五邑大学光电技术试题4
c语言-往年试卷题型_五邑大学
五邑大学考试试题 未经允许，不能转载 一、单选题 1．设有int x=9; 则表达式( 1/3 * ++ x ) 的值是_____________。 A) 3 B) 0C) 9 D) 10 2．设ch是char类型的变量，其值为A，且有下面的表达式 ch=(ch>='A'&&ch<='Z')?(ch+32):ch 上面表达式的值是_____________。 A) A B) a C) Z D) z 3．设p1和p2是指向同一个int型一维数组的指针变量，k为int型变量，则不能正确执行的语句是。 A) p1=p2; B) p2=k; C) k=*p1+*p2; D) k=*p1 * (*p2); 4．请选出可用作C语言用户标识符的一组标识符_______________。 A) float B) for C) a3_b3D) 3a define _Abc _123 DO int temp TEMP sizeof 5．以下叙述中不正确的是。 A) 在不同的函数中可以使用相同名字的变量 B) 函数中的形式参数是局部变量 C) 在一个函数内定义的变量只在本函数范围内有效 D) 在一个函数内的复合语句中定义的变量在本函数范围内有效 6．执行下面的程序段后 int k=3, s[2]; s[0]=k; k= s[1]*10; 变量k中的值为_____________。 A) 10 B) 30 C) 33 D) 不定值 7. 若声明和定义了一个结构体类型的数据如下： struct student { int num;
现欲输入结构体成员分量num的值，下面函数调用中正确的是。 A) scanf(“%d”,student); B) sca nf(“%d”,&student.num); C) scanf(“%d”,&num); D) scanf(“%d”,&stu_1.num); 8. 若已定义x为int 类型变量，则下面说明指针变量p的语句_____________是正确的。 A) int p=&x ; B) int *p=x; C) int *p=&x; D) *p=*x; 9．若程序中定义了以下函数 float myadd(float a, float b) { return (a+b);} 并将其放在调用语句之后，则在调用之前应该对该函数进行说明，以下选项中错误的说明是。 A) float myadd(float, float); B) float myadd(float a,b); C) float myadd(float a, float b); D) float myadd(float x, float y); 10．有以下程序，执行后结果是。 #include
五邑大学试卷_C语言程序设计_信息学院各专业_A卷
选择题（30%：15小题，每小题2分） 1. 以下叙述正确的是（）。 A) 在C程序中，main函数必须位于程序的最前面。 B) C语言的每一行中只能写一条语句。 C) C语言本身没有输入输出语句。 D) 一个程序的执行是从本程序的main函数开始，到本程序文件的最后一个函数结束。 2. 若有说明：int a[10]; 则对 a 数组元素的正确引用是（）。 A） a[10] B） a[3.5] C） a(5) D） a[10-10] 3. 下面关于"A"的说法正确的是（）。 A）它代表一个字符常量 B）它代表一个字符串常量 C）它代表一个字符 D）它代表一个变量 4. 若用数组名作为函数调用的实参，传递给形参的是( )。 A）数组的首地址 B）数组第一个元素的值 C）数组全部元素的值 D）数组元素的个数 5. 以下选项中属于C语言数据类型的是（）。 A）复数型 B）记录型 C）双精度型 D）集合型 6. 设 a=5,b=6,c=7,d=8,m=2,n=2, 则执行 (m=a>b)&&(n=c
9. 可判断变量 a为正，b为负的正确表达式是 ( )。 A） a*b <0 B） (a>0||b >0)&&a*b <0 C） (a<0||b<0)&&a*b <0 D） a>0&&a*b<0 10. 在C语言中要求参加运算的数必须是整数的运算符是（）。 A） / B） ! C） % D） = = 11. 下列程序段中while循环体执行的次数是（）。 int k=0; while(k=1) k++; A）一次也不执行 B）只执行一次 C）有语法错，不能执行 D）无限次 12. 若有以下说明，且0≤i<10，则对数组元素的错误引用是（）。 int a[]={1,2,3,4,5,6,7,8,9,10},*p=a,i; A） *(a+i) B） p+i C） a[p-a+i] D） *(&a[i]) 13.有定义语句： int b; char c[10]; 则正确的输入语句是 ( )。 A） scanf("%d%s",&b,&c); B） scanf("%d%s",&b,c); C） scanf("%d%s",b,c); D） scanf("%d%s",b,&c); 14. 设有如下定义： struct sk { int a; float b; }data; int *p; 若要使p指向data中的a域，正确的赋值语句是( )。
光电检测技术试题及答案
光电检测技术试题及答案 光电检测技术试题及答案1、光电器件的基本参数特性有哪些? (响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度) @响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 @噪声分类：热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础，以什么为主体，研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。 (光电子学光电子器件) 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 (光学变换光电变换电路处理) 4、光电效应包括哪些 外光电效应和内光电效应) 外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。
光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件，按用途可分为哪几种? (光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池) 6、激光的定义，产生激光的必要条件有什么? ( 定义：激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔) 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出? (交变辐射) 8、 CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，CCD的基本功能是什么? (电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。) 9根据检查原理，光电检测的方法有哪四种。 (直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法) 10、光热效应应包括哪三种。 (热释电效应辐射热计效应温差电效应) 11、一般PSD分为两类，一维PSD和二维PSD，他们各自用途是什么?
