开关电源中常用肖特基二极管

一、引言

开关电源是现代电子设备中广泛应用的电源类型之一，其主要特点是高效率、小体积、轻重量等。在开关电源中，肖特基二极管作为一种重要的元器件，被广泛应用于整流、反向保护等方面。本文将从肖特基二极管的原理入手，介绍其在开关电源中的应用。

二、肖特基二极管原理

肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有快速开关速度和低压降的半导体器件。与普通PN结二极管相比，它的正向压降更低，反向漏电流更小。肖特基二极管由金属与半导体P型区域形成，因此也被称为金属半导体接触器件（Metal-Semiconductor Contact Device）。

图1 肖特基二极管示意图

当肖特基二极管正向偏置时，金属与P型区域形成一个势垒，在势垒处产生了一个空穴井和一个电子井。空穴井和电子井之间形成了一个势垒高度ΦB，这个高度比PN结势垒高度低得多。因此，肖特基二极管的正向压降比PN结二极管低得多。

当肖特基二极管反向偏置时，金属与P型区域之间的势垒加深，形成

一个反向势垒。由于金属与P型区域之间没有N型区域，因此不存在PN结中的扩散电流。同时，由于金属与P型区域之间的势垒高度较低，使得反向漏电流比PN结二极管小得多。

三、肖特基二极管在开关电源中的应用

1.整流

开关电源中需要将交流输入转换为直流输出。传统的整流电路使用PN 结二极管进行整流，但由于其正向压降较高，在高频应用中会产生较

大的功耗和热量。而肖特基二极管具有快速开关速度和低压降等优点，在高频应用中更为适合。

图2 肖特基二极管整流电路

如图2所示，将肖特基二极管作为整流器使用时，其正向压降比PN

结二极管低得多，可以减少功耗和热量，并且具有快速响应速度和较

小的反向漏电流。

2.反向保护

在开关电源中，由于电感元件的存在，当开关管关闭时，电感元件会

产生反向高压脉冲。如果这个脉冲超过了开关管和其他器件的耐受范围，就会对系统造成损害。因此，在开关电源中需要使用反向保护电

路来限制这种脉冲。

图3 肖特基二极管反向保护电路

如图3所示，将肖特基二极管作为反向保护器使用时，其正向压降比

普通二极管低得多，可以减少功耗和热量，并且具有快速响应速度和

较小的反向漏电流。当系统出现反向高压脉冲时，肖特基二极管会迅

速导通，并将这个脉冲短路到地。

四、结论

肖特基二极管具有快速响应速度、低压降和较小的反向漏电流等优点，在开关电源中得到了广泛应用。它可以作为整流器、反向保护器等元

器件使用，在提高系统性能、减少功耗和热量等方面发挥了重要作用。

开关电源中常用肖特基二极管

开关电源中常用肖特基二极管一、引言开关电源是现代电子设备中广泛应用的电源类型之一，其主要特点是高效率、小体积、轻重量等。在开关电源中，肖特基二极管作为一种重要的元器件，被广泛应用于整流、反向保护等方面。本文将从肖特基二极管的原理入手，介绍其在开关电源中的应用。二、肖特基二极管原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有快速开关速度和低压降的半导体器件。与普通PN结二极管相比，它的正向压降更低，反向漏电流更小。肖特基二极管由金属与半导体P型区域形成，因此也被称为金属半导体接触器件（Metal-Semiconductor Contact Device）。图1 肖特基二极管示意图当肖特基二极管正向偏置时，金属与P型区域形成一个势垒，在势垒处产生了一个空穴井和一个电子井。空穴井和电子井之间形成了一个势垒高度ΦB，这个高度比PN结势垒高度低得多。因此，肖特基二极管的正向压降比PN结二极管低得多。

当肖特基二极管反向偏置时，金属与P型区域之间的势垒加深，形成一个反向势垒。由于金属与P型区域之间没有N型区域，因此不存在PN结中的扩散电流。同时，由于金属与P型区域之间的势垒高度较低，使得反向漏电流比PN结二极管小得多。三、肖特基二极管在开关电源中的应用 1.整流开关电源中需要将交流输入转换为直流输出。传统的整流电路使用PN 结二极管进行整流，但由于其正向压降较高，在高频应用中会产生较大的功耗和热量。而肖特基二极管具有快速开关速度和低压降等优点，在高频应用中更为适合。图2 肖特基二极管整流电路如图2所示，将肖特基二极管作为整流器使用时，其正向压降比PN 结二极管低得多，可以减少功耗和热量，并且具有快速响应速度和较小的反向漏电流。 2.反向保护在开关电源中，由于电感元件的存在，当开关管关闭时，电感元件会产生反向高压脉冲。如果这个脉冲超过了开关管和其他器件的耐受范围，就会对系统造成损害。因此，在开关电源中需要使用反向保护电路来限制这种脉冲。

