第一章功率电子线路习题解答案
第一章 功率电子线路习题解
1-3
当%401=C η时，W
.//P P C O D 2500401000
11===η，W P P P O D C 150011=-=。
当%702=C η时，W P P C O D 57.428.17.0/1000/22===η，W
.P P P O D C 5742822=-=。
所以，W P D 43.107157.14282500=-=?，
W
..P C 431071574281500=-=?
1- 5
无散热片时，W C R R R ca th jc th th /37361)()(?=+=+=，
C Tao ?=25：W
./)(R /)T T (P th ao jM CM
7833725165=-=-=
C
Ta ?=60：W R T T P th a jM CM 84.237/)60165(/)(=-=-=。
有散热片时，W /C ..R R R R sa )th (cs )th (jc )th (th
?=++=++=351501，
C Tao ?=25：W ./)(R /)T T (P th a jM CM
67463251650=-=-=
C
Ta ?=60：W
/)(R /)T T (P th a jM CM
353601650=-=-=。
1- 6
(1) 当Ω=10L R 时做负载线，取负载线在放大区内的中点作为静态工作点Q ，则由图得
mA I V V CQ CEQ 220,6.2==，mA I I bm BQ 4.2==，V V V V sat CE CEQ cm 4.2)(=-=，
mA
I I CQ cm 2201==,mW
I V P cm cm L 26410
2204.22
12
13
=???=
=
-,W I V P CQ CC D 1.122.051=?==,
%241.1/264.0/===D L C P P η。
图题
1-6
(2) 当Ω=5L R ,mA I I BQ BQ 4.212==时，V V CEQ 8.32=，mA I CQ 2302=，
V
V V V CEQ
CC cm 2.18.352
=-=-=，mA I I CQ cm 2602==，
mW
P L 156102602.12
13
=??=
-，W I V P CQ CC D 3.126.052=?==，%123.1/156.0/===D L C P P η。
(3) 当Ω=5L R ，3Q 点在负载线放大区内处于中点时，V V CEQ 75.23=，mA I CQ 4603=，mA
.I BQ 643
=
mA I bm 4.2=，V V CE 55.1min =，V V V V CE CEQ cm 2.155.175.2min 3=-=-=，mA I cm 240460700=-=，
mW
I V P cm cm L 14410
2402.12
12
13
=???=
=
-，W P D 3.21046053=??=-，
%26.63.2/144.0/===D L C P P η
（4）当43Q Q =，充分激励时，mA I I CQ cm 4603==，V V V V CEQ CC cm 25.275.253=-=-=，
mW
I V P cm cm L 5.51710
46025.22
12
13
=???=
=
-，W P D 3.246.05=?=，
%
5.223.2/10
5.517/3
=?==-D L C P P η
1- 7
如图，BE 和CD 分别为Ω='K R L
5的交流负载线和Ω=K R L 10的直流负载线，静态工作点为a Q （交 流负载线中点），由于CC V BC AB OA 3
1
===，所以，L CC L
CC a max o R /V R /V P '='=
2
2)
(18
1)31(21。图（b ）：
CF 为交、直流负载线，b Q 为负载线中点，由于CC
m
c V V 21
=
，所以L
CC L CC b max o R /V R /V P '='=
2
2)
(8
1)(21。
图（c ）：MN 为交流负载线，CG 为直流负载线，c Q 为交流负载线的中点，由于CC
cm
V V =，所以
L
CC
c max o R /V P '=
2
)(21
图中BE 、CF 、MN 三线平行。根据上述结果得：
36
:9:4::=P P P
图题1-7
1-8
(1) 按V V CC 15=，Ω='50L
R 作交流负载线AB ，得静态工作点1Q ，V
V CEQ 15=
A I I cm CQ 3.0==，V V Vcm CC 15==，mA I bm 3=，因而
W
I V P cm cm L 25.23.0152
12
1max =??=
=
，528
50
.R R n L
L ==
'=
，%50=C η； （2）交流负载线为AC ，静态工作点Q 2，由于CC V 、bm I 不变，因而W P L 25.2=不变； （3）交流负载线为EF ，静态工作点为Q 3，由于bm I 不变，因而L P 不变，仍为W 25.2； （4）因mA I bm 6=，所以产生截止失真。 1-9
i V I V max c CC cm cm 4
12
12
12
1?== i V I V max c CC cm cm 302
12
12
1==W
P max o 302=
W
P .max c 620=（图题1-8
1-10
（1）扬声器短路即0='=L
L R R 时，甲类：0=o P ，D C P P =，D C C P P P ==max ，安全； 乙类：每管
cm CC max o max C cm CC cm
CC max
c I V .P .P I V .t
d t sin I V P 102016021
21
==>==
?
