最新模拟电路面试题集
模拟电路
1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）
2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知）
3、最基本的如三极管曲线特性。（未知）
4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子）
5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）
6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）
7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。（未知）
8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸）
9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知）
10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。（未知）
11、画差放的两个输入管。（凹凸）
12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子）
13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。（未知）
14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题)
15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。当RC< 16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?（新太硬件） 17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。（未知） 18、选择电阻时要考虑什么？（东信笔试题） 19、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N管，为什么？（仕兰微电子） 20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。(Infineon笔试试题) 21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。（仕兰微电子） 22、画电流偏置的产生电路，并解释。（凹凸） 23、史密斯特电路,求回差电压。（华为面试题） 24、晶体振荡器,好像是给出振荡频率让你求周期(应该是单片机的,12分之一周期....) （华为面试题） 25、LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路，分别画出其原理图。（仕兰微电子） 26、VCO是什么,什么参数(压控振荡器?) （华为面试题） 27、锁相环有哪几部分组成？（仕兰微电子） 28、锁相环电路组成，振荡器（比如用D触发器如何搭）。（未知） 29、求锁相环的输出频率，给了一个锁相环的结构图。（未知） 30、如果公司做高频电子的，可能还要RF知识，调频，鉴频鉴相之类，不一一列举。（未知） 31、一电源和一段传输线相连（长度为L,传输时间为T），画出终端处波形，考虑传输线无损耗。给出电源电压波形图，要求绘制终端波形图。（未知） 32、微波电路的匹配电阻。（未知） 33、DAC和ADC的实现各有哪些方法？（仕兰微电子） 34、A/D电路组成、工作原理。（未知） 35、实际工作所需要的一些技术知识(面试容易问到)。如电路的低功耗，稳定，高速如何做到，调运放，布版图注意的地方等等,一般会针对简历上你所写做过的东西具体问，肯定会问得很细（所以别把什么都写上，精通之类的词也别用太多了），这个东西各个人就不一样了，不好说什么了。（未知） _______________________________________________________________________ 数字电路 1、同步电路和异步电路的区别是什么？（仕兰微电子） 2、什么是同步逻辑和异步逻辑？（汉王笔试） 同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。 3、什么是"线与"逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？（汉王笔试） 线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上，要用oc门来实现，由于不用 oc门可能使灌电流过大，而烧坏逻辑门。同时在输出端口应加一个上拉电阻。 4、什么是Setup 和Holdup时间？（汉王笔试） 5、setup和holdup时间,区别.（南山之桥） 6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。（未知） 7、解释setup和hold time violation，画图说明，并说明解决办法。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。如果hold time 不够，数据同样不能被打入触发器。 建立时间(Setup Time)和保持时间（Hold time）。建立时间是指在时钟边沿前，数据信号需要保持不变的时间。保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间。如果不满足建立和保持时间的话，那么DFF将不能正确地采样到数据，将会出现 metastability的情况。如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时间，那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量。 8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。（仕兰微电子） 9、什么是竞争与冒险现象？怎样判断？如何消除？（汉王笔试） 在组合逻辑中，由于门的输入信号通路中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。产生毛刺叫冒险。如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。解决方法：一是添加布尔式的消去项，二是在芯片外部加电容。 10、你知道那些常用逻辑电平？TTL与COMS电平可以直接互连吗？（汉王笔试） 常用逻辑电平：12V，5V，3.3V；TTL和CMOS不可以直接互连，由于TTL是在0.3-3.6V之间，而CMOS则是有在12V 的有在5V的。CMOS输出接到TTL是可以直接互连。TTL接到CMOS需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V。 11、如何解决亚稳态。（飞利浦－大唐笔试） 亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态。当一个触发器进入亚 稳态时，既无法预测该单元的输出电平，也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平 上。在这个稳定期间，触发器输出一些中间级电平，或者可能处于振荡状态，并且这种无 用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去。 12、IC设计中同步复位与异步复位的区别。（南山之桥） 13、MOORE 与 MEELEY状态机的特征。（南山之桥） 14、多时域设计中,如何处理信号跨时域。（南山之桥） 15、给了reg的setup,hold时间，求中间组合逻辑的delay范围。