中等职业学校电子技术基础教案
第 1、2 课时
有大功率、中功率及小功率等二极管。按功率分: (5) 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。、二极管的伏安特性。4 、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管5课后半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电PN结具有单向导电性
小结普通二极管电路的分析主要采用模型分析法
稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由PN结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区
1
课时 3、4 第
课题半导体三极管课型
1、了解三极管的结构与特性；教学
2、掌握三极管的类型和电流放大原理；
3目的、理解三极管的特性曲线和主要参数。
三极管的电流放大原理重点
三极管的输入输出特性难点教学过程
一、三极管的基本结构和类型
二、三极管在电路中的联接方式
三、三极管的电流放大作用及原理
三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。
1）发射区向基区发射电子的过程
2）电子在基区的扩散和复合过程
II??BC）电子被集电区收集的过程3二、特性曲线和主要参数u?i?常数)i常数2、输出特性：)=f(u1、输入特性：i=f(u CEBBEC BCE课后了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；
小结理解三极管的特性曲线和主要参数。
2
第 5、6 课时
3
课时8 第7、课题共发射极放大电路的动态分析课型
了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。教学
目的微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数重点微变等效电路的画法难点
教学过程
一、三极管的微变等效电路：
iii CC b b cci b ruuu?i bececebeb ue be e
二、放大器的微变等效电路：
.U.0A 2.、电压放大倍数三、交流动态参数的计算：1输入输出电= u.U i课后掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。
小结
4
第 9、10 课时
5
第11、12 课时
6
第 13、14 课时
中职《电子技术基础》教案_246
中职《电子技术基础》教案篇一：《电子技术基础》教案 教案 2009 ~ 2010 学年第一学期 学院、系室机电教研室 课程名称《电子技术基础》 专业、年级、班级09级机电一体化 主讲教师李春菊 中国矿业大学银川学院 课程表 《电子技术基础》教案 编号：01
篇二：《电子技术基础》正式教案电 子 技 术 基 础 教 案 1-1 半导体的基础知识 目的与要求
1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2. PN结的形成 教学方法
讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体
第一章常用半导体器件 1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。 一、半导体的导电特性半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一
模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
《电子技术基础》正式教案
电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识
目的与要求 1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。
一、半导体的导电特性 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 2．空穴的运动（与自由电子的运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 （3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 1. N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴
中等职业技术学校：电子技术基础试题库3Word版
中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲
线
（） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电
中等职业学校《电子技术基础》教案
第1、2课时
课题半导体三极管课型 教学 目的 1、了解三极管的结构与特性； 2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点 难点 三极管的电流放大原理 三极管的输入输出特性 E2. 1. 1 三极昔结构示意国和表示符W 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。 1 )发射区向基区发射电子的过程 2 )电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3)电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(U BE) U C E常数 2、输出特性：i c=f(U CE) i B常数 三极管的基本结构和类型
