半导体设备产业发展现状

半导体设备产业发展现状
半导体设备产业发展现状

从2016年开始,半导体行业跨入以人工智能(AI)、物联网(IoT)、5G通信驱动的新一轮周期。这一轮强劲的需求市场主要集中在中国,截止2016年整个大陆半导体销售额市场已经超过全球3成。

众多的需求种类将推动行业在2020年突破5400亿美元市场空间。

目前,中国半导体设备制造商将近有30-40%的资本支出,是购买美国的半导体设备。

据国际半导体产业协会(SEMI) 2018年1月26日公布的数据,2017年全球半导体设备商出货金额达到560亿美元,比起上一年大幅增长接近40%,创下历史新高,而中国半导体设备制造商总体营收只有不到100亿美元。

Gartner 2016年的全球十大半导体设备制造商排名,里面并没有中国公司出现,只有三个国家的公司上榜,美国,日本和荷兰。

高端装备是发展半导体产业的基础,目前国内半导体设备这一块对美企依赖度还较高,每年都进口很多关键设备,如果美国半导体对中禁售,会对中国半导体产业的发展不利,而国内的刻蚀和沉积设备市场空间超过百亿美元,但从另一层面看这也给国内半导体设备制造商带来充足的发展动力。

国内半导体设备十大制造商:

国内半导体设备制造商的关键业务链中,以中国半导体产业而言,在晶圆代工,封装测试设备上目前大部分依赖进口。

3月3日晚央视《大国重器》对中微半导体7nm刻蚀机做了介绍。根据2017年1月【美国总统咨文】:中国缺少Tier-One的半导体设备公司,但有一个Tier-Two设备公司在上海,这个公司制造半导体Fab厂所需的某种制造公司,那就是AMEC(中微半导体)。

中微半导体于2004年由尹志尧博士代领的海归人才创办,尹志尧博士曾在美国应用材料公司任职13年,专注于等离子体刻蚀设备的研发。中微是国内技术最领先的高端芯片设备企业,也是国家大基金成立后投资的首个企业。其推出的芯片介质刻蚀设备已打入全球顶级企业台积电的7nm、10nm量产线,并占据了中芯国际50%以上的新增采购额。2015年,美国商务部更因中微提供的“有相当数量和同等质量”的刻蚀机产品,取消对华出口刻蚀设备的限制。

自2015年起,以elecworks?为技术核心的电气设计平台逐渐被国内半导体设备制造商广泛采用,先后在中微半导体,北方华创,天通吉成,浙江晶盛,大族激光成功应用,助力国内半导体设备厂商研发升级。

国务院于2014年6月发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出要突破集成电路关键设备,研发光刻机、刻蚀机等关键设备,增强产业配套能力。同时政府以多项文件、专项计划大力支持,又通过大基金进行资本投入,使得我国兼具着产业转移的两大历史条件,有望成为第三次产业转移的最大受益者。

全球和中国半导体产业发展历史和大事记

全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。 1956年,我国提出“向科学进军”,根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。 1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。 1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI (甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。 1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。 1962年,天津拉制出砷化镓单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。 1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。 七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂

一文看透中国半导体行业现状

一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下,中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时,也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是,近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议,已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金,挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”,还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位,再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测,到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片,然而当中只有15%是由中国自身生产的,和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色,为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备,工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器,能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下,中国在全国已经开发了好几个半导体产业群(图1),且在未来十年内,国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币(1080亿美金)到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外,还会兼顾到中国在通信、安全等工业,以求减少对国际半导体的依赖。 图1 :中国半导体的全国分布图

但据我们观察,中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作,追逐市场的领先者和落后者,考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好,也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月,贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通,合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外,清华紫光集 团也给台湾的Powertech (力成)投资了6亿美金,成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年,是全球第五大封测服务厂,美国存储生产商金士顿为其重要股东,原持股比例约3.83%,并拥有四席董事席位,台湾东芝半导体也拥有一席,在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前,紫光还想买下西部数据和美光,但受限于美国监管局,这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重,但展望不久的将来,中国半导体业势必会发起更多并购,让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言,中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标,这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然,这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现,结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重,展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作,并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前,我们先了解一下中国抢占市场的惯用方

