黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程

黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程,它主要用于芯片制造中的光刻步骤。光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。在黄光制程中,光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。下面是关于详细的描述,以帮助读者更好地理解这个过程。

第一步:准备光罩

首先,我们需要准备好用于光刻的光罩。光罩是一种具有所需图案的透明薄片,其材料通常是玻璃或石英。光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。

第二步:准备硅片

准备好待加工的硅片。这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。在准备硅片时,必须确保其表面平整且干净,以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。

第三步:涂覆光刻胶

将硅片放置在旋涂机上,然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀,并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。涂覆光刻胶后,通常使用烘烤等方法进行固化,以确保光刻胶的性能和稳定性。

第四步:对齐和曝光

将准备好的光罩放置在光刻机上,并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。通过微调光罩和硅片的位置,确保图案的精确对齐。然后,使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射,以

将图案转移到光刻胶上。照射时间和强度的控制非常重要,可影响芯片的精度和分辨率。

第五步:显影

曝光后,将硅片放入显影机中进行显影。显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉,从而暴露出硅片上的图案。显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。

第六步:清洗

将经过显影的硅片进行清洗,去除残余的光刻胶和显影液。清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术,以确保芯片表面的干净和平整。

第七步:检验和测量

对清洗过的芯片进行检验和测量。这可以包括检查图案的完整性和准确性,以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。

第八步:后续处理

根据芯片的具体用途,可能需要进行一些附加的工艺步骤,如沉积金属层、刻蚀等等。这些步骤都是为了完成芯片的最终制造,并使其具备特定的功能和性能。

通过以上步骤,黄光制程工艺成功实现了将设计图案转移到硅片上的目标。这个过程中,光刻胶和光罩的准确性和质量非常重要,它们直接决定了芯片制造的成功与否。因此,在工艺流程中需要严格的质量控制,以确保最终产品的性能和可靠性。

举个例子,假设我们要制作一款图案为一个小方块的芯片。首先,芯片设计师根据需求制作相应的图案,并制作出一张光罩。接着,我们将硅片放置在旋涂机上,涂覆上光刻胶并进行固化。然后,我们将光罩放在光刻机上,并与涂覆了光刻胶的硅片精确对齐。通过对光罩进行照射,将图案转移到光刻胶上。接下来,我们使用显影机对硅片进行显影,溶解掉未曝光的光刻胶。最后,经过清洗和测量,我们得到了一块制作完成的芯片,上面有一个小方块的图案。

总结而言,黄光制程工艺是芯片制造中至关重要的一步,它确保了芯片的精确和可靠性。通过光刻胶和光罩的精确和质量控制,我们可以将图案准确地转移到硅片上,完成对芯片的制造。随着技术的不断发展,黄光制程工艺也在不断完善,以满足不断增长的芯片需求。