光电检测技术期末试卷试题大全
1、光电器件的基本参数特性有哪些? （响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度） 响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 噪声分类：热噪声散粒噪声产生-复合噪声1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础，以什么为主体，研究和发展光电信息的 形成、传输、接收、变换、处理和应用。 （光电子学光电子器件） 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 （光学变换光电变换电路处理） 4、光电效应包括哪些 外光电效应和内光电效应） 外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。 内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件，按用途可分为 哪几种？ （光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池） 6、激光的定义，产生激光的必要条件有什么？ （定义：激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔） 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出？ （交变辐射） 8、CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，CCD的 基本功能是什么？ （电荷CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。） 9根据检查原理，光电检测的方法有哪四种。 （直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法） 10、光热效应应包括哪三种。 （热释电效应辐射热计效应温差电效应） 11、一般PSD分为两类，一维PSD和二维PSD，他们各自用途是什么？ （一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置；二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。） 12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器，它的结构特点是有一个真空管，其他元件都在真空管中，真空光电器件包括哪两类。 （外光电效应光电管光电倍增管） 二、名词解释 1、响应度 （响应度（或称灵敏度）：是光电检测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。）2、信噪比 （是负载电阻上信号功率与噪声功率之比）
光电技术试题
光电技术自动成卷系统 单选题（10题，20分）；简答题（5题，40分）；综合题（1题，15分）；计算题（1题，10分）；设计题（1题，15分） 锁定放大器是基于 A.自相关检测理论 C B.互相关捡测理论 「 C.直接探测址子限理论 C D?相T?探测原理 2、下列哪一种应用系统为典型的相干探测应用实例 「 A ?照相机自动曝光 「 B ?飞行目标红外辐射探测 「 C.激光陀螺测址转动角速度 C D ?子弹射击钢板闪光测址 3、依据光电器件伏安特性，下列哪些器件不能视为恒流源： 「 A.光电二极管 （ B.光电三极管 C C.光电倍増管 r D.光电池 4、对于P型半导体來说.以下说法不正确的是 A?空穴为多子.电子为少子 B ?能帯图中费米能级靠近价带顶 C.光照时内部不可能产生木征吸收
' D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比 5、在飞轮转速和方向的光电测虽系统中.若光源采用激光二极管.激光波长632nm.输出光调制频率为1kHz,探测器为CdSe光敬电阻，后接的检测电路为帯通滤波放大器.其中心频率为1kHz.带宽为lOOHzo 这样，检测系统可以消除光敏电阻哪些噪声的影响 f噪声，热噪声 r B?产生-复合噪声，热噪声 r C?产生-复合噪声，热噪声 f噪声，产生■复合噪声 6、在非相干探测系统中 「A?检测器能响应光波的波动性质，输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相 C B ?检测器貝响应入射其上的平均光功率 C C.具有空间滤波能力 C D.具有光谱滤波能力 7、关于半导体对光的吸收.下列说法正确的是 「 A.半导体非木征吸收时，产生电子一空穴对 B.朵质半导体木材料不会发生本征吸收 C C ?半导体对光的吸收与入射光波长有关 C D?非木征吸收时，吸收的能址全部转换为材料的热能 8、下列关于热电偶和热电堆的说法不正确的是 A.热电堆的测址误差比热电偶小 B ?热电堆的测量分辨率比热电偶高 c?热电堆的光电灵墩度比热电偶高 ' D.两者均基于光热效应
光电系统设计题目及答案 (1)