ωωπ
π
不安全。
扬声器开路即∞?→?'L
R 时，使0=o P ，D C P P =，甲类：CM D C P P P <=但CEO BR CE V V )(max >>，不安全。
乙类：0===D C O P P P ，CC CE V V 2max ≈，安全。 （2）集电极负载不匹配，O P 减小，安全。 （3）输出半波信号，严重失真，另一管安全。
1-11
L R 偏大或偏小时，对CM I 、CEO BR V )(的要求偏面。例如Ω=2L R 时，要求CEO BR V )(
为V 18，但CM I 却要达到A 5.4，使被选管在满足CM I 时，CEO BR V )(必大大超过V 18。
乙类变压器耦合 互补推挽（单电源）
若21max o max o P P =，则互补推挽电路的V CC 应为变压器耦合电路的2倍。 1-13
因为 L cm L R I P 2
2
1=
，所以A R P I L
L cm 5.28
2522=?=
=
，
V
R I V L cm cm 2085.2=?==。
图题1-13
（1）W
R I P L cm L 16822
12
12
2
=?=
=
；（2）W I V P cm CC D 47.25240/1/=??==ππ
W
P P P L D C 74.4)(2
1=-=
；（3）8.040/2282
/
=??==CC cm V V ξ，
%83.624/=?=ξπηC 。
1- 16
1- 17
通过R 1的电流1)(1)(R /V V I EE on BE R --=，1
)
(165222
1R V V I I I on BE EE R CQ CQ -=
=
=，
)/(/655R R R V V K
O f fV
+==。
1-18 （1）101
1100
11)/(11=
+=
+=f fV
R R R K
，1011=≈
fV
Vf K
A ；
（2）W R V P L C o 88
8
/2
2
===。
1-19
1A 为同相放大器，212
3
21=+=
R R R A V ，11V i O A V V ?=。2A 为反向放大器，
16
42-=-=
R R A V ，12012O V O V A V V -=?=，42211
2
1==-=
V o o Vf A V V V A 。
图题1-16
由图题1-20中各图求得： 图（a ）：因为I
V R i 4=
，I
V R L 4=
，所以
16
1
44==
I
V I V R R L
i ，L
i C R R I
V Z 4
14=
==
图（b ）：因为21122V V V V +==，所以212V V =，1221V V =，I
V
I V R i 12==，I
V I V R L
1
2
214==， 得
16
=L
i R R ，L i C R R I V Z 8211===，L i C R R I V Z 28
1
22===
图（c ）：因为I V R i 2=
，I V R L 2=
，所以
422==
I V I V
R R L i ，L
i C R
R I V Z 221===
图（d ）：因为I V R i 3=，I V R L 3=
，所以
9
33==
I
V I V
R R L i ，L i C C C R R I
V Z Z Z 33
121=====
图（e ）：因为I
V R i 3=
，I
V R L 3=
，所以
9
133==
I
V I
V
R R L
i ，
L i C C R R I
V Z Z 3
1321=
==
=，i L C R R I
V Z 933===
图题1=20
因为 I
V I V R i i 5==
，I
V R O L 5=
，V V O =，所以L O i R I
V R 255==
，L
C R I
V Z 5==
。
1-22
T r1-T r3均为魔T 混合同相功率合成网络，T r4为41:传输线变压器，所以
12.25Ω=41
=L
C3R R 。由隔离条件 Ω==504C33R R ，Ω===252C3C2C1R R R ，
Ω===1004C121R R R ，50Ω= =1i R R 。
1-23
T r1为不均衡—对称变换器，Ω=50Z C1， T r2﹑T r3传输线变压器和负载R L (即T 1 ﹑T 2的输 入阻抗)如图1-23所示，由图可知：50Ω =R i ，3I
V =R L ，
9
33==I
V
I V R R L
i ，即T r2﹑T r3组成1:9
阻抗变换器，R L =
9
i R =9
50=5.6Ω,晶体管T 1﹑T 2的输入阻抗R i1=R i2=
2
1R L =2.8Ω,Z c2=Z c3=I
V =3
1
R i
=16.7Ω. T r5为1：4传输线变压器，Z c5=2
1
R L =25Ω，R i5=12.5Ω； T r4为对称-不对称变换器，
Z c4= R i5=12.5Ω；T r6组成魔T 混合网络，起反相功率分配功能；T r7组成魔T 混合网络，起反 相功率合成功能。∵ 3.125Ω= R 4
1=R =R i4C74 ∴呈现在T 1﹑T 2管输出端的负载
Ω
=== 6.252 C7b a R R R 。
图题1-21
1-24 T r1-T r3均为同相分配魔T 网络,输入功率经二次分配在四只R L 上，各输出四分之一的相同 功率，T r1的输出负载各为R L2﹑R L3且L3L2 R R =，则L3L2L1 2
1=2
1 =R R R ，L1dl 4R R =。就T r2﹑T r3而言，
由于L L3L22
1 = =R R R ，因而L L2d3d224 R R R R ===，L L14
1 =R R ，L L1dl 4R R R ==。
1412125
11,4112.5,
44
r r C C A B T T R R R R -==
=
=Ω均为：阻抗变换器，
21112112.5,225,
r d C i i C T R R R R R ==Ω===Ω为同相功率分配网络（另一种），
32212212.5,225.r d C L L C T R R R R R ==Ω===Ω为同相功率合成网络（另一种），
126
126P --由图写出联立方程组：
1
2()c a b d a b d i i i i n i i v v nv
=-??