功率半导体器件在我国的发展现状

功率半导体器件在我国的发展现状 MOSFET是由P极、N极、G栅极、S源极和D漏级组成。它的导通跟阻断都由电压控制,电流可以双向流过,其优点是开关速度很高,通常在几十纳秒到几百纳秒,开关损耗小,适用于各类开关电源。但它也有缺点,那就是在高压环境下压降很高,随着电压的上升,电阻变大,传导损耗很高。 随着电子电力领域的发展,IGBT出现了。它是由BJT和MOS组成的复合式半导体,兼具二者的优点,都是通过电压驱动进行导通的。IGBT克服了MOS的缺点,拥有高输入阻抗和低导通压降的特点。因此,其广泛应用于开关电源、电车、交流电机等领域。 如今,各个行业的发展几乎电子化,对功率半导体器件的需求越来越大,不过现在功率半导体器件主要由欧美国家和地区提供。我国又是全球需求量最大的国家,自给率仅有10%,严重依赖进口。功率半导体器件的生产制造要求特别严格,需要具备完整的晶圆厂、芯片制造厂、封装厂等产业链环节。国内企业的技术跟资金条件暂时还无法满足。 从市场格局来看,全球功率半导体市场中,海外龙头企业占据主导地位。我国功率半导体器件的生产制造还需要付出很大的努力。制造功率半导体器件有着严格的要求,每一道工序都需要精心控制。最后的成品仍需要经过专业仪器的测试才能上市。这也是为半导体器件生产厂家降低生产成本,提高经济效益的体现。没有经过测试的半导体器件一旦哪方面不及格,则需要重新返工制造,将会增加了企业的生产成本。

深圳威宇佳公司是国内知名的功率半导体检测专家,专门生产制造简便易用、高精度的设备,让操作人员轻松上手操作,省力更省心。如生产的IGBT动态参数测试设备、PIM&单管IGBT 专用动态设备、IGBT静态参数测试设备、功率半导体测试平台等,均是经过经验丰富的技术人员精心打磨出来的,设备高可靠性、高效率,已在市场上应用超过10年,历经了超过500万只模块/DBC的测试考验。

我国油茶产业现状及发展对策

我国油茶产业现状及发展对策 摘要:发展油茶产业对于调整农业产业结构、促进农民增收、维护国家粮油安全、推动山区综合开发有着重要意义。近年来随着国家政策的不断出台和资金投入的不断加大,我国油茶产业快速发展并取得了显著的成效,但也存在一些问题。通过对我国油茶资源分布、种质资源、经营模式、加工利用、经济效益等现状及存在问题的分析,提出我国油茶产业发展的对策措施,研究结果可为指导我国油荼产业可持续发展提供一定的思路。 关键词:油茶产业;现状;问题;对策 油茶(Camellia oleifera)为常绿小乔木或灌木,是我国特有的木本食用油料树种,有2000多年的栽培和利用历史,与油橄榄、油棕、椰子并称为世界四大木本油料植物,与乌桕、油桐和核桃并称为我国四大木本油料植物,主要分布在我国长江流域及以南地区。油茶产业是个古老而新兴的产业,一直处于起伏不定的发展过程,近年来,随着我国食用油供需矛盾的日益突出和人民生活水平的不断提高,油茶的价值得到了重新认识,带来了油茶产业发展的一个新机遇。2006年,国家林业局专文下发了《国家林业局关于发展油茶产业的意见》,鼓励扶持发展油茶产业。2009年国务院批准的《全国油茶产业发展规划 (2009--2020)》(以下简称《规划》)出台后,油茶产业步入快速发展的轨道。 1油茶产业发展的背景及意义 改革开放后,通过科技进步和大力发展生产力, 中国已在很大程

