光电倍增管和半导体光电器件新应用举例

光电倍增管（PMT）研究进展及应用

——记2004年北京HAMAMATSU技术交流会

前言

“2004年北京HAMAMATSU技术交流会”于2004年10月27日～2004年10月29日在浙江杭州召开的。北京HAMAMATSU技术交流会是由北京滨松光子技术有限公司承办的技术交流活动，每年举办一次，邀请各个科研机构和生产单位的专家和技术人员参加，主要介绍滨松公司的产品和研究进展，解答用户的技术问题，交流讨论光电器件在科研和生产中的应用问题。我代表西安交通大学生物医学与分子光子学研究室和西安天隆科技有限公司有幸参加了这次交流活动。

HAMAMATSU（滨松）是总部设在日本的一家主要生产光器件的跨国公司。它在亚洲、欧洲和北美设有七家分支机构。日本滨松下设四个生产部门：电子管事业部，主要生产以光电倍增管为主的各种真空探测器,真空光源等相关仪器设备。半导体事业部，主要生产以光电二极管为主的各种半导体光电器件。系统事业部，主要生产以滨松公司自产器件为中心的各种分析和测量仪器,应用在半导体芯片,生物工程和医疗等各种领域。激光器事业部，主要生产科研和产业用的大功率半导体激光器。北京滨松光子技术有限公司是1988年由中国核工业总公司北京核仪器厂与日本滨松光子学株式会社共同投资成立的。

在2004年交流会中来自日本滨松总部、电子管事业部、半导体事业部的五位专家做了五场专题报告，分别是大冢副社长做的“HPK(滨松)与光产业的现状和未来”，夸田敏一先生做的“PMT新产品介绍”，久米英浩先生做的“PMT应用技术产品及应用领域”，伊藤先生做的“半导体光检测新产品介绍”和石原繁树做的“光源产品介绍”。会议过程中还穿插有技术交流活动，为来自各个科研院所和生产单位的技术人员提供了一个交流的平台。

光电倍增管技术的进展

图1 滨松生产的PMT

近些年得到广泛应用的MCP-PMT（Microchannel Plate Photomultiplier），金属封装PMT，多通道PMT代表了光电倍增管的最新研究进展：

1.高量子效率，高灵敏度，高响应速度，探测波长向红外延伸。某些型号PMT光谱响应范围可延伸置1200nm。

2.采用金属封装，多通道结构，提高有效光电面积。已有的平板型PMT，其有效光电面积可达89％。

3.采用平板化、多阳极技术，可以小型化，具有二维高分辨率。已有的10×10道阳极，Φ44的MCP-PMT厚度仅有1

4.8mm。

4.努力降低暗电流和自身噪声，减少放射性物质。暗电流最小可达0.5nA，自身噪声可减置5

cm sec。

个暗计数/2

5.将电子管真空技术与半导体技术，微细加工技术，电子轨道技术和周边电路技术相结合。HPD(Hybrid Photo Detector)就是一种结合了电子管真空技术与半导体技术的复合器件。光电转换后的电子经过电场加速,直接照射在CCD或APD上,引起“电子入射倍增效应”。

6.使用简单化，价格降低。

光电倍增管的应用领域

光电倍增管的应用领域非常广泛，主要分为以下十几种：

光谱学：紫外/可见/近红外分光光度计，原子吸收分光光度计，发光分光光度计，荧光分光光度计，拉曼分光光度计，其他液相或气相色谱如X光衍射仪、X光荧光分析和电子显微镜等。

质量光谱学与固体表面分析：固体表面分析，这种技术在半导体工业领域被用于半导体的检查中，如缺陷、表面分析、吸附等。电子、离子、X射线一般采用电子倍增器或MCP来测定。

环境监测：尘埃粒子计数器，浊度计，NOX、SOX 检测。

生物技术：细胞分类计数和用于对细胞、化学物质进行解析的荧光计。

医疗应用：γ相机，正电子CT，液体闪烁计数，血液、尿液检查，用同位素、酶、荧光、化学发光、生物发光物质等标定的抗原体的定量测定。其他如X光时间计，用以保证胶片得到准确的曝光量。

射线测定：低水平的α射线，β射线和γ射线的检测。

资源调查：石油测井，用于判断油井周围的地层类型及密度。

工业计测：厚度计，半导体检查系统。

摄影印刷：彩色扫描，把彩色分解成三原色（红、绿、兰）和黑色，作为图象数据读出。

高能物理——加速器实验：辐射计数器，TOF计数器，契伦柯夫计数器，热量计。

中微子、正电子衰变实验，宇宙线检测：中微子实验，空气浴计数器，天体X线探测，恒星及星际尘埃散乱光的测定

激光：激光雷达，荧光寿命测定。

等离子体：等离子体探测，使用光电倍增管用来计测等离子中的杂质

光电倍增管和半导体光电器件新应用举例

一、滨松生产的高通量（high-throughput）PET系统

图2 PET系统外观

图3 PET扫描图像显示了许多疾病的早期征兆

作为一种全身检查工具，PET正逐渐用于癌症、心脏病，甚至痴呆的早期普查和诊断。滨松把它掌握的光子学技术，和达到最新技术发展水平的PMT应用在PET上，极大推进了PET的发展，使它灵敏度更高，响应速度更快。滨松已经开始用自己生产的PET为公司员工做定期的健康检查，取得了显著效果。

二、利用半导体激光的植物栽培技术，

图4 红色LD和蓝色LED照射下的植物工厂

用有限的土地生产更多的粮食——新型植物工厂。滨松的研究人员凭借他们在光学方面的专长发现了一种提高粮食产量的新方法。过去的研究发现，红色激光可以显著刺激水稻的生长，但事实上，它刺激的只是秸秆的生长，因而实际上减少了水稻的产量。经过大量的实验，他们发现蓝光可以刺激开花并使稻穗饱满。通过合理结合红色激光和蓝光可以既提高水稻生长速度又增加产量。

