第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介讲解学习

第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介讲解学习
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介讲解学习

目录目录

第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 0

9.1 电力二极管的应用简介 0

9.1.1 电力二极管的种类 0

9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 0

9.1.3 电力二极管的主要参数 0

9.1.4 电力二极管的选型原则 (1)

9.2 电力晶体管的应用简介 (2)

9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)

9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)

9.3 晶闸管的应用简介 (3)

9.3.1 晶闸管的种类 (3)

9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)

9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)

9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)

9.4 总结 (6)

第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介

9.1 电力二极管的应用简介

电力二极管(Power Diode)在20世纪50年代初期就获得应用,当时也被称为半导体整流器;它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同,都以半导体PN结为基础,实现正向导通、反向截止的功能。电力二极管是不可控器件,其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。

9.1.1 电力二极管的种类

电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。

9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途

名称结构特点、用途实例图片

整流二极管

多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长,一般在5s以上,其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。

快速恢复二极管

恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短(一般在5s以下)。快恢复外延二极管,采用外延型P-i-N结构,其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右)。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。

肖特基二极管

优点:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管;因此,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。

弱点:(1)当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场合.(2)反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。

9.1.3 电力二极管的主要参数

1.正向平均电流I F(AV)。

正向平均电流指电力二极管长期运行时,在指定的管壳温度(简称壳温,用T C表示)和散热条件下,其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。其是按照电流的发热效应来定义的,使用时应按有效值相

等的原则来选取电流定额,并应留有一定的裕量。

2.正向压降U F。

正向压降指电力二极管在指定温度下,流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。

3.反向重复峰值电压U RRM。

反向重复峰值电压指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时,应当留有两倍以上的裕量。

4.最高工作结温T JM。

结温是指管芯PN结的平均温度,用T J表示。最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。T JM通常在125~175 ℃范围之内。

5.反向恢复时间t rr。

6.最大浪涌电流I FSM。

浪涌电流指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

9.1.4 电力二极管的选型原则

(1)电力二极管的结构和型式满足应用场合的特点和技术要求。

(2)正向平均电流不小于其在应用电路中流过的最大电流。

(3)正向压降满足应用电路的技术要求。

(4)反向重复峰值电压不小于其在应用电路中承受的最大反向电压峰值的2倍。

(5)最高工作结温不小于其在应用电路的最高温度。

(6)反向恢复时间满足应用电路的要求。

(7)最大浪涌电流不小于其在应用电路中流过的最大浪涌电流。

(8)选择质量好、性价比高的品牌。

9.2 电力晶体管的应用简介

电力晶体管(GTR )是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(BJT ),所以有时也称为Power BJT ;与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。GTR 是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件,具有自关断能力的全控型器件。

电力晶体管最主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好,同时它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性,又增大了功率容量;电力晶体管的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏、驱动电路复杂,驱动功率大。

由于它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短,因此在中等容量和中等频率的电源、电机控制、通用逆变器等电路中被广泛应用。

9.2.1 电力晶体管的主要参数

1.电力晶体管的主要参数有电流放大倍数β、直流电流增益h FE 、集电极与发射极间漏电流I ceo 、集电极和发射极间饱和压降U ces 、开通时间t on 和关断时间t off 。

2.最高工作电压。

电力晶体管上所加的电压超过规定值时,就会发生击穿。击穿电压不仅和晶体管本身的特性有关,还与外电路的接法有关。发射极开路时集电极和基极间的反向击穿电压BU cbo ,基极开路时集电极和发射极间的击穿电压BU ceo ,发射极与基极间用电阻联接或短路联接时集电极和发射极间的击穿电压BU cer 和BU ces ,发射结反向偏置时集电极和发射极间的击穿电压BUcex 。且存在以下关系:

BU BU BU BU BU ceo cer ces cex cbo

>>>> 9.2.2 电力晶体管的选型原则

(1)电力晶体管的种类、应用场合满足应用电路的设计要求。

(2)共发射极直流放大倍数HFE 满足应用电路的要求。

(3)共发射极交流放大倍数β满足应用电路的要求。

(4)特征频率不小于其在应用电路中的最大频率的3倍。

(5)集电极和发射极间饱和压降满足应用电路的要求。

(6)集电极最大允许电流不小于其在应用电路中的最大电流2倍。

(7)集电极最大允许耗散功率满足应用电路的要求。

(8)开通时间ton 和关断时间toff 满足应用电路的要求。

(9)选择质量好、性价比高的品牌。

晶闸管二极管主要参数及其含义

晶闸管二极管主要参数及其含义 IEC标准中用来表征晶闸管二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就晶闸管二极管的主要参数做一简单介绍 1、正向平均电流I F(AV) (整流 管) 通态平均电流I T(AV) (晶闸管) 是指在规定的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 时,允许流过器件的最大正弦半 波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度T jm 仪元公司产品手册中均 给出了相应通态电流对应的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 值用户使用中应根据实 际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件 2、正向方均根电流I FRMS (整流管) 通态方均根电流I TRMS (晶闸管) 是指在规定的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 时,允许流过器件的最大有效电 流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值 3、浪涌电流I FSM (整流管)I TSM (晶闸管) 表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示仪元公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许 结温下施加80% V RRM 条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象