度上实现并保障了粮食安全,但反差很大的是,食用油供需矛盾突出,始终无法实现自给自足。中国已成为世界上最大的食用植物油进口国, 每年需从国外进口占国内总需求60%多的食用油以弥补缺口。当前和今后一个时期,我国粮油供求面临一系列制约因素:人口越来越多,城镇人口快速增加,直接推动了粮油需求总量的刚性增长;耕地越来越少,到2007年底已降为1.2亿hm2,遏制耕地减少趋势的压力十分巨大;消费结构不断升级,人们由过去主要吃粮向吃更多的肉蛋奶、由吃普通油向吃高档油的方向转变;农业基础设施薄弱,农业受自然灾害影响很大;农业生产成本不断提高、比较效益不断降低,提高农民发展粮油生产的积极性面临新的困难。从国际上看,随着石油价格的变动和粮食需求的增长,粮食危机的困局在持续演化,粮食安全面临的不确定性在增加。这对人类社会的健康发展构成极大威胁,维护粮食安全已成为世界各国高度关注的重大战略问题。 自我国加入WTO后,国内许多食用油品不同程度地受到市场冲击,但茶油产业却迎来一个极好的发展机遇,出现了恢复性的增长。中国耕地资源刚性短缺,扩大草本油料植物种植必然会与粮争地,进而危及我国粮食安全。发展木本粮油则不存在这个问题,不仅不占用耕地,还可以腾出更多的耕地资源来种植其他农作物,从而大大缓解耕地的压力。同时, 发展油茶生产,对于改善我国生态环境、分流农村剩余劳力、增加农民收入、加快农村群众脱贫致富步伐, 实现农业增产、农民增收都具有积极的作用。 2油茶产业现状

半导体产业现状、发展路径与建议

半导体产业现状、发展路径与建议 摘要:在当前数字时代、智能时代,半导体无处不在,对科技和经济发展、社会和国家安全都有着重大意义。半导体产业属于高度资本密集+高度技术密集的大产业,经历了由美国向日本和美日向韩国、中国台湾的两次产业转移,每次转移均伴随着全球消费需求周期变化以及产业垂直精细化分工。而当前中国已成为全球最大的半导体消费国,同时也是全球消费电子制造中心,这会推动半导体产业进一步向中国移转。在已经到来的半导体行业第三次产业转移中,中国将成为最大获益者。准确把握半导体行业发展趋势,正确制定支持策略,对于半导体行业业务机遇、加强服务实体经济和科技创新的能力具有重要意义。 关键词:半导体产业;现状;发展路径;建议 1我国半导体产业的发展现状 1.1技术处于追赶期,仍有相当差距 据中国半导体行业协会统计,中国半导体呈现“设计-制造-封测”两头大中间小的格局。分领域看,国内芯片设计业增速最快,为27%,与美国等全球先进企业差距不断缩小。封测业因成本和市场地缘优势,发展相对较早,具有较强的国际竞争力。但是在制造方面,国内企业与全球先进水平还存在较大差距,难以掌握核心技术和关键元件,生产线采用的技术落后于国际先进水平至少一代,核心技术甚至要落后三代。例如,台湾地区就明令禁止向大陆相关工厂提供最尖端的生产工艺,只允许引进落后一代的技术。从芯片制造领域细分来看,目前处理器市场已有中国公司具备参与国际竞争的能力,但在存储芯片市场,国内企业几乎是一片空白。目前中国三大存储芯片企业——长江存储、合肥长鑫、福建晋华等正加紧建设存储芯片工厂,最快在2018年开始投产,不久的将来中国将成为与日韩比肩的存储芯片生产地。其中,规模最大的为紫光集团旗下的长江存储,主要采用3DNANDFlash技术;合肥长鑫、福建晋华则以DRAM存储芯片为主。 1.2中国半导体行业迎来黄金发展期 从行业趋势判断,中国半导体行业正面临前所未有的战略机遇,可谓是天时地利人和。天时,首先是摩尔定律已近极限,为后来者提供了追赶的空间。摩尔定律揭示了信息技术进步的速度,尽管这种趋势已经持续了超过半个世纪,摩尔定律仍应该被认为是观测或推测,而不是一个物理或自然法则。由于硅半导体的发展趋近物理极限,芯片性能不可能无限制翻番,其性能的提升越来越困难。当芯片发展到7纳米以后,发展速度会降低。在2013年年底之后,晶体管数量密度预计只会每三年翻一番,该定律一般预计将持续到2015年或2020年。而在向新的发展方向和领域突破时,半导体行业重新划定了新的起跑线,这为后来者提供了追赶的时机。其次,随着数字经济的发展,芯片不仅仅应用于电脑、手机,还包括云计算服务器,无人驾驶的智能汽车上,以及物联网上的芯片,芯片应用领域的迅速扩大,为后来者站稳市场脚跟创造了新的机会。地利,中国已经成为全球最大的半导体消费市场,本土化、国产化需求成倍增长。同时,中国芯片制造领域也在持续发力,经过多年自主创新和国际并购,在半导体行业积累了一定的技术和人才,在产业布局和个别环节上出现了具有一定竞争力的企业,为后续实现赶超和跨越式发展打下了良好基础。人和,中国具有稳定的政治环境和政策基础,支持半导体行业的发展已经被提升到国家战略高度,出台了明确的发展规划,在政策和资金上给予大力扶持。 1.3国家战略支持