了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理; 理解三极管的特性曲线和主要参数。课后 小结
第5、6 课时 课题 教学 目的 重点 难点 课型 共发射极放大电路 1、了解电路的结构组成 2、用图解法分析静态工作点和动态波形 1、电流放大原理 2、特性曲线 教学过程 三、三极管的基本结构和类型 1 、2、在电路中的联接方式四、极 管的电流放大作用及原理 五、特性曲线和主要参数 输入特性 I E=I C+I B 1 、 I C I 2 、 输出特性 l E=f(U BE)|U CE：常数 |c=f(U CE 常数 3 、 主要参数 直 A /V 课后 小结 了解共发射极放大电路的结构组成，及原理。熟练进行图解法分析放 大器的静态工作点和动态波形。
第7、8 课时 课题 1共发射极放大电路的动态分析课型 教学1了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。 目的 重点微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数 难点微变等效电路的画法 教学过程、三极管的微变等效电路： U i 课后掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。 小结 、交流动态参数的计算：1、电压放大倍数A u =U-02.输入输出电 、放大器的微变等效电
模拟电子技术基础教案
《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。
3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5
中职电工电子技术基础课程标准
中职 机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业 和农业机械使用与维护专业 电工电子技术基础课程标准 一、适用对象 中职三年制机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业。 二、课程性质 中等职业教育电工电子技术基础课程是中等职业学校机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业等电类和非电类专业的一门专业基础课程，它包含了电工电子技术中最基本的内容，使学生掌握专业必备的电工和电子技术基础知识和基本技能，具备分析和解决生产生活中一般电工电子技术问题的能力，具备学习后续专业技能课程的能力；对学生进行职业意识培养和职业道德教育，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础，是培养公民素质的基础课程。同时，它为学生的终身发展，形成科学的世界观、价值观奠定基础，对提高全民族素质具有重要意义。它的任务是：阐明直流电路和正弦交流电路的基本概念和基本原理；电磁现象的基本现象和规律；晶体二极管、三极管和晶闸管的等特性及其应用；低频放大电路、脉冲数字电路、直流电源电路结构和工作原理。 三、参考学时 中等职业教育电工电子技术基础课程的教学时数，建议根据专业不同，有所区别，各专业的教学时数分别为： ㈠、28学时（适用于机械加工技术专业、数控技术应用专业和计算机应用专业） ㈡、60学时（适用于农业机械使用与维护专业） 这一课程的教学统一安排在第一学年第二学期，具体学时分配建议在第七部分：内容纲要中。 四、课程的基本理念 中等职业教育电工电子技术基础课程根据社会发展、学生发展的需要，精选最基本的体现专业基础的电工电子技术知识，增加一些问题探究等内容，构建简明合理的知识结构。中等职业教育电工电子技术基础课程教学要以应用技术专业为导向，以提升学生电工电子技术知识，了解焊接设备的组成结构和工作原理与安全技术能力、以提高焊接职业素质、符合焊接职业资格标准的需要为目标，以强化应用为重点。 在本课程的实施中，要根据三年制中等职业教育学生的认知水平，提出与学生认知基础相适应的逻辑推理、数据处理等能力要求，适度加强贴近生活实际与所学专业相关的电工电子技术应用意识，避免繁杂的运算。同时，要展现知识形成和发展的过程，为学生提供感受和体验的机会，激发学生兴趣，培养学生合作交流的能力。 五、课程设计思路 中等职业教育电工电子技术基础课程以“凸现学生是教学的主体地位，理论教学为实习服务，根据企业需要，本着必需、够用原则，将内容模块化，教与学进程一体化”的总体设计要求。本课程要求学生掌握电路基础、电工技术、模拟电子技术、数字电子技术这四部分内容的基本概念和基本规律，彻底打破原有的学科体系设计思路，紧紧围绕专业工作任务完成的需要来选择和组织教学内容，突出项目任务与电工电子知识的联系，让学生在职业实践活动的基础上掌握电工电子知识，增强理论教学内容与职业岗位能力要求的相关性，提高学生的就业能力。
中职计算机基础教学设计
中职《计算机基础》项目教学设计 ——用WORD制作电子报为例 课程内容：WORD排版操作 所属学科：计算机基础 课程学时：2节课 教学对象：中专一年级 学习环境：计算机机房，每人一台可以上网的电脑学生可以上网查找所需要的资料 一、中职《计算机基础》项目教学设计基本流程概述 二、项目学习教学设计的背景