=+??==? ()()()i ii iii ()()121,0,2();
a b c d d d a b a a b b a a i i i i C D P v i v i v i v i v i V I =∴===+=+= 由式可知端无功率输出，
端输出()()2,0,2();
a
b d
c c c a a b b a a i i ii i D P v i v i v i V I =-∴===+= 由式可知端无功率输出，
C 端输出
+
-
+
()12122
2
2
2
2
2
2
2
3,126()()ii),(,():4444a
b a a b C b b a C
d d D d a b D C D C a a
b
D C
D C
D C D C b a
b
D C
D C
i i P v v i i R v v i i R v v nv ni R i n i i n R R n R R i v v n R R n R R n R R n R R i v v n R R n R R ≠-=+-??
=+-?====++-∴=--+=-+ 若则由图列出下列方程：
由式（iii)可知解得
2
2
2,.
4,,,.
D C D C b b
b a D C
a a
b n R R n R R i v v v n R R i v v +==当时，仅与有关与无关同理仅与有关而与无关即隔离
()6
127
125010010
50015.7,
10/5000.02
S
L L
L
R C R R ωπ--=????===
156,157,0.82,20;0.89,5;
Srip Srip ----====由图图图1-5-8可知半波整流V V 全波整流
(
)231.4,
0.02,S
L L
L
V R C R Srip R ω==全波整流
加，减小。
()2128
1
1100.05157,23;
0.87
S
L L O L
R
C R V V v R ω-==--≈=当，时，由图可知，
()1342,O D D D V 开路；组成半波整流，减小；
()222323D V D D D D 3极性反接，全部加在二极管，上，导致，损坏。
55214
6
,2.
i o i i i R R D D v v v v v R R =-=-
-
=--=i o1o1o11-29
v 正半周时，导通，截止，v v v
5126
0.o i i R D D v v v R ==-
=-i o1v 负半周时，导通，截止，v ，
()8
3
53
2102101:100,1,
222C C FM
f M H z F K H z ωπππ
π
π
-??=
=
==
=
20,20120,
2(1)2(201)42,
f m
f
m f C R f
k V M
rad f M F K H z BW M
F K H z Ω=
===?=Ω
=+=+=
22
10.5 2.52m
av L
V
P m W
R =
==
()3
()2:20,20sin 210,p
p m p t PM
M
k v rad k v t πΩΩ===?
3
3
3
()20sin 2104sin 210(),2010205
t m p v t t V f M F K H z
ππΩ∴=
?=?==?=
()6
3
3
54
1:4 1.56,()cos (250102610cos 2210)m C m FM f K H z t t
rad
t S
ωωωπππ-=?==+Ω=??+????
波
6
3
()()()(250103sin 2210),t t d t t t rad φωππ==??+??? []()5cos ()();v t t V φ=
()63
2:3 1.5 4.5,()25010 4.5cos 2210()m
PM rad t t t rad φφππ=?==??+?? 波
6
3
3
()()(250102910sin 2210),d t rad
t t S
dt
φωπππ=
=??-????