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功,导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期,石英光纤材料和光学纤维的研制成功,以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明,使光纤通信成为可能,目前光纤已四通八达。我们知道,每一束光纤,可以传输成千上万甚至上百万路电话,这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴,使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代,并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势 1.硅单晶材料 硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路,其中有90%到95%都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展,还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的,它用石墨作为加热器。所以,来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染,使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染,随着硅单晶直径的增大,长度的加长,它的分布也变得不均匀;这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀,会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧,在器件和电路的制作过程中,它要发生沉淀,沉淀时的体积要增大,会导致缺陷产生,这将直接影响器件和电路的性能。因此,为了克服这个困难,满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高,人们不得不采用硅外延片,就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样,可以有效地避免氧和碳等杂质的污染,同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法,还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结,这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产,8英寸的硅外延片,也正在从实验室走向工业生产;更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外,还有一些大功率器件,一些抗辐照的器件和电路等,也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的,它在生长时,不与石英容器接触,材料的纯度可以很高;利用这种材料,采用中子掺杂的办法,制成N或P型材料,用于大功率器件及电路的研制,特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面,它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料,也就是半导体/氧化物/绝缘体之意,这种材料在空间得到了广泛的应用。总之,从提高集成电路的成品率,降低成本来看的话,增大硅单晶的直径,仍然是一个大趋势;因为,只有材料的直径增大,电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律,每隔18个月它的集成度就翻一番,它的价格就掉一半,价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上,工艺加工条件相同,但出的芯片数量则不同;所以说,增大硅的直径,仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的

2021年县林业产业现状及发展对策

**县地处湖北西部、长江西陵峡畔,随着三峡工程一期工程结束,首批机组发电,永久船闸通航,二期工程全面展开,实施库区生态环境可持续发展战略,建设高效库区林业产业经济已成为全县林业发展的内在要求和必然选择。 一、发展现状 近几年,为适应三峡工程带来的生态环境,社会环境发生的重大变化,妥善安置库区移民,有效地保护库区生态环境,合理开发利用林业资源,全县根据三峡库区经济发展的态势,紧紧抓住国家重视生态环境建设和西部开发两大历史机遇,以项目为依托,以工程为载体,开展了以林业产业化为主体的生态环境建设,走出了一条生态、经济、社会效益相统一的路子。 一是库区生态环境发生了重大变化。通过以林业为主体的农林网络生态工程项目建设,地力减退、森林过伐、水土流失、环境污染等问题得到了有效遏制,森林植被逐步恢复,林分质量不断提高,林业用地面积增大,森林覆盖率由原来的44%提高到44%,增长了2个百分点,水土流失得到遏制,年输沙量减少75%,流域径流时间延长了7-1天,中强度水土流失由75%下降到3%,野生动植物得到有效保护,森林病虫害和森林火灾受害率逐年降低。

