电脑主板适用场效应管参数及代换
电脑主板适用场效应管参数及代换
器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型
2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，34A，40W，32/110ns，Ron=Ω
TO-252
3353- Z
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ
T O-263
3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ
2SK
3355-ZJ
2SK
3355-ZJ
TO-263
3355-ZJ
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，83A，100W，130/510ns，Ron=Ω2SK
3354-S-Z
2SK
3354-S-Z
TO-263
3366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电
脑中的DC-DC转换
30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ
TO-252
3367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电
脑中的DC-DC转换
30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ
TO-252
3377-Z
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ
TO-252
3385-Z
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK
3386-Z
2SK
3386-Z
TO-252
3386-Z
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK
3385-Z
2SK
3385-Z
TO-252
3900-ZP
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ
TO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关TO-263
60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ
3902-ZK
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ
TO-263 3943-ZP
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关
40V，82A，104W，29/69ns，Ron=Ω
TO-263 738-Z
N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管
30V，2A，20W，Ron=Ω
TO-252
MTD 10N05A N通道，功率场效应管
50V，10A，，Ron=Ω
MTD
3055A
TO-252
10N05E 10N05E1N通道，功率场效应管
50V，10A，20W，30/45ns，Ron=Ω
TO-252
10N08E 10N08E1N通道，功率场效应管
80V，10A，50W，13/45ns，Ron=Ω
TO-252
器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型
3055A
N通道，功率场效应管
60V，8A，，Ron=ΩMTD
10N05A
TO-252
3055A1
N通道，功率场效应管
60V，8A，20W，Ron=ΩMTD
3055E-E1
MTD
3055E-E1
TO-252
3055E 3055E1N通道，功率场效应管
60V，8A，20W，20/65ns，Ron=Ω
MTD
3055A1
MTD
3055A1
TO-252
3055EL 3055EL1N通道，功率场效应管
60V，12A，40W，20/638ns，Ron=Ω
MTD
3055A1
MTD
3055A1
TO-252
3N08L
N通道，功率场效应管
80V，3A，25W，Ron=Ω
TO-252
5N05 5N05-1N通道，功率场效应管
60V，5A，20W，25/50ns，Ron=Ω
MTD
5N06
MTD
5N06
TO-252
5N06 5N06-1N通道，功率场效应管
60V，5A，20W，25/50ns，Ron=Ω
MTD
5N05
MTD
5N05
TO-252
5N08L
N通道，功率场效应管
60V，5A，，Ron=ΩMTD
3055A
TO-252
SUB
40N06-25L N通道，场效应管
60V，40A，90W，20/50ns，Ron=Ω
SUB
45N05-20L
SUB
45N05-20L
TO-263
45N03-13L
N通道，场效应管
30V，45A，88W，20/70ns，Ron=Ω
TO-263
45N05-20L
N通道，场效应管
50V，45A，90W，20/60ns，Ron=ΩSUB
40N05-25L
SUB
40N06-25L
TO-263
60N06-18
N通道，场效应管
60V，60A，120W，30/50ns，Ron=ΩSUB
70N06-14
SUB
70N06-14
TO-263
70N03-09BP
N通道，场效应管
30V，70A，93W，18/45ns，Ron=ΩSUB
70N03-09P
SUB
70N03-09P
TO-263
70N03-09P
N通道，场效应管
30V，70A，93W，20/60ns，Ron=ΩSUB
70N03-09BP
SUB
70N03-09BP
