中科院光电所研制出实用深紫外光刻机

中科院光电所研制出实用深紫外光刻机
中科院光电所研制出实用深紫外光刻机

中科院光电所研制出实用深紫外光刻机

近日,中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm 的实用深紫外光刻机(Mask aligner ),光刻分辨力达到500nm 。Mask aligner 因使用方便、效率高、成本低,一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中,光刻所采用的波段是决定光刻分辨力的重要因素之一。长期以来,国产Mask aligner 均采用紫外波段

(350nm 至450nm ),分辨力只能做到1ym以上。而对于

200nm至1 ^m的微纳器件复制,只能采用进口紫外投影光刻机,200nm 以下分辨力则只能采用进口深紫外投影光刻机。光电所该型设备的成功研制,填补了国内商用化深紫外光刻机的空白,可低成本解决500nm 以上器件的高效复制,具有很好的社会经济效益。光电所微电子专用设备研发团队积极响应客户需求,大胆创新,成功解决了低成本深紫外光源、深紫外高均匀性匀光技术、新型深紫外介质膜镀膜技术以及非球面准直技术等诸多难点。该型设备仅需通过更换滤光模块,便可实现紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切换。同时,该型设备以光电所URE-2000 系列紫外光刻机为基台(已经销售550 台,其中出口30 多台),配有高精度对准模块、真空曝光模式、双面曝光模式、纳米压印模式、接近式模式、数字设定曝光间隙等诸多功能供用户选择或定制,能满足不同光刻工艺需求。该设备自动化程度高、操作十分方便、外形美观。该型

设备的成功研制,是光电所光刻机团队将光刻工艺需求与设备研发紧密结合的产物,市场前景十分广阔。光电所研发团队还积极与潜在用户单位进行需求沟通和工艺探索,利用中紫外波段(峰值波长310nm )在光敏玻璃(FOTURANII)上完成了高深宽比结构的制备直接光刻,设备已经销售数台,并与德国肖特

(SCHOTT)公司达成合作协议。⑻设备外观图;(b)设备输出光谱实测曲线

光电探测器调研报告

题目:光电探测器的原理及国内外研究现状 学生姓名:学号: 院(系):专业:

光电探测器的原理及国内外研究现状 摘要 概述了光电探测器的分类和基本原理,并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了光电探测器国内外研究现状,预测了硅基雪崩光电探测器在军事和激光雷达等方向的应用前景。 关键词:光电探测器;硅基雪崩光电探测器;激光雷达 Principle and Research Statue at Home and Abroad of photoelectric detector Abstract Described the basic principle and assortment of the photoelectric detector. The domestic and abroad research statue from the aspects of material selection and device main applications is summarized. At last the application prospects of silicon-based avalanche photodetector are predicted, such as research on military and laser radar. Keywords: phoroelectric detector;silicon-based avalanche photodetector;laser radar

1 引言 光电探测器的发展历史比较悠久,已有上百年的研究历史。由于这种器件在军事和民用中的重要性,发展非常迅速。随着激光与红外技术的发展,材料性能的改进和制造工艺的不断完善,光电探测器朝这集成化的方向发展。这大大缩小体积、改善性能、降低成本。此外将光辐射探测器阵列与CCD 器件结合起来,可以实现信息的传输也可用于热成像领域。 因此,进一步研究光电探测器是一项重要课题,本文章就从原理及国内外最新的研究状况探索光电探测器领先应用。 2 光电探测器入门 2.1 光电探测器的发展历史 最早用来探测可见光辐射和红外辐射的光辐射探测器是热探测器。其中,热电偶早在1826年就已发明出来【1】。1880年又发明了金属薄膜测辐射计。1947年制成了金属氧化物热敏电阻测辐射热计。1947年又发明了气动探测器。经过多年的改进和发展,这些光辐射探测器日趋完善,性能也有了较大的改进和提高。但是,与光子探测器相比,这些光辐射探测器的探测率仍较低,时间常数也较大。从五十年代开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作,发现它具有许多独特的优点,因此近年来有关热释电探测器的研究工作特别活跃,发展异常迅速。热释电探测器的发展以使得热探测器这个领域大为改观,以致有人估计热释电技术将成为发展电子——光学工业的先导。 应用广泛的光子探测器,除了发展最早、技术上也最成熟、响应波长从紫光到近红外的光电倍增管以外,硅和锗材料制作的光电二极管、铅锡、Ⅲ~Ⅴ族化合物、锗掺杂等光辐射探测器,目前均已达到相当成熟的阶段,器主要性能已接近理论极限。 1970年以后又出现了一种利用光子牵引效应制成的光子牵引探测器。其主要用于CO 2 激光的探测。八十年代中期,出现了利用掺杂的GaAs/AlGaAs材料、基于导带跃迁的新型光探测器——量子阱探测器。这种器件工作于8~12μm波段,工作温度为77K。 2.2 光电探测的分类及原理 光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。 光电探测器的工作原理是基于光电效应【2】。热探测器是用探测元件吸收入射辐射而产生热、造成温升,并借助各种物理效应把温升转换成电量的原理而制成的器件。最常用的有温差电偶、测辐射热计、高莱管、热电探测器。一般来说,热探测器的接收元由于表面涂黑它的光谱响应是无选择性的,它只受透光窗口光谱透射特性的限制,因此主要应用于红外区和紫外区,但它的响应率较低、响应速度慢、机械强度低,近来由于热电探测器和薄膜器件的发展,上述缺点已有所改进。 光子型探测器,利用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件,如光电管、光电倍增管和红外变像管等。这些器件都包含一个对光子敏感的光电阴极,当光子投射到光电阴极上时,光子可能被光电阴极中的电子吸收,获得足够大能量的电子能逸出光电阴极而成为自由的光电子。在光电管中,光电子在带正电的阳极的作用下运动,构成