二是林业产业结构发生了重大变化。退耕还林、天保工程等生态环境项目的建设实施,使全县林业产业结构调整取得了实质性进展,以立体产业为导向的新型林业经济结构完全取代了以林业为导向的传统经济结构,以种植业为主的农业生产向林果种植业、畜业化以及二、三产业过渡,尤其是旅游事业的蓬勃发展成为全县经济中最活跃的板块,由此带动了交通运输、餐饮服务等行业的蓬勃兴起。**的自然风光,**的漂流探险,**的滑雪滑草都是以森林资源为载体,以秀水青山为切入点而发展起来的。 三是生产模式发生了重大变化。利用库区气候垂直分布的特点,变平面生产模式为立体生态生产模式,按照“山下粮菜,山上银行”的思路,具体建设模式为山顶戴帽—大于25度的坡耕地退耕建水保生态林,把住水土流失源头;山腰种果—小于25度的山腰地带修建水土保持工程和等腰梯田,在梯上建设以柑桔、板栗为主的林果业高效经济林,为农民开拓致富项目;山下粮菜—即在河谷冲积地带改造低产田,沟、渠、林、路网络配套建设,发展粮油、蔬菜等多经作物。 四、移民安置容量发生了重大变化。近几年,我们紧紧抓住三峡库区开发性移民这一历史性机遇,以林业生态工程项目建设为龙头,以经济林为载体,应用生态农业的技术措施进行开发移民,拓展了库区移民的生存空间和就业门路,增加了安置容量,解决了库区农民的生存状况,基本实现了移民“搬得出,稳得住,逐步能致富”的发展目标。

【发展战略】我国半导体产业的现状和发展前景

五、半导体篇 ——我国半导体产业的现状和发展前景 电子信息产业已成为当今全球规模最大、发展最迅猛的产业,微电子技术是其中的核心技术之一(另一个是软件技术)。现代电子信息技术,尤其是计算机和通讯技术发展的驱动力,来自于半导体元器件的技术突破,每一代更高性能的集成电路的问世,都会驱动各个信息技术向前跃进,其战略地位与近代工业化时代钢铁工业的地位不相上下。 当前,世界半导体产业仍由美国占据绝对优势地位,日本欧洲紧随其后,韩国和我国台湾地区也在迅速发展。台湾地区半导体工业已成为世界最大的集成电路代工中心,逐步形成自己的产业体系。 我国的微电子科技和产业起步在50年代,仅比美国晚几年。计划经济时期,由于体制的缺陷和其间10年“文革”,拉大了和国际水平的差距。进入80年代,我国面对国内外微电子技术的巨大反差和国外对我技术封锁,我们没有能够在体制和政策上及时拿出有效应对措施。国有企业无法适应电子技术的快节奏进步,国家协调组织能力下降,科研体制改革缓慢,以致1980~1990年代我国自主发展半导体产业的努力未获显著效果。 “市场‘开放’后,集成电路商品从合法、不合法渠道源源涌入,集成电路所服务的终端产品,以整机或部件散装的形式,也大量流入,但人家确实考虑到微电子的战略核心性质,死死卡住生产集成电路的先进设备,不让进口,在迫使我们落后一截,缺乏竞争力的同时,又时刻瞄准我们科研与生产升级的潜力,把我们的每一次进步扼杀在萌芽状态,冲垮科技能力,从外部加剧我们生产与科研的脱节,迫使我们不得不深深依赖他们。……我们的产业环境又多多少少带有计划色彩,不能很快与国际接轨,其中特别是对微电子产业发展有重大影响的企业制度、资本市场、税收政策、科研体制等,又不适应市场经济要求,使得我们在国际竞争中缺乏活力”。1 20世纪90年代,我国半导体产业的增长速度达到30%以上,但其规模仅占世界半导体子产业的1%,仅能满足大陆半导体市场的不足10%。即使“十五”期间各地计划的项目都能如期实施,到2005年,我国半导体产业在世界上的份额,顶多占到2%~3%。自己的设计和制造水平和国际先进水平的差距很大,企业规模小、重复分散、缺乏竞争力,基本上是跨国公司全球竞争战略的附庸,自己的产业体系还没有成形。 我国半导体产业如此落后的现状,使得我国的经济、科技、国防现代化的基础“建筑在沙滩上”。在世界微电子技术迅猛发展的情况下,我国如不努力追赶,就会在国际竞争中越来越被动,对我国未来信息产业的升级和市场份额的分配,乃至对整个经济发展,都可能造成十分不利的影响。形势逼迫我国必须加快这一产业的发展。“十五”计划中,加快半导体产业的发展被放在重要地位,这是具有重大意义的。 发展中国家要追赶国际高科技产业的步伐,一般都会面临技术、资金、管理、市场的障碍。高科技的产业化是一个大规模的系统工程,需要科研和产业的紧密结合,以及各部门的有效协调,而这些都不是单个企业所能跨越得过去的。在市场机制尚未成熟到有效调动资源的情况下,高层次的组织协调和扶持是必需的。构建具有较高透明度的政策环境和市场环境。有助于鼓励高科技民营企业进入电路设计业领域,鼓励生产企业走规模化和面向国内市场自主开发的路子,形成产业群体。 1许居衍院士,2000年。