（飞利浦－大唐笔试） Delay < period - setup – hold 16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。组合逻辑电路最大延 迟为T2max,最小为T2min。问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。（华 为） 17、给出某个一般时序电路的图，有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有 clock的delay,写出决 定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入， 使得输出依赖于关键路径。（未知） 21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。（未知） 22、卡诺图写出逻辑表达使。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛） 24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P- well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威 盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09） 25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain? 26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？（仕兰微电子） 27、用mos管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试） 28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09） 29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试） 30、画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。（飞利浦－大唐笔试） 32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。（科广试题） 33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。（飞利浦－大唐笔试） 34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子） 35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz’。（未知） 36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化 简）。 37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试） 38、为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什 么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知） 39、用与非门等设计全加法器。（华为） 40、给出两个门电路让你分析异同。（华为） 41、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为…（仕兰微电子） 42、A,B,C,D,E进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0 多，那么F输出为1，否则F为0），用与非门实现，输入数目没有限制。（未知） 43、用波形表示D触发器的功能。（扬智电子笔试） 44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。（扬智电子笔试） 45、用逻辑们画出D触发器。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。（威盛） 47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。（未知） 48、D触发器和D锁存器的区别。（新太硬件面试） 49、简述latch和filp-flop的异同。（未知） 50、LATCH和DFF的概念和区别。（未知） 51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的。（南山之桥） 52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。（华为） 53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路？（汉王笔试） 54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路？（东信笔试） 55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分频？ 56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器，输入carryin和current-stage，输出carryout和next-stage. （未知） 57、用D触发器做个4进制的计数。（华为） 58、实现N位Johnson Counter,N=5。（南山之桥） 59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？（仕兰 微电子） 60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL，如设计计数器。（未知） 61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。（南山之桥） 62、写异步D触发器的verilog module。（扬智电子笔试） module dff8(clk , reset, d, q); input clk; input reset; input [7:0] d; output [7:0] q; reg [7:0] q; always @ (posedge clk or posedge reset) if(reset) q <= 0; else q <= d; endmodule 63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述？（汉王笔试） module divide2( clk , clk_o, reset); input clk , reset; output clk_o; wire in; reg out ; always @ ( posedge clk or posedge reset) if ( reset) out <= 0; else out <= in; assign in = ~out; assign clk_o = out; endmodule 64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：a) 你所知道的可编程逻辑器 件有哪些？ b) 试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。（汉王笔试） PAL，PLD，CPLD，FPGA。 module dff8(clk , reset, d, q); input clk; input reset; input d; output q; reg q; always @ (posedge clk or posedge reset) if(reset) q <= 0; else q <= d; endmodule 65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。