三、植物生长的光子分析技术

图5 15O水被西红柿植株吸收的过程

想要准确了解在植物体中到底发生了什么是非常困难的，但是滨松的“平板正电子发射成像（Planar Positron Emission Imaging）”技术使实时观察植物新陈代谢和化学物质的移动成为可能。这项技术在农业科学方面有非常广泛的应用前景。

四、跟踪“电子发光”优化IC设计

图6 通过记录光子发射观察电子轨迹

现在的集成电路技术可以在很小的硅片上集成数以百万计的晶体管，但是如何确定电路是否工作一切正常成了新的问题。一种全新的方法是跟踪电子的“发光轨迹”，如果能捕获到电子通过晶体管时发出的数个光子，就能十分精确地评估电子线路的工作状态。但是这需要专门的超高灵敏度的光探测器，它不仅能进行单光子计数，还能确定光子在平面上的确切位置，而且时间响应在11

10?秒以内。采用这项技术，IC制造商可以在设计初期发现隐藏的问题，改进产品设计。

五、宇宙射线探测

图7 Super-Kamiokanden内部的PMT阵列

位于日本神冈的Super-Kamiokande（其前身为 Kamiokande），原是为了测量质子衰变所建造的实验装置，不过至今尚未测量到衰变的实例，可是其设计同样相当适合用来观测中微子。身处地底一千公尺深的神冈矿山下，注入了50000吨纯水的超大水缸，其内层布满了11200颗光电倍增管（PMT, Photomultiplier Tubes）。当中微子与水中的电子发生电子散射（ES, Electron Scattering）时，中微子的能量便会传给电子或经反应制造出的μ子，而这些带电粒子因为其行进速度超过光在水中的速度，使得它们会在行进方向幅射出一锥状的电磁波，也就是所谓的Cerenkov 光锥，而这些光锥就会在表面的探测器上留下一圈圈的讯号。Super-Kamiokande 于1998所发表的论文之中，首度凭借测量大气层中微子的比例而间接验证了中微子振荡的效应，并给出大气层中微子的质量平方差。荣获2002诺贝尔物理奖的东京大学教授小柴昌俊便是因为领导此实验而获此殊荣。

六、三维人体测量系统

图8三维人体曲线扫描系统及控制软件截图

滨松生产的人体曲线扫描系统，基于激光扫描器，可以进行全身高精度非接触式测量，测量范围2 m (H) x 0.6 m (D) x 1 m (W)，精度达到+/- 0.5%，测量时间6～11秒。这套系统可以应用于服装工业，医疗行业和运动制品行业。

七、癌症诊断治疗新技术，按分子分离癌细胞和正常细胞

图9 肺部癌组织近红外激励的拉曼光谱

当激光照射在一种材料上时就会发生拉曼散射效应；光线是散射的，其中一小部分散射光发生能量损失,转换为分子的振动能,分子的振动频率是特有的,通过分析这些散射光,就能获悉材料的结构和化学组成特征。

2002年日本东京大学研究生院理学系教授浜口宏夫等人组成的研究小组与日本庆应大学、日本滨松公司使用拉曼散射光谱技术，对癌细胞和正常细胞成功进行了分子分离。实验中使用的是浜口等人开发的被称为“时空分解拉曼散射光谱技术”，将波长为1064nm的近红外激光用作光源。尽管此次是利用由生物活体上切除下来的肺癌样品对拉曼散射光的光谱进行

了观测，但如果开发出像光纤内窥镜那样的装置的话，就能够以数百nm的空间分辨率实时地观测癌细胞，有望用于对癌症的早期发现和治疗等。过去由于没有能够检测近红外光光谱的设备，因此一般情况下都是使用可见光作为光源，而此时产生的萤光由于比拉曼散射光要强，因此难以检测出光谱。此次，浜口等人与滨松光电共同开发出了能够检测近红外拉曼散射光光谱的检测设备。通过将该设备配备于时空分解拉曼散射光谱技术的系统上，就能够利用拉曼散射光谱技术精确区分出癌细胞和正常细胞的不同的生物分子结构。另外，试验证明还能够区分出不同癌症的分子结构差异。时空分解拉曼光谱技术能够对由空间和时间所导致的拉曼散射光光谱变化进行分析。因此可根据患部的位置，检测出不同的光谱。进行癌症切除手术时，还能够一边确认癌细胞的范围，一边进行切除。为了应用于实际诊断，今后必须收集各种癌细胞及正常细胞的拉曼散射光光谱，以便将其作为基本数据来构筑数据库。另外还必须开发能够根据数据库，来分析光谱对应于哪种癌细胞，以及癌细胞和正常细胞各占多大的比例的应用软件及诊断系统等。

(完整版)光电材料

目录目录 ------------------------------------------------------------------------------------------- 1 1前言----------------------------------------------------------------------------------------- 2 2 有机光电材料 ------------------------------------------------------------------------------ 2 2.1光电材料的分类 --------------------------------------------------------------------- 2 2.2有机光电材料的应用 ---------------------------------------------------------------- 3 2.2.1有机太阳能电池材料--------------------------------------------------------- 3 2.2.2有机电致发光二极管和发光电化学池 --------------------------------------- 4 2.2.3有机生物化学传感器--------------------------------------------------------- 4 2.2.4有机光泵浦激光器 ----------------------------------------------------------- 4 2.2.5有机非线性光学材料--------------------------------------------------------- 5 2.2.6光折变聚合物材料与聚合物信息存储材料 ---------------------------------- 5 2.2.7聚合物光纤------------------------------------------------------------------- 6 2.2.8光敏高分子材料与有机激光敏化体系 --------------------------------------- 6 2.2.9 有机光电导材料 ------------------------------------------------------------- 6 2.2.10 能量转换材料 -------------------------------------------------------------- 7 2.2.11 染料激光器----------------------------------------------------------------- 7 2.2.12 纳米光电材料 -------------------------------------------------------------- 7 3 光电转化性能原理 ------------------------------------------------------------------------- 7 4 光电材料制备方法 ------------------------------------------------------------------------- 8 4.1 激光加热蒸发法 ------------------------------------------------------------------- 8 4.2 溶胶-凝胶法 ---------------------------------------------------------------------- 8 4.3 等离子体化学气相沉积技术（PVCD）------------------------------------------ 9 4.4 激光气相合成法 ------------------------------------------------------------------ 9 5 光电材料的发展前景---------------------------------------------------------------------- 10