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功,导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期,石英光纤材料和光学纤维的研制成功,以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明,使光纤通信成为可能,目前光纤已四通八达。我们知道,每一束光纤,可以传输成千上万甚至上百万路电话,这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴,使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构

的制作过程中,它要发生沉淀,沉淀时的体积要增大,会导致缺陷产生,这将直接影响器件和电路的性能。因此,为了克服这个困难,满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高,人们不得不采用硅外延片,就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样,可以有效地避免氧和碳等杂质的污染,同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法,还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结,这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产,8英寸的硅外延片,也正在从实验室走向工业生产;更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外,还有一些大功率器件,一些抗辐照的器件和电路等,也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的,它在生长时,不与石英容器接触,材料的纯度可以很高;利用这种材料,采用中子掺杂的办法,制成N或P型材料,用于大功率器件及电路的研制,特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面,

果树产业现状及“十四五”发展对策

果树产业现状及“十四五” 发展对策

改革开放40多年来,我国果树产业发展取得巨大成就,年产值约1万亿元,从业人口1亿人左右,果树种植面积和产量居世界首位,人均果品占有量达195kg。目前,我国已成为果树产业第一大国,果品贸易在世界果品市场上占有重要地位,尤其是对促进山区经济发展以及生态环境保持具有特别的意义。 当前,我国水果面积和产量居前6位的树种分别是柑橘、苹果、梨、桃、葡萄和香蕉,果业已成为我国农业的重要组成部分,在种植业中种植面积、产量和产值仅次于粮食、蔬菜,排在第3位。果业在保障食物安全、生态安全、人民健康、农民增收和农业可持续发展中的作用日益凸显,是全面打赢脱贫攻坚战和促进乡村振兴的重要支柱产业之一。 产业现状 种植面积和产量稳中有增 据国家农业统计发布数据,2019年园林水果(不包括西瓜、甜瓜、草莓等瓜果类,核桃、板栗、榛等干果类)面积1227.67万hm2,年产量为1.90亿t,分别比2015年增长9.5%、17.5%。其中柑橘种植面积为261.73万hm2、产量为4584.54万t,分别比2015年增长17.4%、26.7%;苹果种植面积为197.81万hm2、产量为4242.54万t,种植面积比2015年下降0.2%,产量比2015年增长9.1%;梨种植面积为94.07万hm2、产量为1731.35万t,分别比2015年下降3.4%、4.8%;葡萄种植面积为72.62万hm2、产量为 1419.54万t,分别比2015年增长1.4%、7.8%;香蕉种植面积为33.03万hm2、产量为

1165.57万t,种植面积比2015年下降7.1%,产量比2015年增长9.7%。 主要果树产业布局调整进一步优化 2002年及2008年国家实施苹果、柑橘和梨等优势区域发展规划以来,主要果树优势生产区域基本形成,生产集中度进一步提高。如苹果产业布局主要为环渤海湾和西北黄土高原两大优势区,两大产区2018年苹果种植面积分别占我国苹果总面积的26.9%、57.2%,产量分别占我国苹果总产量的36.0%、53.0%,生产集中度在85%以上;西南冷凉高地和新疆2个特色产区2018年苹果种植面积分别占我国苹果总面积的5.9%、3.4%,产量分别占我国苹果总产量的4.1%、4.2%。葡萄优势区域发展布局进一步显现,主要为西北及黄土高原传统优势葡萄产区、华北及环渤海湾传统优势葡萄产区、秦岭和淮河以南亚热带设施及避雨葡萄产区、云南高原及川西优质特色葡萄产区、东北冷凉山葡萄特色产区、湖南怀化刺葡萄特色产区、华南一年多收避雨栽培产区等。 品种结构调整进一步优化,果品质量显著提高 在国家现代农业产业技术体系等专项的长期稳定支持下,我国主要果树新品种的引进与选育推广工作成效显著,果树品种结构调整进一步优化,适宜国内外市场需求的新品种大面积推广,品种结构明显改善。据统计,2017年5月1日《非主要农作物品种登记办法》(仅苹果、柑橘、香蕉、梨、葡萄、桃6种果树列入第一批目录)正式实施以来,共有300多个果树品种获得农业农村部登记。 目前,苹果重点发展的优良品种有华硕、优系嘎拉、红露、红将

