模拟电子电路填空题及答案

一、填空题(每小题2分,共20 分)

1、三极管具有放大作用时,外部电压条件是发射结(正向偏置),集电结(反向

偏置)。

2、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数

AF=()。

3、当温度升高时三极管的集电极电流IC 增大,电流放大系数β增大。

4、单相全波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是 1.41U2 。

5、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,

而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。

6、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功

率放大器。

7、差分放大电路能够抑制零点漂移,所以它广泛应用于集成电路中。8、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于1 ,输入电阻大,输

出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

9、双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压

控制器件。

10、在有源滤波器中,运算放大器工作在线性区;在滞回比较器中,运算放大器工作在非线性区。

1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)

导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温

度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;

当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;

4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反

偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共

集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为

了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大

电路的放大倍数AF=(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(10、1+AF fH –fL 1+AF

)BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()

信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()

类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。12、交越甲乙13、双单

15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于1 ),输入电阻(大),

输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高

频信号是运载信息的工具,称为()。

???17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是

()。

1、导通截止单向

2、反向少数温度无关

3、零无穷大

4、电流电压

5、正偏反偏

6、增加减小

7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF 1/F

10、1+AF fH –fL 1+AF 11、共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1 大小15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy

1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)

导电性。

3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外

加电压(无关)。

4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增加),发射结压降UBE(减少)。

6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。

7、三极管放大电路共有三种组态(公基)、(公集)、(公发)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用(直流)负反馈,为了减小输出电阻采用(电压)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数Af=(A/A+AF ),对于深度负反馈Af=(1/f )。

10、共模信号是大小(相等),极性(相同)的两个信号。

11、乙类互补功放存在(交越)失真,可以利用(甲乙)类互补功放来克服。

12、用低频信号去改变高频信号的频率称为(调频),低频信号称为(调

制)信号,高频信号称高频(载波信号)。

13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路(好),fa=(1+ β)fβ。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有(正反馈)网络。

15、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是(√2U2 )。1、多数少数2、导通截止单向3、少数温度无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏

7、共射极共集电极共基极8、直流电压9、A/1+AF 1/F 10、相等相同11、交越甲乙

12、调频调制高频载波13、好1+β14、正反馈

15、√2U2

1、空穴为(多数)载流子。自由电子为(少数)载流子的杂质半导体称为P型半导体。

2、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为(正偏)反之称为(反)

3、由漂移形成的电流是反向电流,它由(少数)栽流子形成,其大小决定于(温度),而与外电场(无关)。

4、稳定二极管稳压时是处于(反向)偏置状态,而二极管导通时是处于(正向)偏置状态。

5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是(电流)控制元件。

6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO(增加)所以Ic也(增加) 。

7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用(电流)负反馈。为稳定交流输出电压,采用(电压)负反馈,为了提高输入电阻采用(串联)负反馈.。

8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以(扩展)通频带(减少)失真。

9、反馈导数F=(Xf/Xo )。反馈深度是(1+AF )。

10、差分放大电路能够抑制(共模)信号,放大(差模)信号。

11、OCL电路是(双电源)电源互补功放,OTL是(单电源)电源互补功放。

12、用低频信号改变高频信号的相位称为(调相)。低频信号称为(调制信号)、高频信号称为(载波信号)。13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而(下降)。共基极电路比共射极电路高频特性(好)。

14、振荡电路的平衡条件是(AF=1 ),(正反馈)反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。

15在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2 )。一、填空题(每空1分,共32分)

1、自由电子为(少数)载流子,空穴为多数()载流子的杂质半导

体称为(P )半导体。

2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(导通),反偏时(截止)。

3、扩展运动形成的电流是(正向)电流,漂移运动形成的电流是(反向)。

4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(为0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成开断。

5、场效应管的漏极电流ID=( gmugs ),所以它是(电压)控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(增大),电流放大系数β(增加)。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用(串联)负反馈。为了稳定输出电流,采用(电流)负反馈。