pcb工厂黄光室波段

PCB工厂黄光室波段 1. 什么是PCB工厂黄光室波段? PCB(Printed Circuit Board)工厂黄光室波段是指在PCB制造过程中的一个重要环节,用于在电路板上形成电路图案。黄光室是一种特殊的实验室,用于进行光刻和曝光的工艺步骤。 在PCB制造过程中,首先需要将设计好的电路图案通过化学方法转移到感光胶上。这个步骤被称为“黄光制程”。而黄光室则是用来进行这个制程的地方。 2. 黄光室波段的作用 黄光室波段在PCB制造过程中起着至关重要的作用。其主要功能包括: - 先进工艺:黄光室波段使用了先进的技术和设备,能够实现高精度、高效率的电路图案转移。 - 光刻:通过使用特殊的紫外线曝光设备和感光胶,在电路板上形成所需的电路图案。 - 曝光:将设计好的电路图案通过曝光设备投射到感光胶上,使得感光胶在光照下发生化学反应。 - 图案转移:经过曝光后,感光胶上将形成与设计图案相对应的图案,然后通过化学蚀刻等工艺步骤,将图案转移到电路板上。 3. 黄光室波段的工艺流程 黄光室波段的工艺流程一般包括以下步骤: 1. 准备工作:包括清洁黄光室、检查和校准设备等。 2. 材料准备:准备好感光胶、掩膜、电路板等材料,并确保其质量符合要求。 3. 曝光设备设置:根据所需的曝光参数,设置曝光设备,如曝光时间、曝光强度等。 4. 掩膜对位:将掩膜与电路板进行对位,确保掩膜上的图案与电路板上的位置一致。 5. 曝光:将已对位的电路板放置在曝光设备中,在设定的曝光条件下进行曝光。 6. 确认曝光效果:通过检查曝光后的感光胶表面,确认曝光效果是否符合要求。 7. 清洗:使用特定的化学溶液对感光胶进行清洗,去除未曝光的部分。 8. 检查和修复:检查电路板上的图案是否完整,如有缺陷,则进行修复。 9. 蚀刻:将电路板放置在化学蚀刻液中,去除掉未被感光胶保护的部分金属。 10. 清洗和检查:清洗蚀刻后的电路板,并进行最终的质量检查。 4. 黄光室波段的关键技术 黄光室波段使用了一系列关键技术来实现高精度、高效率的电路图案转移。其中一些关键技术包括: - 光刻胶选择:选择合适的感光胶,以满足所需图案分辨率、精度和耐久性等要求。 - 曝光设备优化:通过优化曝光设备的参数和设计,提高曝光效果和稳定性。 - 掩膜制备:制备高质量、高精度的掩膜,确保与电路板上图案对位准确。 - 曝光参数控制:准确控制曝光时间、曝光强度等参数,以实现所需图案的精确转移。 - 清洗工艺优化:优化清洗工艺,确保清洗干净并避免对

PCB制程工艺

一〉流程: 磨板→贴膜→曝光→显影 一、磨板 1、表面处理除去铜表面氧化物及其它污染物。 a. 硫酸槽配制H2SO4 1-3%(V/V)。 b.酸洗不低于10S。 2、测试磨痕宽度控制范围10-15mm,磨痕超过15mm会出现椭圆孔或孔口边沿无铜,一般控制10-12mm 为宜。 3、水磨试验每日测试水膜破裂时间≥15s,试验表明,在相同条件下磨痕宽度与水膜破裂时间成正比。 4、磨板控制传送速度1.2-2.5M/min,间隔1",水压1.0-1.5bar,干燥温度70-90℃。 二、干膜房 1、干膜房洁净度10000级以上。

2、温度控制20-24°C,超出此温度范围容易引起菲林变形。 3、湿度控制60-70%,超出此温度范围也容易引起菲林变形。 4、工作者每次进入干膜房必须穿着防尘服及防尘靴风淋15-20s。 三、贴膜 1、贴膜参数控制 a. 温度100-120°C,精细线路控制115-120°C,一般线路控制105-110°C,粗线路控制100-105°C。 b.速度<3M/min。 c. 压力30-60Psi,一般控制40Psi左右。 2、注意事项 a.贴膜时注意板面温度应保持38-40°C,冷板贴膜会影响干膜与板面的粘接性。 b. 贴装前须检查板面是否有杂物、板边是否光滑等,若板边毛刺过大会划伤贴膜胶辊,影响使用寿命。

c. 在气压不变情况下,温度较高时可适当加快传送速度,较低时可适当减慢传送速度,否则会出现皱 膜或贴膜不牢,图形电镀时易产生渗镀。 d.切削干膜(手动贴膜机)时用力均匀,保持切边整齐,否则显影后出现菲林碎等缺陷。 e. 贴膜后须冷却至室温后方可进行曝光。 四、曝光 1、光能量 a.光能量(曝光灯管5000W)上、下灯控制40-100毫焦/平方厘米,用下晒架测试上灯,上晒架测试 下灯。 b.曝光级数7-9级覆铜(Stoffer 21级曝光尺),一般控制8级左右,但此级数须显影后才能反映出来, 因此对显影控制要求较严。 2、真空度