国内31家半导体上市公司

国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络,由“深圳机械展(11万㎡,1100多家展商,超10万观众)”收集整理!更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示,就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一,代表着我国对于国内半导体发展的期许,提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率,实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标,我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助,以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心,普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成:集成电路,光电器件,分立器件,传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业,包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子,计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘,中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712.3亿元,其中市值超过100亿元的公司有11家,市值超过200亿元的公司有4家,分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新,其中三安光电以652.1亿元的市值位居首。 详细排名如下: 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地,总部坐落于美丽的厦门,产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ

-Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业,技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心,以激光和喷墨打印耗材使用为基础,以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业,是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料,可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月,是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司,致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发,正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体,电子原件,专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地,国内著名的三极管制造商,集成电路封装测试龙头企业,国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司,合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一

2019年半导体分立器件行业发展研究

2019年半导体分立器件行业发展研究 (一)半导体行业基本情况 1、半导体概况 (1)半导体的概念 半导体是一种导电性可受控制,常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性:掺杂性(在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性)、热敏性、光敏性(在光照和热辐射条件下,其导电性有明显 的变化)、负电阻率温度特性,整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重 要的组成部分,在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。 (2)半导体行业分类 按照制造技术的不同,半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品,其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元,主要实现对

信息的处理、存储和转换;分立器件是指具有单一功能的电路基本元件,主要实现电能的处理与变换,而半导体功率器件是分立器件的重要部分。 分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品;其中,MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件,具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示:

在分立器件发展过程中,20 世纪50 年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末,平面型功率MOSFET 发展起来;20 世纪80 年代后期,沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时

中国三七产业现状及发展对策

龙源期刊网 https://www.360docs.net/doc/a69666284.html, 中国三七产业现状及发展对策 作者:崔秀明黄璐琦郭兰萍刘大会 来源:《中国中药杂志》2014年第04期 [摘要] 三七是我国特有的名贵中药材,也我国近年发展十分迅速的中药大品种之一,在我国中药产业中的地位和作用越来越突出。该文总结了我国近年来三七产业发展现状、取得的主要经验,找出了产业发展中存在的主要问题,在此基础上,提出了三七产业发展的目标及对策措施,为我国三七产业的可持续发展提供决策参考。 [关键词] 三七产业;存在问题;发展对策 三七Panax notoginseng为五加科人参属植物,是我国传统名贵中药材,在我国中医药行业中有重要影响,现在已经成为仅次于人参的中药材大品种,也是复方丹参滴丸、云南白药、血塞通、片仔癀等我国中成药大品种的主要原料。三七广泛应用于跌打损伤、冠心病、心绞痛、脑血管后遗症、高血压等疾病的治疗中[1-3]。三七皂苷是三七主要有效活性成分,也是目前研究较为系统的化学物质。迄今为止,已从三七的不同部位分离得到70余种单体皂苷成分[4], 现阶段我国以三七为原料的中成药品种400多个,批准文号3 200个,涉及的生产厂家1 300家,年需要三七800万kg[5]。三七还是经济价值很高的药用植物,按现在的市场销售价格计算,每公顷产值可达150万元左右。由于政府重视,科技支撑力不断提升,知名度提高,三七产业近几年来呈现出快速发展的势头,本文根据三七主产区的调查资料,总结了我国三七产业发展现状、取得的经验,存在问题,提出了进一步发展的目标及发展对策,供同行参考。 1 三七产业发展现状 1.1 三七种植业发展历史及现状评价三七是我国特有种,因其对气候、土壤、植被等环境有特殊要求,分布范围仅集中于中国西南部海拔1 200 ~2 200 m,北回归线附近地区,传统上以云南文山、广西靖西等地为主要种植地区。由于价格不断上涨,社会需求量的不断扩大,近几年三七的种植区域已发生了很大变化,云南产区已由文山扩展到云南红河、玉溪、曲靖、昆明、大理等其他地区;贵州、四川、广东等地也开始栽培。在云南产区,三七种植面积从2003年的4 300 hm2发展到2013年的20 000 hm2;产量从2003年的378万kg增加到2012年的700万kg,三七产业实现总产值100亿元,其中种植业产值70余亿元,加工业产值近30亿元[6]。 三七种植历史已有400余年。1949年以前,云南三七种植面积仅有几百亩,广西有少量 种植。建国后,地方政府采取一系列措施发展三七生产,三七种植得到发展,但发展之路并不平坦。从1951年至2013年的62年间,三七产业种植经历了3次大起大落的曲折。1951年到1974年出现第一高种植高峰,当时全国三七种植面积5 333 hm2(其中云南2 933 hm2;广西2 400 hm2);产量为108万kg(云南66.4万kg,广西41.6万kg)云南产区三七产值为6 400 万元,当时的社会需求量为50万kg;之后三七种植面积大幅度下降,到1983年,云南文山

