分析硅片外观缺陷问题的原因
分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下：
1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。
表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。
（2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。
（3）以上两种特征都有。
（4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。
改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。
（2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。
其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中
出现“切不动”现象。如未及时发现处理，可导致断
线而产生更大的损失。
2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。
表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。
改善方法：（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC 先进行试用，然后再进行正常使用。
（2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游离C（<0.03%）以及<2μm微粉超标。
其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。
3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。
表现形式：（1）硅片整面密集线痕。
（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。
（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。
（4）部分不规则区域密集线痕。
（5）硅块头部区域密布线痕。
改善方法：（1）硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严
重不足引起，包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等，可针对性解决。
（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切
割能力不够，回收砂浆易出现此类情况，通过改
善回收工艺解决。
（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机
台内砂浆循环系统问题，如砂浆喷嘴堵塞。在清
洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。
（4）部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度
不均匀，部分区域硬度过高。改善铸锭工艺解决
此问题。
（5）硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。
4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板
上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，
以及托板螺丝松动，而产生的线痕。
表现形式：
改善方法：规范粘胶操作，加强切片前检查工作，定期清洗机床。
5、边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。
表现形式：一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处，贯穿整片硅片。
改善方法：规范粘胶操作，加强检查和监督。
二、TTV（Total Thickness Variety）
TTV不良，都是由于各种问题导致线网抖动而产生的硅片不良，包括设备精度问题、工作台问题、导轮问题、导向条粘胶问题等。
1、设备精度：
导轮径向跳动<40μm，轴向跳动<20μm。
改善方法：校准设备。
2、工作台问题：
工作台的不稳定性会导致大量TTV不良的产生。
改善方法：维修工作台。
3、导轮问题：
因导轮问题而产生的TTV不良，一般出现在新导轮和导轮磨损很大的时候。
改善方法：更换导轮。
4、导向条粘胶问题：
当导向条下的胶水涂抹不均匀，出现部分空隙，在空隙位置的硅片，易出现TTV不良问题。
改善方法：规范粘胶操作。
三、台阶
台阶的出现，是由切片过程中的钢线跳线引起，而导致钢线跳线的原因，包括设备、工艺、物料等各方面的问题，部分如下：
1、砂浆问题：
砂浆内含杂质过多，没有经过充分过滤，造成钢线跳线。
改善方法：规范砂浆配制、更换，延长切片的热机时间和次数。
2、硅块杂质问题：
硅块的大颗粒杂质会引起跳线而产生台阶。
改善方法：改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。
3、单晶停机、切起工艺问题：
单晶相对多晶硬度较大，在异常停机并重新切起的过程中，采用违规操作产生的钢线跳线。
改善方法：严格遵循工艺操作。
4、线、砂工艺匹配问题：
钢线、砂浆型号不匹配造成切片跳线，此种情况很少出现
硅片解决方案