4、断态不重复峰值电压V DSM 反向不重复峰值电压V RSM 指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件 5、断态重复峰值电压V DRM 反向重复峰值电压V RRM 是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压 6、断态重复峰值漏电流I DRM 反向重复峰值漏电流I RRM 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压V DRM 和反向重复峰值电压V RRM 时流过 元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出 7、通态峰值电压V TM (晶闸管) 正向峰值电压V FM (整流管)

第14章习题 二极管和晶体管

分析计算题 14-301、 二极管电路如图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压V AO。设二极管是理想的。 解图a:将D断开,以O点为电位参考点,D的阳极电位为-6 V,阴极电位为-12 V,故D处于正向偏置而导通,V AO=–6 V。 图b:对D1有阳极电位为0V,阴极电位为-12 V,故D1导通,此后使D2的阴极电位为0V,而其阳极为-15 V,故D2反偏截止,V AO=0 V。 图c:对D1有阳极电位为12 V,阴极电位为0 V,对D2有阳极电位为12 V,阴极电位为-6V.故D2更易导通,此后使V A=-6V;D1反偏而截止,故V AO=-6V。 14-302、图示放大电路中,电容C E断开后电路的电压放大倍数的大小将() A.减小 B.增大 C.忽大忽小 D.保持不变

14-303、理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u 0为( ) A .-6V B .0V C .+3V D .+9V 14-304、某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在( ) A .放大状态 B .饱和状态 C .截止状态 D .无法确定伏态 14-305、图13为稳压管稳压电路,分析当负载电阻不变,电网电压上升时,该 电路的稳压原理。[3分] 图 13解:U i →U o ↑→I Z ↑→I R ↑→U R ↑→U o ↓ 14-306、如图1.1所示,二极管正向压降忽略不计,试求下列各种情况下输出端F 点的电位和电阻R 、二极管V DA 、V DB 中流过的电流。 (1)V A =V B =0V (2)V A =6V ,V B =0(3)V A =V B =6V 。 图1.1 R + - U i I R V I Z R L I L U o

第四章 半导体二极管和晶体管

第四章半导体二极管和晶体管 教学目标 本章课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能,为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 1.掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,以及将所学知识用于本专业的能力。 教学内容 1、半导体基础知识 2、PN结特性 3、晶体管 教学重点与难点 1、PN结的单向导电性、伏安特性 2、二极管的伏安特性及主要参数 3、三极管放大、饱和、截止三种模式的工作条件和性能特点 一、电子技术的发展 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。

电子管→半导体管→集成电路 半导体元器件的发展: 1947年贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年集成电路 1969年大规模集成电路 1975年超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管,而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。有科学家预测,集成度还将按10倍/6年的速度增长,到2015或2020年达到饱和。 二、模拟信号与模拟电路 1、电子电路中信号的分类: 数字信号:离散性。 模拟信号:连续性。大多数物理量为模拟信号。 2、模拟电路 模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大,有功能和性能各异的放大电路。模拟电路多以放大电路为基础。 3、数字电路 数字电路主要研究数字信号的存储、变换等内容,其主要包括门电路、组合数字电路、触发器、时序数字电路等。 数字电路的发展与模拟电路一样经历了由电子管、半导体分立器件到集成电路等几个时代。但其发展比模拟电路发展的更快。

电力题全答案

电力电子技术复习题 题型 一. 填空题(每空2分,共20分) 二. 判断题(5小题,每小题2分,共10分) 三. 选择题(5小题,每小题2分,共10分) 四. 简答题(3小题,每小题10分,共30分) 五. 分析题(15分) 电路分析,电压电流波形,整流电路+续流二极管/二象限斩波电路+直流电机负载 六. 计算(15分) 整流电路电压电流/晶闸管的额定参数计算 总成绩: 平时(作业+练习+考勤)15%+实验(考勤+报告)15%+期终70% . 复习题 一,填空/判断/选择 1, 电力电子器件一般工作在_开关_状态。 2, 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要有_通态损耗_,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。 3, 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。 4, 肖特基二极管的开关损耗明显低于快恢复二极管的开关损耗。 5, 晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。 6, 对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上的关系是I L约为I H的2–4倍。7, 晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上的关系是U DRM