黄光制程工艺流程

1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法(磨刷喷洗)和化学的方法(去离子水DI 水和KOH)将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程 2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶 3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发,形行成固体的PR层 4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面,使被照射部分的光刻胶发生反应 5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去,保留未照射部分的光刻胶 6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理,使光刻胶膜更加坚固。 7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去,这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。 8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去,将玻璃表面清洗干燥 1. PR前清洗 A.清洗: 指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。(风切是关键) B.干燥: 因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量 C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定 1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N,温度为60±5℃,浸泡时间为2~3min/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40±5℃,干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。注:玻璃清洗洁净度不够之改改善对策,适当加入少许KOH溶液,改变KOH,溶液,经常擦拭风切口,喷洗等处,亦可调态清洗机传动速度,将传速度减慢 2.PR涂佈 光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的,综合性的精密表面加工技术。 光刻的目的就是按照产品的设计要求,在导电玻璃上覆盖感光胶。 A.光刻胶的配制 光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力,又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的,不能同时达到。因此,必须根据不同的光刻对象和要求,选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室(洁净度较高的房间)中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好,再将溶剂倒入原胶,用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合,通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解,为把这部分未能

工艺流程图

工艺流程图 一.黄光工艺流程 1.单层激光 ITO分切- 测量尺寸测量方阻(抽检)做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光 贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能(抽检)送印刷站 2.双层激光 ITO分切- 测量尺寸测量方阻(抽检)做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光 贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能(抽检)送印刷站 3.印刷走线 ITO分切- 测量尺寸测量方阻(抽检)做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光 贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能(抽检)送印刷站 4.印刷+镭射走线 ITO分切- 测量尺寸测量方阻(抽检)做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光 贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能(抽检)送印刷站 二.印刷工艺流程 1.单层激光 印刷大正保烘烤印刷银浆前剥离大正保印刷银浆检验烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合 2. 双层激光 印刷大正保烘烤印刷银浆前剥离大正保印刷银浆检验烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合 3. 印刷走线 印刷大正保烘烤印刷绝缘前剥离大正保印刷绝缘检验UV固化印刷银线银线检验银线烘烤覆膜检查修补OK后转入大片贴合 4. 印刷+镭射走线 印刷大正保烘烤印刷绝缘前剥离大正保印刷绝缘检验UV固化印刷银线银线检验银线烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜 检查修补OK后转入大片贴合 备注:

以上“检查修补”中涉及补新银浆的流程如下:补银浆烘烤覆膜转入大片贴以上“检查修补”中涉及修银浆连线的流程如下:修银浆覆膜转入大片贴合 三.大片贴合工艺流程 1.单层激光 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保 护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站 2. 双层激光 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor上线撕保 护膜检查外观大张sensor上线与OCA贴合(ITO面)检查贴合情况剥离高温PET 高温PET面与OCA贴合检查贴合情况开避让口大张sensor下 线撕保护膜检验外观上下线贴合检查贴合情况转入冲切站 3. 印刷走线 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保 护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站 4. 印刷+镭射走线 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保 护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站 四. 冲切以及电测工艺流程 1.单层激光 冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测 包装入库 2. 双层激光 冲定位孔冲切检查冲切情况脱泡sensor外观检sensor 电测包装入库 3. 印刷走线 冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测 包装入库 4. 印刷+镭射走线 冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测 包装入库 五.后段工艺流程 1. 单层激光

黄光PHOTO制程问答

黄光PHOT(制程问答 PHOTO流程? 答:上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測何为光阻?其功能为何?其分为哪两种? 答:Photoresist(光阻). 是一种感光的物质,其作用是将Pattern 从光罩(Reticle)上传递到Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答:正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答:负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光?什幺是显影?答:曝光就是通过光照射光阻,使其感光;显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓Photo? 答:Photo=Photolithgraphy, 光刻,将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 Photo主要流程为何? 答:Photo的流程分为前处理,上光阻,Soft Bake,曝光,PEB显影,Hard Bake 等。何谓PHOT区之前处理? 答:在Wafer 上涂布光阻之前,需要先对Wafer 表面进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake,HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除,然后进行HDM工作,以使Wafer 表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答:上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴 (Nozzle)被喷涂在高速旋转的Wafer表面,并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer 的表面。 何谓Soft Bake? 答:上完光阻之后,要进行Soft Bake ,其主要目的是通过Soft Bake 将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放。何谓曝光? 答:曝光是将涂布在Wafer 表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答:PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被 曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答:显影类似于洗照片,是将曝光完成的Wafer 进行成象的过程,通过这个过程, 成象在光阻上的图形被显现出来。 何谓Hard Bake? 答:Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发,并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