[]()5cos ()();v t t V φ=
()32(1),2,4CR
BW M F F KHz f KHz =+== 当其相应的频谱列表如下：
246 1.5
43
2(1.51)5,6,816244.5
4.5
2(4.51)11,12,11,12,4824m f
f
C R C R C R p
p
C R C R C R C R F K H z
F K H z
M
M
FM BW F F F BW F K H z
BW K H z M
M
PM BW F F F BW F F BW K H z
BW K H z
ω=====Ω
==+=======+==== 波
取波
取取
1.53,m V V V F Ω当由改为仍为2KHz时，相应频谱列表如下：
1.53126,3
12,6
2
1614284.59
242040m m m f
m f
C R C R p
p
C R C R V V
V V
f K H z M f K H z M
FM BW K H z BW F K H z M
M
PM BW K H z BW F K H z
ΩΩ======
========= 波
波
12
1212
633
55()cos ()sin sin 10cos 220103sin 2210 2.66sin 2310,
m m cm
C v t V t t t t t t V ωωωπππ-??=+Ω+Ω??
ΩΩ??
??=??+??+????
()122256
1T 15,,,D D j j V V R R C C L C Ω-±-1工作原理，静态：的电源电压由提供，变容管反向偏置电压由
经分压提供。交流振荡回路由C 和组成，电路变容管部分接入电容三点式振荡电路，v 调制使电路输出调频波。
12max
max max
(),,.24,
2(1)2(31)324.
C CR f C R rad m n m n BW K H z S
M
BW F K H z F ωω=+Ω+Ω∞→-∞==+=?+?=均为+取
高频电子线路试题及答案 (1)
一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之
第一章 功率电子线路习题解答
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P 。= 1000 W ，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40% 时，P D1 = P o /ηC = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W 当ηC2 = 70% 时，P D2 = P o /ηC =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 W P C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、ηC （运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q 点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1cm cm L == I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，ηC = P L / P D = 24% (2) 当 R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1cm cm L == I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，ηC = P L / P D = 12% (3) 当 R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 - v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax - I CQ3 = 240 mA
电子线路期末试卷及答案
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
高频电子线路复习考试题及答案
2013—2014学年第二学期《高频电路》期末考试题（A） 使用教材：主编《高频电子线路》、适用班级：电信12 （4、5、6）命题人： 一、填空题（每空1分，共X分） 1. 调幅的几种调制方式是AM DSB SSB 3. 集电极调幅，应使被调放大器工作于过压状态。 5. 电容三点式振荡器的发射极至集电极之间的阻抗Z Ce性质应为容性，发射极至基极之间的阻抗Z be性质应为容性，基极至集电极之间的阻抗Z cb性质应为感性。 6. 通常将携带有信息的电信号称为调制信号，未调制的高频振荡信号称为载波，通过调制后的高频振荡信号称为已调波。 8. 解调是调制的逆过程。振幅调制信号的解调电路称为振幅检波电路，它的作用是从高频已调信号中恢复出调制信号。 9. LC串联谐振回路品质因数（Q）下降，频带变宽，选择性变差。 10. 某高频功率放大器原来工作在临界状态，测得U cm=22v, l co=100mA R P=100Q, E c =24v，当放大器的负载阻抗R p变小时，则 放大器的工作状态过渡到欠压状态，回路两端电压U cm将减小，若负 载阻抗增加时，则工作状态由临界过渡到过压状态，回路两端电压 U cm将增大。 11. 常用的混频电路有二极管混频、三极管混频和模拟乘法器混频 等。 12. 调相时，最大相位偏移与调制信号幅度成正比。 13. 模拟乘法器的应用很广泛，主要可用来实现调幅、解调 和混频等频谱搬移电路中。 14. 调频和调幅相比，调频的主要优点是抗干扰性强、频带 宽和调频发射机的功率放大器的利用率高。 15. 谐振功率放大器的负载特性是当V cc、V BB、V bm等维持不变时，电流、电压、功率和效率等随电阻R p的增加而变化的特性。 16. 混频器按所用非线性器件的不同，可分为二极管混频器、三极管 混频器和模拟乘法器混频器等。
《电子线路CAD》试卷A及参考答案