二极管与三极管练习

二极管、三极管练习 一、是非题:(8分) ()1、二极管是根据PN结的单向导电特性制成的,因此,二极管也具有单向导电性。 ()2、二极管的电流—电压特性关系可大概理解为反向偏置导通、正向偏置截止。 ()3、用万用表识别二极管的极性时,若侧的是二极管的正向电阻,那么和标有“+”号的测试笔相连的是二极管的正极,另一端是负极。 ()4、一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()5、晶体管由两个PN结组成,所以,能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。 ()6、晶体管相当于两个反向连接的二极管,所以,基极断开后还可以作为二极管使用。 ()7、发射结处于正向偏置的晶体管,一定是工作在放大状态。 ()8、既然晶体管的发射区和集电区是由同一种类型的半导体构成,故E极和C极可以互换使用。 二、选择题:(20分) 1、如果二极管的正、反向电阻都很大,则该二极管()。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 2、如果二极管的正、反向电阻都很小或为零,则该二极管()。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 3、用万用表电阻档测量小功率二极管的特性好坏时,应把电阻档拨到()。 A、R*100或R*1000档 B、R*1档 C、R*10K档 4、用万用表电阻档测试二极管的电阻时,如果用双手分别捏紧测试笔和二极管引线的接触处,测得二极管正、反向电阻,这种测试方法引起显著误差的是()。 A、正向电阻 B、反向电阻 C、正、反向电阻误差同样显著 D、无法判断 5、当晶体管的两个PN结都反偏时,晶体管处于()。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 6、当晶体管的两个PN结都正偏时,晶体管处于()。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 7、当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,晶体管处于()。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 8、当晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。 A、随基极电流的增加而增加 B、随基极电流的增加而减小 C、与基极电流变化无关,只取决于U CC和R C

第14章二极管和晶体管

第十四章二极管和晶体管 第十四章 二极管和晶体管 一、本章提要 介绍二极管和晶体管的基本结构、工作原理、特性和参数,PN结的构成是各种半导体器件的共同基础。此外本章还介绍了稳压管和几种光电器件。 二、本章课时安排 章节序号及名称主要内容学时分配本章总学时 14.1半导体的导电特性介绍本征半导体、杂质半导体、N型半导体和P 型半导体的基本概念。 1学时 14.2 PN结及其单向导电性1 PN结的构成; 2 PN结的单向导电性。 0.5学时 14.3 二极管二极管的结构、伏安特性和参数。 0.5学时14.4 稳压二极管 稳压管的工作原理、伏安特性和主要参数。 0.5学时14.5 晶体管晶体管的基本结构、电流分配和放大原理、伏安 特性和主要参数。 1学时 14.6 光电器件 光电器件:发光二极管、光电二极管和光电晶体 管。 0.5学时 4学时 14.1 半导体的导电特性 一、相关内容回顾 自1948年第一个晶体管问世以来,半导体技术有了飞跃的发展由于半导体器件具有重量轻、体积小、耗电少、寿命长、,工作可靠等突出优点,在现代工业、现代农业、现代国防和现代科学技术中获得了广泛的应用。 导体二极管和三极管是最常用的半导体器件,虽然在物理课中有所了解,但为了理论的系统化、我们还要从讨论半导体的导电特性和PN结的基本原理(特别是它的单向导电性)开始。因为PN结是构成各种半导体器件的共同基础,了解二极管和三极管的基本结构,工作原理、特性和参数,是学习电子技术和分析电子电路必不可少的基础。 二、重点及难点 1.教学重点: (1)本征半导体与杂质半导体的概念; (2)N型半导体和P型半导体的概念。 2.教学难点: (1)本征半导体和杂质半导体的特点和导电机理; (2)杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种,它们的特点和导电机理。 1

第14章习题 二极管和晶体管

选择与填空题 14-001、测得电路中几个三极管的各极对地电压题2.8图所示,其中某些管子已损坏。对于已损坏的管子,判断损坏情况;其他管子则判断它们各工作在放大,饱和和截止中的哪个状态? 判断是锗管还是硅管? +0.7V +2.7V +2V +2.3V +5V 0V 0V 0V 0V 0V 0V +6V +6V +3V ?5V ?0.2V ?6V ?1V ?2V ?1.3V ?1V ?1.7V ?5.3V ?6V 题 2.8图 (a) (b) (c) (e) (f) (g) (h) (d) 答案 (a) 放大 硅管 (b) 放大 锗管 (c) 饱和 硅管 (d) 坏 (e ) 坏 (f) 饱和 硅管 (g) 坏 (h) 放大 硅管 14-002、用直流电压表测某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别是如图所示。试指出每只晶体管的E 、B 、C 极。 14-003、写出下图所示各电路的输出电压值,设图中二极管都是理想的。 ① ② ③ V 6V 3- V 3.2- 1 T ① ② ③ V 0V 5V 7.0- 2T ① ② ③ V 6V 6- V 7.5 3 T 图(a ) 图(b ) 图(c )

