欧姆龙光电传感器E3JK系列

欧姆龙光电传感器E3JK系列
欧姆龙光电传感器E3JK系列

光电传感器E3JK系列

I共同固定用托架,螺栓/螺钉

重量约354g约208g约195g

探(*1)镜面反射型的探测距离主要依靠TD-08,探测距离显示反射镜和俄传感器之间的设置范围,在

0.1M的范围内可以探测物体

探(*2)规格表中的探测距离是探测物为100*100m m的白色无光纸的条件下测得

镇反射光电

E3JK-

R4M1 距

离:4米

50

检次呢E 离

30cm

直流漫反射:

继电器输出

NPN 常开 丽

E3JK-D530 饲 1 (直

潦)

E3JK-D530N1 E3JK-DS30N2 PNP 工件电压 [W 工作电流 [mA] 开关频率""M 防护等级 恿路保护 工作温度[二「 籥出指示~~LED 外壳材料 :

常开 丽

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E3JQD530N3

E3JK-D530P1 E3JK-DS30P2 E3JK-DS30P3 10—36VDC <200mA 200 IP67 W 有 ?25—55C

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NPN 喬闭

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交流漫反射:

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订货须知参数

1、额定工作电压(直流或交流)

2、输出状态(常开或常闭)

3、输出形式(仅限额定电压为直流)(NPN或PNP或二线输出)

4、检测距离

5、输出额定电流

6、外形尺寸

7、检测方式(漫反射式、反馈反射式、对射式)

产品图片

照度实验报告

照度实验报告 一、背景 作业场所的合理采光与照明,对生产中的效率、卫生和安全都有重要的意义。它是工作 场所设计中的重要项目,无论是天然采光还是人工照明,其主要目的都是给人们的生活和生 产提供必需的视觉条件。 适当的照度设计应遵循工效学的原则,使照度设置达到保证物体的轮廓立体视觉,有利 于辨认物体的高低,深浅,前后远近及相对位置,有利于眼睛的辨色能力,有利于大视野, 降低疲劳、减少错误和工伤事故的发生。提高照度值可以提高识别速度和主体视觉,从而提 高工作效率和准确度。但照度值提高到使人产生眩光时,会降低工作效率。此外,利用照明 设计对人的情绪的影响,根据场所功能的需求,可使光环境对人产生兴奋或抑制的作用。在 绿色照明理念的指导下,人工照明应考虑节能和环保的要求。 二、实验目的 正确熟悉和使用照度计,采集光环境数据,并通过分析数据来判断光环境的照度是否合 理,假如不合理则提出合理的改善措施。 三、实验场所 上海海洋大学图书馆二楼大厅自习室(室外) 四、实验要求 1、照度采集 2、对自习室的照度情况进行分析 3、分析光照度合理性,并提出改善措施 五、分析 1、主观分析 (1)、主观评价调查数据 (2)、主观评价结果分析 a、计算每个项目的评分s(n): s(n)= 式中,s(n)为第n个项目的评分 p(m)为第m个状态的分值,其中,p(1)=0,p(2)=10,p(3)=50,p(4)=100, v (n,m)为第n个评价项目的第m个状态所得的票数。所以: s(1)= s(2)= s(3)= s(4)= s(5)= s(6)= =16.4 =10.8 =12.4 =12.6 =12.4 =12.6 s(7)= s(8)= s(9)= s(10)= b、计算总的光环境指数 s s= =9.2 =8.2 =9.4 =10 式中,w(n)为第n个评价项目权值,设其权值均为1 所以: s=11.4 为了便于分析和确定评价结果,本方法将光环境质量按光环境的指数范围分为四个质量 等级,其质量等级的划分及其含意如下表所示: 因为10<11.4<=50所以根据上表的结论,本实验的光环境质量等级为3,含义是: 问题较大 2、客观分析(照度数据采集及分析)(1)、照度采集现场 在进行照度值测量的时间点上我们选择了一个晴朗的下午2点~3点之间,光照十分充足, 因为时间和条件的限制就没有对阴天和晚上进行测量和分析。 图书馆二楼自习室现场