黄光工艺流程

黄光工艺流程 黄光工艺流程是指在半导体制造过程中,使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面,然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。 第一步是准备硅片。将硅片清洗干净,并使用酸洗去除硅片表面的污染物。然后,在硅片上涂覆一层光刻胶,通常是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。 第二步是光刻胶的曝光。将硅片放入光刻机中,然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶,使其在受到光的作用下发生化学反应。在曝光后,光刻胶的部分区域会发生化学变化,变得溶解性或不溶解性。 第三步是光刻胶的显影。将曝光后的硅片放入显影剂中,显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶,而曝光后的光刻胶会保留下来。根据需要,可以使用不同的显影剂,如碱性显影剂或酸性显影剂。 第四步是光刻胶的固化。为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害,可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。 第五步是蚀刻。将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中,蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。根据需要,可以使用不同的蚀刻剂,如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。蚀刻剂

的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。 第六步是去除光刻胶。在完成蚀刻后,需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现,将硅片浸泡在其中,以溶解光刻胶并清洗硅片表面。 通过以上步骤,黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。黄光工艺流程的精度和重复性较高,成本较低,因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。 总之,黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值,可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。

PHOTO工艺

第九章PHOTO工序 PHOTO工序的目的 HOTO的基本概念 什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说,PHOTO指的是黄光部。但是从工艺来说,在半导体和液晶产业,PHOTO指光刻技术。当然,这两个概念是有实质联系的,因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。 HOTO工序的目的 PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。主要过程依次如下面图(一),图(二)和图(三)所示。 图(一)图(二) 图(三) PHOTO工序主要包含三大步骤,即上图所示的光阻涂布(PR coating); 曝光(Exposure);和显影(Develop). 光阻涂布(如图一),就是在plate(玻璃基板)上涂布光阻。光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质,遇到一定强度的UV光就会发生化学反应,所以PHOTO工序要在黄光下进行。因为黄光波长大,光子能量低,强度比较弱(不会引起光阻化学反应)并且照明效果不错的光。 光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。 曝光(Exposure)是PHOTO的关键,也是ARRAY的关键。之前说了PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。临时电路结构就设计在MASK(光罩)上,光罩上有电路结构区域不透光,没有电路结构区域可以透光。这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后,电路结构就从光罩转移到光阻上。 曝光(Exposure)制程的主要参数是CD(线宽),Total pitch, Overlay。 Develop即显影。经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液,因为显影液为碱性,对正性光阻而言,被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中,而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。因此,显影之后,在玻璃基板上,只剩下电路部分有光阻,而其它区域无光阻(注:本节所指光阻为正光阻,一般TFT段都使用正光阻)。 显影液浓度的控制是显影工艺的关键,浓度的高低会影响到线宽。

黄光制程银浆

黄光制程银浆 摘要: 一、黄光制程银浆概述 二、黄光制程银浆的制备方法 三、黄光制程银浆的应用领域 四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景 正文: 一、黄光制程银浆概述 黄光制程银浆,又称黄光蚀刻银浆,是一种在微电子制造领域中应用广泛的材料。它是一种以银为主要成分的浆料,通过黄光制程技术,能够在特定波长的黄光照射下,实现对银膜的高精度蚀刻。这种技术在现代微电子制造中起着举足轻重的作用,尤其在平板显示器、触摸屏、太阳能电池等领域具有广泛的应用。 二、黄光制程银浆的制备方法 黄光制程银浆的制备方法通常分为以下几个步骤: 1.配料:将银粉、有机溶剂、添加剂等原材料按照一定的比例混合在一起。 2.研磨:将混合好的材料进行充分研磨,使得银粉粒子达到所需的尺寸分布。 3.分散:将研磨好的浆料进行分散处理,使得银粉能够在有机溶剂中形成稳定的悬浮液。 4.过滤:对浆料进行过滤,去除可能影响蚀刻效果的杂质。