班级学号姓名分数 2015-2016学年第2学期电子专业 《电子线路CAD》试卷 一、选择题（共30分，每题2分） 1. 在进行电原理图编辑时，双击“Schematic Document”图标后，在“Document”文档下自动创建一个文件，其名为A A、Sheet B、Sheet C、Sheet D、Sheet 2. 原理图文件、印制板文件一般放在C文件夹内 A、Design Team B、Recycle Bin C、Documents 3. 在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是B A、移动元件 B、使选定对象沿逆时针方向旋转90度 C、左右对称 D、上下对称 4. 在画电原理图时，用于连线的只能用A工具栏中的导线 A、Wiring Tools B、Drawing Tools C、 Main Tools 5. 多层板的顶层或底层通过 B 与内部的导电层相连 A、导线 B、过孔 C、网络标号 6. 单面板中用来放置元件的工作层是A A、顶层（ Top Layer） B、底层（Bottom Layer） C、禁止布线层（Keep Out Layer） D、多层（Multilayer） 7. Protel99 SE在初次启动时没有以下 C菜单 A、File B、View C、Design 8. 在Preferences对话框的Schematic选项卡中，如果取消选择Auto-Junction复选框，当原理图中出现T字形连接的时候，表面上连在一起的导线实际上并没有电气意义上的连接，需要用C命令才能将交叉的导线连接起来 A、Place菜单下的Bus Entry命令 B、Place菜单下的Wire命令 C、Place菜单下的Junction命令 D、Place菜单下的Text Frame命令 9. 执行 B命令操作，元件将按顶端对齐 A、Align Right B、Align Top C、Align Left D、Align Bottom
完整版电子线路陈其纯主编第一章教案
第1章晶体二极管和 二极管整流电路 教学重点 1?了解半导体的基本知识：本征半导体、掺杂半导体；掌握PN结的基本特性。 2 ?理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3 .了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4 ?掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点；了解电容滤波电路的工作原理。 5 ?了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1 . PN结的单向导电特性。 2 .整流电路和滤波电路的工作原理。 3 .硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 1.1晶体二极管 1.1.1晶体二极管的单向导电特性 元件：电阻（R）、电容（C）、电感（L）、变压器 （T）等
器件：晶体二极管、晶体三极管等
1 ?晶体二极管 (1) 外形 如图1.1.1(a)所示，晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外 壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b)所示，晶体二极管的图形由三角 形和竖杠所组成。其中，三角形表示正极，竖杠表 示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2 ?晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位〉负极电位，二极管导通； (2) 正极电位V 负极电位，二极管截止。 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二 极管的单向导电性。 ［例1.1.1］图1.1.3所示电路中，当开关 S 闭合后， H 1、H 2两 个指示灯，哪一个可能发光？ 解 由电路图可知，开关 S 闭合后，只有二极管 V 1 正极电位高于负极电 位，即处于正向导通状态，所以 H 1 指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1 .半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： 载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空 穴，统称载流子。如图 1.1.4所示。 2 ?本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂, 形成杂质半导体。 图1.1.4 半导体的两种载流子 为了提高半导体的导电性能，在本征半导体 (4价) 中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同，可分两种: (Si)或锗(Ge)半导体。 自由电子：带负电 空穴：带与自由电子等 量的正电 均可运载电荷——载流子 3 .杂质半导体 外廨 垮用文字将好 图1.1.1晶体二极管的外形和符号
电子线路CAD试题库及答案
电子线路CAD复习题 一、选择题 1、Computer Aided Design简称为（ A ） (A) CAD （B）CAM （C）EDA （D）PLD 2、运行Protel99 SE所要求的最低分辨率是（C ） （A）800＊600 （B）1000＊1000 （C）1024＊768 （D）1024＊678 3、在进行电原理图编辑时，双击”Schematic Doc u ment”图标后，在”Document”文档下自动创建一个文件，其名为（ A ） （A）Sheet (B)Sheet (C)Sheet (D)Sheet 4、原理图文件、印制板文件一般放在 C 文件夹内 （A）Design Team （B）Recycle Bin （C）Documents 5、原理图编辑好后，为了获得较好的打印效果，应将图纸方向设置为（ B ） （A）Landscape（水平）（B）Portrain（垂直）（C）两种方向均可 6、设置SCH的工作环境时，”Visible”、”Snap”、”Electrical
Grid”三者的取值大小要合理，否则连线时会造成定位困难或连线弯曲的现象。一般来说，可视栅格大小与锁定栅格大小相同，而“电气格点自动搜索”半径范围要 A 锁定栅格距离的一半。（A）略小于（B）略大小（C）等于 7、在放置元件操作过程，按下键盘上的Tab键，其作用是（ A ）（A）修改元件属性（B）旋转（C）空一格 8、在元件属性设置窗中，元件的序号应在哪设置（ B ） （A）Footprint （B）Designator （C）Part(第一个) 9、在元件属性设置窗中，元件的型号或大小应在哪设置（ C ）（A）Footprint （B）Designator （C）Part(第一个) 10、在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是（ B ） （A）移动元件（B）使选定对象沿逆时针方向旋转90度（C）左右对称（D）上下对称 11、在画电原理图时，用于连线操作的只能用 A 工具栏中的导线 （A）Wiring Tools （B）Drawing Tools （C）Main Tools