OMRON欧姆龙光电开关型大全

O M R O N欧姆龙光电开关 型大全 The latest revision on November 22, 2020

OMRON欧姆龙光电开关(1号整经机) E3JK-DS30M1扩散反射型检测距离30CM OMRON欧姆龙光电开关 1.E3JK-R2M1回归反射型检测距离2M 2.E3JK-R4M1回归反射型检测距离4M 3.E3JK-R4M2回归反射型检测距离4M 4. E3JK-5M1对射型检测距离5M 5.E3JK-5M2对射型检测距离5M 6.E3JK-DS30M1扩散反射型检测距离30CM 7. E3JM-10M4T定时型对射检测距离10M 8.E3JM-10M4对射检测距离10M 9.E3JM-10M4-G对射,检测距10M 10. E3JM-DS70M4扩散反射型检测距离70CM 11.E3JM-DS70M4-G扩散反射型检测70CM 12. E3JM-R4M4T-G定时型回归反射检测距离4M 13.E3JM-R4M4-G回归反射检测距离4M 14.OMRON欧姆龙光电开关E3F3-D11φ18扩散反射型检测距离10CM/DC10-30V 15.E3F3-D12φ18扩散反射型检测距离30CM/DC10-30V 16. E3F3-R61φ18回归反射检测距2M/DC10-30V 17.E3F3-T61φ18对射型检测距离10M/DC10-30V 18. E3S-2E4对射型检测距离2M/DC10-30V 19.E3S-2E4对射型检测距离5M/DC10-30V 20.E3S-AD11扩散反射型检测距离20CM/DC10-30V

21.E3S-AD61扩散反射型/DC10-30V 22. E3S-AR61回归反射DC10-30V 23.E3S-AR11回归反射检测距离2M/DC10-30V 24. E3S-AT11对射型检测距离7M/DC10-30V 25.E3S-AT61对射型/DC10-30V 26. E3S-CL22M E3S-DS10E4扩散反射型检测距10CM/DC10-30V 27.E3S-DS10E41扩散反射型检测距离10CM/DC10-30V 28.E3S-GS1E4槽型检测距离10MM/DC10-30V 29.E3S-GS3E4槽型检测距离30M/DC10-30V E3S-GS3B4槽型检测距离30M/DC10-30V 30.E3R-5E4对射型检测距离5M/DC10-30V 31. E3R-DS30E4扩散反射型检测距离30CM/DC10-30V 32.E3R-R2E4回归反射型检测距离2M/DC10-30V 33.OMRON欧姆龙光电开关E3Z-D61扩散反射型检测距离100M/DC10-30V 34.E3Z-D62扩散反射型检测距离100M/DC10-30V 35.E3Z-D81扩散反射型检测距离100M/DC10-30V 36.E3Z-D82扩散反射型检测距离100M/DC10-30V 37.E3Z-R61回归反射型检测距离4M/DC10-30V 38.E3Z-R82回归反射型检测距离4M/DC10-30V 39. E3Z-T61对射型检测距离15M/DC10-30V 40.OMRON欧姆龙光纤放大器E3X-A11通用型NPN输出DC10-30V 41.E3X-NA11通用型NPN输出DC10-30V 42. E3X-NA41通用型PNP输出DC10-30V 43.E3X-NM11通用型NPN输出DC10-30V,4路输出

光电传感器的应用与新技术doc

光电传感器的应用与新技术 --浅谈光电池与CCD 摘要:光电传感器是利用光电效应制成的一类传感器的总称,它能将光学量转变为电学量,广泛应用于检测和自动化系统。光电传感器包括光电池和光电阻传感器。本文将以下几个方面:1. 什么是光电池和光电阻传感器;2.光电池和光电阻传感器的比较;3.光电传感器的实际应用;4.光电传感器在未来的发展方向,详细地介绍光电传感器,并提出本人对光电传感器在未来的预测。 一光电池和光电阻 在介绍光电传感器之前,我们有必要先了解一下光电效应。光电效应是光照射到某些物质上,使该物质的电特性发生变化的一种物理现象,可分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应三种。前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应[1]。它是指,在光线作用下物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象。后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应。光电导效应是指当入射光射到半导体表面时,半导体吸收入射光子产生电子空穴对,使其自生电导增大。光生伏特效应是指当一定波长的光照射非均匀半导体(如PN结),在自建场的作用下,半导体内部产生光电压的效应[2]。光电传感器都是利用光电效应制成的。 1.光电池 光电池是一种能在光的照射下,不加偏置,产生电动势半导体器件,也属于电能量型传感器。光电池的种类很多,有硒,氧化亚铜,硫化铊,硫化镉,锗,硅,砷化镓光电池等。其中最受重视的是硅光电池,因为它有一系列优点:性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,传递效率高(接近理论极限17%),能耐高温辐射等[3]。 1.1光电池的工作原理 光电池的工作原理是光生伏特效应。当光子的能量hγ大于半导体材料的禁带宽度时,半导体材料吸收光而产生电子空穴对,这样在半导体材料内部形成载流子的浓度梯度,进而在受照表面和暗面产生一个开路的光电压。 1.2光电池的特性 光电池的特性主要有光谱特性,光照特性等。