5.调光:通过调整黄光源的波长和强度,使得银浆在特定波长的黄光照射下能够实现高精度蚀刻。 三、黄光制程银浆的应用领域 黄光制程银浆在微电子制造领域具有广泛的应用,主要包括以下几个方面: 1.平板显示器:在生产平板显示器时,黄光制程银浆可用于制作薄膜电极、导线等部件。 2.触摸屏:在触摸屏制造过程中,黄光制程银浆可用于制作触摸感应器、电极等关键部件。 3.太阳能电池:在太阳能电池生产中,黄光制程银浆可用于制作电极、反射层等组件。 4.电子标签:在电子标签制造领域,黄光制程银浆可用于制作天线和导电图案等部分。 四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景 黄光制程银浆具有以下优势: 1.高精度蚀刻:黄光制程银浆在特定波长的黄光照射下,能够实现对银膜的高精度蚀刻,满足微电子制造领域对精细度的要求。 2.良好的稳定性:黄光制程银浆具有良好的稳定性,能够在一定程度上降低生产过程中出现的不良品率。 3.环保性能:相较于传统化学蚀刻方法,黄光制程银浆具有较好的环保性能,有利于实现绿色生产。 随着科技的不断发展,微电子制造领域对黄光制程银浆的需求将持续增

触摸屏黄光制程介绍

触摸屏黄光制程介绍 触摸屏黄光制程介绍 高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术,随着触摸屏市场的迅猛发展,对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高,谁的成本低、技术精,谁就能抢先占领市场,这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问,那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢? 11. 51Touch:利满洋行主要从事滚筒印刷制程,是这方面的专家,请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。 利满洋行:黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言,在成本和工艺上还是有很大区别的,我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下: 一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程 黄光制程 vs 印刷制程 二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较. 1.) 黄光制程设备投资成本昂贵. - 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等,如卷对卷制式更不止此数, - 上下游工序、材料均须另作配合, - 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。 2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性. 任何工厂需要生产安排的灵活性,纵使黄光制程有其优点,而优点往往从接“大单“中才能反映出来,因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂,TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本,而现今电子产品讲求多花样,推陈出新是生存之道,所以TP厂的灵活性不是任何

先进生产方式可以代替的。樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。 3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估. 黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用,20多年前TFT LCD厂家也开始使用,后来应用面扩展到PV 和TP,相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间,尤其各品牌都追求薄和轻,这趋势都直接引伸出不同的工艺模式,高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。在国内TFT 用黄光也不到10年,TP就更不用说了,但网印在国内累积了大量经验和人材,而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产,企业投资在现成和累积的资产上,使它延伸及增值,对长线企业发展最为有利。简单而言, 黄先制程只能用于单一特定制品制程, 过程中也可能需网印机配合, 樱井网印机则可印刷银线路、背保胶、绝缘油墨、面板装饰用胶片…..等是台“长远发展” 的所需设备. 4.) 投资设备后, 产生需使用附加物料/配套设备的成本评估, 黄光制程中化学剂和的使用是不可避免的,而随之而来的是满足日渐严格的 环保条例,花钱投资废水处理设备;增加人手、付出时间与官员周旋是少不了的。引入樱井网印机则基本没有任何影响。 三、黄光制程 vs 印刷制程 (简单总结) - 樱井丝纲印刷机的独特“零纲距” 对比“沿用平枱机” 一般纲版的使用寿命以倍计延长, (长远计可节省大量金额的纲版经费.), - 一台“樱井丝纲印刷机” 可印制不同线路. 也可扩大每片ITO的印刷银线路排版面积, - 提高产能有极大帮助. (或印刷不同的印刷品, 使用长远性高.) - 贵司可沿用“丝纲印刷制程”, 而不用改变现有生产流程 / 物料, - 便可去作日后量产工序. - 贵司也不用担心“花费太多人力 / 物力” 从新学习或聘请专业人员去操作.. - 使用新(黄光)制程设备, 或更改 / 新增其它设备去配合新(黄光)制

黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程 黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程,它主要用于芯片制造中的光刻步骤。光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。在黄光制程中,光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。下面是关于详细的描述,以帮助读者更好地理解这个过程。 第一步:准备光罩 首先,我们需要准备好用于光刻的光罩。光罩是一种具有所需图案的透明薄片,其材料通常是玻璃或石英。光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。 第二步:准备硅片