各种硅片不良的解决方案 一。断线：如何让预防断线；断线后如何处理（M&B。NTC HCT）把损失降低到最少二。硅片崩边。线式崩边点式崩边倒角崩边 三。厚薄不均：一个角偏薄，厚薄不均 四。线痕：密集线痕亮线线痕 五。花污片：脱胶造成的花污片清洗造成的花污片 接下来将对以上五种关键不良做从5M1E6个方面做详细的分析预防善后等 具体是什么参数比如0.10钢线要求瞬间破断力多少？1200# 1500# 2000#碳化硅的颗粒圆形度粒径大小要求黏度张力要求多少等 大家去按照这个方向去找对策做计划（P），做好可量化的点检表（D），主管亲自抓班长去督导（C），总结检查的结果进行处理，成功的经验加以肯定并适当推广、标准化；失败的教训加以总结，以免重现，未解决的问题放到下一个PDCA循环（A）。 这个虽然写的是M&B264的原因分析，但是从标准化管理角度来说，应该还是具有普遍意义的哦 断线善后处理首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头 1. 查明断线原因及断线情况. 2. 及时上报，未经同意，不得私自处理。 3. 处理流程：1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割. 2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起，迅速布线，8000流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸， 冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后 以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的，以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止。线速调到2m/s，以2%走线1cm，以调平线网，停止。打开砂浆8000流量均匀冲片子。把晶棒两侧的线网小心的剪掉（剪时要用手捏着）,留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线网,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割。4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的就认刀否则就反切或直接拉线正向切割。 4.进线端断线，第一次断线，切深在80mm.1换掉放线轮，用一个空的收线轮来代替。以低于原2N（左19和右21）的张力，切割线方向改为:右，其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆。2把晶棒提升至30---40mm处，重新对接焊线，焊线时要焊接均匀，焊接点的点径要和线径相同。经15N的线速走线300——400米，改张力为自动切割的张力，每秒1米，不开沙浆，走到出线端5米时，把张力改为15N，待线头在收线轮上绕2——3圈，改回原来的张力。把晶棒压到断线位置误差在0.05mm，打开砂浆。以1m/s速度的20%，走上1m，经班长确认无误后进行切割。 5.经上环节中必须处理好线网（其中包括，碎片、胶条、沙浆颗粒）在升晶棒前，把胶条去
喷涂工艺常见缺陷的分析和对策
常见漆膜弊病、缺陷●流挂 ●发花 ●漆薄/漆厚 ●溶剂泡 ●针孔 ●干喷 ●失光、鲜映性差 ●砂痕 ●色差 ●缩孔 ●灰粒 ●漆软
流挂 描述： 涂料在垂直面或折边区域出现的眼泪状或帘状下淌。 原因: 1.施工粘度太低. 2.一次喷涂涂膜太厚 3.涂料流量过快 4.雾化压力小 5.喷距太近 6.慢干溶剂用量太多 7.涂层间闪干时间太短 8.车身或涂料温度太低 发花 描述： 金属漆表面出现斑点，或大面积颜色不均匀。 原因： 1.漆膜膜厚不均匀且太湿。使铝粉珠光粉分布和定向排列不匀而发花。 2.喷涂粘度太高，漆膜太湿 3.雾化压力太低，漆膜较厚太湿 4.扇面太窄喷涂叠盖不均。 5.流量太大，膜厚厚且湿。 6.枪距太近，膜厚厚且湿。 7.慢干剂太多，漆膜太湿。 8.底色漆至清漆的闪干时间过短。 9.喷房或车身温度低。 10.边缘或局部流挂
失光、鲜映性差光泽低，鲜映性不佳 原因： 1.漆膜太薄导致金属颗粒突出 2.空气压力太大，漆膜干燥太快 3.流量太低。漆膜簿且干燥快 4.干喷或溶剂挥发太快 5.慢干溶剂太多，底色漆太湿 6.底色漆膜厚厚或闪干时间短 7.底材或底涂层粗糙 8.油漆过烘烤
溶剂泡、针孔 描述： 溶剂气泡：漆膜表面的小突起，仔细观察是表层的小泡且细小而密。通常在漆膜较厚的边缘或区域产生这样的情况较多。 针孔: 在漆膜上产生针状小孔或像皮革毛孔那样孔的现象，孔的直径0.1mm左右 原因： 1.施工粘度过高， 2.漆膜太厚， 3.闪干时间太短流量太大 4.空气压力太低 5.底色漆慢干溶剂加多 6.进入烘干区前的闪干时间太短 7.烘干区的第一阶段温度太高 8.喷涂工艺覆盖区域太多 层间附着力 描述： 涂层中的某一层剥落，或其容易与相邻层或基材剥离 原因：
扩散工艺常见质量问题及分析
扩散工艺常见质量问题及分析 一、硅片表面不良 1、表面合金点。形成表面合金点的主要原因是表面浓度过高。 （1）预淀积时携带源的气体流量过大。如CVD预淀积时源的浓度过高，液态源预淀积时通源的气体流量过大或在通气时发生气体流量过冲； （2）源温过高，使扩散源的蒸气压过大； （3）源的纯度不高，含有杂质或水份； （4）预淀积时扩散温度过高，时间太长； 为了改善高浓度扩散的表面，常在浓度较高的预淀积气氛中加一点氯气，防止合金点产生。 2、表面黑点或白雾。这是扩散工艺中经常出现的表面问题。一般在显微镜下观察是密布的小黑点，在聚光灯下看是或浓或淡的白雾。产生的原因主要有： （1）硅片表面清洗不良，有残留的酸性水汽； （2）纯水或化学试剂过滤孔径过大，使纯水或化学试剂中含有大量的悬浮小颗粒（肉眼观察不到）； （3）预淀积气氛中含有水分； （4）扩散N2中含有水分； （5）硅片在扩散前暴露在空气中时间过长，表面吸附酸性气氛； 3、表面凸起物。主要是由较大粒径的颗粒污染经过高温处理后形成的。如灰尘、头屑、纤维等落在硅片表面，或石英管内的粉尘、硅屑等在进出舟时溅到硅片表面。表面凸起物一般在日光灯下用肉眼可以看到。 4、表面氧化层颜色不一致。