光电计数器实验报告

光电计数器实验报告 学生姓名李志 学号081244115 专业名称光信息科学与技术 指导教师易煦农 时间日期2011-10-19 摘要 21世纪是信息时代,是获取信息,处理信息,运用信息的时代。传感与检测技术的重要性在于它是获得信息并对信息进行必要处理 的基础技术,是获取信 息和处理加工信息的手段,无法获取信息则无法运用信息。 光电式传感器是将光信号转化为电信号的一种传感器。它的理论基础是光电效应。这类效应大致可分为三类。第一类是外光电效应,即在光照射下,能使电子逸出物体表面。利用这种效应所做成的器件有真空光电管、光电倍增管等。第二类是内光电效应,即在光线照射下,能使物质的电阻率改变。这类器件包括各类半导体光敏电阻。第三类是光生伏特效应,即在光线作用下,物体内产生电动势的现象,此电动势称为光生电动势。这类器件包括光电池、光电晶体管等。光电效应都是利用光电元件受光照后,电特性发生变化。敏感的光波长是在可见光附近,包括红外波长和紫外波长。数字式电子计数器有直观和计数精确的优点,目前已在各种行业中普遍使用。数字式电子计

数器有多种计数触发方式,它是由实际使用条件和环境决定的。有采用机械方式的接触式触发的,有采用电子传感器的非接触式触发的,光电式传感器是其中之一,它是一种非接触式电子传感器。采用光电传感器制作的光电式电子计数器。这种计数器在工厂的生产流水线上作产品统计,有着其他计数器不可取代的优点。 【关键词】光电效应光电传感器光电计数器 ABSTRACT The 21st century is the age of information, it is the access to information, treatment information, use of the information age. Sensing and detection technology is important because it is the access to information and the information necessary to deal with the underlying technology, is access to information and means of processing information, unable to get information you won't be able to use information. Photoelectric sensor is a light signal into an electric signal of the sensor. It is the theoretical basis of the photoelectric effect. These effects can be broadly divided into three categories. The first type is outside of the photoelectric effect, namely, in daylight, can make the tungsten surface. Use this effect caused by device with vacuum photocell, photomultiplier tubes, etc. The second category is the photoelectric effect, i.e., in the light, can make the electrical resistivity of the material change. Such devices include various types of photosensitive semiconductor. The third category is photo voltaic effect, in the light, the objects within the EMF EMF, this is called light-induced electromotive force. This class of

北航_仪器光电综合实验报告_彩色线阵CCD传感器系列实验

2012/4/29

彩色线阵CCD传感器系列实验 实验时间:2012年4月27日星期五 (一)实验目的: 1.了解并学习CCD的使用、驱动原理和功能特性等。 (二)实验内容: 1.本实验共分为以下四个实验部分,主要内容为: 1)线阵原理及驱动 2)特性测量实验 3)输出信号二值化 4)线阵CCD的AD数据采集 (三)实验仪器: 1.双踪迹同步示波器(带宽50MHz以上)一台, 2.彩色线阵CCD多功能实验仪YHCCD-IV一台 3.实验用PC计算机及A/D数据采集基本软件 (四)实验结果及数据分析: 一、线阵原理及驱动 1)驱动频率与周期 表格 1 驱动频率与周期实验结果

由于对不同驱动频率示值,对应不同驱动频率,当显示数值为0时,f=1Mhz;为1时,f=500Khz;为2时,f=250Khz;为3时,f=125Khz; 对应F1,F2频率始终是驱动信号的8分之一,而RS则为F1,F2频率的2倍; 现象及数据分析:由上图可知,在同一频率档位上,随着积分时间档位的增长,FC周期逐渐增加;对于同一积分档位,考虑到驱动频率间的关系,FC周期恰好成倍数关系; 2)积分时间测量 表格 2 积分时间测量结果 现象及数据分析:由上图可知,在同一频率档位上,随着积分时间档位的增长,FC周期逐渐增加;对于同一积分档位,考虑到驱动频率间的关系,FC周期恰好成倍数关系; 二、特性测量实验 表格 3 输出信号幅度与积分时间的关系0档