光电探测技术发展概况

光电探测技术发展概况 学号:20121226465姓名:熊玉宝 摘要:本文扼要论述光电探测技术重要性,并简要地介绍了光电探测技术的几种主要方法及发展趋势。 关键词:光电;探测;技术 光电探测技术是根据被探测对象辐射或反射的光波的特征来探测和识别对象的一种技术,这种技术本身就赋予光电技术在军事应用中的四大优点,即看得更清、打得更准、反应更快和生存能力更强。 光电探测技术是现代战争中广泛使用的核心技术,它包括光电侦察、夜视、导航、制导、寻的、搜索、跟踪和识别多种功能。光电探测包括从紫外光(0.2~0.4μm)、可见光(0.4~0.7μm)、红外光(1~3μm,3~5μm,8~12μm)等多种波段的光信号的探测。 新一代光电探测技术及其智能化,将使相关武器获得更长的作用距离,更强的单目标/多目标探测和识别能力,从而实现更准确的打击和快速反应,在极小伤亡的情况下取得战争的主动权。同时使武器装备具有很强的自主决策能力,增强了对抗,反对抗和自身的生存能力。实际上,先进的光电探测技术已成为一个国家的军事实力的重要标志。 现代高技术战争的显著特点首先是信息战,而信息战中首要的任务是如何获取信息。谁获取更多信息,谁最早获取信息,谁就掌握信息战的主动权。光电探测正是获取信息的重要手段。微波雷达和光电子成像设备常常一起使用,互相取长补短,相辅相成,可以获取更多信息,可以更早获取信息。前者作用距离远,能全天候工作;后者分辨率高,识别能力和抗干扰能力强。无论侦察卫星、预警卫星、预警飞机还是无人侦察机往往同时装备合成孔径雷达和CCD相机、红外热像仪或多光谱相机。为改进对弹道导弹的预警能力,美国正在研制的天基红外系统(SBIRS)拟用双传感器方案,即一台宽视场扫描短波红外捕获传感器和一台窄视场凝视多色(中波/长波红外、长波红外/可见光)跟踪传感器,能捕获和跟踪弹道导弹从发射到再入大气的全过程。美国已经装备并正在不断改进的CR-135S眼镜蛇球预警机,采用可见光和中波红外像机,能精确测定420km外的导弹发射,确定发动机熄火点,计算出它的弹道和碰撞点。最近在上面加了一台远程激光测距机,其作用距离可达400km。美国海军也在为战区弹道导弹防御

全国研究所代码 (标准)

研究所代码 代码研究所 80005 中国科学院武汉岩土力学研究所 80007 中国科学院力学研究所 80008 中国科学院物理研究所 80009 中国科学院高能物理研究所 80010 中国科学院声学研究所 80012 中国科学院理论物理研究所 80014 中国科学院上海原子核研究所 80017 中国科学院近代物理研究所 80018 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所80019 中国科学院国家天文台长春人造卫星观测站80020 中国科学院武汉物理与数学研究所 80021 中国科学院紫金山天文台 80022 中国科学院上海天文台 80023 中国科学院云南天文台 80024 中国科学院国家授时中心 80025 中国科学院国家天文台 80026 中国科学院声学研究所东海研究站 80027 中国科学院渗流流体力学研究所 80028 中国科学院新疆理化技术研究所 80029 中国科学院自然科学史研究所 80030 中国科学院理化技术研究所 80032 中国科学院化学研究所 80033 中国科学院广州化学研究所 80035 中国科学院上海有机化学研究所 80036 中国科学院成都有机化学研究所 80037 中国科学院长春应用化学研究所 80038 中国科学院大连化学物理研究所 80039 中国科学院兰州化学物理研究所 80040 中国科学院上海硅酸盐研究所 80041 中国科学院过程工程研究所 80042 中国科学院生态环境研究中心 80043 中国科学院山西煤炭化学研究所 80045 中国科学院福建物质结构研究所 80046 中国科学院青海盐湖研究所 80053 中国科学院兰州地质研究所 80054 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 80055 中国科学院南京地质古生物研究所 80057 中国科学院测量与地球物理研究所 80058 中国科学院大气物理研究所 80060 中国科学院地理科学与资源研究所 80061 中国科学院南京地理与湖泊研究所