8、负反馈使放大电路增益(下降),但(提高)增益稳定性。9、(1+AF)称为负反馈深度,其中F=( Xf/Xo ),称为(反馈系数)。

10、差模信号是大小(相同),极性(相反),差分电路抑制(温度)漂移。

11、甲乙类互补功率放大器,可以消除(乙)类互补功率(交越)失真。

12、用低频信号去改变高频信号的(幅度)称为调幅,高频信号称为(载波)信号。

13、当频率升高时,晶体管电流放大系数(下降)共基极电路比共射极电路的高频特性(好),fδ=(1+ β)fβ

14、振荡电路的平衡条件是(AF=1 ),正反馈才能保证振荡电路的(相位平衡条件)。

15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2 )。1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)

导电性。

3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外

加电压(无关)。

4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增加),发射结压降UBE(减少)。

6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。

7、三极管放大电路共有三种组态(共基)、(共发)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用(电流)负反馈,为了减小输出电阻采用(电压)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数Af=(、A/1+AF ),对于深度负反馈Af=(1/F )。

10、共模信号是大小(相同),极性(相同)的两个信号。

11、乙类互补功放存在(交越)失真,可以利用(甲乙)类互补功放来克服。

12、用低频信号去改变高频信号的频率称为(调频),低频信号称为(调

制)信号,高频信号称高频(载波信号)。

13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路(好),fa=(1+ β)fβ。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有(正反馈)网络。15、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是(√2U2 )。1、空穴为(d多数)载流子。自由电子为(少数)载流子的杂质半导体称为P型半导体。

2、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为(导通)反之称为(截止)

3、由漂移形成的电流是反向电流,它由(少数)栽流子形成,其大小决定于(温度),而与外电场(无关)。

4、稳定二极管稳压时是处于(反向)偏置状态,而二极管导通时是处于(正向)偏置状态。

5、晶体三极管的集电极电流Ic=( βIB ) 所以它是(店里)控制元件。

6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO(增加)所以Ic也(增加) 。

7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用(电流)负反馈。为稳定交流输出电压,采用(电压)负反馈,为了提高输入电阻采用(串联)负反馈.。

8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以(扩展)通频带(减少)

失真。

9、反馈导数F=(Xf/Xo )。反馈深度是(1+AF )。10、差分放大电路能够抑制(共模)信号,放大(差模)信号。

11、OCL电路是(双)电源互补功放,OTL是(单)电源互补功放。

12、用低频信号改变高频信号的相位称为(调相)。低频信号称为(调制)、高频信号称为(载波)。

13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而(减少)。共基极电路比共射极电路高频特性(好)。

14、振荡电路的平衡条件是(AF=1 ),(正反馈)反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。

15在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2 )。

5、场效应管的漏极电流ID=( gmugs ),所以它是(电压)控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(增加),电流放大系数β(增加)。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用(串联)负反馈。为了稳定输出电流,采用(电流)负反馈。

8、负反馈使放大电路增益(减小),但(增加)增益稳定性。9、(AF+1 )称为负反馈深度,其中F=( Xf/Xo ),称为(反馈系)。

115半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2 )。

模拟电子电路填空题及答案

一、填空题(每小题2分,共20 分) 1、三极管具有放大作用时,外部电压条件是发射结(正向偏置),集电结(反向 偏置)。 2、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数 AF=()。 3、当温度升高时三极管的集电极电流IC 增大,电流放大系数β增大。 4、单相全波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是 1.41U2 。 5、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。 6、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功 率放大器。 7、差分放大电路能够抑制零点漂移,所以它广泛应用于集成电路中。8、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于1 ,输入电阻大,输 出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 9、双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压 控制器件。 10、在有源滤波器中,运算放大器工作在线性区;在滞回比较器中,运算放大器工作在非线性区。 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线; 当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反 偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共 集)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为 了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大 电路的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(10、1+AF fH –fL 1+AF )BW,其中BW=(),()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为() 信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用() 类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。12、交越甲乙13、双单 15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于1 ),输入电阻(大),

模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电路填空题及答案

1在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_ V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽 层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7 伏;其门坎电压V th约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N )半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映 反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输岀随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的B增加,则I BQ增