TO-263
70N04-10N通道，场效应管
40V，70A，107W，30/100ns，
Ron=Ω
TO-263
70N06-14N通道，场效应管
60V，70A，142W，30/60ns，
Ron=Ω
SUB
75N06-12L
TO-263
75N03-04N通道，场效应管
30V，75A，187W，20/190ns，
Ron=Ω
SUB
85N03-04P
TO-263
75N03-07N通道，场效应管SUB SUB TO-263
Ron=Ω
75N04-05L N通道，场效应管
`40V，75A，250W，30/260ns，
Ron=Ω
SUB
75N05-06
TO-263
75N05-06N通道，场效应管
50V，75A，250W，40/100ns，
Ron=Ω
SUB
75N04-05L
75N06-07L
TO-263
75N05-07N通道，场效应管
55V，75A，158W，20/160ns，
Ron=Ω
SUB
70N06-14
TO-263
75N08-07L N通道，场效应管
60V，75A，250W，40/300ns，
Ron=Ω
SUB
75N06-08
SUB
75N06-08
TO-263
75N06-08N通道，场效应管
60V，75A，250W，40/120ns，
Ron=Ω
TO-263
75N06-12L N通道，场效应管
60V，75A，142W，20/150ns，
Ron=Ω
SUB
70N06-14
TO-263
75N08-09L N通道，场效应管
75V，75A，250W，20/200ns，
R on=Ω
SUB
75N08-10
SUB
75N08-10
TO-263
75N08--10N通道，场效应管SUB SUB TO-263
Ron=Ω
85N02-03N通道，场效应管
20V，55A，250W，30/670ns，
Ron=Ω
SUB
85N02-06
TO-263
85N02-06N通道，场效应管
20V，85A，120W，40/120ns，
Ron=Ω
SUB
85N02-03
TO-263
85N03-04P N通道，场效应管
30V，85A，166W，23/75ns，
Ron=Ω
SUB
75N03-04
TO-263
85N03-07P N通道，场效应管
30V，85A，107W，25/100ns，
Ron=Ω
SUB
75N03-07
SUB
75N03-07
TO-263
85N04-03N通道，场效应管
40V，85A，250W，25/145ns，
Ron=Ω
SUB
85N04-04
SUB
85N04-04
TO-263
85N04-04N通道，场效应管
40V，85A，250W，35/115ns，
Ron=Ω
SUB
85N04-03
TUB
85N04-03
TO-263
器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型
85N06-05N通道，场效应管
60V，85A，250W，25/140ns，
Ron=Ω
SUB
85N08-08
SUB
85N08-08
TO-263
85N08-08N通道，场效应管SUB SUB TO-263
Ron=Ω
85N10-10N通道，场效应管
100V，85A，250W，25/85ns，
Ron=Ω
TO-263
器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。
大功率场效应管主要用在CPU供电电路中。
常用胆管代换及特性
常用胆管代换及特性(一) 常用电压放大级即前级放大胆管代换表 6N1ECC85,6AQ8,6H1л 6N412AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2ECF82,6U8 6N26H2л 功率用管代换表 6P3P6L6GC,5881 6P6P6V6GT,5S2,KT63 EL346CA7,KT66,7027A 6P14EL84,6BQ5,6П14П 6N5P6080,6AS7,6H5C FU-5805 FU-7807,1625 FU-13813 FU-4606146B FU-17 FU-605 6T51 70926T50 FU811811A FU812812A GL-211 211
300B WE300B,NL50,4300B KT886550,NT99,KT100 2A32A3S 845845A 6360,TY-7 整流电子管代换及特性表 型号代换型号Bb2V UfV/I I2L(mA)最大型式 5U4G5Z3P,U52500V5V/3A2500直热式5Y3GT522P350V5V/2A125直热式5R4GY22S2C900V5V/2A150直热式5T4450V5V/3A250A直热式6Z4350V 6.3V/0.5A50直热式 6Z56X5230V 6.3V/0.8A60旁热式 6X4325V 6.3V/0.5A70旁热式 5Z4P5Z4400V5V/2A125旁热式5AR4GZ34450V5V/1.9A250旁热式
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
电脑主板适用场效应管参数及代换
电脑主板适用场效应管参数及代换 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管 30V，2A，20W，Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道，功率场效应管 50V，10A，1.8W，Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道，功率场效应管 50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道，功率场效应管 80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道，功率场效应管 60V，8A，1.8W，Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