低频电子线路模拟试题及答案试卷
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为 。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于 状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压u id为μV，共模输入信号 u ic为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最； 组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受 最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小 C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A.变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
电子线路设计、测试与实验试题及答案
电子线路设计、测试与实验试题（1.5小时） 一、元器件与仪器操作简答题（共10分） 1．有一个5环电阻，色环排列是红黄黑红棕，该电阻阻值为___24k欧姆_，1%（可不要求）__；有一个瓷片电容上标注333，该电容的电容量为__0.033______μF。（2分） 2．选数字万用表量程为200Ω档位，测量某电阻时，其数字显示屏最左边显示1，说明什么问题？（1分） 答：该待测电阻的阻值大于200Ω。 3．信号发生器面板上的OFFSET旋钮有何作用？为了得到频率为500Hz，幅值为1V的正方波，如何在示波器的观察下设置和调节信号发生器？（2分） 答：信号发生器面板上的OFFSET旋钮对输入信号叠加一个直流偏置电压。（1分）在信号发生器面板上设置频率为500Hz，峰峰值为1V的方波（1分），然后在示波器的观察下顺时针调节信号发生器面板上的OFFSET旋钮，使之输出正方波。 4．用示波器的CH1通道测试波形时（CH2悬空），应如何设置示波器才能观察到稳定的波形？（2分） 答：（1）触发信源选CH1；（1分）（2）触发电平选为CH1信号变化范围之内。（1分）不能使用autoset 5．当示波器CH1、CH2两通道的探针悬空时，在示波器屏幕上可以观察到有50Hz 的小幅正弦信号，试说明产生这种现象的原因。（1分） 答：220V50Hz的市电通过示波器探测感应到示波器的输入端，测得的信号就是这个感应信号（工频信号；交流电）。 6．信号发生器输出峰峰值为1V，直接连到示波器的CH1通道观察时峰峰值为10V，为什么？（1分） 答：示波器CH1通道的倍程设置为10X。 7．在做三极管共射极放大电路实验中，当用示波器测试输入信号（由信号发生器产生）时，发现该信号为方波，但信号发生器的“函数信号输出”指示灯指示的是正弦信号，另外信号频率可调，在直流耦合下显示幅值为5V的正方波，试说明产生这种现象的原因。（1分） 答：示波器的输入信号取的是信号源的TTL输出信号。 二、性能指标测试与分析题（共5分） 1．简述测量一个放大电路的幅频特性的步骤，以及各个主要频点的意义和测量方法。（3分） 答：逐点测试法 （1）改变输入信号的频率（保持输入信号幅值不变） （2）逐点测量对应于不同频率的输出电压，计算电压增益（1分） （3）用坐标纸画出幅频特性曲线，横坐标为频率的对数，纵坐标为电压增益的分
电子线路CAD试卷及答案
一、单选题 １、Proｔｅｌ99SE就是用于（ B )得设计软件. A、电气工程 B、电子线路 C、机械工程 D、建筑工程 2、Pｒoｔel９9 SE原理图文件得格式为（ C )。 A、*、Ｓchlib B、＊、SｃhＤoc Ｃ、＊、ScｈD、＊、Sｄf 3、Protel9９ SE原理图设计工具栏共有（ C ）个。 A、 5 B、 6 C、7 D、 8 ４、执行（Ｃ)命令操作,元器件按水平中心线对齐。 A、Ｃenter B、Ｄｉstrｉbute Horiｚontallｙ Ｃ、Cｅnｔeｒ Horizontaｌ D、Ｈｏrizoｎtal 5、执行( B )命令操作,元器件按垂直均匀分布。 A、ＶerｔicalｌｙＢ、Distｒｉbute Vertｉcaｌly C、Ceｎtｅｒ Verticａlly Ｄ、Ｄisｔribｕte 6、执行(Ｂ）命令操作，元器件按顶端对齐. Ａ、Alｉｇn Ｒiｇht B、Ａlign Toｐ C、Ａlｉgn Leｆｔ D、Align Bottom ７、执行（D )命令操作,元器件按底端对齐。 A、Aｌigｎ Rigｈt Ｂ、Aliｇn Top Ｃ、Align Left D、Ａｌｉｇn Bottom 8、执行(C )命令操作，元器件按左端对齐. Ａ、Aｌｉｇn Right B、Align Top C、Alｉgｎ Left D、Ａｌign Botｔｏm风嗯
9、执行(A)命令操作，元气件按右端对齐。 A、Aliｇn Ｒight Ｂ、Aｌｉgｎ Top C、AligｎＬｅft D、Align Bottoｍ 10、原理图设计时,按下(B )可使元气件旋转90°。 A、回车键 B、空格键 C、X键 D、Y键 1１、原理图设计时，实现连接导线应选择（Ｂ）命令。 A、Ｐｌace/Drawing Tools/Lｉne B、Plaｃe/Wire C、WｉrｅＤ、Line 12、原理图编辑时,从原来光标下得图样位置，移位到工作区中心位置显示，快捷键就是( C )。 A、Pagｅ Uｐ B、Ｐaｇe Down C、Hｏｍe D、Eｎd 13、在原理图设计图样上放置得元器件就是( A）. A、原理图符号 B、元器件封装符号 C、文字符号Ｄ、任意 14、进行原理图设计，必须启动（Ｂ）编辑器. Ａ、PCB B、Sｃhemａｔic C、ScｈematｉｃＬiｂrarｙ D、PCB Ｌibrary 1５、使用计算机键盘上得（ B）键可实现原理图图样得缩小. A、Pａｇe Up Ｂ、Page Dｏwn Ｃ、Hoｍe D、End １6、往原理图图样上放置元器件前必须先(B )。 Ａ、打开浏览器 B、装载元器件库 Ｃ、打开PCＢ编辑器 D、创建设计数据库文件
《电子线路》第一章习题2