培养“技能型、应用型人才”是中等职业技术教育的培养目标是。笔者所在校是国家级重点学校，教学对象是刚入学的新生，他们对职业中专的学习，尤其是计算机课程的学习有较强的新鲜感。学习之初，让学生们多完成一些类似职业岗位要的任务，对培养学生的分析问题、解决问题的能力，培养学生的创新能力大有益处同时，有助于学生走出初中的学习模式，适应中专的学习，建立高效的学习方法，快掌握计算机应用技术，为学生将来主动适应工作需要奠定基础。 基于以上认识，在《计算机应用基础》“文档编辑与管理”模块的教学中，笔设计了用Word 制作电子报的任务。制作电子报虽在教学及研究中常常被采用，不新形式，但以制作电子报为学习Word的载体有无可替代的优势：(1)综合性强，及众多知识点，有一定难度，提高学生应用Word软件的实战水平；(2)锻炼学生实践能力和创新精神；(3)学生经历了搜集信息、整理信息、利用信息、表达信息过程，能够提高学生的信息素养。 电子报的主题为“我的职业目标”。专业技能是中职学生实现职业目标的基础中职生要成功地步入社会，寻找到适合自身发展和社会需要的就业平台，首先必须一技之长。职业教育即就业教育，学生入学时虽己选择了专业，但一些学生对自学习的专业缺乏深入的了解，专业思想不牢，学习意识不强。制作电子报“我的职目标”，要求学生立足自己的专业，规划出近期的职业目标。学生通过任务的完成，不仅能掌握Word图文混排、艺术化版面设计的技术，并且能加深对所学专业的认识熟知专业技能与就业的密切关系，巩固专业思想，激发学习专业技能的动力。在项目教学中，一个合适的项目可使学生形成学习的热情和期待完成的兴奋。 三、项目学习教学设计的理念 1．以实际问题的解决为中心 项目学习的目的是让学生通过解决所面临的实际问题的过程来获得学习。因此，中职计算机应用基础课程项目学习教学设计主要是从学生现有的计算机基础知识基础和学习能力出发，结合职业学校不同专业特点，设计与之相关的问题，以实际问题的解决为中心来开展教学。2．从经验、项目和反思中获得学习在项目学习教学设计中，经验是项目的基础，学生要在原有知识和经验的基础上，寻解决问题的方法，并通过项目来验证方法正确与否，如果项目失败，则在此项目的反思过程中总结新的经验并改进解决问题的方法，然后再次通过项目进行检验，依此类推。因此项目学习是“从做中学”、“从反思中学”以及“在学习中学会学习”的有机结合，是一个循环进行的项目—反思的过程，学生主要是通过交流已有的知识经验，并通过项目、反思来获得学习的。 3．注重操作技能培养 计算机的基本操作能力的掌握，对学生利用其解决工作和生活中所面临的实际问题至关重要，对其利用计算机进行学习的能力也是有着一定的影响。所以在中职计算机应用基础课程项目学习教学设计中，教学的目标主要以提高学生的计算机操作技能为主，逐步培养学生利用计算机解决实际问题的能力。 4．充分体现学生的主体地位 项目学习的过程是学生小组合作学习的过程，教师在项目学习中只是作为学习的指导者，参与小组学习并适时给予恰当的指导，整个学习过程是在学生的相互协作中完成的。因此，项目学习教学设计将学习的主动权交给学生，并通过适当的问题或情景等调动学生积极主动地参与教学过程，帮助学生养成良好的学习习惯。 5．强调团队合作 学生在项目学习的过程中，需要与小组成员相互交流经验，加深对问题的理解，并通过相互合作、互助来共同解决问题。这个过程更注重团队的合作能力，所以项目学习教学设计要强调团队合作，要让学生在项目学习中，既能发展智力、训练思维，又可以提高他们的团队意
对口高职电子技术基础中职期末精编测试题(一)
电子技术基础期末试题（一） 一、填空题（每空2分，共54分） 1．三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。 2．整流电路的作用是将电压变换为电压。3．PN结的单向导电性表现为时导通；时截止。4．交流负反馈能改善放大器的性能，直流负反馈能稳定放大器的，负反馈能增大输入电阻、减小输出电阻。 5．正弦波振荡器起振的幅度平衡条件为，相位平衡条件为△，n为整数。 6．硅二极管的导通电压为 V，锗二极管的导通电压为 V。 7．完成变换：（365）10＝（）2＝（）16 ＝( )8421BCD 8.分析集成运放电路要用到重要的两个概念和。9．开关型稳压电路的调整管工作在状态；普通线性稳压电路的调整管工作在状态。 10. 具有“有1出0，全0出1”的逻辑功能的逻辑门是门；与非门电路的逻辑功能为“、”。11. 双向晶闸管等同于两个单向晶闸管。 二、选择题（每小题3分，共33分） 12．基本RS触发器不具备的功能是( ) A. 置0 B. 置1 C. 保持 D. 翻转13．与非门的逻辑函数表达式为（） A. AB B. A+B C. AB D. A B + 14．用万用表测二极管的正、反向电阻几乎都趋于无穷大，则二极管（） A．正常 B.开路 C.短路 D.性能低劣15.逻辑函数式EFG Y=，可以写作（） A．G F E Y+ + = B．Y = E+F+G C．G F E Y? ? = D．FG E Y+ = 16.逻辑函数式AA+0+A,简化后的结果是（） A．1 B．A C．AA D． 0
17由NPN 型三极管构成的共射放大电路输出电压波形如图所示，该电路中存在（ ） A.线性失真，饱和失真 B.非线性失真，饱和失真 C.线性失真，截止失真 D.非线性失真，截止失真 18.图示电路中二极管的导通电压为0.7 V ，则输出电压Uo 等于 （ ） A.0V B.-2.3V C.2.3V D.-2V 19．逻辑函数EF F E F E ++，化简后答案是（ ） A ．EF B ．F E F E + C ．E+F D ．E+F 20. 单相桥式整流电容滤波电路中变压器次级电压U 2=10V ，则负载两端电压为（ ） A.9V B.10V C.12V D.15V 21.八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端个数是（ ） A 、2个 B 、3个 C 、4个 D 、8个 22.测得放大电路中，三极管三个极的电位分别如图所示，则此管 是（ ） A. NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D. PNP 型锗管 三、判断题（每小题3分，共33分） （ ）23.组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 （ ）24.负载要求得最大功率的条件是R=2r ，r 为电池内阻。 （ ）25.u i = 102sin ωt V 的最大值是10V 。 （ ）26.电位大小与参考点无关，电压大小与参考点有关。 （ ）27.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。 （ ）28.三极管内部电流不满足基尔霍夫第一定律。 （ ）29.与甲类功放相比，乙类功放的主要优点是没有失真。 （ ）30.用频率计测量1兆Hz 的方波信号，低通滤波器应处于“关”的位置。 （ ）31.共阴接法LED 数码管是用输出低电平有效的显示译 u o t 12v 0v 11.3v