一、简答题 1、根据系统工作的基本目的，通常光电系统可以分为哪两大类？ 答：(1)信息光电系统。例如：光电测绘仪器仪表、光电成像系统、光电搜索与跟踪系统、光电检测系统、光通信系统等。(2)能量光电系统。例如：激光武器、激光加工设备、太阳能光伏发电、“绿色”照明系统等。 2、光电系统的研发过程需要哪些学科理论与技术的相互配合？ 答：光电系统的发展需要多种学科相互配合。它是物理学、光学、光谱学、电子学、微电子学、半导体技术、自动控制、精密机械、材料学等学科的相互促进和渗透。应用各学科的最新成果，将使光电系统不断创新和发展。 3、光学系统设计基本要求包括哪些？ 答：基本要求包括：性能、构型选择、和可制造性三个方面。 4、光学系统设计技术要求包括哪些？ 答：基本结构参数（物距、成像形式、像距、F数或数值孔径、放大率、全视场、透过率、焦距、渐晕）；成像质量要求（探测器类型、主波长、光谱范围、光谱权重、调制传递函数、RMS波前衰减、能量中心度、畸变）；机械和包装要求；其它具体要求。 5、望远物镜设计中需要校正的像差主要是哪些？ 答：球差、慧差和轴向色差。 6、目镜设计中需要校正的像差主要是哪些？ 答：像散、垂轴色差和慧差。 7、显微物镜设计中需要校正的像差主要是哪些？ 答：球差、轴向色差和正弦差，特别是减小高级像差。 8、几何像差主要有哪些？ 答：几何像差主要有七种：球差、慧差、象散、场曲、畸变、轴向色差和垂轴色差。 9、用于一般辐射测量的探头有哪些？ 答：光电二极管 10、可用于微弱辐射测量的探头有哪些？ 答：光电倍增管 11、常用光源中哪些灯的显色性较好？ 答：常用光源中，白炽灯、卤钨灯、氙灯的显色性较好。（高压汞灯、高压钠灯的显色性较差） 12、何谓太阳常数？ 答：太阳常数——在地球-太阳的年平均距离，大气层外太阳对地球的的辐照度(1367±7) W2m-2
五邑大学单片机试卷
单片机二五邑大学信息学院 一、填空题(30分)（每空1分） 1）8051系列单片机中，片内数据存储区一共分为3个区，这3个区分别 为：；；。2）8K╳8位的存储器共有地址线根。 3）3 — 8译码器74LS138在全译码寻址方式中，译码器的输出端通常与单片机接口芯片的端连接。 4）当单片机接到外设的中断申请时，单片机响应中断，单片机将暂 停的执行，转去执行程序，执行完，再执行 程序。 5）8051单片机的中断源 有：，，， ，。 6) 单片机P0口为总线和总线的复用 端口，74LS373与P0口连接，其输出线作为系统的，74LS373的G端与单片机连接。 7) 当单片机接到外设的中断申请时，单片机响应中断，单片机将暂 停执行，转去执行程序，执行 完，再执行 程序。 8) 已知程序执行前有A=01H，SP=52H，（51H）=FFH，(52H)=FFH。下述程序执行后： POP DPH POP DPL MOV DPTR,#3000H RL A MOV B,A MOVC A,@A+DPTR PUSH A
MOV A,B INC A MOVC A,@A+DPTR PUSH A RET ORG 3000H DB 10H,80H,30H,80H,50H,80H 请问：A=（），SP=（），（51H）=（），（52H）=（），PC=（）。 9) 如果DPTR=507BH，SP=32H，（30H）=50H，（31H）=5FH，（32H）=3CH，则执行下列指 令后： POP DPH POP DPL POP SP 则：DPH=（），DPL=（），SP=（） 10) 假定A=83H，（R0）=17H，（17H）=34H，执行以下指令： ANL A,#17H ORL 17H,A XRL A,@R0 CPL A 后，A的内容为（）。 二、简答题(20分) 1）单片机的复位（RST）操作有几种方法，复位功能的主要作用。（5分） 2）编制中断服务程序时，为什么在主程序的初始化程序中，必须设置 SETB EA 这条指令，以及在中断服务程序中为什么通常需要保护现场和恢复现场？ 3）中断服务子程序返回指令RETI和普通子程序返回指令RET有什么区别？ 三、判断下列指令的正误：（10分） 1）MOV 28H,@R2 （）2）DEC DPTR （） 3）INC DPTR （） 4）MOV C,30H （）
数控技术试题库含答案
1、数控机床自动编程有两种：软件编程和软件编程。[APT、CAM] 2、使用作位置检测装置的半闭环进给系统，一方面用 它作实际位移反馈信号，另一方面作测速信号。[旋转变压器] 3、在数控编程时，是按照______来进行编程，而不需按照刀具的在机床中的 具体位置。 [工件原点] 4、数控车床自动换刀装置的刀架动作是刀架抬起、____ __、_____ __、 _____ _。 [刀架转位、刀架定位、夹紧刀架] 5、按照伺服系统类型，可将数控机床的控制系统分 为、和。 [开环、半闭环、闭环] 6、数控机床有着不同的运动方式，编写程序时，我们总是一律假定并规定为正。 [工件不动刀具运动、刀具远离工件的方向] 7、普通数控铣床程序与加工中心编程的主要区别于。[换刀程序] 8、数控机床是 由、 、、、 组成的。 [数控程序、计算机、外部设备、输入/出通道、操作面板] 9、按所用的进给伺服系统的不同数控机床可 为、、 。 [开环、半闭环、闭环] 10、NC机床的含义是数控机床，CNC是_ FMS 是CIMS是。 [计算机数控机床、柔性制造系统、计算机集成制造系统] 11、数控机床程序编制可分 为、。[手工编程、自动编程] 12、脉冲编码器是一种位置检测元件，按照编码方式，可分 为和两种。 [光学式、增量式、绝对式] 13、一个零件加工的程序是由遵循一定结构、句法和格式规则的若干 个组成的，而每个 是由若干个组成的。[程序段、程序段、指令字] 14、圆弧插补加工时，通常把与时钟走向一致的圆弧叫使用_______指令，反之使用_______ 指令。[G02、G03] 15、对步进电机施加一个电脉冲信号，步进电机就回转一个固定的角度，这个角度叫做 ______，电机的总角位移和输入脉冲的_______成正比，而电机的转速则正比于输入脉冲的______。 [步距角、数量、频率] 16、插补是指。[将工件轮廓的形状描述出来，边根据计算结果向各坐标发出进给指令]
五邑大学计算机组成原理试卷(2017-2018-1)B
五邑大学试卷B参考答案及评分标准 学期： 2017 至 2018学年度第 1 学期 课程：计算机组成原理课程代号： 0800200 使用班级:160801-809,170810-812 一、单项选择题(20分, 每小题2分) 1. 定点32位字长的字，采用补码形式表示时，一个字所能表示的小数范围是C。 A．0 ~ +(1-2-31) B．-(1-2-31) ~ +1 C．-1~ +(1-2-31) D．- (1-2-31) ~ +(1-2-31) 2. 在定点二进制补码运算中，采用单符号判别法，当B产生上溢出。 A.最高位的进位和次高位的进位为00 B.最高位的进位和次高位的进位为01 C.最高位的进位和次高位的进位为11 D.最高位的进位和次高位的进位为10 3. 定点二进制运算其中，减法运算一般通过D来实现。 A.原码运算的二进制减法器 B.补码运算的二进制减法器 C.补码运算的十进制加法器 D.补码运算的二进制加法器 4. 在多级存储体系中，“cache—主存”结构的作用是解决 D 的问题。 A．主存容量不足B．主存与辅存速度不匹配 C．辅存与CPU速度不匹配D．主存与CPU速度不匹配 5. SRAM芯片，存储容量为32K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为 A 。 A．15，16 B．16，16 C．32，16 D．16，32 6. 在cache的映射方式中不需要替换策略的是__B__。 A．全相联映射方式B．直接映射方式 C．组相联映射方式D．全相联映射方式和组相联映射方式 7. 立即寻址方式的数据在 A 中。 A.指令 B.存储器单元 C.寄存器 D.ALU 8．微程序控制器中，机器指令与微指令的关系是 B 。 A．每一条机器指令由一条微指令来执行 B．每一条机器指令由一段微程序来解释执行 C．每一条微指令由机器指令来解释执行 D．每一段机器指令组成的程序可由一条微指令来执行 9．改变程序执行顺序，是靠改变D的内容来实现的。
光电技术(A卷)试卷
武汉理工大学考试试题纸(A卷) 课程名称光电技术 名词解释(每小题3分，总共15分) 1. 坎德拉(Candela,cd) 2.外光电效应 3.量子效率 4.象增强管 5.本征光电导效应 填空题(每小题3分，总共15分) 1. 光电信息变换的基本形式_________________ 、_______________ 、________________ 、 2. 光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由_______ 、____ 、______ 、____ 和_____ 组成。 3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P型和N型半导体组合而成。其发光机理可以分为 和。 4. _________________________________________________________ 产生激光的三个必要条件是 E g，要使该材料有光电子产生，其入射光波的最大波长为 5.已知本征硅的禁带宽度为 、如图1所示的电路中，已知R b=820 Q ,R e=3.3K Q,U W=4V，光敏电阻为 输出电压为6V，80lx是为9V。设光敏电阻在30~100之间的Y值不变。 试求：(1)输出电压为8V时的照度； (2) 若R e增加到6 K Q ,输出电压仍然为8V ,求此时的照度； (3) 输出电压为8V时的电压灵敏度。 四、如果硅光电池的负载为R L。(10分) (1) 、画出其等效电路图； (2) 、写出流过负载的电流方程及开路电压和短路电流; (3) 、标出等效电路图中电流方向。 五、简述PIN光电二极管的工作原理。为什么PIN管比普通光电二极管好？(10分) 六、1200V负高压供电，具有11级倍增的光电倍增管，若倍增管的阴极灵敏度S K为20uA/ lm，阴极入射
五邑大学试卷