对应曲线: 图表 1 输出信号幅度与积分时间的关系0档 表格 4 输出信号幅度与积分时间的关系 1档

图表 2 输出信号幅度与积分时间的关系1档 表格 5 输出信号幅度与积分时间的关系2档

光电传感器在生活中的应用-

光电传感器在生活中的应用 ——CCD图像传感器 摘要: 在科学技术高速发展的现代社会中,人类已经入瞬息万变的信息时代,人们在日常生活,生产过程中,主要依靠检测技术对信息经获取、筛选和传输,来实现制动控制,自动调节,目前我国已将检测技术列入优先发展的科学技术之一。由于微电子技术,光电半导体技术,光导纤维技术以及光栅技术的发展,使得光电传感器的应用与日俱增。这种传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精度、可测参数多、反应快以及结构简单,形式灵活多样等优点,在自动检测技术中得到了广泛应用,它一种是以光电效应为理论基础,由光电材料构成的器件。 光电传感器由于反应速度快,能实现非接触测量,而且精度高、分辨力高、可靠性好,加之半导体光敏器件具有体积小、重量轻、功耗低、便于集成等优点,因而广泛应用于军事、宇航、通信、检测与工业自动化控制等多种领域中。当前,世界上光电传感领域的发展可分为两大方向:原理性研究与应用开发。随着光电技术的日趋成熟,对光电传感器实用化的开发成为整个领域发展的热点和关键。 关键字:光电传感器;CCD图像传感器 正文 一、CCD的工作方式 ?CCD和传统底片相比,CCD 更接近于人眼对视觉的工作方式。只不过,人眼 的视网膜是由负责光强度感应的杆细胞和色彩感应的锥细胞,分工合作组成视觉感应。 CCD经过长达35年的发展,大致的形状和运作方式都已经定型。 CCD 的组成主要是由一个类似马赛克的网格、聚光镜片以及垫于最底下的电子线路矩阵所组成。 ?CCD(Charge Coupled Devices,CCD)由大量独立光敏元件组成,每个光敏元 件也叫—个像素。这些光敏元件通常是按矩阵排列的,光线透过镜头照射到光电二极管上,并被转换成电荷。每个元件上的电荷量取决于它所受到的光照强度,图像光信号转换为电信号。当CCD工作时,CCD将各个像素的信息经过模傲转换器处理后变成数字信号,数字信号以一一定格式压缩后存入缓存内,然后图像数据根据不间的需要以数字信号和视频信号的方式输出。

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

传感器测速实验报告(第一组)

传感器测速实验报告 院系: 班级: 、 小组: 组员: 日期:2013年4月20日

实验二十霍尔转速传感器测速实验 一、实验目的 了解霍尔转速传感器的应用。 二、基本原理 利用霍尔效应表达式:U H=K H IB,当被测圆盘上装有N只磁性体时,圆盘每转一周磁场就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化,输出电势通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。 本实验采用3144E开关型霍尔传感器,当转盘上的磁钢转到传感器正下方时,传感器输出低电平,反之输出高电平 三、需用器件与单元 霍尔转速传感器、直流电源+5V,转动源2~24V、转动源电源、转速测量部分。 四、实验步骤 1、根据下图所示,将霍尔转速传感器装于转动源的传感器调节支架上,调节探头对准转盘内的磁钢。 图9-1 霍尔转速传感器安装示意图 2、将+15V直流电源加于霍尔转速器的电源输入端,红(+)、黑( ),不能接错。 3、将霍尔传感器的输出端插入数显单元F,用来测它的转速。 4、将转速调解中的转速电源引到转动源的电源插孔。 5、将数显表上的转速/频率表波段开关拨到转速档,此时数显表指示电机的转速。 6、调节电压使转速变化,观察数显表转速显示的变化,并记录此刻的转速值。

五、实验结果分析与处理 1、记录频率计输出频率数值如下表所示: 电压(V) 4 5 8 10 15 20 转速(转/分)0 544 930 1245 1810 2264 由以上数据可得:电压的值越大,电机的转速就越快。 六、思考题 1、利用霍尔元件测转速,在测量上是否有所限制? 答:有,测量速度不能过慢,因为磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电路的工作周期,就会导致计数错误。 2、本实验装置上用了十二只磁钢,能否只用一只磁钢? 答:如果霍尔是单极的,可以只用一只磁钢,但可靠性和精度会差一些;如果霍尔 是双极的,那么必须要有一组分别为n/s极的磁钢去开启关断它,那么至少要两只磁钢。

E3JK-RR11光电开关

E3JK种类: 不带支架或反射板的传感器 电源电压检测方式形状检测距离输出 形式 型号 AC/DC 自由 电源型对射型*1 (投光器+受光器) 40m(红色光) 继电器 E3JK-TR11 2M 投光器: E3JK-TR11-L 2M 受光器: E3JK-TR11-D 2M 5m(红色光) E3JK-TR12 2M 投光器: E3JK-TR12-L 2M 受光器: E3JK-TR12-D 2M 40m(红外线) E3JK-TR13 2M 投光器: E3JK-TR13-L 2M 受光器: E3JK-TR13-D 2M 5m(红外线) E3JK-TR14 2M 投光器: E3JK-TR14-L 2M 受光器: E3JK-TR14-D 2M 回归反射型 (无M.S.R.功能) *2 7m[100mm]*3 (使用E39-R1时) 11m[100mm] (使用E39-R2时) (红色光) E3JK-RR11 2M 7m[100mm]*3 (使用E39-R1时) 11m[100mm] (使用E39-R2时) (红外线) E3JK-RR13 2M 回归反射型 (带M.S.R.功能) 6m[100mm]*3 (使用E39-R1时) 10m[100mm] (使用E39-R2时) (红色光) E3JK-RR12 2M 扩散反射型 2.5m (红色光) E3JK-DR11 2M 300mm (红色光) E3JK-DR12 2M 2.5m (红外线) E3JK-DR13 2M 300mm (红外线) E3JK-DR14 2M DC 对射型*1 (投光器+受光器) 40m(红色光) NPN E3JK-TN11 2M 投光器: E3JK-TN11-L 2M