模拟电子技术基础填空题及答案

模拟电子技术基础填空题及答案 模拟电子技术基础填空题及答案 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电 流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通 后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时, 扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中 研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有单向导 电特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变, 典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运 动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电 子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V,Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为10000。 22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va=-1V,Vb=- 3.2V,Vc=-3.9V,这是硅管(硅、锗),NPN型,集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的.放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

模拟电子电路专业技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题(每空1分,共32分) 1、空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为()反之称为() 3、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。 4、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是()控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO()所以Ic也() 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用()负反馈。为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以()通频带()失真。 9、反馈导数F=()。反馈深度是()。 10、差分放大电路能够抑制()信号,放大()

信号。 11、OCL电路是()电源互补功放,OTL是()电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为()。低频信号称为()、高频信号称为()。13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。共基极电路比共射极电路高频特性()。14、振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。 二、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率

模拟电子技术填空题答案

1,半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2,本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N型半导体,其多数载流子是自由电子,若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。 3,PN结在正偏是导通,反偏是截止,这种特性称为单向导电性。 4,当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向电压将减小。 5,整形电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单项脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6,发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7,光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8,测得某二极管的正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于650Ω,交流电阻等于26Ω。 1,晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型,它工作时有两种载流子参与导电。 2,晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。 3,晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止。 4,当温度升高时,晶体管的参数增大,I增大,导通电压减小。 5,某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10uA变化到20uA时,集电极从1mA变为1.99mA,则交流电流放大系数约为99. 6,场效应管从结构上可分为两大类:MOS场效应管、结型场效应管;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:增强型、耗尽型。 7,Ugs(off)表示夹断电压,Idss表示饱和漏极电流,它们是耗尽型场效应管的参数。 1,放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V,该放大电路的电压放大倍数为100,电压增益为40dB。 2,放大电路的输入电阻越大,放大电路向信号源索取的电流就越小,输入电阻也就越大;输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越小,放大电路的负载能力就越强。 3,共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相,电压放大倍数近似为1,输入电阻大,输出电阻小。 4,差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用,对共模输入信号具有很强的抑制作用,差分放大电路的零点漂移很小。 5,乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成,其主要优点是效率高。

模拟电子练习题(有答案)

一、填空题: 1.周期函数的FFT展开是一系列不同频率的正弦波叠加,而非周期函数的FFT展开是含有__0~∞ 频率的所有正弦波成分。 2.高频小电流场合应采用__点接触_型结构的二极管,而低频大电流场合则应选用__面接触_型结构 的二极管。 3.选用二极管时最为关注的二个参数是最大正向工作电流I F__和最高反向工作电压V BRMAX 。而 硅肖特基二极管的饱和导通压降为___0.3____V。 图<1> 图<2> 3.在图<1>所表示的组合电流源电路中,T5、T6管输出的电流I5、I6称为_拉电流_或者称电流源;而T2、T3管输入的电流I2、I3称为_灌电流__或者称为_电流阱__。 4.快速估算图<2>共射极放大电路的电压增益大小是___─10____。 5.线性放大电路常用的耦合方式有阻容耦合、_直接耦合_、__光电耦合__和变压器耦合等方式。 6.PN结形成的原因是由于P、N区内部载流子的_浓度_不同,而引起多数载流子的_扩散_运动和少 数载流子的_漂移_运动,从而形成内电场,又称_势垒_区、或者称为_空间电荷__区,当上述二种运动最终达到动态平衡时,形成PN结。 7.某BJT在放大状态时的3个电极电位分别为V1=2V、V2=1.7V、V3=-2.5V。可以判断该BJT的“1” 脚为___e______极、“2”脚为___b____极、“3”脚为___c____极。并且它是属于__锗____材料、____PNP____型的管子。 8.正弦振荡电路通常由直流电源、__放大器__、__负反馈网络__及__选频网络__四部分组成,常 用的几种类型是_RC振荡电路__、 LC振荡电路__、 _晶体振荡电路__等振荡器。 9.图示电路,判断二极管处在___导通____状态。 10. 共基电路的最大特点是高端截止频率高,故常被应用于_高频__放大器。射极输出器,实质上是