第一章晶体二极管和二极管整流练习二 1.是非题（对的画√，错的画×） （1）在半导体内部，只有电子是载流子。（） （2）在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（） （3）少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（） （4）在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（） （5）一般来说，硅晶体二极管的死区电压（门槛电压）小于锗晶体管的死区电压。（） （6）用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“+”号插孔中的测试表笔（通常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的阳极，另一电极是阴极。（） （7）晶体二极管击穿后立即烧毁。（） （8）晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（） 2.选择题（将正确答案填入空格内） （1）当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）。 A.少数载流子 B.多数载流子 C.既有少数载流子又有多数载流子 （2）晶体二极管的阳极电位是﹣10V，阴极电位是﹣5V，则该晶体二极管处于（） A.正偏 B.反偏 C.正偏 （3）面接触型晶体二极管比较适用于（）。 A.小信号检波 B.大功率整流 C.大电流开关 （4）当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。 A.减小 B.增大 C.不变 （5）用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管好坏时，应把欧姆档拨到（）。 A.R×100Ω或R×1KΩ档 B.R×1Ω档 C.R×10kΩ档 （6）半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）。 A.P型半导体 B.本征半导体 C.型半导体 （7）当硅晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于（）。 A.大电阻 B.断开的开关 C.接通的开关 （8）当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）。 A.小阻值电阻 B.阻值很大的电阻 C.内部短路 3.填空题 （1）半导体是一种导电能力介于＿＿与＿＿之间的物体。 （2）PN结具有＿＿＿＿性能，即：加＿＿电压时PN结导通；加＿＿电压时PN结截止。 （3）当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为＿V，锗二极管的正向压降为＿V。 （4）2AP系列晶体二极管是＿半导体材料制成的，2CP、2CZ系列晶体二极管是＿半导体材料制成的。 （5）晶体二极管因所加＿＿电压过大而＿＿＿＿，并且出现＿＿的现象，称为热击穿。 4.问答题 （1）在图1所示电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压u时，通过R1、R2两电阻上的事交流电还是直流电？（2）若将单相桥式整流电路接成图1-4所示的形式，将会出现什么结果？应该如何改接？ （3）指出图1-5所示稳压电路中的错误。
高频电子线路期末考试试卷及答案
班级： 学号： 姓名： 装 订 线 一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的 载波输出功率为50W ，调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常 可以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已 调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分 别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ) 1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管 的 ；变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应等于 。 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 图 2 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期） 课程编号： 08010040 课程名称： 高频电子线路
电子电路基础期末试卷及参考答案
XX 中学XX 年XX 学期期末考试 电子电路基础试卷（XX 班） （试卷满分100分 考试时间120分钟） 班级 姓名 学号 得分 一、填空题（每空1分，共20分） 1.在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2.在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。 3.数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。 4.在逻辑关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5.十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制。 6.最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。 7.具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 8.两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。 9.组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 二、选择题（每题2分，共30分） 1.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2.十进制数100对应的二进制数为（ C ）。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3.和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4.数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5.所谓机器码是指（ B ）。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 6.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 7.下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。