光电倍增管简介及使用特性

我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号，我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数，仅供大家参考。介绍今天我们使用的光电器件中，光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示，在真空管中，包括光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极（阳极）的器件。当光照射光阴极，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统，光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。结构一般，端窗型（Head-on）和侧窗型（Side-on）结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管，从玻璃壳的侧面接收入射光，而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下，侧窗型光电倍增管价格较便宜，并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极（反射式光阴极）和环形聚焦型电子倍增极结构，这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。端窗型（也称作顶窗型）光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极（透过式光阴极），使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的，可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。

肖特基光电二极管

肖特基势垒光电二极管原理及应用引言肖特基势垒光电二极管又称金属-半导体光电二极管，其势垒不再是p-n结，而是金属和半导体接触形成的阻挡层，即肖特基势垒。 1 肖特基势垒二极管结构原理及特性 1.1简述图1 肖特基势垒二极管肖特基二极管（如图1）是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD 是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用p型半导体与n型半导体接触形成p-n结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的，中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 1.2结构原理图2 肖特基势垒二极管结构原理及等效电路

肖特基势垒二极管（也叫热载子二极管）在机械构造上与点接触二极管很相似，但它比点接触二极管要耐用，而且功率也更大。图2（a）给出了肖特基势垒二极管的基本构造。图2（b）是其等效电路。这种形式的电路是威廉姆·肖特基（William Schottky）在1938年研究多数载流子的整流现象时提出的。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等） A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和由于浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，这时便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻挡层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）是用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较N-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就变宽。综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫肖特基整流管。近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可以大量节省贵金属，而且还大幅度降低了成本，还改善了参数的一致性。肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题，使开关特性获得明显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用肖特基二极管的低压降这一特点，从而能够提高其在低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 1.3 肖特基势垒二极管特性及应用肖特基势垒二极管属于一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。但是，它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 1.3.1 性能比较

光电倍增管使用特性

页眉内容光电倍增管简介及使用特性我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号，我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数，仅供大家参考。介绍今天我们使用的光电器件中，光电倍增管（PMT ）是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示，在真空管中，包括光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极（阳极）的器件。当光照射光阴极，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统，光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。

结构一般，端窗型（Head-on）和侧窗型（Side-on）结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管，从玻璃壳的侧面接收入射光，而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下，侧窗型光电倍增管价格较便宜，并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极（反射式光阴极）和环形聚焦型电子倍增极结构，这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。端窗型（也称作顶窗型）光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极（透过式光阴极），使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的，可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。电子倍增系统光电倍增管的优异的灵敏度（高电流放大和高信噪比）得益于基于多个排列的二次电子发射系统的使用，它使电子低噪声的条件下得

光电倍增管使用特性

- -- - . -考试文档- 光电倍增管简介及使用特性我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号，我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数，仅供大家参考。介绍今天我们使用的光电器件中，光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示，在真空管中，包括光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极（阳极）的器件。当光照射光阴极，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统，光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。

下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。结构一般，端窗型（Head-on）和侧窗型（Side-on）结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管，从玻璃壳的侧面接收入射光，而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下，侧窗型光电倍增管价格较便宜，并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极（反射式光阴极）和环形聚焦型电子倍增极结构，这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。端窗型（也称作顶窗型）光电倍增管在其入射窗的表面上沉积了半透明光阴极（透过式光阴极），使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的，可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。 - . -考试文档-

半导体光电探测器(精)

半导体光电探测器摘要：本文介绍了光电与系统的组成、一些半导体光电探测器的结构和工作原理，最后阐述了光电导探测器与光伏探测器的区别。关键词：半导体光电探测器，光电系统，光电导探测器，光伏探测器 Semiconductor photoelectric detector Abstract：This paper introduces the composition of photoelectric and system, the structure and working principle of some semiconductor photoelectric detector，finally describes the distinction of photoconductive detector and photovoltaic detector. Key words：semiconductor photoelectric detector，photoelectric system，photoconductive detector，photovoltaic detector 引言光电探测器是一种受光器件，具有光电变换功能。光敏器件的种类繁多，有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等；有雪崩型的及非雪崩型的；有PN结型、PIN结型及异质结型的等。由于光电探测器的响应速度快，体积小，暗电流小，使之在光纤通讯系统、光纤测试系统、光纤传感器、光隔离器、彩电光纤传输、电视图象传输、快速光源的光探测器、微弱光信号的探测、激光测距仪的接收器件、高压电路中的光电测量及光电互感器、计算机数据传输、光电自动控制及光测量等方面得到了广泛应用。半导体光电探测器是用半导体材料制作的能接收和探测光辐射的器件。光照射到器件的光敏区时，它就能将光信号转变成电信号，是一种光电转换功能的测光元件。它在国防和工农业生产中有着重要和广泛的应用。半导体光电探测器可分为光电导型和光伏型两种。光电导型是指各种半导体光电导管，即光敏电阻；光伏型包括光电池、P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。本文首先介绍了光电系统的组成，然后分别介绍了各元件的结构和工作原理，最后将这两类探测器进行比较。一、光电子系统的组成现代光电子系统非常复杂，但它的基本组成可用图1-1-1来说明：待传送信号经过编码器编码后加到调制器上去调制光源发出的光，被调制后的光由发射光学系统发送出去。发射光学系统又称为发射天线，因为光波是一种电磁波，发射光学系统所起的作用和无线电发射天线所起的作用完全相同。发送出去的光信号经过传输介质，如大气等，到达接收端，由接收光学系统或接收天线将光聚焦到