准备好待加工的硅片。这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。在准备硅片时,必须确保其表面平整且干净,以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。 第三步:涂覆光刻胶 将硅片放置在旋涂机上,然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀,并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。涂覆光刻胶后,通常使用烘烤等方法进行固化,以确保光刻胶的性能和稳定性。 第四步:对齐和曝光 将准备好的光罩放置在光刻机上,并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。通过微调光罩和硅片的位置,确保图案的精确对齐。然后,使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射,以

将图案转移到光刻胶上。照射时间和强度的控制非常重要,可影响芯片的精度和分辨率。 第五步:显影 曝光后,将硅片放入显影机中进行显影。显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉,从而暴露出硅片上的图案。显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。 第六步:清洗 将经过显影的硅片进行清洗,去除残余的光刻胶和显影液。清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术,以确保芯片表面的干净和平整。 第七步:检验和测量

黄光制程银浆

黄光制程银浆 1. 引言 黄光制程银浆是一种在半导体制造过程中广泛使用的材料,用于制作电子器件中的导电线路。本文将详细介绍黄光制程银浆的定义、制备方法和应用领域,以及该材料的特性和优势。 2. 黄光制程银浆的定义 黄光制程银浆是一种含有银颗粒的浆料,通过黄光制程技术在半导体器件制造过程中进行图案化。黄光制程是一种光刻技术,通过光刻胶和光罩的配合,将银浆在半导体表面形成所需的导电线路图案。 3. 黄光制程银浆的制备方法 黄光制程银浆的制备方法主要包括以下几个步骤: 3.1 原料准备 制备黄光制程银浆的原料主要包括银颗粒、有机溶剂、分散剂和胶凝剂等。银颗粒是黄光制程银浆的主要成分,其粒径和分布对黄光制程的性能有重要影响。 3.2 混合和分散 将银颗粒与有机溶剂、分散剂和胶凝剂等原料混合,并在适当的条件下进行搅拌和分散,以保证银颗粒均匀分散在溶剂中。 3.3 过滤和脱泡 将混合的浆料通过过滤器进行过滤,去除其中的杂质和颗粒团聚物,以得到纯净的银浆。同时,通过脱泡处理去除浆料中的气泡,以提高黄光制程的质量。 3.4 调整黏度和粘度 根据具体应用的要求,调整银浆的黏度和粘度,以便在黄光制程过程中得到理想的涂布性和刻蚀性能。 3.5 包装和贮存 将制备好的黄光制程银浆进行包装,并在适当的条件下进行贮存,以保证其稳定性和使用寿命。

4. 黄光制程银浆的应用领域 黄光制程银浆广泛应用于各种电子器件的制造过程中,包括集成电路、平板显示器、太阳能电池等领域。其主要应用包括以下几个方面: 4.1 导电线路 黄光制程银浆可用于制作导电线路,将其涂布在半导体表面,经过黄光制程后形成所需的导电线路图案。 4.2 电极 黄光制程银浆可用于制作电极,如太阳能电池中的电极。银浆具有高导电性和良好的光电特性,能够提高器件的性能和效率。 4.3 封装材料 黄光制程银浆可用于制作封装材料,如集成电路中的封装材料。其具有良好的粘附性和耐高温性能,能够有效保护器件并提高其可靠性。 5. 黄光制程银浆的特性和优势 黄光制程银浆具有以下特性和优势: 5.1 高导电性 银颗粒是黄光制程银浆的主要成分,具有极高的导电性,能够满足各种电子器件对导电性能的要求。 5.2 良好的光学特性 黄光制程银浆中的银颗粒具有良好的光学特性,能够提高器件的光电转换效率和显示效果。 5.3 良好的粘附性 黄光制程银浆具有良好的粘附性,能够牢固附着在半导体表面,不易剥离和脱落。 5.4 耐高温性 黄光制程银浆具有良好的耐高温性能,能够在高温环境下保持稳定的导电性能和机械性能。 5.5 环保可持续 黄光制程银浆采用的是无铅无镉的制备工艺,具有较低的环境污染和较高的可持续性。