我的中科院理化所考研经历

我的中科院理化所考研经历 回想起考研那段经历,感受最深的就是考研是一场生命的历练,是一次重要的洗礼,是人生中的一次蜕变。只有真正体验过,才能真正感悟其中的奥妙,才能获得身心的提升,才能变得更加成熟! 国学大师王国维在他的《人间词话》中这样描述了人生的三种境界:第一种是"昨夜西风凋碧树,独上高楼,望断天涯路";第二种是"衣带渐宽终不悔,为伊消得人憔悴";第三种是"众里寻他千百度,蓦然回首,那人却在灯火阑珊处"。这里姑且借用它来描述我的考研历程。 昨夜西风凋碧树,独上高楼,望断天涯路 我考研的想法在大二时就已萌发,但当时并没有去准备,对于包括要考哪里、考什么方向等在内的问题都没有认真地去考虑,只是感觉自己对研究一直抱有很高的热情,比较适合从事研究工作。真正开始认真地考虑这个问题是在大三下学期。那时,2004级的师兄师姐刚面试完,所以很多同学到他们那里取经、搜集资料,学院里也组织了几次考研经验交流会。经过多方面的比较之后,我决定报考中国科学院有机化学方向的研究生。刚开始选定的是上海有机所,但后来却历经波折,直到网上确认完才算真正定下来。9月下旬我们学校通知保研名额,但是学院里说不能外保,这样前十个中九个放弃保研,其中有四个选择报考上海有机所,而且他们的实力都非常强。选择保研还是继续考试?当时家人、同学都劝我慎重考虑,理由是竞争压力太大,我们学校不是非常好的名校,所以即使过线也不可能全要,相对而言,选择保送就稳妥得多;还有女生从事有机化学研究危害性太大但是我们学院没有外保,如果想保研只能留在本校。难道就要这样放弃自己曾经的梦想,从此与中国科学院无缘?不,这不是我想要的!经过慎重考虑,我决定和命运赌一次,就算结果不如想象得理想,但至少自己已尽力了,不会留下太多的遗憾 衣带渐宽终不悔,为伊消得人憔悴 大三下学期我们的课程还是比较多,看了一段时间的有机化学之后,我感觉这东西太繁杂,没有比较完整的时间对知识进行梳理是很难系统掌握的。当时我们的专业课正在学习结构化学和物理化学(下册),所以我就决定先把开设的课程学好,暑假再开始有机化学的复习。可那年暑假因为奥运会,学校限电,教室晚上也不开,整个暑假也就没有认真地复习。不过,每天晚上和同学一块儿听奥运广播成了那个暑假最深刻而美好的记忆。9月开学后算是真正进入备考阶段:先是系统地复习专业课的主要内容和基本知识点,然后就是做习题、做真题、研究真题。这期间我对重要知识点、易错知识点和难点作了比较详细的整理。最后冲刺阶段我基本上是按照考试安排在作适应性训练:上午、下午分别做相应科目的试题,晚上就开始分析、总结,不断地查漏补缺。 对于英语,我一向不大喜欢单纯地记单词,而且也记不住,而是比较喜欢阅读。所以,在其他同学拿着词汇书记单词时,我选择了多看多读,以此来扩充词汇量。就这样我每周坚持一定的阅读量,如《英语文摘》、《英语沙龙》、《21世纪报》等,有时间我就会去读。

中科院所有研究所

北京市 数学与系统科学研究院 力学研究所 物理研究所 高能物理研究所 声学研究所 理论物理研究所 国家天文台 渗流流体力学研究所 自然科学史研究所 理化技术研究所 化学研究所 过程工程研究所 生态环境研究中心 古脊椎动物与古人类研究所大气物理研究所 地理科学与资源研究所 遥感应用研究所 空间科学与应用研究中心 对地观测与数字地球科学中心地质与地球物理研究所 数学科学学院 物理学院 化学与化工学院 地球科学学院 资源与环境学院 生命科学学院 计算机与控制学院 管理学院 人文学院

外语系 工程管理与信息技术学院 材料科学与光电技术学院 电子电气与通信工程学院 华大教育中心 动物研究所 植物研究所 生物物理研究所 微生物研究所 遗传与发育生物学研究所 心理研究所 计算技术研究所 工程热物理研究所 半导体研究所 电子学研究所 自动化研究所 电工研究所 软件研究所 国家科学图书馆 微电子研究所 计算机网络信息中心 科技政策与管理科学研究所 北京基因组研究所 青藏高原研究所 光电研究院 国家纳米科学中心 信息工程研究所 空间应用工程与技术中心(筹)天津市 天津工业生物技术研究所

河北省 渗流流体力学研究所 遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心山西省 山西煤炭化学研究所 辽宁省 大连化学物理研究所 沈阳应用生态研究所 沈阳计算技术研究所 金属研究所 沈阳自动化研究所 吉林省 长春人造卫星观测站 长春应用化学研究所 东北地理与农业生态研究所 长春光学精密机械与物理研究所 上海市 上海应用物理研究所 上海天文台 声学研究所东海研究站 上海有机化学研究所 上海硅酸盐研究所 上海生命科学研究院 上海药物研究所 上海微系统与信息技术研究所 上海光学精密机械研究所 上海技术物理研究所 上海巴斯德研究所

ZnMgO紫外探测器研究现状

ZnMgO紫外探测器研究现状 1 引言 ZnO是一种直接宽带隙的半导体材料(禁带宽度为3.37 eV),在室温下有很高的激子束缚能(60 meV),外延生长温度低,抗辐射能力强。通过Mg的掺入可实现禁带宽度从3.3 eV 到7.8 eV可调的ZnMgO合金,ZnMgO作为优良的紫外光电材料在光电系统中有着广泛的应用,像LED、光探测器和太阳能电池等,特别是紫外光探测器方面的应用。紫外探测器广泛用于矿井可燃气体和汽车尾气的监测、固体燃料成分分析、环境污染监测、细胞癌变分析、DNA 测试、准分子激光器检测等领域。在军事上可用于导弹跟踪、火箭发射、飞行器制导以及生化武器的探测。在现实生活中,用于火灾监测、紫外通信以及紫外线辐射的测量。随着紫外线的广泛应用,紫外探测器在环保、医学、军事等领域将得到更广泛的应用。作为一种宽禁带半导体材料,ZnMgO近年来受到了研究人员的广泛关注。 2 ZnMgO紫外光探测器的研究进展 ZnMgO薄膜材料生长和紫外探测器的研究主要有美国、日本,印度、南韩等国家,薄膜生长方法以脉冲激光沉积(PLD),分子束外延(MBE),金属有机化学气相沉积(MOCVD),和磁控溅射等为主。 自1998年日本东京技术研究所用PLD方法在蓝宝石(0001)衬底上生长出了Mg组分达0.33的ZnMgO单晶薄膜之后,高Mg组分的ZnMgO薄膜材料生长和紫外探测器研究引起了人们的极大兴趣。美国北卡罗那州大学,马里兰大学都相继报道了ZnMgO薄膜的生长及光学特性研究;南韩Pohang科技大学采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了Mg组分(0-0.49)连续可调的ZnMgO薄膜,并有X-射线衍射(XRD)谱表明未发生结构分相。这些结果已远远超过平衡态下Mg在ZnO中的固溶度值≤4%。以上ZnMgO薄膜大都是在单晶衬底和较高的衬底温度(350-750℃)上生长,而日本Ritsumeikan大学和印度德里大学均采用磁控溅射方法,在不加热的硅和石英衬底上生长出了Mg组分0.42和0.46的ZnMgO薄膜,结果表明薄膜仍未发生结构分相。 随着ZnMgO薄膜生长的发展,其紫外探测器的进展也很快,首先由美国马里兰大学在2001 年利用PLD设备在蓝宝石衬底上实现了MSM结构Zn 0.66Mg 0.34 O光电导型紫外探测器,如图1所 示(图1中为308nm、0.1μW紫外线光照射下的响应度随时间的关系曲线)。该探测器的暗电流在5 V偏压下为40 nA左右,探测截止波长在317 nm,在5V偏压下响应峰值308 nm处的响应度为1200 A/W, 紫外/可见抑制比在4个数量级以上,器件的瞬态响应测量表明该探测器具有快的响应速度,其响应时间的上升沿为8ns,下降沿为1.4μs。2003年,该研究组又 利用Mg x Zn 1-x O薄膜横向Mg含量的梯度分布, 成功制成了单片多通道的紫外探测器阵列。从 ZnO到六方Mg 0.4Zn 0.6 O可探测380 nm到300 nm的紫外光,单个探测器响应时间为8 ns。与传 统光波导光栅和薄膜滤光器相比,这种利用连续成分扩展组成探测阵列的单片微型光电探测 器具有集成度高、可探测紫外光范围广等特点。此后该小组又用SrTiO 3 作缓冲层以克服Si(100) 和Mg x Zn 1-x O间的晶格及热膨胀失配,异质外延生长立方结构Mg x Zn 1-x O薄膜,基于Mg 0.68 Zn 0.32 O/

