常用MOS管型号大全
系列场效应管型号技术参数
型号材料管脚用途参数3DJ6 NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524
2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36
2SJ118 PMOS GDS 高速功放开
关
140V8A100W50/70nS0.5
2SJ122 PMOS GDS 高速功放开
关
60V10A50W60/100nS0.15
2SJ136 PMOS GDS 高速功放开
关
60V12A40W 70/165nS0.3
2SJ143 PMOS GDS 功放开关-60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励-60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175 PMOS GDS 激励-60V10A25W73/275nS0.18
J177 PMOS
2SJ177 PMOS GDS 激励 (无) -60V20A35W140/580nS0.085 J201 PMOS GDS 高频放大10V0.4A1.3W8GHZ
2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12
2SK30 NJ SDG 低放音频-50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A NJ SGD 低放低噪音
频
-50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB
2SK108 NJ SGD 音频激励开
关
50V1-12mA0.3W70 1DB
2SK118 NJ SGD 音频话筒放
大
-50V0.01A0.1W0.5dB
2SK168 NJ GSD 高频放大-30V0.01A0.2W100MHz1.7dB
2SK193 NJ GSD 高频低噪放
大
20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
2SK214 NMOS GSD 高频高速开
关
160V0.5A30W
2SK241 NMOS DSG 高频放大-20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W
2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7
2SK413 NMOS GDS 高速功放开
关
140V8A100W0.5 (2SJ118)
2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5
2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15
2SK447 NMOS SDG 高速低噪开
关
250V15A150W0.24可驱电机
2SK511 NMOS SDG 高速功放开
关
250V0.3A8W5.0
2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0
2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5
2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4
2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15
2SK727 NMOS GDS 电源开关-900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6
2SK790 NMOS GDS 高速功放开
关
500V15A150W0.4 可驱电机
2SK791 NMOS GDS 电源功放开
关
850V3A100W4.5 可驱电机
2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机
2SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.0
2SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.0
2SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.6
2SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.6
2SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.9 2SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.2 2SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1081 NMOS GDS 激励,驱动900V6A125W 145/250nS2.8 ? 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V6A125W 145/250nS2.8 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065
2SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.65 2SK1117 NMOS GDS 电源开关-600V6A100W1.25
2SK1118 NMOS GDS 电源开关-600V6A45W65/105nSD1.25 2SK1119 NMOS GDS 电源开关-1000V4A100W3.8
2SK1120 NMOS GDS 电源开关-1000V8A150W1.8
2SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.8
2SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.6
2SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS
2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.2
2SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.0
2SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.4
2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.4
2SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.0
2SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.6
2SK1335 NMOS GDS 功放开关变
频
200V3A20W37/50nS0.8
2SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.4
2SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.035 2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.08
2SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.4
2SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.0 2SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.6 2SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.6 2SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.0
2SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.0
2SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.0
2SK1540 NMOS GDS 变频开关功
放
450V7A60W70/135nS0.8
2SK1544 NMOS GDS 变频开关功
放
500V25A200W240/590S0.2
2SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.9
2SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.0
2SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.35 2SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36
2SK1794 NMOS GDS 电源激励开
关
900V6A100W50/105nS2.8
2SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.2
2SK1850 NMOS GDS 开关电机驱
动
60V10A1.8W110/360nS0.07
2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.45
2SK1937 NMOS GDS 开关UPS 用500V15A125W100/230nS0.48 2SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.5
2SK2082 NMOS GDS 开关UPS 用900V9A150W 85/210nS1.40 2SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.1
2SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.1
2SK2147 NMOS GDS 开关UPS 用900V6A80W 145/250nS2.8
2SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.0
2SK2485 NMOS GDS 监视器用电
源
900V6A100W 30/85 nS 2.80
2SK2487 NMOS GDS 监视器用电
源
900V8A140W 50/153nS1.1
2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.08
3SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz
3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0 BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055 BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nS
IRF130(铁) NMOS GD S 功放开关100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁) NMOS GD S 功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF440(铁) NMOS GD S 功放开关500V8A125W35/30nS0.85
IRF450(铁) NMOS GD S 功放开关500V13A125W66/60nS0.4
IRF460(铁) NMOS GD S 功放开关500V A W66/60nS0.4
2404 (铁) NMOS GD S 功放开关400V30A200W
IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18
IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5
IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4
IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8
IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0
IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5
IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85
IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3
IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2
IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3
IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD113 NMOS GDS 功放开关60V0.8A1W0.8
IRFD120 NMOS GDS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3 IRFD123 NMOS GDS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3
IRFD9120 PMOS GDS 功放开关100V1A1W0.6
IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0
IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0
IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022
IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85
IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18
IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55
IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85
IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5
IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2
IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W 83/39nS0.1 IXGH20N60A NMOS GDS IGBT 600V20A150W 300/500NS IXGH30N60A NMOS GDS IGBT 600V30A200W 300/500NS IXGH60N60A NMOS GDS IGBT 600V60A250W 300/500NS IXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117
M75N06 NMOS GDS 音频功放开
关
60V75A120W
MTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150W
MTM30N50 NMOS 功放开关(铁) 500V30A250W
MTM55N10 NMOS GD S 功放开关(铁) 100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05
MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3
MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3
MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双) 60V40A150W/70nS0.3
MTP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A150W44/44nS0.028 RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04 RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50 RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03 RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150W
P70N08 NMOS GDS 功放开关80V75A150W
P6NA80 NMOS GDS 功放开关800V6A125W
SMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026 SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.023 SMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150W
SMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150W
SSH7N90 NMOS GDS 高速电源开
关
900V7A150W
SSP6N60 NMOS GDS 高速电源开
关
600V6A150W
SSP6N80 NMOS GDS 高速电源开关
SSP7N80 NMOS GDS 高速电源开
关
800V7A75W
SUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05
G40N150D NMOS GDS IGBT 1500V40A300W
GT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150W
GT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150W
GT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180W
GT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300W
GT50J101 NMOS GDS IGBT 1000V50A350W
GT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300W 无
GT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300W 无IMBH60-100 N MOS GDS IGBT 1000V60A300W
IMBH60D-10 NMOS GDS IGBT 1000V60A300W(带阻)
W5NA90 NMOS GDS 功放开关900V5A150W W12NA60 NMOS GDS 600V12A180W TSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400W TN2460L
35N120 1200V35A250W
常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应
MOS功率与选型
品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
mos管选型指导
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
常用mos管(选型)
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
MOS管全参数代换大全
型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG18 0K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 2SC4633 1500V,0.03A,7W 2SC4451,2SC4576 NPN 2SC4686A 1500V,0.05A,10W 2SC4578 NPN 2SC4833 500V,5A,35W BUT11AF,2SC3310,2SC3570,2SC4026 NPN 2SC4054,2SC4160,2SC4073,2SC4371 2SC4834 500V,8A,45W BU306F,BUT12AF,2SC3626,2SC4130, NPN 2SC4161,2SC4559 2SC4890 1500V,12A,75W BU2525AF,BU2527AF,2SC5105 NPN 2SC4897 1500V,20A,150W 2SC3997,2SC4290A,2SD2356 NPN
常用MOS管选型参考
常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压 额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。 第三步为确定电流 确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。 对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片
MOS管参数代换大全
MOS管参数代换大全 型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538
MOS管常见型号 全
MOS管常见型号 场效应管分类型号简介封装 1.MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 2.MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 3.MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 4.MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 5.MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 6.MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 7.MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 8.MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 9.MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 10.MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 11.MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 12.MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 13.MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 14.MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 15.MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 16.MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 17.MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 18.MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 19.MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 20.MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 21.MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 22.MOS FET IRF9520 TO-220 23.MOS FET IRF9540 TO-220 24.MOS FET IRF9610 TO-220 25.MOS FET IRF9620 TO-220 26.MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P 27.MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P 28.MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P 29.MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK 30.MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK 31.MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK 32.MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK 33.MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK 34.MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK 35.MOS FET IRFR9020TF D-PAK 36.MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F 37.MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 38.MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F 39.MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F 40.MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
场效应管分类 型号 简介 封装常用三极管型号及参数(1) DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应 MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应 MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应 MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应 MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应 MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应 MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应
MOS管参数解释修订稿
M O S管参数解释 集团企业公司编码：（LL3698-KKI1269-TM2483-LUI12689-ITT289-
M O S管参数解释MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MO S管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10 V其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。