模拟电子电路考研题库答案

模拟电子电路考研题库答案 模拟电子电路考研题库答案 在考研备考过程中,模拟电子电路是一个重要的科目。为了帮助考生更好地备考,我整理了一些常见的模拟电子电路考研题库答案,希望对大家有所帮助。 一、单选题 1. 以下哪个是电流源? A. 电阻 B. 电容 C. 电感 D. 电压源 答案:D. 电压源 解析:电流源是能够提供稳定电流输出的电源,而电压源是能够提供稳定电压输出的电源。 2. 在共射放大电路中,输入电阻较大的是? A. 基极 B. 发射极 C. 集电极 D. 集电极电阻 答案:A. 基极 解析:共射放大电路中,输入电阻主要由基极电阻决定。基极电阻较大时,输入电阻也会相应增大。 3. 以下哪个是理想放大器的特点?

A. 无失真 B. 无功率损耗 C. 无噪声 D. 无偏置电压 答案:A. 无失真 解析:理想放大器是指在输入和输出之间没有任何失真,能够将输入信号放大 到与输入信号相同的比例。 二、填空题 1. 电流放大倍数(β)的计算公式是_________。 答案:β = Ic/Ib 解析:电流放大倍数(β)是指集电极电流(Ic)与基极电流(Ib)的比值。 2. 基极电流(Ib)的计算公式是_________。 答案:Ib = (Vb - Vbe) / Rb 解析:基极电流(Ib)是指基极与发射极之间的电流,可以通过基尔霍夫定律 计算得到。 三、计算题 1. 已知共射放大电路的输入电阻为10 kΩ,输出电阻为5 kΩ,放大倍数为50, 求输入电流和输出电流的比值。 答案:输出电流与输入电流的比值等于放大倍数,即输出电流/输入电流= 50。 2. 已知二极管的导通电压为0.7 V,负载电阻为1 kΩ,输入电压为1 V,求输出 电压。 答案:由于二极管导通电压为0.7 V,所以输出电压等于输入电压减去导通电压,

《模拟电子技术基础》模拟试题四、解析及答案

《模拟电子线路》模拟试题、解析及答案 试题四 一、填空题(每空2.5分,共25分) 1.集成运算放大电路的理想化条件:A od= ,r id= 。 解析:基本知识题。理想运放具有开环放大倍数无穷大等。 答案:无穷大(∞),无穷大(∞) 2.差动放大电路是利用来抑制零点漂移。 解析:零漂因直接耦合原因带来,减小可采用对称性(差分电路的特点)。答案:电路结构对称性 3.差分电路的两个输入端电压分别为U i1=2.00V,U i2=1.98V,则该电路的差模输入电压U id为V,共模输入电压U ic为V。 解析:基本计算题。U id=(U i1-U i2),U ic=(U i1+U i2)/2 答案:0.02V,1.99V 4.放大器的基本任务是。 解析:放大信号+不失真。 答案:不失真放大信号 5.偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位______。解析:单级共发射级放大器是倒相放大器。 答案:相同 6.为了降低输出电阻应引入负反馈。 解析:电压反馈从输出电路来看是并联形式,可减小输出电阻。 答案:电压 二、单项选择题(每小题2分,共20分) 1.二极管两端电压大于电压时,二极管才导通。

A、击穿电压 B、死区 C 、饱和D、夹断电压解析:基本概念题,“死区电压”。 答案:B 2.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于。 A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压 解析:杂质从何而来?“掺杂”浓度决定了多数载流子浓度。 答案:A 3.电路如图所示,设二极管VD1,VD2,VD3的正向压降忽略不计,则输出电压u O = 。 A、-2V B、0V C、6V D、12V 解析:判断原则哪个二管管两端电压最大,优先导通。 答案:A 4.晶体三极管则属于控制型器件。 A、电压 B、电流 C、电感 D、电容 解析:晶体三极管相比场效应管输入电阻较小。 答案:B 5.引入串联负反馈,可使放大器的。 A、输出电压稳定B、反馈环内输入电阻增加 C、反馈环内输入电阻减小D、输出电流稳定