通常是用CVD预淀积时氧化层厚度不均匀；有时也可能是扩散时气体管路泄漏引起气氛紊乱；气体还有杂质，使扩散过程中生长的氧化层不均匀，造成氧化层表面发花； 5、硅片表面滑移线或硅片弯曲。这是硅片在高温下的热应力引起的，一般是由进出舟速度过快，硅片间隔太小，石英舟开槽不合适等引起的。 6、硅片表面划伤，边缘缺损，或硅片开裂等，通常是由操作不当造成的。也有石英舟制作不良（放片子的槽不在同一平面上或槽开的太窄，卡片子）的因素。 二、漏电流大 漏电流大在集成电路失效的诸因素中通常占据第一位。造成集成电路漏电流大的原因很多，几乎涉及到所有的工序。主要有： （1）表面沾污（主要是重金属离子和碱金属离子）引起的表面漏电； （2）Si－SiO2界面的正电荷，如钠离子、氧空位，界面态等引起的表面沟道效应，在p型区形成反型层或耗尽层，造成电路漏电流偏大； （3）氧化层的缺陷（如针孔等）破坏了氧化层在杂质扩散时的掩蔽作用和氧化层在电路中的绝缘作用而导致漏电； （4）硅片（包括外延层）的缺陷引起杂质扩散时产生管道击穿； （5）隔离再扩散深度和浓度不够，造成隔离岛间漏电流大（严重时为穿通）；
铝合金粉末喷涂常见缺陷原因及改善措施初稿
目录 前言错误!未指定书签。 1.铝型材表面处理粉末喷涂的表面缺陷............... 错误!未指定书签。 P001 缩孔......................................... 错误!未指定书签。 P002 针孔......................................... 错误!未指定书签。 P003 桔皮......................................... 错误!未指定书签。 P004 杂色......................................... 错误!未指定书签。 P005 吐粉......................................... 错误!未指定书签。 P006 露底......................................... 错误!未指定书签。 P007 渣点......................................... 错误!未指定书签。 P008 气泡......................................... 错误!未指定书签。 P009 砂粗......................................... 错误!未指定书签。 P0010 流挂........................................ 错误!未指定书签。 P0011 色差........................................ 错误!未指定书签。 P0012 欠膜........................................ 错误!未指定书签。 P0013 擦花伤...................................... 错误!未指定书签。2．粉末喷涂涂层性能检测缺陷分析...................... 错误!未指定书签。 P001 冲击......................................... 错误!未指定书签。 P002 弯曲......................................... 错误!未指定书签。 P003 耐磨性....................................... 错误!未指定书签。 前言 1.在铝型材表面处理粉末喷涂生产过程中，粉末喷涂生产过程中会产生的各种缺
硅材料基础知识
导体：导体是很容易导电的物质，电阻率约为10-6-10-8Ωcm, 绝缘体：极不容易或根本不导电的一类物质。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，目前已知的半导体材料有几百种，适合工业化的重要半导体材料有：硅、锗、砷化镓、硫化镉，电阻率介于10-5-1010Ω（少量固体物质如砷、锑、铋，不具备半导体基本特性，叫做半金属。 冶金级硅（工业硅）：将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步，冶金级硅分为两类：1、供钢铁工业用的工业硅，硅含量约为75%。2、供制备半导体硅用，硅含量在99.7%-99.9%，它常用作制备半导体级多晶硅的原料。 多晶硅：1、改良西门子法，2、硅烷法，3、粒状硅法。 改良西门子法：多晶硅生产的西门子工艺，在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。过程：1、原料硅破碎；2、筛分（80目）——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。 硅烷法：原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体，纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。 区域熔炼法：制备高纯度、高阻单晶的方法。 切克劳斯基法（直拉法）：制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。硅棒外径滚磨：将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。 硅切片：硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程（内圆切片机刀口厚度在300-350um，片厚300-400um。线切机刀口厚度不大于200u，片最薄可达200-250u.）. 硅磨片：一般是双面磨，用金刚砂作原料，去除厚度在50-100u，用磨片的方法去除硅片表面的划痕，污渍和图形，提高硅片表面平整度。用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。 