-纳米光电材料

纳米光电材料 1.定义：纳米材料是一种粒子尺寸在1到100nm的材料。纳米光电材料是指能够将光能转化为电能或化学能等其它能量的一种纳米材料。其中最重要的一点就是实现光电转化。其原理如下：光作用下的电化学过程即分子、离子及固体物质因吸收光使电子处于激发态而产生的电荷传递过程。当一束能量等于或大于半导体带隙( Eg) 的光照射在半导体光电材料上时，电子(e-) 受激发由价带跃迁到导带，并在价带上留下空穴(h + )，电子与孔穴有效分离，便实现了光电转化[1]。 2.分类：纳米光电材料的分类纳米光电材料按照不同的划分标准有不同的分类，目前主要有以下几种： 1. 按用途分类：光电转换材料：根据光生伏特原理，将太阳能直接转换成电能的一种半导体光电材料。目前，小面积多结GaAs太阳能电池的效率超过40 %[2]。光电催化材料：在光催化下将吸收的光能直接转变为化学能的半导体光电材料，它使许多通常情况下难以实现或不可能实现的反应在比较温和的条件下能够顺利进行。例如，水的分解反应，该反应的ΔrGm﹥﹥0在光电材料催化下，反应可以在常温常压下进行[3] 2. 按组成分类：有机光电材料：由有机化合物构成的半导体光电材料。主要包括酞青及其衍生物、卟啉及其衍生物、聚苯胺、噬菌调理素等；无机光电材料：由无机化合物构成的半导体光电材料。主要包括Si、TiO2、ZnS、LaFeO3、KCuPO4·6H2O、CuInSe2等；有机与无机光电配合物：由中心金属离子和有机配体形成的光电功能配合物。主要有2，2-联吡啶合钌类配合物等[4]。 3. 按形状分类纳米材料大致可分为纳米粉末、一维纳米材料、纳米膜等。纳米粉：又称为超微粉或超细粉，一般指粒度在100纳米以下的粉末或颗粒，是一种介于原

光电倍增管和半导体光电器件新应用举例

光电倍增管（PMT）研究进展及应用 ——记2004年北京HAMAMATSU技术交流会前言 “2004年北京HAMAMATSU技术交流会”于2004年10月27日～2004年10月29日在浙江杭州召开的。北京HAMAMATSU技术交流会是由北京滨松光子技术有限公司承办的技术交流活动，每年举办一次，邀请各个科研机构和生产单位的专家和技术人员参加，主要介绍滨松公司的产品和研究进展，解答用户的技术问题，交流讨论光电器件在科研和生产中的应用问题。我代表西安交通大学生物医学与分子光子学研究室和西安天隆科技有限公司有幸参加了这次交流活动。 HAMAMATSU（滨松）是总部设在日本的一家主要生产光器件的跨国公司。它在亚洲、欧洲和北美设有七家分支机构。日本滨松下设四个生产部门：电子管事业部，主要生产以光电倍增管为主的各种真空探测器,真空光源等相关仪器设备。半导体事业部，主要生产以光电二极管为主的各种半导体光电器件。系统事业部，主要生产以滨松公司自产器件为中心的各种分析和测量仪器,应用在半导体芯片,生物工程和医疗等各种领域。激光器事业部，主要生产科研和产业用的大功率半导体激光器。北京滨松光子技术有限公司是1988年由中国核工业总公司北京核仪器厂与日本滨松光子学株式会社共同投资成立的。在2004年交流会中来自日本滨松总部、电子管事业部、半导体事业部的五位专家做了五场专题报告，分别是大冢副社长做的“HPK(滨松)与光产业的现状和未来”，夸田敏一先生做的“PMT新产品介绍”，久米英浩先生做的“PMT应用技术产品及应用领域”，伊藤先生做的“半导体光检测新产品介绍”和石原繁树做的“光源产品介绍”。会议过程中还穿插有技术交流活动，为来自各个科研院所和生产单位的技术人员提供了一个交流的平台。光电倍增管技术的进展图1 滨松生产的PMT

半导体光电催化技术.

半导体光电催化第一章 1.原子轨道相互交迭情况原子钟的电子分布在内外层电子轨道上，每一层轨道对应确定的能量。当原子相互接近并形成晶体时，不同原子的内外壳层。电子轨道之间就有一定的交迭，相邻原子最外层轨道交迭最多，内层轨道交迭最少。当原子组成晶体后，由于原子轨道的交迭，电子不再完全局限在某一个原子钟，它可以转移到相邻原子上去，而且可以从邻近的原子轨移到更远的原子上去，以致任何一个电子可以在整个晶体中以一个原子转移到另一个原子，不再属于某个原子所有，这即晶体中的电子共有化运动。 2.用能级的形式解释能带禁带：在相邻两个能带之间的区域中，不存在电子占有的能级，将这两个能带间的区域称为禁带。每个能带和禁带的宽度是由各种晶体的具体原子结构和晶体结构所决定的。禁带宽度为零点几到几个电子伏。由于可得出①同一晶体的某个能带，其宽度一定，这是因为能带宽度主要取决于电子轨道的交迭程度。对同一晶体，原子间距是常数，所以各轨道的交迭程度一定。②同一晶体的不同能带，上面的宽，下面的窄。这是因为上面的能带与原子的外层轨道相对应，外层轨道交迭多，能带就宽，内层轨道交迭少，能带就窄。由此可见，能带的宽窄实际上反映了电子共有化的自由程度。 3.满带：能带全部被电子填满。内层电子轨道对应的能带。零带：能带中可占据能级全部是空的。价带：价电子所处的能带，最高电子占有能带。（HDMO），可能是全部填满或部分填满。导带：最低空能带（LLIMO） 4.能带对不同材料的解释（对导体，半导体电导率的差别）按电阻来分：金属导体p<10-6Ω·m绝缘体p>107Ω·m半导体10-6