电容屏ITO黄光制程工艺

电容屏ITO黄光制程工艺 流程 第一步:ITO GLASS 参数规格: 长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1 规格:普通,钢化等, 特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等 电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。 第二步:素玻璃 参数规格: 素玻璃:康宁,旭硝子等。500*500规格 第三步:清洗 参数规格: 1.将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。 2.将素玻璃表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥,然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。第四步:背保丝印 参数规格: 膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,此背保要求高,不能有一点脏污, 油污,杂质等,要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着 力等。日本朝日,丰阳等,热固型。 第五步:光刻胶整版丝印 参数规格: 膜厚:5-10μM,300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯 的环境下进行。 光刻胶:田菱THC-29(耐酸曝光显影型光刻胶)等。 第六步:前烘 参数规格: 让印有光刻胶的材料在一定的温度,时间下固化。温度:80-90 度。时 间15-20 分钟。 第七步:曝光 参数规格: 通过紫外线和菲林的垂直照射,让光刻胶形成反应。光能量: 60-120MJ/C ㎡,时间:6-9s 第八步:显影 参数规格: 用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶,留下没有曝光的光刻胶。 弱碱:0.05-0.2 MOL. 温度:20±3 度,压力:0.02-0.05KG,速度:5.5±2.5M/MIN。 第九步:坚膜 参数规格: 让显影留下的光刻胶经高温处理,让光刻胶完全固化。 温度:120-150度,时间:20-30.

黄光PHOTO制程问答

黄光PHOTO制程问答 PHOTO 流程? 答:上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 何为光阻?其功能为何?其分为哪两种? 答:Photoresist(光阻).是一种感光的物质,其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答:正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答:负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光?什幺是显影? 答:曝光就是通过光照射光阻,使其感光;显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo? 答:Photo=Photolithgraphy,光刻,将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答:Photo的流程分为前处理,上光阻,Soft Bake, 曝光,PEB,显影,Hard Bake 等。 何谓PHOTO区之前处理? 答:在Wafer上涂布光阻之前,需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake,HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除,然后进行HDMS工作,以使Wafer表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答:上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴(Nozzle)被喷涂在高速旋转的Wafer表面,并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 何谓Soft Bake? 答:上完光阻之后,要进行Soft Bake,其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放。 何谓曝光? 答:曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答:PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答:显影类似于洗照片,是将曝光完成的Wafer进行成象的过程,通过这个过程,

lcd 黄光工艺流程

液晶显示器(LCD)的黄光工艺流程是液晶显示器制造过程中的一个重要环节,它主要涉及到液晶显示器的背光源部分。以下是LCD黄光工艺流程的详细介绍: 1. 材料准备:首先,需要准备液晶显示器背光源所需的所有材料,包括LED灯珠、导光板、反射膜、扩散膜、增亮膜等。 2. 导光板制作:导光板是背光源的核心部件,其主要作用是将LED灯珠发出的光线均匀地分布在整个液晶显示器上。导光板的制作过程主要包括注塑成型、切割、抛光等步骤。 3. LED灯珠贴装:将LED灯珠贴装在导光板的一侧,通常选择在导光板的底部或侧面。贴装时需要确保LED灯珠的位置准确,以便能够有效地将光线导入导光板。 4. 反射膜贴装:反射膜的主要作用是将LED灯珠发出的光线反射回导光板,以提高光线的利用率。反射膜通常贴装在LED灯珠和导光板之间。 5. 扩散膜贴装:扩散膜的主要作用是将导光板出射的光线进行散射,以消除光线的聚焦现象,提高液晶显示器的显示效果。扩散膜通常贴装在导光板的出光面。 6. 增亮膜贴装:增亮膜的主要作用是进一步提高液晶显示器的亮度,使显示效果更加清晰。增亮膜通常贴装在扩散膜的外侧。 7. 组装:将导光板、LED灯珠、反射膜、扩散膜、增亮膜等部件组装在一起,形成一个完整的背光源。 8. 测试:对组装好的背光源进行测试,包括亮度测试、色温测试、均匀性测试等,以确保背光源的性能达到设计要求。 9. 安装:将测试合格的背光源安装到液晶显示器的壳体中,与液晶面板、驱动电路等部件一起组成完整的液晶显示器。 10. 包装:将组装好的液晶显示器进行包装,准备出厂销售。 以上就是LCD黄光工艺流程的详细介绍,通过这个流程,可以生产出性能优良、显示效果出色的液晶显示器。

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