（仕兰微电子） 66、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现10进制计数器。（未知） 67、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现消除一个glitch。（未知） 68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差，很容易误解的）。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 69、描述一个交通信号灯的设计。（仕兰微电子） 70、画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。（扬智电子笔试） 71、设计一个自动售货机系统，卖soda水的，只能投进三种硬币，要正确的找回钱 数。（1）画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求。（未知） 72、设计一个自动饮料售卖机，饮料10分钱，硬币有5分和10分两种，并考虑找零：（1）画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求；（3）设计工程中可使用的工具及设计大致过程。（未知） 73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。（威盛） 74、用FSM实现101101的序列检测模块。（南山之桥） a为输入端，b为输出端，如果a连续输入为1101则b输出为1，否则为0。 例如a： 0001100110110100100110 b： 0000000000100100000000 请画出state machine；请用RTL描述其state machine。（未知） 75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串（分状态用状态机写）。（飞利浦－大唐笔试） 76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器(包括空，满，半满信号)。（飞利浦－大唐笔试） 77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx，其中，x 为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。（仕兰微 电子） 78、sram，falsh memory，及dram的区别？（新太硬件面试） 79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 －14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温 度，增大电容存储容量）（Infineon笔试） 80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题 circuit design-beijing-03.11.09） 81、名词:sram,ssram,sdram 名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR IRQ: Interrupt ReQuest BIOS: Basic Input Output System USB: Universal Serial Bus VHDL: VHIC Hardware Description Language SDR: Single Data Rate 压控振荡器的英文缩写(VCO)。 动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。 名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、 IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器)，FIR IIR DFT(离散 傅立叶变换)或者是中文的，比如：a.量化误差 b.直方图 c.白平衡 ____________________________________________________________________________ IC设计基础（流程、工艺、版图、器件） 1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路 相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA 等的概念）。（仕兰微面试题目） 2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知） 答案：FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一 个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计 制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点 3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目） 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目） 5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目） 6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目） 7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知） 8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知） 9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛） 11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试） 先介绍下IC开发流程： 1.）代码输入（design input) 用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码 语言输入工具：SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR 图形输入: composer(cadence); viewlogic (viewdraw) 2.）电路仿真（circuit simulation) 将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确 数字电路仿真工具： Verolog： CADENCE Verolig-XL SYNOPSYS VCS MENTOR Modle-sim VHDL : CADENCE NC-vhdl SYNOPSYS VSS MENTOR Modle-sim 模拟电路仿真工具： ***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp 3.）逻辑综合（synthesis tools) 逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级仿真中所没有考虑的门沿（gates delay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。 