模拟电路填空题及答案

模拟电路填空题及答案

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ增大,I CQ增大,U CEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。集成运算放大器是一种采 用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压 V a= 1.2V,V b = 0.5V, V c= 3.6V, 试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益 为80dB,总的电压放大倍数为10000。 22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a= -1V,V b =-3.2V, V c=-3.9V, 这是硅管(硅、锗),NPN型,集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要 窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。 26、为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结正向偏置,集电结反向偏置。②对于NPN型三极管,应使V BC<0。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电流放大作用,共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强,共集组态向信号源索取的电流小,共基组态的频率响应好。

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案 填空题 二极管: 1. 在半导体中.漂移电流是在作用下形成的,扩散电流是在作用 下形成的。(电场,浓度差) 2. 二极管最主要的特点是;确保二极管安全工作 的两个主要参数分别是和。(单向导电性, IF,UR) 3. 在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向 压降约 V;硅二极管的 死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。(0.1, 0.3, 0.5, 0.7) 4. 二极管的交流等效电阻rd随静态工作点的增大而。(减小) 5. 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在状态。(反向击穿区) 晶体管及放大电路基础: 6. 晶体管从结构上可分成和两种类型:根据使用的半导体材料不 同可分成和管。它们工作时有和两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。(NPN,PNP;硅,锗;电子,空穴) 7. NPN型和PNP型晶体管的区别是(P区和N区的位置不同) 8. 晶体管的 穿透电流ICEO是集―基反向饱和电流ICBO的倍。―般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β, 小) 9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对电流的控制作用。(集 电极) 10. 已知晶体管β=99,IE=1mA,ICBO=0,则IB= ,IC= 。 (0.01mA,99mA) 11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是、 和。(共射,共集,共基) 12. 当温度上升时.晶体管的管压降UBE、电流放大 系数β及反向饱和电流ICBO分别将、和。(降低,增大,增 大) 13. 从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为,锗管约为;晶体管在

模拟电子电路技术试题及答案

模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题(每空1 分,共32 分) 1、空穴为()载流子。自由电子为()载流子 的杂质半导体称为P 型半导体。 2、PN 结的P 型侧接高电位,N 型侧接低电位称为()反之称为() 3、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。 4、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通 时是处于()偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=()所以它是()控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO()所以 Ic 也()。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用()负反 馈。为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以()通频带 ()失真。 9、反馈导数F=()。反馈深度是()。 10、差分放大电路能够抑制()信号,放大(

信号。 11、OCL 电路是()电源互补功放,OTL 是() 电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为()。低频信号 称为()、高频信号称为()。 13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。共基极电路比共射极电路高频特性()。 14、振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振 荡电路的相位平衡条件。 15 在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是 ()。 二、选择题(每空2 分,共34 分) 1、三端集成稳压器CXX7805 的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C 、 B 、E) C(B、C、E)D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失 真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失 真。 A 饱和 B 截止 C 交越 D 频率

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3.差分放大电路中,若u I1=100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV;共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78。5% ,但这种功放有 交越 失真. 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,—10 V ,-9。3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D 。PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B 。输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6。RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B 。基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7。已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A ). A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。过零比较器 D 。滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a .不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c .效率高 d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。 a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12V ,R S 10k Ω,R B1120k Ω, R B2 39k Ω,R C 3.9k Ω,R E 2.1k Ω,R L 3。9k Ω,r bb’ Ω,电流放大系 数β 50,电路中电容容量足够大,要求: 1.求静态值I BQ ,I CQ 和U CEQ (设U BEQ 0.6V ); 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 R L

模拟电子电路基础试题及答案大学期末考试题

模拟电子电路基础试题及答案大学期末考试题 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电 性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定 交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=( 1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功 率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻() 等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是 运载信息的工具,称为()。

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