命题人： 李阳 审核人： 试卷分类（A 卷或B 卷） B 五邑大学 试 卷 学期： 2012 至 2013 学年度 第 1 学期 课程： 光电子技术 课程代号： 010A1860 使用班级： AP10221、AP10222 姓名： 学号： 一、 单选题：（50分，每小题2分） 请将正确的答案填入下表中： 1、一切能产生光辐射的辐射源都称为光源，下列光源中属于热辐射光源的是：（D ） （A ）LED ； （B ）固体激光器；（C ）金属卤化物灯；（D ）卤钨灯。 2、国际照明委员会（CIE ）根据对许多人的大量观察结果，确定了人眼对各种光波长的相对灵敏度，称为光谱光视效率或视见函数，在明视觉下，人眼最敏感的波长是（C ） （A ）450nm ； （B ）550nm ； （C ）555nm ； （D ）650nm 。 3、一个光源发出频率为540?1012 Hz 的单色辐射，若在一给定方向上的辐射强度为1/683 （W ?sr -1 ），则该光源在该方向上的发光强度为1个（ D ）。 （A ）尼特； （B ）勒克斯； （C ）熙提； （D ）坎德拉。 4、白炽灯与卤钨灯可以看作是灰体，是用钨丝做灯丝，其色温是在（B ）K 左右。 （A ）2300； （B ）2800； （C ）5500； （D ）7000。 5、钠灯的泡壳内充的是（ C ）与金属钠滴。 （A ）氧气； （B ）氢氧混合气体； （C ）氖氩混合气体； （D ）氮气。 6、激光器一般由（ D ）组成。 （A ）半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料（B ）固体激光器、液体激光器和气体激光器 （C ）电子、载流子和光子 （D ）激励能源、谐振腔和工作物质 7、热释电器件是由TGS 、LiTaO 3等热电晶体材料组成的，但不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里 温度。只有（ B ）居里温度，材料才有自发极化性质。 题号 一 二 三 四 五 六 总分 得分 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 试卷编号 得分
传感器与检测技术试题及答案
传感器与检测技术试题及 答案 Prepared on 24 November 2020
《传感器与检测技术》试题 一、填空：（20分） 1，测量系统的静态特性指标主要有线性度、迟滞、重复性、分辨力、稳定性、温度稳定性、各种抗干扰稳定性等。（2分） 2.霍尔元件灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小。 3、光电传感器的理论基础是光电效应。通常把光线照射到物体表面后产生的光电效应分为三类。第一类是利用在光线作用下光电子逸出物体表面的外光电效应,这类元件有光电管、光电倍增管；第二类是利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的内光电 效应，这类元件有光敏电阻；第三类是利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势的光生伏特效应，这类元件有光电池、光电仪表。 4.热电偶所产生的热电势是两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成 的，其表达式为Eab （T ，To ）=T B A T T B A 0d )(N N ln )T T (e k 0σ-σ?+-。在热电偶温度补偿中补偿导线法（即冷端延长线法）是在连接导线和热电偶之间，接入延长线，它的作用是将热电偶的参考端移至离热源较远并且环境温度较稳定的地方，以减小冷端温度变化的影响。 5.压磁式传感器的工作原理是：某些铁磁物质在外界机械力作用下，其内部产生机械压力，从而引起极化现象，这种现象称为正压电效应。相反，某些铁磁物质在外界磁场的作用下会产生机械变形，这种现象称为负压电效应。（2 分） 6. 变气隙式自感传感器，当街铁移动靠近铁芯时，铁芯上的线圈电感量（①增加②减小③不变）（2分） 7. 仪表的精度等级是用仪表的（① 相对误差 ② 绝对误差 ③ 引用误差）来表示的（2分） 8. 电容传感器的输入被测量与输出被测量间的关系，除（① 变面积型 ② 变极距型 ③ 变介电常数型）外是线性的。（2分） 1、变面积式自感传感器，当衔铁移动使磁路中空气缝隙的面积增大时， 铁心上线圈的电感量（①增大，②减小，③不变）。 2、在平行极板电容传感器的输入被测量与输出电容值之间的关系中， （①变面积型，②变极距型，③变介电常数型）是线性的关系。 3、在变压器式传感器中，原方和副方互感M 的大小与原方线圈的匝数成 （①正比，②反比，③不成比例），与副方线圈的匝数成（①正比，②反比，③不成比例），与回路中磁阻成（①正比，②反比，③不成比例）。
五邑大学试卷-C语言程序设计-信息学院各专业-B卷1教学文案
五邑大学试卷-C语言程序设计-信息学院各专业-B卷1