MOS管主要参数
MOS管主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后 ，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。 5. 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 7. 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1～3pF ·CDS约在0.1～1pF之间 8. 低频噪声系数NF ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
电子管代换
6N1 ECC85,6AQ8,6H1л 6N4 12AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2 ECF82,6U8 6N2 6H2л 功率用管代换表 6P3P 6L6GC,5881 6P6P 6V6GT,5S2,KT63 EL34 6CA7,KT66,7027A 6P14 EL84,6BQ5,6П14П 6N5P 6080,6AS7,6H5C FU-5 805 FU-7 807,1625 FU-13 813 FU-46 06146B
FU-17 FU-605 6T51 7092 6T50 FU811 811A FU812 812A GL-211 211 300B WE300B,NL50,4300B KT88 6550,NT99,KT100 2A3 2A3S 845 845A 6360,TY-7 整流电子管代换及特性表 型号代换型号 Bb2V UfV/I I2L(mA)最大型式 5U4G 5Z3P,U52 500V 5V/3A 2500 直热式5Y3GT 522P 350V 5V/2A 125 直热式 5R4GY 22S2C 900V 5V/2A 150 直热式 5T4 450V 5V/3A 250A 直热式 6Z4 350V 6.3V/0.5A 50 直热式
场效应管的主要参数
一：场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数 低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 本站链接:场效应管的参数查询
二：场效应管的特点 场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高； （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强。 三. 符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件 场效应管分三个极：
Ｄ极为漏极（供电极） Ｓ极为源极（输出极） Ｇ极为栅极（控制极） Ｄ极和Ｓ极可互换使用 场效应管图例： 四. 场效应管的分类： 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。 五主板上用的场效应管的特性：
场效应管工作原理
场效应管工作原理 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP 型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。 对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在
4个场效应管的主要参数
4个场效应管的主要参数:开启电压,导通电阻跨导,栅极输入电容 网上很多给出的场效应管参数不能作为生产上用。维修还凑合。 一般工厂批量使用最起码要知道：开启电压，导通电阻，跨导和输入电容。 开启电压：有人认为单个使用时无关紧要。我们举一个例子12V供电，推动用358。358不能满幅输出一般为70%（约8V），要使场效应管完全导通，即进入电阻区。经验是开启电压加上5V。比如开启电压为3.3V,那么3.3+5=8.3V。如果358质量不好，那么场效应管不能迅速进入完全导通状态，就会发热。那么并联使用如果损坏，首先损坏开启电压低的。同理并联使用时，损坏往往是导通电阻小的，跨导大的。 还有一个误区就是认为场效应管激励不需要功率。由于制造工艺的缘故，场效应管级间都有电容存在。作为功率输出的，首先考虑是栅极与源极的输入电容。 至于激励功率计算很麻烦，经验上我们一般用简单的估算。比如栅极电容为4000P，栅极串联电阻为1000欧，如果推动级电源为12V，那么要求推动级能提供12mA电流，如果多级并联，就要乘上倍数。此时单级RC时间常数为4uS（250KHZ)，如果脉冲占空比为50%，那么该时间常数，最多工作在20KHZ的频率上。如要提高工作频率就必须减小栅极串联电阻，势必就要要推动级有足够的推动功率。这是一个矛盾，最好用示波器都兼顾一下。对于集成电路作为推动级的，一定要知道该电路最大输出电压，以及最大提供的电流。比如358就不可能输出12mA电流。 当然重要了.一般功率场效应管的开启电压(也称阈值电压)在4-6V左右,但这样的电压不足以使场效应管完全导通,也就是不能进入开关状态.要使功率场效应管进入开关状态,加在 栅极上的电压必须大于10V, 最好12V-15V之间.再有,栅极电压不能很高,一般是正30V-负30V,超过这个限度,功率场效应管会损坏.具体的参数可以查各个公司的DATASHEET. 回复2帖
电子管代换2