《电子技术基础》教案
《电子技术基础》教案 适用学时：前60（54）学时 编写日期：2006年2月1日
§绪言 学时：1学时 教学内容 一、电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合，然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等，进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。 二、电子技术基础课程的内容 1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件，本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数，以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路 放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路 三、课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础，但它具有很强的实践性。 §第一章常用半导体器件 第一节半导体的基本知识 学时：1学时 教学要求： 1．了解半导体的一般概念 2．理解半导体的导电机理与导电特性 3．理解掺杂半导体的产生及导电类型 4．了解PN结的概念 5．理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性 教学内容 一、半导体的导电特性
（a ）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 二、N 型和P 型半导体 1、N 型半导体 在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 图1.2 N 2、P 型半导体 在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 图1.3 P 三、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成 所示。
中职电子技术教案
项目一半导体的基础知识 一、半导体： 1、半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。 2、导体： 3、绝缘体 二、本征半导体 1、本征半导体：纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 2、空穴：共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由 电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。 3、空穴电流: 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。 三：杂质半导体 1、杂质半导体:在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 1）.N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2）.P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。四、PN结
中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)
2015学年第1学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填 空题 （10小 题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分 得分 题 号 123456789101112 答 案
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第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性：单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分 : 有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 ）按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 ）按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 ）按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区
第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3）电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性：i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。
“模拟电子技术基础”课程教学大纲
“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。