倒角：将硅切片的边沿毛刺、崩边等倒掉。 抛光片：大规模集成电路使用的硅片。 硅材料电性能的三个显著特点： 1、对温度的变化十分灵敏，当温度提高时，电阻率将大幅度下降。 2、微量杂志的存在对电子的影响十分显著，纯硅中加入百万分之一的硼，电阻率就会 从2.14*103下降至4*10-3Ω。 3、半导体材料的电阻率在受到光照时会改变其数值大小。 本征硅：绝对纯净没有缺陷的硅晶体称作本征硅，本征硅中导电的电子和空穴都会由于其价键破裂而产生。体内电子和空穴浓度相等。 N型硅：在纯硅中掺入V族元素（如、磷、砷等），能够提供自由电子的杂质统称为施主杂质，掺入施主杂质的硅叫N型硅。以电子为多数载流子的半导体。 P型硅：在纯硅中掺入III型元素（如硼）以后，具有接受电子的杂质成为受主杂质，掺入受阻杂质的硅叫做P型硅。以空穴为多数载流子的半导体。 单晶：一块晶体如果从头到尾按照同一种排列重复下去叫做单晶体， 多晶：许多微小单晶颗粒杂乱的排列在一起称为多晶体。 晶体中的缺陷：点缺陷、线缺陷、面缺陷、孪晶、旋涡、杂质条纹、堆垛层错、氧化层错、滑移线等 电阻率： 高能粒子探测器：要求几千乃至上万Ω的FZ单晶。
产品常见缺陷及原因
一、产品常见缺陷及原因 1、铁水常见质量缺陷 成分不合格，主要是S出格。 标准要求，炼钢生铁S≤0.070%，Si≤1.25%，；铸造生铁S≤0.050% ，Si＞1.25%。 炼钢生铁牌号：L04、L08、L10。 铸造生铁牌号：Z14、Z18、Z22、Z26、Z30、Z34。 S出格的主要原因：入炉原料及熔剂质量波动造成炉渣碱度低；炉缸物理热不足；炉渣MgO、Al2O3含量高，炉渣流动性差；炉况不顺，座料、塌料多。 2、连铸坯常见质量缺陷 表面缺陷：纵裂纹、横裂纹、角部裂纹、夹杂、重接、飜皮、结疤、凹坑、划痕、压痕、气孔、凸块、缩孔。 内部缺陷：中间裂纹、三角区裂纹、中心疏松、中心偏析、内部夹杂、皮下气泡 形状缺陷：鼓肚、对角线长度差(脱方)、切斜、不平度(板坯)、镰刀弯(板坯)、弯曲、边长超差、长度超差
2、中板、连轧钢带常见缺陷
3、棒材、高线、中型材常见缺陷
二、质量事故分类及管理 1、炼钢一整炉废品：小转炉按出钢量42吨、大转炉按出钢量120吨计算；若出钢钢包(大包)为准时，当废品重量大于或等于出钢量的75%时为一整炉。 2、炼铁一整炉废品：小于或等于400m3高炉每次出铁量大于或等于30吨为一整炉，大于400m3高炉每次出铁量大于或等于50吨为一整炉。 3、《冶金工业部钢铁产品质量事故管理制度》规定:钢铁产品质量事故分为三级，其中一级质量事故为重大质量事故。结合本公司生产实际，我公司质量事故级别分类按附录《质量事故分类表》进行。
4、质量事故发生后，责任单位对事故分析要做到“三不放过”，即不查明事故原因不放过，不分清责任不放过，不订出纠正和预防措施不放过。 5、发生一、二级质量事故，质量部开具《不合格报告》，责任单位填写纠正措施，质量部对纠正措施进行跟踪验证。发生三级质量事故，责任单位在《柳钢质量事故报告单》上填写纠正措施自行跟踪验证。
太阳电池常见问题
1.脏片是怎样造成的？ 原因：前清洗下料端、扩散上下料端员工手套脏污或PVC手套破裂，有汗液沾到硅片。 2.麻点怎样造成的？ 原因：环境中粉尘较多，硅片清洗后放置时间过长；碱槽结晶盐过多，喷淋被堵；手套脏污；出料口滚轮脏污 3.油污是怎样造成的？ 原因：来料问题；药液问题，一般怀疑是碱槽冷凝管破裂，造成碱槽污染 4.过刻是怎样造成的？ 原因：排风不稳定;翻液；循环流量过大；气泡炸裂，一般是液位太低，引流管存在气泡；滚轮不平； 5.黑边是怎样造成的？ 原因：HNO3、H2SO4含量高，溶液力大，硅片边缘反应剧烈； 6.药残是怎样造成的？ 原因：后清洗酸槽或碱槽浓度异常，导致酸液或碱液残留； 7.蓝斑是怎样造成的？ 原因：机器叠片，硅片表面酸、水残留，经过扩散后被氧化成蓝色 8.多孔硅是怎样造成的？ 原因：碱槽浓度低，多孔硅没有被完全清洗干净
9.滚轮印是怎样造成的？ 原因：硅片上有药液残留或者是其他玷污；ACD处滚轮脏污； 10.P ECVD后硅片表面有白色斑点或斑块是怎样造成的？ 原因：扩散隔离不严，将蓝色点、麻点片流到PE；后清洗酸碱槽浓度存在问题，导致药残；PSG未去除干净；碱槽结晶盐或碎片挡住喷淋口； 11.为什么进入车间之前要进行风淋 原因：生产电池片对车间部空气洁净度要求高，为避免员工进出带入微尘污染，故而需对员工进行风淋，一般风淋时间在10-20秒之间； 12.为什么要穿戴无尘服，口罩及乳 原因：防止车间污染，保持良好洁净度便于电池片高效生产； 13.清洗机台为什么要换药？ 14.原因：药液使用到一定程度，药性下降不利于正常生产，工艺制程会有问题。 15.一般多久换一次药 原因：根据生产片数换药，制绒30万片就要换药，刻蚀在80-100万换药； 16.为什么清洗机台部都是塑料结构没有金属呢？ 原因：金属会与机台药液反应，使得金属离子导入，污染电
彩涂板常见质量问题及分析
彩涂板常见质量问题分析 1.弯曲性不良 特点：钢材弯曲180度试验时，加工部位的涂层发生龟裂及涂层剥离 发生原因： 1）、前处理的掌握量过多。 2）、涂层厚度过厚。 3）、过度烘烤。 4）、下涂涂料同上涂涂料的制造厂家不同，或稀料的使用不当。 ￥ 2.硬度不良 特点：用制图铅笔用力在涂层表面划一道，擦去后表面留下一道划痕 发生原因： 1）炉温低，涂层固化不充分。 2）加热条件不适当 3）涂层厚度比规定的厚 3. 凸点 特点：由于钢带受到外部的冲击，板表面出现突出或凹陷，有的有一定的间距，有的没有 发生原因： 1）涂装时辊上有异物混入。 . 2）薄板产品在捆扎时的扎痕。 3）倒卷时受到外部冲击。 4. 边部气泡 特点：两侧沾有涂料，经烘干，出现气泡 发生原因：原材有毛刺沾有涂料多，两边出现缝隙 5. 麻点 特点：从外部混入的异物或灰尘在涂装后部分或全部表面有米粒样的突出发生原因： 1）涂料中混入其它种类或其它公司的涂料。 2）" 3）涂料中有异物混入引起。 3)前处理过程中水洗不良。 6.橘皮 特点：已干燥的表面涂层象橘子皮一样粗糙，不均匀 发生原因： 1）湿膜过厚。 2）涂料的黏度较高时。 7.耐溶剂性能差 特点：丁酮擦拭有点状掉漆 发生原因： 1）& 2）烘烤温度没有达到要求