12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目） 13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素？（仕兰微面试题目） 14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目） 15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目） 16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目） 17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目） 18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目） 19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.（未知） 20、什么叫Latchup?（科广试题） 21、什么叫窄沟效应? （科广试题） 22、什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差 别？（仕兰微面试题目） 23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微 面试题目） 24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转 移特性。（Infineon笔试试题） 25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题） 26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.（威 盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09） 27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试） 28、画p-bulk 的nmos截面图。（凹凸的题目和面试） 29、写schematic note（？），越多越好。（凹凸的题目和面试） 30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知） 31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公 式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence, Synopsys, Avant，UNIX当然也要大概会操作。 32、unix 命令cp -r, rm,uname。（扬智电子笔试） ___________________________________________________________________________ 单片机、MCU、计算机原理 1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流 流向。简述单片机应用系统的设计原则。（仕兰微面试题目） 2、画出8031与2716（2K*8ROM）的连线图，要求采用三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和 P2.3参加译码，基本地址范围为3000H-3FFFH。该2716有没有重叠地址？根据是什么？若 有，则写出每片2716的重叠地址范围。（仕兰微面试题目） 3、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管（共阳）的原理图。（仕兰微面试题目） 4、PCI总线的含义是什么？PCI总线的主要特点是什么？（仕兰微面试题目） 5、中断的概念？简述中断的过程。（仕兰微面试题目） 6、如单片机中断几个/类型，编中断程序注意什么问题；（未知） 7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速，程序由8051完成。简单原理如下：由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速，占空比越大，转速越快；而占空比由K7-K0八个开关来设置，直接与P1口相连（开关拨到下方时为"0"，拨到上方时为"1"，组成一个八位二进制数N），要求占空比为N/256。（仕兰微面试题目） 下面程序用计数法来实现这一功能，请将空余部分添完整。 MOV P1，#0FFH LOOP1 ：MOV R4，#0FFH -------- MOV R3，#00H LOOP2 ：MOV A，P1 -------- SUBB A，R3 JNZ SKP1 -------- SKP1：MOV C，70H MOV P3.4，C ACALL DELAY ：此延时子程序略 -------- -------- AJMP LOOP1 8、单片机上电后没有运转，首先要检查什么？（东信笔试题） 9、What is PC Chipset? （扬智电子笔试） 芯片组（Chipset）是主板的核心组成部分，按照在主板上的排列位置的不同，通常分为 北桥芯片和南桥芯片。北桥芯片提供对CPU的类型和主频、内存的类型和最大容量、 ISA/PCI/AGP插槽、ECC纠错等支持。南桥芯片则提供对KBC（键盘控制器）、RTC（实时时钟控制器）、USB（通用串行总线）、Ultra DMA/33(66)EIDE数据传输方式和ACPI（高级 能源管理）等的支持。其中北桥芯片起着主导性的作用，也称为主桥（Host Bridge）。 除了最通用的南北桥结构外，目前芯片组正向更高级的加速集线架构发展，Intel的 8xx系列芯片组就是这类芯片组的代表，它将一些子系统如IDE接口、音效、MODEM和USB直接接入主芯片，能够提供比PCI总线宽一倍的带宽，达到了266MB/s。 10、如果简历上还说做过cpu之类，就会问到诸如cpu如何工作，流水线之类的问题。（未知） 11、计算机的基本组成部分及其各自的作用。（东信笔试题） 12、请画出微机接口电路中，典型的输入设备与微机接口逻辑示意图（数据接口、控制接口、所存器/缓冲器）。（汉王笔试） 13、cache的主要部分什么的。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 14、同步异步传输的差异（未知） 15、串行通信与同步通信异同,特点,比较。（华为面试题） 16、RS232c高电平脉冲对应的TTL逻辑是?(负逻辑?) （华为面试题） ___________________________________________________________________________ 信号与系统 1、的话音频率一般为300~3400HZ，若对其采样且使信号不失真，其最小的采样频率应为 多大？若采用8KHZ的采样频率，并采用8bit的PCM编码，则存储一秒钟的信号数据量有多大？（仕兰微面试题目） 2、什么耐奎斯特定律,怎么由模拟信号转为数字信号。（华为面试题） 3、如果模拟信号的带宽为 5khz,要用8K的采样率，怎么办？ (lucent) 两路？ 4、信号与系统:在时域与频域关系。（华为面试题） 5、给出时域信号，求其直流分量。（未知） 6、给出一时域信号，要求（1）写出频率分量，（2）写出其傅立叶变换级数；（3）当波 形经过低通滤波器滤掉高次谐波而只保留一次谐波时，画出滤波后的输出波形。（未知） 7、sketch 连续正弦信号和连续矩形波(都有图)的傅立叶变换。（Infineon笔试试题） 8、拉氏变换和傅立叶变换的表达式及联系。（新太硬件面题） _________________________________________________________________________ DSP、嵌入式、软件等 1、请用方框图描述一个你熟悉的实用数字信号处理系统，并做简要的分析；如果没有， 也可以自己设计一个简单的数字信号处理系统，并描述其功能及用途。