渗入产水中,特别是当运行压力较高时,问题就越严重。 三、压降增加 进水与浓水间的压差称为压降;每一支含多支膜元件的压力容器压降上限为3.5bar,每一支玻璃钢外包皮膜元件的压降上限为1bar。当进水流量恒定时,压降的增加常常是由于元件进水网格流道内存在污染物或结垢物,一旦进水流道被堵塞,常常会伴有产水量的下降。 下面为引起压降增加的常见的原因: ①结垢 结垢常常会引起最后一段膜元件压降的增加,必须保证采取了控制结垢的适当措施,并采用合适的化学药剂清洗膜元件,同时保证不超过系统的设计回收率。 ②生物污堵 生物污堵常常会引起RO系统前端压降的显著增加,并会对进水水流

相关文档
最新文档