3）涂料的固化有问题 4）前处理清洗不干净 8.冲击不合格 特点：漆膜冲击后，经胶带粘后部分或全部掉漆 发生原因： 1）前处理不佳 2）检查面漆固化温度是否合理 ； 9.缩孔 特点：漆膜不平整，局部露底 发生原因： 1)钢带表面不洁净 2)底漆冷却水不洁净 3)涂料粘度没达到上机要求 10.漏涂 特点：面漆未涂上 发生原因： 1）边部面漆未涂上，基板板型不好或涂辊与大背辊间压力不足。2）￥ 3）板面中间面漆未涂上，底漆冷却后板面有水或其它异物。 11.色差 特点：同标准板的颜色出现差异 发生原因： 1）涂装厚度过厚或过薄. 2）不是一批涂料 3）黏度稀释时搅拌不均。 12.光泽不良 | 特点：光泽的范围出现异常 发生原因： 1）涂层厚度不适当。 2）固化条件不适当。 3）搅拌不充分。 13. 塌卷 特点：钢卷卷取后在仓库存储时内径变形 发生原因： 1）钢卷卷取后受外力的影响 2）。 3）收卷张力不正确 4）荷重不均
注塑件常见品质问题及原因分析、解决方法
注塑件常见品质问题及原因分析、解决方法 一、注塑件常见品质问题 塑胶件成型后，与预定的质量标准（检验标准）有一定的差异，而不能满足下工序要求，这就是塑胶件缺陷，即常说的品质问题，要研究这些缺陷产生原因，并将其降至最低程度，总体来说，这些缺陷不外乎是由如下几方面造成：模具、原材料、工艺参数、设备、环境、人员。现将缺陷问题总结如下： 1、色差：注塑件颜色与该单标准色样用肉眼观看有差异，判为色差，在标准的光源下（D65）。 2、填充不足（缺胶）：注塑件不饱满，出现气泡、空隙、缩孔等，与标准样板不符称为缺胶。 3、翘曲变形：塑胶件形状在塑件脱模后或稍后一段时间内产生旋转和扭曲现象，如有直边朝里，或朝外变曲或平坦部分有起伏，如产品脚不平等与原模具设计有差异称为变形，有局部和整体变形之分。 4、熔接痕（纹）：在塑胶件表面的线状痕迹，由塑胶在模具内汇合在一起所形成，而熔体在其交汇处未完全熔合在一起，彼此不能熔为一体即产生熔接纹，多表现为一直线，由深向浅发展，此现象对外观和力学性能有一定影响。 5、波纹：注塑件表面有螺旋状或云雾状的波形凹凸不平的表征现象，或透明产品的里面有波状纹，称为波纹。 6、溢边（飞边、披锋）：在注塑件四周沿分型线的地方或模具密封面出现薄薄的（飞边）胶料，称为溢边。 7、银丝纹：注塑件表面的很长的、针状银白色如霜一般的细纹，开口方向沿着料流方向，在塑件未完全充满的地方，流体前端较粗糙，称为银丝纹（银纹）。
8、色泽不均（混色）：注塑件表面的色泽不是均一的，有深浅和不同色相，称为混色。 9、光泽不良（暗色）：注塑件表面为灰暗无光或光泽不均匀称为暗色或光泽不良。 10、脱模不良（脱模变形）：与翘曲变形相似，注塑件成型后不能顺利的从模具中脱出，有变形、拉裂、拉伤等、称为脱模不良。 11、裂纹及破裂：塑胶件表面出现空隙的裂纹和由此形成的破损现象。 12、糊斑（烧焦）：在塑件的表面或内部出现许多暗黑色的条纹或黑点，称为糊斑或烧焦。 13、尺寸不符：注塑件在成型过程中，不能保持原来预定的尺寸精度称为尺寸不符。 14、气泡及暗泡：注塑件内部有孔隙，气泡是制品成型后内部形成体积较小或成串孔隙的缺陷，暗泡是塑胶内部产生的真空孔洞。 15、表面混蚀：注塑件表面呈现无光、泛白、浊雾状外观称为混蚀。 16、凹陷：注塑件表面不平整、光滑、向内产生浅坑或陷窝。 17、冷料（冷胶）：注塑件表面由冷胶形成的色泽、性能与本体均不同的塑料。 18、顶白/顶高：注塑件表面有明显发白或高出原平面。 19、白点：注塑件内有白色的粒点，粒点又叫“鱼眼”，多反映在透明制品上。 20、强度不够（脆裂）：注塑件的强度比预期强度低，使塑胶件不能承受预定的负裁 二、常见品质（缺陷）问题产生原因 1、色差： ①原材料方面因素：包括色粉更换、塑胶材料牌号更改，定型剂更换。
涂装质量缺陷产生原因及修补方法
涂装质量缺陷产生原因及修补方法 A、涂装质量缺陷(涂装工艺学) 一、流挂湿涂膜受重力驱动造成的流痕叫作流挂。 1、流挂预防措施 产生流挂的主要原因是涂膜厚度、涂料粘度。其中涂料粘度还受温度、溶剂挥发及涂料触变性而改变。 下面对其产生根源和对策分别进行阐述： 1）喷涂的湿膜太厚的原因 A、多次重复喷涂， B、喷枪与工件件距离太近， C、一次喷涂太厚 2）涂料粘度太低 3）溶剂挥发太慢 4）在光滑的旧漆膜上喷涂 二、橘皮、 1、产生橘皮的原因及对策 橘皮是涂漆过程中常见又较难克服的流平性问题，影响因素众多，大大地影响到涂膜的平整性。 1）在喷涂过程中，由于溶剂挥发太快，湿膜粘度急剧增加，使流平变得困难而产生橘皮。 2）工件温度太高，使溶剂瞬间挥发，湿度无法流平。 3）喷涂时出漆量太少，或喷涂距离太远，表面沉积漆膜太薄，流平变得困难。 4）喷枪雾化不良，漆雾颗粒过大，也产生橘皮。 5）喷枪距离太近。 6）涂料粘度过大。 7）环境温度偏高，或闪干时间不足就进行烘烤。 8）喷漆室内空气流速太快，使湿膜溶剂快速挥发而难以流平。 9）底材粗糙易导致短波橘皮， 10）金属底色漆喷涂太厚且闪干不充分，罩清漆时易造成粗糙不平整。 11）在烘干时，上升的热空气流和直接的红外辐射作用往往使垂直面长波纹多于水平面。 12）飞散漆雾在已喷漆膜表面的沉积也是造成橘皮的一个因素。 三、颗粒 1、产生颗粒的原因 1）作业环境灰尘多。 2）涂料没过滤。 3）易沉淀的涂料兑稀前搅拌不充分；或者在兑稀时未按要求逐渐兑稀，造成颜料絮凝返粗。 4）存在溶解性差的树脂，在溶解性差的稀料兑稀时，不溶剂而析出，产生树脂颗粒；或者破碎的漆皮残留于涂料中。 5）闪光漆生产时，铝粉浆分散不良，喷涂时产生很多颗粒。 6）由于尘埃容易被涂层表面静电荷吸附，面漆喷涂前最好采用离子化压缩吹净和用粘性摸布插净。 四、露底 形成露底的原因： 1）、选用涂料遮盖力差， 2）、使用前，沉降的颜料未被搅起，或搅拌不充分，造成遮盖力下降， 3）、涂料太稀，喷得太薄， 4）、喷涂膜厚不均匀， 5）、底面漆色调反差太大，对于金属闪光漆，由于底色漆喷涂很薄，中涂颜色最好与面漆相近， 五、咬底 咬底是上层涂膜喷涂时，涂料中溶剂对底层产生严重的溶胀起皱而脱离的现象。原因如下：1）底层未干透就涂下一道。