（仕兰微面试题 目） 2、数字滤波器的分类和结构特点。（仕兰微面试题目） 3、IIR，FIR滤波器的异同。（新太硬件面题） 4、拉氏变换与Z变换公式等类似东西，随便翻翻书把如.h(n)=-a*h(n-1)+b*δ(n) a.求h (n)的z变换；b.问该系统是否为稳定系统；c.写出FIR数字滤波器的差分方程；（未知） 5、DSP和通用处理器在结构上有什么不同，请简要画出你熟悉的一种DSP结构图。（信威dsp软件面试题） 6、说说定点DSP和浮点DSP的定义（或者说出他们的区别）（信威dsp软件面试题） 7、说说你对循环寻址和位反序寻址的理解.（信威dsp软件面试题） 8、请写出【－8，7】的二进制补码，和二进制偏置码。用Q15表示出0.5和－0.5.（信威dsp软件面试题） 9、DSP的结构（哈佛结构）；（未知） 10、嵌入式处理器类型(如ARM)，操作系统种类（Vxworks,ucos,winCE,linux），操作系 统方面偏CS方向了，在CS篇里面讲了；（未知） 11、有一个LDO芯片将用于对手机供电，需要你对他进行评估，你将如何设计你的测试项目？ 12、某程序在一个嵌入式系统（200M CPU，50M SDRAM）中已经最优化了，换到零一个系 统（300M CPU，50M SDRAM）中是否还需要优化？（Intel） 13、请简要描述HUFFMAN编码的基本原理及其基本的实现方法。（仕兰微面试题目） 14、说出OSI七层网络协议中的四层（任意四层）。（仕兰微面试题目） 15、A）（仕兰微面试题目） i nclude void testf(int*p) { *p+=1; } main() { int *n,m[2]; n=m; m[0]=1; m[1]=8; testf(n); printf("Data value is %d ",*n); } ------------------------------ B) i nclude void testf(int**p) { *p+=1; } main() {int *n,m[2]; n=m; m[0]=1; m[1]=8; testf(&n); printf(Data value is %d",*n); } A还是程序B的？ Data value is 8 16、那种排序方法最快? （华为面试题） 17、写出两个排序算法,问哪个好？（威盛） 18、编一个简单的求n!的程序。（Infineon笔试试题） 19、用一种编程语言写n!的算法。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 20、用C语言写一个递归算法求N！；（华为面试题） 21、给一个C的函数，关于字符串和数组，找出错误；（华为面试题） 22、防火墙是怎么实现的？（华为面试题） 23、你对哪方面编程熟悉？（华为面试题） 24、冒泡排序的原理。（新太硬件面题） 25、操作系统的功能。（新太硬件面题） 26、学过的计算机语言及开发的系统。（新太硬件面题） 27、一个农夫发现围成正方形的围栏比长方形的节省4个木桩但是面积一样.羊的数目和正方形围栏的桩子的个数一样但是小于36，问有多少羊？（威盛） 28、C语言实现统计某个cell在某.v文件调用的次数(这个题目真bt) （威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 29、用C语言写一段控制手机中马达振子的驱动程序。(威胜) 30、用perl或TCL/Tk实现一段字符串识别和比较的程序。（未知） 31、给出一个堆栈的结构，求中断后显示结果，主要是考堆栈压入返回地址存放在低端地址还是高端。（未知） 32、一些DOS命令，如显示文件，拷贝，删除。（未知） 33、设计一个类，使得该类任何形式的派生类无论怎么定义和实现，都无法产生任何对象实例。（IBM） 34、What is pre-emption? (Intel) 35、What is the state of a process if a resource is not available? (Intel) 36、三个 float a,b,c;问值（a+b）+c==(b+a)+c， (a+b)+c==(a+c)+b。(Intel) 37、把一个链表反向填空。 (lucent) 38、x^4+a*x^3+x^2+c*x+d 最少需要做几次乘法？ (Dephi) ____________________________________________________________________________ 主观题 1、你认为你从事研发工作有哪些特点？（仕兰微面试题目） 2、说出你的最大弱点及改进方法。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 3、说出你的理想。说出你想达到的目标。题目是英文出的，要用英文回答。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 4、我们将研发人员分为若干研究方向，对协议和算法理解（主要应用在网络通信、图象语音压缩方面）、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术设计电路（包括MCU、DSP本身）、电路功能模块设计（包括模拟电路和数字电路）、集成电路后端设计（主要是指综合及自动布局布线技术）、集成电路设计与工艺接口的研究。 你希望从事哪方面的研究？（可以选择多个方向。另外，已经从事过相关研发的人员可以详细描述你的研发经历）。（仕兰微面试题目） 5、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？（仕兰微面试题目） 6、设想你将设计完成一个电子电路方案。请简述用EDA软件（如PROTEL）进行设计（包括原理图和PCB图）到调试出样机的整个过程。在各环节应注意哪些问题？电源的稳定，电容的选取，以及布局的大小。（汉王笔试） 共同的注意点 1.一般情况下，面试官主要根据你的简历提问，所以一定要对自己负责，把简历上的东西搞明白； 2.个别招聘针对性特别强，就招目前他们确的方向的人，这种情况下，就要投其所好，尽量介绍其所关心的东西。 3.其实技术面试并不难，但是由于很多东西都忘掉了，才觉得有些难。所以最好在面试前把该看的书看看。 4.虽然说技术面试是实力的较量与体现，但是不可否认，由于不用面试官/公司所专领域及爱好不同，也有面试也有很大的偶然性，需要冷静对待。不能因为被拒，就否认自己或责骂公司。 5.面试时要take it easy，对越是自己钟情的公司越要这样。 第九章 数字电路基础知识 一、 填空题 1、 模拟信号是在时间上和数值上都是 变化 的信号。 2、 脉冲信号则是指极短时间内的 电信号。 3、 广义地凡是 规律变化的，带有突变特点的电信号均称脉冲。 4、 数字信号是指在时间和数值上都是 的信号，是脉冲信号的一种。 5、 常见的脉冲波形有，矩形波、 、三角波、 、阶梯波。 6、 一个脉冲的参数主要有 Vm 、tr 、 Tf 、T P 、T 等。 7、 数字电路研究的对象是电路的输出与输入之间的逻辑关系。 8、 电容器两端的电压不能突变，即外加电压突变瞬间，电容器相当于 。 9、 电容充放电结束时，流过电容的电流为0，电容相当于 。 10、 通常规定，RC 充放电，当t = 时，即认为充放电过程结束。 11、 RC 充放电过程的快慢取决于电路本身的 ，与其它因素无关。 12、 RC 充放电过程中，电压，电流均按 规律变化。 13、 理想二极管正向导通时，其端电压为0,相当于开关的 。 14、 在脉冲与数字电路中，三极管主要工作在 和 。 15、 三极管输出响应输入的变化需要一定的时间，时间越短，开关特性 。 16、 选择题 2 若一个逻辑函数由三个变量组成，则最小项共有（ ）个。 A 、3 B 、4 C 、8 4 下列各式中哪个是三变量A 、B 、C 的最小项（ ） A 、A B C ++ B 、A BC + C 、ABC 5、模拟电路与脉冲电路的不同在于( )。 A 、模拟电路的晶体管多工作在开关状态，脉冲电路的晶体管多工作在放大状态。 B 、模拟电路的晶体管多工作在放大状态，脉冲电路的晶体管多工作在开关状态。 