半导体发展现状与发展趋势

半导体发展现状与发展趋势 学院:机电学院班级:材成102 学号:5901210080 姓名:雷强强 摘要:半导体照明具有节能、环保、寿命长、尺寸小等优点,能够应用在各种各样的彩色和白色照明领域。发展半导体照明产业具有重大意义,能缓解能源危机,改善环境污染问题,有利于国民经济可持续发展。本文在介绍半导体照明特点的基础上,论述了半导体照明研究进展,分析了我国半导体照明产业发展面临的相关技术问题,最后对半导体照明工程发展趋势作了展望。 关键词:半导体照明、发光二极管、节能与环保 引言: 1879年,爱迪生发明了第一只作为热辐射电光源的碳丝白炽灯,使人类从漫长的火光照明时代进入了电气照明时代,第一次革命性地改变了人们的照明方式,拉开了人类现代文明的帷幕。 照明电光源经历了白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯三代产品,光效不断提高,耗电量不断下降,对人类社会的发展起了至关重要的作用。今天,人们在关注光照效率的同时,更注重照明方式对环境的影响。随着科学技术的进步,又一种新型电光源---发光二极管

照明(LED)即半导体照明,真正引发了电光源照明技术的质变,以其体积小、寿命长、耐闪烁、抗震动、色彩丰富、安全可控、节能环保、无紫外线和红外线辐射等全面优势掀起了第四次电光源技术革命,将电光源照明推进到节能环保的时代。 半导体照明应用的意义,绝不亚于前几次照明领域的技术革命。因为半导体照明将作为最有效的节能和环保的手段,将通过改善人类生存环境、发展照明的新概念和新模式来改善和提高人类的生活质量。 1.半导体照明的特点 1.1 半导体照明的机理 所谓半导体照明,是指利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载流子发生复合,释放出过剩能量引起光子反射,直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。LED 的核心PN 结,具有正向导通、反向截止等特性。当PN 结施加正向电压,电流从LED 的阳极流向阴极时,半导体晶体发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流大小有关,电流越大,发光亮度越高[1]。 1.2 半导体照明的优点 在同样亮度下,半导体灯的电能消耗仅为白炽灯的八分之一,因此半导体照明的应用将大大节约能源,同时还将减少二氧化碳的排放量[2]。2003 年,我国照明用电共2292 亿度。按照每年增长5%计算,到2010 年,照明用电可达3225 亿度以上。假如到2010 年有三分

中国半导体产业发展历史大事记

中国半导体产业发展历史大事记 1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。1956年,我国提出“向科学进军”,根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。 1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。 1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。 1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI(甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。 1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。 1962年,天津拉制出砷化镓单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。 1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。 七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂主要有:上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。

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