半导体硅材料基础知识.1
微秒是10-6秒）。所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。 对于P型硅而言：新增加的电子叫作非平衡少数载流子；而新增加的空穴叫作非平衡 多数载流子。 对于N型硅而言：新增加的空穴叫作非平衡少数载流子；而新增加的电子叫作非平衡 多数载流子。 当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。 非平衡载流子的寿命长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，因为硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。 少子寿命是一个重要的参数，用于高能粒子探测器的FZ硅的电阻率高达上万Ωcm，少子寿命上千微秒；用于IC工业的CZ硅的电阻率一般在5—30Ωcm 范围内，少子寿命值多要求在100μs以上；用于晶体管的CZ硅的电阻率一般 在30—100Ωcm，少子寿命也在100μs以上；而用于太阳能电池CZ硅片的电 阻率在0.5—6Ωcm，少子寿命应≥10μs。 5. 氧化量：指硅材料中氧原子的浓度。 太阳能电池要求硅中氧含量＜5×1018原子个数/cm3。 6. 碳含量：指硅材料中碳原子的浓度。 太阳能电池要求硅中碳含量＜5×1017原子个数/cm3。 7、晶体缺陷 另外：对于IC用硅片而言还要求检测： 微缺陷种类及其均匀性； 电阻率均匀性； 氧、碳含量的均匀性； 硅片的总厚度变化TTV； 硅片的局部平整度LTV等等参数。 一、我公司在采购中常见的几种硅材料 1.Cell：称为电池片，常常是电池片厂家外销的产品，它实际是一个单元电池。 2.Wafer：这通常指的是硅片，可能是圆片，也可能是方片。 圆片包括：硅切片，硅磨片、硅抛光片、图形片、污渍片、缺损片。 3.Ingot：常常指的是单晶硅锭，且是圆柱形的硅锭，也有用指多晶硅铸锭的。 4.Polysilicon：通常是指多晶硅料，它又分为棒料、块料、碎料。 5.碳头料(goods with carbon)：通常指多晶硅棒的下部接近石墨头的部分 6.横梁料(beam)：通常是指多晶硅棒最上部的横梁，由于其处在硅棒上部，靠近炉 顶部，且过热（生成温度超过1100℃），也常是金属杂质较多的部分，常不 适合于IC工业，而作为太阳电池材料。 7.头尾料（top and tail）：这是指拉制单晶锭的头部和尾部的部分，它由于电阻率 范围不在IC适用范围内，杂质浓度高（如尾料），或缺陷密度大（如头部料） 而被切下报废，但可作太阳电池的原料。 8.埚底料（Pot scrap）：这是指CZ单晶拉制结束后残留于石英埚底部的余料，常用 作太阳电池片的原料。
产品质量问题的原因分析--5WHY分析法
产品质量问题的原因分析--5WHY分析法 在出现质量问题的时候，强调去问多几个为什么，以找到问题的根本原因，更深层次原因。这无疑比简单地寻求表面的解要好得多。但是针对工程师所写的问题分析与改进报告，你曾有没有这样的疑惑：不知道5why到底要问到什么时候，是不是一定要问5个？问4个行不行？问6个、问10个行不行？每个why是不是都应该找出几个原因呢？5个why是串联的关系还是层层递进的？还是可以呈树形关系呢？ 针对产品质量问题的原因分析，我们提出了四个层面的原因分析理论。用来明确原因分析应该要覆盖哪些方面，应该要深入到什么深度。 这四个层面分别是： 1 . 产品层面 2 . 过程层面 3 . 控制方法层面
4 . 管理层面 怎么理解这四个层面呢？《什么是质量？》一文中给出质量实现过程的用户期望，里面四步翻译转换的模型在这里就可以帮助到我们了。 1 . 产品层面原因分析 客户的期望，是由产品功能来满足的。面向产品最终用户的功能，是由产品下级系统的功能、子系统的功能来满足的。层层向下，作为最底层的功能组件的功能，是由各个零部件的产品特性(例如长度、距离、位置、硬度、粗糙度、圆度、材料疲劳强度、电阻、电压、焊接强度，等等)具体的产品特性来实现的。 如果产品功能要求是函数Y，保证功能的相关产品特性就是自变量X。可以有函数关系式y=f(x1，x2，x3，x4...）。大写的X、Y代表多个变量组成的向量，或者变量组。小写的x，y代表具体的单个变量。从产品的功能障碍出发，即y不符合要求。找到是哪个相关产品特性x所带来的影响，这个层面的原因分析，就叫做质量问题的产品层面原因分析。
硅片线痕分析
硅片线痕分析 分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下： 1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。 表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。 （2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。 （3）以上两种特征都有。 （4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。 改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。 （2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。 其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中 出现“切不动”现象。如未及时发现处理，可导致断 线而产生更大的损失。 2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。 表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。 改善方法：（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。 （2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游离C（<0.03%）以及<2μm微粉超标。 其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。 3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。 表现形式：（1）硅片整面密集线痕。