C 、模拟电路的晶体管多工作在截止状态，脉冲电路的晶体管多工作在饱和状态。 D 、模拟电路的晶体管多工作在饱和状态，脉冲电路的晶体管多工作在截止状态。 6、己知一实际矩形脉冲，则其脉冲上升时间( )。 A 、.从0到Vm 所需时间 B 、从0到2 2Vm 所需时间 C 、从0.1Vm 到0.9Vm 所需时间 D 、从0.1Vm 到 22Vm 所需时间 7、硅二极管钳位电压为( ) A 、0.5V B 、0.2V C 、0.7V D 、0.3V 8、二极管限幅电路的限幅电压取决于( )。 A 、二极管的接法 B 、输入的直流电源的电压 C 、负载电阻的大小 D 、上述三项 9、在二极管限幅电路中,决定是上限幅还是下限幅的是( ) A 、二极管的正、反接法 B 、输入的直流电源极性 C 、负载电阻的大小 D 、上述三项 10、下列逻辑代数定律中，和普通代数相似是( ) A 、否定律 B 、反定律 C 、重迭律 D 、分配律 模拟电路填空题集 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V 。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。二极管的伏安关系可近似表述为公式)1(/S D D -=T V v e I i ；ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 6、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 增强 。PN 具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后，管压降是恒定的，不随电流而变，典型值为0.7；其门坎电压V th 为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P 型半导体的多子为 空穴、N 型半导体的多子为 自由电子、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 ，在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，少子的浓度受__温度___的影响很大。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P ） 半导体和 电子（N ） 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V 。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。 15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频的是 结 电容。 18、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ 增大 ，I CQ 增大 ，U CEQ 减小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V ， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a 、b 、c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB ，总的电压放大倍数为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V ，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是 硅 管，NPN 型，集电极管脚是 a 。 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1 模拟电子技术基础中的常用公式 第7章半导体器件 主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。 教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章基本放大电路 主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。 教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章集成运算放大器 主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。 教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。 教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 第12章 时序逻辑电路 主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点：双稳态触发器。 难点：寄存器、计数器。 教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即 第13章Multisim模拟电路仿真本章Multisim10电路仿真软件， 本章节讲解使用Multisim进行模拟电路仿真的基本方法。 目录 1. Multisim软件入门 2. 二极管电路 3. 基本放大电路 4. 差分放大电路 5. 负反馈放大电路 6. 集成运放信号运算和处理电路 7. 互补对称（OCL）功率放大电路 8. 信号产生和转换电路 9. 可调式三端集成直流稳压电源电路 13.1 Multisim用户界面及基本操作 13.1.1 Multisim用户界面 在众多的EDA仿真软件中，Multisim软件界面友好、功能强大、易学易用，受到电类设计开发人员的青睐。Multisim用软件方法虚拟电子元器件及仪器仪表，将元器件和仪器集合为一体，是原理图设计、电路测试的虚拟仿真软件。 Multisim来源于加拿大图像交互技术公司（Interactive Image Technologies，简称IIT公司）推出的以Windows为基础的仿真工具，原名EWB。 IIT公司于1988年推出一个用于电子电路仿真和设计的EDA工具软件Electronics Work Bench（电子工作台，简称EWB），以界面形象直观、操作方便、分析功能强大、易学易用而得到迅速推广使用。 1996年IIT推出了EWB5.0版本，在EWB5.x版本之后，从EWB6.0版本开始，IIT对EWB进行了较大变动，名称改为Multisim（多功能仿真软件）。 IIT后被美国国家仪器（NI，National Instruments）公司收购，软件更名为NI Multisim，Multisim经历了多个版本的升级，已经有Multisim2001、Multisim7、Multisim8、Multisim9 、Multisim10等版本，9版本之后增加了单片机和LabVIEW虚拟仪器的仿真和应用。 下面以Multisim10为例介绍其基本操作。图13.1-1是Multisim10的用户界面，包括菜单栏、标准工具栏、主工具栏、虚拟仪器工具栏、元器件工具栏、仿真按钮、状态栏、电路图编辑区等组成部分。 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。 8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小 模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管~，锗管~。 *死区电压------硅管，锗管。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 怎样利用电路仿真软件进行模拟电路课程的学习电路分析实验报告 实验二 学习用multisim软件对电路进行仿真 一．实验要求与目的 1.进一步熟悉multisim软件的各种功能。 