答案 (a) 2V (b) 0 V (c) -2 V (d) 2V (e ) 2 V (f) -2V 14-004、电路如图所示,设 D Z1 的稳定电压为6 V ,D Z2 的稳定电压为12 V ,设稳压管的正向压降为0.7V ,则输出电压U O 等于( )。 (a) 18V (b) 6.7V (c) 30V (d) 12.7V 30V 2k U O D Z1D Z2 + - + - 答案 (b) 14-005、判断下图所示各电路中三极管的工作状态,( )图工作在截止区。 图1-2 14-006、 (1)二极管的正极电位为-5V ,负极电位为-4.3V ,则二极管处于( )状态。 (a )反偏 (b )正偏 (c )零偏 (2)稳压管是特殊的二极管,它一般工作在( )状态。 (a )正向导通 (b )反向截止 (c )反向击穿 (3)晶体管工作在放大区时,具有以下哪个特点( )。 (a )发射结反向偏置 (b )集电结反向偏置 (c )晶体管具有开关作用 (4)当三极管的两个PN 结都有反偏电压时,则三极管处于( ),当三极管的两个PN 结都有正偏电压时,则三极管处于( )。 (a )截止状态 (b )饱和状态 (c )放大状态

第9章 电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介

目录 目录............................................................................................................................................................................. I 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . (1) 9.1 电力二极管的应用简介 (1) 9.1.1 电力二极管的种类 (1) 9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 (1) 9.1.3 电力二极管的主要参数 (1) 9.1.4 电力二极管的选型原则 (2) 9.2 电力晶体管的应用简介 (3) 9.2.1 电力晶体管的主要参数 (3) 9.2.2 电力晶体管的选型原则 (3) 9.3 晶闸管的应用简介 (4) 9.3.1 晶闸管的种类 (4) 9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (4) 9.3.3 晶闸管的主要参数 (5) 9.3.4 晶闸管的选型原则 (6) 9.4 总结 (7)

第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 9.1 电力二极管的应用简介 电力二极管(Power Diode)在20世纪50年代初期就获得应用,当时也被称为半导体整流器;它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同,都以半导体PN结为基础,实现正向导通、反向截止的功能。电力二极管是不可控器件,其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 9.1.1 电力二极管的种类 电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。 9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 名称结构特点、用途实例图片 整流二极管 多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长,一般在5s以上,其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。 快速恢复二极管 恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短(一般在5s以下)。快恢复外延二极管,采用外延型P-i-N结构,其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右)。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。 肖特基二极管 优点:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管;因此,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。 弱点:(1)当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场合.(2)反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。 9.1.3 电力二极管的主要参数 1.正向平均电流I F(AV)。 正向平均电流指电力二极管长期运行时,在指定的管壳温度(简称壳温,用T C表示)和散热条件下,其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。其是按照电流的发热效应来定义的,使用时应按有效值相

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义

CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极

管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流

第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介讲解学习

目录目录 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 0 9.1 电力二极管的应用简介 0 9.1.1 电力二极管的种类 0 9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 0 9.1.3 电力二极管的主要参数 0 9.1.4 电力二极管的选型原则 (1) 9.2 电力晶体管的应用简介 (2) 9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2) 9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2) 9.3 晶闸管的应用简介 (3) 9.3.1 晶闸管的种类 (3) 9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3) 9.3.3 晶闸管的主要参数 (4) 9.3.4 晶闸管的选型原则 (5) 9.4 总结 (6)

第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 9.1 电力二极管的应用简介 电力二极管(Power Diode)在20世纪50年代初期就获得应用,当时也被称为半导体整流器;它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同,都以半导体PN结为基础,实现正向导通、反向截止的功能。电力二极管是不可控器件,其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 9.1.1 电力二极管的种类 电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。 9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 名称结构特点、用途实例图片 整流二极管 多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长,一般在5s以上,其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。 快速恢复二极管 恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短(一般在5s以下)。快恢复外延二极管,采用外延型P-i-N结构,其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右)。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。 肖特基二极管 优点:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管;因此,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。 弱点:(1)当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场合.(2)反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。 9.1.3 电力二极管的主要参数 1.正向平均电流I F(AV)。 正向平均电流指电力二极管长期运行时,在指定的管壳温度(简称壳温,用T C表示)和散热条件下,其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。其是按照电流的发热效应来定义的,使用时应按有效值相