喷漆作业中常见的漆面缺陷及处理
喷漆作业中常见的漆面缺陷及处理 编辑： admin 发布日期： 2013-01-23 在漆面修补作业中，如果采用了正确的操作方法，橘皮和气泡等常见的漆面问题大多数都可以避免。但是由于修补漆作业的工序较多，漆面出现问题的几率还是很高。分析出现问题的原因，通常是由于腻子层或底漆层处理不当，喷漆过程缺乏控制，工作环境差，以及油漆成分偏差等。如果在喷漆过程中发现问题，可以停止作业并立即采取适当的措施，根据出现的问题不同，也可以等喷漆过程结束后再进行处理。 下面来分析喷漆作业中常见的漆面缺陷及处理方法。 一、皱缩 在喷漆过程中或漆膜干燥的过程中，面漆表面出现皱纹或收缩变形，这种缺陷在醇酸漆修补作业中最为常见。 （１）成因 ①不适当的干燥方法导致漆面干燥不均匀。如果对刚喷涂的漆层进行烘干或过快地强制干燥，或喷漆车间温度过高，表面的油漆干燥较快并收缩，这会延缓内层油漆的干燥速度。当内层油漆干燥时，将会使表面油漆出现收缩现象。应避免在温度不合适的车间或温度变化较大的车间喷漆。 ②漆层太厚或太湿，将使内层的油漆不能和外层的油漆以相同的速度释放溶剂并干燥，漆面就会出现变形和皱纹。应采用多次喷涂的方法，以降低一次性喷涂面漆层的厚度。 ③使用了错误的稀释剂或互不相容的材料。使用快速干燥稀释剂或在瓷
漆中使用挥发性油漆稀释剂都会造成皱缩。必须按照规定使用快速干燥稀释剂，在高温季节应减少快速干燥稀释剂的用量。 （２）修正方法：在油漆充分干燥后，清除皱缩漆面，重新进行喷漆。 二、隆起 也称为浮皱。在喷漆过程中或漆膜干燥的过程中，由于漆面膨胀而在部分区域形成的隆起，可能呈现出不同的形状。 （１）成因 ①使用了错误的稀释剂。在74F7漆中使用挥发性油漆稀释剂会促进内部油漆层的隆起，最终导致面漆层的隆起。 ②使用了互不相容的原料。新喷涂的漆层与原有漆层发生了化学反应，或原有漆层的缺陷没有被妥善处理，漆层之间脱离从而造成面漆层的隆起。 ③底层没有进行彻底地清洁，例如底层表面的油脂或蜡质物没有彻底清除，由于夹层效应的影响，导致再喷涂的油漆无法附着。 ④二次喷涂的间隔时间太短，没有给予底层油漆充分的干燥时间，导致湿漆面中的溶剂侵蚀中涂底漆或面漆使之变软。 （２）修正方法：打磨有缺陷的区域至平滑但不能磨穿，重新进行喷漆。 三、流挂 也称为流泪或垂流。涂层局部变厚，因重力原因出现垂流状态，只出现在将喷涂过的表面垂直放置时或垂直喷涂的表面。 （１）成因 ①不正确地使用了稀释剂。一般是使用了干燥速度慢的稀释剂或使用了过量的稀释剂。
硅片检测
1618845313 一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。 二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。 四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空
硅片薄厚片问题
一、概况 切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序，太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒，同时工作台位置缓慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶体硅的莫氏硬度为6.5，碳化硅的莫氏硬度为9.5），依靠碳化硅的棱角不断地对硅块进行磨削，起到切割作用。薄厚片是衡量硅片品质的一个很重要的指标。薄厚片的存在会影响硅片合格率及电池片的生产工艺，因此这对硅片品质提出了更加严格的要求。 二、硅片厚度产生偏差的原理 硅片的切割过程是在导轮上完成的，钢线在导轮上缠绕形成相互平行的均匀线网，并以10-15m/s的速度运动，砂浆经浆料嘴均匀地流到线网，砂浆中的碳化硅由于悬浮液的悬浮作用裹覆在钢线上，对硅块进行切割。但是随着切割的进行，钢线和碳化硅都会出现不同程度地磨损，钢线的椭圆度增大，携砂能力下降，同时碳化硅的圆度变大，平均粒径减小，切割能力也有所降低，因此，通常在平行工作台运动的方向，硅片入刀点厚度小于出刀点厚度；而和硅块运动方向垂直的方向上，硅片入线侧厚度小于出线侧厚度。硅片厚度有一定的偏差范围，对于180μm厚度的硅片，其偏差范围为±20μm，超过此范围则成为不良品--薄厚片。从根本上讲，薄厚片的产生都是由于各种问题导致线网抖动而造成的。 三、薄厚片原因分析 薄厚片可分为两大类： （1）TV（ThicknessVariation厚度偏差），主要指硅片与硅片之间相同位置之间的厚度偏差，通常存在于同一锯硅片中。 （2）TTV（TotalThicknessVariation整体厚度偏差），指同一片硅片上最厚位置与最薄位置之间的偏差。薄厚片根据其在硅片内的分布位置可以分为四类：整片薄厚（TV）；入刀点薄厚（TTV）；硅片中部至出刀点薄厚（TTV）；单片薄厚不均（TTV）。其产生原因分析如下： (1)整片薄厚： a.导轮槽距不均匀。硅片厚度=槽距-钢线直径-4倍的（碳化硅）D50，根据所需的硅片厚度要求，可以计算出最佳槽距。此外由于在切割过程中，钢线会磨损，钢线直径变小，且端口由圆形变为椭圆形，因此导轮槽距需要根据线损情况进行补偿，以保证硅片厚度均匀。 b.切割前未设好零点。正确设置零点的方法是（以HCT机床为例）：将晶棒装载入机床后，手动降工作台使四条晶棒的导向条刚刚接触线网并点击触摸屏主界面设零点按钮，然后慢速将工作台升至-1.5mm位置真正设零点并命名切割编号。如果零点位置设置不当，导向条接触到线网，则在切割开始后钢线由于受摩擦力作用张力不稳，导致从入刀开始即产生整片薄厚。 c.导向条与硅块之间留有缝隙，切割开始后，随着钢线的运行，部分碎导向条被带入线网，钢线错位，由于钢线在切割过程中会瞬间定位，这样就造成硅片整片薄厚的现象。 d.导轮槽磨损严重。导轮涂层为聚氨酯材料，切割一定刀数后导轮槽根部磨损严重，导轮槽切偏，切割过程中钢线在导轮槽内由于左右晃动导致产生整片薄厚。 解决措施： a.导轮开槽后检查槽距是否均匀，且要根据线损情况对导轮槽距进行补偿。