中科院各大研究所

中国科学院数学与系统科学研究院 *中国科学院数学研究所 *中国科学院应用数学研究所 *中国科学院系统科学研究所 *中国科学院计算数学与科学工程计算研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院理论物理研究所 中国科学院高能物理研究所 中国科学院力学研究所 中国科学院声学研究所 中国科学院理化技术研究所 中国科学院化学研究所 中国科学院生态环境研究中心 中国科学院过程工程研究所 中国科学院地理科学与资源研究所 中国科学院国家天文台 *中国科学院云南天文台 *中国科学院乌鲁木齐天文工作站 *中国科学院长春人造卫星观测站 *中国科学院南京天文光学技术研究所 中国科学院遥感应用研究所 中国科学院地质与地球物理研究所 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 中国科学院大气物理研究所 中国科学院植物研究所 中国科学院动物研究所 中国科学院心理研究所 中国科学院微生物研究所 中国科学院生物物理研究所 中国科学院遗传与发育生物学研究所 *中国科学院遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心(原中国科学院石家庄农业资源研究所) 中国科学院计算技术研究所 中国科学院软件研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院微电子研究所 中国科学院电子学研究所 中国科学院自动化研究所 中国科学院电工研究所 中国科学院工程热物理研究所 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院自然科学史研究所 中国科学院科技政策与管理科学研究所

中国科学院光电研究院 北京基因组研究所 中国科学院青藏高原研究所 国家纳米科学中心 院直属事业单位(京外) 中国科学院山西煤炭化学研究所 中国科学院沈阳分院 中国科学院大连化学物理研究所 中国科学院金属研究所 中国科学院沈阳应用生态研究所 中国科学院沈阳自动化研究所 中国科学院海洋研究所 青岛生物能源与过程研究所(筹) 烟台海岸带可持续发展研究所(筹) 中国科学院长春分院 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院长春应用化学研究所 中国科学院东北地理与农业生态研究所 *中国科学院东北地理与农业生态研究所农业技术中心(原中国科学院黑龙江农业现代化研究所) 中国科学院上海分院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院上海有机化学研究所 中国科学院上海应用物理研究所(原子核研究所) 中国科学院上海天文台 中国科学院上海生命科学院 *生物化学与细胞生物学研究所 *神经科学研究所 *药物研究所 *植物生理生态研究所 *国家基因研究中心 *健康科学研究中心 *中国科学院上海生命科学信息中心 *营养科学研究所 *中国科学院上海生物工程研究中心 中国科学院上海巴斯德研究所(筹) 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院城市环境研究所 中国科学院宁波材料技术与工程研究所(筹) 中国科学院南京分院

中国科学院理化技术研究所科研物资采购管理暂行办法

中国科学院理化技术研究所 科研物资采购管理暂行办法 为规范理化所科研物资采购管理,严格执行国家相关法规和管理制度,根据财政部和中国科学院有关事业单位国有资产管理实施办法以及政府采购的相关规定,结合我所实际情况特制订《理化所科研物资采购管理暂行办法》。 一、科研物资采购范围 科研物资采购范围包括科研材料与科研设备等。 科研材料主要指用于科研活动直接需要和间接需要的不纳入固定资产管理的各类物资; 科研设备包括整机设备、自行研制设备、委托加工设备等。 二、科研物资采购经费 科研物资采购经费包括课题项目经费、所公用经费以及研究所其它经费等。 三、科研物资采购流程 科研物资采购流程包括采购计划报批、确定采购方案、实施采购、验收入库等环节。 1.采购计划报批:

凡属政府采购范围内的科研物资,采购部门须在采购计划报批之前,根据上级部门的统一要求提前跨年度申报预算(具体申报时间以所资产办下发通知为准)。 采购3万元(含)以上科研物资,采购部门须填报《理化所科研物资采购审批表》(附件1)。其中主管业务部门须依据项目任务书或科研活动的需要对物资采购申请进行严格把关。 其中对于采购金额在50万元(含)以上的进口设备,采购部门实施采购前,还需通过资产办组织所外专家进行评审,并上报财政部审批。 2.确定采购方案: 采购部门在完成《理化所科研物资采购审批表》逐级审批后,即可进入采购方案的论证阶段。须组建采购小组,由采购小组组织并通过调研和论证等方式确定采购方案,填报《理化所科研物资采购方案论证报告》(附件2)。 对于单项或批量采购金额一次性在50万元(含)以上的科研物资,须执行政府采购相关规定。 对于单项或批量采购金额一次性在120万元(含)以上的科研物资,须采用公开招标方式(由资产办组织实施),附招投标过程相关文件与材料。 对于委托加工与研制的科研物资,附选定供货商的资质证明等(有效期限内的营业执照、生产许可证复印件)。

中科院光电所研制出实用深紫外光刻机

中科院光电所研制出实用深紫外光刻机 近日,中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm 的实用深紫外光刻机(Mask aligner ),光刻分辨力达到500nm 。Mask aligner 因使用方便、效率高、成本低,一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中,光刻所采用的波段是决定光刻分辨力的重要因素之一。长期以来,国产Mask aligner 均采用紫外波段 (350nm 至450nm ),分辨力只能做到1ym以上。而对于 200nm至1 ^m的微纳器件复制,只能采用进口紫外投影光刻机,200nm 以下分辨力则只能采用进口深紫外投影光刻机。光电所该型设备的成功研制,填补了国内商用化深紫外光刻机的空白,可低成本解决500nm 以上器件的高效复制,具有很好的社会经济效益。光电所微电子专用设备研发团队积极响应客户需求,大胆创新,成功解决了低成本深紫外光源、深紫外高均匀性匀光技术、新型深紫外介质膜镀膜技术以及非球面准直技术等诸多难点。该型设备仅需通过更换滤光模块,便可实现紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切换。同时,该型设备以光电所URE-2000 系列紫外光刻机为基台(已经销售550 台,其中出口30 多台),配有高精度对准模块、真空曝光模式、双面曝光模式、纳米压印模式、接近式模式、数字设定曝光间隙等诸多功能供用户选择或定制,能满足不同光刻工艺需求。该设备自动化程度高、操作十分方便、外形美观。该型

设备的成功研制,是光电所光刻机团队将光刻工艺需求与设备研发紧密结合的产物,市场前景十分广阔。光电所研发团队还积极与潜在用户单位进行需求沟通和工艺探索,利用中紫外波段(峰值波长310nm )在光敏玻璃(FOTURANII)上完成了高深宽比结构的制备直接光刻,设备已经销售数台,并与德国肖特 (SCHOTT)公司达成合作协议。⑻设备外观图;(b)设备输出光谱实测曲线

中国科学院理化技术研究所科技成果转移转化奖励办法

中国科学院理化技术研究所 科技成果转移转化奖励办法 第一章总则 第一条为激励技术创新并促进科技成果转化,建立适应科技创新规律的体制和机制,保护国家、集体、个人等相关各方的权益和利益,促进中国科学院理化技术研究所(以下简称理化所)从重视科技创新向同时重视转移转化转变,根据《国务院办公厅转发科技部等部门关于促进科技成果转化若干规定的通知》(国办发[1999]29号)、《中央级事业单位国有资产管理暂行办法》(财教[2008]13号)、《中国科学院院属事业单位对外投资管理暂行办法》(科发计字〔2010〕42号)、《中关村国家自主创新示范区企业股权和分红激励实施办法》(财企〔2010〕8号)等制定本条例。 第二条中国科学院理化技术研究所代表国家和中国科学院行使理化所科技成果及相关的知识产权的权利,对创新成果的知识产权享有使用权、处置权和收益权;科技成果和成果价值贡献者依法享有相应的权利。 第三条科学合理的安排短、中、长期收益,鼓励重大项目或有重要商业价值的成果入股企业。

第四条本办法所称科技成果转移转化包含成果的转移、转化、成果对外投资、所企联合实验室或共建研发中心及创新创业等一切关于技术成果和知识产权的创造、增值、交易等经济行为。 第五条本条例坚持公开、公平、公正原则。 第二章奖励、激励 第六条根据《国务院办公厅转发科技部等部门关于促 进科技成果转化若干规定的通知》(国办发[1999]29号)等有关规定,对成果的完成人和为成果转化做出重要贡献的其他人员依法给予奖励。 奖励依照成果转化方式,采用现金、股权、期股期权或与其它方式的组合等。 第七条科技成果作价入股企业的,成果入股金额的一 定比例(≤30%)奖励给成果完成人和为成果转化做出重要 贡献的其他人员;由研究所持有的其余股权,按研究所50%、研究单元50%的比例进行收益分配; 对成果完成人的奖励,经职代会讨论通过可超过30%, 其余的股权收益分配比例由成果完成人和策划部共同提出 建议案报所务会确定。 对外投资时未实行股权奖励的,其投资收益或股权出售收入参照本条款执行。