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00

30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55

PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4 0 0.84 MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.70

常用肖特基二极管

常用肖特基二极管序号型号IF VRRM VF 外形 A V V （1）肖特基塑封整流二极管 1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-41 2 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD 3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-1 4 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.85 5 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-41 6 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-15 7 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD 8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD 9 ERA81-002～009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-41 10 ERB81-002～009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-15 11 ERC81-002～009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD 12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-41 13 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-15 14 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-15 15 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD （2）MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管 1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC 2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC 3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB 4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB 5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD 6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD

肖特基二极管

肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。简介肖特基二极管是以其发明人华特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。原理

肖特基二极管肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A 中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。优点肖特基二极管 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）

常用肖特基二极管型号及参数

常用肖特基二极管型号及参数一、肖特基二极管简介肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它由金属和半导体P型或N型材料组成。肖特基二极管具有快速开关特性、低电压损耗和低反向漏电流等优点，广泛应用于高频电路、开关电源、功率放大器和射频通信等领域。二、常用肖特基二极管型号及参数 1. 1N5817 1N5817是一种常用的肖特基二极管，它的最大正向工作电压为20V，最大正向连续电流为1A。这种二极管具有快速恢复特性，适用于高频开关电源和交流电机驱动器等应用。 2. BAT54 BAT54是一款高性能肖特基二极管，它采用双二极管结构，最大正向工作电压为30V，最大正向连续电流为0.2A。这种二极管具有低反向漏电流和快速开关特性，适用于高速开关电路和功率管理应用。 3. SB360 SB360是一种高功率肖特基二极管，它的最大正向工作电压为60V，最大正向连续电流为3A。这种二极管具有低压降和快速恢复特性，适用于高功率开关电路、逆变器和电源管理系统等领域。 4. SS34

大正向连续电流为3A。这种二极管具有快速开关速度和低反向漏电流，适用于高频开关电源和电流采样等应用。 5. HER108 HER108是一种高效能肖特基二极管，它的最大正向工作电压为100V，最大正向连续电流为1A。这种二极管具有低反向漏电流和快速开关特性，适用于高频开关电源和功率逆变器等领域。 6. MBR1045 MBR1045是一款高功率肖特基二极管，它的最大正向工作电压为45V，最大正向连续电流为10A。这种二极管具有低压降和快速恢复特性，适用于高功率开关电路和电源管理系统等领域。 7. BAV99 BAV99是一款双二极管肖特基二极管，它的最大正向工作电压为70V，最大正向连续电流为0.2A。这种二极管具有快速开关速度和低反向漏电流，适用于高频开关电路和数字逻辑电路等应用。 8. BAT46 BAT46是一款小信号肖特基二极管，它的最大正向工作电压为100V，最大正向连续电流为0.15A。这种二极管具有快速开关特性和低反向漏电流，适用于高频小信号放大器和混频器等应用。 9. SB520

肖特基二极管在开关电源中的作用

肖特基二极管在开关电源中的作用肖特基二极管在开关电源中的作用导语：在现代电力系统中，开关电源具有广泛的应用，其高效率和可靠性使其成为许多电子设备的关键组件。而在开关电源中，肖特基二极管的作用常常被忽视，但实际上，肖特基二极管在提高开关电源性能方面发挥着重要的作用。本文将深入探讨肖特基二极管在开关电源中的功能和优势，以及个人对其的理解和观点。一、肖特基二极管的基本原理和结构 1.1 基本原理肖特基二极管是一种特殊的二极管，由于其内部构造与传统PN结二极管不同，因此具有独特的特性。肖特基二极管是通过在N型半导体上部署金属与半导体结合的方式来形成的，这种结构与PN结二极管截然不同。 1.2 结构特点肖特基二极管的结构一般由金属与半导体构成，金属作为阳极（Anode）连接到P型半导体，而N型半导体连接到电源负极，形成了金属与半导体之间的肖特层（Schottky layer）。这种结构使得肖特