光电传感器的发展及其应用

光电传感器的发展及其应用 摘要:光电式传感器(photoelectric transducer),基于光电效应的传感器,在受到可见光照射后即产生光电效,将光信号转换成电信号输出。它除能测量光强之外,还能利用光线的透射、遮挡、反射、干涉等测量多种物理量,如尺寸、位移、速度、温度等,因而是一种应用极广泛的重要敏感器件。 关键词:光电传感器、光电效应、发展、应用实例 1 引言 光电传感器由于反应速度快,能实现非接触测量,而且精度高、分辨力高、可靠性好,加之半导体光敏器件具有体积小、重量轻、功耗低、便于集成等优点,因而广泛应用于军事、宇航、通信、检测与工业自动化控制等多种领域中。当前,世界上光电传感领域的发展可分为两大方向:原理性研究与应用开发。随着光电技术的日趋成熟,对光电传感器实用化的开发成为整个领域发展的热点和关键。 2 光电传感器原理及应用 2.1光电式传感器 光电传感器又称光传感器,其基本原理是以光电效应为基础,通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的,它的基本结构如图1,它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源,光学通路和光电元件三部分组成。光电检测方法具有精度高,反应快,非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛[1]。 图 1

光电传感器的电源要是一个恒光源,电源稳定性的设计至关重要,电源的稳定性直接影响到测量的准确性,常用光源有以下几种: ⑴、发光二极管是一种把电能转变成光能的半导体器件。它具有体积小、功耗低、寿命长、响应快、机械强度高等优点,并能和集成电路相匹配。因此,广泛地用于计算机、仪器仪表和自动控制设备中。 ⑵、丝灯泡这是一种最常用的光源,它具有丰富的红外线。如果选用的光电元件对红外光敏感,构成传感器时可加滤色片将钨丝灯泡的可见光滤除,而仅用它的红外线做光源,这样,可有效防止其他光线的干扰。 ⑶、激光激光与普通光线相比具有能量高度集中,方向性好,频率单纯、相干性好等优点,是很理想的光源。 由光源、光学通路和光电器件组成的光电传感器在用于光电检测时,还必须配备适当的测量电路。测量电路能够把光电效应造成的光电元件电性能的变化转换成所需要的电压或电流。不同的光电元件,所要求的测量电路也不相同。下面介绍几种半导体光电元件常用的测量电路。 半导体光敏电阻可以通过较大的电流,所以在一般情况下,无需配备放大器。在要求较大的输出功率时,可用图2所示的电路。图3(a)给出带有温度补偿的光敏二极管桥式测量电路。当入射光强度缓慢变化时,光敏二极管的反向电阻也是缓慢变化的,温度的变化将造成电桥输出电压的漂移,必须进行补偿。图中一个光敏二极管做为检测元件,另一个装在暗盒里,置于相邻桥臂中,温度的变化对两只光敏二极管的影响相同,因此,可消除桥路输出随温度的漂移。光敏三极管在低照度入射光下工作时,或者希望得到较大的输出功率时,也可以配以放大电路,如图3所示。 图2 图3 由于光敏电池即使在强光照射下,最大输出电压也仅0.6V,还不能使下一

自动化传感器实验报告十三 光电转速传感器测速实验

广东技术师范学院实验报告 学院:自动化专业:自动化班级: 08自动化 成绩: 姓名:学号: 组 别: 组员: 实验地点:实验日期:指导教师签名: 实验十二项目名称:光电转速传感器测速实验 一、实验目的 了解光电转速传感器测量转速的原理及方法。 二、基本原理 光电式转速转速传感器有反射型和透射型两种,本实验装置是透射型的,传感器端部有发光管和光电管,发光管发出的光源通过转盘上开的孔透射后由光电二极管接受转换成电 信号,由于转盘上有相间的6个孔,转动时将获得与转速及孔数有关的脉冲,将电脉冲计数 处理即可得到转速值。 三、需用器件与单元 光电转速传感器、直流电源5V、转动源及2~24V直流电源、智能转速表。 四、实验步骤 1.光电转速传感器已经安装在传感器实验箱(二)上。 2.将+5V直流源加于光电转速传感器的电源端。 3.将光电转速传感器的输出接到面板上的智能转速表。 4.将面板上的0~30V稳压电源调节到5 V,接入传感器实验箱(二)上的转动电源处。 5.调节转动源的输入电压,使转盘的速度发生变化,观察转速表上转速的变化。 电压(V) 5 6 7 8 9 10 11 12 频率 (HZ) 45 60 78 95 113 130 150 169 6.调节转动源的输入电压,使转盘的转速发生变化,把界面切换到示波器状态,观察传感器输出波形的变化。 电压越大,波形越窄。 五、注意事项 1.转动源的正负输入端不能接反,否则可能击穿电机里面的晶体管。 2.转动源的输入电压不可超过24V,否则容易烧毁电机。 3.转动源的输入电压不可低于2V,否则由于电机转矩不够大,不能带动转盘,长时间