中国科学院光电技术研究所调研报告汇总

中国科学院光电技术研究所 调研报告 报告人:周亮宁 测控技术与仪器01班 引言 此次调研旨在搜集中国科学院光电技术研究所的工作和研究生教育方面的信息,以期能对测控技术与仪器专业在校学生研究生报考和求职起到良好的作用。本调研报告包括中科院和光电技术研究所的概况,主要研究成果概况,招聘和招生信息,薪酬待遇和福利,单位地址附近生活环境等。由于时间有限,本报告所有信息均来自互联网。 一、中科院概况 1949年,伴随着新中国的诞生,中国科学院成立。 中国科学院有光电类直属事业单位包括光电研究院、光电技术研究所,光电类国家工程研究中心光电子器件国家工程研究中心等多个与测控技术与仪器专业息息相关的单位和部门。 在高技术研究与发展领域,中国科学院共有28个研究所、2个技术支撑单位、1个国家实验室、43个国家重点实验室和院重点实验室。主要工作涉及信息技术、先进制造、光电科技、材料、能源、交通、化学工程和空间科学技术等领域,曾为中国计算机、激光、合成橡胶、“两弹一星”等研究做出过重大贡献。为了强化研究所的科技成果转化能力和工业配套能力,建成31个国家工程中心和院工程中心,并按现代企业制度管理,形成一个高技术企业群体。各研究所积极承担国家重点基础研究计划、国家高技术研究发展计划、国家重点科技攻关计划等国家重大科技任务,加强与企业的合作,取得了一系列重大成果。工业机器人产业化、实践五号科学实验卫星和风云系列气象卫星的有效载荷、小型化超强超短激光、纳米材料、有机合成化学、40万千瓦蒸发冷却电机曙光3000超级服务器、“龙芯”高性能CPU芯片等大批创新研究成果,为中国信息技术和自动化、

化工与材料、能源等领域的科技发展写下了新的篇章。并且不断推动高新技术产业化,坚持面向国家战略需求,加强关键技术创新与集成,加强科技创新成果的转化,为中国产业结构调整、保持经济快速增长以及社会可持续发展做出了直接贡献。 中国科学院于1958年创办中国科学技术大学,是一个以前沿科学和高新技术为主、兼有特色管理和人文学科的全国重点大学。中国科大是国家首批7所“211工程”和首批9所“985工程“重点建设的大学之一,中国科学技术大学为中国科学院输送大批人才。中国科学院于1951年与高校一起开始实行统一计划招收研究生制度,1977年率先恢复因“文革”而中断的研究生招生,1978年经党中央批准成立了中国第一个研究生院——中国科学技术大学研究生院。在不断发展中,形成了以中国科学技术大学和中国科学院大学(原中国科学院研究生院)为核心、覆盖全院研究所的教育体系,形成了独具特色的两段式研究生教育模式,研究生教育质量不断提高。 二、中科院光电技术研究所概况 中国科学院光电技术研究所(简称光电所)始建于1970年,是中国科学院在西南地区规模最大的研究所。1999年进入科学院知识创新工程试点,2006年进入创新三期,并被评估确定为科学院A类(优秀)研究所。 中国科学院光电技术研究所建所以来,光电所在自适应光学、光束控制、应用光学等领域取得了多项重大成就,先后取得包括国家科技进步特等奖在内的500余项科技成果,申请专利380余件,授权专利180余件,发表论文3100余篇。与此同时,广泛开展国内外学术交流与合作,多次承办国际先进光学制造和检测会议等国际学术交流活动。 光电所以国家需求为牵引,面向世界光电科技领域发展前沿,重点开展光电工程应用基础性、前瞻性的高技术研究与系统集成创新研究。建有国家863计划光束控制重点实验室、863计划自适应光学重点实验室和国家唯一的微细加工光学技术国家重点实验室。主要研究领域包括:光束控制、自适应光学、天文目标光电观测与识别、光电精密跟踪测量、微光学及微电子光学、先进光学制造、生物医学光学等,承担有国家863、973、自然科学基金、部委重大重点项目及企业委托开发项目研究,研究水平居国内领先或国际先进。 全所设有“光学工程”博士后流动站,设有“光学工程”、“信号与信息处理”、“测试计量技术与仪器”3个博士学位授权点,“光学”、“光学工程”、“机械制造及其自动化”、“精密仪器及机械”、“测试计量技术及仪器”、“物理电子学”、“信

光电探测器简介、现状及分析

光电探测器的发展现状及分析 摘要 概述了光电探测器的分类和基本原理,并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了光电探测器国内外研究现状,预测了硅基雪崩光电探测器在军事和激光雷达等方向的应用前景 关键词光电探测器分类原理发展现状 一光电探测器原理 光子型探测器( photondetector) 利用外光电效应或内光电效应制成的辐射探测器,也称光电型探测器。探测器中的电子直接吸收光子的能量,使运动状态发生变化而产生电信号,常用于探测红外辐射和可见光。 用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件,如光电管、光电倍增管和红外变像管等。这些器件都包含一个对光子敏感的光电阴极,当光子投射到光电阴极上时,光子可能被光电阴极中的电子吸收,获得足够大能量的电子能逸出光电阴极而成为自由的光电子。在光电管中,光电子在带正电的阳极的作用下运动,构成光电流。光电倍增管与光电管的差别在于,在光电倍增管的光电阴极与阳极之间设置了多个电位逐级上升并能产生二次电子的电极(称为打拿极)。从光电阴极逸出的光电子在打拿极电压的加速下与打拿极碰撞,发生倍增效应,最后形成较大的光电流信号。因此,光电倍增管具有比光电管高得多的灵敏度。红外变像管是一种红外-可见图像转换器,它由光电阴极、阳极和一个简单的电子光学系统组成。光电子在受到阳极加速的同时又受到电子光学系统的聚焦,当它们撞击在与阳极相连的磷光屏上时,便发出绿色的光像信号 特点:入射光子和材料中的电子发生各种直接相互作用即光电子效应 所用的材料:大多数为半导体。 根据效应发生的部位和性质分为 1. 外光电效应:发生在物质表面上的光电转化现象,主要包括光阴极直接向外部发射电子的现象。典型的例子是物质表面的光电发射。这种效应多发生于金属和金属物。 2. 内光电效应:指发生在物质内部的光电转化现象,特别是半导体内部载流子发生效应,这种效应多发生于半导体内。