半导体二极管和晶体管

第6章集成运算放大器的单元电路 习题解答 【6-1】填空 1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用耦合方式。 2. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30,则将它们连成两级放大电路,其放大倍数为(a. 600,b. 大于600,c. 小于600) 3. 在三级放大电路中,已知|A u1|=50,|A u2|=80,|A u3|=25,则其总电压放大倍数|A u|= ,折合为dB。 解: 1.直接; 2. c 小于600; 3.105,100; 【6-2】填空 1.放大电路产生零点漂移的主要原因是。 2.在相同的条件下,阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路。这是由于。 3.差分放大电路是为了而设置的。 4.抑制零漂的主要措施有种,它们是。 解: 1. 环境温度变化引起参数变化; 2. 小;零点漂移是缓慢变化的信号,将难于通过耦合电容; 3. 克服(抑制)零点漂移; 4. 3,差分放大电路、调制解调放大器和温度补偿元件。 【6-3】某差分放大电路如题图6-3所示,设对管的β=50,r bb′=300Ω,U BE=0.7V,R W的影响可以忽略不计,试估算: 1.VT1,VT2的静态工作点; 2.差模电压放大倍数A ud; 3.仿真验证上述结果。 V EE =-12V 图6-3 题6-3电路图 解: 1.静态工作点计算,令 I1I20 u u ==

E E B E B 1B 2 b e 10.9μA 2(1)V U I I R R β-===++ C 1C 2B 1 0.54m A I I I ===β C E 1C E 2 C C E E C c e ()(2)7.70V U U V V I R R ==+-+≈ 2.be bb'E 26mV (1) 2.75k mA r r I β=++? ≈Ω o c ud I1I2b be 22.0U R A U U R r β==-≈--+ 【6-4】 在题图6-4所示的差分放大电路中,已知两个对称晶体管的β=50,r be =1.2k Ω。 1.画出共模、差模半边电路的交流通路; 2.求差模电压放大倍数ud A ; 3.求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。 V V EE 图6-4题6-4电路图 解: 1. 在共模交流通路中,电阻R 开路,故其半边电路的射极仅接有电阻R e ;在差模交流通路中,电阻R 的中点电压不变,相当于地,故其半边电路的发射极电阻为R e 和R /2 的并联。 + - Oc u 图6-4 (a )共模 (b )差模

实验二 晶体二极管和三极管的简单测试

实验二晶体二极管和三极管的简单测试 一、实验目的 1. 学习使用万用表检测晶体二极管和晶体三极管的好坏及判别管脚。 2. 加深巩固对元器件特性和参数的理解。 二、实验器材 万用表: 500型一只 二极管: 1N4001—1N4007型一只 三极管: 9012(PNP型硅管)、9013(NPN型硅管)各一只 质量差和坏的各类二极管、三极管若干只电阻: 100K 一只 三、实验原理内容及步骤 晶体二极管和晶体三极管是电子电路和电子设备中的基本器件,为了能正确的加以选用,必须了解它们的特性、参数以及测试方法,这里介绍使用万用表检测的方法。 使用万用表对器件进行检测时,一般应使用该表的R×1K或R×100档,用其它档位会造成晶体管损坏。还应注意,指针式万用表欧姆档红表笔正端(+)接表内电池的负极,而黑表笔负端(-)接表内电池的正极。 (一)利用万用表测晶体二极管

1、判别二极管的极性 将万用表欧姆档的量程拨到R×1K、R×100档,并将两表笔分别接到二极管两端。如图1—1所示。如果二极管处于正向偏置,呈现低电阻,表针偏转大,此时万用表指示的电阻小于几千欧,若二极管处于反向偏置,呈现高电阻,表针偏转小,此时万用表指示的电阻将达几百千欧以上。正向偏置时,黑表笔所接的那一端是二极管的正极。 图2—1 2、判别二极管好坏 测得二极管的正向电阻相差越大越好,若测得正反向电阻均为无穷大,则表明二极管内部断路。如果测得正、反向电阻均为零,此时表明二极管被击穿或短路。 (二)用万用表测发光二极管 发光二极管和普通二极管一样具有单向导电性,正向导通时才能发光。发光二极管在出厂时,一根引线做得比另一根引线长,通常,较长引线表示正极(+),另一根为负极(-)。 1、判别发光二极管的极性

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