半导体发光二极管灯具介绍

半导体发光二极管灯具介绍一、定义半导体发光二极管灯具即LED（Light Emitting Diode）灯具，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。半导体发光二极管灯具二、前景当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。

LED灯具 LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。近年来，世界上一些经济发达国家围绕LED的研制展开了激烈的技术竞赛。美国从2000年起投资5亿美元实施“国家半导体照明计划”，欧盟也在2000年7月宣布启动类似的“彩虹计划”。我国科技部在“863”计划的支持下，2003年6月份首次提出发展半导体照明计划。三、优点高节能：节能能源无污染即为环保。直流驱动，超低功耗（单管 0.03-0.06瓦）电光功率转换接近100%，相同照明效果比传统光源节能80%以上。 LED灯泡寿命长：LED光源有人称它为长寿灯，意为永不熄灭的灯。固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，使用寿命可达6万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。多变幻：LED光源可利用红、绿、蓝三基色原理，在计算机技术控制下使三种颜色具有256级灰度并任意混合，即可产生256×256×256=16777216种颜色，形成不同光色的组合变化多端，实现丰富多彩的动态变化效果及各种图像。利环保：环保效益更佳，光谱中没有紫外线和红外线，既没有热量，也没有辐射，眩光小，而且废弃物可回收，没有污染不含汞元素，冷光源，可以安全触摸，属于典型的绿色照明光源。

光电倍增管应用

光电倍增管（PMT）研究进展及应用光电倍增管技术的进展图1 滨松生产的PMT 近些年得到广泛应用的MCP-PMT（Microchannel Plate Photomultiplier），金属封装PMT，多通道PMT代表了光电倍增管的最新研究进展： 1.高量子效率，高灵敏度，高响应速度，探测波长向红外延伸。某些型号PMT光谱响应范围可延伸置1200nm。 2.采用金属封装，多通道结构，提高有效光电面积。已有的平板型PMT，其有效光电面积可达89％。 3.采用平板化、多阳极技术，可以小型化，具有二维高分辨率。已有的10×10道阳极， 44的MCP-PMT厚度仅有1 4.8mm。 4.努力降低暗电流和自身噪声，减少放射性物质。暗电流最小可达0.5nA，自身噪声可减置5个暗计数/2 cm sec。 5.将电子管真空技术与半导体技术，微细加工技术，电子轨道技术和周边电路技术相结合。HPD(Hybrid Photo Detector)就是一种结合了电子管真空技术与半导体技术的复合器件。光电转换后的电子经过电场加速,直接照射在CCD或APD上,引起“电子入射倍增效应”。 6.使用简单化，价格降低。光电倍增管的应用领域光电倍增管的应用领域非常广泛，主要分为以下十几种：光谱学：紫外/可见/近红外分光光度计，原子吸收分光光度计，发光分光光度计，荧光分光光度计，拉曼分光光度计，其他液相或气相色谱如X光衍射仪、X光荧光分析和电子显微镜等。质量光谱学与固体表面分析：固体表面分析，这种技术在半导体工业领域被用于半导体的检查中，如缺陷、表面分析、吸附等。电子、离子、X射线一般采用电子倍增器或MCP来

半导体电子元器件基本知识

半导体电子元器件基本知识四、光隔离器件光耦合器又称光电耦合器，是由发光源和受光器两部分组成。发光源常用砷化镓红外发光二极管，发光源引出的管脚为输入端。常用的受光器有光敏三极管、光敏晶闸管和光敏集成电路等。受光器引出的管脚为输出端。光耦合器利用电---光----电两次转换的原理，通过光进行输入与输出之间的耦合。光耦合器输入与输出之间具有很高的绝缘电阻，可以达到10的10次方欧姆，输入与输出间能承受2000V以上的耐压，信号单向传输而无反馈影响。具有抗干扰能力强、响应速度快、工作可靠等优点，因而用途广泛。如在：高压开关、信号隔离转换、电平匹配等电路中。光隔离常用如图：五、电容有电解电容、瓷片电容、涤纶电容、纸介电容等。利用电容的两端的电压不能突变的特性可以达到滤波和平滑电压的目的以及电路之间信号的耦合。电解电容是有极性的（有+、-之分）使用时注意极性和耐压。电路原理图一般用C1、C2、C？等表示。半导体二极管、三极管、场效应管是电路中最常用的半导体器件，PN结是构成各种半导体器件的重要基础。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。具有热敏、光敏、掺杂特性；根据掺入的杂质不同，可分为：N型半导体、P型半导体。 PN结是采用特定的制造工艺，使一块半导体的两边分别形成P型半导体和N型半导体，它们交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性，即在P端加正电压，N端接负时PN结电阻很低，PN结处于导通状态，加反向电压时，PN结呈高阻状态，为截止,漏电流很小。一、二极管将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为半导体二极管。 P结引出的电极称为阳极（正极），N结引出的电极称为阴极（负极），原理图中一般常用D1、D2、D？等表示。二极管正向导通特性（死区电压）：硅管的死区电压大于0。5V，诸管大于0。1V。用数字式万用表的二极管档可直接测量出正极和负极。利用二极管的单向导电性可以组成整流电路。将交流电压变为单向脉动电压。使用注意事项： 1、在整流电路中流过二极管的平均电流不能超过其最大整流电流； 2、在震荡电路或有电感的回路中注意其最高反向击穿电压的使用问题； 3、整流二极管不应直接串联（大电流时）或并联使用，串联使用时，每个二极管应并联一个均压电阻，其大小按100V（峰值）70K左右计算，并联使用时，每个二极管应串联10