OMRON欧姆龙光电开关 型号大全

OMRON欧姆龙光电开关 E3JK-R2M1 回归反射型,检测距离2M E3JK-R4M1 回归反射型,检测距离4M E3JK-R4M2 回归反射型,检测距离4M E3JK-5M1 对射型,检测距离5M E3JK-5M2 对射型,检测距离5M E3JK-DS30M1 扩散反射型,检测距离30CM E3JM-10M4T 定时型对射,检测距离10M E3JM-10M4 对射,检测距离10M E3JM-10M4-G 对射,检测距离10M E3JM-DS70M4 扩散反射型,检测距离70CM E3JM-DS70M4-G 扩散反射型,检测距离70CM E3JM-R4M4T-G 定时型回归反射,检测距离4M E3JM-R4M4-G 回归反射,检测距离4M OMRON欧姆龙光电开关 E3F3-D11 φ18扩散反射型,检测距离10CM/DC10-30V E3F3-D12 φ18扩散反射型,检测距离30CM/DC10-30V E3F3-R61 φ18回归反射,检测距离2M/DC10-30V E3F3-T61 φ18对射型,检测距离10M/DC10-30V E3S-2E4 对射型,检测距离2M/DC10-30V E3S-2E4 对射型,检测距离5M/DC10-30V E3S-AD11 扩散反射型,检测距离20CM/DC10-30V E3S-AD61 扩散反射型/DC10-30V E3S-AR61 回归反射,DC10-30V E3S-AR11 回归反射,检测距离2M/DC10-30V

E3S-AT11 对射型,检测距离7M/DC10-30V E3S-AT61 对射型/DC10-30V E3S-CL2 2M E3S-DS10E4 扩散反射型,检测距离10CM/DC10-30V E3S-DS10E41 扩散反射型,检测距离10CM/DC10-30V E3S-GS1E4 槽型,检测距离10MM/DC10-30V E3S-GS3E4 槽型,检测距离30M/DC10-30V E3S-GS3B4 槽型,检测距离30M/DC10-30V E3R-5E4 对射型,检测距离5M/DC10-30V E3R-DS30E4 扩散反射型,检测距离30CM/DC10-30V E3R-R2E4 回归反射型,检测距离2M/DC10-30V OMRON欧姆龙光电开关 E3Z-D61 扩散反射型,检测距离100M/DC10-30V E3Z-D62 扩散反射型,检测距离100M/DC10-30V E3Z-D81 扩散反射型,检测距离100M/DC10-30V E3Z-D82 扩散反射型,检测距离100M/DC10-30V E3Z-R61 回归反射型,检测距离4M/DC10-30V E3Z-R82 回归反射型,检测距离4M/DC10-30V E3Z-T61 对射型,检测距离15M/DC10-30V OMRON欧姆龙光纤放大器 E3X-A11 通用型NPN输出DC10-30V E3X-NA11 通用型NPN输出DC10-30V E3X-NA41 通用型PNP输出DC10-30V E3X-NM11 通用型NPN输出DC10-30V,4路输出

光电传感器实验报告

实验报告2 ――光电传感器测距功能测试 1.实验目的: 了解光电传感器测距的特性曲线; 掌握LEGO基本模型的搭建; 熟练掌握ROBOLAB软件; 2.实验要求: 能够用LEGO积木搭建小车模式,并在车头安置光电传感器。能在光电传感器紧贴红板,以垂直红板的方向作匀速直线倒车运动过程中进行光强值采集,绘制出时间-光强曲线,然后推导出位移-光强曲线及方程。 3.程序设计: 编写程序流程图并写出程序,如下所示:

ROBOLAB程序设计: 4.实验步骤: 1)搭建小车模型,参考附录步骤或自行设计(创新可加分)。 2)用ROBOLAB编写上述程序。 3)将小车与电脑用USB数据线连接,并打开NXT的电源。点击ROBOLAB 的RUN按钮,传送程序。 4)取一红颜色的纸板(或其他红板)竖直摆放,并在桌面平面与纸板垂直 方向放置直尺,用于记录小车行走的位移。 5)将小车的光电传感器紧贴红板放置,用电脑或NXT的红色按钮启动小 车,进行光强信号的采样。从直尺上读取小车的位移。 6)待小车发出音乐后,点击ROBOLAB的数据采集按钮,进行数据采集, 将数据放入红色容器。共进行四次数据采集。 7)点击ROBOLAB的计算按钮,分别对四次采集的数据进行同时显示、平 均线及拟和线处理。 8)利用数据处理结果及图表,得出时间同光强的对应关系。再利用小车位 移同时间的关系(近似为匀速直线运动),推导出小车位移同光强的关 系表达式。 5.调试与分析 a)采样次数设为24,采样间隔为0.05s,共运行1.2s。采得数据如下所示。

b)在ROBOLAB的数据计算工具中得到平均后的光电传感器特性曲线,如图所示: c)对上述平均值曲线进行线性拟合,得到的光强与时间的线性拟合函数:

光电传感器及应用教案.

学习情境(项目)5授课说明 学习领域名称:家电传感器应用授课教师:课程总学时: 72 项目5:节能灯与光电传感器学时数: 16 累计学时: 48 授课时间安排与执行记录 授课班级 智能家电授课地点 授课日期资讯7 10月6日1-4 节 家电产品控制 实训室 计划0.5 10月9日1-4 节 家电产品控制 实训室 决策0.5 家电产品控制 实训室 实施 6 家电产品控制 实训室 检查 1 家电产品控制 实训室 评估 1 家电产品控制 实训室 参考资料PPT、网络资源、节能灯控制电路 教学方法宏观:引导文法微观:见下 教学目标 知识目标: 1.光电式传感器的分类及工作原理 2.光电式传感器特性 3.红外热释电传感器的分类及工作原理 4.红外热释电传感器特性 5.菲尼尔透镜工作原理及作用技能目标: 6.测量电路构成; 7.光敏电阻在节能灯智能控制中的作用 8.红外热释电传感器实际应用中的安装 9.光敏与红外热释电在节能灯控制策略 中的实施 态度目标: 10.培养学生的沟通能力及团队协作精神 11.养成良好的职业道德 12.提高质量、成本、安全、环保意识 重点: 13.红外热释电传感器特性 1.测量电路 2.光敏电阻的选用与电路设计 3.光敏与红外热释电在节能灯控制策略中的实施 难点: 1.各类光电式传感器的工作原理 2.光电式传感器的特性 3.菲尼尔透镜工作原理及作用 资讯:7学时(注:1学时=45 min,下同) 教学提纲主要内容教学资源及工具教学方法参考时间备注 1.目标描述下发设计任务书,描述项目学 习目标 实物展示、PPT 设计任务书 讲授法 演示法 15 min 下发引导文 2.布置任务1)交代项目任务 2)发放相关学习资料 PPT 讲授法 演示法 15 min

传感器设计实验―光电测转速

光电式传感器测转速实验报告 ——传感器与检测技术 班级:1321202 专业:测控技术与仪器学号:201320120209 姓名:林建宇

1.实验目的: 1)掌握利用光电传感器进行非接触式转速测量的方法; 2)掌握测量和显示电路的设计方法; 3)了解光电式传感器以及示波器的使用方法。 2.实验基本原理: 光电式转速传感器有反射型和透射型二种,本实验装置是透射型的(光电断续器也称光耦),传感器端部二内侧分别装有发光管和光电管,发光管发出的光源透过转盘上通孔后由光电管接收转换成电信号,由于转盘上有均匀间隔的6个孔,转动时将获得与转速有关的脉冲数,脉冲经处理由频率表显示f,即可得到转速n=10f。实验原理框图如下图所示。 光耦测转速实验原理框图 3.需用器件与单元: 主机箱中的直流稳压电源、示波器、电压表、频率\转速表;转动源、光电转速传感器—光电断续器(已装在转动源上)。 4.实验步骤: (1)、按图1所示接线,并且接上示波器,将直流稳压电源调到10V档。

图1、光电传感器测速实验接线示意图 (2)、检查接线无误后,合上主机箱电源开关,调节电机控制旋钮,F/V表以及示波器就会显示相应的频率f,计算转速为n=10f。实验完毕,关闭主、副电源。 5、实验结论与总结 组数 1 2 3 4 5 6 仪器频率108 133 166 186 232 373 示波器频率106.083 134.913 167.949 188.170 232.125 373.892 转速1080 1330 1660 1860 2320 3730 (注:转速单位为转/分钟) 平均误差?△=∑△i/6 (i=6) ?△≈0.855 σ≈1.070 总结:通过计算可知标准差较小,仪器准确率较高。由仪器和示波器所测的两种频率,其中示波器所显示的为标准值。根据上面实验观察到的波形,由于孔所占比例小,所以方波的高电平比低电平要宽。光电式传感器测转速方法简单,易于实现。