选择题（30%：15小题，每小题2分） 1. 在一个C程序中（）。 A） main函数必须出现在所有函数之前 B） main函数可以在任何地方出现 C） main函数必须出现在所有函数之后 D） main函数必须出现在固定位置 2. C语言中最基本的数据类型包括( )。 A）整型、浮点型、逻辑型 B）整型、浮点型、字符型 C）整型、字符型、逻辑型 D）整型、浮点型、逻辑型、字符型 3. 以下二维数组 a 的正确说明是 ( )。 A） int a[1,1]; B） float a(3,4); C） double a[2][4]; D） float a(3)(4); 4. 设有：int a=2,b=3,c=7,d=8,m=3,n=3; 执行 (m=a>b)&&(n=c>d) 后的 n 值为（）。 A） 0 B） 1 C ） 2 D） 3 5. 一般情况下，C语言是以（）表示运算结果为逻辑真。 A） F B） T C） 1 D） 0 6. 设a、b和c都是int型变量，且a=3,b=4,c=5;则以下的表达式中，值为0的表达式是( )。 A） a&&b B） a<=b C） a||b+c&&b-c D） !((a 8. int *p1,*p2; 以下表达式错误的是 ( )。 A） p1+p2 B） p1-p2 C） p1=p2 D） p1= =p2 9. 设有如下定义： struct sk { int a; float b; }data; int *p; 若要使p指向data中的a域，正确的赋值语句是 ( )。 A） p=&a; B） p=data.a; C） p=&data.a; D） *p=data.a; 10. 下面各项中，含有错误的是（）。 A） char s[10]; s="program"; B）char s[ ]={ 'p ', 'r ', 'o ', 'g ', 'r ', 'a ', 'm', '\0'}; C ) char s[10] ="program"; D）char s[10]={"program"}; 11. while(leap) 和下列哪个等价？（） A） while (0) B） while (5) C） while (leap= =0) D） while (leap!=0) 12. 有以下程序： main() { int i,t[][3]={9,8,7,6,5,4,3,2,1}; printf("%d",t[2][1]); 光电技术试题 ————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 命题人： 李阳 审核人： 试卷分类（A 卷或B 卷） A 五邑大学 试 卷 学期： 2012 至 2013 学年度 第 1 学期 课程： 光电子技术 课程代号： 010A1860 使用班级： AP10221、AP10222 姓名： 学号： 一、 单选题：（50分，每小题2分） 请将正确的答案填入下表中： 1、从光源的分类上分，汞灯属于：（B ） （A ）热辐射光源；（B ）气体放电光源；（C ）激光光源；（D ）电致发光光源。 2、在辐射度学的基本物理量中，描述点辐射源的辐射功率在不同方向上分布的物理量是（C ） （A ）辐射能； （B ）辐射通量；（C ）辐射强度；（D ）辐射出射度。 3、从辐射通量与光通量之间的换算关系可知，1W=（A ）lm. （A ）683； （B ）386； （C ）836； （D ）638。 4、绝对黑体的温度决定了它的辐射光谱分布，随着温度T 的升高，峰值波长 将（A ）。 （A ）向短波方向移动； （B ）向长波方向移动； （C ）不移动；（D ）随机移动。 5、日光灯是一种低压汞灯，发出波长为（ B ）nm 紫外光源，再激发荧光粉发了可见光。 （A ）283.7； （B ）253.7； （C ）353.7； （D ）333.7。 6、激光器的构成一般由（A ）组成。 （A ）激励能源、谐振腔和工作物质 （B ）固体激光器、液体激光器和气体激光器 （C ）半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料 （D ） 电子、载流子和光子 7、热释电器件是由TGS 、LiTaO 3等热电晶体材料组成的，但不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里温度。只有（ C ）居里温度，材料才有自发极化性质。 题号 一 二 三 四 五 六 总分 得分 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 试卷编号 得分 m 五邑大学，大学物理考试试卷包括答案 一、（6分）写出270C 时1个氦原子的平均动能和1摩尔氦气的内能。 T=300K 二、（12分）如图所示，热机的工作媒质是单原子的理想气体，其工作过程经循环a-b 和c-d 的等 温过程b-c 和d-a 的的等容过程完成，图中Ta =T1， Tc =T2，V2 =2V1求此热机的效率。 三、（12分）如图所示，两个振幅频率都相同的相干波源S1S2的坐标分别为λ85±，S2比S1超前 /2，它们以同样的波速相向时，在S1S2之间形成相干图象。设P 点的坐标为x ，写出两波在P 点相遇时的位相差，和满足干涉抵消的点的坐标。 x x x λππ λλλππ?42)85()85(22-=??????--+-= ?（5分） π?)12(+=?k 时，相消（4分） 83,8,85λλλ-- =x （3分） 四、（10分）如图波长为6800A 的平行光垂直照射在L=0.12m 长的两块玻片上，两玻片的一头相互接触，另一头被直径d = 0.048mm 的细钢丝隔开。求（1）相邻的两条明纹的高度差；（2）相邻的两条明纹的间距。 （1）A h 34002==?