光电倍增管选择及使用

光电倍增管选择及使用光电倍增管选择及使用摘要：放射性测井项目是地层评价主要测井方法，随着该方法广泛应用，对光电倍增管的需求也成倍地增加。核测井仪器研制和维修人员应了解光电倍增管的特性、指标参数和应用要求等，因此必须掌握如何合理地选择及正确使用光电倍增管，该文对相关工作人员的工作会有很大的帮助，也是十分必要的。关键词：光电倍增管坪区光照灵敏度高温光电倍增管采用Sb、K、Na等高温双碱阴极材料。该阴极材料老化后能稳定工作在摄氏175℃甚至200℃的环境温度下。倍增极材料采用铜铍合金，其特点是温度性能好，在摄氏400℃时二次发射系数稳定。核测井对高温光电倍增管的最基本的要求是光电倍增管自身在工作点处的计数率要稳定，不因井下高温和高压条件而变化，尽量使测得的计数率变化能唯一反映地层性质的变化。 1坪特性当辐射强度一定时，其计数率随着光电倍增管的高压的变化而变化，但继续增加高压会使计数率迅速增加，我们把这种特性称为闪烁计数器的“坪特性”。闪烁晶体计数器的“坪”不是光电倍增管固有的特性，而是在一定条件下所具有的特性。光电倍增管输出信号及噪声幅度随着加在光电倍增管上的电压的变化而变化。只有在一定电压范围内，光电倍增管输出信号幅度大于仪器甄别阈，而噪声幅度又小于甄别阈时才产生“计数坪”。这种坪与脉冲幅度分布、射线能量、晶体、光电倍增管的性能、仪器的放大倍数甄别阈及其应用条件等因素有关。为了表征闪烁计数器的坪特性，通常采用“坪长”、“坪斜”两个参数。以VA和VB分别表示坪两端处的电压，以NA和NB分别表示在该电压下的计数率，则：表示坪斜。式中，为坪区内的平均计数率。

2“坪”与脉冲幅度分布的关系高压坪曲线是在一定甄别阈US下改变高压而测得的。它只记录闪烁计数器输出脉冲幅度大于US的脉冲，实际上是对整个幅度分布谱进行积分计算的。随着高压增加，大于US的脉冲数也要增加。很显然坪曲线与脉冲幅度分布有关。如果脉冲幅度分布只有一种或几种幅度的脉冲，小幅度脉冲是噪声的贡献，大幅度与小幅度之间计数很少，这时无论是计数率随甄别阈的变化，还是计数率随高压的变化，都可得到一段坪区。低计数区的计数多（光峰比少），坪斜就大些。如果各种幅度的脉冲都有，那么计数率随甄别阈减小而增加，不出现坪台。不同辐射类型和不同辐射能量使输出脉冲幅度（辐射能谱）不同，其信噪比也不同，所以坪曲线也不同。即使辐射能量相同，由于管子性能（峰谷比、分辨率）不同，其脉冲幅度也不一样，坪曲线也不相同。 3坪与管子性能的关系从理论分析可知，管子性能不同，其坪曲线也不相同。下面着重讨论光电倍增管的阴极光照灵敏度、阳极光照灵敏度（增益）、噪声及温度与坪曲线的关系问题。 3.1阴极光照灵敏度核测井中的NaI（Tl）晶体的发光光谱处于光谱区。管子的阴极光照灵敏度高，其光电转换效率也高，所以管子的阴极光照灵敏度的大小能反映坪特性的好坏。阴极光照灵敏度高，起坪时计数变化快，坪出现较早。 3.2阳极光照灵敏度阳极光照灵敏度高的管子起坪早，结束也早，并且坪区比较窄。反之，阳极光照灵敏度较低的管子，起坪较晚，结束也晚，坪区比较宽。阳极光照灵敏度越低的管子坪越长，坪斜也小。这只能说明这种管子对电压不敏感，并不是在所有情况下都能给出最稳定的计数，更不能说这种管子最好。 3.3噪声从坪曲线可知，坪的终端一般是光电倍增管的噪声所致。因为过

半导体光电效应及其应用

半导体光电效应及其应用量子力学无疑是20世纪最伟大的科学成就之一，它的诞生是人类对自然界，尤其对微观世界的认识有了质的飞跃，对许多造福人类的高新技术的发展起了奠基、催生和巨大的推动作用。自20世纪中期开始，电子工业取得了长足的进步，目前已成为世界上最大的产业，而其基础为半导体材料。为了适应电子工业的巨大需求，从第一代半导体材料：硅、锗（1822年，瑞典化学家白则里用金属钾还原氟化硅得到了单质硅。）发展到第二代半导体材料：Ⅲ——Ⅴ族化合物，再到现在的第三代半导体材料：宽带隙半导体。半导体领域取得了突飞猛进的发展。一、光电效应光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，也就是光能量转换成电能。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应（Photoelectric effect）。这一现象是 1887年赫兹在实验研究麦克斯韦电磁理论时偶然发现的。1905年，爱因斯坦在《关于光的产生和转化的一个启发性观点》一文中，用光量子理论对光电效应进行了全面的解释。1916年，美国科学家密立根通过精密的定量实验证明了爱因斯坦的理论解释，从而也证明了光量子理论。光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，物体在光的照射下光电子飞到物体外部的现象，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，物体受光照射后，其内部的原子释放出电子并不溢出物体表面，而是仍留在内部，称为内光电效应。内、外光电效应在光电器件和光电子技术中具有重要的作用，根据这些效应可制成不同的光电转换器件（光敏器件）。通过大量的实验总结出光电效应具有如下实验规律： 1、每一种金属在产生光电效应是都存在一极限频率（或称截止频率），即照射光的频率不能低于某一临界值。相应的波长被称做极限波长