国内外常用电子管代换大全-----希望对各位烧友有用………… 一、常用型号、用途及代换 常用型号管芯结构主要用途国外同类型号代备注 5X4G 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极 5Z3P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5T4、5ц3C、CV1861、5R4GY、U52、CV1071、5V3、5AU4、5U4G氧化物阴极 5Z4P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*5B×1、*5ц4C，GZ30、CV2748、5Z4G/GT 氧化物阴极 5Z1P 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极 5Z2P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5W4、5Y3G、80、U50 氧化物阴极 5Z8P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц8C 氧化物阴极 5Z9P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц9C 氧化物阴极 6Z4 旁热式双阳极二极管全波整流*6ц4П、6B×4、6×4、6Z31 共阴极 6Z5P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*6ц5C 共阴极 6H2 旁热式双阳极二极管检波、整流*6×2П、6AL5、C 氧化物阴极 6C1 旁热式三极管宽带电压放大*6C1П、CV664、9002 氧化物阴极 6C3 旁热式三极管宽带电压放大*6C3П 阴地三极管 6C4 旁热式三极管宽带电压放大*6C4П 栅地三极管 6C5P 旁热式三极管低频电压放大6C5GT、*6C5C、6C5 、CV1067、L63氧化物阴极 6C6B 旁热式三极管低频电压放大5703、CV3917、*6C6Ь 氧化物阴极 6C7B 旁热式三极管低频电压放大*6C7Ь 氧化物阴极 6C12 旁热式三极管宽带电压放大EC88、5842 高S、低N 6C31B-Q 旁热式三极管电压放大*6C31Ь-B 氧化物阴极 6C32B-Q 旁热式三极管电压放大*6C32Ь-B 遥截止三极管
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
场效应管参数解释(精)
场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有 3个极性,栅极, 漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1. 概念 : 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写 (FET简称场效应管 . 由多数载流子参与导电 , 也称为单极型晶体管 . 它属于电压控制型半导体器件 . 特点 : 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点 , 现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 . 作用 : 场效应管可应用于放大 . 由于场效应管放大器的输入阻抗很高 , 因此耦合电容可以容量较小 , 不必使用电解电容器 . 场效应管可以用作电子开关 .
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换 . 常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 . 场效应管可以用作可变电阻 . 场效应管可以方便地用作恒流源 . 2. 场效应管的分类 : 场效应管分结型、绝缘栅型 (MOS两大类 按沟道材料 :结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种 . 按导电方式 :耗尽型与增强型 , 结型场效应管均为耗尽型 , 绝缘栅型场效应管既有耗尽型的 , 也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管 , 而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型 ;P 沟耗尽型和增强型四大类 . 见下图 : 3. 场效应管的主要参数 : Idss —饱和漏源电流 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 栅极电压 UGS=0时的漏源电流 . Up —夹断电压 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 使漏源间刚截止时的栅极电压 . Ut —开启电压 . 是指增强型绝缘栅场效管中 , 使漏源间刚导通时的栅极电压 . gM —跨导 . 是表示栅源电压 UGS —对漏极电流 ID 的控制能力 , 即漏极电流ID 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值 .gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数 . BVDS —漏源击穿电压 . 是指栅源电压 UGS 一定时 , 场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压 . 这是一项极限参数 , 加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
电子管代换与说明