OMRON欧姆龙光电开关 型 大全

OMRON欧姆龙光电开关(1号整经机) E3JK-DS30M1?扩散反射型检测距离30CM OMRON欧姆龙光电开关 1.E3JK-R2M1?回归反射型检测距离2M? 2.E3JK-R4M1?回归反射型检测距离4M? 3.E3JK-R4M2?回归反射型检测距离4M? 4. E3JK-5M1?对射型检测距离5M? 5.E3JK-5M2?对射型检测距离5M? 6.E3JK-DS30M1?扩散反射型检测距离30CM? 7. E3JM-10M4T?定时型对射检测距离10M? 8.E3JM-10M4?对射检测距离10M? 9.E3JM-10M4-G?对射,检测距10M? 10. E3JM-DS70M4?扩散反射型检测距离70CM? 11.E3JM-DS70M4-G?扩散反射型检测70CM? 12. E3JM-R4M4T-G?定时型回归反射检测距离4M? 13.E3JM-R4M4-G?回归反射检测距离4M? 14.OMRON欧姆龙光电开关?E3F3-D11?φ18扩散反射型检测距离10CM/DC10-30V? 15.E3F3-D12?φ18扩散反射型检测距离30CM/DC10-30V? 16. E3F3-R61?φ18回归反射检测距2M/DC10-30V? 17.E3F3-T61?φ18对射型检测距离10M/DC10-30V? 18. E3S-2E4?对射型检测距离2M/DC10-30V? 19.E3S-2E4?对射型检测距离5M/DC10-30V 20.?E3S-AD11?扩散反射型检测距离20CM/DC10-30V?

21.E3S-AD61?扩散反射型/DC10-30V? 22. E3S-AR61?回归反射DC10-30V? 23.E3S-AR11?回归反射检测距离2M/DC10-30V? 24. E3S-AT11?对射型检测距离7M/DC10-30V? 25.E3S-AT61?对射型/DC10-30V? 26. E3S-CL2?2M? E3S-DS10E4?扩散反射型检测距10CM/DC10-30V? 27.E3S-DS10E41?扩散反射型检测距离10CM/DC10-30V? 28.E3S-GS1E4?槽型检测距离10MM/DC10-30V? 29.E3S-GS3E4?槽型检测距离30M/DC10-30V? E3S-GS3B4?槽型检测距离30M/DC10-30V? 30.E3R-5E4?对射型检测距离5M/DC10-30V? 31. E3R-DS30E4?扩散反射型检测距离30CM/DC10-30V? 32.E3R-R2E4?回归反射型检测距离2M/DC10-30V? 33.OMRON欧姆龙光电开关E3Z-D61?扩散反射型检测距离100M/DC10-30V? 34.E3Z-D62?扩散反射型检测距离100M/DC10-30V? 35.E3Z-D81?扩散反射型检测距离100M/DC10-30V? 36.E3Z-D82?扩散反射型检测距离100M/DC10-30V 37.E3Z-R61?回归反射型检测距离4M/DC10-30V? 38.E3Z-R82?回归反射型检测距离4M/DC10-30V? 39. E3Z-T61?对射型检测距离15M/DC10-30V? 40.OMRON欧姆龙光纤放大器E3X-A11?通用型NPN输出DC10-30V? 41.E3X-NA11?通用型NPN输出DC10-30V? 42. E3X-NA41?通用型PNP输出DC10-30V? 43.E3X-NM11?通用型NPN输出DC10-30V,4路输出

光电传感器实验心得

竭诚为您提供优质文档/双击可除 光电传感器实验心得 篇一:光电传感器实验 Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置 (实验指导书) 实 验 讲 义 请勿带走 杭州大华科教仪器研究所 杭州大华仪器制造有限公司 Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置 光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接引起光强度变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光

敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下,电子逸出物体表面的外发射的现象,也称光电发射效应,基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象,称为光电导效应。大多数光电控制应用的传感器,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都是内光电效应类传感器。当然近年来新的光敏器件不断涌现,如:具有高速响应和放大功能的ApD雪崩式光电二极管,半导体光敏传感器、光电闸流晶体管、光导摄像管、ccD图像传感器等,为光电传感器的应用开创了新的一页。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。 一、实验目的 1、了解光敏电阻的基本特性,测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。 2、了解光敏二极管的基本特性,测出它的伏安特性和光照特性曲线。 3、了解硅光电池的基本特性,测出它的伏安特性曲线

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

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