（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。
中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案
《电子技术基础》期中试卷 一、填空题（每空1分，共32分） 1、晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一导电特性成为二极管的特性。 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。 3.用万用表“R x 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。 4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。 5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。 管型（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______工作状态（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 称为三极管的_______电流，它反映三极管的_______，Iceo越_______越好。 7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______，将直流电源视为_______。 8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。 二、判断题（每题2分，共14分） l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。（）2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。（） 3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就 班级：姓名：学号：题号一二三四五六七八九总分得分
《模拟电子技术基础》教学大纲
《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点：
放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。
中职电子技术基础期中试卷
2012年秋学期 《电子技术基础》期中测试 2012.11. 一、填空题（0.5’×50） 1、半导体中有两种载流子：和。 2、晶体二极管具有特性，即加电压时导通，加电压时截止。 3、晶体三极管具有作用，是一种控制型器件，通过 电流的变化去控制较大的电流变化。 4、晶体三极管内部结构有三个区：区、区和区；两个PN 结：和；三个电极：、和，分别用字母、、表示。 5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是：、工艺条件（内部条件）是：、、。 6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为和两种类型，它们的图形符号分别为和，基区为N型半导体的是型。 7、晶体三极管有三种基本联接方式：接法、接法和 接法。三极管的三个电极中，极既可以作为输入端，又可以作为输出端。 9、硅管的门坎电压约为V，导通电压约为V；锗管的门坎电压约为V，导通电压约为V。 10、若测得某晶体三极管的电流为：当I B=20μA时，I C=2mA；当I B=60μA时，I C=5.4mA，则可求出该管β为，I CEO为，I CBO为。 12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B一定时，测出与对应值的关系，它可以分为三个区域，即区、区和区。当三极管工作在区时，关系式I C =βI B才成立；当三极管工作在区时，I C≈0；当三极管工作在区时，V CE≈0；三极管在区时，具有恒流特性。
二、判断题（2’×10） 1、晶体二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。 （ ） 2、N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。 （ ） 3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。 （ ） 4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。 （ ） 5、用万用表测量小功率二极管，一般使用R ×10K Ω挡。 （ ） 6．用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“＋”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 （ ） 7、无论哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b 极电位总是高于e 极电位，c 极电位也总是高于b 极电位。 （ ） 8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成，所以e 极和c 极可以互换使用。 （ ） 9、对于NPN 型三极管，若U BE >0，U BE >U CE ，则该管工作在饱和状态。 （ ） 10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。 （ ） 三、选择题（2’×10） 1、某硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（ ） A 、约等于150伏 B 、可略大于150伏 C 、不得大于40伏 D 、等于75伏 2、电路如图所示，图中二极管为理想二极管， 当输入电压Vi=0V 时，输出电压Vo=（ ）V ； 当输入电压Vi=20V 时，输出电压Vo=（ ）V 。 A 、3V B 、0V C 、10V D 、20V 3、在一块放大电路板上，测得某三极管对地电位如图所示，则管子的导电类型，管脚自左至右的顺序分别为（ ）。 A 、NPN 型，ebc B 、PNP 型，ebc C 、NPN 型，bce D 、PNP 型，bce 4．在半波整流滤波电路中，如已知U2=10V ，则负载RL 上的输出电压为（ ）。 A ．12V B ．9V C ．4.5V D ．10V 5．晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流I C 将 （ ）。 A ．随I B 增加而增加 B ．随I B 增加而减少 V + _ O