光电倍增管选择及使用

光电倍增管选择及使用摘要：放射性测井项目是地层评价主要测井方法，随着该方法广泛应用，对光电倍增管的需求也成倍地增加。核测井仪器研制和维修人员应了解光电倍增管的特性、指标参数和应用要求等，因此必须掌握如何合理地选择及正确使用光电倍增管，该文对相关工作人员的工作会有很大的帮助，也是十分必要的。关键词：光电倍增管坪区光照灵敏度高温光电倍增管采用Sb、K、Na等高温双碱阴极材料。该阴极材料老化后能稳定工作在摄氏175℃甚至200℃的环境温度下。倍增极材料采用铜铍合金，其特点是温度性能好，在摄氏400℃时二次发射系数稳定。核测井对高温光电倍增管的最基本的要求是光电倍增管自身在工作点处的计数率要稳定，不因井下高温和高压条件而变化，尽量使测得的计数率变化能唯一反映地层性质的变化。 1坪特性当辐射强度一定时，其计数率随着光电倍增管的高压的变化而变化，但继续增加高压会使计数率迅速增加，我们把这种特性称为闪烁计数器的“坪特性”。闪烁晶体计数器的“坪”不是光电倍增管固有的特性，而是在一定条件下所具有的特性。光电倍增管输出信号及噪声幅度随着加在光电倍增管上的电压的变化而变化。只有在一定电压范围内，光电倍增管输出信号幅度大于仪器甄别阈，而噪声幅度又小于甄别阈时才产生“计数坪”。这种坪与脉冲幅度分布、射线能量、晶体、光电倍增管的性能、仪器的放大倍数甄别阈及其应用条件等因素有关。为了表征闪烁计数器的坪特性，通常采用“坪长”、“坪斜”两个参数。以V A和VB分别表示坪两端处的电压，以NA和NB分别表示在该电压下的计数率，则：表示坪斜。式中，为坪区内的平均计数率。 2“坪”与脉冲幅度分布的关系高压坪曲线是在一定甄别阈US下改变高压而测得的。它只记录闪烁计数器输出脉冲幅度大于US的脉冲，实际上是对整个幅度分布谱进行积分计算的。随着高压增加，大于US的脉冲数也要增加。很显然坪曲线与脉冲幅度分布有关。如果脉冲幅度分布只有一种或几种幅度的脉冲，小幅度脉冲是噪声的贡献，大幅度与小幅度之间计数很少，这时无论是计数率随甄别阈的变化，还是计数率随高压的变化，都可得到一段坪区。低计数区的计数多（光峰比少），坪斜就大些。如果各种幅度的脉冲都有，那么计数率随甄别阈减小而增加，不出现坪台。

光电倍增管特性实验

光电倍增管特性实验【实验目的】 1、熟悉光电倍增管的基本构成和工作原理，掌握光电倍增管参数的测量方法； 2、掌握光电倍增管高压电源模块的使用方法； 3、学习光电倍增管输出信号的检测和变换处理方法。【基本原理】 1．光电倍增管结构及工作原理光电倍增管是一种真空管，它由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极五个主要部分组成。电子倍增系统为使光电倍增管正常工作，光电倍增管中阴极（K）和阳极（A）之间分布有多个电子倍增极Dn。如图2所示，在管外的阴极（K）和各个倍增极及阳极（A）引脚之间串联多个电阻Rn,由Rn形成的分压电阻使各个倍增极相对阴极而言加上了逐步升高的正电压，要在阴极（K）和阳极（A）之间加上500～3000V左右的高电压，目的是吸引并加速从阴极飞出的光电子，并使他们飞向阳极。图1 是流过分压器回路的电流，被叫做分压器电流，它和后面图1中回路电流I b 叙述的输出线性有很大的关系。I 可近似用工作电压V除以分压电阻之和的值来 b 表示。光电倍增管的输出电流主要是来自于最后几级，为了在探测脉冲光时，不使

阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电阻上并联电容。图中和电阻并联的电容C n-3、C n-2 、C n-1 、C n 就是因此而设计的。本实验系统使用的电子倍增系统为环形聚焦型。由光阴极发射出来的光电子被第一倍增极电压加速撞击到第一倍增极，以致发生二次电子发射，产生多于入射光电子数目的电子流。这些二次电子发射的电子流又被下一个倍增极电压加速撞击到下一个倍增极，结果产生又一次的二次电子发射，连续地重复这一过程，直到最末倍增极的二次电子发射被阳极收集，光电子经过从第1极到最多19极的倍增电极系统，可获得10倍到108倍的电流倍增之后到达阳极。这时可以观测到，光电倍增管的阴极产生的很小的光电子电流，已经被放大成较大的阳极输出电流。通常在阳极回路要接入测量阳极电流的仪表，为了安全起见，一般使阳极通过RL接地，阴极接负高压。总之，当入射光经过下述过程后，光电倍增管才能输出电流。（1）入射光透过玻璃光窗；（2）激励光电阴极的电子向真空中放出光电子（外光电效应）；（3）光电子经聚焦极汇集到第一倍增极上，进行二次电子倍增后，相继经各倍增极发射二次电子；（4）由末级倍增极发射的二次电子经阳极输出。 2．光电倍增管的主要参量与特性（1）光谱响应光电倍增管的阴极将入射光的能量转换为光电子。其转换效率（阴极灵敏度）随入射光的波长而变。这种光阴极灵敏度与入射光波长之间的关系叫做光谱响应特性。图3给出了双碱光电倍增管的典型光谱响应曲线。光谱响应特性的长波端取决于光阴极材料，短波端则取决于入射窗材料。对应于该光谱响应曲线，本实验系统采用中心波长在425nm的蓝光LED发光二极管做光源。根据不同型号的光电倍增管的光谱响应特性，其中长波端的截止波长，对于双碱阴极和Ag-O-Cs阴极的光电倍增管定义为其灵敏度降至峰值灵敏度的1%点，多碱阴极则定义为峰值灵敏度的0.1%。对于每一支光电倍增管来讲，真实的数据可能会略有差异。