基二极管具有低正向电压降和快速开关速度的特点。二、肖特基二极管在开关电源中的作用 2.1 电流快速开关能力在开关电源的工作过程中，肖特基二极管能够迅速地从导通状态切换到截止状态，使其具有极高的开关速度。这一特性可以提高开关电源的响应时间，提高系统效率和稳定性。 2.2 低正向电压降相比于传统的PN结二极管，肖特基二极管的正向电压降较低。这意味着在开关电源中，使用肖特基二极管可以减少功耗和能量损失，进一步提高系统的效率和可靠性。 2.3 抑制反向漏电流开关电源在工作时往往需要防止反向漏电流，而肖特基二极管的结构特点使其具有较强的抑制反向漏电流的能力。这可以有效防止系统损坏和电路稳定性问题。三、对肖特基二极管作用的个人观点和理解通过对肖特基二极管在开关电源中的作用进行了解，我深刻认识到其在提高系统性能和效率方面的重要作用。肖特基二极管的快速开关能力和低正向电压降使其成为开关电源设计中不可或缺的元件。

肖特基二极管整流

肖特基二极管整流一、什么是肖特基二极管肖特基二极管（Schottky diode）是一种特殊的二极管，由石墨和金属接触而成。它具有非常低的回复时间、低电压损耗以及高工作频率的特性，常被用于高速开关、功率整流、电压转换等领域。二、肖特基二极管的原理肖特基二极管的原理是基于肖特基效应。当金属与半导体接触时，由于金属与半导体之间的势垒形成，电子会从金属转移到半导体中。由于金属的电子云密度远高于半导体，电子从金属转移到半导体时不会留下空穴，因此没有复合电流。这使得肖特基二极管的正向压降（正向偏置时的电压降）相对较低，导通电阻小，自带电压小于标准PN结二极管。三、肖特基二极管的特点肖特基二极管具有以下特点： 1.低电压损耗：由于肖特基二极管没有耗散在扩散区的电流，因此在正向导通时具有较低的电压降，使得能量损耗减少。 2.快速开关速度：由于肖特基二极管的结容量小，载流子注入和抽取速度快，具有较快的开关速度。 3.高工作频率：由于其快速开关速度，肖特基二极管适用于高频率应用，能够满足高速交换要求。 4.低反向漏电流：由于肖特基二极管没有扩散区，只有冲击离子化的反向电流，因此反向漏电流小。 5.温度特性好：肖特基二极管的反向特性稳定，温度变化对其性能影响较小。四、肖特基二极管的应用 1.功率整流器：由于肖特基二极管的低电压损耗和快速开关速度，可以用于功率整流电路，提高整流效率和功率因数。 2.电压倍增器：肖特基二极管可以用于电压倍增电路，实现输入电压的倍增。 3.开关电源：肖特基二极管的快速开关特性和高工作频率使其成为开关电源中的重要元件。 4.频率多重器：由于肖特基二极管

肖特基二极管的使用说明

肖特基二极管的使用说明 1.正确的极性：肖特基二极管是一种极化二极管，因此应注意正确的极性连接。通常，在元器件上标有一个标记，可以用于区分阳极和阴极。阳极连接到正电压端，而阴极则连接到负电压端。 2.低压降：相对于正常PN结二极管的正向压降，肖特基二极管具有更低的正向压降。这使得它们非常适合一些需要低电压丢失的应用，例如功率放大器、开关电源和逆变器等。在选择肖特基二极管时，应注意其额定电压和正向压降范围。 3.快速响应时间：另一个重要的特性是肖特基二极管的快速响应时间。这是由于其低功函数和快速的载流子注入/吸收过程造成的。快速响应时间使肖特基二极管非常适合于高频和高速开关应用，例如开关模式电源和射频调制器等。 4.热稳定性：肖特基二极管具有良好的热稳定性，可以在高温环境下工作。这是由于它们的热耗散能力较强，可以有效地散热。在选择肖特基二极管时，应注意其最大额定温度和温度系数。 5.反向回复时间：肖特基二极管在切换到反向偏置或关闭时有较快的反向回复时间。这使得它们非常适合需要频繁切换或快速开关的应用。在使用肖特基二极管时，应注意反向回复时间的额定值，以确保其符合具体应用的要求。 6.抗反向击穿能力：虽然肖特基二极管具有良好的正向电特性，但它们的抗反向击穿能力较弱。因此，在选择肖特基二极管时，应注意其最大反向电压（反向耐压）。