常用电压放大级即前级放大胆管代换表6N1ECC85,6AQ8,6H1л 6N412AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2ECF82,6U8 6N26H2л 电子管代换及说明 可以直接代用12AU7的型号有：ECC82，E82CC，ECC802S，B329，CV491，CV4003，CV8155，M8136，5814，6189，7730，6067，7730。 可以直接代用12AX7的管子有：ECC83，ECC803S，B339，E283CC，M8137，CV492，CV4004，CV8156，6057,7729。7025，5751，7058，6N4。 前级管的选择：12AX7：品牌一：AMPEREX 『橙字』『地球嘜』品牌二：RCA 5751 『红字』『黑屏』『方环胆』『三云母』三：『黃字』『三雲母』『黑屏』『方環』『閃電嘜』SYLVANIA 5157。12AU7：品牌一：AMPEREX『地球嘜』品牌二：MULLARD ecc82 6922：品牌一：西门子CCA品牌二：AMPEREX 7308 PHILIPS电子管大家族 “买Philips电子管？不是真的吧，他们好像只是生产灯泡和光管，其音响用电子管的质素想必好不到哪里吧！”，“Philips电子管？他们根本没有生产音响用电子管，全部都是买别人家的出品回来印牌发售，又
常用场效应管参数大全 (2)
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
常用场效应管参数大全(1)
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
常用电子管代换表
【<常用电子管代换表>供大家速查和参考】 国产型号管芯结构主要用途国外同类型号代备注 5Z3P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5T4,5×4G,5U4G*,5ц3C,U52 氧化物阴极5Z4P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流* 5B×1,*5ц4C,GZ30,5Z4G/GT氧化物阴极5Z1P 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极5Z2P 直热式双阳极二极管小功率全波整流 5W4、5Y3G、80、U50 氧化物阴极 5Z8P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц8C氧化物阴极 5Z9P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц9C氧化物阴极 6Z4 旁热式双阳极二极管全波整流*6ц4П、6B×4、6×4、6Z31 共阴极 6Z5P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*6ц5C共阴极 6H2 旁热式双阳极二极管检波、整流*6×2П、6AL5、C 氧化物阴极 6C1 旁热式三极管宽带电压放大*6C1П、CV664、9002 氧化物阴极 6C3 旁热式三极管宽带电压放大*6C3П阴地三极管 6C4 旁热式三极管宽带电压放大*6C4П栅地三极管 6C5P 旁热式三极管低频电压放大 6C5GT、*6C5C、6C5 氧化物阴极 6C6B 旁热式三极管低频电压放大 5703、CV3917、*6C6Ь氧化物阴极 6C7B 旁热式三极管低频电压放大*6C7Ь氧化物阴极6C12 旁热式三极管宽带电压放大 EC88、5842 高S、低N 6C31B-Q 旁热式三极管电压放大*6C31Ь-B 氧化物阴极6C32B-Q 旁热式三极管电压放大*6C32Ь-B 遥截止三极管 6N1 旁热式双三极管低频电压放大*6H1П,6AQ8,AA61,ECC40/82氧化物阴极 6N2 旁热式双三极管低频电压放大*6H2П、6AX7、6AV7、ECC41 氧化物阴极 6N3 旁热式双三极管低频电压放大*6H3П、6A8Q、2C51、ECC42 氧化物阴极 6N4 旁热式双三极管低噪声电压放大ECC83、12AX7 高μ、低N 6N5P 旁热式双三极管低频功率放大*6H13C,6AS7,CV2523,6NS7G/GT 低Ri 6N6（T）旁热式双三极管低频电压放大*6H6П、E182CC、12BH7 氧化物阴极 6N7P 旁热式双三极管低频功率放大6H7、*H7C、6N7/G/GT 共阴极 6N8P 旁热式双三极管低频电压放大*6H8C*6H8M,6SN7,6F8G,CV181,QB65,ECC32氧化 6N9P 旁热式双三极管低频电压放大 *6H9C,6SL7,ECC35,6SC7,6CY7 高μ 6N10 旁热式双三极管低频电压放大*6H10M、12AV7A、E82CC、CV491 氧化物阴极 6N11 旁热式双三极管宽带电压放大*6H23П,6DJ8,ECC84,E88CC,6922,CV2492高S,低RI、N. 6N12P 旁热式双三极管低频电压放大*6H12C、TS229、5687 氧化物阴极 6N13P 旁热式双三极管低频功率放大*6H13C,6AS7,CV2523,6NS7G/GT 低内阻 6N15 旁热式双三极管低频电压放大*6H15П,6J6WA,6CC31,CV858共阴极 6N16B 旁热式双三极管低频电压放大氧化物阴极6N17B 旁热式双三极管低频电压放大*6H17Ь、6112、CV5007 氧化物阴极 6N21B-Q 旁热式双三极管低频电压放大氧化物阴极6N23 旁热式双三极管低频电压放大6DJ8、ECC88、PCC88 高μ低N 6J1 旁热锐止五极管宽带电压放大*6ж1П,6AK5,6BC5,EF40,EF95,CV850高频管 6J1B 锐截止五极管宽带电压放大*6ж1Ь,CV3929,61489,CK5702/7083 旁热式阴极 6J2锐截止五极管宽带电压放大*6ж2П,6AS6,CV2522,EF11/732,CV4011旁热式阴极 6J2B 锐截止五极管宽带电压放大*6ж2Ь、CK5639 旁热式阴极
电子管代换及说明