中职电子技术基础与技能期中试题.doc
2015—2016学年度第二学期期中 电子技术基础与技能 试题 题号 一 二 三 四 五 总分 签字 得分 一、单项选择题（10小题,每题2分,共20分） 1、对于放大电路,所谓开环是指（ ） A.无信号源 B.无反馈通路 C.无电源 D.无负载 2、稳压二极管的稳压区是其工作在（ ） A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 D.死区 3、桥式整流电路中,已知U 2=10V,若某一个二极管开路,此时输出的电压U L =（ ） A.12V B.9V C.4.5V D.0 4、反馈放大器的含义是（ ） A.输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路以外还有信号通路 D.存在使输入信号削弱的反向传输通路 5、提高放大器的输入电阻和稳定输出电流,则应选用（ ） A.电流串联负反馈 B.电流并联负反馈 C.电压串联负反馈 D.电压并联负反馈 6、差分放大电路主要的优点是（ ） A.输入电阻大 B.输出电阻小 C.温漂小 D.放大倍数稳定 7、功率放大器的效率是指（ ） A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与电源供给功率之比 C.最大输出功率与电源所提供的功率之比 D.三极管得到的最大功率与电源供给功率之比 8、在OCL 电路中,引起交越失真的原因是（ ） A.输入信号大 B.三极管的β过大 C.电源电压太高 D.三极管输入特性的非线性 9、为了减小交越失真,加偏置的OCL 电路在静态时处于（ ） A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.微导通状态 10、集成稳压器CW78L05表示（ ） A.输出电压5V,最大输出电流1A B.输出电压-5V,最大输出电流1A C.输出电压-5V,最大输出电流0.1A D.输出电压5V,最大输出电流0.1A 二、多项选择题（5小题,每题3分,共15分） 1、多级放大电路与单级放大电路相比,错误的是（ ） A.通频带变窄 B.通频带变宽 C.电压增益提高 D.电压增益减小 2、关于集成运放的理想特性,正确的是（ ） A.开环差模放大倍数趋于无穷大 B.两输入端之间的输入电阻趋于无穷大 C.输出电阻趋于无穷大 D.共模抑制比趋于无穷大 3、功率放大器的基本要求有（ ） A.尽可能大的输入功率 B.尽可能高的效率 C.较小的非线性失真 D.较好的散热装置 4、OTL 电路和OCL 电路的区别主要有（ ） A.有无输出电容 B.有无输出变压器 C.双电源或单电源供电 D.是否存在交越失真 5、三极管各个极的电位如下,不处于放大状态的三极管是（ ） A.V B =0.7V,V E =0V,V C =0.3V B.V B =-6.7V,V E =-7.4V,V C =-4V V B =-3V,V E =0V,V C =6V D.V B =2.7V,V E =2V,V C =2V 三、填空题（5小题,每题2分,共10分） 1、多级放大电路通常有三种耦合方式,即 、变压器耦合和 方式。 2、集成运放工作在线性区的特征是引入深度 。工作在线性放大状态的集成运放具有两个重要特点,分别是 。 3、大小相等、极性相反的信号称为 信号；大小相等、极性相同的信号称为 信号。 4、乙类功放电路中,功放管静态工作点设置在 边缘,因此几乎无静态电流,电路的功率损耗减到最小,放大器的效率最高可达 。 5、直流稳压电源是一种当交流电网电压发生变化时,或 变动时,能保持 基本稳定的直流电源。 四、判断题（10小题,每题2分,共20分） 1、多级放大电路的电压放大倍数是每级“有载电压放大倍数”的代数和。（ ） 2、直流负反馈是指直流通路中的负反馈。（ ） 3、放大器的零点漂移是指输出信号不能稳定于零电压。（ ） 4、集成运放电路采用差分放大电路的原因是抑制零点漂移。（ ） 5、实际功率放大电路经常采用甲乙类放大电路。（ ） 6、用硅稳压二极管组成稳压电路,使用时负载电阻应与稳压二极管串联。（ ） 7、稳压二极管稳压电路不能适应负载较大电流的需要。（ ） 8、在运算电路中,集成运放的反向输入端均为虚地。（ ） 9、CW317是一种输出负电压的三端可调式集成稳压器。（ ） 10、一般情况下,开关式稳压电路比线性稳压电路效率高。（ ） 五、综合题（4小题,共35分） 1、（10分）如下图所示为四级放大电路： （1）求放大电路的总增益G u 。 （2）当在此放大电路中加入输入信号U i=20uV 时,求输出信号电压U o 。 2、（10分）如下图所示稳压电路中,参数已标在图上（U Z =6V ）,试求： （1）输出电压U 0 （2）变压器二次电压有效值U 2 （3）负载电流I L （4）流过限流电阻R 的电流I R （5）流过稳压二极管的电流I Z ……………………………………………………………………………………………………………………………………… G u 1(15dB) G u 2(40dB) G u 3(40dB) G u 4(5dB)