7.适用的应用领域：肖特基二极管的独特特性使其适用于许多应用领域，包括功率转换、电源管理、高频电路、射频收发器、混频器、调制器、控制器等。需要注意的是，肖特基二极管在一些方面与普通的PN结二极管有所不同。例如，肖特基二极管的漏电流较大，而其漏电电压较低。因此，在使用和设计电路时，必须考虑到这些特性，以确保电路的正常工作。

开关电源中的肖特基二极管

开关电源中的肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，由肖特基效应得名。肖特基效应是指当P型半导体与n型半导体接触时，由于能带差异，形成一个肖特势垒。肖特基二极管的结构与普通二极管类似，但其由P型半导体和n型半导体组成，而不是P型半导体和N型半导体。肖特基二极管具有许多优点，使其在开关电源中得到广泛应用。首先，肖特基二极管的正向压降较低，通常在0.2至0.4伏之间，远低于普通二极管的正向压降。这意味着在开关电源中，使用肖特基二极管可以减少能量损耗，提高整体效率。肖特基二极管具有快速恢复特性。在开关电源中，当开关管关闭时，负载电感中的能量需要通过反向恢复二极管释放。普通二极管的恢复时间较长，而肖特基二极管由于其低载流子浓度和短载流子寿命，其恢复时间非常短，可以有效减少开关过程中的电压尖峰。肖特基二极管还具有低漏电流和低容量的特点。漏电流是指在反向偏置情况下，二极管的泄漏电流。肖特基二极管由于其特殊的结构，其漏电流较低，可以减少功耗。容量是指二极管的结电容，肖特基二极管由于其载流子浓度低，其结电容也较低，可以提高开关速度。在开关电源中，肖特基二极管主要用于整流电路和反向恢复电路。在整流电路中，肖特基二极管可以实现高效的整流，减少能量损耗。

在反向恢复电路中，肖特基二极管可以快速释放负载电感中的能量，保护开关管，提高开关电源的可靠性。肖特基二极管虽然具有许多优点，但也存在一些局限性。首先，由于肖特基二极管的制造工艺较为复杂，成本较高。其次，肖特基二极管的反向耐压较普通二极管低，一般在30伏以下，不适用于高压应用场景。此外，肖特基二极管的温度特性较为敏感，在高温环境下，其性能可能会受到影响。肖特基二极管在开关电源中具有重要的应用价值。其低正向压降、快速恢复、低漏电流和低容量等特点，使其成为提高开关电源效率、减少能量损耗的重要元件。随着半导体技术的不断发展，肖特基二极管的性能将进一步提升，应用范围也将更加广泛。

肖特基二极管在开关电源中的作用

肖特基二极管在开关电源中的作用开关电源选肖特基二极管 2017年3月15日回答：损耗就越小，Vf越小.二极管的电流规格越大1，否则二极管很容易因过电压而击穿，所以二极管的耐压需要选用100V或120V.您测量一下二极管的反面电压，Vf值越小，二极管的导通损P=Vf*If，以大于实际耐压为准，应该会在100V左右，温度就越低。开关电源为什么要用肖特基二极管答：开关电源频率很高，整流时用普通二极管会造成二极管损耗增大发热，甚至完全不能工作（说通俗点就是普通二极管接电容过大跟不上开关电源频率的节奏）。而肖特基二极管反向恢复时间短，速度快，常用来做开关电源整流。另外肖特基正向导通压降也小，发热小。它的缺点是耐压都比较低。肖特基二极管？开关电源答：关键是输出电流是多少？输出5V和10V问题不大，可选同一的反向耐压值。电脑主机的电源上用肖特基二极管的作用是什么？有什么优点吗？答：85v左右，一般正向压降可以做到0。现在市面上已经开始出现一家叫LX的low vf值系列肖特基，但是它的反向恢复时间极快.7左右了肖特基的主要作用也是整流，虽然它能做到非常大的电流和耐压，可以达到几十甚至几个纳秒，他们的vf值甚至可以做到0