常用电压放大级即前级放大胆管代换表 6N1ECC85,6AQ8,6H1л 6N412AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12A T7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2ECF82,6U8 6N26H2л 电子管代换及说明 可以直接代用12AU7的型号有：ECC82，E82CC，ECC802S，B329，CV491，CV4003，CV8155，M8136，5814，6189，7730，6067，7730。 可以直接代用12AX7的管子有：ECC83，ECC803S，B339，E283CC，M8137，CV492，CV4004，CV8156，6057,7729。7025，5751，7058，6N4。 前级管的选择： 12AX7： 品牌一：AMPEREX 『橙字』『地球嘜』 品牌二：RCA 5751 『红字』『黑屏』『方环胆』『三云母』 三：『黃字』『三雲母』『黑屏』『方環』『閃電嘜』 SYLVANIA 5157。 12AU7： 品牌一：AMPEREX『地球嘜』 品牌二：MULLARD ecc82
场效应管功能及参数介绍
2.2场效应管功能及参数介绍 开关电源的基本电路由“交流一直转换电路”, “开关型功率变换器”, “控制电路”和整流稳波电路”而组成.输入的电网电压通过“交流一直流转换电路”中的整流和稳器转换成直流电,该直流电源作为“开关型功率变换器”的输入电源,经过“开关型功率更换器”将直流电转变为高频脉冲电波电压输出给“整流滤波电路”,变成平滑直流供给负载,控制电路则起着控制“开关型功率变换器”工作的作用.开关型功率变换器是开关电源的主电路,开关电源的能量转换,电压变换就由它承担.在直流变换器的基础上,由于高频脉冲技术及开关变换技术的进一步发展,出现了推挽式开关型功率变换器,全挢式开关型功率变换器,半挢式﹑单端正激式.单端反激式开关型功率变换器.其控制方法可分为脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频调制(PFM)两种. 开关电源最重要的组件是MOSFET,它的开通和关短控制着整个电源运转.MOSFET原意是MOS(METAL OXIDE SEWILONDUCTOR,金属氧化物半导体)FET(FIELD DFFECT TRAHSISTOR,场效应晶体),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(0),利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管. 功率场应晶体管也分为结型绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semi Conductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSPET).结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(STATIC INTUCTION TRANSISTOR,缩写为SIT).其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10KW的电力电子装置.国际整流器公司.(在International Rectifier,缩写IR)把MOSFET用于高压的器件归纳为第3,6,9代,其中包括3,5代,而用于低压的则为第5,7,8代. 功率MOSFET按导电沟通可分P沟道和N沟道;按栅极电压幅值可分为耗尽型(当栅极电压为零时漏,源极之间就存在导电沟道)和增强型(对于N或P沟道器,件栅极电压大珪或小于零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型). 2.2.1.功率MOSFET的结构 功率MOSPET的内部结构和电气符号如下周所示,其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管.导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有极大区别.小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET.大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力. 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET的结构为多元集.如国际整流器公司的HEXFET采用六边形单元;西门子公司的STPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列. 2.2.2功率MOSFET的工作方式 截止:漏极间加正电源,栅源极间电压为零.P基区与N漂移区之间形成的PN结,反偏;漏源极之间无电流流过. 导电:在栅源极间加正电压Vgs,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过.但栅极的正电压会将其下P区中的空穴推开.,而将P区中的少子---电子吸引到栅极下面的P区表面. 当Vgs大于UT(开启电压或阀值电压)时,栅极下面P区表面的电子浓度将超过空穴的浓度,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而PN结缩小消失,漏极和源极导电. 2.2.3功率MOSFET的基本特性 1.静态特性 其转移特性和转出特性如图所示 漏极电流Id和栅源间电压Vgs的关系为MOSFET的转移特性.Id较大时,Id与Vgs的关系近似线性 ,曲线的斜率定义为跨导Gfs.在恒流区内,N信道增强型MOSFET的Id可近似表示为: id=Ido(Vgs/VT-1)2 (Vgs>VT)