《电子电路基础》习题解答第1章
第一章习题解答 题 电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。 设二极管是理想的。 解： 分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为～。锗管的导通压降为～。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。 分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。 图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端） 电位 N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相 当于短路。所以V U AO 6-=； 图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N P U U < 》 ∴ VD 处于反偏而截止 ∴ V U AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时 ∵ V U P 01= V U N 121 -= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U < ∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止 V U AO 0=； 或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起
考试电子线路试题
考试电子线路试题 一、填空题（每小格1分，共40分） 1．纯净半导体又称半导体，其内部空穴和自由电子数量。P型半导体又称半导体，其内部少数载流子是。 2．硅管的门坎电压约为伏，正向压降约为伏，用万用表1k Ω挡测二极管的正反向电阻，阻值小的一次，红表笔接的是二极管极。 3．I CEO称为三极管的电流，它反映三极管的。 4．在图1.1中，二极管为理想器件，V１工作在状态；V2工作在状态；V AB为伏。 5．图1.2所示的全波整流输出电压V L=9V，负载电流I L＝1A，那么变压器次级电压V2为伏。二极管承受的最大反向电压V RM为伏，流过二极管的平均电流I V为安。 图1.1 图1.2 6．三极管工作在放大区时，其发射结两端加，集电结两端加。 7．晶体三极管输出特性是指和的数量关系。 8．场效应管是控制器件，用来控制。 9．放大器的输入信号电压Ｖi=0.02V，I i=1mA，输出电压V0＝2V，I 0＝0.1A，那么电压增益G V＝dB，功率增益G P＝dB。 10．放大器的输出阻抗为324 Ω，负载扬声器的音圈阻抗为4 Ω，为了达到阻抗匹配，输出变压器的匝数比为。 11．在单级共射极放大电路中，输入电压V i和输出电压V0，它们的频率，被放大，相位。 12．数字电路中晶体管工作在开关状态，即它不是工作在区，就是工作在区，而放大区只是其过渡状态。 13．若一个放大电路具有交流电流并联负反馈，则可以稳定输出和 输入电阻。 14．完成下列变换：(101010)2 = ( )10，(12)10 ＝( )8421BCD。 15．晶闸管导通必须具备两个条件：一是，二是。 16．在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等、极性或相位相反的两个输入信号称为信号。
《电子线路》第一章习题1
习题1 1如图1所示的正常电路中，那些指示灯可能发亮？ 2.如图2所示电路中的指示灯能发亮吗？ 3.什么是半导体？在半导体中存在哪两种载流子？什么是P型半导体和N型半导体？什么是PN结？ 4.下列各题的后面括号内，提供几种答案，选择正确的内容填在相应的空格线上： （1）简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触到一起形成PN结。（能；不能；不一定） （2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。（正向偏置；反向偏置；无偏置） （3）当二极管两端所加的是正向偏置电压大于电压时，二极管才能导通。（击穿；饱和；门坎） （4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。（击穿；最大；短路） 5．测量电流时，为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如图5（a）、(b)所示。试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。 6．有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，有人在测一个二极管反向电阻时，为了使万用表测试棒和管脚接触良好，他用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但用在电子设备上却工作正常。这是什么原因? 7．如图7（a）、(b)所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻为无穷大的二极管)。试判断图（a）及图（b）中的二极管是导通还是截止，A、B端的电压VAB=?电压VCD=？ 8．图8所示电路为发光二极管用于直流电压指示的电路，设发光二极管正向导通电压为1.5V，判断发光二极管能否发光并求流过发光二极管的电流。 9．画出桥式半流电路图。若负载电阻RL=0.9KΩ，负载电流IL=10mA，试求：(1)电源变压器的二次电压V2;(2)整流二极管承受的最大反向电压VRM；（3）流过二极管的平均电流IV。10．画出桥式全波整流电路图。若输出电压VL=9V，负载电流IL=1A，试求：（1）电源变压器二次绕组电压V2；（2）整流二极管承受的最大反向电压VRM;过二极管的平均电流IV。11．简单图1.0.6所示电路的工作原理。 12．如图1.0.7所示单相桥式整流电路中：（1）若有一个二极管V1内部短路，整流电路会出现什么现象？（2）若有一个二极管V2虚焊（断路），整流电路会出现什么现象？（3）若有一个二极管V3方向接反，整流电路会出现什么现象？ 13．稳压二极管和普通二极管的伏安特性的规律是否相似？两者在工作中能否互换使用？14．画出一个带有硅稳压二极管稳压电路的桥式整流电路并简述稳压原理。