开关电源输出端的整流二极管一定要用“肖特基”吗答：一般二极可以了不是，如果功率不大，能用这个，我认为当然好。再大一点功率时还可以并联用。只不过”肖特基“是好货色，压降损失又少肖特基二极管在开关电源上起什么作用答：看在什么位置，一般是利用他反向恢复时间快的特点减小开关损耗，作续流用肖特基二极管在应用是应注意以下几点： 1.应用电路的实际工作电流应小于肖特基二极管的正向额定电流If，一般不大于额定If的60%。 2．应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的最高反向击穿电压Vrrm，一般不大于额定电压Vrrm的80%。 3．应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的最高结温Tjmax。 4．对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额使用，特别要考虑正向额定电流的选取。 5．对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。 6．肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降Vf和反向击穿电压V7、反向漏电流Ir都不同。例如：用SR5100代换 SR540，虽然SR5100的反向击穿电压比SR540高，似乎代换没问题。但是SR5100的正向压降比SR540高，假如应用在机顶盒电源电路中会造成+5V和+12V电压偏离正常值过多，另外功耗会比原来增大。

肖特基二极管在实际电路中的作用

肖特基二极管在实际电路中的作用肖特基二极管（Schottky diode）是一种具有特殊结构的二极管，广泛应用于实际电路中。它以其低向导压降、快速开关速度和优异的高频特性而备受青睐。本文将详细介绍肖特基二极管在实际电路中的作用及其优势。肖特基二极管在整流电路中的作用不可忽视。在直流电源供电的电路中，我们需要将交流电转换为直流电。而传统的整流二极管（如硅二极管）在导通时会有一定的正向压降，导致能量损耗较大。而肖特基二极管的正向压降较低，通常只有0.2V左右，因此能够有效减少能量损耗，提高整流效率。这一特性使得肖特基二极管广泛应用于电源管理、逆变器和开关电源等领域。肖特基二极管在高频电路中具有独特的优势。由于它的载流子具有较短的寿命和高速度，导致其开关速度非常快。这使得肖特基二极管特别适用于高频信号的检测、混频和调制等应用。此外，由于肖特基二极管的结构特殊，内部电容较小，使得其在高频电路中的损耗更低。因此，肖特基二极管在无线通信、射频模块和高频电视机等领域得到了广泛的应用。肖特基二极管还可以用作保护二极管。在许多电路中，我们需要保护电路免受反向电压的影响。传统的二极管具有较高的反向电流，但肖特基二极管的反向电流非常小，因此可以更好地保护电路。这在一些高精度的仪器仪表、电源管理和电感耦合等应用中尤为重要。

肖特基二极管还常用于高温环境下的电路设计。由于它具有良好的热稳定性和耐压特性，因此能够在高温环境下稳定工作。这使得肖特基二极管在汽车电子、航空航天和工业控制等领域得到广泛应用。肖特基二极管在实际电路中具有重要的作用。它的低向导压降、快速开关速度和优异的高频特性使得它成为整流电路、高频电路和保护电路中的理想选择。随着科技的不断发展，肖特基二极管的应用领域将会进一步扩大。我们有理由相信，肖特基二极管将在各个领域中发挥更大的作用，为电子技术的发展做出更大的贡献。

常用肖特基二极管型号及参数

常用肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种特殊的二极管，由于其具有较高的开关速度和低的开启电压，被广泛应用于电子领域中的高频电路、开关电路和功率放大电路等。本文将介绍几种常用的肖特基二极管型号及其参数。 1. 1N5817 1N5817是一种常用的肖特基二极管，其最大反向电压为20V，最大正向电流为1A。它具有快速恢复特性和低的正向压降，适用于高频开关电源和充电电路。 2. 1N5822 1N5822是一种常见的肖特基二极管，其最大反向电压为40V，最大正向电流为3A。该型号的二极管具有较低的正向压降和较高的开关速度，适用于高频开关电源、稳压电路和逆变电路。 3. SR5100 SR5100是一种高性能的肖特基二极管，其最大反向电压为100V，最大正向电流为5A。该型号的二极管具有较低的反向电流和较高的开关速度，适用于高频开关电源、电机驱动和电源逆变器等应用。4. BAT54 BAT54是一种超小封装的肖特基二极管，其最大反向电压为30V，最大正向电流为200mA。该型号的二极管具有快速恢复特性和低的正

向压降，适用于便携式电子产品、无线通信和电源管理等领域。 5. SB5150 SB5150是一种高性能的肖特基二极管，其最大反向电压为150V，最大正向电流为5A。该型号的二极管具有较低的反向电流和较高的开关速度，适用于高频开关电源、电机驱动和电源逆变器等应用。 6. MBR20100CT MBR20100CT是一种高功率的肖特基二极管，其最大反向电压为100V，最大正向电流为20A。该型号的二极管具有快速恢复特性和低的正向压降，适用于高功率开关电源、电机驱动和逆变器等高要求的应用。肖特基二极管是一种具有快速恢复特性和低的正向压降的二极管。常用的肖特基二极管型号包括1N5817、1N5822、SR5100、BAT54、SB5150和MBR20100CT等。这些二极管具有不同的最大反向电压和最大正向电流，适用于不同的应用场景。在选择肖特基二极管时，需要根据具体的电路要求和工作条件来选择合适的型号。

很全的肖特基二极管知识,学习了!