史上最全的招收研究生大学课科研院所名单

北京 ?北京大学 ?清华大学 ?中国人民大学 ?中国农业大学 ?北京师范大学 ?北京理工大学 ?北京航空航天大学 ?北京交通大学 ?北京工业大学 ?北京科技大学 ?北京化工大学 ?北京邮电大学 ?北京林业大学 ?中央音乐学院 ?中央民族大学 ?对外经济贸易大学 ?中国石油大学(北京) ?中国政法大学 ?北京中医药大学 ?北京外国语大学 ?北京协和医学院 ?中央财经大学 ?华北电力大学 ?中国地质大学(北京) ?北京第二外国语学院 ?中国科学院 ?中国社会科学院 ?中国农业科学院 ?北京工商大学 ?北京电影学院 ?首都经济贸易大学 ?首都师范大学 ?首都医科大学 ?北京航空材料研究院 ?北方工业大学 ?北京语言大学 ?北京生命科学研究所 ?中科院数学与系统科学研究院?中科院力学研究所 ?中科院物理研究所 ?中科院高能物理研究所

?中科院声学研究所 ?中科院理论物理研究所 ?中科院国家天文台 ?中国人民公安大学 ?中科院自然科学史研究所 ?中科院理化技术研究所 ?中科院化学研究所 ?中科院过程工程研究所 ?中科院生态环境研究中心 ?中科院古脊椎动物与古人类研究所?中科院大气物理研究所 ?中科院地理科学与资源研究所 ?中国青年政治学院 ?北京建筑工程学院 ?中共中央党校 ?中科院国家科学图书馆 ?中共北京市委党校 ?北京机电研究所 ?外交学院 ?中国地震局地震预测研究所 ?中科院遗传与发育生物学研究所?中国制浆造纸研究院 ?装备指挥技术学院 ?北京农学院 ?中国传媒大学 ?中科院植物研究所 ?中科院微生物研究所 ?中国矿业大学(北京) ?北京物资学院 ?北京服装学院 ?北京印刷学院 ?首都体育学院 ?国际关系学院 ?北京体育大学 ?中国音乐学院 ?中央美术学院 ?中央戏剧学院 ?中国戏曲学院 ?北京舞蹈学院 ?北京信息科技大学 ?北京联合大学 ?中国科学技术信息研究所 ?中国现代国际关系研究院 ?财政部财政科学研究所

高金明教授简介 - 中国科学院理化技术研究所网

高金明教授简介 高金明 (Jinming Gao) 工作单位:Simmons Comprehensive Cancer Center, University of Texas Southwestern Medical Center 职称:Associate Professor 副教授 教育背景: 1987- 1991:北京大学化学系获学士学位 1991-1996:哈佛大学药物化学专业获博士学位,导师: George M. Whitesides 1996-1998:麻省理工学院生物医学工程专业博士后,导师: Robert S. Langer 工作经历: 2005年7月起:达拉斯德克萨斯大学西南医学中心Simmons综合肿瘤中心肿瘤学科副教授(tenure),细胞应力及肿瘤纳米医学计划负责人。同时兼任达拉斯德克萨斯大学西南医学中心药理学系副教授、达拉斯德克萨斯大学化学系副教授以及凯斯西储大学生物医学工程系副教授。 2004-2005:克里夫兰凯斯西储大学生物医学工程系副教授(tenure)。2000-2005: 克里夫兰凯斯西储大学医学院放射医学系助理教授。校医院Ireland肿瘤中心成员。 1998-2004:克里夫兰凯斯西储大学生物医学工程系助教授。 主要学术成果: 高金明曾先后师从哈佛大学G. M. Whitesides及麻省理工学院R. S. Langer教授等世界级学术大师。目前为世界著名的生物医学研究机构达拉斯德克萨斯大学西南医学中心Simmons综合肿瘤研究中心终生职位副教授,兼任达拉斯德克萨斯大学西南医学中心药理学系副教授、达拉斯德克萨斯大学化学系副教授以及凯斯西储大学生物医学工程系副教授,并兼任国内中山大学客座教授。多年来主要从事针对肿瘤探测及治疗的聚合物纳米医学技术研究,在药物传输高效、靶向、智能释放以及肿瘤早期诊断用显像纳米探针等多个重要领域做出了开创性的研究工作并取得非常突出的成就,例如:以抗肿瘤血管生成为目的,通过配体靶向技术,实现了药物负载纳米载体对肿瘤血管的高效靶向传输。迄今为止,高金明课题

光电探测器综述(PD)

光电探测器综述 摘要:近年来,围绕着光电系统开展了各种关键技术研究,以实现具有高集成 度、高性能、低功耗和低成本的光电探测器(Photodetector)及光电集 成电路(OEIC)已成为新的重大挑战。尤其是具有高响应速度,高量 子效率和低暗电流的高性能光电探测器,不仅是光通信技术发展的需 要,也是实现硅基光电集成的需要,具有很高的研究价值。本文综述了 近十年来光电探测器在不同特性方向的研究进展及未来几年的发展方 向,对其的结构、相关工艺和制造的研究具有很重要的现实意义。 关键词:光电探测器,Si ,CMOS Abstrac t: In recent years, around the photoelectric system to carry out the study of all kinds of key technologies, in order to realize high integration, high performance, low power consumption and low cost of photoelectric detector (Photodetector) and optoelectronic integrated circuit (OEIC) has become a major new challenge. Especially high response speed ,high quantum efficiency, and low dark current high-performance photodetector, is not only the needs for development of optical communication technology, but also realize the needs for silicon-based optoelectronic integrated,has the very high research value.This paper reviews the development of different characteristics and results of photodetector for the past decade, and discusses the photodetector development direction in the next few years,the study of high performance photoelectric detector, the structure, and related technology, manufacturing, has very important practical significance. Key Word: photodetector, Si ,CMOS 一、光电探测器 1.1概念 光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏特效应,所谓的光生伏特效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态,而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时,若这个光电导体为本征半导体材料,且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象,光子作用于光电导材料,形成本征吸收或杂质吸收,产生附加的光生载流子,从而使半导体的电导率发生变化,产生光电导效应。)