λ（5分） （2）431041012.0048.0-?=?=θ（1分） )(105.83m h L -?=?=?θ（4分） 五（10分）波长为600nm 的单色光垂直照射在一光栅上，第二级和第三级谱线分别在衍射角满足sin =0.20和sin =0.30处，第四级缺级。试求该光栅的光栅常数d 及其狭缝宽度a 。 m d k d 6100.6sin -?=→=λθ（5分） V 2 p V 1 V a b c d eV kT 223109.33001038.12323--?=???==ε5.373930031.82 323??==RT E 2ln 1RT Q ab ν=)(2321T T R Q Q bc da -==ν2ln 2RT Q cd ν=da ab cd bc Q Q Q Q ++-=1η 图1 武汉理工大学考试试题纸（A 卷） 课程名称光电技术 一、 名词解释(每小题3分，总共15分) 1.坎德拉(Candela,cd) 2.外光电效应 3.量子效率 4. 象增强管 5. 本征光电导效应 二、 填空题(每小题3分，总共15分) 1. 光电信息变换的基本形式 、 、 、 、 、 。 2.光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由 、 、 、 和 组成。 3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P 型和N 型半导体组合而成。其发光机理可以分为 和 。 4. 产生激光的三个必要条件是 。 5. 已知本征硅的禁带宽度为g E ，要使该材料有光电子产生，其入射光波的最大波长为 。 三、如图1所示的电路中，已知R b =820Ω,R e =3.3K Ω,U W =4V ，光敏电阻为R p ,当光照度为压为6V ，80lx 是为9V 。设光敏电阻在30~100之间的γ值不变。 试求：(1) 输出电压为8V 时的照度； （2）若e R 增加到6 K Ω，输出电压仍然为8V ，求此时的照度； (3) 输出电压为8V 时的电压灵敏度。 四、 如果硅光电池的负载为R L 。(10分) (1)、画出其等效电路图； (2)、写出流过负载的电流方程及开路电压和短路电流； (3)、标出等效电路图中电流方向。 五、 简述PIN 光电二极管的工作原理。为什么PIN 管比普通光电二极管好？ (10分) 六、 1200V 负高压供电，具有11级倍增的光电倍增管，若倍增管的阴极灵敏度S K 为20uA/lm ，阴极入射光的 照度为0.1Lx ，阴极有效面积为2cm 2 ，各倍增极二次发射系数均相等(4=δ)，光电子的收集率为98.00=ε， 各倍增极的电子收集率为95.0=ε 。(提示增益可以表示为N G )(0εδε=) (15分) (1) 计算光电倍增管的放大倍数和阳极电流。 三、名词解释： 1、传感器： 传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置。 2、重复性：用本方法在正常和正确操作情况下，由同一操作人员，在同一实验室内，使用同一仪器，并在短期内，对相同试样所作多个单次测试结果，在95%概率水平两个独立测试结果的最大差值 3、线性度：测试系统的输出与输入系统能否像理想系统那样保持正常值比例关系（线性关系）的一种度量。 2、正压电效应 答：压电效应：某些电介质物体在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变形，并且在其表面上会产生电荷，若将外力去掉，它们又重新回到不带电的状态。具有压电效应材料有石英晶体、人工制造的压电陶瓷、锆钛酸铅等。 逆压电效应： 是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象 四、简答题 1、解释什么是传感器？传感器的基本组成包括哪两大部分？这两大部分各自起什么作用？ 答：传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置。通常传感器由敏感元件和转换元件组成。敏感元件是指传感器中能直接感受或响应被测量的部分，转换元件是指传感器中将敏感元件感受或响应的被测量转换成适于传输或测量的电信号部分。 2、什么是传感器的静态特性，描述静态特性的技术指标有哪些？ 答：传感器的静态特性是指被测量的值处于稳定状态时的输出—输入关系。与时间无关。 主要性能指标有：线性度、灵敏度、分辨率、迟滞、重复性和量程等。 3金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同? 答：金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的，半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。 4简要说明电容式传感器的工作原理。 命题人 : 试卷编号 1 i 1 1 1111 1111 T ? > I > ? ■ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 试卷分类（A 卷或B 卷） B 五邑大学试卷 学期：2008 至 2009 学年度 第 学期 ：2图1所示二端网络，诺顿等效电路的电流源电流为多少? *3图2所示正弦交流电路中，已知（复）阻抗Z = 2Z45°Q,则/?