很全的肖特基二极管知识，学习了！肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。肖特基二极管原理及结构和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？ SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N 型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题(Qrr→0)，使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。肖特基二极管的封装肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。肖特基二极管的优势SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非

电源供电串个肖特基二极管

电源供电串个肖特基二极管-概述说明以及解释 1.引言 1.1 概述概述部分内容：引言是一篇长文的开端，它起到引导读者了解文章主题和内容的作用。在本文中，我们将讨论电源供电串联肖特基二极管的相关内容。肖特基二极管是一种特殊类型的电子器件，它具有与常规二极管不同的特性。它采用了肖特基势垒的形成原理，使得其具备低反向漏电流和快速开关速度的特点。电源供电则是电子设备运行中必不可少的一环。它提供了所需的电流和电压，确保各个电子元件正常工作。在电源供电方式中，串联肖特基二极管被广泛应用，以提高电路的效率和稳定性。本文将首先介绍电源供电的作用，阐述其在电子设备中的重要性。接着，我们将详细解析肖特基二极管的基本原理，以帮助读者更好地理解其工作原理和特性。随后，我们将探讨电源供电串联肖特基二极管的优势，包括其对电路效率的提升和功耗的降低。最后，我们将通过实际应用案例来展示电源供电串联肖特基二极管在电子设备中的应用潜力。

总而言之，本文将深入探讨电源供电串联肖特基二极管的相关概念和应用。通过阅读本文，读者将能够全面了解电源供电串联肖特基二极管的优势和作用，为电子设备的设计和应用提供参考和指导。 1.2 文章结构文章结构是文章中的组织框架，它有助于读者更好地理解和阅读文章。本文的文章结构如下： 2. 正文 2.1 电源供电的作用 2.2 肖特基二极管的基本原理 2.3 电源供电串联肖特基二极管的优势 2.4 电源供电串联肖特基二极管的应用案例在本文的正文中，我们将讨论电源供电与肖特基二极管应用的相关内容。首先，我们将介绍电源供电的作用，包括为电子设备提供所需的电能、稳定电压和电流等方面的作用。接着，我们将详细解释肖特基二极管的基本原理，讨论它的构造和工作原理。然后，我们将重点探讨电源供电串联肖特基二极管的优势，包括提高电路效率、减少功耗和改善信号质量等方面的优点。最后，我们将给出一些具体的应用案例，以展示电源供电串联肖特基二极管在实际应用中的重要性和价值。