中国科学院理化技术研究所抗菌材料检测中心

中国科学院理化技术研究所抗菌材料检测中心 抗菌性能检测项目表 检测对象执行标准参数样品准备3备注 纺织制品后整理抗菌织物的抗细菌性评价 AATCC 100-2004 细菌 减少率 提供不小于40cm×40cm的抗 菌布和空白对照布各一块 常用 (溶出型抗菌处理)织物的抗细菌性评价-平行划线法 AATCC 147-2004 抑菌环同上 定性 试验 针织品抗菌针织品FZ/T73023-2006 抑菌环提供不小于30cm×30cm的抗 菌布(3种菌、AAA级) 定性抗菌率定量 纺织原料及 制品纺织品抗菌性能的评价 GB/T 20944.1/.2-2007,/.3-2008 抑菌环提供不小于30cm×30cm的抗 菌布(3种菌) 定性 抗菌率定量抗菌整理纺织品的抗菌性能测定 ISO 20743-2007 抗菌率、 抗菌活性值 同上(可不提供空白) 纺织品抗菌性能的检测与评价 JIS L 1902:2008 抗菌率、 抗菌活性值 同上(可不提供空白)常用 纺织制品织物抗真菌性的评价-抑制织物的 霉变AATCC 30-2004 霉菌 是否生长 同上 两种 霉菌 (非溶出型抗菌处理) 振荡接触条件下非溶出型抗菌产品 的抗菌性能测试 ASTM E 2149-10 抗菌率提供100g样品 塑料、陶瓷和涂料1等2抗菌加工制品抗菌性试验方法和抗 菌效果JIS Z 2801:2010 抗菌率、 抗菌活性 提供约5cm×5cm或圆形的抗 菌片6片,空白对照12片 常用塑料—塑料表面抗细菌活性的检测 方法ISO 22196-2011 抗菌率、 抗菌活性值 同上 塑料等抗菌 制品抗菌塑料抗菌性能试验方法和抗菌 效果QB/T 2591-2003 抗菌率抗菌片6片,空白对照12片 常用 长霉等级防霉片6片,空白对照6片 塑料、橡胶和纤维等合成高分子材料耐真菌性的测定 ASTM G21-09 长霉等级 (混合霉菌) 同上 家电家用和类似用途电器的抗菌、除菌、 净化功能通则GB 21551.1-2008 抗菌率2台,若是材料,按同上提供抗菌材料特殊要求 GB 21551.2-2010 抗菌率、防 霉等级 提供约5cm×5cm抗菌片12 片,或抗菌部件 洗衣机的特殊要求 GB 21551.5-2010 除菌率2台 电工电子产 品电工电子产品环境试验第2部分试 验方法试验J和导则:长霉 GB/T2423.16-2008 长霉等级同上 纳米材料纳米无机材料抗菌性能检测方法 GB/T 21510-2008 抗菌率 粉体或块状样提供100g样品 其他同上 光催化材料光催化抗菌材料及制品抗菌性能的 评价GB/T 23763-2009 抗菌率 提供约5cm×5cm或圆形的抗 菌片12片 陶瓷抗菌陶瓷制品抗菌性能 JC/T 897-2002 抗菌率 (抑菌率) 提供约5cm×5cm或圆形的抗 菌片6片

中科院各研究所排名 国家自然科学基金

注:引用请说明来自生物统计家园网 机构数量数量排名经费/万元经费排名中国科学院合肥物质科学研究院136169022中国科学院上海生命科学研究院124210997.21中国科学院长春应用化学研究所8735318.6610中国科学院植物研究所86462885中国科学院化学研究所8556292.54中国科学院地理科学与资源研究所8165729.87中国科学院高能物理研究所8175418.39中国科学院大气物理研究所818431714中国科学院大连化学物理研究所779453513中国科学院地质与地球物理研究所76106673.33中国科学院生态环境研究中心751162846中国科学院动物研究所7112517111中国科学院物理研究所68135602.18中国科学院生物物理研究所67143614.520中国科学院海洋研究所6215386215中国科学院微生物研究所6216370918中国科学院国家天文台6117378517中国科学院深圳先进技术研究院6118232237中国科学院自动化研究所6019342422中国科学院南海海洋研究所5920350521中国科学院半导体研究所5621456412中国科学院过程工程研究所56223241.126中国科学院大学55233837.216中国科学院数学与系统科学研究院54243282.125中国科学院寒区旱区环境与工程研究所5125286630中国科学院遗传与发育生物学研究所4826334823中国科学院沈阳应用生态研究所48273307.324中国科学院上海药物研究所48282657.531中国科学院金属研究所4729322827中国科学院力学研究所4730297629中国科学院昆明植物研究所4531249232中国科学院福建物质结构研究所4432246234中国科学院上海硅酸盐研究所44332405.335中国科学院兰州化学物理研究所4434196944中国科学院广州地球化学研究所4335369419中国科学院上海有机化学研究所4236305528中国科学院东北地理与农业生态研究所42372491.433中国科学院上海应用物理研究所4238236836中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究3939195546中国科学院上海光学精密机械研究所38402055.539中国科学院宁波材料技术与工程研究所3741174252中国科学院遥感与数字地球研究所3742163258中国科学院华南植物园34431703.554中国科学院地球化学研究所3344204840中国科学院南京土壤研究所3345165356中国科学院长春光学精密机械与物理研究3346151759中国科学院南京地理与湖泊研究所3247182648中国科学院武汉物理与数学研究所3248180149中国科学院昆明动物研究所3149200243中国科学院计算技术研究所3150186247

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