和瓜分别为多少? 电路分析基础II '课程: 专业：信息学院07级 :1巳知正弦电流"=10次cos （破+（r ）A, =-10V2sin （^-30° ）A,则它们相位关系如何? 8Q (12 分) ‘4图3所示正弦交流电路中D = 10Z()oV ，m =6Z-53.1°V,t 74 =6Z53.1°V ^电压 久卜。 ! ：5图4所示耦合电感并联电路中，若L=M,则电路的等效(复)阻抗Zab 为多少? ? 图4 :6含理想变压器电路如图5示，使负载电阻&获得最大功率时的变压器匝比 二、得分 O 图6所示正弦交流电路中，求(1)电路从沥端往左的总等效阻抗Z； (2)求电压D沥和，各支路电流。 人 b 1 五、 得分 （12 求图7所示有源单口网络的戴维南等效电路。已知〃上）=-2sin （O.5，）V, r = 1。。 ，四、 ?试用节点 分析法求图8所示正弦交流电路中的电流，o I 电路如图9所示，求电路的只s 和n 三、得分 （ 12 图7 得分 （12 1' 1 2 . _ -j2Q ]1Q ■ ， （10 （12 分） 含理想变压器电路如图10所示，已知/s =5Z0°A,试求 电源电压D 。 图io 试求图10所示二端口网络的「参数。 K\ [ /i ° -- ? Ui 图10 得分 ji Q 得分 K1 Q Uz 2’ 《高电压技术》期末冲刺试卷(1) 1.流注理论未考虑( B )的现象。 A.碰撞游离 B.表面游离 C.光游离 D.电荷畸变电场 2.极化时间最短的是( A )。 A.电子式极化 B.离子式极化 C.偶极子极化 D.空间电荷极化 3.先导通道的形成是以( C )的出现为特征。 A.碰撞游离 B.表现游离 C.热游离 D.光游离 4.下列因素中，不会影响液体电介质击穿电压的是（A ） A.电压的频率 B.温度 C.电场的均匀程度 D. 杂质 5.电晕放电是一种（ D ）。 A.滑闪放电 B.非自持放电 C.沿面放电 D.自持放电 6.以下四种气体间隙的距离均为10cm，在直流电压作用下，击穿电压最低的是（ D ）。 A.球—球间隙(球径50cm) B.棒—板间隙，棒为负极 C.针—针间隙 D.棒—板间隙，棒为正极 7.不均匀的绝缘试品，如果绝缘严重受潮，则吸收比K将( C ) A.远大于1 B.远小于1 C.约等于1 D.不易确定 8.雷击线路附近地面时，导线上的感应雷过电压与导线的（ B ） A. 电阻率成反比 B.悬挂高度成反比 C.悬挂高度成正比 D. 电阻率成正比 二、填空题(本大题共9小题，每空1分，共18分) 1.固体电介质电导包括___表面____电导和_体积______电导。 2.极不均匀电场中，屏障的作用是由于其对__空间电荷__的阻挡作用，造成电场分布的改变。 3.电介质的极化形式包括_电子式极化__、__离子式极化_、__偶极子极化_和夹层极化。 4.气体放电现象包括__击穿_____和__闪络_____两种现象。 5.带电离子的产生主要有碰撞电离、__光电离____、_热点离_____、表面电离等方式。 6.工频耐压试验中，加至规定的试验电压后，一般要求持续__60_____秒的耐压时间。 7.按绝缘缺陷存在的形态而言,绝缘缺陷可分为__集中性_____缺陷和__分散性____缺陷两大类。 8.在接地装置中，接地方式可分为_防雷接地_______、_保护接地_______、_工作接地_______。 9.输电线路防雷性能的优劣主要用__耐雷水平______和_雷击跳闸率________来衡量。 三、判断题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)在每小题的括号内对的打“√”，错的打“×”。 1.无论何种结构的电介质，在没有外电场作用时，其内部各个分子偶极矩的矢量和平均来说为零， 因此电介质整体上对外没有极性。（对） 2.在四种电介质的基本极化形式中，只有电子式极化没有能量损耗。（错） 3.测量电气设备的绝缘电阻时一般要加直流电压，绝缘电阻与温度没有关系。（错） 4.防雷接地装置是整个防雷保护体系中可有可无的一个组成部分。（错） 5.管式避雷器实质上是一只具有较强灭弧能力的保护间隙。（对） 四、名词解释题(本大题共5小题，每小题6分，共30分) 1.吸收比：指的是电流衰减过程中的两个瞬间测得的两个电流值或两个相应的绝缘电阻值之比。（或指被试品加压60秒时的绝缘电阻与加压15秒时的绝缘电阻之比。） 2.雷击跳闸率：指每100KM线路每年由雷击引起的跳闸次数 3.雷暴日：指某地区一年四季中有雷电放电的天数，一天中只要听到一次及以上雷声就是一个雷暴日。 4.伏秒特性：对某一冲击电压波形，间隙的击穿电压和击穿时间的关系称为伏秒特性 5.气体击穿：气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿 五、简答题(本大题共2小题，每小题8分，共16分)光电技术试题
五邑大学,大学物理考试试卷包括答案 (2)
光电技术(A卷)试卷
光电技术试题和答案
五邑大学电路分析基础试卷.doc
完整word版,高电压技术考试试题及其答案精华版