肖特基整流二极管介绍

肖特基整流二极管介绍一、引言肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode简称SBD）是一种金属（或金属硅化物）/ 半导体接触的器件，它是多子器件，主要用其非线性电阻的特性。 SBD是最古老的半导体器件，1904年开始，矿石检波器就得到了应用。SBD在超高频及微波电路中用于检波和混频，都是用其正向非线性电阻的特性。SBD长期用金属与半导体接触进行制作，稳定性差，是可靠性最差的半导体器件之一。八十年代开始对金属硅化物深入研究，用金属硅化物代替金属，获得了可靠而又重复的肖特基势垒，为大规模生产奠定了基础。各种家用电器、微电脑、汽车电子、通讯设备、仪器、国防军工都要求电子设备轻量化、小型化，特别是要求采用小型化和高效率的电源。高频开关电源随着工作频率的提高，其体积和重量都会明显减小，同时效率显著提高，高频开关电源越来越受到人们的重视。SBD 有三大特点：（1）速度快（多子器件，无少子储存效应）；(2)正向压降低；（3）散热性能好。SBD与通常的PN结整流器件相比，SBD具有开关速度快（高频）、导通电压低（高效）、抗电流浪涌冲击能力强（大电流）。低输出电压（V0≤±24V）的高频开关电源多采用肖特基整流二极管。世界高频开关电源年销售额约为500亿美圆，这是一个巨大的市场!对肖特基整流二极管的规模生产有巨大的拉动力。SBD制作简单、工艺流程短、成本低、有利于大规模生产。肖特基整流二极管在高频开关电源电路中起开关作用，是用其正、反向非线性电阻的特性（不再只是用正向非线性电阻的特性）。肖特基整流二极管的名称较多，有功率肖特基二极管、肖特基续流二极管、大电流肖特基二极管、肖特基开关二极管等等。肖特基势垒与p-n结的比较肖特基二极管的势垒可以比做在同一种半导体上的p-n结低许多，例如硅，p-n结的内建势V bi≥0.8V；而肖特基结势垒电势为0.5V～0.6V很容易做到。在同一电流密度下，p-n结上的正向压降比肖特基二极管上的电压降至少高0.3V。换句话说，相同电压下肖特基势垒的饱和电流密度比做在同一半导体上的p-n结的饱和电流密度高105倍或更高（0.06V之差，电流密度差一个数量级）。肖特基二极管特别适用于做低压大电流整流器；反之，也是由于反向电流比较大，肖特基二极管不能像p-n结一样用作高压低电流整流器。二．原理关于SBD（肖特基势垒二极管）的理论计算公式很容易从书上找到。这里不进行SBD的电流输运方程的推导、也不进行设计计算，主要围绕势垒高度对SBD的重大影响，作一些简单的计算分析。 1. 电流输运方程由热离子发射理论，得到电流输运方程： J F = J S [exp(qV FB/nkT)-1 ] (1) J S = A* T2exp(-qφB/kT) (2) 式中的符号：J F为正向电流密度；J S为饱和电流密度；V FB为SBD势垒上的压降；q 为元电荷；n为理想因子；k为玻耳兹曼常数；T 为绝对温度；φB为势垒电位； A* = 110A*cm－2*K－2为n型硅的里查孙常数、A为电流。一般理论计算公式的正向压降V F，其实是势垒上的压降V FB，而不是二极管的正向压降V FD。二极管压降还包含串联电阻（Rs）上的压降V FS。 V FD = V FB+V FS (3) 对于金属硅化物 / 硅的SBD，n = 1成立。一般V FB 》2.3kT/q , 式（1）方括号中的前面一项远大于10，后面的1可忽略不计。 J F = A*T2exp(-qφB/kT) exp(qV FB /kT) (4) 变换一下数学表示方式： J F = A*T2exp[q(V FB -φ B )/kT] (5)

肖特基二极管在电源电路中的作用

肖特基二极管在电源电路中的作用肖特基二极管是一种特殊的二极管，具有快速开关速度、低导通电压和低反向电流等特点。在电源电路中，肖特基二极管具有以下几种作用。一、保护元件肖特基二极管在电源电路中常被用来保护其它元件，如晶体管、场效应管、集成电路等。因为肖特基二极管的导通电压很低，只有几百毫伏，与其它二极管相比，电压较小，不容易击穿。而且，肖特基二极管的反向电流较小，也不容易对其它元件造成损害。因此，将肖特基二极管放在电路中，可以有效地保护其它元件。二、全波整流肖特基二极管在全波整流电路中也有广泛应用。全波整流电路是将一个交流电源转换为一个直流电源的电路。在传统的全波整流电路中，通常使用两个正常的二极管，但是这种电路的效率比较低。而将两个正常的二极管替换为两个肖特基二极管，可以显著提高整流效率。因为肖特基二极管具有低导通电压和快速的开关速度，可以让电流更快地回路，减小能量损失，从而提高整流效率。三、负载保护在电源电路中，还可以使用肖特基二极管来保护负载（例如电机或灯泡）不受到过压或过流的停电或损坏。当负载电路的电压超过肖特基二极管的导通电压时，肖特基二极管就开始导通，并连接电流的回路。这样，肖特基二极管就起到了保护负载的作用。四、反向保护另外，在一些电路中，需要保护电路不受到反向电压的损害，例如汽车电子电路。当发生反向电压的时候，正常的二极管会被击穿导通，从而造成损坏。而肖特基二极管的反向电流较小，不容易受到反向电压的损害，因此，可以作为反向保护元件使用。总体来看，肖特基二极管在电源电路中起到非常重要的作用，不仅可以保护其它元件、提高整流效率、保护负载、还可以保护电路避免反向电压的破坏。因此，在电源电路中，肖特基二极管被广泛应用，非常重要。