半导体硅材料基础知识.1
半导体硅材料基础知识讲座 培训大纲 什么是半导体？ 导体（Conductor） 导体是指很容易传导电流的物质 绝缘体（Insolator） 是指极不容易或根本不导电的一类物质 半导体（Semiconductor） 导电性能介于导体和绝缘体之间且具备半导体的基本特性的一类材料。 半导体硅材料的电性能特点 硅材料的电性能有以下三个显著特点： 一是它对温度的变化十分灵敏； 二是微量杂质的存在对电阻率的影响十分显著； 三是半导体材料的电阻率在受光照时会改变其数值的大小。 综上所述，半导体的电阻率数值对温度、杂质和光照三个外部条件变化有较高的敏感性。半导体材料的分类 元素半导体 化合物半导体 有机半导体 无定形半导体 迄今为止，工艺最为成熟、应用最为广泛的是前两类半导体材料，尤其是半导体硅材料，占整个半导体材料用量的90%以上。硅材料是世界新材料中工艺最为成熟、使用量最大的半导体材料。它的实验室纯度可接近本征硅，即12个“九”，即使是大工业生产也可以到7—9个“九”的纯度。 半导体硅材料的制备 冶金级硅（工业硅）的制备 冶金级硅是将比较纯净的SiO2矿石和木炭或石油焦一起放入电弧炉里,在电孤加热的情况下进行还原而制成。 其反应式是： SiO2+2C →Si+2CO 普通冶金级硅的纯度大约是2～3个“九”。目前市面上也有号称4～5个“九”纯度的冶金级硅，那是通过多次“冶金法”或称为“物理法”提纯后获得的。 多晶硅的制备 目前全世界多晶硅的生产方法大体有三种：一是改良的西门子法；二是硅烷法；三是粒状硅法。 改良的西门子法生产半导体级多晶硅： 这是目前全球大多数多晶硅生产企业采用的方法，知名的企业有美国的Harmlock、日本的TOKUYAMA、三菱公司、德国的瓦克公司以及乌克兰和MEMC意大利的多晶硅厂。全球80％以上的多晶硅是用此法生产的。其工艺流程是： 原料硅破碎筛分（80目）沸腾氯化制成液态的SiHCl3 粗馏提纯精馏提纯氢还原棒状多晶硅破碎洁净分装。 经验上，新建设一座多晶硅厂需要30—36个月时间，而老厂扩建生产线也需要大约14—18
各种硅片不良的解决方案
断线善后处理 首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头 一.查明断线原因及断线情况. 二.急时上报，未经同意，不得私自处理。 三.处理流程： 1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割. 2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起，迅速 布线，8000流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸， 冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的，以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止。线速调到2m/s，以2%走线1cm，以调平线网，停止。打开砂浆8000流量均匀冲片子。把晶棒两侧的线网小心的剪掉（剪时要用手捏着）,留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线网,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割。4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的就认刀否则就反切或直接拉线正向切割。 4.进线端断线，第一次断线，切深在80mm.1换掉放线轮，用一个 空的收线轮来代替。以低于原2N（左19和右21）的张力，切割线方向改为:右，其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆。 2把晶棒提升至30---40mm处，重新对接焊线，焊线时要焊接均匀，
焊接点的点径要和线径相同。经15N的线速走线300——400米，改张力为自动切割的张力，每秒1米，不开沙浆，走到出线端5米时，把张力改为15N，待线头在收线轮上绕2——3圈，改回原来的张力。把晶棒压到断线位置误差在0.05mm，打开砂浆。以1m/s 速度的20%，走上1m，经班长确认无误后进行切割。 5.经上环节中必须处理好线网（其中包括，碎片、胶条、沙浆颗粒） 在升晶棒前，把胶条去掉，上升速度为每分钟10mm,上升过程中如夹线，不可用手去摸，只能用手动轻微探摁一下，把线网走平。 6.认线前5m/s的速度走线100m，在不松开张力的情况下，停止走 线，然后以10mm/min认刀，要一次性认进。 7.反向切割设置修改：进给降低1个百分点，线速降低1M/S，流 量增加300KG/H。 8.线头编号方法:年+月+日+机台号+第几次断线数.例 如:080501-20-01 9.请工序稽查人员按照此标准做巡检 崩边问题 问题点：粘胶面崩边 异常现象：脱胶后，在方棒两头的硅片粘胶面呈现边沿发亮， 硅层呈线式脱落崩边, 及距粘胶面0.1mm处线式崩边。脱胶和清洗 时观察不到崩边，检验时能发现崩边。 原因分析： 一.开方进给不稳，外圆刀锯转速不稳，刀锯金刚砂层质量不好，造成刀痕过重，方棒表面刀纹不平，凹凸起伏，隐型损伤（指的是锯开方）线开方损伤可忽略 二.方棒温度低，胶在凝固时的高温反应热，破坏了粘胶面的硅层结构 三.硅片预冲洗水温低于XX度，脱胶水温低于XX度，胶层未完全软化时员工就用手把硅片用力作倒。 四.由于采用的是小槽距大线径，不可避免会在出刀时造成硅片向阻力小的一方的倾斜，方