2.巩固学习用multisim软件画电路图。 3.学会使用multisim里面的各种仪器分析模拟电路。 4.用multisim软件对电路进行仿真。 二、实验仪器 电脑一台及其仿真软件。 三．实验内容及步骤 （1）在电子仿真软件Multisim 基本界面的电子平台上组建如图所示的仿真电路。双击电位器图标，将弹出的对话框的“Valve”选项卡的“Increment”栏改成“1”，将“Label”选项卡的“RefDes”栏改成“RP。 ” 2）调节RP大约在35%左右时，利用直流工作点分析方法分析直 流工作点的值。直流工作点分析（DC Operating Point Analysis）是用来分析和计算电路静态工作点的，进行分析时，Multisim 自动将电路分析条件设为电感、交流电压源短路，电容断开。 单击Multisim 菜单“Simulate/Analyses/DC operating Point…”,在弹出的对话框中选择待分析的电路节点，如2图所示。单击Simulate 按钮进行直流工作点分析。分析结果如图3所示。列出了 单级阻容耦合放大电路各节点对地电压数据，根据各节点对地电压数据，可容易计算出直流工作点的值,依据分析结果，将测试结果填入表1中，比较理论估算与仿真分析结果。 表1 静态工作点数据 电压放大倍数测试 （1）关闭仿真开关，从电子仿真软件Multisim 10基本界面虚拟仪器工具条中，调出虚拟函数信号发生器和虚拟双踪示波器，将虚拟函数信号发生器接到电路输入端，将虚拟示波器两个通道分别接到电路的输入端和输出端，如图4所示。 （2）开启仿真开关，双击虚拟函数信号发生器图标“XFG1”，将打开虚拟函数信号发生器放大面板，首确认“Waveforms”栏下选取的是正弦信号，然后再确认频率为1kHZ”；再确认幅度为 10mVp，如图5所示。 四．仿真分析 动态测量仿真电路 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 第五章Simulink模拟电路仿真 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 §5.1 电路仿真概要 5.1.1 MATLAB仿真V.S. Simulink仿真 利用MATLAB编写M文件和利用Simulink搭建仿真模型均可实现对电路的仿真，在实现电路仿真的过程中和仿真结果输出中，它们分别具有各自的优缺点。 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 ex5_1.m clear; V=40;R=5;Ra=25;Rb=100;Rc=125;Rd=40;Re=37.5; R1=(Rb*Rc)/(Ra+Rb+Rc); R2=(Rc*Ra)/(Ra+Rb+Rc); R3=(Ra*Rb)/(Ra+Rb+Rc); Req=R+R1+1/(1/(R2+Re)+1/(R3+Rd)); I=V/Req 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 ex5_1 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 注意Simulink仿真中imeasurement模块 /vmeasurement模块和Display模块/Scope模块的联合使用 Series RLC Branch模块中R、C、L的确定方式 R：Resistance设置为真实值Capacitance设置为inf（无穷大）Inductance设置为0 C：Resistance设置为0 Capacitance设置为真实值Inductance设置为0 L：Resistance设置为0Capacitance设置为inf Inductance设置为真实值 武汉大学物理科学与技术学院微电子系常胜 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a) 例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R大的特点。( ) GS u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的 GS 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。 二、选择正确答案填人空内。 (1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。． A．变窄 B．基本不变 C．变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在。 A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 模拟电路（基本概念和知识总揽） 1、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用） 3、基尔霍夫定理的内容是什么？ 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。 电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用？ 反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。 反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。 电压（流）负反馈的特点：电路的输出电压（流）趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别？ 无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。 集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点，广泛采用差分结构的原因。 答：基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路，简称共基、共射、共集放大电路。 共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻较大，频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。 共基放大电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射放 1在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_ V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽 层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压V th约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N ）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映 反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输岀随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则I BQ增 《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日 目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19) 一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。模拟数字电路基础知识
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