纳米光电材料

纳米光电材料 Document serial number【KK89K-LLS98YT-SS8CB-SSUT-SST108】

纳米光电材料 1.定义：纳米材料是一种粒子尺寸在1到100nm的材料。纳米光电材料是指能够将光能转化为电能或化学能等其它能量的一种纳米材料。其中最重要的一点就是实现光电转化。其原理如下：光作用下的电化学过程即分子、离子及固体物质因吸收光使电子处于激发态而产生的电荷传递过程。当一束能量等于或大于半导体带隙(Eg)的光照射在半导体光电材料上时，电子(e-)受激发由价带跃迁到导带，并在价带上留下空穴(h+)，电子与孔穴有效分离，便实现了光电转化[1]。 2.分类：纳米光电材料的分类纳米光电材料按照不同的划分标准有不同的分类，目前主要有以下几种：1.按用途分类：光电转换材料：根据光生伏特原理，将太阳能直接转换成电能的一种半导体光电材料。目前，小面积多结GaAs太阳能电池的效率超过40%[2]。光电催化材料：在光催化下将吸收的光能直接转变为化学能的半导体光电材料，它使许多通常情况下难以实现或不可能实现的反应在比较温和的条件下能够顺利进行。例如，水的分解反应，该反应的ΔrGm﹥﹥0在光电材料催化下，反应可以在常温常压下进行[3] 2.按组成分类：有机光电材料：由有机化合物构成的半导体光电材料。主要包括酞青及其衍生物、卟啉及其衍生物、聚苯胺、噬菌调理素等；无机光电材料：由无机化合物构成的半导体光电材料。主要包括Si、TiO2、ZnS、LaFeO3、KCuPO4·6H2O、CuInSe2等；有机与无机光电配合物：由中心金属离子和有机配体形成的光电功能配合物。主要有2，2-联吡啶合钌类配合物等[4]。 3.按形状分类纳米材料大致可分为纳米粉末、一维纳米材料、纳米膜等。纳米粉：又称为超微粉或超细粉，一般指粒度在100纳米以下的粉末或颗粒，是一种介于原子、分子与宏观物体之间处于中问物态的固体颗粒材料。一维纳米材料：指直径为纳米尺度而长度较大的线状材料。分为纳米线和纳米管。纳米膜：纳米膜分为颗粒膜与致密膜。颗粒膜是纳米颗粒粘在一起，中间有极为细小的间隙的薄膜。致密膜指膜层致密但晶粒尺寸为纳米级的薄膜[5]。纳米光电材料具有纳米材料的四种特性（量子、.....) 3.纳米光电材料的制备方法制备纳米材料的方法有很多，根据不同的纳米光电材料及其用途有不同的制备方法。 1.化学沉淀法：通过在原料溶液中添加适当的沉淀剂，让原料溶液中的阳离子形成相应的沉淀物(沉淀颗粒的大小和形状由反应条件来控制)，然后再经过滤、洗涤、干燥、

光电倍增管原理、特性与应用

光电倍增管原理、特性与应用摘要：光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。文中以北京滨松光子技术有限公司生产的R/CR系列产品为代表，介绍光电倍增管的一般原理、使用特性及其应用。并特别给出了在各种领域所适用的光电倍增管的型号。关键词：光子技术光电倍增管使用特性 1 概述光电子应用技术是一门新兴的高新技术，当前还处于发展阶段。相信它在21世纪必将有重大创新并迅速崛起。光电子技术产业也必将发展成为一种新兴的知识经济，从而在新兴技术领域形成巨大的生产力。光电倍增管（PMT）是光子技术器件中的一个重要产品，它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。可广泛应用于光子计数、极微弱光探测、化学发光、生物发光研究、极低能量射线探测、分光光度计、旋光仪、色度计、照度计、尘埃计、浊度计、光密度计、热释光量仪、辐射量热计、扫描电镜、生化分析仪等仪器设备中。 2 光电倍增管的一般结构光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极（阳极）等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。图1所示为端窗型光电倍增管的剖面结构图。其主要工作过程如下：摘要：光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。文中以北京滨松光子技术有限公司生产的R/CR系列产品为代表，介绍光电倍增

管的一般原理、使用特性及其应用。并特别给出了在各种领域所适用的光电倍增管的型号。关键词：光子技术光电倍增管使用特性 1 概述光电子应用技术是一门新兴的高新技术，当前还处于发展阶段。相信它在21世纪必将有重大创新并迅速崛起。光电子技术产业也必将发展成为一种新兴的知识经济，从而在新兴技术领域形成巨大的生产力。光电倍增管（PMT）是光子技术器件中的一个重要产品，它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。可广泛应用于光子计数、极微弱光探测、化学发光、生物发光研究、极低能量射线探测、分光光度计、旋光仪、色度计、照度计、尘埃计、浊度计、光密度计、热释光量仪、辐射量热计、扫描电镜、生化分析仪等仪器设备中。 2 光电倍增管的一般结构光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极（阳极）等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。图1所示为端窗型光电倍增管的剖面结构图。其主要工作过程如下：当光照射到光阴极时，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统，所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中，具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外，光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。 3 光电倍增管的类型